KR101012515B1

KR101012515B1 - 질화물 반도체 발광소자

Info

Publication number: KR101012515B1
Application number: KR1020080081459A
Authority: KR
Inventors: 김민호; 마틴 에프. 슈베르트; 김종규; 이. 프레드 슈베르트; 박용조; 손철수; 윤석호
Original assignee: 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트; 삼성전기주식회사
Priority date: 2007-08-20
Filing date: 2008-08-20
Publication date: 2011-02-08
Anticipated expiration: 2028-08-20
Also published as: KR101012514B1; US8502266B2; KR101314261B1; KR20090019733A; US20090050875A1; KR20090019732A; JP2009049416A; KR20100097643A; JP2009055023A; US20110001123A1; US20090050874A1

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며 복수의 양자장벽층과 하나 이상의 양자우물층이 교대로 적층된 구조를 갖는 활성층 및 상기 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 전자차단층을 포함하며, 상기 전자차단층은 상기 복수의 양자장벽층 중 인접하는 양자장벽층과 비교하여 밴드갭 에너지는 크고, 알짜분극전하량은 작거나 같은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

본 발명에 따르면, 양자장벽층과 전자차단층의 알짜분극전하량 차이를 최소화함으로써 모든 전류영역에서 높은 효율을 얻을 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.

발광소자, LED, 분극전하, 밴드갭 에너지, 전자차단층

Description

질화물 반도체 발광소자 {Nitride semiconductor light emitting device}

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 고전류 인가 시의 발광효율 감소를 최소화한 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

반도체 발광소자(Light Emitting Diode, LED)는 전류가 가해지면 p,n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 LED는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 및 반복적인 전원 단속에 대한 높은 공차 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.

이러한 III족 질화물 반도체 발광소자에서는 정공에 비해 이동도가 높은 전자가 정공과 결합하지 않고 p형 반도체층으로 진행하는 경우가 발생하며, 이에 따라, 도 1에 도시된 바와 같이, 주입되는 전류의 크기가 증가할수록 누설되는 전류의 양이 늘어나는 이른바, 전자의 오버플로잉 문제가 있다. 도 1은 종래 기술에 따 른 질화물 반도체 발광소자에서 주입 전류에 따른 누설 전류의 변화를 나타낸 것이다.

이러한 누설 전류의 발생은 양자효율의 저하를 초래하며, 최근 조명 장치와 같이 고 전류에서 LED를 사용하려는 시도가 증가하는 추세에서 더욱 문제가 되고 있으나, 이를 해결하기 위한 완전한 방안은 아직 제시되지 못하고 있다. 따라서, 당 기술 분야에서는 모든 전류 영역, 특히, 고 전류에서도 양자효율이 높아 조명 장치 등에 사용할 수 있는 고 효율의 질화물 반도체 발광소자가 요구된다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 양자장벽층과 전자차단층의 알짜분극전하량 차이를 최소화함으로써 높은 효율을 얻을 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 데에 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시 형태는,

n형 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며 복수의 양자장벽층과 하나 이상의 양자우물층이 교대로 적층된 구조를 갖는 활성층 및 상기 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 전자차단층을 포함하며, 상기 전자차단층은 상기 복수의 양자장벽층 중 인접하는 양자장벽층과 비교하여 밴드갭 에너지는 크고, 알짜분극전하량은 작거나 같은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

이 경우, 상기 전자차단층의 알짜분극전하량은 GaN보다 작거나 같고, Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)보다 큰 것일 수 있다. 나아가, 상기 전자차단층은 Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)과 동일한 크기의 밴드갭 에너지를 갖는 것이 바람직하다.

바람직하게는, 상기 전자차단층은 상기 복수의 양자장벽층 중 인접하는 양자 장벽층과 알짜분극전하량이 같은 것일 수 있다.

