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KR20050052474A - 복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치 - Google Patents

복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치 Download PDF

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KR20050052474A
KR20050052474A KR1020057002667A KR20057002667A KR20050052474A KR 20050052474 A KR20050052474 A KR 20050052474A KR 1020057002667 A KR1020057002667 A KR 1020057002667A KR 20057002667 A KR20057002667 A KR 20057002667A KR 20050052474 A KR20050052474 A KR 20050052474A
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light emitting
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leds
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진핑 아오
야스오 오노
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시로 사카이
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Abstract

높은 구동전압 및 낮은 구동전류로 동작하는 발광 장치이다. 사파이어 기판 등의 절연기판(10)상에 복수의 LED(1)를 이차원적으로 모놀리식 형성하고, 복수의 LED(1)를 직렬 접속해서 LED 어레이로 한다. 2조의 LED 어레이를 서로 역극성으로 전극(32)에 접속한다. LED(1)의 사이 및 LED(1)와 전극(32) 사이에는 에어 브리지 배선(28)으로 한다. LED 어레이를 지그재그 형상으로 배치함으로서 다수의 LED(1)를 형성하고, 높은 구동전압과 낮은 구동전류를 얻는다. 2개의 LED 어레이는 역극성이기 때문에, 전원으로서 교류전원을 사용할 수 있다.

Description

복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치{LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS}
본 발명은, 기판 상에 복수의 발광 소자가 형성된 발광 장치에 관한 것이다.
발광 소자(LED)등의 발광수단이 표시용도 등에 사용되는 경우에는, 그 사용조건이 구동전압 약 1~4V, 구동전류 약 20mA로 되어 있다. 그런데, 최근 GaN계 화합물 반도체를 이용한 단파장 LED가 개발되어, 풀 컬러나 백색 등의 고체 광원이 실용화됨에 따라, 점차 LED를 조명용도에도 응용하는 것이 검토되고 있다. LED를 조명용도에 응용하는 경우에, 상술한 구동전압 약 1~4V, 구동전류 약 20mA라고 하는 사용조건과는 다른 조건에서 사용되는 사태도 생긴다. 이 때문에, LED에 의해 대전류를 흐르게 하고, 발광출력을 크게 하는 연구가 이루어지고 있다. 대전류를 흐르게 하기 위해서는, LED의 pn접합 면적을 크게 하고, 전류밀도를 작게 억제할 필요가 있다.
LED를 조명용 광원으로 사용하는 경우에는, 전원으로서 교류를 사용하고, 100V 이상의 구동전압에서 사용할 수 있는 것이 편리하다. 또한, 같은 전력을 투입해서 같은 발광출력을 얻는다면, 낮은 전류 값을 유지하면서 높은 전압을 인가하는 쪽이 전력손실을 작게 할 수 있다. 그러나, 종래의 LED에서는, 반드시 충분히 구동전압을 높게 할 수는 없었다.
도 １은，발광 소자(LED)의 기본구성도이다．
도 ２는，발광 장치의 등가회로도이다.
도 ３은, 2개의 LED의 평면도이다.
도 ４는, 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 단면도이다.
도 ５는, 발광 장치의 다른 등가회로도이다.
도 ６은，40개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 ７은，도 6의 회로도이다.
도 ８은，6개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 ９는，도 8의 회로도이다.
도 １０은，14개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 １1은, 도 10의 회로도이다.
도 １２는, 6개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 １３은, 도 12의 회로도이다.
도 １4는, 16개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 15는, 도 14의 회로도이다.
도 16은, 2개의 LED를 배열한 설명도이다.
도 17은, 도 16의 회로도이다.
도 18은, 4개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 19는, 도 18의 회로도이다.
도 20은, 3개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 21은, 도 20의 회로도이다.
도 22는, 6개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 23은, 도 22의 회로도이다.
도 24는, 5개의 LED를 이차원 배열한 설명도이다.
도 25는, 도 24의 회로도이다.
도 26은, 다른 이차원 배치 설명도이다.
도 27은, 도 26의 회로도이다.
도 28은, 다른 이차원 배치 설명도이다.
도 29는, 도 28의 회로도이다.
도 30은, 다른 이차원 배치 설명도이다.
도 31은, 도 30의 회로도이다.
본 발명의 목적은，높은 구동전압으로 동작할 수 있는 발광 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 절연기판 상에 복수의 GaN계 발광 소자가 형성되고, 상기 복수의 발광 소자가 모놀리식으로 직렬 접속되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판 상에 이차원 배치되어 있는 것이 호적하다.
또한, 상기 복수의 발광 소자는 2조로 나뉘어, 2개의 전극에 서로 반대극성이 되도록 병렬 접속되어도 좋다.
상기 복수의 발광 소자 사이의 접속은 에어 브리지 배선으로 해도 좋다.
상기 복수의 발광 소자 사이의 전기적인 분리는, 상기 기판으로 사용되는 사파이어에 의해 행해져도 좋다.
또한, 상기 복수의 발광 소자는 동수(同數)씩 2조로 나뉘어, 각조의 발광 소자 어레이는 지그재그 형상으로 배치하고, 또한, 2조의 발광 소자 어레이는 2개의 전극에 서로 반대극성이 되도록 병렬 접속되어도 좋고, 상기 2조의 발광 소자 어레이는, 서로 다르게 배치해도 좋다.
또한, 상기 발광 소자 및 전극은, 평면형상이 거의 정방형 혹은 삼각형상으로 해도 좋다.
또한, 상기 복수의 발광 소자 및 전극은, 전체 형상이 거의 정방형이 되도록 배치해도 좋다.
본 발명에 있어서, 전극은 교류전원용 전극으로 할 수 있다.
또한, 상기 2조의 발광 소자 어레이는, 공통의 n전극을 가져도 좋다.
본 발명에서는 복수의 발광 소자를 모놀리식으로, 즉 동일 기판 상에 형성하고, 이들을 직렬 접속함으로서, 고(高)구동전압을 가능하게 한다. 복수의 발광 소자를 한쪽 방향으로 접속함으로서 직류구동이 가능하게 되지만, 복수의 발광 소자를 2조로 나누고, 각조의 발광 소자(발광 소자 어레이)를 서로 역극성이 되도록 전극에 접속함으로서 교류구동도 가능해진다. 각조의 개수는 동수(同數)라도 좋고, 혹은 달라도 좋다.
복수의 발광 소자를 이차원 배열하는 방법은 여러 가지 존재하지만, 기판 전유면적을 될 수 있는 한 작게 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 2조의 발광 소자 어레이를 각각 지그재그 형상으로, 즉 복수의 발광 소자를 절곡된 직선상에 배치하고, 각각의 발광 소자 어레이를 서로 다르게 배치함으로서, 기판 면적을 유효 활용해서 다수의 발광 소자를 접속할 수 있다. 2조의 발광 소자 어레이를 서로 다르게 배치함으로서, 배선의 교차부분이 생기는 경우도 있지만, 발광 소자 사이를 에어브리지 배선으로 접속함으로서 교차부분에서의 단락을 유효하게 방지할 수 있다. 발광 소자 및 전극 형상은 임의지만, 예를 들면 평면형상이 거의 정방형으로 되도록 형성함으로서 전체형상도 거의 정방형으로 되고, 표준적인 마운트 구조를 사용할 수 있다. 발광 소자 및 전극을 정방형 이외, 예를 들면, 삼각형으로 한 경우라도, 이들 삼각형상을 조합해서 전체로서 거의 정방형을 형성하면, 마찬가지로 표준적인 마운트 구조를 사용할 수 있게 된다.
이하, 도면에 근거해서 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
도 1은, 본 실시예에 있어서 GaN계 화합물 반도체 발광 소자로서의 LED(1)의 기본구성이 나타나 있다. LED(1)은, 기판(10)상에 차례로 GaN층(12), Si-도핑 n형 GaN층(14), InGaN발광층(16), AlGaN층(18), p형 GaN층(20)이 적층되고, p형 GaN층(20)에 접해서 p전극(22), n형 GaN층(14)에 접해서 n전극(24)이 형성되는 구성이다.
