JPS6418760U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6418760U JPS6418760U JP11428087U JP11428087U JPS6418760U JP S6418760 U JPS6418760 U JP S6418760U JP 11428087 U JP11428087 U JP 11428087U JP 11428087 U JP11428087 U JP 11428087U JP S6418760 U JPS6418760 U JP S6418760U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- polyimide resin
- film transistor
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例に係るアクテイブマ
トリツクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタ部
分の断面図、第２図は第１図の平面図、第３図ａ
〜ｃは本考案の薄膜トランジスタの一実施例に係
る製造工程を示す図、第４図ａ〜ｃは従来の薄膜
トランジスタの製造工程を示す図である。 １１……基板、１２……ゲート電極、１３……
ポリイミド樹脂膜、１４……アモルフアスシリコ
ン、１５……高濃度ｎ＋型アモルフアスシリコン
、１７……ソース電極、１８……ドレイン電極。
トリツクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタ部
分の断面図、第２図は第１図の平面図、第３図ａ
〜ｃは本考案の薄膜トランジスタの一実施例に係
る製造工程を示す図、第４図ａ〜ｃは従来の薄膜
トランジスタの製造工程を示す図である。 １１……基板、１２……ゲート電極、１３……
ポリイミド樹脂膜、１４……アモルフアスシリコ
ン、１５……高濃度ｎ＋型アモルフアスシリコン
、１７……ソース電極、１８……ドレイン電極。
補正 昭６２．１１．４
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書第１２頁第１４行目に「ソース」とある
を「ドレイン」と補正する。 明細書第１２頁第１５行目に「ドレイン」とあ
るを「ソース」と補正する。
を「ドレイン」と補正する。 明細書第１２頁第１５行目に「ドレイン」とあ
るを「ソース」と補正する。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ゲート電極が形成された基板と、この基板
の少なくともゲート電極上にポリイミド樹脂で形
成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に
順次形成された半導体膜及びソース、ドレイン電
極とを具備することを特徴とする薄膜トランジス
タ。 (2) 前記ポリイミド樹脂膜は、ポリアミツク酸
の溶液をスピンコートにより塗布し、焼成するこ
とにより形成されていることを特徴とする実用新
案登録請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11428087U JPS6418760U (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11428087U JPS6418760U (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6418760U true JPS6418760U (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=31354880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11428087U Pending JPS6418760U (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6418760U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6312172A (ja) * | 1986-03-11 | 1988-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS6347141A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | 鐘淵化学工業株式会社 | ポリイミド前駆体を部分的に閉環させた薄膜を含む複合物品 |
-
1987
- 1987-07-25 JP JP11428087U patent/JPS6418760U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6312172A (ja) * | 1986-03-11 | 1988-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPS6347141A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | 鐘淵化学工業株式会社 | ポリイミド前駆体を部分的に閉環させた薄膜を含む複合物品 |