JP2016054046A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】補助電極による電圧降下を確実に抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１基板と光透過性を有する第２基板との間に設けられると共に、それぞれが、第１基板の側から順に、光反射性を有する第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、光透過性を有する第２電極とを含む複数の画素と、第１基板上の選択的な領域に設けられ、第２電極と電気的に接続された補助電極とを備える。補助電極は、逆テーパ形状を有する樹脂層と、樹脂層の表面を覆って形成された導電膜とを有する。【選択図】図２

Description

本開示は、有機電界発光素子を備えた表示装置およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。

フラットパネルディスプレイの一つとして、有機電界発光（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の開発が進んでいる。この表示装置は、上面発光方式（トップエミッション方式）のものと、下面発光方式（ボトムエミッション方式）のものとに大別される。

トップエミッション方式の表示装置では、例えば駆動基板上に、光反射性の第１電極と、有機層と、光透過性の第２電極とを備える。光透過性の第２電極としては、透明導電膜あるいは膜厚の薄い金属膜などが用いられる。このような第２電極は、電気抵抗が高いことから、いわゆる電圧降下を生じ、表示画質への影響が懸念される。

そこで、例えば駆動基板の側に、この第２電極と電気的に接続された補助電極を設けることで、上記のような電圧降下を抑制する手法がある。有機層を高精細マスクを用いて画素毎に形成する場合には、この手法によって、第２電極と補助電極とのコンタクト部分に有機層が成膜されることを防ぐことができるため、第２電極と補助配線とを電気的に接続させることが可能である。ところが、有機層の一部あるいは全部をいわゆるエリアマスクを用いて形成する場合には、補助電極上に（補助電極と第２電極との間に）も有機層が成膜されることから、第２電極と補助電極との電気的接続が阻害されることがある。これを回避するための手法が、例えば、特許文献１〜３に提案されている。

特開２００５−０９３３９８号公報 特開２００５−２２７７８８号公報 特開２００５−２３５４９１号公報

特許文献１，２の手法は、補助電極の側面を露出して形成しておき、この側面部において有機層を断切れさせる、というものである。この手法では、有機層の総厚が比較的薄い場合には、第２電極と補助電極との電気的接続が確保されるが、有機層が厚くなると、有機層が補助電極の側面を埋めてしまい、第２電極と補助電極との電気的接続を確保しにくい。このため、電圧降下を十分に抑制することが困難である。

特許文献３の手法は、補助電極上に逆テーパ形状を有する隔壁を形成し、この隔壁において有機層を断切れさせる、というものである。しかしながら、この手法においても、有機層の厚みが大きい場合には、第２電極と補助電極との電気的接続を確保しにくい。

また近年では、発光効率を高めたり、白色発光などの複数の発光スペクトルピークをもつ素子を作製するために、複数の発光ユニットを積層した構造（タンデム構造）をもつ有機層を成膜する傾向がある。発光ユニットの数が増加すると有機層の厚みが大きくなることから、そのような場合にも、第２電極と補助電極との電気的接続を確保して、確実に電圧降下を抑制することが可能な新たな手法の実現が望まれている。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、補助電極による電圧降下を確実に抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。

本開示の表示装置は、第１基板と光透過性を有する第２基板との間に設けられると共に、それぞれが、第１基板の側から順に、光反射性を有する第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、光透過性を有する第２電極とを含む複数の画素と、第１基板上の選択的な領域に設けられ、第２電極と電気的に接続された補助電極とを備え、補助電極は、逆テーパ形状を有する樹脂層と、樹脂層の表面を覆って形成された導電膜とを有するものである。

本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を有するものである。

本開示の表示装置および電子機器では、第１基板上の選択的な領域に、第２電極と電気的に接続された補助電極が設けられ、この補助電極が、逆テーパ形状を有する樹脂層と、その表面を覆う導電膜とを有して構成されている。これにより、補助電極は、樹脂層の逆テーパ形状に倣った形状を含み、有機層成膜の際には、有機層が補助電極の形状によって途切れ（段切れし）、補助電極と第２電極とのコンタクト部分を有機層が覆うことがない。また、補助電極が金属のみによって形成される場合よりも、形状の自由度が高い。このため、有機層の厚みが比較的大きい場合にも、樹脂層の逆テーパ形状を適切に設定して、有機層を段切れさせることができる。

本開示の表示装置および電子機器では、第１基板上の選択的な領域に、第２電極と電気的に接続された補助電極を設け、この補助電極が、逆テーパ形状を有する樹脂層と、その表面を覆う導電膜とを有する。これにより、有機層成膜の際、有機層が補助電極の形状によって途切れて形成され、補助電極と第２電極とのコンタクト部分を有機層が覆うことがなく、また逆テーパ形状における形状の自由度が高い。このため、有機層の厚みが比較的大きい場合にも、有機層を段切れさせ、第２電極と補助電極との電気的接続を確保することができる。よって、補助電極による電圧降下を確実に抑制することが可能となる。

尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示装置の構成を表す断面図である。 図２に示した有機電界発光素子の詳細構成例を表す断面図である。 図２に示した補助電極の一例を表す平面模式図である。 図２に示した補助電極の他の例を表す平面模式図である。 図２に示した補助電極周辺の拡大図である。 図２に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図６Ａに続く工程を表す断面図である。 図６Ｂに続く工程を表す断面図である。 図６Ｃに続く工程を表す断面図である。 図６Ｄに続く工程を表す断面図である。 図６Ｅに続く工程を表す断面図である。 図６Ｆに続く工程を表す断面図である。 図６Ｇに続く工程を表す断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図７に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図８Ａに続く工程を表す断面図である。 本開示の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図９に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図１０Ａに続く工程を表す断面図である。 図１０Ｂに続く工程を表す断面図である。 本開示の第４の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１１に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図１２Ａに続く工程を表す断面図である。 図１２Ｂに続く工程を表す断面図である。 変形例１に係る補助電極の配置構成を説明するための平面図である。 図１３に示した領域Ａ１に対応する部分の拡大図である。 図１３に示した補助電極を有する表示装置の要部構成を表す断面図である。 変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。 変形例３に係る補助電極の配置構成例を説明するための平面模式図である。 変形例３に係る表示装置の補助電極の配置構成の他の例を説明するための平面模式図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 タブレット型パーソナルコンピュータの構成を表す斜視図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。 テレビジョン装置の構成を表す斜視図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１実施の形態（逆テーパ形状を有する樹脂層とこれを覆う導電膜とから構成された補助電極を有する表示装置の例）
２．第２の実施の形態（補助電極の導電膜と第１電極との双方を２層構造とした場合の例）
３．第３の実施の形態（補助電極の導電膜を単層構造、第１電極を２層構造とした場合の例）
４．第４の実施の形態（有機層と第２電極との間に所定の高抵抗層を設けた場合の例）
５．変形例１（有効画素領域外（周辺領域）に補助電極を設けた場合の例）
６．変形例２（第１電極よりも下層に補助電極を設けた場合の例）
７．変形例３（４画素構成の場合の補助電極の配置例）
８．適用例（電子機器の例）

＜第１の実施の形態＞
［構成］
図１Ａは、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表すものである。この表示装置１は、有機ＥＬディスプレイであり、第１基板１１上の表示領域１１０Ａには、それぞれが有機ＥＬ素子１０を含む複数の画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されている。各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ赤色の光ＬＲ（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍ），緑色の光ＬＧ（波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ），青色の光ＬＢ（波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ）を発生する。画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはサブピクセル（Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素）に相当するものであり、これら３つのＲ画素，Ｇ画素，Ｂ画素の組を１つのピクセルとして画像表示がなされる。表示領域１１０Ａの周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０Ａ内には、例えばアクティブ型の駆動回路（画素回路１４０）が設けられている。画素回路１４０は、図１Ｂに示したように駆動用のトランジスタＴｒ１および書き込み用のトランジスタＴｒ２を有し、これらのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮＤ）との間において、有機ＥＬ素子１０がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。

図２は図１Ａに示した表示装置１の断面構成を表すものである。尚、図２では、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応する領域について示している。有機ＥＬ素子１０は、第１基板１１と第２基板２２との間に設けられている。第１基板１１上には、上記の画素回路１４０が設けられ、この画素回路１４０を覆うように平坦化層１３が形成され、平坦化層１３上に、例えば陽極としての第１電極１５Ａが設けられている。第１電極１５Ａは、画素回路１４０に設けられたトランジスタＴｒ１と電気的に接続されている。図２には、画素回路１４０のうち、トランジスタＴｒ１に相当するＴＦＴ１２のみを図示している。

有機ＥＬ素子１０は、第１基板１１の側から順に、第１電極１５Ａと、画素間絶縁膜１６と、発光層を含む有機層１７と、例えば陰極としての第２電極１８とが積層されたものである。この有機ＥＬ素子１０上には、保護膜１９および封止樹脂層２０を間にして第２基板２２が貼り合わされている。第２基板２２の第１基板１１との対向面には、カラーフィルタ（赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇ，青色フィルタ２１Ｂ）とブラックマトリクス層２１ＢＭとを含むＣＦ／ＢＭ層２１が形成されている。

この表示装置１は、例えば有機層１７で発生した光が第２電極１８側から取り出される、いわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）の有機ＥＬディスプレイである。この有機層１７は、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通する層構造を有している。例えば、詳細は後述するが、有機層１７は、複数の発光ユニットを含んで構成され、全体として白色光を発するように構成されている。各有機ＥＬ素子１０から発せられた白色光が、ＣＦ／ＢＭ層２１を通過することにより、赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢが出射するようになっている。以下、各部の構成について説明する。

第１基板１１は、例えばガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハ、樹脂あるいは導電性基板などにより構成されている。導電性基板としては、例えば表面を酸化シリコン（ＳｉＯ₂）や樹脂等により絶縁化したものが用いられる。

この第１基板１１上には、例えば上述のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２等の画素トランジスタおよびキャパシタＣｓ等が形成されるが、ここではそれらのうちのトランジスタＴｒ１に相当するＴＦＴ１２のみを図示している。ＴＦＴ１２は、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）であり、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されている。このＴＦＴ１２では、第１基板１１上に、例えば、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネルを形成する半導体薄膜と、層間絶縁膜とがこの順に積層されており、半導体薄膜に電気的に接続してソース電極およびドレイン電極が形成されている。ＴＦＴ１２の例えばドレイン電極には第１電極１５Ａが電気的に接続されている。尚、ＴＦＴ１２は、このようなボトムゲート型に限らず、トップゲート型のものであってもよい。また、半導体薄膜は、結晶性シリコンおよびアモルファスシリコンなどから構成されていてもよいし、酸化物半導体から構成されていてもよい。

平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された第１基板１１の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。この平坦化層１３は、第１電極１５ＡとＴＦＴ１２のドレイン電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有し、第１電極１５ＡとＴＦＴ１２のドレイン電極とが不必要に接触することを防ぐ役割をも果たしている。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂などの有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。

第１電極１５Ａは、画素毎に電気的に分離して設けられると共に、有機層１７に例えば正孔を注入する電極として機能するものである。第１電極１５Ａは、光反射性を有しており、できるだけ高い反射率を有することが発光効率を高める上で望ましい。このような第１電極１５Ａの構成材料としては、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）およびクロム（Ｃｒ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１５Ａの厚みは、例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。また、第１電極１５Ａは、上述した金属の単体または合金を含む単層膜であってもよいし積層膜であってもよい。なお、この第１電極１５Ａは、後述の補助電極１４と電気的に絶縁されるように形成されている。

画素間絶縁膜１６は、第１電極１５Ａを画素毎に電気的に分離すると共に、第１電極１５Ａと第２電極１８との間の絶縁性、および第１電極１５Ａと補助電極１４との間の絶縁性をそれぞれ確保するためのものである。この画素間絶縁膜１６は、各第１電極１５Ａに対向して開口（後述の開口Ｈ２）を有しており、有機発光素子１０の発光領域を形成するものである。この画素間絶縁膜１６は、例えば酸化シリコンあるいはポリイミドなどの絶縁材料により構成されている。

