KR102446875B1 - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
표시 장치의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 반사시키거나 촬영할 수 있는 표시 장치는 서브 화소 영역들, 투과 영역 및 서브 화소 영역들과 투과 영역을 둘러싸는 반사 영역을 각기 갖는 복수의 화소 영역들을 포함하는 제1 기판, 제1 기판 상의 서브 화소 영역에 배치되는 서브 화소 구조물, 서브 화소 구조물 상에 배치되는 제2 기판, 제2 기판 상의 반사 영역에 배치되고, 서브 화소 영역들 및 투과 영역을 노출시키는 반사 패턴 및 제2 기판 상에 배치되고, 복수의 화소 영역에 포함된 복수의 투과 영역들 중 적어도 하나의 투과 영역의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 갖는 반투과 반사 패턴을 포함하고, 제1 면으로 영상을 표시하는 표시 패널 및 표시 패널 상의 제1 면에 반대되는 제2 면에 위치하는 카메라를 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치는 표시 장치의 전면에 위치하는 사무의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있고, 반투과 반사 패턴의 개구를 통해 개선된 화질을 갖는 영상 이미지를 촬영할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반사 패턴을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다. 최근, 유기 발광 표시장치 및 액정 표시 장치와 같은 표시 장치에 있어서 영상 이미지의 표시와 동시에 반사(또는, 미러(mirror)) 기능을 부여하려는 연구가 지속되고 있다.
한편, 이러한 표시 장치는 촬영된 영상 이미지를 이용하기 위해(예를 들면, 영상 통화, 영상 회의 등) 표시 장치의 테두리(예를 들면, 표시 패널을 둘러싸는 바디)에 위치하는 카메라를 포함할 수 있다. 이 경우, 카메라는 표시 장치의 전면에 위치하는 사물을 정면에서 촬영할 수 없으므로, 상기 카메라에 의해 촬영된 영상 이미지가 자연스럽지 않을 수 있다.
본 발명의 일 목적은 반사 패턴을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 서브 화소 영역들, 투과 영역 및 상기 서브 화소 영역들과 상기 투과 영역을 둘러싸는 반사 영역을 각기 갖는 복수의 화소 영역들을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판 상의 서브 화소 영역에 배치되는 서브 화소 구조물, 상기 서브 화소 구조물 상에 배치되는 제2 기판, 상기 제2 기판 상의 반사 영역에 배치되고, 상기 서브 화소 영역들 및 상기 투과 영역을 노출시키는 반사 패턴 및 상기 제2 기판 상에 배치되고, 상기 복수의 화소 영역에 포함된 상기 복수의 투과 영역들 중 적어도 하나의 투과 영역의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 갖는 반투과 반사 패턴을 포함하고, 제1 면으로 영상을 표시하는 표시 패널 및 상기 표시 패널 상의 상기 제1 면에 반대되는 제2 면에 위치하는 카메라를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 카메라가 위치하는 부분에 대응되는 투과 영역에 위치한 상기 반투과 반사 패턴은 개구를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반투과 반사 패턴의 두께는 상기 반사 패턴보다 얇고, 상기 반투과 반사 패턴의 광 투과율은 상기 반사 패턴보다 높을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 패턴 및 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 화소 구조물 사이에 위치하고, 상기 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반투과 패턴 사이에 개재될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 패턴 및 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 화소 구조물 사이에 위치하고, 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반사 패턴 사이에 개재될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판의 상면에 반사 패턴 및 반투과 반사 패턴이 배치되고, 상기 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반투과 패턴 사이에 개재될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판의 상면에 반사 패턴 및 반투과 반사 패턴이 배치되고, 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반사 패턴 사이에 개재될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널은 중앙 영역 및 상기 중앙 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하고, 상기 카메라는 상기 중앙 영역 또는 상기 주변 영역으로부터 선택된 하나의 영역에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 카메라는 상기 중앙 영역에 위치하고, 상기 중앙 영역에 대응하는 상기 투과 영역에 위치한 반투과 반사 패턴은 상기 투과 영역의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 카메라는 상기 표시 패널의 투과 영역을 통해 상기 표시 패널의 제1 면 상에 위치하는 사물의 이미지를 수득할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널 및 상기 카메라를 둘러싸는 바디를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 바디는 상기 표시 패널 상의 제2 면에 위치하는 상기 카메라를 고정시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널의 제2 면 상에서 상기 카메라를 이동시키기 위해 상기 카메라와 연결되는 이동 부재를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반투과 반사 패턴은 복수의 투과 영역들 각각에 적어도 일부를 노출시키는 개구를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널, 상기 카메라 및 상기 이동 부재를 둘러싸는 바디를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 서브 화소 구조물은 상기 제1 기판 상에 배치되는 반도체 소자, 상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 투과 영역을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체 소자는 상기 제1 기판 상에 배치되고, 소스 및 드레인 영역들을 갖는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되고, 상기 액티브층의 상기 소스 영역에 접속되는 소스 전극 및 상기 소스 전극과 이격하여 배치되고, 상기 액티브층의 상기 드레인 영역에 접속되는 드레인 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체 소자는 제1 기판 상에 배치되고, 상기 서브 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 투과 영역을 노출시키는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 상기 서브 화소 영역에서 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 투과 영역을 노출시키는 층간 절연층 및 상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 서브 화소 영역에서 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮으며 상기 화소 영역을 노출시키는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역에서 게이트 절연층, 층간 절연층 및 평탄화층에 의해 상기 제1 기판이 노출된 부분이 상기 투과 영역의 투과창으로 정의될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 반사 패턴 및 개구를 갖는 반투과 반사 패턴을 포함하고, 투과 영역의 투과창을 갖는 표시 패널, 표시 패널 배면에 위치하는 카메라를 구비함으로써, 표시 장치의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 반사시키거나 촬영할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치는 표시 장치의 전면에 위치하는 사무의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있고, 반투과 반사 패턴의 개구를 통해 개선된 화질을 갖는 영상 이미지를 촬영할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 배면을 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 3의 표시 장치에 포함된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 4의 표시 패널의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 4의 표시 패널의 "CP"부분을 확대 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 표시 패널의 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 9 내지 도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 18은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 19는 도 18의 표시 장치의 배면을 나타내는 사시도이다.
