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JP3871032B2 - 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 - Google Patents

液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体封止用として好適で、シリコンチップの素子表面(特に感光性ポリイミド、窒化膜)との密着性が非常に良好であり、耐湿性の高い硬化物を与え、かつ熱衝撃に対して優れた半導体装置のノンフローアンダーフィル材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこのノンフローアンダーフィル材の硬化物にて封止されたフリップチップ型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
電子材料分野において半導体デバイスが高集積化、高性能化、軽量化していく中で、フリップチップ接続方式を採用した半導体装置が広く用いられるようになってきている。フリップチップ方式による接続方法は、シリコンチップの素子面と有機基板の間に共晶半田等を用いて接続したのち、毛細管現象を利用してアンダーフィル材料をシリコンチップと基板の狭部に侵入させて硬化させることでシリコンチップの固定化と信頼性の確保を行うものである。このためアンダーフィル材料に対する要求も応力特性、耐湿特性などを中心に要求が高度化している。特にフリップチップ接続においては、シリコンチップの膨張係数は3ppm/℃、有機基板などは17ppm/℃と膨張係数の差が大きいことから、非常に大きな剪断応力が半田バンプ部に発生する。これはシリコンチップと基板の間にアンダーフィル材料を注入硬化させることにより、半田接合部位における応力を低くすることが可能となる。また、耐湿信頼性や機械的な面からもアンダーフィル材料が有効であると期待されている。
【0003】
しかしながら、半導体素子の高集積化に伴い、ダイサイズの一辺が10mm、20mmを超えるものもあり、ダイサイズの大型化が進んできている。このような大型ダイを用いたフリップチップ型半導体装置では、毛細管現象を利用しても十分な薄膜侵入特性が得られず、途中で止まり、未充填などがおきてしまうといった問題がおきている。また、薄膜侵入特性を得るために充填材料を減少させる処方が取られているが、膨張係数が小さくなるため、半田リフロー時にダイと封止材にかかる応力が増大し、封止材とダイ及び基板の界面で剥離が生じたり、パッケージや封止材にクラックが入るといった問題がクローズアップされてきている。
【0004】
更に、毛細管現象を利用したアンダーフィル材(以下、フローアンダーフィル材と呼ぶ)は、薄膜侵入工程に工数がかかり、コストアップの原因ともなっている。そこで、特許第2589239号では、半導体素子を基板に接続する際に予めフラックスを混合したアンダーフィル材を滴下、その後、半田接続と同時にアンダーフィル材を硬化させる処方が提案されている。このアセンブリ方法は、薄膜侵入工程を省き、大幅なコストダウンに有効である。
【0005】
しかしながら、このようなフラックスを混合したアンダーフィル材(以下、ノンフローアンダーフィル材と呼ぶ)は、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性も不十分かつ半田リフロー時にクラックが発生したり、温度サイクルで剥離、クラックが発生するために、信頼性の向上が強く半導体業界より要求されている。このような現在のノンフローアンダーフィル材としては、主剤に液状エポキシ樹脂、硬化剤として無水フタル酸系の酸無水物やアミン硬化剤が広く用いられている。しかし、無水フタル酸系の酸無水物は吸湿しやすいため、硬化前では吸湿による粘度上昇により侵入性がばらついたり途中でとまってしまう現象が見られ、また、従来の酸無水物の未硬化物は容易に水を取り込み、硬化後も加水分解が促進され、吸湿により体積膨張が起こり、フリップチップ型半導体装置などでは半田バンプとリード界面の抵抗値を増大させてしまうというような信頼性の問題が生じている。更に添加しているフラックス材、及びフラックスの主成分では、半田接続性は良好にもかかわらず、接続硬化時に多量のボイドが発生したり、硬化性が劣ったり、基材に対する密着性が低下するものが殆どであり、信頼性を満足できる半導体装置を得るには至っていないのが現状である。
【0006】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿半田リフロー後においてもクラック、剥離がなく、その処理後にPCT(120℃/2.1atm)などの高温多湿の条件下でも劣化せず、−65℃/150℃の温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置のノンフローアンダーフィル材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこのノンフローアンダーフィル材の硬化物で封止されたフリップチップ型半導体装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、(a)液状エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤及び(d)アビエチン酸及びその誘導体から選ばれる1種又は2種以上の添加剤を必須成分とし、上記(d)成分の添加剤を、(a),(b)成分の合計100重量部に対して0.5〜5重量部配合して得られた液状エポキシ樹脂組成物が、半導体素子を基板に接続する際に、半田接続と同時にこの組成物を硬化させても、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れ、PCT(120℃/2.1atm)などの高温多湿の条件下でも劣化せず、熱衝撃に対して優れており、特に大型ダイサイズの半導体装置の封止材として有効であることを知見した。
