CN109560114B - 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109560114B CN109560114B CN201811489984.9A CN201811489984A CN109560114B CN 109560114 B CN109560114 B CN 109560114B CN 201811489984 A CN201811489984 A CN 201811489984A CN 109560114 B CN109560114 B CN 109560114B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- transparent
- display panel
- functional layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 234
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 65
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 5
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置,属于显示技术领域。所述方法包括:在透明衬底基板上的开口区域形成衬底层;在形成有衬底层的透明衬底基板上形成功能层;在功能层位于开口区域的边缘形成沟槽,使衬底层露出;通过刻蚀工艺去除衬底层,以使位于开口区域的功能层与透明衬底基板分离。本发明通过去除该衬底层使该衬底层上的部分功能层与透明衬底基板分离。如此该开口区域即为透明区域,可以在该透明区域下方设置图像获取组件或其它组件。解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题。达到了提高显示面板的良率的效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
目前,为了保证屏占比的情况下在移动终端显示图像的一面设置图像获取组件,各种异形显示面板随之出现。
相关技术中的一种显示面板的制造方法中,通过切割工艺在衬底基板一侧的边缘形成缺口,之后在该衬底基板上依次设置各种显示结构,之后在设置有各种显示结构的衬底基板上形成封装结构以形成一侧边缘设置有缺口的显示面板。该缺口处可以用于设置图像获取组件。
在实现本发明的过程中,发明人发现相关技术至少存在以下问题:上述显示面板的制造方法中,切割衬底基板时容易损伤衬底基板,进而导致显示面板的良率较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置,能够解决相关技术中的显示面板的制造方法的良率较低的问题。所述技术方案如下:
根据本发明的第一方面,提供了一种显示面板的制造方法,所述方法包括:
在透明衬底基板上的开口区域形成衬底层;
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成功能层;
在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成沟槽,使所述衬底层露出;
去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
可选地,所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成所述功能层之前,所述方法还包括:
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上的所述开口区域的外边缘形成至少一圈围绕所述开口区域的挡墙;
所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成功能层,包括:
在形成有至少一圈所述挡墙的透明衬底基板上形成所述功能层。
可选地,所述在形成有所述挡墙的透明衬底基板上形成功能层之前,所述方法还包括:
在所述衬底层上形成多个凸起结构。
可选地,所述凸起结构和所述挡墙由同一次构图工艺形成。
可选地,所述凸起结构为柱状凸起,所述柱状凸起远离所述透明衬底基板的一端的面积大于所述柱状凸起靠近所述透明衬底基板的一端的面积。
可选地,所述挡墙的沿指定面的截面为倒梯形,所述指定面为与所述透明衬底基板垂直的面。
可选地,所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上的所述开口区域的外边缘形成至少一圈围绕所述开口区域挡墙,包括:
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成负性光刻胶层;
通过曝光工艺和显影工艺将所述负性光刻胶层处理为所述至少一圈围绕所述开口区域的挡墙。
可选地,所述透明衬底基板上形成有驱动电路,所述驱动电路在所述透明衬底基板上的正投影所在区域与所述开口区域不存在重叠区域,所述衬底层与所述驱动电路中的任一金属结构或金属氧化物结构由同一次构图工艺形成。
可选地,所述去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离,包括:
通过湿法刻蚀工艺去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
可选地,所述衬底层由正性光刻胶构成,
所述去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离,包括:
从所述透明衬底基板未设置所述衬底层的一面对所述衬底层进行曝光;
通过显影工艺去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
可选地,在透明衬底基板上形成衬底层之前,所述方法还包括:
在所述透明衬底基板上形成缓冲层;
所述在透明衬底基板上形成衬底层,包括:
在形成有所述缓冲层的透明衬底基板的所述开口区域形成所述衬底层。
可选地,所述在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成沟槽,使所述衬底层露出,包括:
通过激光切割技术在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成所述沟槽,使所述衬底层露出。
根据本发明的第二方面,提供一种显示面板,所述显示面板为第一方面所述方法制造的显示面板,所述显示面板包括:
透明衬底基板,所述透明衬底基板包括开口区域;
所述透明衬底基板上除所述开口区域外的区域设置有功能层。