도 20은 도 18의 표시 장치의 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 21은 도 20의 표시 장치에 포함된 이동 부재를 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 도 20의 표시 장치에 포함된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 23은 도 22의 표시 패널의 V-V'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 24는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 25는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 26은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 27은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 28은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 배면을 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 3의 표시 장치에 포함된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 4의 표시 패널의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 4의 표시 패널의 "CP"부분을 확대 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 표시 패널의 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 9 내지 도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 18은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 19는 도 18의 표시 장치의 배면을 나타내는 사시도이다.
도 20은 도 18의 표시 장치의 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 21은 도 20의 표시 장치에 포함된 이동 부재를 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 도 20의 표시 장치에 포함된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 23은 도 22의 표시 패널의 V-V'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 24는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 25는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 26은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 27은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 28은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치의 배면을 나타내는 사시도이며, 도 3은 도 1의 표시 장치의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 4는 도 3의 표시 장치에 포함된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이며, 도 5는 도 4의 표시 패널의 II-II'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 6은 도 4의 표시 패널의 "CP"부분을 확대 도시한 평면도이며, 도 7은 도 6의 표시 패널의 III-III'라인을 따라 절단한 단면도이며, 도 8은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(200), 카메라(400), 바디(300)를 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(200)은 제1 기판(110), 서브 화소 구조물, 제2 기판(350), 반사 패턴(370), 반투과 반사 패턴(390) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 패널(200)은 복수의 화소 영역들(10)을 포함할 수 있다. 복수의 화소 영역들(10) 중 하나의 화소 영역(10)은 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25), 투과 영역(35) 및 반사 영역(30)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(200)은 중앙 영역(CP) 및 중앙 영역(CP)을 둘러싸는 주변 영역을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 중앙 영역(CP)에 카메라(400)가 위치할 수 있다. 중앙 영역(CP)에 위치하는 반투과 반사 패턴(390)은 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있고, 상기 주변 영역에 위치하는 반투과 반사 패턴(390)은 투과 영역(35)에서 개구를 갖지 않을 수 있다. 즉, 상기 주변 영역에 위치하는 반투과 반사 패턴(390)은 투과 영역(35)에 전체적으로 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 카메라(400)가 상기 주변 영역의 일 영역에 위치할 경우, 카메라(400)가 위치하는 부분에 대응되는 투과 영역(35)에 위치한 반투과 반사 패턴(390)은 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 또한, 카메라(400)가 위치하지 않는 부분에 대응되는 투과 영역(35)에 위치한 반투과 반사 패턴(390)은 투과 영역(35)에서 개구를 갖지 않을 수 있다.
표시 장치(100)는 반사 영역(30)을 포함함으로써 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 반사시킬 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 투과 영역(35)을 포함함으로써, 카메라(400)가 투과 영역(35)을 통해 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 3을 다시 참조하면, 표시 패널(200)과 바디(300) 사이에 카메라(400)가 배치될 수 있고, 바디(300)는 표시 패널(200) 및 카메라(400)를 둘러쌀 수 있다.
표시 장치(100)에 포함된 표시 패널(200)은 제1 면(예를 들어, 표시 장치(100)의 전면)으로 영상을 표시할 수 있고, 상기 제1 면과 반대되는 제2 면에서 카메라(400)와 접촉할 수 있다. 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100)(예를 들어, 표시 패널(200))는 복수의 화소 영역들(10)을 가질 수 있다. 복수의 화소 영역들(10) 중 하나의 화소 영역(10)은 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25), 반사 영역(30) 및 투과 영역(35)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 복수의 화소 영역들(10) 각각은 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25), 반사 영역(30) 및 투과 영역(35)을 포함할 수 있다. 반사 영역(30)은 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25) 및 투과 영역(35)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 다만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 화소 영역들이 하나의 투과 영역과 공유될 수도 있다. 도 4 내지 도 7을 다시 참조하면, 표시 패널(200)에 있어서, 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25)에는 제1 내지 제3 서브 화소들이 각기 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 서브 화소는 적색광을 방출할 수 있고, 상기 제2 서브 화소는 녹색광을 방출할 수 있으며, 상기 제3 서브 화소는 청색 광을 방출할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 화소들(예를 들어, 서브 화소 구조물)은 기판의 상에서 동일한 층에 배치될 수 있다.
반사 영역(30)에는 반사 패턴(370)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(370)은 외광을 반사시킬 수 있고, 복수의 개구를 포함하는 메쉬 구조를 갖는 플레이트 형상일 수 있다. 반사 패턴(370)은 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25) 및 투과 영역(35)에 위치하는 개구들(390)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25) 각각의 크기는 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25)에 위치하는 반사 패턴(370)의 개구들(380) 각각의 크기와 실질적으로 동일할 수 있고, 투과 영역(35)의 크기는 투과 영역(35)에 위치하는 반사 패턴(370)의 개구(380)의 크기와 동일할 수 있다. 투과 영역(35)에는 투과창(385)이 위치할 수 있다. 투과 영역(35)을 통해 표시 패널(200)의 제2 면 상에 위치하는 카메라(400)가 표시 패널(200)의 제1 면 상에 위치하는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다. 즉, 투과 영역(35)은 투명할 수 있고, 상기 서브 화소 구조물은 투과 영역(35)에 배치되지 않을 수 있다. 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100)는 제1 기판(110), 서브 화소 구조물, 제2 기판(350), 반사 패턴(370), 반투과 반사 패턴(390) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 서브 화소 구조물은 반도체 소자(250), 하부 전극(290), 화소 정의막(310), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 평탄화층(270)을 포함할 수 있다.