도 1에 나타낸 LED는 이하의 프로세스에 의해 제작된다. 즉, 우선, MOCVD장치로 사파이어 c면 기판을 수소분위기중에서 1100℃, 10분간 열처리한다. 그리고, 온도를 500 ℃까지 강온(降溫)시키고, 실란가스와 암모니아가스를 100초간 공급해서 불연속적인 SiN막을 기판(10)상에 형성한다. 즉, 상기 프로세스는 디바이스중의 전위밀도를 저감시키기 위한 것이고, 도에서는 SiN막은 생략하고 있다. 다음으로, 동일 온도로 트리메틸갈륨 및 암모니아가스를 공급해서 GaN층을 20nm 두께 성장시킨다. 온도를 1050 ℃로 승온(昇溫)하고, 다시 트리메틸갈륨 및 암모니아가스를 공급해서 언도핑 GaN(u-GaN)층12 및 Si도핑 n형 GaN층(14)을 각 2μm 두께 성장시킨다. 그 뒤, 온도를 700 ℃ 정도까지 강온해서 InGaN발광층(16)을 2nm 두께 성장시킨다. 목표조성은 x=0.15, 즉 In0 .15Ga0 .85N 이다. InGaN발광층(16) 성장 후, 온도를 1000 ℃까지 승온해서 AlGaN 정공(正孔)주입층(18)을 성장시키고, 나아가 p형 GaN층(20)을 성장시킨다.
p형 GaN층(20)을 성장시킨 후, 웨이퍼를 MOCVD 장치로부터 꺼내고, Ni10nm 두께, Au10nm 두께를 차례로 진공증착으로 성장층 표면에 형성한다. 5%의 산소를 포함하는 질소가스 분위기중에서 520 ℃ 열처리함으로서 금속막은 p형 투명전극(22)으로 된다. 투명전극 형성후, 전면에 포토레지스트를 도포하고, n형전극 형성을 위한 에칭을 포토레지스트를 마스크로서 행한다. 에칭 깊이는, 예를 들면, 600nm 정도이다. 에칭으로 노출된 n형 GaN층(14)상에 Ti 5nm 두께, Al 5nm 두께를 형성하고, 질소가스 분위기중에서 450 ℃, 30분간 열처리해서 n형전극(24)을 형성한다. 마지막으로, 기판(10)의 속면(裏面)을 100μm까지 연마해서 칩을 잘라내고, 마운트함으로서 LED(1)이 얻어진다.
도 1에서는, 기판(10)상에 하나의 GaN계 LED(1)가 형성되어 있지만, 본 실시예에서는, 기판(10)상에 LED(1)을 모놀리식으로, 또한 이차원 어레이 형상으로 복수 형성하고, 각 LED룰 접속해서 발광 장치(칩)를 구성한다. 여기서, 「모놀리식」이란, 1개의 기판상에 모든 소자가 형성되어 있는 것을 의미한다.
도 2에는, 발광 장치의 등가회로도가 나타나 있다. 도 2에서, 2차원 어레이 형상으로 형성된 발광 소자군은 동수(도4에서는 4개)씩 2조로 나뉘어, 각 조의 LED(1)은 각각 직렬 접속되고, 2조의 LED배열은 전극(구동전극)에 대해서 역극성으로 되도록 병렬 접속된다. 이와 같이 LED배열이 직렬 접속됨으로서, 각각의 구동전압이 가산된 높은 전압에서 LED(1)를 구동할 수 있다. 또한, 각 LED배열은 그 극성이 서로 반대가 되도록 전극에 병렬 접속되어 있으므로, 전원으로서 교류전원을 사용한 경우에도, 전원의 각 주기중에 반드시 어느 쪽인가의 LED열이 발광하고 있게 되므로, 효율이 좋은 발광을 행할 수 있다.
도 3에는, 기판(10)상에 모놀리식으로 형성된 복수의 LED의 부분적인 평면도가 나타나 있다. 또한, 도4는, 도3의 Ⅳ-Ⅳ 단면도가 나타나 있다. 도 3에 있어서, LED(1)의 상면에는, 도1에 나타낸 것과 같이 p전극(22) 및 n전극(24)이 형성되어 있다. 인접하는 LED(1)의 p전극(22)과 n전극(24)의 사이가 에어 브리지 배선(28)에 의해 접속되고, 복수의 LED(1)가 직렬 접속된다.
도 4에 있어서, 각 LED(1)는 설명의 편의상 간략하게 나타내고 있다. 즉, n형 GaN층(14), p형 GaN층(20), p전극(22), n전극(24)만이 나타나 있다. 실제로는 도1에 나타난 것과 같이 InGaN발광층(16) 등이 존재하는 것은 말할 필요도 없다. 에어 브리지 배선(28)은, p전극(22)에서부터 n전극(24)까지를 공중(空中)을 개재시켜 접속한다. 이에 따라, 소자표면에 절연막을 도포하고, 그 위에 전극을 형성해서 p전극(22)과 n전극(24)을 전기적으로 접속하는 방법에 비해서, 에칭홈을 따라 전극을 배치할 필요가 없게 되므로, 배선조각이나 절연막에서 n층, p층으로 절연재료를 구성하는 원소가 열확산해서 LED(1)를 열화 시키는 문제를 회피할 수 있다. 에어 브리지 배선(28)은 LED(1) 사이뿐만 아니라, LED(1)와 도시하지 않은 전극 사이의 접속에도 사용된다.
또한, 도 4에 나타낸 것과 같이, 각 LED(1)는 서로 독립하고, 전기적으로 절연될 필요가 있다. 이 때문에, 각 LED(1)는 사파이어 기판(10)상에서 분리된 구성으로 되어 있다. 사파이어는 그 자체가 절연체이므로, LED(1)를 각각 전기적으로 분리할 수 있다. 이와 같이, 사파이어 기판(10)을 LED의 전기적인 분리를 행하기 위한 저항체로서 사용함으로서, 용이하고 또한 확실하게 LED의 전기적인 분리를 행할 수 있다.
즉, 발광 소자로서는, pn접합을 갖는 LED 이외, MIS로 할 수도 있다.
도 5에는, 발광 장치의 다른 등가회로도가 나타나 있다. 도에서, 20개의 LED(1)가 직렬 접속되어 하나의 LED 어레이를 형성하고 있고, 두 개의 LED 어레이( 합계 40개의 LED)가 전원에 병렬로 접속되어 있다. LED(1)의 구동전압은 5V로 설정되고, 각 LED 어레이의 구동전압은 100V로 되어 있다. 두 개의 LED 어레이는 도2와 마찬가지로 서로 반대극성으로 되도록 전원에 병렬 접속되어 있고, 전원의 극성이 모두 반드시 어느 쪽인가의 LED 어레이가 발광하게 된다.
도 6에는, 이차원 어레이가 구체적으로 나타나 있다. 도 2의 등가 회로도에 대응하는 것이다. 도에서, 사파이어 기판(10)상에 합계 40개의 LED(1)가 형성되어 있고, 각각 20개씩 2조로 나뉘어져, 에어 브리지 배선(28)에 의해 직렬 접속되어 두 개의 LED 어레이를 형성하고 있다. 보다 상세하게는, 각 LED(1)는 모두 동형(同形)인 정방형으로 동사이즈이고, 하나의 LED 어레이는 위에서부터 6개, 7개, 7개로 각각 직선상에 배치되고, 위에서부터 제1열째(6개)와 제2열째(7개)는 서로 역방향으로 형성되고, 제2열째와 제3열째도 서로 역방향으로 형성된다. 제1열째와 제2열째, 제2열째와 제3열째는 서로 이간(離間)되어 배치되어 있다. 이것은 후술하는 것과 같이, 다른 쪽의 LED 어레이 열이 교대로 삽입되기 때문이다. 제1열째의 우단(右端) LED(1)와 제2열째의 우단 LED(1)는 에어 브리지 배선(28)에 의해 접속된다. 제2열째의 좌단 LED(1)와 제3열째의 좌단(左端) LED(1)도 에어 브리지 배선(28)으로 접속되어 지그재그 배열로 된다. 제1열째의 좌단 LED(1)는 기판(10)의 좌상부에 형성된 전극(패드)(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 제3열째의 우단 LED(1)는 기판(10)의 우하부에 형성된 전극(패드)(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. 두 개의 전극(패드)(32)도 LED(1)와 동형인 정방형이다. 다른 쪽 LED 어레이는 상술한 한쪽 LED 어레이의 간극에 서로 다르게 형성된다. 즉, 다른 쪽 LED 어레이는 위에서부터 7개, 7개, 6개로 각각 직선상에 배치되고, 위에서부터 제1열째는 한쪽 LED 어레이의 제1열째와 제2열째의 사이에 형성되고, 제2열째는 한쪽 LED 어레이의 제2열째와 제3열째의 사이에 형성되고, 제 3열째는 한쪽 LED 어레이의 제3열째의 아래에 형성된다. 다른 쪽 LED 어레이의 제1열째와 제2열째, 및 제2열째와 제3열째 도 서로 역방향으로 되도록 형성되고, 제1열째의 우단 LED(1)는 제2열째의 우단 LED(1)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 제2열째의 좌단 LED(1)는 제3열의 좌단 LED(1)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되어 지그재그 형상으로 된다. 다른 쪽 LED 어레이의 제1열째의 좌단 LED는 기판(10)의 좌상부(左上部)에 형성된 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 제3열째의 우단 LED(1)는 기판(10)의 우하부(右下部)에 형성된 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. 한쪽 LED 어레이와 다른 쪽 LED 어레이의 전극(32)에 대한 극성은 서로 반대이다. 발광 장치(칩)의 전체 형상은 장방형이다. 전원이 공급되는 두 개의 전극(32)은, 장방형의 대각선 위치에 이간해서 형성되는 점도 착안하고 싶다.