可选地,所述透明衬底基板的所述开口区域的外边缘设置有至少一圈挡墙,
所述功能层设置在设置有所述至少一圈挡墙的透明衬底基板上。
可选地,所述透明衬底基板上除所述开口区域外的区域设置有驱动电路,所述功能层设置在设置有所述驱动电路的透明衬底基板上。
根据本发明的第三方面,提供一种显示装置,包括第二方面所述的显示面板和图像获取组件,
所述图像获取组件位于所述显示面板的透明衬底基板一侧,且所述图像获取组件在所述透明衬底基板上的正投影与所述显示面板中的开口区域在所述透明衬底基板上的正投影存在重叠。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括:
通过在透明衬底基板上的一个开口区域上形成衬底层,再将功能层形成在该衬底层上,之后通过去除该衬底层即可使该衬底层上的部分功能层与透明衬底基板分离。如此该开口区域即为透明区域,可以在该透明区域下方设置图像获取组件或其它组件。无需切割透明衬底基板,解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题。达到了提高显示面板的良率的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例示出的一种显示面板的制造方法的流程图;
图2是本发明实施例示出的另一种显示面板的制造方法的流程图;
图3是图2所示实施例中一种透明衬底基板的结构示意图;
图4是图2所示实施例中另一种透明衬底基板的结构示意图;
图5是图4所示透明衬底基板的俯视图;
图6是图2所示实施例中一种形成挡墙和凸起结构的流程图;
图7图2所示实施例中一种形成有机显示结构层的流程图;
图8是图2所示实施例中另一种透明衬底基板的结构示意图;
图9是图8所示的透明衬底基板中有机显示结构层的一种结构示意图;
图10是图2所示实施例中另一种透明衬底基板的结构示意图;
图11是图10所示透明衬底基板的俯视图;
图12是图2所示实施例中另一种透明衬底基板的结构示意图;
图13是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图14是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图15是图14所示显示装置的俯视图。
通过上述附图,已示出本发明明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
目前,对于移动终端(如手机、平板电脑、便携式游戏机和可穿戴设备等)的屏占比的要求越来越高,但是移动终端由于还存在其它的功能需求,例如图像获取功能等,使得移动终端的屏占比难以达到100%。
相关技术中的一种显示面板的制造方法中,通过在显示面板上打孔的方式来提高屏占比,但该方法降低了显示面板的良率,提高了制造成本。
本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法,可以解决上述相关技术中存在的问题。
图1是本发明实施例示出的一种显示面板的制造方法的流程图。该显示面板的制造方法可以包括如下几个步骤:
步骤101、在透明衬底基板上的开口区域形成衬底层。
步骤102、在形成有衬底层的透明衬底基板上形成功能层。
步骤103、在功能层位于开口区域的内边缘形成沟槽,使衬底层露出。
步骤104、去除衬底层,以使位于开口区域的功能层与透明衬底基板分离。
开口区域的功能层与透明衬底基板分离后,该开口区域即为显示面板上的透明区域,可以在该透明区域正对的位置设置图像获取组件,以实现前置摄像的功能。其中,功能层可以包括有机显示结构层。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板的制造方法,通过在透明衬底基板上的一个开口区域上形成衬底层,再将功能层形成在该衬底层上,之后通过去除该衬底层即可使该衬底层上的部分功能层与透明衬底基板分离。如此该开口区域即为透明区域,可以在该透明区域下方设置图像获取组件或其它组件。无需切割透明衬底基板,解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题。达到了提高显示面板的良率的效果。
图2是本发明实施例示出的另一种显示面板的制造方法的流程图。该显示面板的制造方法可以包括如下几个步骤:
步骤201、在透明衬底基板上形成缓冲层。
该缓冲层由透明材料制成,其可以在后续的工艺中保护衬底基板。示例性的,该缓冲层可以由氮化硅等材料构成。
步骤202、在形成有缓冲层的透明衬底基板上形成驱动电路,该驱动电路在透明衬底基板上的正投影所在区域与开口区域不存在重叠区域,该开口区域中设置有衬底层。
也即是该开口区域中可以未设置驱动电路,以增大开口区域的透明程度。该开口区域可以设置有衬底层。驱动电路可以包括走线、电极、电容和薄膜晶体管(英文:ThinFilm Transistor;简称:TFT)等。
需要说明的是,在不影响开口区域透光程度的情况下,开口区域中也可以设置有部分驱动电路,本发明实施例不进行限制。
本发明实施例中,衬底层的形成方式可以包括两种:
第一种方式,该衬底层可以和驱动电路中的某一金属结构(如源极和漏极等)或金属氧化物结构(如透明导电膜层(氧化铟锡)等)为同层结构。也即是,该衬底层可以与驱动电路中的某一金属结构或金属氧化物结构在同一次构图工艺中形成,如此能够减少制造工序,降低制造成本。此外,和驱动电路中的某一金属结构或金属氧化物结构在同一次构图工艺中形成的衬底层的材料也为金属或金属氧化物,如此可以便于后续工艺去除该衬底层。
第二种方式,可以形成由正性光刻胶构成的衬底层。正性光刻胶是一种经曝光后能够转变为可溶物质的材料。
如图3所示,其为步骤202结束时,透明衬底基板的结构示意图。其中,透明衬底基板21上形成有缓冲层22,缓冲层22上形成有驱动电路23。驱动电路23在开口区域k设置有开口(即未设置有电路的开口),该开口区域k中设置有衬底层24。
步骤203、在形成有驱动电路的透明衬底基板上的开口区域的外边缘形成至少一圈围绕开口区域的挡墙,并在衬底层上形成多个凸起结构。
该挡墙可以作为开口区域与开口区域外的其它区域(如显示区域)之间的隔离带,避免对开口区域进行的各种工艺(如后续的激光切割)影响到其他区域的正常结构。挡墙的数量越多,对于开口区域以外的其它区域的保护效果越好。
而凸起结构可以用于降低后续形成的有机显示结构与衬底层之间的粘合程度,以便于该有机显示结构的分离。
如图4所示,其为步骤203结束时,透明衬底基板的结构示意图。其中,形成有驱动电路23的透明衬底基板21上形成有挡墙25和凸起结构26。挡墙25围绕在开口区域k的外边缘,凸起结构26位于开口区域k中。
