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KR100781040B1 - 액상 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 - Google Patents

액상 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 Download PDF

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KR100781040B1
KR100781040B1 KR1020010071261A KR20010071261A KR100781040B1 KR 100781040 B1 KR100781040 B1 KR 100781040B1 KR 1020010071261 A KR1020010071261 A KR 1020010071261A KR 20010071261 A KR20010071261 A KR 20010071261A KR 100781040 B1 KR100781040 B1 KR 100781040B1
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KR
South Korea
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epoxy resin
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liquid epoxy
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resin composition
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가즈아끼 스미따
도시오 시오바라
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 (A) 액상 에폭시 수지,
(C) 경화 촉진제,
(D) 무기질 충전제, 및
(E) 아크릴산 알킬 및(또는) 메타크릴산알킬을 단량체 성분으로서 함유하는 중합체 또는 공중합체를 포함하고, 코어부의 유리 전이 온도가 -1O ℃이하, 쉘부의 유리 전이 온도가 80 내지 150 ℃이고, 평균 입경이 0.1 내지 1.O ㎛인 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자를,
상기 (A) 성분 100 중량부에 대하여 상기 (E) 성분이 0.5 내지 20 중량부가 되도록 함유하는 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 실리콘 칩의 표면과의, 특히 감광성 폴리 이미드 수지나 질화막과의 밀착성이 우수하고, 특히 대형 다이 사이즈의 반도체 장치의 봉지재로서 유효하고, 이 에폭시 수지 조성물을 사용하여 봉지한 반도체 장치는 매우 신뢰성이 높다.
액상 에폭시 수지, 경화 촉진제, 무기질 충전제, 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자

Description

액상 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 {Liquid Epoxy Resin Compositions and Semiconductor Devices}
도 1은 플립칩(flip-chip)형 반도체 장치의 한 예를 나타낸 개략도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1. 유기 기판
2. 범프(bump)
3. 반도체 칩
4. 언더 충전재
5. 필렛(fillet)재
본 발명은 실리콘 칩의 소자 표면 (특히 감광성 폴리이미드 수지, 질화막)과의 밀착성이 매우 양호하고, 또한 열충격에 대하여 우수한 경화물을 제공하는 액상 에폭시 수지 조성물 및 이 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치에 관한 것이다.
전기 기기의 소형, 경량화, 고기능화에 따라 반도체의 실장 방법도 핀 삽입 타입으로부터 표면 실장이 주류를 이루고 있다. 또한 반도체 소자의 고집적화에 따라 다이 사이즈의 한 변이 1O mm을 초과하는 것도 있고, 다이 사이즈의 대형화가 진행되고 있다. 이러한 대형 다이를 사용한 반도체 장치에서는, 땜납 리플로우(reflow) 시에 다이와 봉지재에 걸린 응력이 증대하고, 봉지재와 다이 및 기판의 계면에서 박리가 생기거나, 기판 실장시에 패키지에 크랙이 생기거나, 온도 사이클 시험 후에 박리, 크랙이 발생하여 전기적인 불량이 생긴다는 문제가 부각되고 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 실리콘 칩의 표면과의, 특히 감광성 폴리이미드 수지나 질화막과의 밀착성이 우수한 경화물을 제공하고, PCT (120 ℃/2.1 atm) 등의 고온 다습의 조건하에서도 열화되지 않고, -65 ℃/150 ℃의 온도 사이클에 있어서 수백 사이클을 초과하여도 박리, 크랙이 일어나지 않는 액상 에폭시 수지 조성물 및 이 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 계속한 결과,
(A) 액상 에폭시 수지,
(B) (임의 성분으로서) 경화제,
(C) 경화 촉진제,
(D) 무기질 충전제
를 포함하는 액상 에폭시 수지 조성물에 대하여,
(E) 아크릴산알킬 및(또는) 메타크릴산알킬을 단량체 성분으로서 함유하는 중합체 또는 공중합체를 포함하고, 코어부의 유리 전이 온도가 -1O ℃ 이하, 쉘부의 유리 전이 온도가 80 내지 150 ℃이고, 평균 입경이 0.1 내지 1.O ㎛인 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자를,
특정량 배합하고, 이 경우 바람직하게는 상기 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자를 미리 액상 에폭시 수지에 균일하게 분산시켜 배합함으로써 실리콘 칩의 표면과의, 특히 감광성 폴리이미드 수지나 질화막과의 밀착성이 우수하고, 특히 대형 다이 사이즈의 반도체 장치의 봉지재로서 유효한 봉지재가 얻어진다는 것을 발견하였다.
즉, 아크릴산알킬과 메타크릴산알킬의 공중합체를 포함하는 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자는 반도체 봉지재의 성분으로서는 공지된 것이지만, 특히 미리 액상 에폭시 수지와 용융 혼합함으로써 균일 분산이 가능하고 작업성이 향상됨과 동시에 이 성분의 배합에 의해 내열성, 열충격성이 우수하고, 특히 대형 다이 사이즈의 반도체 장치의 봉지재로서 유효한 봉지재를 얻을 수 있다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이른 것이다.