도 7에는, 도 6의 회로도가 나타나 있다. 각각의 LED 어레이는 지그재그 형상으로 굴곡하면서 직렬 접속되고, 2개의 LED 어레이는 지그재그 형상의 각 열이 서로의 열 사이에 형성되는 모습이 분명해질 것이다. 이와 같은 배치로 함으로서, 다수의 LED(1)를 작은 기판(10)상에 배치할 수 있다. 또한, 40개의 LED(1)에 대해서 전극(32)이 2개로도 되므로, 이점에서도 기판(10)의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 각 LED(1)를 분리하기 위해서 LED(1)를 개별로 형성하는 경우에는 웨이퍼를 잘라서 분리할 필요가 있는 것에 대해, 본 실시예에서는 각 LED(1)의 분리를 에칭으로 행할 수 있으므로, LED(1)의 간극을 좁게 할 수 있다. 이에 따라, 사파이어 기판(10)의 크기를 보다 작게 할 수 있다. LED(1)끼리의 분리는, 포토레지스트나 반응성 이온 에칭, 습식 에칭을 병용함으로서 LED(1) 이외의 영역을 기판(10)에 달할 때까지 에칭 제거함으로서 달성된다. 각 LED 어레이는 교대로 발광하므로, 발광효율을 향상할 수 있음과 동시에 방열 특성도 향상시킬 수 있다. 또한, 직렬 접속시키는 LED(1)의 수를 변경하면, 전체로서의 구동전압도 변경할 수 있다. 또한, LED(1)의 면적을 작게 하면, 하나의 LED당 구동전압을 높게 할 수도 있다. LED(1)를 20개 직렬로 접속한 경우, 상용전원(100V, 60Hz)으로 구동하면, 대략 150mW의 발광출력을 얻을 수 있다. 이 경우의 구동전류로서는 20mA 정도이다.
즉, 도 7로부터 알 수 있듯이, 2개의 LED 어레이를 지그재그 형상으로 교대로 배열할 경우, 에어 브리지 배선(28)에 교차부분(34)이 필연적으로 발생한다. 예를 들면, 다른 쪽 LED 어레이의 제1열째와 제2열째를 접속할 때, 한 쪽 LED 어레이의 제1열째와 제2열째를 접속하기 위한 배선부분과 교차한다. 그러나, 본 실시예의 에어 브리지 배선(28)은, 상술한 것과 같이 기판(10)에 접착되어 있지 않고, 기판(10)으로부터 떨어져 공중(空中)을 통과하므로, 교차부분(34)에 있어서 에어 브리지 배선(28)끼리 접촉하고, 단락하는 것을 쉽게 회피할 수 있다. 에어 브리지 배선(28)을 이용하는 이점의 하나이다. 에어 브리지 배선(28)은, 예를 들면, 다음과 같이 형성된다. 즉, 전면에 2μm의 두께의 포토레지스트를 도포하고, 에어 브리지 배선(28)의 형상으로 구멍을 뚫은 후에 포스트 베이크 한다. 그 위에, 진공증착으로 Ti를 10nm, Au를 10nm, 상기 순서로 증착한다. 나아가, 그 위의 전면에 2μm 두께로 포토레지스트를 다시 도포하고, 에어 브리지 배선(28)을 형성하는 부분에만 구멍을 뚫는다. 이어서, Ti와 Au를 전극으로서 전해액속에서 이온 도금에 의해 전극 전면에 3~5μm의 두께의 Au를 부착시킨다. 그 다음, 시료를 아세톤에 담그고, 초음파세정에 의해 포토레지스트를 용해제거해서 에어 브리지 배선(28)이 완성된다.
이와 같이, 복수의 LED(1)를 이차원 어레이 형상으로 배치함으로서, 기판면적을 유효하게 활용하면서 고(高)구동전압, 특히, 상용전원에서의 구동도 가능해지지만, 이차원 어레이의 패턴으로서는 이 외에도 다양한 패턴이 가능하다. 일반적으로, 이차원 어레이 패턴으로서는, 다음의 조건을 구비하는 것이 바람직하다.
(1) 각 LED에 균일하게 전류를 흐르게 하고, 균일한 발광을 얻기 위해서는 각 LED의 형상, 전극 위치가 동일한 것이 바람직하다.
(2) 웨이퍼를 잘라서 칩으로 하기 위해서는, 각 LED의 변(邊)은 직선인 것이 바람직하다.
(3) 광 취출 효율을 향상시키기 위해, 표준적인 마운트를 사용해서 주변으로부터의 반사를 이용하기 위해서는 LED는 평면형상이 정방형에 가까운 형상이 바람직하다.
(4) 2개의 전극(본딩 패드)의 크기는 100μm각 정도로, 서로 떨어져 있는 것이 바람직하다.
(5) 웨이퍼 면적의 유효한 이용을 위해, 배선, 패드가 차지하는 비율은 작은 편이 바람직하다.
물론, 이들은 반드시 필요한 것은 아니고, 예를 들면, LED의 형상으로서는 평면형상 삼각형을 이용하는 것도 가능할 것이다. 각 LED의 형상이 삼각형이라도, 이들을 조합시킴으로서 전체 형상을 거의 정방형으로 할 수 있다. 이하, 이차원 어레이 패턴의 예를 몇 개 나타낸다.
도 8에는, 합계 6개의 LED(1)를 이차원으로 배치한 예가 나타나 있고, 도9에는 그 회로도가 나타나 있다. 도8의 배치는, 기본적으로 도6의 배치와 동일하고, 합계 6개의 LED 어레이는 동수(同數)씩 2조로 나뉘어, 각각 직렬 접속된 3개의 LED로부터 구성된다. 한 쪽 LED 어레이는 지그재그 형상으로 배열되고, 위에서부터 제1열째는 1개의 LED(1), 제2열째는 2개의 LED(1)가 형성된다. 제1열째의 LED와 제2열째의 우단 LED(1)는 에어 브리지 배선(28)으로 직렬 접속된다. 기판(10)의 좌상부와 좌하부에 전극(패드)32가 형성되고, 제1열째의 LED(1)는 좌상부의 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 제2열째의 좌단 LED(1)는 좌하부의 전극(32)에 접속된다. 다른 쪽 LED 어레이도 지그재그 형상으로 배열되고, 위에서부터 제1열째는 2개의 LED(1), 제2열째는 1개의 LED(1)가 형성된다. 다른 쪽 LED 어레이의 제1열째는 상기 한쪽 LED 어레이의 제1열째와 제2열째 사이에 형성되고, 다른 쪽 LED 어레이의 제2열째는 상기 한쪽 LED 어레이의 제2열째의 하방에 형성된다. 제1열째의 우단 LED(1)는 제2열째의 LED(1)에 에어 브리지 배선(28)으로 직렬 접속되고, 제1열째의 2개의 LED(1)끼리도 에어 브리지 배선(28)으로 직렬 접속된다. 제1열째의 좌단 LED(1)는 좌상부의 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 제2열째의 LED(1)는 좌하부의 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. 도9로부터 알 수 있듯이, 이 예에서도 2개의 LED 어레이는 서로 병렬로 전극(32)에 접속되고, 또한, 서로 역극성으로 되도록 접속된다. 따라서, 교류전원을 공급한 경우, 2개의 LED 어레이는 교대로 발광하게 된다.
도 10에는, 합계 14개의 LED를 이차원으로 배치한 예가 나타나 있고, 도 11에는 그 회로도가 나타나 있다. 합계 14개의 LED 어레이는 2조로 나뉘어, 각각 직렬 접속된 7개의 LED로부터 구성된다. 한 쪽 LED 어레이는 지그재그 형상으로 배열되고, 위에서부터 제1열째는 3개의 LED(1), 제2열째는 4개의 LED(1)가 형성된다. 제1열째의 좌단 LED와 제2열째의 좌단 LED(1)는 에어 브리지 배선(28)으로 직렬 접속되고, 제1열째의 3개의 LED끼리, 및 제 2열째의 4개의 LED(1)끼리도 에어 브리지 배선(28)으로 직렬 접속된다. 기판(10)의 우상부와 우하부에 전극(패드)32가 형성되고, 제 1열째의 우단 LED(1)는 우상부의 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 제2열째의 우단 LED(1)는 우하부의 전극(32)에 접속된다. 다른 쪽 LED 어레이도 지그재그 형상으로 배열되고, 위에서부터 제1열째는 4개의 LED(1), 제2열째는 3개의 LED(1)가 형성된다. 다른 쪽 LED 어레이의 제1열째는 상기 한쪽 LED 어레이의 제1열째와 제2열째 사이에 형성되고, 다른 쪽 LED 어레이의 제2열째는 상기 한쪽 LED 어레이의 제2열째의 하방에 형성된다. 제1열째의 우단 LED(1)는 제2열째의 좌단 LED(1)에 에어 브리지 배선(28)으로 직렬 접속된다. 제1열째의 4개의 LED(1)끼리 및 제2열째의 3개인 LED(1)끼리도 직렬 접속된다. 제1열째의 우단 LED(1)는 우상부의 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 제2열째의 우단 LED(1)는 우하부의 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. 도 11로부터 알 수 있듯이, 이 예에서도 2개의 LED 어레이는 서로 병렬로 전극(32)에 접속되고, 또한, 서로 역극성으로 되도록 접속된다. 따라서, 교류전원을 공급한 경우, 2개의 LED 어레이는 교대로 발광하게 된다.