可选地,多个凸起结构26可以均匀分布在开口区域k中,或者,多个凸起结构26可以按照指定的排列方式分布在开口区域k中,该指定的排列方式可以是根据预先的试验确定的,便于分离后续形成的功能层的排列方式。
可选地,挡墙25的沿指定面的截面为倒梯形,该指定面为与透明衬底基板21垂直的面(示例的,该指定面可以为图4的纸面)。
挡墙的截面为倒梯形时,可以进一步的避免对开口区域进行的各种工艺影响到其他区域的正常结构。如避免挡墙上方结构的裂纹扩散到开口区域以外。
可选地,凸起结构26为柱状凸起,柱状突起远离透明衬底基板21的一端的面积大于柱状凸起靠近透明衬底基板21的一端的面积。该凸起结构26的形状类似于倒置的圆台,如此结构能够减少其与后续形成的有机显示结构的粘合程度,便于有机显示结构的分离。
如图5所示,其为图4所示透明衬底基板的俯视图。其中,环状的挡墙25(图5示出的是挡墙的数量为2的情况,但并不对此进行限制)围绕在开口区域k的外边缘。开口区域k中设置有凸起结构26。图5示出的是凸起结构26为方柱的情况,但凸起结构26还可以为圆柱,本发明实施例对此不进行限制。
图5示出的是开口区域k为圆形的情况,但该开口区域k还可以为其他形状,如椭圆形、矩形、五边形或六边形等,本发明实施例对此不进行限制。
可选地,如图6所示,步骤203可以包括下面两个子步骤:
子步骤2031、在形成有驱动电路的透明衬底基板上的形成负性光刻胶层。
负性光刻胶是一种被光照射后会转变为不可溶物质的材料。
子步骤2032、通过曝光工艺和显影工艺将负性光刻胶层处理为至少一圈围绕开口区域的挡墙。
在曝光工艺的过程中,负性光刻胶越靠近表面的部分,其照射到的光线越多,进而越靠近表面的部分,转变为不可溶物质的尺寸也会越大,这使得负性光刻胶会形成倒梯形的不可溶的结构,之后通过显影工艺即可去除未转变为不可溶物质的部分,以将负性光刻胶层处理为至少一圈围绕开口区域的挡墙。
可选地,凸起结构和挡墙为同层结构。即负性光刻胶层可以用于同时形成凸起结构以及挡墙。如此能够节省工艺,降低制造成本。需要说明的是,凸起结构和挡墙也可以由正性光刻胶形成,本发明实施例不进行限制。
此外,凸起结构和挡墙还可以通过同一次构图工艺形成。
还需要说明的是,本发明实施例中,挡墙和凸起结构可以均设置,也可以均不设置,也可以设置挡墙和凸起结构中的任意一种,本发明实施例不进行限制。
步骤204、在形成有至少一圈挡墙的透明衬底基板上形成功能层。
该功能层可以为有机显示结构层,该有机显示结构层可以包括多个有机显示结构以及位于该有机显示结构上的封装层。
如图7所示,步骤204可以包括下面两个子步骤:
步骤2041、在形成有驱动电路的透明衬底基板上形成多个有机显示结构。
每个有机显示结构均可以包括光学调整层(该光调整层用于使光线能够射出有机显示结构层),阴极、电子注入层(英文:Electron Inject Layer;简称:EIL)、电子传输层(英文:Electron Transport Layer;简称:ETL)、有机发光层、空穴传输层(英文:HoleTransport Layer;简称:HTL)和空穴注入层(英文:Hole Inject Layer;简称:HIL)等结构。
本发明实施例提供的显示面板的制造方法所制造的可以为有机发光二级管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示面板。
步骤2042、在形成有多个有机显示结构的透明衬底基板上形成封装层。
该封装层可以用于保护这多个有机显示结构。该封装层在开口区域中的部分可以为单层结构,其材料可以包括氮化硅和氧化硅等。而在除开口区域的其它区域,其可以为通过薄膜封装工艺(英文:Thin-Film Encapsulation;简称:TFE)形成的包括多层结构的封装层。
图8是步骤204结束时,透明衬底基板的结构示意图。其中,功能层27形成于形成有挡墙25以及凸起结构26的透明衬底基板上。
如图9所示,其为图8所示的透明衬底基板中功能层27的一种结构示意图。其中,功能层27可以包括光学调整层、阴极、电子注入层EIL、电子传输层ETL、有机发光层EL、空穴传输层HTL和空穴注入层HIL。图9未示出封装层。
步骤205、通过激光切割技术在功能层位于开口区域的内边缘形成沟槽,使衬底层露出。
激光切割技术能够精确的对开口区域的内边缘切割出沟槽,以使衬底层在该沟槽处露出。
如图10所示,其为步骤205结束时,衬底基板的结构示意图。其中,开口区域k的边缘被切割出了沟槽c,衬底层24在该沟槽c中露出。由于有挡墙的隔离,因而切割时所产生的裂纹并不会扩散到开口区域k之外的区域,避免了对显示面板的正常显示造成影响。
如图11所示,其为图10的俯视图。其中,开口区域k的四周被切割出了沟槽c。其中的挡墙25为透视结构。
步骤206、去除衬底层,以使位于开口区域的功能层与透明衬底基板分离。
本发明实施例中,去除衬底层的方式可以包括两种:
第一种方式,当衬底层由金属或金属氧化物构成时:
通过湿法刻蚀来去除衬底层。湿法刻蚀是一种通过刻蚀液来进行刻蚀的刻蚀方法,且能够更加方便的去除整个衬底层。刻蚀液能够通过沟槽与衬底层接触,并腐蚀掉衬底层。之后可以将位于开口区域的有机显示结构层清洗掉。
需要说明的是,由于功能层覆盖在挡墙的上方,因而挡墙上方的功能层会被挡墙顶起,这会使得挡墙上方的功能层中的各结构层较薄,进而刻蚀液在刻蚀衬底层时,通常难以越过挡墙上方的功能层,进而刻蚀液不会对开口区域外的显示区域的功能层造成影响。另外,在挡墙的数量为2或者更多时,功能层中除封装层外的膜层可能会在两个挡墙之间断开,这进一步避免了刻蚀液对开口区域外的显示区域的功能层造成影响。
第二种方式,当衬底层由正性光刻胶构成时:
1)从透明衬底基板未设置衬底层的一面对衬底层进行曝光。
由正性光刻胶形成的衬底层在经过曝光后,可以转变为可溶物质。
2)通过显影工艺去除衬底层,以使位于开口区域的功能层与透明衬底基板分离。
转变为可溶物质的衬底层可以通过显影工艺来去除。示例性的,可以通过显影液去除衬底层。
如图12所示,其为步骤206结束时,透明衬底基板的结构示意图。其中,位于开口区域k的功能层与透明衬底基板21已经分离。此时开口区域k处于透明状态。在透明衬底基板21远离缓冲层22的一面对应位置设置图像获取组件,即可获取显示面板正面(该正面即为显示面板显示图像的一面)的图像。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板的制造方法,可以在显示面板中制造至少一个透明的开口区域。可选地,透明的开口区域可以位于显示面板的边缘或角落。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板的制造方法,通过在透明衬底基板上的一个开口区域上形成衬底层,再将有机显示结构形成在该衬底层上,之后通过去除该衬底层即可使该衬底层上的部分有机显示结构与透明衬底基板分离。如此该开口区域即为透明区域,可以在该透明区域下方设置图像获取组件或其它组件。无需切割透明衬底基板,解决了相关技术中显示面板的良率较低的问题。达到了提高显示面板的良率的效果。
