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KR950021108A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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KR950021108A
KR950021108A KR1019930030793A KR930030793A KR950021108A KR 950021108 A KR950021108 A KR 950021108A KR 1019930030793 A KR1019930030793 A KR 1019930030793A KR 930030793 A KR930030793 A KR 930030793A KR 950021108 A KR950021108 A KR 950021108A
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South Korea
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film
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vapor deposition
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여태정
이우봉
고재완
구영모
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 실리콘기판(1) 상에 형성된 콘택홀에 의해 소정부위가 노출되어 있는 접합부(2)에 금속배선을 형성하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식을 통한 폴리실리콘막(7)을 증착하는 단계; PVD(Physical Vapor Deposition) 방법으로 Ti막(3)을 스퍼터링 하는 단계; N2분위기에서 RTP(Rapid Thermal Process)처리 하는 단계; 주금속배선을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, TiSi2막/Ti막/TiN 막을 70%이상의 양호한 스텝커버리지를 갖는 금속배선으로 형성함으로써 초고집적 반도체 소자의 제조를 가능하게 하고 금속 저항을 감소시켜 반도체 소자의 속도를 향상시키며 금속배선의 단락등에 의한 소자의 불량률을 감소시켜 반도체 소자의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 따른 금속배선 형성 공정도.

Claims (4)

  1. 실리콘기판(1)상에 형성된 콘택홀에 의해 소정부위가 노출되어 있는 접합부(2)에 금속배선을 형성하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식을 통한 폴리실리콘막(7)을 증착하는 단계; PVD(Physical Vapor Deposition) 방법으로 Ti막(3)을 스퍼터링 하는 단계; N2분위기에서 RTP(Rapid Thermal Process)처리 하는 단계; 주금속배선을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막(7)은 후속 공정에서 증착할 Ti두께의 약 0.5 내지 1.5배의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 N2분위기에서 RTP(Rapid Thermal Process)처리 단계는 Ti막(3)의 하부가 폴리실리콘막(7)과 반응하여 TiSi2막(4)을 형성하고 Ti막(3)의 상부는 질소(N2)와 반응하여 TiN막(5)을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 주금속배선은 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930030793A 1993-12-29 1993-12-29 반도체 소자의 금속배선 형성방법 KR100256238B1 (ko)

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