또한, 상기 전자차단층과 상기 전자차단층에 인접한 상기 양자장벽층과의 계면에서 알짜분극전하량 차이는 GaN과 Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)의 알짜분극전하량 차이보다 작을 수 있으며, 더 나아가, 상기 전자차단층과 상기 전자차단층에 인접한 상기 양자장벽층과의 계면에서 알짜분극전하량 차이는 GaN과 Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)의 알짜분극전하량 차이의 절반보다 작을 수 있다.

한편, 상기 n형 질화물 반도체층에 접하여 형성된 성장용 기판을 더 포함하며, 상기 n형 질화물 반도체층은 상기 기판의 극성 면 상에 형성된 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 n형 질화물 반도체층은 사파이어 기판의 C(0001)면 상에 형성될 수 있다.

본 발명의 다른 실시 형태의 경우, n형 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며 복수의 양자장벽층과 하나 이상의 양자우물층이 교대로 적층된 구조를 갖는 활성층 및 상기 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 전자차단층을 포함하며, 상기 전자차단층은 전도 대역의 에너지 준위가 일정한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

본 발명에 따르면, 양자장벽층과 전자차단층의 알짜분극전하량 차이를 최소화함으로써 높은 효율을 얻을 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 또한, 전자차단층의 에너지 준위가 벤딩되는 정도를 저감 시킴으로써 고 효율의 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

도 2a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이며, 도 2b는 도 2a에서 활성층 영역을 확대하여 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(200)는 기판(201) 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(202), 활성층(203), 전자차단층(204) 및 p형 질화물 반도체층(205) 갖추어 구성되며, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(202, 203)의 소정 영역에는 각각 n형 및 p형 전극(206a, 206b)이 형성되어 있다.

상기 기판(201)은 질화물 반도체층의 성장을 위해 제공되는 것으로서 사파이어 기판을 사용할 수 있다. 사파이어 기판은 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a축 방향의 격자상수가 각각 13.001Å 및 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.

다만, 상기 C면은 극성 면으로서 상기 C면에서 성장된 질화물 반도체층은 질화물반도체 고유의 이온결합 (ionicity) 특성과 구조적 비대칭성 (격자상수 a≠c)으로 인해 자발분극 (spontaneous polarization)을 갖게 되고, 격자상수가 다른 질화물 반도체가 연속적으로 적층될 경우, 반도체층에 형성된 변형 (strain)에 의해 압전 분극(piezoelectric polarization)이 발생한다. 이 경우, 두 종류의 분극의 합을 알짜분극 (net polarization)이라 한다. 이러한 알짜분극에 의해 각 계면에 알짜분극전하 (net polarization charge)가 형성되고, 이에 의해 에너지 준위가 벤딩(bending)되게 된다. 이러한 분극전하에 의한 영향을 줄여 발광효율을 향상시키는 기술은 아래에서 상세히 설명한다. 질화물 반도체 성장용 기판(200)으로 사파이어 기판 대신 SiC, Si, GaN, AlN 등으로 이루어진 기판도 사용 가능하다.

한편, 본 실시 형태에서는 질화물 반도체 성장용 기판(201)이 포함된 수평 구조의 질화물 반도체 발광소자를 기준으로 설명하였으나, 본 발명은 상기 기 판(201)이 제거되어 전극이 질화물 반도체층의 적층 방향으로 서로 마주보도록 배치된 수직구조 질화물 반도체 발광소자에도 적용될 수 있을 것이다.

상기 n형 질화물 반도체층(202) 및 p형 질화물 반도체층(205)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖고, 각각 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다. 또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn 또는 Be 등이 대표적이다. 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(202, 205)은 질화물 반도체층 성장에 관하여 공지된 공정을 이용할 수 있으며, 예컨대, 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 및 하이브리드 기상증착법(HVPE) 등이 이에 해당한다.

상기 활성층(203)은 도 2b에 도시된 바와 같이, 전자와 정공이 재결합하여 발광하도록 양자장벽층(203a)과 양자우물층(203b)이 교대로 반복 적층된 구조를 갖는다. 이 경우, 상기 양자장벽층(203a)는 GaN으로 이루어지며, 상기 양자우물층(203b)는 In₀ _.2Ga₀ _.8N으로 이루어질 수 있다. 상기 전자차단층(204)은 상기 활성층(203)과 상기 p형 질화물 반도체층(205) 사이에 형성되며, 양자장벽층(203a)에 비해 높은 밴드갭 에너지를 가진다. 이에 따라, 상기 전자차단층(204)은 전자가 상기 p형 질화물 반도체층(205)으로 오버플로잉되지 않도록 한다.

본 실시 형태의 경우, 상기 전자차단층(204)은 인접한 상기 양자장벽층(203a)과의 알짜분극전하량 차이가 일반적인 양자장벽층/전자차단층 구조에 비해 작은 것을 특징으로 한다. 따라서, 종래 구조, 예컨대, GaN 양자장벽층과 Al_0.13Ga_0.87N 전자차단층의 구조보다 계면에서의 알짜분극전하량 차이를 작도록 한다면 전자누설전류가 감소 되고 이로 인해 전자차단층의 에너지 준위 경사가 감소되어 후술할 바와 같이, 구동 전압 및 전자누설전류는 저하되는 반면 발광효율은 향상될 수 있다.

이하, 본 실시 형태에 따라 양자장벽층과 전자차단층의 알짜분극전하량 차이를 줄이는 방법과 이에 따른 효과를 설명한다. 도 3은 AlInGaN 4원소 반도체에서 Al(x)과 In(y)의 조성에 따른 밴드갭 에너지 및 알짜분극전하량의 변화를 나타낸 것이다. 이 경우, 밴드갭 에너지가 동일한 조성은 점선으로, 알짜분극전하량이 동일한 조성은 실선으로 표시되어 있다. 도 5의 그래프는 300K 온도에서 GaN층 상에 성장된 AlN, InN, GaN의 밴드갭 에너지 및 알짜분극전하량을 결정한 후 각 원소의 격자상수 및 보우잉 파라미터(bowing parameter)를 고려한 계산에 의해 도출된 것이다.

도 3을 참조하면, AlInGaN 반도체는 Al함량이 많아질수록 밴드갭 에너지는 커지고 알짜분극전하량은 작아지며, In함량이 많아질수록 밴드갭 에너지는 작아지 고 알짜분극전하량은 커지는 경향을 보인다. 그러나, Al, In 함량 변화에 따라 밴드갭 에너지 및 알짜분극전하량이 변하는 정도는 서로 다르기 때문에, Al, In 함량을 적절히 조절하면 밴드갭 에너지를 일정하게 유지하면서도 알짜분극전하량을 줄일 수 있음을 알 수 있다.

보다 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, GaN 양자장벽층의 경우, 밴드갭 에너지는 3.4200eV이며 알짜분극전하량은 -0.0339C/m²이다. 이 경우, 알짜분극전하량이 음수인 것은 하부에 위치한 GaN층을 향하여 (+) 전하를 띄고, 그 맞은 편 면에서 (-) 전하를 띄는 것으로 이해할 수 있다. 또한, 종래 구조인 Al₀ _.13Ga₀ _.87N 전자차단층의 경우, 밴드갭 에너지는 3.6588eV이며 알짜분극전하량은 -0.0423C/m²이다. 본 실시 형태에서, 밴드갭 에너지는 Al₀ _.13Ga₀ _.87N과 유사하도록 하여 전자차단 기능은 유지하되, 인접한 양자장벽층과의 알짜분극전하량 차이는 감소 되도록 2개의 조성을 결정하여 전자차단층(실시예 1, 2)을 형성하였다. 즉, 본 실시 형태에서 채용될 수 있는 전차차단층의 조건으로 인접한 양자장벽층과 비교하여 밴드갭 에너지는 크고, 알짜분극전하량은 작거나 같은 범위를 기준으로 하였다.

아래 제시한 표에서, 상기 실시예 1, 2의 밴드갭 에너지 및 알짜분극전하량의 계산 결과를 제시하였으며, 이를 종래의 Al₀ _.13Ga₀ _.87N 전자차단층 및 GaN 양자장 벽층과 같이 나타내었다. 이 경우, 실시예 1의 전자차단층(Al_0.3In_0.13Ga_0.57N)은 Al₀ _.13Ga₀ _.87N과 동일한 밴드갭 에너지를 가지면서 GaN 양자장벽층과 알짜분극전하량이 동일하다. 또한, 실시예 2의 전자차단층(Al₀ _.25In₀ _.08Ga₀ _.67N)은 Al₀ _.13Ga₀ _.87N과 동일한 밴드갭 에너지를 가지면서 GaN 양자장벽층과의 알짜분극전하량 차이가 Al_0.13Ga_0.87N에 비해 절반이 되도록 설정된 것이다.

	조성	밴드갭 에너지(eV)	알짜분극전하량(C/m²)
실시예 1	Al₀ _.3In₀ _.13Ga₀ _.57N	3.6588	-0.0339
실시예 2	Al₀ _.25In₀ _.08Ga₀ _.67N	3.6588	-0.0381
비교예 1	Al₀ _.13Ga₀ _.87N	3.6588	-0.0423
양자장벽층	GaN	3.4200	-0.0339

도 4는 표 1과 같이 선택된 실시예 1 및 2와 비교예(Al_0.13Ga_0.87N 전자차단층)에 대하여 구동 전압의 변화에 따른 전류 변화를 시뮬레이션하여 나타낸 것이다. 이 경우, 발광 파장은 450㎚이며 온도 조건은 300K로 설정하였다. 다만, 반도체층의 결정성 등에 의한 영향은 고려되지 않았다. 도 4를 참조하면, 실시예 1 및 2가 비교예에 비하여 구동 전압이 감소 됨을 확인할 수 있으며, 특히, 양자장벽층과 알짜분극전하량이 동일하도록 형성한 실시예 1의 경우가 가장 우수한 것을 볼 수 있다. 비교예의 경우, 전자차단층의 알짜분극전하량 절대값이 인접한 양자장벽층에 비해 더 크며, 이에 따라, 전자차단층과 양자장벽층의 계면에서 전자차단층의 (+) 전하의 크기가 더 크다. 따라서, 상기 계면은 (+) 전하를 띄게 되고, 이는 전자를 전자차단층 방향으로 유도하게 되어 전자차단 효과를 저감 시키게 된다. 실시예 1 및 실시예 2의 경우에는 전자차단층과 양자장벽층의 계면에서 알짜분극전하량의 차이가 없도록 하거나 그 차이를 비교예에 비하여 줄임으로써 전자의 오버플로잉가 줄어들도록 하였다.

한편, 도 5 및 도 6은 실시예 1(실선)과 비교예(점선)에서 각각 전류 변화에 따른 전자누설전류 및 내부양자효율의 변화를 시뮬레이션하여 나타낸 것이다. 우선, 도 5를 참조하면, 실시예 1이 비교예에 비하여 전자누설전류의 양이 현저히 작은 것을 볼 수 있으며, 이는 전자차단층에서 알짜분극전하량에 의한 에너지 준위의 형태가 전자차단 기능에 영향을 미침을 의미한다. 즉, 본 실시 형태와 같이, 전자차단층의 에너지 준위의 벤딩이 최소화될 경우 전자차단 기능이 향상될 수 있다. 다음으로, 도 6을 참조하면, 고 전류에서 내부양자효율의 경우, 비교예에서는 최대 양자효율에 비해 350mA에서의 양자효율이 약 25% 정도 감소하며, 실시예 1에서는 약 22% 감소함을 볼 수 있다. 특히, 비교예에 비하여 실시예 1의 내부양자효율이 현저히 높으며, 350mA에서 약 49.5%의 효율 향상을 가져온다.

한편, 본 실시 형태에서는 Al, In의 조성을 조절하는 방법을 예로 들기는 하였으나, 이는 양자장벽층과 전자차단층 간의 알짜분극전하량 차이를 줄이거나 전자차단층의 에너지 준위가 벤딩된 정도를 줄일 수 있는 하나의 방안으로서 본 발명은 이에만 제한되는 것은 아니라 할 것이다. 또한, 알짜분극전하량 차이를 줄이는 방안은 양자장벽층과 전자차단층 간에만 적용되는 것은 아니며, 전자차단층과 p형 질화물 반도체층 사이에도 적용될 수 있다. 또한, 활성층과 전자차단층 사이에 개재된 질화물 스페이서층과 전자차단층 사이에도 적용될 수 있는 등, 전자차단층과 인접한 모든 층과의 계면에서 알짜분극전하량 차이를 줄이는 방안이 적용될 수 있다.

도 7은 도 2의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(300)는 기판(301), n형 질화물 반도체층(302), 활성층(303), 전자차단층(304) 및 p형 질화물 반도체층(305)을 구비하며, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(302, 305)에는 n형 및 p형 전극(306a, 306b)이 형성된다. 이전 실시 형태와 다른 구조로서, 상기 전자차단층(304)은 제1 및 제2 층(305a, 305b)이 교대로 반복 적층된 초격자 구조를 갖는다. 이 경우, 상기 제1 층(305a)은 실시예 1의 Al₀ _.3In₀ _.13Ga₀ _.57N이 사용되며, 상기 제2 층(305b)은 비교예의 GaN을 사용할 수 있다.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

도 1은 종래 기술에 따른 질화물 반도체 발광소자에서 주입 전류에 따른 누설 전류의 변화를 나타낸 것이다.

도 2a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이며, 도 2b는 도 2a에서 활성층 영역을 확대하여 나타낸 것이다.

도 3은 AlInGaN 4원소 반도체에서 Al(x)과 In(y)의 조성에 따른 밴드갭 에너지 및 알짜분극전하량의 변화를 나타낸 것이다.

도 4는 표 1과 같이 선택된 실시예 1 및 2와 비교예(Al_0.13Ga_0.87N 전자차단층)에 대하여 구동 전압의 변화에 따른 전류 변화를 시뮬레이션하여 나타낸 것이다.

도 5 및 도 6은 실시예 1(실선)과 비교예(점선)에서 각각 전류 변화에 따른 전자누설전류 및 내부양자효율의 변화를 시뮬레이션하여 나타낸 것이다.

도 7은 도 2의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

201: 기판 202: n형 질화물 반도체층

203: 활성층 204: 전자차단층

205: p형 질화물 반도체층 206a, 206b: n형 및 p형 전극

Claims

n형 및 p형 질화물 반도체층;

상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며 복수의 양자장벽층과 하나 이상의 양자우물층이 교대로 적층된 구조를 갖는 활성층; 및

상기 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며, Al, Ga, In, N의 4성분계 물질로 이루어진 전자차단층을 포함하며,

상기 전자차단층은 상기 복수의 양자장벽층 중 인접하는 양자장벽층과 비교하여 밴드갭 에너지는 크고, 알짜분극전하량은 작거나 같으며,

상기 전자차단층의 알짜분극전하량은 GaN보다 작거나 같고, Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
삭제
제1항에 있어서,

상기 전자차단층은 Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)과 동일한 크기의 밴드갭 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 전자차단층은 상기 복수의 양자장벽층 중 인접하는 양자장벽층과 알짜분극전하량이 같은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 전자차단층과 상기 전자차단층에 인접한 상기 양자장벽층과의 계면에서 알짜분극전하량 차이는 GaN과 Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)의 알짜분극전하량 차이보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제5항에 있어서,

상기 전자차단층과 상기 전자차단층에 인접한 상기 양자장벽층과의 계면에서 알짜분극전하량 차이는 GaN과 Al_xGa_(1-x)N(0.1≤x≤0.2)의 알짜분극전하량 차이의 절반에 해당하는 값을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 n형 질화물 반도체층에 접하여 형성된 성장용 기판을 더 포함하며, 상기 n형 질화물 반도체층은 상기 기판의 극성 면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제7항에 있어서,

상기 n형 질화물 반도체층은 사파이어 기판의 C(0001)면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
삭제