此外,本发明实施例还提供一种显示面板,该显示面板为上述图1所示方法制造的显示面板或图2所示方法制造的显示面板。如图13所示,该显示面板可以包括:
透明衬底基板21,该透明衬底基板21包括开口区域k。该透明衬底基板21上除开口区域k外的区域设置有功能层27。
可选地,如图12所示,其为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。其中,透明衬底基板21的开口区域k的外边缘设置有至少一圈挡墙25,功能层27设置在设置有至少一圈挡墙25的透明衬底基板21上。
可选地,透明衬底基板21上除开口区域k外的区域设置有驱动电路23,功能层27设置在设置有驱动电路23的透明衬底基板21上。
如图14所示,其为本发明实施例提供的一种显示装置,该显示装置可以包括显示面板20和图像获取组件30。其中,显示面板可以为上述图1所示方法制造的显示面板或图2所示方法制造的显示面板。
图像获取组件30位于显示面板20的透明衬底基板21一侧,且图像获取组件在透明衬底基板21上的正投影与显示面板20中的开口区域k在透明衬底基板21上的正投影存在重叠。
如图15所示,其为图14所示的显示装置的俯视图。位于显示面板20背面的图像获取组件30在开口区域k中露出。该图像获取组件30能够通过该开口区域k获取显示面板20正面的图像。
需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间惟一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中,术语“第一”、“第二”和“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上,除非另有明确的限定。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的可选地实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在透明衬底基板上的开口区域形成衬底层;
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成功能层;
在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成沟槽,使所述衬底层露出;
去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成所述功能层之前,所述方法还包括:
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上的所述开口区域的外边缘形成至少一圈围绕所述开口区域的挡墙;
所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成功能层,包括:
在形成有至少一圈所述挡墙的透明衬底基板上形成所述功能层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述挡墙的透明衬底基板上形成功能层之前,所述方法还包括:
在所述衬底层上形成多个凸起结构。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述凸起结构和所述挡墙由同一次构图工艺形成。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述凸起结构为柱状凸起,所述柱状凸起远离所述透明衬底基板的一端的面积大于所述柱状凸起靠近所述透明衬底基板的一端的面积。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述挡墙的沿指定面的截面为倒梯形,所述指定面为与所述透明衬底基板垂直的面。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上的所述开口区域的外边缘形成至少一圈围绕所述开口区域挡墙,包括:
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成负性光刻胶层;
通过曝光工艺和显影工艺将所述负性光刻胶层处理为所述至少一圈围绕所述开口区域的挡墙。
8.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,所述透明衬底基板上形成有驱动电路,所述驱动电路在所述透明衬底基板上的正投影所在区域与所述开口区域不存在重叠区域,所述衬底层与所述驱动电路中的任一金属结构或金属氧化物结构由同一次构图工艺形成。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离,包括:
通过湿法刻蚀工艺去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
10.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,所述衬底层由正性光刻胶构成,
所述去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离,包括:
从所述透明衬底基板未设置所述衬底层的一面对所述衬底层进行曝光;
通过显影工艺去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
11.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,在透明衬底基板上形成衬底层之前,所述方法还包括:
在所述透明衬底基板上形成缓冲层;
所述在透明衬底基板上形成衬底层,包括:
在形成有所述缓冲层的透明衬底基板的所述开口区域形成所述衬底层。
12.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,所述在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成沟槽,使所述衬底层露出,包括:
通过激光切割技术在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成所述沟槽,使所述衬底层露出。
13.一种显示面板,其特征在于,由权利要求1-12任一所述的方法制造,所述显示面板包括:
透明衬底基板,所述透明衬底基板包括开口区域;