따라서 본 발명은
(A) 액상 에폭시 수지,
(B) (임의 성분으로서) 경화제,
(C) 경화 촉진제,
(D) 무기질 충전제,
(E) 아크릴산알킬 및(또는) 메타크릴산알킬을 단량체 성분으로서 함유하는 중합체 또는 공중합체를 포함하고, 코어부의 유리 전이 온도가 -10 ℃ 이하, 쉘부의 유리 전이 온도가 80 내지 150 ℃이고, 평균 입경이 0.1 내지 1.O ㎛인 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자를,
상기 (A) 성분 100 중량부에 대하여 상기 (E) 성분이 0.5 내지 20 중량부, 또는 상기 (A) 성분과 (B) 성분의 총량 100 중량부에 대하여 상기 (E) 성분이 0.5 내지 20 중량부가 되도록 필수 성분으로 함유하는 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물, 특히 플립칩형 반도체 장치 등의 반도체 장치 봉지용의 액상 에폭시 수지 조성물 및 이 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치, 특히 플립칩형 반도체 장치를 제공하는 것이다.
이하, 본 발명에 관하여 더욱 자세히 설명한다.
본 발명에 사용되는 (A) 성분의 에폭시 수지는 한 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것이면 분자 구조, 분자량 등은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 트리페놀프로판형 에폭시 수지 등의 트리페놀알칸형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 시클로펜타디엔형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이러한 에폭시 수지는 1종 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
이 경우, 액상 에폭시 수지 조성물에 사용하는 액상 에폭시 수지로서는 한 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 실온 (예를 들면 25 ℃)에서 액상의 것이면 어떠한 것라도 사용 가능하지만, 특히 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지가 바람직하다. 이러한 에폭시 수지에는 하기 화학식으로 표시되는 에폭시 수지를 침입성에 영향을 미치지 않은 범위에서 첨가하여도 아무런 문제는 없다.
Figure 112001029768748-pat00001
상기 액상 에폭시 수지 중의 전체 염소 함유량은 1,500 ppm 이하, 바람직하게는 1,000 ppm 이하인 것이 바람직하다. 또한 100 ℃에서 20 시간동안 50 ％ 에폭시 수지 농도에서의 추출수 염소가 10 ppm 이하인 것이 바람직하다. 전체 염소 함유량이 1,500 ppm을 초과하고, 추출수 염소가 10 ppm을 초과하면 반도체 소자의 신뢰성, 특히 내습성에 악영향을 미칠 우려가 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, (A) 성분의 액상 에폭시 수지를 후술하는 (C) 성분의 경화 촉진제에 의해 경화시킬 수 있고, 특히 경화제를 필요로 하는 것이 아니지만 (즉, 자기 중합형 조성물이지만), 경우에 따라서는 필요시에 경 화제를 함께 배합하여 (즉, 페놀 수지 경화형, 산무수물 경화형, 아민 경화형 등의 조성물로서) 경화시킬 수 있다. 본 발명에 사용되는 임의 성분인 (B) 성분의 경화제로서는 (A) 성분의 에폭시 수지 중의 에폭시기와 반응 가능한 관능기 (예를 들면 페놀성 수산기, 아미노기, 산무수물기 등)을 2개 이상 (단, 산무수물기는 1개 이상) 갖는 화합물이면 분자 구조, 분자량 등은 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 1 분자 중에 페놀성 수산기를 적어도 2개 이상 갖는 페놀 수지, 구체적으로는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 파라크실릴렌 변성 노볼락 수지, 메타크실릴렌 변성 노볼락 수지, 오르토크실릴렌 변성 노볼락 수지 등의 크실릴렌 변성 노볼락 수지, 비스페놀 A형 수지, 비스페놀 F 형 수지 등의 비스페놀형 페놀 수지, 비페닐형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 페놀아랄킬형 수지, 비페닐아랄킬형 수지, 트리페놀메탄형 수지, 트리페놀프로판형 수지 등의 트리페놀알칸형 수지 및 그 중합체 등의 페놀 수지, 나프탈렌환 함유 페놀 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀 수지 등의 어느 페놀 수지도 사용 가능한 것 이외에 아민계, 산무수물계 등의 경화제를 사용할 수 있다.
이 경우, 플립칩형 반도체 장치용의 언더 충전재 등에 적용되는 액상 에폭시 수지 조성물에 사용되는 경화제로서는 특히 산무수물이 바람직하다. 산무수물로서는 테트라히드로 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수메틸하이믹산, 필로멜리트산 이무수물, 3,4-디메틸-6-(2-메틸-1-프로페닐)-4-시클로헥산-1,2-디카르복실산, 1-메틸-4-(1-메틸에틸)-비시클로[2.2.2]옥트-5-엔-2,3-디카르복실산, 말레인화알로오시멘, 벤조 페논테트라카르복실산이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판이무수물 등의 산무수물, 바람직하게는 분자 중에 지방족환 또는 방향족 환을 1개 또는 2개 가짐과 동시에 산무수물기 (즉, -CO-O-CO-기)를 1개 또는 2개 갖는, 탄소 원자수 4 내지 25 개, 바람직하게는 8 내지 20개 정도의 산무수물이 적합하다.
또한, 액상 에폭시 수지 조성물에 사용되는 경화제로서는, 상기 이외에 디시안디아미드, 아디핀산히드라지드, 이소프탈산히드라지드 등의 카르복실산히드라지드도 사용할 수가 있다.
