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KR950025868A - 반도체 소자의 비트라인 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 비트라인 형성방법 Download PDF

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Publication number
KR950025868A
KR950025868A KR1019940002247A KR19940002247A KR950025868A KR 950025868 A KR950025868 A KR 950025868A KR 1019940002247 A KR1019940002247 A KR 1019940002247A KR 19940002247 A KR19940002247 A KR 19940002247A KR 950025868 A KR950025868 A KR 950025868A
Authority
KR
South Korea
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bit line
semiconductor device
layer
depositing
titanium
Prior art date
Application number
KR1019940002247A
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Inventor
장현진
이우봉
고재완
구영모
김세정
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Publication of KR950025868A publication Critical patent/KR950025868A/ko
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/48—Data lines or contacts therefor
    • H10B12/482—Bit lines

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 비트라인(Bit Line)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 기존의 폴리실리콘(Polysilicon) 텅스텐 실리사이드(Tungsten Silicide; WSix) 구조의 비트라인에서 폴리실리콘과 텅스텐 실리 사이드간의 점착(Adhesion)특성을 향상시키기 위하여, 폴리실리콘 증착후 티타늄(Ti)을 얇게 증착하고, 상기 티타늄층 상에 티타늄 나이트라이드(TiN)을 얇게 증착한 후 텅스텐 실리사이드를 증착하여 Poly/Ti/TiN/WSix 구조의 비트라인을 형성하는 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 비트라인 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 형성된 비트라인 구조를 도식화한 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 비트라인 형성방법에 있어서, 비트라인 콘택홀이 형성된 소정의 반도체 기판(1)상에 폴리실리콘층(2)을 증착한 후 인(P)불순물을 주입하는 단계와, 상기 단계로부터 폴리실리콘층(2) 상부에 티타늄층(11)을 얇게 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 티타늄층(11) 상부에 티타늄 나이트라이드층(12)을 얇게 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 티타늄 나이트라이드층(12) 상부에 텅스텐 실리사이드층(3)을 증착한 후 비트라인 마스크를 사용한 식각공정으로 비트라인을 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비트라인 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940002247A 1994-02-07 1994-02-07 반도체 소자의 비트라인 형성방법 KR100280810B1 (ko)

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