【0008】
即ち、アビエチン酸及びその誘導体は、アンダーフィル材の本来潜在する特性を劣化させず、かつ半田接続と同時に硬化ができ、侵入工程を削減できる。そして、この組成物の硬化物で封止されたフリップチップ型半導体装置は、耐熱衝撃性に著しく優れ、高温多湿下でも優れた特性を得ることが可能となり、特に大型ダイサイズの半導体装置のアンダーフィル材として有効であることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【0009】
従って、本発明は、
(a)液状エポキシ樹脂
(b)3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロぺニル)−1,2,3,6−テトラハイドロフタル酸及び1−イソプロピル−4−メチル−バイサクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸の混合物と、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸又はヘキサヒドロ無水フタル酸とを併用してなり、前記混合物を硬化剤全体の5〜75重量%含有する硬化剤
(c)硬化促進剤
(d)下記式
【化9】
Figure 0003871032
で表されるアビエチン
を必須成分とし、上記(d)成分を(a),(b)成分の合計100重量部に対して0.5〜5重量部含有することを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【0010】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の半導体封止材(液状エポキシ樹脂組成物)において、(a)液状エポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基があればいかなるものでも使用可能であるが、特に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂などが例示される。これらの中でも室温で液状のエポキシ樹脂が望ましい。これらのエポキシ樹脂には、下記構造で示されるエポキシ樹脂を浸入性に影響を及ぼさない範囲で添加しても何ら問題はない。
【0011】
【化2】
Figure 0003871032
【0012】
上記液状エポキシ樹脂中の全塩素含有量は、1500ppm以下、望ましくは1000ppm以下であることが好ましい。また、100℃で50%エポキシ樹脂濃度における20時間での抽出水塩素が10ppm以下であることが好ましい。全塩素含有量が1500ppmを超え、又は抽出水塩素が10ppmを超えると半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を与えるおそれがある。
【0013】
本発明に使用する(b)硬化剤は、特に限定されるものではないが、酸無水物硬化剤が信頼性を向上させるために有効である。酸無水物硬化剤としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ピロメリット酸二無水物、マレイン化アロオシメン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラビスベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロぺニル)−1,2,3,6−テトラハイドロフタル酸及び1−イソプロピル−4−メチル−バイサクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸の混合物などが挙げられる。
【0014】
本発明においては、特に、3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロぺニル)−1,2,3,6−テトラハイドロフタル酸及び1−イソプロピル−4−メチル−バイサクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸の混合物を使用することが好ましい。なお、3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロぺニル)−1,2,3,6−テトラハイドロフタル酸と、1−イソプロピル−4−メチル−バイサクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸の混合比としては、前者が20〜60重量%、後者が80〜40重量%(合計で100重量%)であることが望ましい。
このような硬化剤としては、例えば、油化シェルエポキシ社製のYH306、YH307等が挙げられる。
【0015】
上記混合物の硬化剤中の配合割合としては、硬化剤全体の5〜75重量%、特に15〜65重量%とすることが望ましい。5重量%未満では密着性が低下し、PCTなどの高温多湿下において劣化する場合がある。75重量%を超える量では密着性は向上するが、熱衝撃試験などの試験においてクラックが発生する場合がある。
【0016】
本発明において、上記以外の硬化剤としては、特に制限されず、硬化性エポキシ樹脂組成物に用いられる硬化剤全般を使用することができる。この硬化剤として具体的には、上述した酸無水物全般、ジシアンジアミド、アジピン酸ヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジドなどのカルボン酸ヒドラジドなどが挙げられる。これらの中では、特にメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましく、従って、上記3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロぺニル)−1,2,3,6−テトラハイドロフタル酸及び1−イソプロピル−4−メチル−バイサクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸の混合物は、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸又はヘキサヒドロ無水フタル酸と併用することが好ましい。