서브 화소 영역(20)에는 반도체 소자(250), 하부 전극(290), 발광층(330) 등이 배치될 수 있다. 반사 영역(30)에는 화소 정의막(310), 반사 패턴(370) 등이 배치될 수 있다. 투과 영역(35)에는 투과창(385)이 위치할 수 있다. 반면, 반투과 반사 패턴(390)은 서브 화소 영역(20), 반사 영역(30) 및 투과 영역(35)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 반투과 반사 패턴(390)은 중앙 영역(CP)에서 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(380)를 가질 수 있고, 도 5에 도시된 바와 같이, 반투과 반사 패턴(390)은 상기 주변 영역에서 제2 기판(350)의 저면 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
예를 들면, 서브 화소 영역(20)에서는 화상이 표시될 수 있고, 반사 영역(30)에서는 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 반사될 수 있다. 표시 장치(100)가 반사 패턴(370) 및 반투과 반사 패턴(390)을 구비함에 따라, 표시 장치(100)는 미러 디스플레이 장치로 기능할 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 카메라(400)가 투과 영역(35)을 통해 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있는 표시 장치로 기능할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)의 카메라(400)는 자연스러운 영상 이미지를 촬영할 수 있다. 더욱이, 카메라(400)가 위치하는 부분에 대응되는 투과 영역(35)에 위치한 반투과 반사 패턴(390)에 개구(380)가 형성됨으로써, 표시 장치(100)의 카메라(400)는 개선된 화질을 갖는 영상 이미지를 촬영할 수 있다.
도 5 및 도 7을 다시 참조하면, 제1 기판(110)이 제공될 수 있다. 제1 기판(110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 기판, 무알칼리(non-alkali) 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 기판의 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상기 서브 화소 구조물들이 배치될 수 있다. 이러한 서브 화소 구조물들의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 서브 화소 구조물들을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 서브 화소 구조물들을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 제1 기판(110)으로 이용될 수 있다. 표시 장치(100)가 서브 화소 영역(20),반사 영역(30) 및 투과 영역(35)을 구비함에 따라, 제1 기판(110)도 서브 화소 영역(20), 반사 영역(30) 및 투과 영역(35)으로 구분될 수 있다.
제1 기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 제1 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 제1 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 제1 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 제1 기판(110)의 유형에 따라 제1 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등으로 구성될 수 있다.
액티브층(130)은 제1 기판(110) 상의 서브 화소 영역(20)에 배치될 수 있고, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등으로 구성될 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 제1 기판(110) 상의 서브 화소 영역(20)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있고, 투과 영역(35)을 노출시킬 수 있다. 즉, 제1 기판(110) 상의 투과 영역(35)에 게이트 절연층(150)이 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 서브 화소 영역(20)에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 서브 화소 영역(20)에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 서브 화소 영역(20)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있고, 투과 영역(35)을 노출시킬 수 있다. 즉, 제1 기판(110) 상의 투과 영역(35)에 층간 절연층(190)이 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 서브 화소 영역(20)에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 서브 화소 영역(20)에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 서브 화소 영역(20)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 구성될 수 있다.
다만, 표시 장치(100)의 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체 소자들은 하부 게이트 구조로 구성될 수도 있다. 또한, 표시 장치(100)의 반도체 소자(250)가 서브 화소 영역(20)에 배치되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자(250)는 반사 영역(30)에도 배치될 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에는 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 화소 영역(20)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있으며, 투과 영역(35)을 노출시킬 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 제1 기판(110) 상의 투과 영역(35)에 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 서브 화소 영역(20)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치되고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 서브 화소 영역(20)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등과 같은 무기 물질로 구성될 수 있다. 이와는 달리, 평탄화층(270)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등과 같은 유기 물질로 구성될 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 서브 화소 영역(20)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 반사 영역(30)에 배치될 수 있고, 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있으며, 투과 영역(35)을 노출시킬 수 있다. 즉, 다. 화소 정의막(310)은 제1 기판(110) 상의 투과 영역(35)에 배치되지 않을 수 있다. 서브 화소 영역(20)에서 하부 전극(290)이 노출된 부분은 발광층(330)이 배치될 수 있다. 투과 영역(35)에서 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270) 및 화소 정의막(310)이 제거됨으로써 투과창(385)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.
발광층(330)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있고, 투과 영역(35)에는 배치되지 않을 수 있다. 상부 전극(340)이 투과 영역(35)에 배치되지 않음으로써 표시 장치(100)의 투과율이 향상될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상부 전극(340) 상의 반사 영역(30)에 반사 패턴(370)이 배치될 수 있다. 반사 패턴(370)은 제2 기판(350)의 저면에 배치될 수 있다. 반사 패턴(370)은 실질적으로 서브 화소 영역(20) 및 투과 영역(35)을 둘러쌀 수 있고, 제2 기판(350)의 저면 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 또한, 반사 패턴(370)은 개구들(395)을 포함할 수 있다. 개구들(395)은 실질적으로 서브 화소 영역(20) 및 투과 영역(35)과 대응되도록(예를 들어, 중첩되도록) 위치할 수 있다. 즉, 반사 패턴(370)은 개구들(395)에 의해 공간적으로 구분되는 메쉬 구조를 갖는 플레이트 형상을 가질 수 있다.
반사 패턴(370)은 제1 면 및 상기 제1 면과 반대되는 제2 면을 가질 수 있고, 상기 제1 면은 제2 기판(350)과 접촉할 수 있으며, 상기 제2 면은 반투과 반사 패턴(390)과 접촉할 수 있다. 상기 제1 면으로부터 외부에서 제2 기판(350)을 통해 입사되는 광(light)이 반사될 수 있고(예를 들어, 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 반사 패턴(370)의 제1 면 상에 표시될 수 있다), 서브 화소 영역(20)에 위치하는 개구(395)를 통해 표시 장치(100)의 발광층(330)으로부터 발생되는 광이 통과될 수 있다. 한편, 투과 영역(35)에 위치하는 개구(395)를 통해 표시 패널(200)의 제2 면 상에 배치되는 카메라(400)가 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지를 촬영할 수 있다. 반사 패턴(370)은 상대적으로 큰 반사율을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등으로 구성될 수 있다. 이와는 달리, 반사 패턴(370)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수도 있다.