도 6, 도 8, 도 10의 이차원 패턴에 공통하는 특징으로서는, 각 LED(1)가 거의 정방형의 동형(同形), 동사이즈인 것, 2개의 전극(패드)도 거의 정방형이고, 인접 형성되어 있지 않은(이간 형성되어 있는) 것, 2개의 LED 어레이의 조합인 것, 2개의 LED 어레이는 굴곡하면서 칩상에 서로 교차하도록 형성되는 것, 2개의 LED 어레이는 서로 역극성이 되도록 전극에 접속되는 것, 등이다.
도 12에는, 평면형상이 삼각형인 LED를 이차원 배열한 경우의 예가 나타나 있고, 도 13에는 그 회로도가 나타나 있다. 도 12에 있어서, 합계 6개의 LED(1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f )가 그 평면형상이 삼각형상으로 되도록 형성되어 있다. LED(1a와 1e)가 삼각형의 일변에서 대향해서 2개로 거의 정방형이 되도록 배치되고, LED(1b와 1f)가 대향해서 2개로 거의 정방향으로 되도록 배치된다. 또한, LED(1d)와 전극(32)이 대향해서 접속하고, LED(1c)와 전극(32)이 대향해서 접속한다. 2개의 전극(32)도 LED와 마찬가지로 평면형상이 삼각형상이고, 마찬가지로 거의 정방형이 되도록 배치된다. LED끼리 대향하는 변은 n전극(24)을 구성하고, 즉, 대향하는 2개의 LED는 n전극(24)을 공유한다. LED와 전극(32)도 n전극 접속이다. 이 배치도, 상술한 예와 마찬가지로 합계 6개의 LED는 2조로 나눠진다. 한쪽 LED 어레이는, LED(1a, 1b, 1c )로 이루어지는 어레이 이고, LED(1a)의 p전극(22)은 전극(32)에 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, 그 n전극(24)은 LED(1b)의 p전극(22)과 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. LED(1b)의 n전극(24)은 LED(1c)의 p전극(22)과 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. LED(1c)의 n전극(24)은 전극(32)에 접속된다. 다른 쪽 LED 어레이는 LED(1d, 1e, 1f)로 구성되고, 전극(32)와 LED(1f)의 p전극(22)은 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, LED(1f)의 n전극(24)은 LED(1e)의 p전극(22)과 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, LED(1e)의 n전극(24)과 LED(1d)의 p전극(22)은 에어 브리지 배선(28)으로 접속되고, LED(1d)의 n전극(24)은 전극(32)에 접속된다.
도 13에 있어서, 한쪽 LED 어레이를 구성하는 LED(1a)와 다른쪽 LED 어레이를 구성하는 LED(1e)의 n전극(24)이 접속되어 있고, 한 쪽 LED 어레이를 구성하는 LED(1b)와 다른 쪽 LED 어레이를 구성하는 LED(1f)의 n전극(24)이 접속되어 있는 점에도 착안하고 싶다. 2조의 LED 어레이의 몇 개의 n전극(24)을 공유함으로서, 회로배선을 삭감할 수 있다. 또한, 이 예에서도, 2개의 LED 어레이는 병렬로 전극(32)에 접속되고, 또한, 서로 역극성이 되도록 접속된다. 또한, 각 LED는 동형, 동사이즈이고, 각 LED를 하나의 변으로 대향시킴과 동시에 전극(32)도 삼각형상으로 함으로서 LED 및 전극을 고밀도로 형성해서 필요한 기판면적을 작게 할 수 있다.
도 14에는, 평면형상이 삼각형인 LED를 이차원 배열한 다른 예가 나타나 있고, 도 15에는 그 회로도가 나타나 있다. 이 예에서는, 합계 16개의 LED(1a~1r)이 이차원 형성되어 있다. LED(1a) 와 LED(1j), LED(1b) 와 LED(1k), LED(1c) 와 LED(1m), LED(1d) 와 LED(1n), LED(1e) 와 LED(1p), LED(1f) 와 LED(1q), LED(1g) 와 LED(1r) 이 각각 삼각형의 하나의 변에 대향한다. 대향하는 변에는 n전극(24)이 공통 형성되어 있다. 또한, LED(1i)와 전극(32)이 대향하고, LED(1h)와 전극(32)이 대향한다. 한쪽 LED 어레이는 LED(1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g, 1h )로 구성되고, 다른 쪽 LED 어레이는 LED(1r, 1q, 1p, 1n, 1m, 1k, 1j, 1i )로 구성된다. LED(1b)의 n전극(24)은 에어 브리지 배선(28)에 의해 LED(1c)의 p전극(22)에 접속되고, LED(1e)의 n전극(24)도 에어 브리지 배선(28)에 의해 LED(1f)의 p전극(22)에 접속된다. 또한, LED(1q)의 n전극(24)도 에어 브리지 배선(28)에 의해 LED(1p)의 p전극(22)에 접속되고, LED(1m)의 n전극(24)도 에어 브리지 배선(28)에 의해 LED(1k)의 p전극(22)에 접속된다. 도 14에 있어서도, 도 12와 마찬가지로 교차부분이 생기지만, 에어 브리지 배선(28)에 의해 단락을 회피할 수 있다. 또한, 이 예에서도 2조의 LED 어레이의 몇 개인가의 n전극(24)을 공유구조로 함으로서 필요한 배선을 삭감하고 있다. 또한, 이 예에서도 2개의 LED 어레이는 병렬로 서로 역극성으로 전극(32)에 접속되어 있고, 교류구동이 가능하다. 도 12에 있어서는, 합계 6개의 LED의 경우, 도 14에 있어서는, 합계 16개의 LED의 경우에 대해서 나타냈지만, 다른 개수의 LED라도 마찬가지로 이차원 배열할 수 있다. 본 출원인은, 38개의 LED를 이차원 배열한 발광 장치도 작성하고 있다.
이상, 교류구동의 경우에 대해서 설명했지만, 직류구동도 가능하다는 것은 말할 필요도 없다. 이 경우, LED 어레이를 서로 역극성으로 되도록 전극에 접속하는 것이 아니라, 직류전원의 극성 방향에 맞추어 LED 어레이를 순방향으로 접속하면 좋다. 복수의 LED를 직렬 접속함으로서, 고전압구동이 가능하다. 이하, 직류구동의 경우에 대해서 설명한다.
도 16에는, 2개의 LED를 직렬 접속한 예가 나타나 있고, 도 17에는 그 회로도가 나타나 있다. 각 LED(1)는 평면형상이 직사각형상이고, 2개의 LED 사이는 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. 전극(32)은 LED(1)의 근방에 형성되어 있고, 전극(32)과 LED(1)에서 장방형의 영역을 형성한다. 즉, 전극(32)은 장방형 영역의 일부를 점유하고, 장방형 영역의 다른 영역에 LED(1)가 형성되어 있다.
도 18에는, 합계 4개의 LED를 이차원 배열한 예가 나타나 있고, 도 19에는 그 회로도가 나타나 있다. 도 16의 LED(1)를 2개로 분할하고, 각각을 병렬로 접속한 것이다. 2개의 LED로 이루어진 LED 어레이를 2조 병렬로 순방향 접속했다고 말할 수도 있다. LED(1a)와 LED(1b)로 하나의 LED 어레이를 구성하고, LED(1c)와 LED(1d)로 하나 더 LED 어레이를 구성한다. LED(1a)와 LED(1c)는 p전극(22) 및 n전극(24)을 공유하고, LED(1b)와 LED(1d)도 p전극(22) 및 n전극(24)을 공유한다. 상기 구성에 의하면, 도 16에 비해 전류가 균일화되는 효과가 있다.
도 20은, 합계 3개의 LED를 이차원 배열한 예가 나타나 있고, 도 21에는 그 회로도가 나타나 있다. LED(1a, 1b, 1c)는 동형이 아니고, LED(1a)의 일부에 전극(32)이 형성되어 있다. LED(1a)의 n전극(24)과 LED(1b)의 p전극(22)은 LED(1b)의 위를 넘는 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. 각 LED의 형상 및 배치를 궁리한 끝에, 3개의 LED에서도 발광 장치(칩) 전체의 외관형상을 거의 정방형으로 할 수 있었다.
도 22에는, 합계 6개의 LED를 이차원 배열한 예가 나타나 있고, 도 23에는 그 회로도가 나타나 있다. 각 LED(1a~1f)는 동형, 동사이즈이다. LED(1a~1f)는 직렬 접속된다. LED(1a~1c)는 직선상에 배치되고, LED(1d~1f)는 다른 직선상에 배치된다. LED(1c)와 LED(1d)는 에어 브리지 배선(28)으로 접속된다. 이 예에서도, 칩 전체 형상을 거의 정방형으로 할 수 있다.