(B) 성분의 경화제는 임의 성분이고, 액상 에폭시 수지 조성물을 자기 중합형의 것으로서 경화시킬 경우에는 배합할 필요가 없는 것이지만, 경화제를 배합하여 액상 에폭시 수지 조성물을 경화시킬 경우에는 상기 경화제의 배합량은 에폭시 수지를 경화시키는 유효량으로 적절하게 선정되지만, 페놀 수지의 경우 에폭시 수지 중에 포함되는 에폭시기 1 몰에 대하여 경화제 중에 포함되는 페놀성 OH기의 몰비가 0.5 내지 1.5인 것이 바람직하다. 또한 경화제로서 산무수물을 사용할 경우는, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1 몰에 대하여, 경화제 중의 산무수물기 (-CO-0-CO-기)로부터 유도되는 카르복실산기의 몰비를 0.5 내지 1.5의 범위로 하는 것이 적합하다. 0.5 미만이면 경화성이 불충분하고, 1.5를 초과하면 미반응의 산무수물이 잔존하고 유리 전이 온도가 저하될 우려가 있다. 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2의 범위로 하는 것이 적합하다. 또는 상기와 마찬가지의 이유에 의해 에폭시 수지 중의 에폭시기 1 몰에 대하여 산무수물 중의 산무수물기의 몰비가 바람직하게는 0.3 내지 0.7, 보다 바람직하게는 0.4 내지 0.6의 범위가 되도록 배합할 수 있다.
본 발명의 조성물에는 (A) 성분을 경화시키기 위해서, 또는 (A) 에폭시 수지와 (B) 경화제와의 경화 반응을 촉진하기 위해 (C) 성분으로서 경화 촉진제 (반응 촉진제)를 배합한다. 이 경화 촉진제는, 경화 반응을 촉진시키는 것이면 특별히 한정되지 않고 예를 들면 이미다졸 화합물, 3급 아민 화합물, 유기 인계 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 배합할 수가 있고, 특히 이미다졸 화합물 및 유기 인화합물이 바람직하다.
이 경우, 이미다졸 화합물로서는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 사용할 수 있다.
Figure 112001029768748-pat00002
상기 식에서, R1 및 R2는 수소 원자, 또는 메틸기, 에틸기, 히드록시메틸기, 페닐기 등의 알킬기, 치환 알킬기, 아릴기 등의 탄소수 1 내지 12의 치환 또는 비치환의 1가 탄화수소기이고, R3은 메틸기, 에틸기, 페닐기, 알릴기 등의 알킬기, 알케닐기, 아릴기 등의 탄소수 1 내지 12의 치환 또는 비치환의 1가 탄화수소기를 나 타내고, R4는 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 시아노에틸기, 벤질기 등의 알킬기, 치환 알킬기, 아랄킬기 등의 탄소수 1 내지 12의 치환 또는 비치환의 1가 탄화수소기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 기이다. 또한 치환 1가 탄화수소기로서는 히드록시 치환, 시아노 치환 등의 것을 들 수 있다.
Figure 112001029768748-pat00003
구체적으로는 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1,2-디에틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-아릴-4,5-디페닐이미다졸, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1)']-에틸-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1)']-에틸-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1)']-에틸-S-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 상기 이미다졸 화합물로서는 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1)']-에틸-S-트리아진, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1,2-디에틸이미 다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸이 바람직하다.
또한, 3급 아민 화합물로서는 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, 벤질트리메틸아민, α-메틸벤질디메틸아민 등의 질소 원자에 결합하는 치환기로서 알킬기나 아랄킬기를 갖는 아민 화합물, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7 및 그의 페놀염, 옥틸산염, 올레인산염 등의 시클로아미딘 화합물이나 그 유기산과의 염, 또는 하기 화학식의 화합물 등의 시클로아미딘 화합물과 4급 붕소 화합물과의 염 또는 착염 등을 들 수 있다.
Figure 112001029768748-pat00004
또한 유기 인계 화합물로서는 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀, 트리페닐포스핀ㆍ트리페닐보란 등의 트리오르가노포스핀 화합물이나 테트라페닐포스포늄ㆍ테트라페닐보레이트 등의 4급 포스포늄염 등을 들 수 있다. 이들 중에서 하기 화학식 3으로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112001029768748-pat00005
상기 식에서, R5는 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 알콕시기이다.
이 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부 틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있고, 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기 등을 들수 있다. R5는 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.
상기 화학식 3의 화합물로서는, 하기의 것을 들 수 있다.
Figure 112001029768748-pat00006
상기 경화 촉진제는 그대로 배합하여도 좋지만 이것을 마이크로 캡슐화한 것을 배합하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제, 특히 이미다졸 화합물이나 유기 인 화합물을 마이크로 캡슐화하여 배합함으로써, 고온시의 안정성이 우수하고, 다량의 무기질 충전제를 배합하여도 반도체 장치를 고온화함으로써 저점도로 간극 침입시킬 수 있고, 특히 대형 다이 사이즈의 플립칩형 반도체 장치의 언더 충전재로서 유효한 봉지재를 얻을 수 있다.
이 경우, 마이크로 캡슐화에 있어서, 본 발명에서 사용하는 마이크로 캡슐은 (메트)아크릴계 단량체, 예를 들면 아크릴산에스테르, 이타콘산에스테르, 메타크릴산에스테르, 크로톤산에스테르 등의 탄소수 1 내지 8의 알킬에스테르나 이 알킬에스테르의 알킬기가 알릴기 등의 치환기를 갖는 것, 또한 스티렌, α-메틸스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아세트산비닐 등의 단관능성　단량체 및 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디비닐벤젠, 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 메틸렌비스(메트)아크릴아미드 등의 다관능 성 단량체의 폴리머를 껍질재로 하며, 이　폴리머　중에 촉매로서의 이미다졸 화합물 및（또는）유기　인화합물이 충전된 것이다.　　또한 상기　폴리머 중에서는 (메트)아크릴레이트계 단량체의 중합물이 바람직하다.