다만, 표시 장치(100)의 반사 패턴(370)이 단일층으로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 반사 부재는 다층 구조로 구성될 수도 있다.
반투과 반사 패턴(390)은 제2 기판(350) 및 반사 패턴(370) 상에서 제2 기판(350) 및 반사 패턴(370)을 덮으며, 제2 기판(350)의 저면 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 즉, 반사 패턴(370) 및 반투과 반사 패턴(390)은 제2 기판(350)과 화소 구조물 사이에 위치할 수 있고, 반사 패턴(370)은 제2 기판(350)과 반투과 반사 패턴(390) 사이에 배치될 수 있다. 반투과 반사 패턴(390)은 광을 일부를 투과 및 일부를 반사시킬 수 있다. 예를 들면, 반투과 반사 패턴(390)의 두께는 반사 패턴(370)의 두께보다 얇을 수 있고, 반투과 반사 패턴(390)의 광 투과율은 반사 패턴(370)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 또한, 반투과 반사 패턴(390)은 복수의 개구들(395)을 갖는 반사 패턴(370)에서 발생될 수 있는 광의 회절 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)는 화질이 상대적으로 개선된 미러 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 반투과 반사 패턴(390)은 중앙 영역(CP)에서 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(380)를 가질 수 있고, 도 5에 도시된 바와 같이, 반투과 반사 패턴(390)은 상기 주변 영역에서 제2 기판(350)의 저면 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 중앙 영역(CP)에 카메라(400)가 위치할 수 있고, 중앙 영역(CP)에 위치하는 반투과 반사 패턴(390)의 개구(380)를 통해 표시 패널(200)의 제2 면 상에 배치되는 카메라(400)가 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지를 촬영할 수 있다.
한편, 중앙 영역(CP)에 반투과 반사 패턴(390)의 개구(380)가 형성되지 않는 경우, 카메라(400)는 반투과 반사 패턴(390)을 통해 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지를 촬영할 수 있다. 여기서, 반투과 반사 패턴(390)을 통과하는 대략 660 나노미터의 파장을 갖는 적색광의 투과율은 대략 26 퍼센트이고, 반투과 반사 패턴(390)을 통과하는 대략 525 나노미터의 파장을 갖는 녹색광의 투과율은 대략 45 퍼센트이며, 반투과 반사 패턴(390)을 통과하는 대략 470 나노미터의 파장을 갖는 청색광의 투과율은 대략 55 퍼센트이다. 이에 따라, 상대적으로 높은 투과율을 갖는 청색광이 반투과 반사 패턴(390)을 상대적으로 많이 투과하기 때문에, 상기 촬영된 이미지는 전체적으로 낮은 밝기를 갖는 푸른색을 가질 수 있다. 결과적으로, 표시 장치(100)가 카메라(400)가 위치하는 부분에 대응되는 투과 영역(35)에 위치한 반투과 반사 패턴(390)에 개구(380)를 형성함으로써, 표시 장치(100)의 카메라(400)는 개선된 화질을 갖는 영상 이미지를 촬영할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙 영역(CP)에 위치하는 반투과 반사 패턴(390)의 개구(380)가 투과 영역(35)을 완전히 노출시킬 수도 있다. 이러한 경우, 표시 장치(100)의 카메라(400)는 더 개선된 화질을 갖는 영상 이미지를 촬영할 수 있다.
반투과 반사 패턴(390)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄 등으로 구성될 수 있다. 선택적으로, 반투과 반사 패턴(390)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수도 있다. 예를 들면, 반투과 반사 패턴(390)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물(CrNx), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다.
다만, 표시 장치(100)의 반투과 반사 패턴(390)이 단일층으로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 반투과 반사 패턴(390)은 다층 구조로 구성될 수도 있다.
제2 기판(350)은 반사 패턴(370) 및 반투과 반사 패턴(390) 상에 배치될 수 있다. 제2 기판(350)은 실질적으로 제1 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제2 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제2 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 3을 다시 참조하면, 표시 장치(100)에 포함된 카메라(400)는 표시 패널(200)의 제2 면에 위치할 수 있다. 예를 들면, 표시 패널(200)은 중앙 영역(CP) 및 중앙 영역(CP)을 둘러싸는 주변 영역을 포함할 수 있다(도 4 참조). 카메라(400)는 중앙 영역(CP) 또는 상기 주변 영역으로부터 선택된 하나의 영역에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 카메라(400)는 표시 패널(200)의 중앙 영역(CP)에 위치할 수 있다. 카메라(400)는 표시 패널(200)의 투과 영역(35)에 배치된 반투과 반사 패턴(390)의 개구(380)를 통해 표시 패널(200)의 제1 면 상에 위치하는 사물의 이미지를 수득할 수 있다. 즉, 카메라(400)는 상기 사물의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있다. 선택적으로, 표시 장치(100)는 표시 패널(200)에서 발생하는 열을 방출시킬 수 있는 방열판을 더 포함할 수 있고, 상기 방열판이 표시 패널(200)과 카메라(400) 사이에 배치될 수도 있다.
바디(300)는 표시 패널(200) 및 카메라(400)를 둘러쌀 수 있다. 바디(300)는 상부 프레임(300a) 및 하부 프레임(300b)을 포함할 수 있다. 상부 프레임(300a) 및 하부 프레임(300b)이 결합됨으로써, 표시 패널(200) 및 카메라(400)를 포함하는 표시 장치(100)가 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 바디(300)는 표시 패널(200) 상의 제2 면에 위치하는 카메라(400)를 고정시킬 수 있다. 예를 들면, 바디(300)는 카메라(400)를 둘러싸는 부분(예를 들어, 하부 프레임(300b))에서 돌출부(305)를 가질 수 있다. 바디(300)의 상부 프레임(300a) 및 하부 프레임(300b)은 표시 패널(200), 카메라(400) 등을 보호할 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(200)를 사용하는 동안, 표시 장치(200)가 낙하되어 충격을 받거나 표시 장치(200)에 기타 외부 충격이 가해질 경우, 바디(300)는 이와 같은 충격을 흡수할 수 있다. 바디(300)는 합성 수지나 금속(예를 들어, 스테인리스 스틸, 티타늄(Ti) 등)으로 구성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 반사 패턴(370) 및 개구(380)를 갖는 반투과 반사 패턴(390)을 포함하고, 투과 영역(35)의 투과창(385)을 갖는 표시 패널(200), 표시 패널(200) 배면에 위치하는 카메라(400)를 구비함으로써, 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 반사시키거나 촬영할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)는 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있고, 반투과 반사 패턴(390)의 개구(380)를 통해 개선된 화질을 갖는 영상 이미지를 촬영할 수 있다.