所述透明衬底基板上除所述开口区域外的区域设置有功能层。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述透明衬底基板的所述开口区域的外边缘设置有至少一圈挡墙,
所述功能层设置在设置有所述至少一圈挡墙的透明衬底基板上。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述透明衬底基板上除所述开口区域外的区域设置有驱动电路,所述功能层设置在设置有所述驱动电路的透明衬底基板上。
16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求13至15任一所述的显示面板和图像获取组件,
所述图像获取组件位于所述显示面板的透明衬底基板一侧,且所述图像获取组件在所述透明衬底基板上的正投影与所述显示面板中的开口区域在所述透明衬底基板上的正投影存在重叠。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811489984.9A CN109560114B (zh) | 2018-12-06 | 2018-12-06 | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 |
US16/768,924 US11469404B2 (en) | 2018-12-06 | 2019-12-04 | Method for manufacturing display panel, display panel, and display apparatus |
PCT/CN2019/122984 WO2020114423A1 (zh) | 2018-12-06 | 2019-12-04 | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811489984.9A CN109560114B (zh) | 2018-12-06 | 2018-12-06 | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109560114A CN109560114A (zh) | 2019-04-02 |
CN109560114B true CN109560114B (zh) | 2021-01-26 |
Family
ID=65869294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811489984.9A Active CN109560114B (zh) | 2018-12-06 | 2018-12-06 | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11469404B2 (zh) |
CN (1) | CN109560114B (zh) |
WO (1) | WO2020114423A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109560114B (zh) | 2018-12-06 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 |
CN110221472A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-09-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制备方法 |
CN110165081B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法 |
CN110244483A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-09-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
CN111244327B (zh) * | 2020-01-23 | 2023-01-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN111627930B (zh) * | 2020-05-27 | 2022-09-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法与显示面板 |
CN112258439A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-22 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示装置及运动物体的图像合成方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3188602B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2001-07-16 | キヤノン株式会社 | 表面伝導型電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法 |
US6593687B1 (en) * | 1999-07-20 | 2003-07-15 | Sri International | Cavity-emission electroluminescent device and method for forming the device |
CN101027744B (zh) * | 2004-09-27 | 2011-01-12 | 旭硝子株式会社 | 等离子体显示器基板用电极和/或黑条的制造方法 |
US7668223B2 (en) * | 2008-02-22 | 2010-02-23 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Integrated photonic semiconductor devices and methods for making integrated photonic semiconductors devices |
KR101838787B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2018-03-14 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 에칭액 및 그것을 이용한 에칭 방법 |