본 발명의 상기　이미다졸 화합물이나 유기　인화합물 등의 경화　촉매　(경화　촉진제)를 함유하는 마이크로 캡슐의 제조 방법으로서는 여러가지 방법을 들　수　있지만 생산성 및 구형도가 높은 마이크로 캡슐을 제조하기　위해서는 통상 현탁 중합법 및 유화 중합법　등으로 종래부터 공지된　방법으로 제조할 수 있다.
이 경우, 일반적으로 사용되고　있는 촉매의 분자 구조로부터 고농도　마이크로 캡슐　촉매를 얻기　위해서는, 경화　촉매　10 중량부에 대하여 사용하는 상기　단량체의 총량은 10　내지 200 중량부　정도이면　좋고, 바람직하게는 10　내지 100 중량부, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 중량부이다. 10 중량부 미만이면 잠재성을 충분히 부여하기가 곤란할 수 있고, 200 중량부를 초과하면 촉매의 비율이 낮아져 충분한 경화성을 얻기 위해서는 다량으로 사용해야만 되어 경제적으로 불리해지는 경우가 있다.
이러한 방법으로 얻어지는 마이크로 캡슐의 평균 입경으로서는 0.5 내지 15㎛이다. 바람직하게는 1 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 7 ㎛이다. 또한 최대 입경은 50 ㎛ 이하, 특히 20 ㎛ 이하의 것이 바람직하다. 평균 입경이 0.5 ㎛ 미만이면 입경이 지나치게 작고 (또는 비표면적이 지나치게 커져) 다량으로 마이크로 캡슐을 배합하면 점도가 높아지는데다가 경우에 따라서는 잠재성이 불충분해질 가능성이 있다. 또한, l5 ㎛을 초과하면 수지 성분으로의 분산이 불균일해지 고 신뢰성의 저하를 초래할 경우가 있고, 또한 입경이 지나치게 커서 성형시에 게이트 막힘 등을 야기시킬 경우가 있다.
또한, 상기 마이크로 캡슐로서는 하기 성능을 갖는 것을 사용한다. 즉, 경화 촉매를 함유하는 마이크로 캡슐 1 g을 저울에 재어 취하고, 이것을 o-크레졸 30 g에 혼합한 후, 30 ℃에서 방치하여, 용출하는 촉매를 가스 크로마토 그래프로 정량한 경우, 30 ℃에서 15 분동안 마이크로 캡슐로부터 용출하는 촉매량이 마이크로 캡슐 중에 포함되는 전체 촉매량의 70 중량% 이상인 것을 사용한다. 70 중량％ 미만이면 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 장치를 성형할 때, 175 ℃에서 1 분 이상의 성형 시간이 필요하게 되어 생산성이 저하되는 경우가 있다. 바람직하게는 용출량이 75 중량％ 이상이다.
이러한 경화 촉매 (경화 촉진제)의 배합량은, (B) 성분의 경화제를 배합하지않은 경우, 상기 (A) 성분의 액상 에폭시 수지 100 중량부, 또는 상기 (B) 성분의 경화제를 배합할 경우, 상기 (A) 성분의 액상 에폭시 수지와 (B) 성분의 경화제의 합계 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 5 중량부 정도가 바람직하다. 배합량이 10 중량부보다 많으면 경화성이 우수하지만, 보존 안정성이 저하되는 경향이 되는 경우가 있다. 또한 상기 마이크로 캡슐 촉매의 배합량은, (A) 액상 에폭시 수지와 (B) 경화제의 합계 100 중량부에 대하여 1 내지 15 중량부, 바람직하게는 2 내지 10 중량부인 것이 바람직하다.
(D) 성분의 무기질 충전제로서는 팽창 계수를 작게 하기 위하여 종래부터 알려져 있는 각종의 무기질 충전제를 사용할 수가 있다. 구체적으로는 무기질 충전 제로서는 용융 실리카, 결정 실리카, 알루미나, 보론나이트라이드, 질화알루미늄, 질화규소, 마그네시아, 마그네슘실리케이트 등이 사용된다. 그 중에서도 구형의 용융 실리카가 저점도화, 고침입성 때문에 바람직하다.
여기서, 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 포팅재로서 사용할 경우, 평균 입경이 2 내지 20 ㎛이고, 최대 입경이 75 ㎛ 이하, 특히 50 ㎛ 이하의 것이 바람직하다. 평균 입경이 2 ㎛ 미만이면 점도가 높아져 다량으로 충전할 수 없으며, 한편 25 ㎛을 초과하면 거친 입자가 많아져 리드선에 막혀 보이드가 될 우려가 있다. 충전량은 (A) 액상 에폭시 수지와 (임의 성분인) (B) 경화제의 합계량 100 중량부에 대하여, 또는 후술하는 가요성 부여제를 배합할 경우에는 (A) 성분, (임의 성분인) (B) 성분과 가요성 부여제의 합계량 100 중량부에 대하여 100 내지 600 중량부의 범위가 바람직하다. 100 중량부 미만이면, 팽창 계수가 커서 냉열 시험에 있어서 크랙의 발생을 유발시킬 우려가 있다. 600 중량부를 초과하면 점도가 높아져 유동성의 저하를 초래할 우려가 있다.