도 9 내지 도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 제1 기판(510)이 제공될 수 있다. 제1 기판(510)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 기판(510)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 제1 기판(510)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다.
제1 기판(510) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 제1 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 제1 기판(510)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 제1 기판(510)의 표면이 균일하지 않을 경우, 제1 기판(510)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(530)은 제1 기판(510) 상의 서브 화소 영역(20)에 형성될 수 있고, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 액티브층(530)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘, 폴리 실리콘 또는 유기물 반도체 등으로 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(530) 상에는 게이트 절연층(550)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 기판(510) 상의 서브 화소 영역(20)에서 액티브층(530)을 덮을 수 있고, 제1 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(550)은 서브 화소 영역(20)에서 액티브층(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(550)은 서브 화소 영역(20)에서 액티브층(530)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(530)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(570)은 게이트 절연층(550) 중에서 하부에 액티브층(530)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(570) 상에는 층간 절연층(590)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 게이트 절연층(550) 상의 서브 화소 영역(20)에서 게이트 전극(570)을 덮을 수 있고, 게이트 절연층(550) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(590)은 서브 화소 영역(20)에서 게이트 전극(570)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(570)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(590)은 서브 화소 영역(20)에서 게이트 전극(570)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(570)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
층간 절연층(590) 상의 서브 화소 영역(20)에는 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)이 형성될 수 있다. 소스 전극(610)은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(630)은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 액티브층(530), 게이트 절연층(550), 게이트 전극(570), 층간 절연층(590), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 포함하는 반도체 소자(650)가 구성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 상에는 평탄화층(670)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 층간 절연층(590) 상의 화소 영역(20)에서 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 덮을 수 있으며, 층간 절연층(590) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(670)은 서브 화소 영역(20)에서 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성되고, 이러한 경우, 평탄화층(670)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(670)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(670)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(670)은 서브 화소 영역(20)에서 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(670)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등과 같은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 평탄화층(670)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 전극(690)은 평탄화층(670) 상의 서브 화소 영역(20)에 형성될 수 있다. 하부 전극(690)은 평탄화층(670)의 일부를 관통하여 드레인 전극(630)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(690)은 반도체 소자(650)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(690)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
화소 정의막(710)은 평탄화층(670) 상의 하부 전극(290)의 일부를 노출시키며 평탄화층(670) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(710)이 형성된 후, 투과 영역(35)에 투과창(785)이 형성될 수 있다. 투과 영역(35)에서 게이트 절연층(550), 층간 절연층(590), 평탄화층(670) 및 화소 정의막(710)에 의해 제1 기판(510)이 노출된 부분이 투과 영역(35)의 투과창(785)으로 정의 될 수 있다. 화소 정의막(710)은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 발광층(730)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(690) 상에 형성될 수 있다. 발광층(730)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(730)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다.
상부 전극(740)은 화소 정의막(710) 및 발광층(730) 상에 형성될 수 있고, 투과 영역(35)에는 형성되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(785)을 형성한 후, 투과창(785)의 내측에 유기층이 형성될 수 있다. 투과창(785)의 내측에 상기 유기층을 형성시키는 경우, 상부 전극(740)이 형성되는 과정에서 상기 유기층이 위치한 영역은 상부 전극(740)이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 상부 전극(740)이 형성되는 영역을 조절할 수 있다. 상부 전극(740)은 투과 영역(35)을 제외하고 화소 정의막(710) 및 발광층(730)을 덮을 수 있으며 기판(510) 상에서 전체적으로 형성될 수 있다. 상부 전극(740)이 투과 영역(35)에 형성되지 않음으로써 표시 장치의 투과율이 향상될 수 있다. 상부 전극(740)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 유기 재료는 리튬 퀴놀린(lithium quinoline LiQ)과 같은 금속과 접착력이 좋지 않고, 투명한 재료를 포함할 수 있다.