CN104124142B (zh) * | 2013-04-23 | 2018-08-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法 |
CN105047769B (zh) * | 2015-06-19 | 2017-12-29 | 安徽三安光电有限公司 | 一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法 |
CN105206618B (zh) * | 2015-08-26 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法 |
KR102418520B1 (ko) | 2015-09-04 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102524754B1 (ko) * | 2015-09-09 | 2023-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN105206653A (zh) | 2015-10-19 | 2015-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及显示装置 |
KR102446875B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2022-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102572720B1 (ko) * | 2016-05-03 | 2023-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR20170133812A (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
CN108461655B (zh) * | 2017-02-21 | 2019-11-29 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板的制造方法 |
US10115679B1 (en) * | 2017-06-19 | 2018-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Trench structure and method |
CN107359185B (zh) | 2017-07-27 | 2021-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN107977632B (zh) | 2017-12-05 | 2021-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及其纹路识别方法 |
CN108196388B (zh) * | 2018-02-12 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制造方法 |
CN108649133A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-10-12 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板、其制备方法和有机发光显示装置 |
US11289677B2 (en) * | 2018-04-25 | 2022-03-29 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panel and display device having a protective pattern |
CN108666347B (zh) * | 2018-04-26 | 2021-07-30 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN108417731B (zh) * | 2018-05-09 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜封装结构及其封装方法、oled显示装置 |
CN108983469B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-12-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示装置 |
CN109065759B (zh) * | 2018-08-13 | 2020-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示区打孔封装结构和方法、显示装置 |
KR102587878B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2023-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN109301085B (zh) * | 2018-09-30 | 2020-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR102677473B1 (ko) * | 2018-11-22 | 2024-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 원장보호필름의 박리방법, 유기발광 표시장치의 제조방법, 및 유기발광 표시장치 |
CN109560114B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 |
CN109728047B (zh) * | 2018-12-29 | 2020-09-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制造方法、以及显示装置 |
CN111384285B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
KR102646719B1 (ko) * | 2019-02-22 | 2024-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN209496874U (zh) * | 2019-02-28 | 2019-10-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN109950426B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板的制备方法 |