도 24에는, 합계 5개의 LED를 이차원 배열한 예가 나타나 있고, 도 25에는 그 회로도가 나타나 있다. LED(1a~1e) 는 동형(장방형), 동사이즈이다. 이 예에서도, 전체 형상을 거의 정방형으로 할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 각종 변경이 가능하다. 특히, 복수의 발광 소자(LED 등)를 이차원 배치하는 경우의 패턴은 상술한 패턴 이외에도 가능하다. 이 경우, 인접하는 발광 소자 사이에서 전극을 공유해서 배선을 적게 하는 것, 전체 형상을 정방형 혹은 장방형으로 하는 것, 복수조의 발광 소자 어레이를 전극에 병렬 접속하는 것, 교류구동의 경우에 복수조의 발광 소자 어레이를 서로 역극성으로 하는 것, 복수조의 발광 소자 어레이를 각각 지그재그 형상으로 굴곡 시켜 조합하는 것, 등이 호적하다.
도 26~도 31에는, 이들의 변경 예의 몇 개인가를 예시하고 있다. 도 26은 교류구동의 경우의 이차원 배치이고, 합계 40개의 LED가 배치되어 있다. 도 27은 그 회로도이다. 도 6과 다른 점은, 2조의 LED 어레이의 몇 개인가가 n전극(24)을 공유하는 점이다(도 5참조). 예를 들면, 한 쪽 LED 어레이의 제1열의 우단으로부터 2번째에 위치하는 LED(도중 α로 표시한다)의 n전극(24)은, 다른 쪽 LED 어레이의 제1열의 우단에 위치하는 LED(도중 β로 표시한다)의 n전극(24)과 공유되어 있다. 즉, LED 어레이의 단부(도중 γ 부분)에 대한 에어 브리지 배선(28)은, 교차시키는 것 없이 공통 형성되어 있다.
도 28은, 교류 구동의 경우의 이차원 배치이고, 합계 14개의 LED가 배치되어 있다. 도 29는 그 회로도이다. 도 10과 다른 점은, 2조의 LED 어레이의 몇 개인가가 n전극(24)을 공유하는 점이다. 예를 들면, 한 쪽 LED 어레이의 제1열의 좌단 LED(도중 α로 표시한다)의 n전극(24)은, 다른 쪽 LED 어레이의 제1열의 우단으로부터 2번째에 위치하는 LED(도중 β로 표시한다)의 n전극(24)과 공유되어 있다. 또한, 단부(도중 γ 부분)에 대한 에어 브리지 배선(28)은, 공통 형성되어 있다.
도 30은, 교류 구동의 경우의 이차원 배치이고, 합계 6개의 LED가 배치되어 있다. 도 31은 그 회로도이다. 이 예에서도, 단부( γ 부)의 에어 브리지 배선(28)이 공통 형성되어 있다. 이 구성도, 한 쪽 LED 어레이에 대한 n전극(24)과 다른 쪽 LED 어레이에 대한 n전극(24)이 공유되어 있다고 말할 수 있다.

Claims (13)

  1. 절연기판 상에 복수의 GaN계 발광 소자가 형성되고, 상기 복수의 발광 소자가 모놀리식으로 직렬 접속되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는 상기 기판 상에 이차원 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는 2조로 나뉘어, 2개의 전극에 서로 반대극성이 되도록 병렬 접속되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자 사이의 접속은 에어 브리지 배선인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자 사이의 전기적인 분리는, 상기 기판으로서 사용되는 사파이어에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는 동수(同數)씩 2조로 나뉘어, 각 조의 발광 소자 어레이는 지그재그 형상으로 배치되고, 또한, 2조의 발광 소자 어레이는 2개의 전극에 서로 반대 극성이 되도록 병렬 접속되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 2조의 발광 소자 어레이는, 서로 다르게 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 발광 소자 및 전극은, 평면형상이 대략 정방형인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 발광 소자 및 전극은, 평면형상이 삼각형상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자 및 전극은, 전체형상이 대략 정방형이 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자로 이루어진 발광 소자 어레이는 지그재그 형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 전극은 교류전원용 전극인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 2조의 발광 소자 어레이는, 공통의 n전극을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
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TW (1) TWI280672B (ko)
WO (1) WO2004023568A1 (ko)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100691497B1 (ko) * 2005-06-22 2007-03-09 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR100765240B1 (ko) * 2006-09-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자
KR100803162B1 (ko) * 2006-11-20 2008-02-14 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광소자
WO2008111693A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ac light emitting diode
KR100898585B1 (ko) * 2006-11-16 2009-05-20 서울반도체 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법
US7723737B2 (en) 2005-06-22 2010-05-25 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device
KR101142539B1 (ko) * 2010-08-18 2012-05-08 한국전기연구원 역방향 직렬접속된 발광셀 어레이가 구비된 교류용 발광다이오드 칩 구조
KR101156452B1 (ko) * 2005-08-25 2012-06-13 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자
KR101158071B1 (ko) * 2005-09-28 2012-06-22 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101158073B1 (ko) * 2005-12-13 2012-06-22 서울옵토디바이스주식회사 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
KR101274041B1 (ko) * 2004-12-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101495071B1 (ko) * 2008-06-24 2015-02-25 삼성전자 주식회사 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법
KR20150067588A (ko) * 2013-12-10 2015-06-18 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
US9391118B2 (en) 2007-01-22 2016-07-12 Cree, Inc. Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters
KR20170035357A (ko) * 2010-07-02 2017-03-30 에피스타 코포레이션 광전소자

Families Citing this family (234)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE500616T1 (de) * 2002-08-29 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit lichtemittierenden dioden
US6957899B2 (en) * 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7213942B2 (en) * 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
EP1658642B1 (en) 2003-08-28 2014-02-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
TW200529464A (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Super Nova Optoelectronics Corp Gallium nitride based light-emitting diode structure and manufacturing method thereof
WO2006004337A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same
TW200501464A (en) * 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
JP3802910B2 (ja) 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101216938B1 (ko) 2004-10-28 2012-12-31 서울반도체 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
WO2006068297A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
KR101138944B1 (ko) 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
KR101121726B1 (ko) 2005-02-03 2012-03-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7535028B2 (en) * 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
JP5192239B2 (ja) * 2005-02-04 2013-05-08 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光装置及びその製造方法
DE102005009060A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
DE102005055997A1 (de) * 2005-05-02 2006-11-09 Hieke, Bernhard Homogene Lichtquelle
TW200640045A (en) 2005-05-13 2006-11-16 Ind Tech Res Inst Alternating current light-emitting device
US7474681B2 (en) 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
US8704241B2 (en) * 2005-05-13 2014-04-22 Epistar Corporation Light-emitting systems
US8272757B1 (en) 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
CN101799126B (zh) 2005-06-28 2014-05-28 首尔伟傲世有限公司 用于交流电力操作的发光装置
US8896216B2 (en) 2005-06-28 2014-11-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Illumination system
KR100599012B1 (ko) * 2005-06-29 2006-07-12 서울옵토디바이스주식회사 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
KR100616415B1 (ko) * 2005-08-08 2006-08-29 서울옵토디바이스주식회사 교류형 발광소자
WO2007018360A1 (en) * 2005-08-09 2007-02-15 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ac light emitting diode and method for fabricating the same
CN100413071C (zh) * 2005-09-21 2008-08-20 杭州士兰明芯科技有限公司 使用交流电源的发光二极管灯及其制造方法
JP5193048B2 (ja) 2005-09-30 2013-05-08 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子
KR100721454B1 (ko) 2005-11-10 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 광 결정 구조체를 갖는 교류용 발광소자 및 그것을제조하는 방법
TWI318466B (en) * 2005-12-09 2009-12-11 Ind Tech Res Inst Ac_led single chip with three terminals
TWI331406B (en) * 2005-12-14 2010-10-01 Advanced Optoelectronic Tech Single chip with multi-led
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100652864B1 (ko) * 2005-12-16 2006-12-04 서울옵토디바이스주식회사 개선된 투명전극 구조체를 갖는 교류용 발광 다이오드
CN101351891B (zh) 2005-12-22 2014-11-19 科锐公司 照明装置
US7998761B2 (en) 2006-01-09 2011-08-16 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with ITO layer and method for fabricating the same
KR100659373B1 (ko) 2006-02-09 2006-12-19 서울옵토디바이스주식회사 패터닝된 발광다이오드용 기판 및 그것을 채택하는 발광다이오드
JP2007281081A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
CN101128075B (zh) * 2006-08-18 2011-01-26 财团法人工业技术研究院 发光装置
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7897980B2 (en) * 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
US8338836B2 (en) * 2006-11-21 2012-12-25 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device for AC operation
WO2008075797A1 (en) 2006-12-18 2008-06-26 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same
DE112007002696T5 (de) 2006-12-26 2009-11-05 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Vorrichtung
TWI440210B (zh) 2007-01-22 2014-06-01 Cree Inc 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
JP4753904B2 (ja) 2007-03-15 2011-08-24 シャープ株式会社 発光装置
KR100974923B1 (ko) * 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
JP4474441B2 (ja) * 2007-06-29 2010-06-02 株式会社沖データ 発光パネル、表示装置及び光源装置
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
KR100889956B1 (ko) 2007-09-27 2009-03-20 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광다이오드
TWI369777B (en) * 2007-10-04 2012-08-01 Young Lighting Technology Corp Surface light source of backlight module in a flat panel display
CN101409318B (zh) * 2007-10-12 2010-06-09 台达电子工业股份有限公司 发光二极管芯片的制造方法
KR100928259B1 (ko) 2007-10-15 2009-11-24 엘지전자 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
KR101423723B1 (ko) 2007-10-29 2014-08-04 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
CN101960205B (zh) * 2008-03-28 2012-07-25 夏普株式会社 背光源单元和液晶显示装置
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
US8461613B2 (en) 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
KR100956224B1 (ko) 2008-06-30 2010-05-04 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 구동회로 및 ｌｅｄ 어레이 장치