도 12를 참조하면, 제2 기판(750)이 제공될 수 있다. 제2 기판(750)은 실질적으로 제1 기판(510)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(750)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제2 기판(750)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 표시 장치의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
반사 패턴(770)은 제2 기판(750)의 저면에 형성될 수 있다. 반사 패턴(770)은 제1 면 및 상기 제1 면과 반대되는 제2 면을 가질 수 있고, 상기 제1 면은 제2 기판(750)과 접촉할 수 있으며, 상기 제2 면은 이후 설명될 반투과 반사 패턴과 접촉할 수 있다. 상기 제1 면으로부터 외부에서 제2 기판(750)을 통해 입사되는 광이 반사될 수 있고, 서브 화소 영역(20)에 위치하는 개구(795)를 통해 표시 장치의 발광층(730)으로부터 발생되는 광이 통과될 수 있다. 한편, 투과 영역(35)에 위치하는 개구(795)를 통해 이후 설명될 카메라가 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지를 촬영할 수 있다. 반사 패턴(770)은 상대적으로 큰 반사율을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(770)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 반사 패턴(770)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수도 있다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 반투과 반사 패턴(790)은 제2 기판(750) 및 반사 패턴(770) 상에서 제2 기판(750) 및 반사 패턴(770)을 덮으며, 제2 기판(750)의 저면 상에서 전체적으로 형성될 수 있다. 반투과 반사 패턴(790)은 광을 일부를 투과 및 일부를 반사시킬 수 있다. 예를 들면, 반투과 반사 패턴(790)의 두께는 반사 패턴(770)의 두께보다 얇을 수 있고, 반투과 반사 패턴(790)의 광 투과율은 반사 패턴(770)의 광 투과율보다 높을 수 있다. 또한, 반투과 반사 패턴(790)은 복수의 개구들(795)을 갖는 반사 패턴(770)에서 발생될 수 있는 광의 회절 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치는 화질이 상대적으로 개선된 미러 디스플레이 장치로 기능할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 13에 도시된 바와 같이, 반투과 반사 패턴(790)은 중앙 영역(CP)에서 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(780)를 가질 수 있고, 도 14에 도시된 바와 같이, 반투과 반사 패턴(390)은 상기 주변 영역에서 제2 기판(750)의 저면 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 중앙 영역(CP)에 이후 설명될 카메라가 위치할 수 있고, 중앙 영역(CP)에 위치하는 반투과 반사 패턴(790)의 개구(780)를 통해 상기 카메라가 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지를 촬영할 수 있다. 예를 들면, 반투과 반사 패턴(790)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 반투과 반사 패턴(790)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들면, 반투과 반사 패턴(790)은 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 크롬 질화물, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 반투과 반사 패턴(790) 및 반사 패턴(770)을 포함하는 제2 기판(750) 및 제1 기판(510)이 결합할 수 있다. 제1 기판(510)과 제2 기판(750)을 결합하기 위해 봉지 공정이 수행될 수 있다. 이러한 경우, 제1 기판(510)과 제2 기판(750) 사이의 양측부에 실런트를 개재할 수 있다. 상기 실런트는 프릿(frit) 등으로 구성될 수 있다. 제1 기판(510)과 제2 기판(750)은 상기 실런트에 레이저를 조사하는 공정을 통해 서로 결합될 수 있다. 상기 레이저 조사 공정에 있어서, 상기 실런트가 고체 상태에서 액체 상태로 용융된 후, 소정의 시간 후에 액체 상태의 상기 실런트는 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 이와 같은 상기 실런트의 상태 변화에 따라 제1 기판(510)은 제2 기판(750)에 대해 밀봉 결합될 수 있다. 제1 기판(510)과 제2 기판(750)의 밀봉 결합에 따라, 수분, 산소 등의 침투로 인해 표시 장치가 열화되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 표시 패널이 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 표시 패널(600)은 제1 면(예를 들어, 표시 장치의 전면)으로 영상을 표시할 수 있고, 상기 제1 면과 반대되는 제2 면에서 카메라(800)와 접촉할 수 있다. 예를 들면, 표시 패널(600)은 중앙 영역(CP) 및 중앙 영역(CP)을 둘러싸는 주변 영역을 포함할 수 있다(도 4 참조). 카메라(800)는 중앙 영역(CP) 또는 상기 주변 영역으로부터 선택된 하나의 영역에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 카메라(800)는 표시 패널(600)의 중앙 영역(CP)에 위치할 수 있다. 카메라(800)는 표시 패널(600)의 투과 영역(35)에 형성된 반투과 반사 패턴(790)의 개구(780)를 통해 표시 패널(600)의 제1 면 상에 위치하는 사물의 이미지를 수득할 수 있다. 즉, 카메라(800)는 상기 사물의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있다.
도 17을 참조하면, 바디(700)는 표시 패널(600) 및 카메라(800)를 둘러쌀 수 있다. 바디(700)는 상부 프레임(700a) 및 하부 프레임(700b)을 포함할 수 있다. 상부 프레임(700a) 및 하부 프레임(700b)이 결합됨으로써, 표시 패널(600) 및 카메라(800)를 포함하는 표시 장치가 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 바디(700)는 표시 패널(600) 상의 제2 면에 위치하는 카메라(800)를 고정시킬 수 있다. 예를 들면, 바디(700)는 카메라(800)를 둘러싸는 부분(예를 들어, 하부 프레임(700b))에서 돌출부를 가질 수 있다. 바디(700)의 상부 프레임(700a) 및 하부 프레임(700b)은 표시 패널(600), 카메라(800) 등을 보호할 수 있다. 바디(700)는 합성 수지나 금속(예를 들어, 스테인리스 스틸, 티타늄(Ti) 등) 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 3에 도시된 표시 장치(100)가 제공될 수 있다.
도 18은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이고, 도 19는 도 18의 표시 장치의 배면을 나타내는 사시도이며, 도 20은 도 18의 표시 장치의 IV-IV'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 21은 도 20의 표시 장치에 포함된 이동 부재를 설명하기 위한 단면도이며, 도 22는 도 20의 표시 장치에 포함된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이고, 도 23은 도 22의 표시 패널의 V-V'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 18 내지 도 23에 예시한 표시 장치(1000)는 이동 부재(470) 및 표시 패널(1200)을 제외하면, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 18 내지 도 23에 있어서, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 18 내지 도 23을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(1200), 카메라(400), 바디(300), 이동 부재(470)를 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(1200)은 제1 기판(110), 서브 화소 구조물, 제2 기판(350), 반사 패턴(370), 반투과 반사 패턴(1390) 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 패널(200)은 복수의 화소 영역들(10)을 포함할 수 있다. 복수의 화소 영역들(10) 중 하나의 화소 영역(10)은 제1 내지 제3 서브 화소 영역들(15, 20, 25), 투과 영역(35) 및 반사 영역(30)을 포함할 수 있다. 여기서, 반투과 반사 패턴(1390)은 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다.
표시 장치(1000)는 반사 영역(30)을 포함함으로써 표시 장치(1000)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 반사시킬 수 있다. 또한, 표시 장치(1000)는 투과 영역(35)을 포함함으로써, 카메라(400)가 투과 영역(35)을 통해 표시 장치(1000)의 전면에 위치하는 사물의 이미지를 촬영할 수 있다. 더욱이, 표시 장치(1000)는 이동 부재(470)를 포함함으로써, 이동 부재(470)가 표시 패널(1200)의 배면으로부터 선택된 영역에 위치하도록 카메라(400)를 이동시킬 수 있다.