CN110071121B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110289291B (zh) * | 2019-06-25 | 2021-07-09 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
CN110459693B (zh) * | 2019-07-29 | 2022-06-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、制作方法及显示装置 |
CN110491913B (zh) * | 2019-07-31 | 2021-11-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
KR20210020188A (ko) * | 2019-08-13 | 2021-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US11195993B2 (en) * | 2019-09-16 | 2021-12-07 | International Business Machines Corporation | Encapsulation topography-assisted self-aligned MRAM top contact |
KR102542203B1 (ko) * | 2020-05-27 | 2023-06-13 | 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판 및 그의 제조방법과 디스플레이 패널 |
-
2018
- 2018-12-06 CN CN201811489984.9A patent/CN109560114B/zh active Active
-
2019
- 2019-12-04 US US16/768,924 patent/US11469404B2/en active Active
- 2019-12-04 WO PCT/CN2019/122984 patent/WO2020114423A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109560114A (zh) | 2019-04-02 |
US11469404B2 (en) | 2022-10-11 |
US20210359284A1 (en) | 2021-11-18 |
WO2020114423A1 (zh) | 2020-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109560114B (zh) | 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置 | |
US20210305336A1 (en) | Display panel | |
CN108878503B (zh) | Oled显示基板及其制造方法、oled显示面板、显示装置 | |
KR102704162B1 (ko) | 디스플레이 패널의 제조 방법, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 | |
US11264410B2 (en) | Display device, display panel and manufacturing method thereof | |
US11882716B2 (en) | Display panel, method for manufacturing same, and display apparatus | |
CN110224077A (zh) | 一种oled显示面板及其制作方法 | |
WO2019148853A1 (zh) | 柔性显示面板、其制作方法及显示装置 | |
CN105161519B (zh) | 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置 | |
CN110071153B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
CN111819693B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 | |
CN109119451B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
WO2015120648A1 (zh) | 显示面板、其制作方法及显示装置 | |
CN113394245B (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
US20170033315A1 (en) | Method of manufacturing display device | |
US11796913B2 (en) | Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof | |
WO2019227930A1 (zh) | 电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
CN110098237B (zh) | 显示面板及制作方法 | |
CN107706196A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN109449186B (zh) | Oled显示基板母板及其制作方法、和oled显示装置 | |
CN110137233A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2016078248A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
US20180108686A1 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device | |
CN110148618B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN108140646A (zh) | 阵列基板制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |