[go: up one dir, main page]

KR101438806B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101438806B1
KR101438806B1 KR1020070086711A KR20070086711A KR101438806B1 KR 101438806 B1 KR101438806 B1 KR 101438806B1 KR 1020070086711 A KR1020070086711 A KR 1020070086711A KR 20070086711 A KR20070086711 A KR 20070086711A KR 101438806 B1 KR101438806 B1 KR 101438806B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
delta
doped
conductive semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020070086711A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090021849A (ko
Inventor
김태윤
손효근
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020070086711A priority Critical patent/KR101438806B1/ko
Priority to US12/198,728 priority patent/US7700961B2/en
Publication of KR20090021849A publication Critical patent/KR20090021849A/ko
Priority to US12/659,208 priority patent/US7888693B2/en
Priority to US13/004,758 priority patent/US8178887B2/en
Priority to US13/453,804 priority patent/US8441024B2/en
Priority to US13/864,978 priority patent/US8742397B2/en
Priority to US14/207,236 priority patent/US9040954B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101438806B1 publication Critical patent/KR101438806B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02584—Delta-doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
    • H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H10H20/8252—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN characterised by the dopants

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자는 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 언도프드 반도체층; 상기 언도프드 반도체층 위에 형성된 제 1델타도핑층; 상기 제 1델타도핑층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
반도체, 발광소자, 델타도핑,