도 20 내지 도 23을 다시 참조하면, 표시 패널(200)은 제1 면(예를 들어, 표시 장치(1000)의 전면)으로 영상을 표시할 수 있고, 상기 제1 면과 반대되는 제2 면에서 카메라(400)와 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이, 표시 패널(1200)에 포함된 반투과 반사 패턴(1390)은 복수의 투과 영역들(35) 각각에 적어도 일부를 노출시키는 개구(380)를 가질 수 있다.
카메라(400)는 표시 패널(200)의 제2 면에 위치할 수 있다. 카메라(400)는 표시 패널(1200)의 투과 영역(35)을 통해 표시 패널(1200)의 제1 면 상에 위치하는 사물의 이미지를 수득할 수 있다. 즉, 카메라(400)는 상기 사물의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있다.
바디(300)는 표시 패널(1200), 카메라(400) 및 이동 부재(470)를 둘러쌀 수 있다. 바디(300)는 상부 프레임(300a) 및 하부 프레임(300b)을 포함할 수 있다. 상부 프레임(300a) 및 하부 프레임(300b)이 결합됨으로써, 표시 패널(1200), 카메라(400) 및 이동 부재(470)를 포함하는 표시 장치(1000)가 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 프레임(300b)은 이동 부재(470)를 고정시킬 수 있다. 바디(300)의 상부 프레임(300a) 및 하부 프레임(300b)은 표시 패널(200), 카메라(400), 이동 부재(470) 등을 보호할 수 있다. 바디(300)는 합성 수지나 금속(예를 들어, 스테인리스 스틸, 티타늄(Ti) 등)으로 구성될 수 있다.
이동 부재(470)는 표시 패널(1200)의 제2 면에 위치하는 카메라(400) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 이동 부재(470)는 표시 패널(1200)과 서로 평행하도록 배치될 수 있고, 카메라(400)가 표시 패널(1200)과 이동 부재(470) 사이를 이동할 수 있도록 이동 부재(470)는 카메라(400)와 연결될 수 있다. 도 20에 도시된 바와 같이, 카메라(400)는 표시 패널(1200)의 중앙 영역에 위치할 수 있고, 도 21에 도시된 바와 같이, 카메라(400)는 표시 패널(1200)의 주변 영역에 위치할 수도 있다. 즉, 표시 장치(1000)는 표시 패널(1200)의 제1 면 상에 위치하는 사물의 위치에 따라 상기 사물의 위치와 카메라(400)의 위치가 서로 대응되도록 이동 부재(470)를 이용하여 카메라(400)를 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(1200)의 제1 면 상에 위치하는 사물의 위치가 변화하더라도 이동 부재(470)를 이용하여 카메라(400)를 상기 사물의 위치와 대응되도록 이동시킨 후 카메라(400)는 상기 사물의 이미지를 정면에서 촬영할 수 있다. 이러한 경우, 표시 패널(1200)에 포함된 반투과 반사 패턴(1390)은 복수의 투과 영역들(35) 각각에 적어도 일부를 노출시키는 개구(380)를 가질 수 있다.
도 24는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이고, 도 25는 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이며, 도 26은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 24 내지 도 26에 예시한 표시 장치에 포함된 표시 패널은 반사 패턴(370)의 위치 및 반투과 반사 패턴(390)의 위치를 제외하면, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 표시 장치(100)에 포함된 표시 패널(200)과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 24 내지 26에 있어서, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 24를 참조하면, 제2 기판(350) 상의 반사 영역(30) 반사 패턴(370)이 배치될 수 있다. 즉, 반사 패턴(370)은 제2 기판(350)의 상면에 배치될 수 있다.
반투과 반사 패턴(390)은 제2 기판(350) 및 반사 패턴(370) 상에서 제2 기판(350) 및 반사 패턴(370)을 덮으며, 제2 기판(350)의 상면 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반투과 반사 패턴(390)은 중앙 영역(CP)에서 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(380)를 가질 수 있고, 반투과 반사 패턴(390)은 상기 주변 영역에서 제2 기판(350)의 상면 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 즉, 반사 패턴(370)은 제2 기판(350)과 반투과 반사 패턴(390) 사이에 배치될 수 있다.
도 25를 참조하면, 반투과 반사 패턴(390)은 제2 기판(350) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반투과 반사 패턴(390)은 중앙 영역(CP)에서 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(380)를 가질 수 있고, 반투과 반사 패턴(390)은 상기 주변 영역에서 제2 기판(350)의 상면 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
반투과 반사 패턴(390) 상의 반사 영역(30) 반사 패턴(370)이 배치될 수 있다. 즉, 반투과 반사 패턴(390)은 제2 기판(350)과 반사 패턴(370) 사이에 배치될 수 있다.
도 26을 참조하면, 반사 패턴(370) 및 반투과 반사 패턴(390)은 제2 기판(350)과 화소 구조물 사이에 위치할 수 있다. 반투과 반사 패턴(390)은 제2 기판(350)의 저면에 배치될 수 있고, 제2 기판(350)의 저면 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반투과 반사 패턴(390)은 중앙 영역(CP)에서 투과 영역(35)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(380)를 가질 수 있고, 반투과 반사 패턴(390)은 상기 주변 영역에서 제2 기판(350)의 저면 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
반사 패턴(370)은 반투과 반사 패턴(390)의 저면에 배치될 수 있다. 즉, 반투과 반사 패턴(390)은 반사 패턴(370)과 제2 기판(350) 사이에 배치될 수 있다.