【0017】
なお、本発明に用いられる硬化剤の総配合量は、エポキシ樹脂を硬化させる有効量であり、その種類によって相違するが、上述した酸無水物を用いる場合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対して硬化剤中の酸無水物基(−CO−O−CO−)から誘導されるカルボン酸基のモル比を0.5〜1.5の範囲にすることが好適である。0.5未満では硬化性が不十分であり、1.5を超えると未反応の酸無水物が残存し、ガラス転移温度の低下となるおそれがある。より好ましくは0.8〜1.2の範囲にすることが好適である。あるいは、上記と同様の理由により、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対して酸無水物中の酸無水物基のモル比が好ましくは0.3〜0.7、より好ましくは0.4〜0.6の範囲となるように配合してもよい。
【0018】
本発明において、上記エポキシ樹脂の硬化促進剤(反応促進剤)(c)としては、イミダゾール化合物や有機リン化合物等、特にイミダゾール化合物又は有機リン化合物等を含有したマイクロカプセル触媒であって、平均粒径が0.5〜10μmであり、かつo−クレゾール中におけるマイクロカプセルからの触媒の溶出量が30℃、15分でマイクロカプセル中に含まれる全触媒量の70重量%以上であるマイクロカプセル触媒を用いることが好ましい。
【0019】
ここで、イミダゾール化合物としては、下記一般式(1)で示されるものを使用することができる。
【化3】
Figure 0003871032
(R5、R6は−H、−CH3、−C25、−CH2OH又は−C65であり、R7は−CH3、−C25、−C65、又はアリル基であり、R8は−H、−CH3、−C25、及び下記式(2)
【化4】
Figure 0003871032
で表される基から選ばれる基である。)
【0020】
イミダゾール化合物として、具体的には、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1,2−ジエチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1)’]−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1)’]−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル]−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1)’]−エチル−S−トリアジンイソシアヌール酸化付加物、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−アリール−4,5−ジフェニルイミダゾールなどが挙げられる。これらの中でも2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1,2−ジエチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール及び2−フェニルイミダゾールが好ましい。
【0021】
有機リン系化合物としては、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルホスフィン、トリ(p−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノホスフィンとトリオルガノボランとの塩、テトラフェニルフォスホニウム・テトラフェニルボレート等のテトラオルガノホスホニウムとテトラオルガノボレートとの塩などが挙げられる。これらの中でも下記一般式(3)、(4)及び(5)で示されるものが好ましく、特に下記一般式(4)及び(5)で示されるものが好ましい。
【0022】
【化5】
Figure 0003871032
1234PSCN (4)
1234P:BR1234 (5)
(但し、R9は、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基であり、R1、R2、R3、R4は、炭素数1〜20の有機基である。)
【0023】
ここで、式中のR9としては、好ましくは水素原子又はメチル基である。R1、R2、R3、R4の炭素数1〜20、特に1〜6の有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、メトキシ基、エトキシエチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基等のアルケニル基、フェニル基等のアリール基、アセチル基、プロピオニル基等や、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基などが例示される。
【0024】
本発明で使用するマイクロカプセルは、(メタ)アクリル系単量体、例えばアクリル酸エステル、イタコン酸エステル、クロトン酸エステル等の炭素数1〜8のアルキルエステルやこのアルキルエステルのアルキル基がアリル基等の置換基を有するもの、また、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、酢酸ビニル等の単官能性単量体及びエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、メチレンビス(メタ)アクリルアミド等の多官能単量体のポリマー中に硬化触媒が閉じ込められたものである。なお、上記ポリマーの中では、(メタ)アクリレート系単量体の重合物が好ましい。
【0025】