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof}
본 발명의 실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다. 이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 청색 또는 녹색 파장대의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광소자의 측단면도로서, 특히 질화물 반도체 발광 다이오드(LED) 소자를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 반도체 발광 소자(10)는, 사파이어 기판(11) 상에 n형 GaN층(13), 활성층(15), 및 p형 GaN층(17)이 순차 적층된 구조로 형성되며, 메사 식각 공정에 의해 p형 GaN층(17)에서 n형 GaN층(13)의 일부를 노출시켜 준다. 이때 노출된 n형 GaN층(13) 위에는 n측 전극(19)이 형성되어 있고, p형 GaN층(17) 위에는 p측 전극(21)이 형성된다.
이러한 반도체 발광소자(100)는 전극들(19,21)을 통해 전원이 공급되면 활성층(15)에서 전자와 정공의 재 결합으로 광이 생성된다.
본 발명의 실시 예는 p형 도펀트를 이용한 고전도성 p형 반도체층을 제공할 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예는 p형 도펀트를 델타도핑시켜 줌으로써, 높은 정공 농도를 갖으며, 고 전도성 및 결정성이 우수한 p형 반도체층을 제공할 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자는 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 언도프드 반도체층; 상기 언도프드 반도체층 위에 형성된 제 1델타도핑층; 상기 제 1델타도핑층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 언도프드 반도체층을 형성하는 단계; 상기 언도프드 반도체층 위에 제 1델타도핑층을 형성하는 단계; 상기 제 1델타도핑층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, p형 불순물을 델타도핑함으로써, 높은 정공 농도와 전위 결함을 억제하여 p형 반도체층의 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
또한 우수한 결정성을 갖는 p형 반도체층을 제공할 수 있다.
또한 반도체 발광소자의 전기적 및 광학적 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2를 참조하면, 반도체 발광소자(100)는 기판(110), 버퍼층(120), 제 1도전성 반도체층(130), 활성층(140), 언도프드 반도체층(150), 제 1델타도핑층(155), 제 2도전성 반도체층(180)을 포함하며, 상기 제 2도전성 반도체층(180)은 제 1질화물 반도체층(160), 제 2델타도핑층(165), 제 2질화물 반도체층(170)을 포함한다.
상기 기판(110)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 발광소자의 전극 형성 전에 제거될 수도 있다.
이러한 기판(110) 위에는 버퍼층(120)이 형성된다. 상기 버퍼층(120)은 상기 기판(110)과의 격자 상수 차이를 줄여주기 위한 층으로서, GaN 버퍼층, AlN 버퍼층, AlGaN 버퍼층, InGaN 버퍼층 등이 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(120) 위에는 언도프드(undoped) GaN층이 형성될 수도 있다. 이러한 버퍼층(120) 및 언도프드 GaN층 중 어느 하나의 층만 형성하거나 모든 층이 형성되지 않을 수도 있다.
상기 버퍼층(120) 위에는 제 1도전성 반도체층(130)이 형성된다. 상기 제 1도전성 반도체층(130)은 예컨대, 적어도 한 층 이상의 n형 반도체층으로 구현될 수 있는 데, 상기 n형 반도체층은 GaN, AlGaN, InGaN 등 중에서 선택될 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑된다. 이러한 제 1도전성 반도체층은 전극 접촉층으로 기능할 수 있다.
상기 제 1도전성 반도체층(130) 위에는 활성층(140)이 형성된다. 상기 활성층(140)은 InGaN 양자 우물층 및 적어도 GaN을 갖는 양자 장벽층의 주기를 갖는 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조로 형성된다.
상기 활성층(140) 위에는 도펀트를 도핑하지 않은 언도프드 반도체층(150)이 형성된다. 상기 언도프드 반도체층(150)은 예컨대, undoped GaN층으로 구현될 수 있다. 이러한 언도프드 반도체층(150)은 제 1델타도핑층(155)으로부터 활성층(140)을 보호하게 된다. 상기 언도프드 반도체층(150)은 예컨대 결정성장챔버 내에서 700~1000℃의 성장온도에서 NH3와 TMGa의 가스원을 공급하여 5~200Å로 형성시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 언도프드 반도체층(150) 위에는 동작 전압이 상승하는 것을 보완하기 위해 언도프드 AlGaN층이 성장될 수도 있으며, 이때에는 NH3, TMGa 및 TMAl의 가스원을 공급하여 형성되어 진다.