도 27은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이고, 도 28은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 27 및 도 28에 예시한 표시 장치에 포함된 표시 패널은 상부 전극(345)의 형태 또는 절연층들의 형태를 제외하면, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 표시 장치(100)에 포함된 표시 패널(200)과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 27 및 28에 있어서, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 27을 참조하면, 상부 전극(345)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있고, 투과 영역(35)에도 배치될 수 있다. 즉, 상부 전극(345)은 제1 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
도 28을 참조하면, 액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 서브 화소 영역(20)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있고, 투과 영역(35)에도 배치될 수 있다. 즉, 게이트 절연층(150)은 제1 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 서브 화소 영역(20)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있고, 투과 영역(35)에도 배치될 수 있다. 즉, 게이트 절연층(150) 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에는 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 화소 영역(20)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있으며, 투과 영역(35)에도 배치될 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 화소 영역 15: 제1 서브 화소 영역
20: 제2 서브 화소 영역(서브 화소 영역)
25: 제3 서브 화소 영역 30: 반사 영역
35: 투과 영역 100, 1000: 표시 장치
110, 510: 제1 기판 130, 530: 액티브층
150, 550: 게이트 절연층 170, 570: 게이트 전극
190, 590: 층간 절연층 200, 600, 1200: 표시 패널
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 300, 700: 바디
300a, 700a: 상부 프레임 300b 700b: 하부 프레임
305: 돌출부 310, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 345, 740: 상부 전극
350, 750: 제2 기판 370, 770: 반사 패턴
390, 790, 1390: 반투과 반사 패턴 400, 800: 카메라
380, 395, 780, 795: 개구 385, 785: 투과창
470: 이동 부재 CP: 중앙 영역
20: 제2 서브 화소 영역(서브 화소 영역)
25: 제3 서브 화소 영역 30: 반사 영역
35: 투과 영역 100, 1000: 표시 장치
110, 510: 제1 기판 130, 530: 액티브층
150, 550: 게이트 절연층 170, 570: 게이트 전극
190, 590: 층간 절연층 200, 600, 1200: 표시 패널
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 300, 700: 바디
300a, 700a: 상부 프레임 300b 700b: 하부 프레임
305: 돌출부 310, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 345, 740: 상부 전극
350, 750: 제2 기판 370, 770: 반사 패턴
390, 790, 1390: 반투과 반사 패턴 400, 800: 카메라
380, 395, 780, 795: 개구 385, 785: 투과창
470: 이동 부재 CP: 중앙 영역
Claims (20)
- 서브 화소 영역들, 투과 영역 및 상기 서브 화소 영역들과 상기 투과 영역을 둘러싸는 반사 영역을 각기 갖는 복수의 서브 화소 영역들을 포함하는 표시 장치에 있어서,
제1 기판;
상기 제1 기판 상의 서브 화소 영역에 배치되는 서브 화소 구조물;
상기 서브 화소 구조물 상에 배치되는 제2 기판;
상기 제2 기판 상의 반사 영역에 배치되고, 상기 서브 화소 영역들 및 상기 투과 영역 각각과 중첩하는 개구들이 형성된 반사 패턴; 및
상기 제2 기판 상에 배치되고, 상기 복수의 화소 영역들에 포함된 상기 복수의 투과 영역들 중 적어도 하나의 투과 영역의 적어도 일부와 중첩하는 개구가 형성된 반투과 반사 패턴을 포함하고, 제1 면으로 영상을 표시하는 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상의 상기 제1 면에 반대되는 제2 면에 위치하는 카메라를 포함하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 반투과 반사 패턴의 상기 개구는 상기 투과 영역들 중 상기 카메라가 위치하는 부분에 대응되는 투과 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반투과 반사 패턴의 두께는 상기 반사 패턴보다 얇고, 상기 반투과 반사 패턴의 광 투과율은 상기 반사 패턴의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사 패턴 및 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 서브 화소 구조물 사이에 위치하고, 상기 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반투과 패턴 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사 패턴 및 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 서브 화소 구조물 사이에 위치하고, 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반사 패턴 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 기판의 상면에 상기 반사 패턴 및 상기 반투과 반사 패턴이 배치되고, 상기 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반투과 패턴 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 기판의 상면에 상기 반사 패턴 및 상기 반투과 반사 패턴이 배치되고, 상기 반투과 반사 패턴은 상기 제2 기판과 상기 반사 패턴 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 표시 패널은,
중앙 영역 및 상기 중앙 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하고,
상기 카메라는 상기 중앙 영역 또는 상기 주변 영역으로부터 선택된 하나의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 카메라는 상기 중앙 영역에 위치하고, 상기 반투과 반사 패턴의 상기 개구는 상기 투과 영역들 중 상기 중앙 영역에 대응하는 투과 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 카메라는 상기 표시 패널의 투과 영역을 통해 상기 표시 패널의 제1 면 상에 위치하는 사물의 이미지를 수득하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 표시 패널 및 상기 카메라를 둘러싸는 바디를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 11 항에 있어서, 상기 바디는 상기 표시 패널 상의 제2 면에 위치하는 상기 카메라를 고정시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 표시 패널의 제2 면 상에서 상기 카메라를 이동시키기 위해 상기 카메라와 연결되는 이동 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 13 항에 있어서, 상기 반투과 반사 패턴의 상기 개구는 상기 복수의 투과 영역들 각각에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 14 항에 있어서,
상기 표시 패널, 상기 카메라 및 상기 이동 부재를 둘러싸는 바디를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 서브 화소 구조물은,
상기 제1 기판 상에 배치되는 반도체 소자;
상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 16 항에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 투과 영역을 노출시키는 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 반도체 소자는,
상기 제1 기판 상에 배치되고, 소스 및 드레인 영역들을 갖는 액티브층;
상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극;
상기 게이트 전극 상에 배치되고, 상기 액티브층의 상기 소스 영역에 접속되는 소스 전극; 및
상기 소스 전극과 이격하여 배치되고, 상기 액티브층의 상기 드레인 영역에 접속되는 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 18 항에 있어서, 상기 반도체 소자는,
제1 기판 상에 배치되고, 상기 서브 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 투과 영역을 노출시키는 게이트 절연층;
상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 상기 서브 화소 영역에서 상기 게이트 전극을 덮으며 상기 투과 영역을 노출시키는 개구가 형성된 층간 절연층; 및
상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 서브 화소 영역에서 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮으며 상기 투과 영역을 노출시키는 개구가 형성된 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 19 항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 게이트 절연층의 상기 개구, 상기 층간 절연층의 상기 개구 및 상기 평탄화층의 상기 개구에 의해 상기 제1 기판이 노출된 부분이 상기 투과 영역의 투과창으로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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