JPH01104051U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01104051U JPH01104051U JP19710987U JP19710987U JPH01104051U JP H01104051 U JPH01104051 U JP H01104051U JP 19710987 U JP19710987 U JP 19710987U JP 19710987 U JP19710987 U JP 19710987U JP H01104051 U JPH01104051 U JP H01104051U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- electrode
- contact hole
- insulating film
- source electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図ａは本考案の一実施例の薄膜トランジス
タをスイツチング素子に用いたＴＦＴマトリクス
パネルの上面図、第１図ｂは上記薄膜トランジス
タの断面図、第２図ａ〜ｃは上記薄膜トランジス
タの製造方法を示す工程図、第３図は従来の薄膜
トランジスタの構成を示す断面図である。 １……絶縁性基板、２……ゲート電極、３……
ゲート絶縁膜、４……半導体膜、５……コンタク
ト層、６……ソース電極、７……ドレイン電極、
８……第２の絶縁膜、１６……画素電極、１７…
…コンタクト用金属（遮光膜）。
タをスイツチング素子に用いたＴＦＴマトリクス
パネルの上面図、第１図ｂは上記薄膜トランジス
タの断面図、第２図ａ〜ｃは上記薄膜トランジス
タの製造方法を示す工程図、第３図は従来の薄膜
トランジスタの構成を示す断面図である。 １……絶縁性基板、２……ゲート電極、３……
ゲート絶縁膜、４……半導体膜、５……コンタク
ト層、６……ソース電極、７……ドレイン電極、
８……第２の絶縁膜、１６……画素電極、１７…
…コンタクト用金属（遮光膜）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 透明な絶縁性基板上に形成された少なくともゲ
ート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ドレイン電
極及びソース電極から成るトランジスタと、前記
ソース電極とのコンタクトホールを除く部分に前
記トランジスタを覆つて形成された第２の絶縁膜
と、 前記第２の絶縁膜上に形成され、前記コンタク
トホールを介して前記ソース電極に接続された画
素電極と、 前記コンタクトホール内及び前記トランジスタ
のチヤネル領域の上方に形成された金属層とを備
えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19710987U JPH01104051U (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19710987U JPH01104051U (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104051U true JPH01104051U (ja) | 1989-07-13 |
Family
ID=31487680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19710987U Pending JPH01104051U (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01104051U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044094A1 (fr) * | 1998-02-25 | 1999-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrat a matrice active et affichage a cristaux liquides comprenant ce substrat |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP19710987U patent/JPH01104051U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044094A1 (fr) * | 1998-02-25 | 1999-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrat a matrice active et affichage a cristaux liquides comprenant ce substrat |