有機層１７は、発光層を含むと共に、この他にも例えば正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）および電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）などを含んでいてもよい。

図３に有機層１７の積層構造の一例について示す。有機層１７は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層および電子輸送層とが積層された構造を発光ユニットとし、発光色の異なる複数種類の発光ユニットを中間層を介して配置した構造（タンデム構造）を有している。これにより、所望の発光スペクトルを得ることが出来る。一例としては、図３に示したように、第１電極１５Ａの側から順に、正孔注入層１７１ａ、正孔輸送層１７１ｂ、青色発光層１７２、電子輸送層１７３ａおよび電子注入層１７３ｂが積層されてなる青色発光ユニットを有する。この青色発光ユニットの上に、中間層１７４を介して、正孔注入層１７５ａ、正孔輸送層１７５ｂ、黄色発光層１７６、電子輸送層１７７ａおよび電子注入層１７７ｂが積層されてなる黄色発光ユニットが配置されている。この青色発光ユニットと黄色発光ユニットとの積層構造により白色発光を実現できる。但し、有機層１７のタンデム構造はこれに限定されるものではなく、この他にも、赤色発光ユニット、緑色発光ユニットおよび青色発光ユニットをそれぞれ中間層を介して積層させることによっても、白色発光を得ることができる。

第２電極１８は、光透過性を有し、例えば画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全てに共通して、表示領域１１０Ａの全面にわたって形成されている。この第２電極１８は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム酸化物ドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）あるいはインジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）などの酸化物透明導電膜により構成されている。この第２電極１８の膜厚は、例えば５ｎｍ〜１０００ｎｍであり、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この第２電極１８は、例えばスパッタ法により形成可能である。

保護膜１９は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンまたは金属酸化物などから構成されている。封止樹脂層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなり、接着層として機能する。

第２基板２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいて発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。

ブラックマトリクス層２１ＢＭは、遮光性を有すると共に、例えば有機ＥＬ素子１０の各発光領域に対向して開口を有している。このブラックマトリクス層２１ＢＭの各開口に赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇまたは青色フィルタ２１Ｂが形成されている。赤色フィルタ２１Ｒは、赤色光を選択的に透過するものである。緑色フィルタ２１Ｇは、緑色光を選択的に透過するものである。青色フィルタ２１Ｂは、青色光を選択的に透過するものである。これらのブラックマトリクス層２１ＢＭと赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇ，青色フィルタ２１Ｂとを含むＣＦ／ＢＭ層２１は、第２基板２２の光入射側（素子側）および光出射側のどちらの面に設けられてもよいが、例えば光入射側の面に設けられている。

（補助電極１４の構成）
表示装置１では、第１基板１１上の選択的な領域（上記の画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間の領域（画素間の領域））に、補助電極１４が設けられている。補助電極１４は、第２電極１８と電気的に接続される一方、第１電極１５Ａとは電気的に絶縁して配置されている。

本実施の形態では、補助電極１４が、第１電極１５Ａと同一の面（ここでは平坦化層１３上）に配置されている。補助電極１４は、樹脂層１４ａとこの樹脂層１４ａの表面を覆う導電膜１５Ｂとを含むものである。図４Ａに、補助電極１４の平面構成の一例を示す。尚、破線で囲った領域ＰＸＬ１は１つのピクセル（画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからなる組に相当）に対応する領域である。また、Ｉ−Ｉ線における矢視断面構成が、図２に示した断面構成に対応している。また、図４Ｂには、補助電極１４の平面構成の他の例を示す。

樹脂層１４ａは、逆テーパ形状を有している。この樹脂層１４ａは、第１基板１１上（詳細には平坦化層１３上）の画素間の領域に、複数配置されている。図４Ａの例では、複数の樹脂層１４ａが、例えば第１電極１５Ａを囲むように、所定の間隔をあけて点在して配置されている。図４Ｂの例では、複数の樹脂層１４ａが、例えば領域ＰＸＬ１を囲むように、所定の間隔をあけて点在して配置されている。この樹脂層１４ａは、例えば平坦化層１３と略同一の樹脂材料から構成されている。ここで、略同一の樹脂材料とは、製造時の反応性（ポジ型，ネガ型など）は同一であっても、異なっていてもよいが、最終的に同等の性質を示す樹脂材料のことを示すものとする。例えば、製造工程において、平坦化層１３には例えばポジ型の感光性樹脂が用いられ、樹脂層１４ａには例えばネガ型の感光性樹脂が用いられる。それぞれ露光、現像工程において異なる性質（溶解性など）を示すが、最終的に焼成された後は、略同等の性質を示すものである。このように、平坦化層１３と樹脂層１４ａを略同一の樹脂材料で構成することにより、物理的な接触力を強化でき、逆テーパ形状の高さを大きく設定した場合でも、後工程で樹脂層１４ａが倒れることなく安定して形成することができる。また、どの樹脂材料を用いる場合であっても、ネガ型の感光性樹脂を用いることで、逆テーパ形状を形成することが可能である。これらの複数の樹脂層１４ａを覆うように、導電膜１５Ｂが、平面視的に格子状またはストライプ状（ここでは、格子状）を成すように設けられている。

導電膜１５Ｂは、樹脂層１４ａの表面、具体的には上面および側面を覆って形成され、この樹脂層１４ａを覆う部分が、樹脂層１４ａの逆テーパ形状に倣った外形を有している。この導電膜１５Ｂは、第１電極１４Ａと例えば同時に（一括して）形成することができ、例えば第１電極１４ａと同一の材料から構成されている。

図５に、補助電極１４の周辺の拡大構成について示す。補助電極１４では、樹脂層１４ａのテーパ角θは９０度以上１４０度以下であることが望ましい。９０度未満では、有機層１７が断切れせず、第２電極１８との電気的接続を確保しにくくなる。１４０度を超えると、導電膜１５Ｂが樹脂層１４ａの側面で断切れしてしまい、第２電極１８と接触しにくくなるためである。このテーパ角θは、露光量により制御可能である。樹脂層１４ａの高さｈは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。なお、この樹脂層１４ａの逆テーパ形状は、テーパ角が９０度となる形状、つまり垂直テーパ（垂直面を含む形状）であってもよい。