KR101025972B1 (ko) * 2008-06-30 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 교류 구동 발광 장치
US8058669B2 (en) 2008-08-28 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode integration scheme
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
RU2469435C1 (ru) * 2008-10-17 2012-12-10 Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Хоккайдо Юниверсити Массив полупроводниковых светоизлучающих элементов и способ его изготовления
WO2010050694A2 (ko) * 2008-10-29 2010-05-06 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) * 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR20100095666A (ko) 2009-02-12 2010-09-01 서울반도체 주식회사 고전압 구동용 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지
US7967652B2 (en) 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US7982409B2 (en) 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs
JP5283539B2 (ja) * 2009-03-03 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法
US8106403B2 (en) * 2009-03-04 2012-01-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. III-nitride light emitting device incorporation boron
KR20100107165A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 조명장치
WO2010114250A2 (en) 2009-03-31 2010-10-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
TWI470824B (zh) 2009-04-09 2015-01-21 Huga Optotech Inc 電極結構及其發光元件
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
JP5336594B2 (ja) * 2009-06-15 2013-11-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
US8558249B1 (en) 2009-06-30 2013-10-15 Applied Lighting Solutions, LLC Rectifier structures for AC LED systems
US7936135B2 (en) * 2009-07-17 2011-05-03 Bridgelux, Inc Reconfigurable LED array and use in lighting system
US20110037054A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Chan-Long Shieh Amoled with cascaded oled structures
US8324837B2 (en) * 2009-08-18 2012-12-04 Hung Lin Parallel light-emitting circuit of parallel LED light-emitting device and circuit board thereof
US20110049468A1 (en) * 2009-08-25 2011-03-03 Panasonic Corporation Led and led display and illumination devices
US8354680B2 (en) * 2009-09-15 2013-01-15 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode having full-wave light emitting cell and half-wave light emitting cell
CA2774232A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-source module and light-emitting device
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
KR20110041401A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 샤프 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US8872214B2 (en) 2009-10-19 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
DE102009051129A1 (de) 2009-10-28 2011-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2011071559A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display
US9236532B2 (en) 2009-12-14 2016-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
KR101106151B1 (ko) 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
CN103474446B (zh) * 2010-01-15 2017-03-01 晶元光电股份有限公司 发光二极管阵列结构及其制造方法
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
KR101601624B1 (ko) 2010-02-19 2016-03-09 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
WO2011115361A2 (ko) 2010-03-15 2011-09-22 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 장치
KR101649267B1 (ko) 2010-04-30 2016-08-18 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드
US8084775B2 (en) * 2010-03-16 2011-12-27 Bridgelux, Inc. Light sources with serially connected LED segments including current blocking diodes
JP2011199221A (ja) 2010-03-24 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
CN102214771A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 菱生精密工业股份有限公司 导线架型式的预铸模成型多芯片承载模组
WO2011126248A2 (en) 2010-04-06 2011-10-13 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
JP5522462B2 (ja) * 2010-04-20 2014-06-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
CN102270626B (zh) * 2010-06-01 2013-12-25 展晶科技(深圳)有限公司 多晶封装发光二极管
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
CA2802539A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Glo Ab Nanowire led structure and method for manufacturing the same
CN102340904B (zh) 2010-07-14 2015-06-17 通用电气公司 发光二极管驱动装置及其驱动方法
TWI557875B (zh) * 2010-07-19 2016-11-11 晶元光電股份有限公司 多維度發光裝置
TWI451596B (zh) * 2010-07-20 2014-09-01 Epistar Corp 一種陣列式發光元件
JP2012028749A (ja) 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
CN101982883A (zh) * 2010-09-01 2011-03-02 晶科电子（广州）有限公司 一种由倒装发光单元阵列组成的发光器件及其制造方法
US9035329B2 (en) * 2010-09-13 2015-05-19 Epistar Corporation Light-emitting device
KR101142965B1 (ko) 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
TWI472058B (zh) * 2010-10-13 2015-02-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體裝置
TWI420959B (zh) * 2010-10-20 2013-12-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體模組
WO2012063208A1 (en) * 2010-11-11 2012-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. A led assembly
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
RU2446511C1 (ru) * 2010-12-08 2012-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ) Полупроводниковый прибор
KR20120070278A (ko) * 2010-12-21 2012-06-29 삼성엘이디 주식회사 발광모듈 및 발광모듈 제조방법
JP6000127B2 (ja) * 2011-01-07 2016-09-28 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置
US9516713B2 (en) * 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
KR101104767B1 (ko) * 2011-02-09 2012-01-12 (주)세미머티리얼즈 발광 장치
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US9401692B2 (en) 2012-10-29 2016-07-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having collar structure
US9490771B2 (en) 2012-10-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and frame
US9490418B2 (en) 2011-03-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer
DE102011015821B4 (de) * 2011-04-01 2023-04-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101216937B1 (ko) 2011-04-07 2012-12-31 서울반도체 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치
US20120269520A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Hong Steve M Lighting apparatuses and led modules for both illumation and optical communication
DE102011102032A1 (de) 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
US20120306390A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Architecture for Supporting Modulized Full Operation Junction Ultra High Voltage (UHV) Light Emitting Diode (LED) Device
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
CN102255012B (zh) * 2011-07-15 2013-03-20 上海蓝光科技有限公司 一种高压直流发光二极管芯片制造方法及其结构
RU2465683C1 (ru) * 2011-08-09 2012-10-27 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
JP5403832B2 (ja) * 2011-08-29 2014-01-29 星和電機株式会社 発光装置
US20130175516A1 (en) * 2011-09-02 2013-07-11 The Procter & Gamble Company Light emitting apparatus
KR101220426B1 (ko) 2011-09-19 2013-02-05 서울옵토디바이스주식회사 복수의 발광 셀을 구비하는 발광 소자
US8350251B1 (en) 2011-09-26 2013-01-08 Glo Ab Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same
RU2566383C1 (ru) * 2011-09-30 2015-10-27 Соко Кагаку Ко., Лтд. Нитридный полупроводниковый элемент и способ его изготовления
RU2474920C1 (ru) * 2011-11-14 2013-02-10 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
TWI427760B (zh) * 2011-11-17 2014-02-21 Helio Optoelectronics Corp 高壓交流發光二極體結構
US9144121B2 (en) 2011-11-20 2015-09-22 Jacobo Frias, SR. Reconfigurable LED arrays and lighting fixtures
US20120087130A1 (en) * 2011-11-20 2012-04-12 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Alternating current led illumination apparatus
GB2496851A (en) 2011-11-21 2013-05-29 Photonstar Led Ltd Led light source with passive chromaticity tuning
CN104269424B (zh) * 2011-11-23 2017-01-18 俞国宏 一种集成电阻的发光二极管芯片
DE102012024599B4 (de) 2011-12-20 2020-07-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung mit optisch transparenten und funktionalen Bauelementen
KR101634369B1 (ko) 2011-12-27 2016-06-28 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN103200728B (zh) 2012-01-10 2015-02-04 四川新力光源股份有限公司 交流电直接恒流驱动的白光led发光装置
EP2626901A1 (en) 2012-02-10 2013-08-14 Oki Data Corporation Semiconductor light emitting apparatus, image displaying apparatus, mobile terminal, head-up display apparatus, image projector, head-mounted display apparatus, and image forming apparatus
KR101202175B1 (ko) 2012-03-26 2012-11-15 서울반도체 주식회사 발광 장치
RU2492550C1 (ru) * 2012-05-22 2013-09-10 Вячеслав Николаевич Козубов Способ формирования светоизлучающих матриц
JP5939055B2 (ja) * 2012-06-28 2016-06-22 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US20140056003A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-27 John Frattalone Modular video and lighting displays
US9171826B2 (en) 2012-09-04 2015-10-27 Micron Technology, Inc. High voltage solid-state transducers and solid-state transducer arrays having electrical cross-connections and associated systems and methods
US9412922B2 (en) * 2012-09-07 2016-08-09 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US9076950B2 (en) 2012-09-14 2015-07-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. High voltage LED with improved heat dissipation and light extraction