本発明の上記イミダゾール化合物又は有機リン化合物等の硬化触媒を含有するマイクロカプセルの製造方法としては様々な方法が挙げられるが、生産性及び球状度が高いマイクロカプセルを製造するためには、通常懸濁重合法及び乳化重合法などの従来から公知の方法で製造することができる。
【0026】
この場合、一般的に使用されている触媒の分子構造から高濃度マイクロカプセル触媒を得るためには、硬化触媒10重量部に対して使用する上記単量体の総量は10〜200重量部程度が好ましく、より好ましくは10〜100重量部、更に好ましくは20〜50重量部である。10重量部未満では潜在性を十分に寄与することが困難となることがあり、200重量部を超えると、触媒の比率が低くなり、十分な硬化性を得るためには多量に使用しなければならなくなるため、経済的に不利となる場合がある。
【0027】
このような方法で得られるマイクロカプセルとしては、平均粒径が0.5〜10μm、最大粒径が50μm以下のものを使用することが好ましい。より好ましくは平均粒径が2〜5μm、かつ最大粒径が20μm以下のものが好ましい。硬化促進剤の粒径が小さすぎると、比表面積が大きくなり、混合した時の粘度が高くなるおそれがある。平均粒径が10μmを超えると、樹脂への分散が不均一になり、信頼性の低下を引き起こすおそれがある。
【0028】
また、上記マイクロカプセルとしては、下記性能を有するものを使用することが好ましい。即ち、硬化触媒を含有するマイクロカプセルを1g秤量し、これをo−クレゾール30gに混合した後、30℃で放置し、溶出する触媒をガスクロマトグラフィーで定量した場合、マイクロカプセルから溶出する触媒が30℃、15分でマイクロカプセル中に含まれる全触媒量の70重量%以上であるものを用いる。70重量%未満では、硬化時間が長くかかるおそれがあり、生産性が低下する場合がある。望ましくは、溶出量が75重量%以上である。
【0029】
上記本発明のマイクロカプセル型硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂100重量部に対して0.5〜10重量部、特に1〜7重量部であることが好ましい。0.5重量部未満では硬化性が低下するおそれがあり、10重量部を超える量では硬化性に優れるが、半田接続時に半田が溶融接続する前にアンダーフィル材が硬化し、上手く半田接続がいかなかったり、保存性が低下するおそれがある。
【0030】
また、硬化促進剤として、マイクロカプセル化しない上述の触媒を上記マイクロカプセル触媒と併用添加してもよい。その場合の配合量は、マイクロカプセル触媒としていない触媒の合計がエポキシ樹脂100重量部に対して0.1〜10重量部、望ましくは0.3〜7重量部であることが好ましい。0.1重量部未満では硬化性が低下するおそれがあり、10重量部を超える量では硬化性に優れるが半田接続時に半田が溶融接続する前にアンダーフィル材が硬化し、上手く半田接続がいかなかったり、保存性が低下するおそれがある。
【0031】
更に、マイクロカプセル化しない上述の触媒を単独で使用してもよい。その場合の配合量は、エポキシ樹脂100重量部に対して0.1〜7重量部、望ましくは0.3〜5重量部である。0.1重量部未満では硬化性が低下するおそれがあり、7重量部を超える量では硬化性に優れるが、半田接続時に半田が溶融接続する前にアンダーフィル材が硬化し、上手く半田接続がいかなかったり、保存性が低下するおそれがある。
【0032】
本発明の特徴的成分である(d)半田接続用のフラックスは、アビエチン酸ある。アビエチン酸、下記に示すものである。
【化6】
Figure 0003871032
【0033】
上記で示される添加剤の添加量は、樹脂成分[(a),(b)成分]の合計100重量部に対して0.5〜5重量部であり、好ましくは1〜3重量部である。0.5重量部未満であると、硬化物特性は問題ないが、半田接続に必要な酸化膜を除去できず、十分なフラックス効果が得られない。一方、5重量部を超える量になると半田接続性は問題ないが、硬化物特性、特に硬化性、密着性が低下する。
【0034】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物において、上記添加剤の混合方法は、特に限定されるものではないが、エポキシ樹脂、あるいは硬化剤と予め溶融混合し、均一に分散させることが望ましい。
【0035】
一方、膨張係数を下げるため、無機質充填剤を半田接続の妨げにならない程度用いてもよい。無機質充填剤としては、従来より知られている各種の無機質充填剤を添加することができる。具体的に無機質充填剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアルミ、チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート、アルミニウムなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリカが低粘度化のため望ましい。
上記無機質充填剤の粒径の大きさとしては、フリップチップギャップ幅(基板と半導体チップとの隙間)に対して平均粒径が約1/10以下、最大粒径が1/2以下のものが好ましい。
【0036】
無機質充填剤の配合量としては、エポキシ樹脂100重量部に対して50〜400重量部で配合することが好ましく、望ましくは100〜250重量部の範囲で配合することが好ましい。50重量部未満では、膨張係数が大きく、冷熱試験においてクラックの発生を誘発させるおそれがある。400重量部を超えると、粘度が高くなったり、半田接続時に半田と基板の間に入り、抵抗値の増大による導電性の低下をもたらすおそれがある。
【0037】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、応力を低下させる目的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹脂などを配合してもよい。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と下記平均組成式(6)で示される1分子中の珪素原子の数が20〜400であり、SiH基の数が1〜5であるオルガノポリシロキサンのSiH基との付加反応により得られる共重合体を配合することが好ましい。