このような逆テーパ形状により、補助電極１４の上に形成される有機層１７は、この補助電極１４の上側端部（角部）において途切れて（断切れして）形成される。詳細には、有機層１７では、補助電極１４の側面ｃ１，ｃ２が露出するように、端部ｅ１ａ，ｅ１ｂ間（あるいは端部ｅ２ａ，ｅ２ｂ間）が離れて配置されている。第２電極１８は、この有機層１７の端部ｅ１ａ，ｅ１ｂ間（あるいは端部ｅ２ａ，ｅ２ｂ間）を埋め込むように、補助電極１４の側面ｃ１，ｃ２に接触して形成されている。

［製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図６Ａ〜図６Ｈは、本実施の形態の表示装置１の製造方法を説明するための模式図である。

まず、図６Ａに示したように、第１基板１１上に、ＴＦＴ１２を含む画素回路１４０形成する（ここではＴＦＴ１２のみを示す）。またＴＦＴ１２のソース電極およびドレイン電極を形成する際には、図示はしないが、第２電極１８と外部回路を接続するための取り出し配線層を形成する。

続いて、図６Ｂに示したように、第１基板１１上に、ＴＦＴ１２等を覆って平坦化層１３を成膜した後、ＴＦＴ１２の例えばドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＨ１を形成する。

次に、図６Ｃに示したように、平坦化層１３上に、上述したような逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａを形成する。具体的には、上述したようなネガ型の感光性樹脂を、平坦化層１３上に成膜した後、露光することにより、逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａをパターン形成することができる。この際、成膜厚みや露光条件、および露光時のマスク開口の形状などを適切に設定することにより、所望の逆テーパ形状を形成することができる。

この後、図６Ｄに示したように、平坦化層１３上に、樹脂層１４ａの表面を覆うように、かつコンタクトホールＨ１の内部を覆って、上述した第１電極１５Ａの材料よりなる導電膜１５を、例えばスパッタ法を用いて成膜する。スパッタ法により成膜した導電膜１５は、カバレッジが良好であることから、樹脂層１４ａの逆テーパ形状の側面を覆って形成される。

続いて、図６Ｅに示したように、成膜した導電膜１５を例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。これにより、第１電極１５Ａと導電膜１５Ｂとを電気的に分離して、第１電極１５Ａと、補助電極１４とを形成することができる。このようにして、第１電極１５Ａと補助電極１４とを同時に、一括して形成する。

次に、図６Ｆに示したように、画素間絶縁膜１６を形成する。この際、画素間絶縁膜１６を、第１電極１５Ａに対向して、発光領域となる開口Ｈ２を形成されると共に、第１電極１５Ａと補助電極１４とが電気的に絶縁されるように、パターニングする。

この後、図６Ｇに示したように、例えば真空蒸着法を用いて有機層１７を形成する。このとき、真空蒸着法により成膜した有機層１７は、カバレッジが比較的悪いことから、補助電極１４の逆テーパ形状の側面を覆うことができず、途切れて形成される。即ち、有機層１７を高精細マスク（画素毎に開口が設けられたマスク）ではなく、エリアマスク（例えば、パネル毎に開口が設けられた多面取り用のマスク）を用いて成膜した場合にも、その成膜後は、有機層１７が補助電極１４の側面には形成されず、補助電極１４の側面が露出する。

続いて、図６Ｈに示したように、例えばスパッタ法を用いて、上述した材料よりなる第２電極１８を形成する。このとき、スパッタ法により形成した第２電極１８は、有機層１７よりもカバレッジが良いことから、補助電極１４の逆テーパ形状の側面にも付着して、側面を覆って成膜される。これにより、補助電極１４と第２電極１８との電気的接続が確保され、電気抵抗を下げることが可能となる。

最後に、図示は省略するが、第２電極１８上に保護層１９を形成した後、ＣＦ／ＢＭ層２１が形成された第２基板２２を、封止樹脂層２０を介して貼り合わせる。以上により、図２に示した表示装置１が完成する。

［作用，効果］
表示装置１では、図１Ａおよび図１Ｂに示したように、走査線駆動回路１３０から各画素のトランジスタＴｒ２のゲートに走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０からは画像信号が、トランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに供給され、保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じてトランジスタＴｒ１（ＴＦＴ１２）がオンオフ制御され、これによって、各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入される。この駆動電流Ｉｄが、第１電極１５Ａおよび第２電極１８を通じて有機層１７の発光層に注入されることにより、正孔と電子とが再結合し、発光が起こる。

各有機ＥＬ素子１０から白色光が発生すると、これらの各白色光は、第２電極１８、保護層１９等を透過した後、カラーフィルタ層２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂおよび第２基板２２を通過することにより、第２基板２２の上方へ、赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢとして出射する。このようにして、表示装置１では、上面発光方式による画像表示が行われる。

ここで、第２電極１８は光透過性を有する透明導電膜などにより構成されることから、電気抵抗が高く、電圧降下を生じ易い。この電圧降下を抑制するために、第１基板１１上の選択的な領域に、第２電極１８との電気的に接続された補助電極１４が設けられる。この補助電極１４が、逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａと、この樹脂層１４ａの表面を覆う導電膜１５Ｂとを有して構成されている。これにより、補助電極１４は、樹脂層１４ａの逆テーパ形状に倣った形状を有し、有機層１７の成膜の際には、有機層１７が補助電極１４の形状によって途切れ（段切れし）、補助電極１４と第２電極１８とのコンタクト部分（具体的には、補助電極１４の側面）を有機層１７が覆うことがない。