CN103681644B (zh) * 2012-09-14 2016-08-17 晶元光电股份有限公司 具有改进的热耗散和光提取的高压led
JP6068073B2 (ja) * 2012-09-18 2017-01-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄアレイ
CN102903813B (zh) * 2012-09-29 2014-04-02 海迪科（南通）光电科技有限公司 集成图形阵列高压led器件的制备方法
US9385684B2 (en) 2012-10-23 2016-07-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having guard ring
KR20140059985A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US8558254B1 (en) * 2012-11-29 2013-10-15 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited High reliability high voltage vertical LED arrays
US9356212B2 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
US9093627B2 (en) 2012-12-21 2015-07-28 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
KR102071035B1 (ko) 2012-12-21 2020-01-29 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JPWO2014109309A1 (ja) * 2013-01-11 2017-01-19 日産化学工業株式会社 高溶解性トリス−（２，３−エポキシプロピル）−イソシアヌレート及び製造方法
CN103148381A (zh) * 2013-01-24 2013-06-12 左洪波 一种led灯封装结构
TW201431138A (zh) * 2013-01-25 2014-08-01 zhong-lin Wang 免封裝製程且免電路板式發光二極體裝置及其製造方法
JP6176032B2 (ja) * 2013-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
RU2514055C1 (ru) * 2013-02-05 2014-04-27 Вячеслав Николаевич Козубов Способ размещения и соединения светоизлучающих элементов в гирляндах, размещаемых в монолитных светоизлучающих матрицах
US20140231852A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Led chip resistant to electrostatic discharge and led package including the same
TWI610416B (zh) * 2013-02-15 2018-01-01 首爾偉傲世有限公司 抗靜電放電的ｌｅｄ晶片以及包含該ｌｅｄ晶片的ｌｅｄ封裝
KR102006389B1 (ko) 2013-03-14 2019-08-02 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 장치
CN103256574B (zh) * 2013-04-18 2015-02-04 李宪坤 一种led灯具智能布线方法及系统
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN104282823A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 光宝科技股份有限公司 发光二极管封装结构
CN104282821B (zh) * 2013-07-12 2017-03-29 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构、发光二极管结构金属支架及承载座模块
US9583689B2 (en) * 2013-07-12 2017-02-28 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. LED package
DE102014011893B4 (de) 2013-08-16 2020-10-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiode
CN104425539A (zh) * 2013-09-05 2015-03-18 亚世达科技股份有限公司 发光二极管单元及发光装置
US9117733B2 (en) * 2013-10-18 2015-08-25 Posco Led Company Ltd. Light emitting module and lighting apparatus having the same
EP2881982B1 (en) 2013-12-05 2019-09-04 IMEC vzw Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices
US9660064B2 (en) * 2013-12-26 2017-05-23 Intel Corporation Low sheet resistance GaN channel on Si substrates using InAlN and AlGaN bi-layer capping stack
TWI614920B (zh) 2014-05-19 2018-02-11 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
US9577171B2 (en) * 2014-06-03 2017-02-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package having improved heat dissipation efficiency
TWI556478B (zh) * 2014-06-30 2016-11-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體裝置
CN107078096B (zh) * 2014-09-22 2020-10-02 株式会社村田制作所 半导体装置
KR102231646B1 (ko) 2014-10-17 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
AT516416B1 (de) * 2014-10-21 2019-12-15 Zkw Group Gmbh Leiterplatte mit einer Mehrzahl von an der Leiterplatte in zumindest einer Gruppe angeordneter elektronischer Bauteile
KR101651923B1 (ko) 2014-12-31 2016-08-29 최운용 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
EP3258507A2 (en) * 2015-02-13 2017-12-20 Seoul Viosys Co., Ltd Light-emitting element and light-emitting diode
KR102268107B1 (ko) * 2015-02-26 2021-06-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN104992938A (zh) * 2015-07-20 2015-10-21 深圳市君和光电子有限公司 一种倒装集成led光源
DE102015114010A1 (de) * 2015-08-24 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements
CN109314160B (zh) * 2015-11-20 2021-08-24 亮锐控股有限公司 为实现不同的电配置的管芯接合焊盘设计
KR101731058B1 (ko) 2016-02-11 2017-05-11 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20160082491A (ko) 2016-02-11 2016-07-08 최운용 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
KR101845907B1 (ko) 2016-02-26 2018-04-06 피에스아이 주식회사 초소형 led 모듈을 포함하는 디스플레이 장치
CN105789400B (zh) * 2016-03-14 2018-08-14 聚灿光电科技股份有限公司 一种并联结构的led芯片及其制造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US20190237027A1 (en) * 2016-05-04 2019-08-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Color temperature adjustment device and mthod of liquid crystal panel and liquid crystal panel
DE102016109951A1 (de) * 2016-05-31 2017-11-30 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Lichterzeugungsvorrichtung für eine Kopf-oben-Anzeige eines Kraftfahrzeugs
JP6447580B2 (ja) 2016-06-15 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109936890B (zh) 2017-12-18 2022-03-15 群创光电股份有限公司 电子装置
KR102777054B1 (ko) * 2019-07-04 2025-03-11 서울반도체 주식회사 직병렬 연결된 복수의 발광 다이오드 칩을 갖는 발광 모듈
TWI830759B (zh) * 2019-07-31 2024-02-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件及其製造方法
JP7014973B2 (ja) 2019-08-28 2022-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11538849B2 (en) * 2020-05-28 2022-12-27 X Display Company Technology Limited Multi-LED structures with reduced circuitry
KR20220018122A (ko) * 2020-08-05 2022-02-15 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치
KR102447407B1 (ko) 2020-11-12 2022-09-27 주식회사 에스엘바이오닉스 반도체 발광소자
CN112531084B (zh) * 2020-11-16 2022-06-17 厦门三安光电有限公司 Led芯片、led芯片封装模组和显示装置
DE102021130804A1 (de) * 2021-11-24 2023-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtfolie, anzeigelement und verfahren zum betreiben einer leuchtfolie

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5829361Y2 (ja) * 1976-09-13 1983-06-28 シャープ株式会社 加熱調理装置のタ−ンテ−ブル
JPS54102886A (en) 1978-01-31 1979-08-13 Futaba Denshi Kogyo Kk Light emitting diode indicator
JPS556687A (en) 1978-06-29 1980-01-18 Handotai Kenkyu Shinkokai Traffic use display
JPS5517180A (en) * 1978-07-24 1980-02-06 Handotai Kenkyu Shinkokai Light emitting diode display
US4242281A (en) * 1978-11-17 1980-12-30 International Flavors & Fragrances Inc. Process for preparing 6-hydroxy-2,6-dimethylheptanal and intermediates thereof
JPS60960B2 (ja) * 1979-12-17 1985-01-11 松下電器産業株式会社 窒化ガリウム発光素子アレイの製造方法
JPS5714058A (en) * 1980-06-28 1982-01-25 Ricoh Co Ltd Printer
JPS59206873A (ja) * 1983-05-11 1984-11-22 株式会社東芝 発光表示装置
US4589745A (en) * 1985-01-25 1986-05-20 Polaroid Corporation Geometric LED layout for line exposure
JPH0716001B2 (ja) 1986-05-21 1995-02-22 日本電気株式会社 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JPH0783053B2 (ja) 1987-06-19 1995-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置
US5187377A (en) * 1988-07-15 1993-02-16 Sharp Kabushiki Kaisha LED array for emitting light of multiple wavelengths
US4943539A (en) * 1989-05-09 1990-07-24 Motorola, Inc. Process for making a multilayer metallization structure
JPH03229426A (ja) 1989-11-29 1991-10-11 Texas Instr Inc <Ti> 集積回路及びその製造方法
JPH0423154A (ja) 1990-05-18 1992-01-27 Hitachi Ltd 端末制御方法
JPH0423154U (ko) 1990-06-14 1992-02-26
JP2759117B2 (ja) 1990-11-28 1998-05-28 富士写真フイルム株式会社 感光材料処理装置
JPH04365382A (ja) 1991-06-13 1992-12-17 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその駆動方法
JPH06104273A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 半導体装置
US5298853A (en) * 1992-12-18 1994-03-29 Lubos Ryba Electrical apparatus for detecting relationships in three phase AC networks
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
JPH0786691A (ja) 1993-09-14 1995-03-31 Sony Corp 発光装置
US5463280A (en) * 1994-03-03 1995-10-31 National Service Industries, Inc. Light emitting diode retrofit lamp
JPH07272849A (ja) 1994-03-31 1995-10-20 Nippondenso Co Ltd 薄膜ｅｌ表示器とその製造方法
JPH0856018A (ja) * 1994-08-11 1996-02-27 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、および半導体発光素子の製造方法
US5693963A (en) * 1994-09-19 1997-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device with nitride
JPH08111562A (ja) 1994-10-11 1996-04-30 Mitsubishi Electric Corp アレイ型半導体レーザ装置，及びその製造方法
US5608234A (en) * 1994-11-14 1997-03-04 The Whitaker Corporation Semi-insulating edge emitting light emitting diode
US5936599A (en) * 1995-01-27 1999-08-10 Reymond; Welles AC powered light emitting diode array circuits for use in traffic signal displays
US5585648A (en) * 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
JP3905935B2 (ja) * 1995-09-01 2007-04-18 株式会社東芝 半導体素子及び半導体素子の製造方法
EP0852817A1 (en) 1995-09-25 1998-07-15 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Surface light-emitting element and self-scanning type light-emitting device
US5583349A (en) 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
JP2768343B2 (ja) * 1996-02-14 1998-06-25 日本電気株式会社 窒化ｉｉｉ族化合物半導体の結晶成長方法
KR100190080B1 (ko) * 1996-08-20 1999-06-01 윤종용 반도체 메모리 장치의 메모리 셀 테스트용 고전압 감지 회로
JPH10107316A (ja) * 1996-10-01 1998-04-24 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
US5977612A (en) * 1996-12-20 1999-11-02 Xerox Corporation Semiconductor devices constructed from crystallites