언더 충전부의 봉지재에는, 침입성의 향상과 저선 팽창화의 양립을 도모하기 위해서 플립칩 갭폭 (기판과 칩과의 간극)에 평균 입경이 약 1/10 이하, 최대 입경이 1/2 이하의 충전제를 (A) 액상 에폭시 수지와 (B) 경화제의 합계량 100 중량부에 대하여 100 내지 400 중량부, 바람직하게는 150 내지 250 중량부의 범위에서 배합하는 것이 바람직하다. 100 중량부 미만이면 팽창 계수가 커서, 냉열시험에 있어서 크랙의 발생을 유발시킬 우려가 있다. 400 중량부를 초과하면 점도가 높아지고, 박막 침입성의 저하를 초래할 우려가 있다. 이 무기질 충전제로서는 통상은 최대 입경이 50 ㎛ 이하, 바람직하게는 45 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 이하이고, 평균 입경이 10 ㎛ 이하, 통상 0.5 내지 10 ㎛, 바람직하게는 1 내지 5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 내지 3 ㎛ 정도의 것이 사용된다. 또한 이 최대 입경, 평균 입경은 예를 들면 레이저 광 회절법에 의한 입도 분포 측정에 의해 얻을 수 있고, 평균 입경은 예를 들면 중량 평균치 (또는 메디언 직경) 등으로서 구할 수 있다.
또한 본 발명에 있어서 무기질 충전제는 실란 커플링제, 티타네이트 커플링제 등의 커플링제로 미리 표면 처리하는 것이 저흡수성, 내충격성 및 내크랙성을 더욱 향상시킨다는 점에서 바람직하다.
커플링제로서는 γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란과 같은 에폭시 관능성기 함유 알콕시실란, N-β(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란과 같은 아미노 관능성기 함유 알콕시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란과 같은 머캅토 관능성기 함유 알콕시 실란 등의 실란 커플링제를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서 표면 처리에 사용하는 커플링제의 양 및 표면 처리 방법에 대해서는 특별히 제한되지 않는다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에는, (E) 성분으로서 아크릴산알킬 및(또는)메타크릴산알킬을 단량체 성분으로서 함유하는 중합체 또는 공중합체를 포함하고, 코어부의 유리 전이 온도 (Tg, 이하 Tg로 약기한다)가 -10 ℃ 이하, 쉘부의 유리 전이 온도가 80 내지 150 ℃이고, 평균 입경이 0.1 내지 1.O ㎛인 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자를 배합한다. 더욱 상세하게 말하면 이 아크릴계 미립자는 고무상 폴리머로 이루어지는 코어층의 외층부에 수지상의 쉘(외피)층을 갖는, 소위코어-쉘 구조를 갖는 복합 미립자로, 코어층 및 쉘층이 아크릴산알킬 및(또는) 메타크릴산알킬을 단량체 성분으로서 함유하는 중합체 또는 공중합체를 포함하는 것이다. 이 단량체 성분인 아크릴산알킬 또는 메타크릴산알킬의 알킬에스테르에 있어서 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 헵틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기 등의 통상 탄소수 1 내지 8, 바람직하게는 1 내지 4 정도의 저급 알킬기를 들 수 있다.
또한 코어층 또는 쉘층을 구성하는 공중합체에 있어서의 다른 임의 성분인 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산모노머, 메타크릴산모노머나 상기 아크릴산알킬 또는 메타크릴산알킬의 알킬에스테르에 있어서의 알킬기가 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록실기 등의 관능기로 치환된 치환 알킬기를 갖는 아크릴산알킬 또는 메타크릴산알킬 (예를 들면 글리시딜(메트)아크릴레이트, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트 등), 아크릴로니트릴이나 메타크릴로니트릴, 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향환 함유 올레핀 단량체나 부타디엔, 이소프렌 등의 고무 탄성체를 부여할 수 있는 디엔계 단량체 등을 들 수 있다. 구체적으로는 코어층이 적어도 부틸메타크릴레이트를 단량체 성분으로서 함유하는 고무상의 중합체 또는 공중합체이고, 쉘층이 적어도 메틸메타크릴레이트를 단량체 성분으로서 함유하는 수지상의 중합체 또는 공중합체, 또는 메틸메타크릴레이트와 카르복실기, 에폭시기, 히드록실기 등의 관능성기로 치환된 아크 릴산알킬 또는 메타크릴산알킬을 적어도 단량체 성분으로 함유하는 수지상의 공중합체인 코어쉘 구조의 아크릴계 미립자 등을 들 수 있다.