ここで、有機層１７の厚みが大きい場合にも電気的接続を確保するためには、補助電極１４の厚み（高さ）を大きくする必要がある。ところが、金属のみからなる補助電極の厚みは１μｍ程度が限界で、それ以上の厚みになると、膜剥れなどを生じ、生産性を著しく低下させ、実質的に膜形成が困難となる。これに対し、本実施の形態では、樹脂層１４ａにより逆テーパ形状を成形するので、高さｈおよびテーパ角θなどの形状の自由度が高い。例えば、逆テーパ形状の高さｈを１μｍ〜１０μｍ程度にまで大きく設定することができる。これにより、有機層１７が厚くなった場合でも補助電極１４の側面と第２電極１８とを電気的に接触させることができる。このため、本実施の形態のように複数の発光ユニットを積層してなる有機層１７のように、有機層１７の厚みが比較的大きい場合にも、樹脂層１４ａの逆テーパ形状を適切に設定して、有機層１７を確実に段切れさせることができる。

以上説明したように、本実施の形態では、第１基板１１上の選択的な領域に、第２電極１８と電気的に接続された補助電極１４を設け、この補助電極１４が、逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａと、その表面を覆う導電膜１５Ｂとを有する。これにより、有機層１７の成膜の際、有機層１７が補助電極１４の形状によって途切れて形成され、補助電極１４と第２電極１８とのコンタクト部分を有機層１７が覆うことがなく、また逆テーパ形状における形状の自由度も高くなる。このため、有機層１７の厚みが比較的大きい場合にも、有機層１７を確実に段切れさせ、第２電極１８と補助電極１４との電気的接続を確保することができる。よって、補助電極１４による電圧降下を確実に抑制することが可能となる。

以下、上記第１の実施の形態の他の実施の形態および変形例について説明する。尚、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。

＜第２の実施の形態＞
図７は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表すものである。この表示装置２は、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、第１基板１１上の表示領域１１０Ａに、有機ＥＬ素子１０を含む画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置された有機ＥＬディスプレイである。表示領域１１０Ａの周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。但し、本実施の形態では、有機ＥＬ素子の第１電極（第１電極２３）の構成および補助電極（補助電極２４）の構成が上記第１の実施の形態と異なっている。

具体的には、本実施の形態では、第１電極２３が多層膜（積層膜）となっている。また、補助電極２４の導電膜（導電補助層２３Ａ２，コンタクト補助層２３Ｂ２）も多層膜となっている。なお、本実施の形態においても、平坦化層１３上に、補助電極２４が設けられ、この補助電極２４が逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａを有している。導電補助層２３Ａ２，コンタクト補助層２３Ｂ２は、この樹脂層１４ａの表面を覆って形成されている。また、第１電極２３上には、上記第１の実施の形態と同様、画素間絶縁膜１６と、有機層１７と、第２電極１８とが積層されている。この有機ＥＬ素子１０上には、保護膜１９および封止樹脂層２０を間にして第２基板２２が貼り合わされている。第２基板２２の一面には、ＣＦ／ＢＭ層２１が形成されている。

第１電極２３は、第１基板１１の側から順に積層された、導電膜２３Ａ１と導電膜２３Ｂ１とを有している。導電膜２３Ａ１の構成材料としては、例えば銀、アルミニウム、モリブデンおよびクロムなどの金属元素の単体または合金が挙げられ、導電膜２３Ａ１の厚みは例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。導電膜２３Ｂ１の構成材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム酸化物ドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）あるいはインジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）などの透明導電膜が挙げられる。導電膜２３Ｂ１の厚みは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

補助電極２４は、例えば第１電極２３と一括形成され、第１基板１１の側から順に積層された導電補助層２３Ａ２とコンタクト補助層２３Ｂ２とを有している。導電補助層２３Ａ２は、第１電極２３の導電膜２３Ａ１と同一の材料および厚みから構成されている。コンタクト補助層２３Ｂ２は、第１電極２３の導電膜２３Ｂ１と同一の材料および厚みから構成されている。

これらの第１電極２３および補助電極２４は、例えば次のようにして形成することができる。即ち、上記第１の実施の形態と同様にして、平坦化層１３上に樹脂層１４ａを形成した後、図８Ａに示したように、上述した材料など（導電膜２３Ａ１，２３Ｂ１の材料および厚み）よりなる導電膜２３Ａ，２３Ｂを、連続的に、樹脂層１４ａの表面を覆うように、成膜する。この後、図８Ｂに示したように、導電膜２３Ａ，２３Ｂを例えばフォトリソグラフィ法を用いてエッチングすることにより、導電膜２３Ａ１，２３Ｂ１と、導電補助層２３Ａ２およびコンタクト補助層２３Ｂ２とを形成するができる。その後の工程は、上記第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態の表示装置２では、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができると共に、補助電極２４を多層構造とし、コンタクト補助層２３Ｂ２を設けることで、第２電極１８とのコンタクト抵抗と配線抵抗との両方を個別に最適化することができる。よって、より効果的に電圧降下を抑制することが可能となる。

＜第３の実施の形態＞
図９は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の断面構成を表すものである。この表示装置３は、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、第１基板１１上の表示領域１１０Ａに、有機ＥＬ素子１０を含む画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置された有機ＥＬディスプレイである。表示領域１１０Ａの周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。但し、本実施の形態では、有機ＥＬ素子の第１電極（第１電極２５）の構成および補助電極（補助電極２６）の構成が上記第１の実施の形態と異なっている。

具体的には、本実施の形態では、第１電極２５が多層膜（積層膜）であるのに対し、補助電極２６の導電膜（コンタクト補助層２５Ａ２）は単層膜である。なお、本実施の形態においても、平坦化層１３上に、補助電極２６が設けられ、この補助電極２６が、逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａを有している。コンタクト補助層２５Ａ２は、この樹脂層１４ａの表面を覆って形成されている。また、第１電極２５上には、上記第１の実施の形態と同様、画素間絶縁膜１６と、有機層１７と、第２電極１８とが積層されている。この有機ＥＬ素子１０上には、保護膜１９および封止樹脂層２０を間にして第２基板２２が貼り合わされている。第２基板２２の一面には、ＣＦ／ＢＭ層２１が形成されている。