US6333522B1 (en) 1997-01-31 2001-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor
JPH10261818A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Fujitsu Ltd 発光半導体装置
JP3934730B2 (ja) * 1997-03-28 2007-06-20 ローム株式会社 半導体発光素子
US5986324A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Raytheon Company Heterojunction bipolar transistor
EP0881686A3 (en) 1997-05-28 2000-04-19 Oki Data Corporation LED array and LED printer head
JP3505374B2 (ja) * 1997-11-14 2004-03-08 三洋電機株式会社 発光部品
US6194743B1 (en) * 1997-12-15 2001-02-27 Agilent Technologies, Inc. Nitride semiconductor light emitting device having a silver p-contact
US6412971B1 (en) 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US6081031A (en) * 1998-06-29 2000-06-27 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package consisting of multiple conductive layers
JP4470237B2 (ja) 1998-07-23 2010-06-02 ソニー株式会社 発光素子，発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法
JP2000068555A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Hitachi Ltd 照明システム
US6461019B1 (en) * 1998-08-28 2002-10-08 Fiber Optic Designs, Inc. Preferred embodiment to LED light string
JP3497741B2 (ja) * 1998-09-25 2004-02-16 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法
US6307218B1 (en) 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
JP2000182508A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Sony Corp 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法
JP4296644B2 (ja) 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3702700B2 (ja) 1999-03-31 2005-10-05 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
JP2000311876A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Hitachi Ltd 配線基板の製造方法および製造装置
US6489637B1 (en) 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6639354B1 (en) * 1999-07-23 2003-10-28 Sony Corporation Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same
CN1134849C (zh) * 1999-09-20 2004-01-14 晶元光电股份有限公司 发光二极管
JP2001168388A (ja) * 1999-09-30 2001-06-22 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体チップ及びその製造方法ならびに窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー
JP2001111109A (ja) 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2001150718A (ja) 1999-11-26 2001-06-05 Kyocera Corp 発光素子アレイ
JP3659098B2 (ja) * 1999-11-30 2005-06-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2001156381A (ja) 1999-11-30 2001-06-08 Kyocera Corp 光モジュール
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
JP2001177146A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Mitsubishi Cable Ind Ltd 三角形状の半導体素子及びその製法
US6547246B2 (en) * 1999-12-21 2003-04-15 Prime Table Games Llc Method and apparatus for playing elective wagering card game
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6566808B1 (en) 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US6885035B2 (en) 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
JP2001196634A (ja) 2000-01-07 2001-07-19 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ダイオードモジュール
JP2001307506A (ja) * 2000-04-17 2001-11-02 Hitachi Ltd 白色発光装置および照明器具
JP2001351789A (ja) * 2000-06-02 2001-12-21 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード駆動装置
JP2002016290A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Toshiba Lighting & Technology Corp Ｌｅｄ光源装置
JP2002026384A (ja) 2000-07-05 2002-01-25 Nichia Chem Ind Ltd 集積型窒化物半導体発光素子
DE10038213A1 (de) 2000-08-04 2002-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform
DE10051159C2 (de) * 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2002208541A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Shiro Sakai 窒化物系半導体装置及びその製造方法
US6891200B2 (en) 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
DE10216008A1 (de) 2001-04-12 2002-10-24 Toyoda Gosei Kk LED-Lampe
US20020158261A1 (en) 2001-04-25 2002-10-31 Ming-Tang Lee Light emitting diode layout structure
JP3811624B2 (ja) 2001-04-27 2006-08-23 松下電器産業株式会社 半導体装置
WO2003016782A1 (fr) * 2001-08-09 2003-02-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminateur del et source lumineuse d'eclairage del de type carte
US6641294B2 (en) 2002-03-22 2003-11-04 Emteq, Inc. Vehicle lighting assembly with stepped dimming
JP4195041B2 (ja) 2002-04-12 2008-12-10 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光装置
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
EP1553640A4 (en) 2002-08-01 2006-09-06 Nichia Corp SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND LIGHT EMISSIONING DEVICE THEREWITH
US7034470B2 (en) 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
ATE500616T1 (de) * 2002-08-29 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit lichtemittierenden dioden
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US6957899B2 (en) 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US20040109833A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-10 Xiaozhong Tang High efficacy, low irritation aluminum salts and related products
TW200501464A (en) * 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
JP4648780B2 (ja) * 2005-07-11 2011-03-09 Ｈｏｙａ株式会社 電子内視鏡用撮像素子パッケージ
WO2007018360A1 (en) * 2005-08-09 2007-02-15 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ac light emitting diode and method for fabricating the same

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101274041B1 (ko) * 2004-12-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR100691497B1 (ko) * 2005-06-22 2007-03-09 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
US8704246B2 (en) 2005-06-22 2014-04-22 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10340309B2 (en) 2005-06-22 2019-07-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US8476648B2 (en) 2005-06-22 2013-07-02 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7723737B2 (en) 2005-06-22 2010-05-25 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device
US8895957B2 (en) 2005-06-22 2014-11-25 Seoul Viosys Co., Ltd Light emitting device and method of manufacturing the same
US9929208B2 (en) 2005-06-22 2018-03-27 Seoul Vlosys Co., Ltd. Light emitting device
US7951626B2 (en) 2005-06-22 2011-05-31 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7977691B2 (en) 2005-06-22 2011-07-12 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9627435B2 (en) 2005-06-22 2017-04-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US9209223B2 (en) 2005-06-22 2015-12-08 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR101156452B1 (ko) * 2005-08-25 2012-06-13 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자
KR101158071B1 (ko) * 2005-09-28 2012-06-22 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101158073B1 (ko) * 2005-12-13 2012-06-22 서울옵토디바이스주식회사 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
KR100765240B1 (ko) * 2006-09-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자
KR100898585B1 (ko) * 2006-11-16 2009-05-20 서울반도체 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100803162B1 (ko) * 2006-11-20 2008-02-14 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광소자
US9391118B2 (en) 2007-01-22 2016-07-12 Cree, Inc. Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters
US7732825B2 (en) 2007-03-13 2010-06-08 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode
US7768020B2 (en) 2007-03-13 2010-08-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode
WO2008111693A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ac light emitting diode
KR101495071B1 (ko) * 2008-06-24 2015-02-25 삼성전자 주식회사 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법
KR20170035357A (ko) * 2010-07-02 2017-03-30 에피스타 코포레이션 광전소자
KR101142539B1 (ko) * 2010-08-18 2012-05-08 한국전기연구원 역방향 직렬접속된 발광셀 어레이가 구비된 교류용 발광다이오드 칩 구조
KR20150067588A (ko) * 2013-12-10 2015-06-18 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법

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Publication number Publication date
TW200408148A (en) 2004-05-16
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US20090108274A1 (en) 2009-04-30
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EP2149906A3 (en) 2014-05-07
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US8097889B2 (en) 2012-01-17
US8680533B2 (en) 2014-03-25
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US20130003377A1 (en) 2013-01-03
EP1553641A4 (en) 2007-03-14
DE60336252D1 (de) 2011-04-14
US7569861B2 (en) 2009-08-04
US9947717B2 (en) 2018-04-17
US20110073879A1 (en) 2011-03-31
US20100102329A1 (en) 2010-04-29
US7667237B2 (en) 2010-02-23
US20150108497A1 (en) 2015-04-23
CN1679177A (zh) 2005-10-05
EP2154722B1 (en) 2017-10-11
EP3389094A1 (en) 2018-10-17
EP1553641A1 (en) 2005-07-13
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ES2362407T3 (es) 2011-07-04
US8084774B2 (en) 2011-12-27
EP2154722A2 (en) 2010-02-17
US7956367B2 (en) 2011-06-07
US20090267089A1 (en) 2009-10-29
US7417259B2 (en) 2008-08-26
US20090108272A1 (en) 2009-04-30
US8735911B2 (en) 2014-05-27
US7615793B2 (en) 2009-11-10
US20090237935A1 (en) 2009-09-24
US20080246040A1 (en) 2008-10-09

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