abSiO(4-a-b)/2 (6)
(但し、式中Rは置換又は非置換の一価の炭化水素基、aは0.01〜0.1、bは1.8〜2.2、1.81≦a+b≦2.3である。)
【0038】
なお、Rの一価炭化水素基としては、炭素数1〜10、特に1〜8のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基を挙げることができる。
【0039】
上記共重合体としては、中でも下記構造のものが望ましい。
【化7】
Figure 0003871032
【0040】
上記式中、Rは上記と同じであり、R10は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基であり、R11は−CH2CH2CH2−、−OCH2−CH(OH)−CH2−O−CH2CH2CH2−又は−O−CH2CH2CH2−である。nは4〜199、好ましくは19〜99の整数、pは1〜10の整数、qは1〜10の整数である。
【0041】
上記共重合体をジオルガノポリシロキサン単位がエポキシ樹脂100重量部に対して0〜20重量部、特には2〜15重量部含まれるように配合することで応力をより一層低下させることができる。
【0042】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じ、接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラックなどの顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど)、その他の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で配合することができる。
【0043】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)添加剤及びその他の成分を同時に又は別々に、必要により加熱処理を加えながら撹拌、溶解、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、3本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。またこれら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
【0044】
なお、本発明において、封止材として用いる液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、25℃において10,000ポイズ以下、特に100〜8,000ポイズのものが好ましい。また、この組成物の成形方法、成形条件は、常法とすることができるが、好ましくは、先に100〜120℃、0.5時間以上、その後150℃、0.5時間以上の条件で熱オーブンキュアを行う。100〜120℃での加熱が0.5時間未満では、硬化後にボイドが発生する場合がある。150℃での加熱が0.5時間未満では、十分な硬化物特性が得られない場合がある。
【0045】
ここで、本発明に用いるフリップチップ型半導体装置としては、例えば図1に示したように、通常有機基板1の配線パターン面に複数個のバンプ2を介して半導体チップ3が搭載されているものであり、上記有機基板1と半導体チップ3との隙間(バンプ2間の隙間)にアンダーフィル材4が充填され、その側部がフィレット材5で封止されたものとすることができる。
【0046】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【0047】
[実施例1,2、比較例1〜5]
表1で示す成分を3本ロールで均一に混練することにより、7種の樹脂組成物を得た。これらの樹脂組成物を用いて、以下に示す試験を行った。その結果を表1に示す。
【0048】
[粘度]
BH型回転粘度計を用いて4rpmの回転数で25℃における粘度を測定した。
[ゲル化時間]
組成物のゲル化時間を150℃の熱板上で測定した。
[Tg(ガラス転移温度)、CTE1(膨張係数)、CTE2(膨張係数)]
5mm×5mm×15mmの硬化物試験片を用いて、TMA(熱機械分析装置)により毎分5℃の速さで昇温した時のTgを測定した。また、以下の温度範囲の膨張係数を測定した。
CTE1の温度範囲は50〜80℃、CTE2の温度範囲は200〜230℃である。
[導電テスト]
直径200μmの半田ボールが数個接続された10mm×10mmの銅板を、アンダーフィル材を100μm厚で被膜した銅板上にのせ、最大温度200℃に設定したIRリフローで処理した後、銅板と銅板が導電通しているかを確認した。
[接着力テスト]
感光性ポリイミドをコートしたシリコンチップ上に上面の直径2mm、下面の直径5mm、高さ3mmの円錐台形状の試験片を載せ、150℃で3時間硬化させた。硬化後、得られた試験片の剪断接着力を測定し、初期値とした。更に、硬化させた試験片をPCT(121℃/2.1atm)で168時間吸湿させた後、接着力を測定した。いずれの場合も試験片の個数は5個で行い、その平均値を接着力として表記した。
[PCT剥離テスト]
フリップチップボンダーを用いてポリイミドコートした10mm×10mmのシリコンチップ(半田ボール設置済み)を30mm×30mmのBT基板上に滴下したノンフローアンダーフィル材の上に接続し、IRリフロー最高温度240℃で半田ボール接続とノンフローアンダーフィル材を硬化させ、更に150℃で3時間硬化させてテストサンプルを作製した。このテストサンプルをPCT(121℃、2.1atm)の環境下に置き、168時間後の剥離をC−SAM(SONIX社製)で確認した。
[熱衝撃テスト]