상기 언도프드 반도체층(150) 위에는 제 1델타도핑층(155)이 형성된다. 이러한 제 1델타도핑층(155)은 p형 도펀트(예: Mg, Be, Zn 등)를 도핑하여 1~2 원자층 두께(예: 0.2~0.5nm)로 형성될 수 있다. 예컨대, Mg 델타 도핑층의 성장 방법은 트리메틸갈륨(TMGa) 가스원을 멈춘 상태에서 델타 도핑층이 성장되는 데, 성장 온도 700℃~1000℃에서 TMGa 가스를 외부로 배출하고, 결정성장챔버 내에 수소 가스, 암모니아 가스, Mg 도핑 원인 Cp2Mg를 5~30초 동안 공급하여 Mg 델타 도핑층을 형성할 수 있다.
이러한 제 1델타도핑층(155)은 상기 언도프드 반도체층(150) 위에 형성되므로, p형 도펀트의 out-diffusion으로 인한 활성층의 표면 특성 저하를 방지하며, 정공 농도를 증가시켜 주어 전도성을 향상시켜 줄 수 있다.
상기 제 1델타도핑층(155) 위에는 제 2도전성 반도체층(180)이 형성되는 데, 여기서 제 2 도전성 반도체층(180)은 제 1질화물 반도체층(160), 제 2델타도핑층(165), 제 2질화물 반도체층(170)으로 이루어지거나, 또는 상기 제 2도전성 반도체층(180)은 상기 언도프드 반도체층(150)부터 제 2질화물 반도체층(170)까지의 층으로 정의할 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
상기 제 1질화물 반도체층(160)은 p형 AlGaN층 또는 p형 AlGaN/GaN층의 초 격자 구조로 형성될 수 있다. 이러한 제 1질화물 반도체층(160)은 p형 도펀트(예: Mg, Be, Zn 등)를 사용하며, 5~200Å로 형성시켜 줄 수 있다.
상기 제 1질화물 반도체층(160) 위에는 제 2델타도핑층(165)이 형성된다. 상기 제 2델타도핑층(165)은 성장 온도를 700℃~1000℃에서 TMGa 가스의 공급을 중단하고 내부의 TMGa가스를 외부로 배출하고, 결정성장챔버 내에 수소 가스, 암모니아 가스, Mg 도핑 원인 Cp2Mg를 5~30초 동안 공급하여 Mg 델타 도핑층을 형성할 수 있 다. 이러한 제 2델타도핑층(165)은 p형 도펀트(예: Mg, Be, Zn 등)를 도핑하여 1~2 원자층 두께(예: 0.2~0.5nm)로 형성될 수 있다.
상기 제 2델타도핑층(165) 위에 제 2질화물 반도체층(170)이 형성된다. 상기 제 2질화물 반도체층(170)은 p형 반도체층으로 구현되며 전극 접촉층으로 사용될 수 있다. 이러한 p형 반도체층은 GaN, AlGaN, InGaN 등 중에서 선택될 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg,Zn, Be 등)와 같은 금속이 도핑된다.
이와 같은 실시 예의 반도체 발광소자(100)는 활성층(140) 위에 상기 활성층의 표면을 보호하기 위한 언도프드 반도체층(150)을 형성시키고, 그 위에 제 1델타도핑층(155)을 1~2원자층 두께로 도핑함으로써, 도펀트에 의해 활성층(140)의 결정성이나 표면 상태가 나빠지는 것을 방지할 수 있다.
또한 델타도핑층(165)이 언도프드 반도체층(150)과 제 1질화물 반도체층(160) 사이, 제 1질화물 반도체층(160)과 제 2질화물 반도체층(170) 사이에 각각 형성됨으로써, 높은 정공 농도(예: 1018/cm3)를 얻을 수 있으며, 전위결함을 억제시킬 수 있으며, 고 전도성 및 우수한 결정성을 갖은 p형 반도체층을 제공할 수 있다. 이러한 제 2질화물 반도체층(170) 위에는 투명전극층(미도시) 또는 제 3도전성 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 또한 델타도핑의 횟수와 정공의 농도와는 비례관계에 있으며, 이는 동작 전압의 감소 및 광학 특성 개선의 효과를 가져올 수 있다. 또한 델타도핑의 횟수는 p형 반도체층의 quality가 저하되지 않을 정도로 수행할 수 된다.
상기 제 2질화물반도체층(170) 위에는 투명전극층, 전극층, 전도성 지지기판 중 적어도 하나가 형성될 수 있다. 즉, 제 2질화물 반도체층(170) 위에 투명전극층/전극층이 형성되거나 전극층 또는 전극층/전도성 지지기판이 형성될 수도 있다.
본 발명의 실시 예에서는 pn구조, np구조 npn구조 및 pnp 구조 중에서 어느 하나로 구현될 수 있으며, 수평형 반도체 발광소자 또는 수직형 반도체 발광소자로 구현될 수도 있다. 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.
예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 종래 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 반도체 발광소자 110 : 기판
120 : 버퍼층 130 : 제 1도전성 반도체층
140 : 활성층 150 : 언도프드 반도체층
155 : 제 1델타도핑층 160 : 제 1질화물 반도체층
165 : 제 2델타도핑층 170 : 제 2질화물 반도체층
180 : 제 2도전성 반도체층