또한 이 아크릴계 미립자에 있어서, 이 코어층 및 쉘층의 아크릴계 폴리머는 수평균 분자량이 통상 100,000 내지 800,000, 특히 20,000 내지 600,000 정도인 것이 일반적이고, 또한 이 아크릴계 미립자는 코어부의 Tg가 -10 ℃ 이하, 쉘부의 Tg가 80 내지 150 ℃의 범위이고, 또한 유화 중합에 의해 조정되는 구형의 것이 바람직하다. 코어부의 Tg가 -10 ℃보다 높으면 아크릴 입자의 탄성율이 크고, 열충격에 견딜 수 없다. 쉘부의 Tg가 80 ℃ 미만이면 아크릴 입자가 부드러워져 용융 혼합시에 응집이 발생하여 균일하게 분산되지 않는다. 한편, 150 ℃보다 높으면 아크릴 입자가 단단해지고, 열 충격시에 충분한 효과를 얻을 수 없다. 또한 입자의 크기는 평균 입경 O.1 내지 1.O ㎛, 최대 입경 1O ㎛ 이하, 바람직하게는 평균 입경 0.3 내지 0.7 ㎛, 최대 입경 5 ㎛ 이하가 바람직하다. 평균 입경이 O.1 ㎛ 미만이면, 비표면적이 크고 점도가 상승하여, 작업성이 나빠지며 1.O ㎛보다 크면 충분한 해도(海島) 구조를 얻을 수 없으며, 열충격시에 충분한 특성이 나오지 않는다. 또한 이 아크릴계 미립자의 표면의 관능기는 카르복실기, 에폭시기 또는 히드록실기인 것이 바람직하다.
이러한 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자로서는 예를 들면 다케다 야꾸힝 교교사 제조의 스타퍼로이드 등을 들 수 있다.
(E) 성분의 첨가량은, (A) 액상 에폭시 수지와 (B) 경화제의 합계량 100 중량부 (경화제를 배합하지 않은 경우는 액상 에폭시 수지 100 중량부)에 대하여 0.5 내지 20 중량부, 바람직하게는 1.0 내지 10 중량부이다. 0.5 중량부 미만으로는 충분한 열충격성을 얻을 수 없고, 20 중량부를 초과하면 점도가 상승하여 작업성이 저하되기 때문이다.
(E) 성분의 첨가 방법으로서는, 미리 액상 에폭시 수지의 일부 또는 전부와 용융 혼합하는 것이 바람직하다. 이 경우, 용융 혼합 방법으로서는 액상 에폭시 수지와 아크릴계 미립자를 상기 배합량이 되도록 조정하고, 바람직하게는 80 내지 150 ℃의 온도 범위에서 용융 혼합하는 것이 바람직하다. 상기 범위 이외의 조건으로 혼합하면 에폭시 수지와 충분히 혼합할 수 없고, 응집이 발생하기 쉬워진다. 혼합 후의 상태로서는 1차 입자로 되어 있는 것이 바람직하고, 응집이 많으면 충분히 성능을 발휘할 수 없다.
혼합기로서는 종래부터 공지된 각종 혼합기, 혼련기 등을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
본 발명의 조성물에는 응력을 저하시키는 목적으로 실리콘 고무, 실리콘 오일이나 액상의 폴리부타디엔 고무, 메타크릴산메틸-부타디엔-스티렌 공중합체 등의 열가소성 수지 등의 가요성 부여제를 배합할 수 있다. 바람직하게는 알케닐기 함유 에폭시 수지 또는 페놀 수지 중의 알케닐기와, 하기 화학식 4로 표시되는 1분자 중의 규소 원자의 수가 20 내지 400, 바람직하게는 40 내지 200이고, SiH기 (즉, 규소 원자에 결합한 수소 원자)의 수가 1 내지 5개, 바람직하게는 2 내지 4개, 특히 2개인 오르가노하이드로젠폴리실록산 중의 SiH기와의 부가 반응에 의해 얻어지는 에폭시 수지 또는 페놀 수지와 오르가노폴리실록산과의 공중합체를 배합하는 것 이 좋다.
HaRbSiO(4-a-b)/2
상기 식에서, R은 치환 또는 비치환의 1가 탄화수소기이고, a는 0.002 내지 0.1, b는 1.8 내지 2.2로서, 1.81≤a+b≤2.3을 만족하는 양수를 나타낸다.
또한 R의 1가 탄화수소기로서는, 탄소수 1 내지 10, 특히 1 내지 8의 것이 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 데실기 등의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 크실릴기, 톨릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기 등이나, 이들 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 염소, 불소, 브롬 등의 할로겐 원자로 치환한 클로로메틸기, 브로모에틸기, 트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 1가 탄화수소기를 들 수 있다.
상기 공중합체로서는 그 중에서도 하기 구조의 것이 바람직하다.
Figure 112001029768748-pat00007
Figure 112001029768748-pat00008
상기 식에서, R은 상기와 동일하고, R11은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, R12는 -CH2CH2CH2-, -OCH2-CH(OH)-CH 2-O-CH2CH2CH2- 또는 -O-CH2CH2CH2 -이고, n은 8 내지 398, 바람직하게는 38 내지 198의 정수, p는 1 내지 10의 정수, q는 1 내지 10의 정수이다.
상기 공중합체는 디오르가노 폴리실록산 단위가 (A) 액상 에폭시 수지와 (B) 경화제의 합계 100 중량부 (경화제를 배합하지 않은 경우는 액상 에폭시 수지 100 중량부)에 대하여 0 내지 20 중량부, 특히 2 내지 15 중량부 포함되도록 배합함으로써 응력을 보다 한층 저하시킬 수 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물에는, 더욱 필요에 따라 접착 향상용 탄소 관능성 실란, 산화방지제, 왁스류, 카본블랙 등의 안료, 유기 염료 등의 착색제, 이온 트랩제, 계면활성제, 또한 브롬화 수지, 안티몬 등의 난연제, 그 밖의 첨가제 등을 본 발명의 목적을 손상시키지 않은 범위에서 배합할 수 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 예를 들면 에폭시 수지, 경화 촉진제, 무기질 충전제 및 필요에 따라 경화제, 가요성 부여제 등을 동시에 또는 별도로 필요에 의해 가열 처리를 가하면서 교반, 용융, 혼합, 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 이러한 혼합물의 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만 교반, 가열 장치를 구비한 라이카이기, 3축 롤, 볼밀, 플라네터리 믹서 등을 사용할 수 있다. 이들 장치를 적절하게 조합하여 사용할 수도 있다. 이 경우, 아크릴계 미립자는 상기한 것과 같이, 바람직하게는 에폭시 수지의 일부 또는 전부와 미리 용융 혼합하여 배합한다.