フリップチップボンダーを用いてポリイミドコートした10mm×10mmのシリコンチップ(半田ボール設置済み)を30mm×30mmのBT基板上に滴下したノンフローアンダーフィル材の上に接続し、IRリフロー最高温度240℃で半田ボール接続とノンフローアンダーフィル材を硬化させ、更に150℃で3時間硬化させてテストサンプルを作製した。このテストサンプルを、−65℃/30分、150℃/30分を1サイクルとし、250,500,750サイクル後の剥離、クラックを確認した。
【0049】
【表1】
Figure 0003871032
【0050】
成分:
RE303S−L:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(日本化薬製)
MH700:メチルテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化製)
YH307:3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロぺニル)−1,2,3,6−テトラハイドロフタル酸及び1−イソプロピル−4−メチル−バイサクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸の混合物(混合比率=6:4)(油化シェルエポキシ製)
SE8FC:最大粒径24μm以下、平均粒径6μmの球状シリカ(徳山ソーダ製)
キュアゾールC11Z−PW:2−ウンデシルイミダゾール(四国化成製)
2E4MZのマイクロカプセル:2E4MZ(2−エチル−4−メチルイミダゾール、四国化成製)を20重量%含有したメタクリル酸メチルの重合体,平均粒径が7μm,o−クレゾール中で30℃、15分間の処理でマイクロカプセルから溶出する触媒の量は87重量%
【0051】
共重合体:
【化8】
Figure 0003871032
【0052】
【発明の効果】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、半導体素子を基板に接続する際に、半田接続と同時に硬化させても、ボイドの発生がなく、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れ、PCT(120℃/2.1atm)などの高温多湿の条件下でも劣化せず、熱衝撃に対して優れており、特に大型ダイサイズの半導体装置の封止材として有効であり、この封止材を用いた半導体装置は非常に信頼性の高いものである。
【0053】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の封止材を用いたフリップチップ型半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 有機基板
2 バンプ
3 半導体チップ
4 アンダーフィル材
5 フィレット材

Claims (7)

  1. (a)液状エポキシ樹脂
    (b)3,4−ジメチル−6−(2−メチル−1−プロぺニル)−1,2,3,6−テトラハイドロフタル酸及び1−イソプロピル−4−メチル−バイサクロ[2.2.2]オクト−5−エン−2,3−ジカルボン酸の混合物と、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸又はヘキサヒドロ無水フタル酸とを併用してなり、前記混合物を硬化剤全体の5〜75重量%含有する硬化剤
    (c)硬化促進剤
    (d)下記式
    Figure 0003871032
    で表されるアビエチン
    を必須成分とし、上記(d)成分を(a),(b)成分の合計100重量部に対して0.5〜5重量部含有することを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。
  2. 上記硬化促進剤が、イミダゾール化合物又は有機リン化合物である請求項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  3. 上記イミダゾール化合物が、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1,2−ジエチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール又は2−フェニルイミダゾールである請求項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  4. 上記有機リン化合物が、下記式(4)又は(5)
    1234PSCN (4)
    1234P:BR1234 (5)
    (但し、R1、R2、R3、R4は、炭素数1〜20の有機基である。)
    で表されるものである請求項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  5. 更に、無機質充填剤を含有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  6. 更に、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と下記平均組成式(6)
    abSiO(4-a-b)/2 (6)
    (但し、式中Rは置換又は非置換の一価の炭化水素基、aは0.01〜0.1、bは1.8〜2.2、1.81≦a+b≦2.3である。)
    で示される1分子中の珪素原子の数が20〜400であり、SiH基の数が1〜5であるオルガノポリシロキサンのSiH基との付加反応により得られる共重合体を含有する請求項1乃至5のいずれか1項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  7. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の液状エポキシ樹脂組成物で半田接続と同時に封止、熱硬化されたフリップチップ型半導体装置。
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