第１電極２５は、第１基板１１の側から順に積層された、導電膜２５Ａ１と導電膜２５Ｂ１とを有している。導電膜２５Ａ１の構成材料としては、例えばチタン（Ｔｉ）およびモリブデンなどの純金属、またはこれらを主成分とする合金が挙げられる。導電膜２５Ａ１の厚みは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。導電膜２５Ｂ１の構成材料としては、例えば銀、アルミニウム、モリブデンおよびクロムなどの金属元素の単体または合金が挙げられ、導電膜２５Ａ１の厚みは例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

補助電極２６は、導電膜として例えばコンタクト補助層２５Ａ２を有している。コンタクト補助層２５Ａ２は、第１電極２５の導電膜２５Ａ１と同一の材料および厚みから構成されている。

これらの第１電極２５および補助電極２６は、例えば次のようにして形成することができる。即ち、上記第１の実施の形態と同様にして、平坦化層１３上に樹脂層１４ａを形成した後、図１０Ａに示したように、上述した材料など（導電膜２５Ａ１，２５Ｂ１の材料および厚み）よりなる導電膜２５Ａ，２５Ｂを、連続的に、樹脂層１４ａの表面を覆うように、成膜する。この後、図１０Ｂに示したように、導電膜２５Ａ，２５Ｂを例えばフォトリソグラフィ法を用いてエッチングすることにより、導電膜２５Ａ１，２５Ｂ１と、コンタクト補助層２５Ａ２および導電膜２５Ｂ２とを分離して形成する。続いて、図１０Ｃに示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、コンタクト補助層２５Ａ２上の導電膜２５Ｂ２のみを選択的に除去し、コンタクト補助層２５Ａ２を露出させる。これにより、第１電極２５と補助電極２６とを形成することができる。その後の工程は、上記第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態の表示装置３のように、第１電極２５を多層膜とする一方、補助電極２６を上述した材料よりなるコンタクト補助層２５Ａ２の単層膜としてもよい。これにより、コンタクト補助層２５Ａ２が直接に第２電極１８と接触し、コンタクト抵抗をより制御し易くなる。

＜第４の実施の形態＞
図１１は、本開示の第４の実施の形態に係る表示装置（表示装置４）の断面構成を表すものである。この表示装置４は、上記第１の実施の形態の表示装置１と同様、第１基板１１上の表示領域１１０Ａに、有機ＥＬ素子１０を含む画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置された有機ＥＬディスプレイである。表示領域１１０Ａの周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。但し、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１０の積層構造が、第１の実施の形態と異なっている。

具体的には、本実施の形態では、有機層１７と第２電極１８の間に高抵抗層（高抵抗層２７）が設けられている。高抵抗層２７は、第１電極１５Ａと第２電極１８とが電気的に短絡するのを防ぐ目的で形成するものである。高抵抗層２７は、厚みが例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、例えば酸化亜鉛と共に光学特性の向上あるいは抵抗率の調整のための添加剤を、例えば１０％〜３０％程度含んでいることが好ましい。このような添加剤の成分は、例えば、遷移金属元素，半金属元素あるいは原子番号３０以下の軽元素等であり、具体的には、スズ（Ｓｎ），インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），タリウム（Ｔｌ），ビスマス（Ｂｉ）あるいは鉛（Ｐｂ）等が挙げられる。これらのうち、特にマグネシウム、アルミニウムおよびシリコンを含むことが好ましい。高抵抗層２７には、これらの元素が複数含まれていてもよい。

ここで、高抵抗層２７の抵抗値が低い場合には、補助電極１４と第２電極１８とが高抵抗層２７を介してコンタクトしてもコンタクト抵抗が低く、電圧降下を抑えることが出来るが、高抵抗層２７の抵抗値が高い場合には、コンタクト部での電圧降下が大きくなる。それを防止するために、補助電極１４に対向する部分では、所定の処理が施されることで他の部分よりも低抵抗化されている。

例えば、図１２Ａに示したように、有機層１７上に、高抵抗層２７を例えばスパッタ法により成膜する。スパッタ法により成膜された高抵抗層２７はカバレッジが良好であることから、補助電極１４の逆テーパ形状の側面に接して形成される。この後、図１２Ｂに示したように、補助電極１４に対向する部分にのみ、選択的にレーザ照射を行い、補助電極１４の周辺部を加熱する。これにより、高抵抗層２７において、第１電極１５Ａに対応する発光部の抵抗値は高く保持しつつ、補助電極１４に対応する部分では抵抗値を下げることができる。その後、図１２Ｃに示したように、高抵抗層２７上に、第２電極１８を上記第１の実施の形態と同様にして形成する。なお、高抵抗層２７のレーザ照射による低抵抗化処理は、上述したように高抵抗層２７の成膜後、第２電極１８の形成前であってもよいし、第２電極１８の形成後であってもよい。

本実施の形態の表示装置４のように、有機層１７と第２電極１８との間に高抵抗層２７を形成してもよい。この場合、高抵抗層２７の補助電極１４に対向する選択的な部分を低抵抗化することで、高抵抗層２７を介して電気的に接続された補助電極１４と第２電極１８との間のコンタクト抵抗を下げることができる。

＜変形例１＞
図１３は、変形例１に係る補助電極１４の配置構成を説明するための図面である。上記第１の実施の形態では、補助電極１４が、有効画素領域（表示領域１１０内，画素間領域）に設けられた構成を例示したが、本変形例のように、補助電極１４は、表示領域１１０Ａの外側の領域（周辺領域１１０Ｂ）に配置されてもよい。図１４は、図１３に示した領域Ａ１の拡大模式図である。図１５は、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界付近の断面構成を表したものである。このように、表示領域１１０Ａの周辺領域１１０Ｂにおいて、上述したような逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａが複数点在して配置されると共に、これらの複数の樹脂層１４ａを覆って、平面視的に枠状を成すように導電膜１５Ｂが形成されていてもよい。このような構成であっても、上記第１の実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。また、表示領域１１０Ａ内に樹脂層１４ａを形成しないことから、画素の高精細化に対応し易い。特に小型のパネルに有効である。なお、表示領域１１０Ａ内と周辺領域１１０Ｂとの両方に、補助電極１４が設けられていてもよい。