또한 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물의 점도는 25 ℃에서 10,000 포이즈 이하인 것이 바람직하다.
또한 이 조성물을 사용하여 반도체를 봉지할 경우의 성형 방법, 성형 조건은 통상법으로 할 수 있지만, 바람직하게는 최초에 100 내지 120 ℃에서 0.5 시간 이상 열 오븐 경화하고, 그 후 150 ℃에서 0.5 시간 이상 열 오븐 경화를 행한다. 최초의 경화 조건이 상기 온도, 시간 미만이면 경화 후에 보이드가 발생할 우려가 있고, 또한 그 후 큐어 조건이 상기 온도, 시간 미만이면 충분한 경화물 특성이 얻어지지 않은 경우가 있다.
여기서, 본 발명의 조성물로 봉지되는 반도체 장치로서는, 플립칩형 반도체 장치 등을 들 수 있다. 플립칩형 반도체 장치는 도 1에 나타낸 것과 같이 유기 기판 (1)의 배선 패턴면에 여러개의 범프 (2)를 통해 반도체 칩 (3)이 탑재되어 있는 것으로, 상기 유기 기판 (1)과 반도체 칩 (3) 사이의 간극 (범프 (2) 사이의 간극)에 충전재 (4)가 충전되어 그 측부가 필렛재 (5)로 봉지될 수 있고, 본 발명의 조성물은 특히 언더 충전재로서 적합하다. 또한 본 발명의 조성물을 언더 충전재의 형성에 사용할 경우, 그 경화물의 유리 전이 온도 이하에서의 팽창 계수가 20 내지 40 ppm/℃인 것이 바람직하다. 이 경우, 필렛재용의 봉지재는 공지된 것이면 좋고, 특히 상술한 것과 마찬가지의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있지만 이 경우는 그 경화물의 유리 전이 온도 이하에서의 팽창 계수가 10 내지 20 ppm/℃인 것이 바람직하다.
이하, 실시예와 비교예를 나타내고 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것이 아니다.
<실시예, 비교예>
표 1에 나타내는 성분을 3축 롤로 균일하게 혼련함으로써 9종의 에폭시 수지조성물을 얻었다. 이러한 에폭시 수지 조성물을 사용하여 하기의 시험을 수행하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
[점도]
BH형 회전 점도계를 사용하여 4 rpm의 회전수로 25 ℃에서의 점도를 측정하였다.
[겔화 시간]
조성물의 겔화 시간을 150 ℃의 열판상에서 측정하였다.
[Tg]: 유리 전이 온도
5 mm×5 mm×15 mm의 경화물 샘플을 사용하여 TMA (열기계 분석 장치)에 의해 5 ℃/분의 속도로 승온시켰을 때의 값을 측정하였다.
[CTE-1]: Tg 이하에서의 팽창 계수
[CTE-2]: Tg 이상에서의 팽창 계수
상기 유리 전이 온도의 측정에 있어서, CTE-1은 50 내지 80 ℃의 온도 범위, CTE-2는 200 내지 230 ℃의 온도 범위에서의 값을 구하였다.
[PCT 박리 테스트]
폴리이미드 코트한 10 mm×10 mm의 실리콘 칩을 30 mm×30 mm의 FR-4 기판에 약 100 ㎛의 스페이서를 사용하여 적층하고, 생긴 간극에 에폭시 수지 조성물을 침입시켜, 경화시킨 후, PCT (121 ℃, 2.1 atm)의 환경하에 두고, 168 시간 후의 박리를 C-SAM으로 확인하였다.
[열충격 테스트]
폴리이미드 코트한 10 mm×10 mm의 실리콘 칩을 30 mm×30 mm의 FR-4 기판에 약 100 ㎛의 스페이서를 사용하여 적층하고, 생긴 간극에 에폭시 수지 조성물을 침 입시켜, 경화시킨 후, -65 ℃/30 분, 150 ℃/30 분을 1 사이클로 하고, 250, 500, 750 사이클후의 박리, 크랙을 확인하였다.
Figure 112006076638853-pat00013
성분:
RE 410: 비스페놀 A형 에폭시 수지 (니혼 가야꾸 제조)
MH 700: 메틸테트라히드로 무수 프탈산 (신니혼 리까 제조)
SE8FC: 최대 입경이 25 ㎛ 이하이고, 평균 입경이 8 ㎛의 구형 실리카 (도쿠야마 소다 제조)
KBM 403: γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란 (신에쓰 가가꾸 고교 제조)
2P4 MHZ-PW: 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 (시꼬꾸 가세이 제조), 평균 입경 3.8 ㎛, 최대 입경 15 ㎛
2E4MZ: 2-에틸-4-메틸이미다졸 (시꼬꾸 가세이 제조)
2E4MZ의 마이크로 캡슐 촉매: 2E4MZ를 20 중량％ 함유한 메타크릴산메틸의 중합체로서, 평균 입경은 7 ㎛이고, o-크레졸 중에서 30 ℃, 15 분간의 처리로 마이크로 캡슐로부터 용출하는 촉매의 양은 87 중량％임.