Claims (16)

  1. 언도프드 GaN층;
    상기 언도프드 GaN층 상에 제 1도전성 반도체층;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층;
    상기 활성층 위에 언도프드 GaN층;
    상기 언도프드 GaN층 상에 형성된 언도프드 AlGaN층;
    상기 언도프드 AlGaN층 위에 형성된 제 1델타도핑층;
    상기 제 1델타도핑층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2도전성 반도체층은 상기 제 1델타도핑층 위에 형성된 제 1질화물 반도체층; 상기 제 1질화물 반도체층 위에 형성된 제 2델타도핑층; 상기 제 2델타도핑층 위에 형성된 제 2질화물 반도체층을 포함하며,
    상기 제 1질화물 반도체층은 p-AlGaN/GaN층의 초격자 구조로 형성되는 반도체 발광소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1델타도핑층 및 제 2델타도핑층에 도핑되는 금속은 Mg, Zn, Be 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1질화물 반도체층은 5Å~200Å 두께로 형성되는 반도체 발광소자.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1도전성 반도체층 아래에 형성된 버퍼층 및 기판 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1도전성 반도체층은 n형 반도체층을 포함하며,
    상기 제 2도전성 반도체층은 적어도 p형 반도체층을 포함하며,
    상기 활성층은 단일 또는 다중 양자우물구조로 형성되는 반도체 발광소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2도전성 반도체층 위에 형성된 제 3도전성 반도체층, 전도성 지지기 판 및 투명전극층 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
  10. 언도프드 GaN층;
    상기 언도프드 GaN층 상에 제 1도전성 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제 1도전성 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 위에 언도프드 GaN층을 형성하는 단계;
    상기 언도프드 GaN층 상에 언도프드 AlGaN층을 형성하는 단계;
    상기 언도프드 AlGaN층 위에 제 1델타도핑층을 형성하는 단계;
    상기 제 1델타도핑층 위에 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제 2도전성 반도체층의 형성 단계는, 상기 제 1델타도핑층 위에 제 1질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1질화물 반도체층 위에 제 2델타도핑층을 형성하는 단계; 상기 제 2델타도핑층 위에 제 2질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제 2질화물 반도체층은 p-AlGaN/GaN층의 초격자 구조로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1델타도핑층 및 제 2델타도핑층에 도핑되는 금속은 Mg, Zn, Be 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1질화물 반도체층은 5Å~200Å 두께로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 삭제
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 제 1도전성 반도체층 아래에는 버퍼층 및 기판 중 적어도 하나가 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
KR1020070086711A 2007-08-28 2007-08-28 반도체 발광소자 및 그 제조방법 Active KR101438806B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070086711A KR101438806B1 (ko) 2007-08-28 2007-08-28 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US12/198,728 US7700961B2 (en) 2007-08-28 2008-08-26 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US12/659,208 US7888693B2 (en) 2007-08-28 2010-03-01 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US13/004,758 US8178887B2 (en) 2007-08-28 2011-01-11 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US13/453,804 US8441024B2 (en) 2007-08-28 2012-04-23 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US13/864,978 US8742397B2 (en) 2007-08-28 2013-04-17 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US14/207,236 US9040954B2 (en) 2007-08-28 2014-03-12 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070086711A KR101438806B1 (ko) 2007-08-28 2007-08-28 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140077207A Division KR101510057B1 (ko) 2014-06-24 2014-06-24 반도체 발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090021849A KR20090021849A (ko) 2009-03-04
KR101438806B1 true KR101438806B1 (ko) 2014-09-12

Family

ID=40405962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070086711A Active KR101438806B1 (ko) 2007-08-28 2007-08-28 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (6) US7700961B2 (ko)
KR (1) KR101438806B1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101438806B1 (ko) 2007-08-28 2014-09-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5197686B2 (ja) * 2010-07-16 2013-05-15 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
CN102169929A (zh) * 2011-02-25 2011-08-31 聚灿光电科技(苏州)有限公司 一种高出光率发光二极管制造方法
KR101376976B1 (ko) * 2012-06-29 2014-03-21 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 반도체 발광 디바이스
CN103367594B (zh) * 2013-07-26 2015-12-02 东南大学 一种发光二极管及其制备方法
MY175414A (en) 2013-09-09 2020-06-24 Halliburton Energy Services Inc Yielding of hydrated lime in set-delayed and other settable compositions
JP6229609B2 (ja) * 2014-07-18 2017-11-15 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
CN105374912B (zh) * 2015-10-28 2017-11-21 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管及其制作方法
CN206512268U (zh) * 2017-03-10 2017-09-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种蒸镀源盖板、蒸镀源及蒸镀装置
US20200194619A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-18 Saphlux, Inc. Semiconductor devices with superlattice layers