＜変形例２＞
図１６は、変形例２に係る補助電極（補助電極２８）の配置構成を説明するための断面図である。上記第１の実施の形態では、補助電極１４が、第１電極１５Ａと同一面上（平坦化層１３上）に設けられた構成を例示したが、この補助電極は、第１電極１５Ａよりも下層に設けられていてもよい。例えば、本変形例の補助電極２８のように、ＴＦＴ１２のソース電極およびドレイン電極と同層に設けられていてもよい。この場合には、ＴＦＴ１２のソース電極およびドレイン電極を形成する前に、逆テーパ形状を有する樹脂層１４ａを形成しておき、ソース電極およびドレイン電極を形成すると同時に、その樹脂層１４ａを覆うように導電膜２８Ａを形成することができる。これにより、逆テーパ形状を有する補助電極２８を形成することができる。なお、補助電極２８は、ＴＦＴ１２のゲート電極と同層に形成することも可能である。

＜変形例３＞
図１７Ａは、変形例４に係る補助電極１４の配置構成の一例を表す平面模式図である。また、図１７Ｂには、補助電極１４の配置構成の他の例を示す。上記第１の実施の形態では、１ピクセルが３つの画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから構成される場合を例に挙げて説明したが、１ピクセルが例えば更に白画素（Ｗ画素）を含む４画素構成であってもよい。この場合、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４画素を、田の字状に（２行２列で）配置することができる。一点鎖線で囲った領域ＰＸＬ２は１つのピクセル（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４画素からなる組に相当）に対応する領域であり、画素毎に第１電極１５Ａが設けられている。このような画素配列においても、上記第１の実施の形態と同様、図１７Ａの例では、複数の樹脂層１４ａが、例えば第１電極１５Ａを囲むように、所定の間隔をあけて点在して配置されている。図１７Ｂの例では、複数の樹脂層１４ａが、例えば領域ＰＸＬ２を囲むように、所定の間隔をあけて点在して配置されている。また、これらの複数の樹脂層１４ａを覆うように、導電膜１５Ｂが、平面視的に格子状またはストライプ状（ここでは、格子状）を成すように設けられている。

＜適用例＞
上記実施の形態および変形例において説明した表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するあらゆる分野の電子機器に用いることができる。具体的には、上述の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ビデオカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話およびスマートフォン等の携帯端末装置などの電子機器に組み込まれる。以下にその一例を示す。

図１８Ａおよび図１８Ｂは、スマートフォン２２０の外観を表したものである。このスマートフォン２２０は、例えば、表側に表示部２２１および操作部２２２を有し、裏側にカメラ２２３を有しており、表示部２２１に上記実施の形態等の表示装置が搭載されている。

図１９は、タブレットパーソナルコンピュータ２４０の外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータ２４０は、例えば、タッチパネル部２４１および筐体２４２を有しており、タッチパネル部２４１に上記実施の形態等の表示装置が搭載されている。

図２０Ａおよび図２０Ｂは、携帯電話機２９０の外観を表したものである。この携帯電話機２９０は、例えば、上側筐体２９１と下側筐体２９２とを連結部（ヒンジ部）２９３で連結したものであり、ディスプレイ２９４，サブディスプレイ２９５，ピクチャーライト２９６およびカメラ２９７を有している。ディスプレイ２９４またはサブディスプレイ２９５が上記実施の形態等の表示装置装置により構成されている。

図２１は、テレビジョン装置２５０の外観を表したものである。このテレビジョン装置２５０は、例えば、本体部２５１とスタンド２５２とを有している。本体部２５１が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、補助電極の形状および配置は上述したものに限定されず、他の様々な構成とすることができる。

更に、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。また、表示装置では、上述した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上述した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。また、上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

なお、本開示は以下のような構成であってもよい。
（１）
第１基板と光透過性を有する第２基板との間に設けられると共に、それぞれが、前記第１基板の側から順に、光反射性を有する第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、光透過性を有する第２電極とを含む複数の画素と、
前記第１基板上の選択的な領域に設けられ、前記第２電極と電気的に接続された補助電極と
を備え、
前記補助電極は、
逆テーパ形状を有する樹脂層と、
前記樹脂層の表面を覆って形成された導電膜と
を有する
表示装置。
（２）
前記第１電極と前記補助電極とは、互いに同一面上に電気的に絶縁して設けられ、
前記導電膜と前記第１電極とは同一材料により構成されている
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１基板上に、前記複数の画素をそれぞれ駆動するための画素回路と、前記画素回路を覆って形成された平坦化層とを更に備え、
前記樹脂層と前記平坦化層とは略同一の樹脂材料により構成されている
上記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記導電膜および前記第１電極は、前記第１基板の側から順に積層された、第１の導電膜と第２の導電膜とを含む積層膜である
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
前記第１の導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）の単体、またはアルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）を主成分とする合金により構成されている
上記（４）に記載の表示装置。
（６）
前記第２の導電膜は、酸化物透明導電膜により構成されている
上記（４）または（５）に記載の表示装置。
（７）
前記第１電極は、前記第１基板の側から順に積層された、第３の導電膜と第４の導電膜とを含む積層膜であり、
前記補助電極の前記導電膜は、前記第３の導電膜と同一材料により構成されている
上記（１）〜（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）
前記第３の導電膜は、チタン（Ｔｉ）もしくはモリブデン（Ｍｏ）の単体、またはチタンもしくはモリブデンを主成分とする合金により構成されている
上記（７）に記載の表示装置。
（９）
前記第４の導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）の単体、またはアルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）を主成分とする合金により構成されている
上記（７）または（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記有機層と前記第２電極との間に、前記第２電極よりも電気抵抗の高い高抵抗層を更に備え、
前記高抵抗層の前記補助電極と対向する選択的な部分が他の部分よりも低抵抗化されている
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
前記高抵抗層は、前記補助電極の側面に接して形成され、
前記第２電極は、前記高抵抗層を介して前記補助電極に電気的に接続されている
上記（１０）に記載の表示装置。
（１２）
前記第２電極は、前記補助電極の側面に接して形成されている
上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
前記樹脂層は、前記第１の基板上の前記画素間の領域に複数配置され、
前記導電膜は、複数の前記樹脂層を覆って平面視的に格子状またはストライプ状を成す
上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）
前記複数の画素は、ストライプ状に配置された第１ないし第３の画素の組を複数含み、
前記複数の樹脂層は、前記第１ないし第３の画素の組を平面視的に囲むように配置されている
上記（１３）に記載の表示装置。
（１５）
前記複数の画素は、２行２列で配置された第１ないし第４の画素の組を複数含み、
前記複数の樹脂層は、前記第１ないし第４の画素の組を平面視的に囲むように配置されている
上記（１３）に記載の表示装置。
（１６）
前記樹脂層は、前記第１基板上の有効画素領域の周辺領域に複数配置され、
前記導電膜は、複数の前記樹脂層を覆って平面視的に枠状を成す
上記（１）〜（１５）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）
前記補助電極は、前記第１電極よりも下層に形成されている
上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）
前記有機層は、前記発光層として互いに異なる波長域の光を発する複数種類の発光ユニットを積層した構造を有する
上記（１）〜（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）
第１基板と光透過性を有する第２基板との間に設けられると共に、それぞれが、前記第１基板の側から順に、光反射性を有する第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、光透過性を有する第２電極とを含む複数の画素と、
前記第１基板上の選択的な領域に設けられ、前記第２電極と電気的に接続された補助電極と
を備え、
前記補助電極は、
逆テーパ形状を有する樹脂層と、
前記樹脂層の表面を覆って形成された導電膜と
を有する
表示装置を備えた電子機器。