공중합체:
Figure 112001029768748-pat00010
와
Figure 112001029768748-pat00011
와의 부가 반응 생성물
AC 3832: 아크릴산알킬과 메타크릴산알킬의 공중합체를 포함하는 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자로서, 코어부의 Tg는 -20 ℃ 이하, 카르복실기 함유 쉘부의 Tg는 120 ℃이고, 평균 입경은 0.5 ㎛임 (다케다 야꾸힝 고교사 제조).
AC 3355: 아크릴산알킬과 메타크릴산알킬의 공중합체를 포함하는 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자로서, 코어부의 Tg는 -20 ℃ 이하, 무관능성 쉘부의 Tg는 120 ℃이고, 평균 입경은 0.5 ㎛임 (다케다 야꾸힝 고교사 제조).
시료 A: 아크릴산알킬과 메타크릴산알킬의 공중합체를 포함하는 코어-쉘 구 조의 아크릴계 미립자로서, 코어부의 Tg는 -20 ℃ 이하, 쉘부의 Tg는 120 ℃이고, 평균 입경은 3 ㎛임.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은, 실리콘 칩의 표면과의, 특히 감광성 폴리이미드 수지나 질화막과의 밀착성이 우수하고, 특히 대형 다이 사이즈의 반도체 장치의 봉지재로서 유효하고, 이 에폭시 수지 조성물을 사용하여 봉지한 반도체 장치는 매우 신뢰성이 높다.

Claims (17)

  1. (A) 액상 에폭시 수지,
    (C) 경화 촉진제,
    (D) 무기질 충전제, 및
    (E) 아크릴산알킬, 메타크릴산알킬, 또는 둘 모두를 단량체 성분으로서 함유하는 중합체 또는 공중합체를 포함하고, 코어부의 유리 전이 온도가 -1O ℃ 이하, 쉘부의 유리 전이 온도가 80 내지 150 ℃이고, 평균 입경이 0.1 내지 1.O ㎛인 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자를,
    상기 (A) 성분 100 중량부에 대하여 상기 (E) 성분이 0.5 내지 20 중량부가 되도록 함유하는 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물.
  2. (A) 액상 에폭시 수지,
    (B) 경화제,
    (C) 경화 촉진제,
    (D) 무기질 충전제, 및
    (E) 아크릴산알킬, 메타크릴산알킬, 또는 둘 모두를 단량체 성분으로서 함유하는 중합체 또는 공중합체를 포함하고, 코어부의 유리 전이 온도가 -1O ℃ 이하, 쉘부의 유리 전이 온도가 80 내지 150 ℃이고, 평균 입경이 0.1 내지 1.O ㎛인 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자를,
    상기 (A) 성분과 (B) 성분의 총량 100 중량부에 대하여 상기 (E) 성분이 0.5 내지 20 중량부가 되도록 함유하는 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (E) 성분이 미리 액상 에폭시 수지에 균일하게 분산시킴으로써 배합된 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (E) 성분의 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자 표면의 관능기가 카르복실기, 에폭시기 또는 히드록실기인 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 상기 (E) 성분의 코어-쉘 구조의 아크릴계 미립자 표면의 관능기가 카르복실기, 에폭시기 또는 히드록실기인 조성물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, (C) 성분의 경화 촉진제가 이미다졸 화합물, 유기 인화합물, 또는 이들의 혼합물인 조성물.
  7. 제3항에 있어서, (C) 성분의 경화 촉진제가 이미다졸 화합물, 유기 인화합물, 또는 이들의 혼합물인 조성물.
  8. 제4항에 있어서, (C) 성분의 경화 촉진제가 이미다졸 화합물, 유기 인화합물, 또는 이들의 혼합물인 조성물.
  9. 제6항에 있어서, (C) 성분의 경화 촉진제가 이미다졸 화합물, 유기 인화합물, 또는 이들의 혼합물을 함유한 마이크로 캡슐 촉매로서, 평균 입경이 0.5 내지 15 ㎛이고, 또한 30 ℃에서 15 분동안 o-크레졸 중에서 마이크로 캡슐로부터 용출되는 촉매량이 마이크로 캡슐 중에 포함되는 전체 촉매량의 70 중량％ 이상인 조성물.
  10. 제6항에 있어서, 상기 이미다졸 화합물이 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1,2-디에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1)']-에틸-S-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1)']-에틸-S-트리아진, 2,4-디아미노-6- [2'-운데실이미다졸릴]-에틸-S-트리아진, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-아릴-4,5-디페닐이미다졸인 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 이미다졸 화합물이 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸인 조성물.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플립칩(flip-chip)형 반도체 장치 봉지용인 액 상 에폭시 수지 조성물.
  13. 제3항에 있어서, 플립칩형 반도체 장치 봉지용인 액상 에폭시 수지 조성물.
  14. 제4항에 있어서, 플립칩형 반도체 장치 봉지용인 액상 에폭시 수지 조성물.
  15. 제6항에 있어서, 플립칩형 반도체 장치 봉지용인 액상 에폭시 수지 조성물.
  16. 제1항 또는 제2항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지된 반도체 장치.
  17. 제16항에 있어서, 플립칩형인 반도체 장치.
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