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JPS6418756U - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6418756U
JPS6418756U JP11427687U JP11427687U JPS6418756U JP S6418756 U JPS6418756 U JP S6418756U JP 11427687 U JP11427687 U JP 11427687U JP 11427687 U JP11427687 U JP 11427687U JP S6418756 U JPS6418756 U JP S6418756U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
gate electrode
insulating film
baking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11427687U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH079388Y2 (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1987114276U priority Critical patent/JPH079388Y2/ja
Publication of JPS6418756U publication Critical patent/JPS6418756U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH079388Y2 publication Critical patent/JPH079388Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例に係る薄膜トランジ
スタの構造を示す図、第２図ａ〜ｃは本考案の薄
膜トランジスタの一実施例に係る製造工程を示す
図、第３図ａ〜ｃは従来の薄膜トランジスタの製
造工程を示す図である。 １１……基板、１２……ゲート電極、１３……
ＳＯＧ膜、１４……絶縁膜、１５……半導体膜、
１７……ソース電極、１８……ドレイン電極。
補正 昭６２．１１．４ 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書第１２頁第１７行目に「ソース」とある
を「ドレイン」と補正する。 明細書第１２頁第１８行目に「ドレイン」とあ
るを「ソース」と補正する。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ゲート電極が形成された基板と、この基板
    面上及びゲート電極面上にけい素化合物を、前記
    基板面上の膜厚より前記ゲート電極面上の膜厚の
    方を薄く塗布し、焼成して形成された第１の絶縁
    膜と、この第１の絶縁膜上に絶縁物を堆積して形
    成された第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜上に
    順次形成された半導体膜及び電極とを備えたこと
    を特徴とする薄膜トランジスタ。 (2) 前記第１の絶縁膜は、前記基板及びゲート
    電極上にシラノール系化合物溶液を、スピンコー
    トにより塗布し、焼成することにより形成されて
    いることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
    １項記載の薄膜トランジスタ。
JP1987114276U 1987-07-25 1987-07-25 薄膜トランジスタ Expired - Lifetime JPH079388Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987114276U JPH079388Y2 (ja) 1987-07-25 1987-07-25 薄膜トランジスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987114276U JPH079388Y2 (ja) 1987-07-25 1987-07-25 薄膜トランジスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6418756U true JPS6418756U (ja) 1989-01-30
JPH079388Y2 JPH079388Y2 (ja) 1995-03-06

Family

ID=31354873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987114276U Expired - Lifetime JPH079388Y2 (ja) 1987-07-25 1987-07-25 薄膜トランジスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH079388Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008287266A (ja) * 2006-03-15 2008-11-27 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5192189A (en) * 1975-02-10 1976-08-12 Handotaisochi no seizohoho
JPS5633899A (en) * 1979-08-29 1981-04-04 Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of forming multilayer wire
JPS58182270A (ja) * 1982-04-16 1983-10-25 Sanyo Electric Co Ltd トランジスタの製造方法
JPS58201364A (ja) * 1982-05-20 1983-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (4)

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JP2008287266A (ja) * 2006-03-15 2008-11-27 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機

Also Published As

Publication number Publication date
JPH079388Y2 (ja) 1995-03-06

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