１，２，３，４…表示装置、１０…有機ＥＬ素子、１１…第１基板、１２…ＴＦＴ、１３…平坦化層、１４，２４，２６…補助電極、１４ａ…樹脂層、１５Ａ，２３，２５…第１電極、１５Ｂ…導電膜、１６…画素間絶縁膜、１７…有機層、１８……第２電極、１９…保護膜、２０…封止樹脂層、２１…ＣＦ／ＢＭ層、２２…第２基板、２７…高抵抗層。

Claims (19)

1. 第１基板と光透過性を有する第２基板との間に設けられると共に、それぞれが、前記第１基板の側から順に、光反射性を有する第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、光透過性を有する第２電極とを含む複数の画素と、
   前記第１基板上の選択的な領域に設けられ、前記第２電極と電気的に接続された補助電極と
   を備え、
   前記補助電極は、
   逆テーパ形状を有する樹脂層と、
   前記樹脂層の表面を覆って形成された導電膜と
   を有する
   表示装置。
2. 前記第１電極と前記補助電極とは、互いに同一面上に電気的に絶縁して設けられ、
   前記導電膜と前記第１電極とは同一材料により構成されている
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１基板上に、前記複数の画素をそれぞれ駆動するための画素回路と、前記画素回路を覆って形成された平坦化層とを更に備え、
   前記樹脂層と前記平坦化層とは略同一の樹脂材料により構成されている
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記導電膜および前記第１電極は、前記第１基板の側から順に積層された、第１の導電膜と第２の導電膜とを含む積層膜である
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１の導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）の単体、またはアルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）を主成分とする合金により構成されている
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２の導電膜は、酸化物透明導電膜により構成されている
   請求項４に記載の表示装置。
7. 前記第１電極は、前記第１基板の側から順に積層された、第３の導電膜と第４の導電膜とを含む積層膜であり、
   前記補助電極の前記導電膜は、前記第３の導電膜と同一材料により構成されている
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第３の導電膜は、チタン（Ｔｉ）もしくはモリブデン（Ｍｏ）の単体、またはチタンもしくはモリブデンを主成分とする合金により構成されている
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第４の導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）の単体、またはアルミニウム（Ａｌ）もしくは銀（Ａｇ）を主成分とする合金により構成されている
   請求項７に記載の表示装置。
10. 前記有機層と前記第２電極との間に、前記第２電極よりも電気抵抗の高い高抵抗層を更に備え、
    前記高抵抗層の前記補助電極と対向する選択的な部分が他の部分よりも低抵抗化されている
    請求項１に記載の表示装置。
11. 前記高抵抗層は、前記補助電極の側面に接して形成され、
    前記第２電極は、前記高抵抗層を介して前記補助電極に電気的に接続されている
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第２電極は、前記補助電極の側面に接して形成されている
    請求項１に記載の表示装置。
13. 前記樹脂層は、前記第１の基板上の前記画素間の領域に複数配置され、
    前記導電膜は、複数の前記樹脂層を覆って平面視的に格子状またはストライプ状を成す
    請求項１に記載の表示装置。
14. 前記複数の画素は、ストライプ状に配置された第１ないし第３の画素の組を複数含み、
    前記複数の樹脂層は、前記第１ないし第３の画素の組を平面視的に囲むように配置されている
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記複数の画素は、２行２列で配置された第１ないし第４の画素の組を複数含み、
    前記複数の樹脂層は、前記第１ないし第４の画素の組を平面視的に囲むように配置されている
    請求項１３に記載の表示装置。
16. 前記樹脂層は、前記第１基板上の有効画素領域の周辺領域に複数配置され、
    前記導電膜は、複数の前記樹脂層を覆って平面視的に枠状を成す
    請求項１に記載の表示装置。
17. 前記補助電極は、前記第１電極よりも下層に形成されている
    請求項１に記載の表示装置。
18. 前記有機層は、前記発光層として互いに異なる波長域の光を発する複数種類の発光ユニットを積層した構造を有する
    請求項１に記載の表示装置。
19. 第１基板と光透過性を有する第２基板との間に設けられると共に、それぞれが、前記第１基板の側から順に、光反射性を有する第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、光透過性を有する第２電極とを含む複数の画素と、
    前記第１基板上の選択的な領域に設けられ、前記第２電極と電気的に接続された補助電極と
    を備え、
    前記補助電極は、
    逆テーパ形状を有する樹脂層と、
    前記樹脂層の表面を覆って形成された導電膜と
    を有する
    表示装置を備えた電子機器。
    
    
    

Images