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100580751B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100616516B1 (ko) 2003-12-18 2006-08-29 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100662191B1 (ko) 2004-12-23 2006-12-27 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20070028095A (ko) * 2005-09-07 2007-03-12 엘지전자 주식회사 저저항 발광 다이오드

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4225594B2 (ja) 1997-08-04 2009-02-18 三洋電機株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体装置
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US7576365B2 (en) * 2004-03-12 2009-08-18 Showa Denko K.K. Group III nitride semiconductor light-emitting device, forming method thereof, lamp and light source using same
AU2005322570A1 (en) * 2004-10-08 2006-07-06 The Regents Of The University Of California High efficiency light-emitting diodes
KR100580752B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100661709B1 (ko) * 2004-12-23 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100631971B1 (ko) 2005-02-28 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
DE112006002083T5 (de) * 2005-08-03 2008-06-12 Stanley Electric Co. Ltd. Halbleiter-Leuchtvorrichtung und ihr Herstellungsverfahren
WO2007081092A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-19 Seoul Opto Device Co., Ltd. Del à couche d'ito et son procédé de fabrication
US7619238B2 (en) * 2006-02-04 2009-11-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Heterostructure including light generating structure contained in potential well
JP2009055023A (ja) * 2007-08-20 2009-03-12 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 窒化物半導体発光素子
KR101438806B1 (ko) * 2007-08-28 2014-09-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8519437B2 (en) * 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616516B1 (ko) 2003-12-18 2006-08-29 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100580751B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100662191B1 (ko) 2004-12-23 2006-12-27 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20070028095A (ko) * 2005-09-07 2007-03-12 엘지전자 주식회사 저저항 발광 다이오드

Also Published As

Publication number Publication date
US20110101415A1 (en) 2011-05-05
US20140191190A1 (en) 2014-07-10
US20090057647A1 (en) 2009-03-05
US8441024B2 (en) 2013-05-14
US7888693B2 (en) 2011-02-15
US8742397B2 (en) 2014-06-03
US20120205664A1 (en) 2012-08-16
US20100155772A1 (en) 2010-06-24
US8178887B2 (en) 2012-05-15
US20130228748A1 (en) 2013-09-05
US7700961B2 (en) 2010-04-20
US9040954B2 (en) 2015-05-26
KR20090021849A (ko) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101438806B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7723739B2 (en) Semiconductor light emitting device and illuminating device using it
KR100267839B1 (ko) 질화물 반도체 장치
US8076684B2 (en) Group III intride semiconductor light emitting element
KR101459763B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100784065B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101316423B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US10879423B2 (en) Ultraviolet light-emitting element
KR20100006548A (ko) Ⅲ족 질화물계 반도체 발광 소자, 및 에피택셜 웨이퍼
CN104272477A (zh) 氮化物半导体发光元件
US7508049B2 (en) Semiconductor optical device
KR100916489B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2022167231A (ja) 紫外半導体発光素子
KR20100052926A (ko) 발광다이오드 및 그의 제조방법
JP2008288532A (ja) 窒化物系半導体装置
KR100998234B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101510057B1 (ko) 반도체 발광소자
KR20090053550A (ko) 4원계 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100742989B1 (ko) 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법
KR20140135931A (ko) 반도체 발광소자
JP3561243B2 (ja) 化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子
KR101144523B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JPWO2019097963A1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体
KR100921143B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2000174336A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20070828

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
AMND Amendment
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20120827

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20070828

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20131008

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20140526

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20131008

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20140624

Patent event code: PA01071R01D

PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20140624

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20140526

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20140731

Appeal identifier: 2014101003926

Request date: 20140624

PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20140624

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20140624

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20140107

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20120827

Patent event code: PB09011R02I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20140731

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20140728

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20140901

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20140901

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170804

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180809

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180809

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190812

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200811

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210813

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220808

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240808

Start annual number: 11

End annual number: 11