JPS6157837A - 外観検査装置 - Google Patents
外観検査装置Info
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- JPS6157837A JPS6157837A JP18102584A JP18102584A JPS6157837A JP S6157837 A JPS6157837 A JP S6157837A JP 18102584 A JP18102584 A JP 18102584A JP 18102584 A JP18102584 A JP 18102584A JP S6157837 A JPS6157837 A JP S6157837A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば半導体ペレットの欠陥を検査する外観
検査装置に関する。
検査装置に関する。
一般に集積回路の製造ラインでは、ウェハにマスクパタ
ーンを形成したのちダイシングして半導体ペレット毎に
分割し、しかるのちボンディング等の後工程に供するよ
うにしているが、この間の工程は集積回路の品質を決め
る上で最も重要であり、傷や汚れ等の外観検査が不可欠
である。このため従来では、例えばウェハにマスクパタ
ーンを形成した状態で、顕微鏡による目視観察を行なっ
たり、ウェハのパターン形成面を撮像して隣接する名べ
１ノツトのパターンを相互に比較することに」；り欠陥
の有無を検査している。しかるに半導体ぺ１ノットは、
つエバをダイシングして分割する際に端部に割れや欠（
Ｊを生じ易く、また各半導体ぺｌノットを１・１ノーに
収容する際にペレットの表面に汚れや個れ、傷等が牛し
ることかあるため、前記ウェハの状態で欠陥無しと判定
されたどしてｌ）半導体ペレッ１〜が良品であるとは必
ずしも占え／にい。
ーンを形成したのちダイシングして半導体ペレット毎に
分割し、しかるのちボンディング等の後工程に供するよ
うにしているが、この間の工程は集積回路の品質を決め
る上で最も重要であり、傷や汚れ等の外観検査が不可欠
である。このため従来では、例えばウェハにマスクパタ
ーンを形成した状態で、顕微鏡による目視観察を行なっ
たり、ウェハのパターン形成面を撮像して隣接する名べ
１ノツトのパターンを相互に比較することに」；り欠陥
の有無を検査している。しかるに半導体ぺ１ノットは、
つエバをダイシングして分割する際に端部に割れや欠（
Ｊを生じ易く、また各半導体ぺｌノットを１・１ノーに
収容する際にペレットの表面に汚れや個れ、傷等が牛し
ることかあるため、前記ウェハの状態で欠陥無しと判定
されたどしてｌ）半導体ペレッ１〜が良品であるとは必
ずしも占え／にい。
そこで最近では、半導体ペレットの状態で欠陥検査を行
なうことが実施されている。しかしながら、この半導体
ペレットの状態で検査を行なおうとすると、ペレッ１〜
は各々分割された状態になっているため、ウェハの検査
で用いた隣接するパターンの撮像画像を相互に比較する
ことにより検査する手法は適用することができない。こ
のため従来では、検査者が顕微鏡による目視観察を行な
うことにより検査している。しかるにこの様な目視観察
による検査は、検査能率および検査精度が低いため、生
産性の向上を図ることができなかった。
なうことが実施されている。しかしながら、この半導体
ペレットの状態で検査を行なおうとすると、ペレッ１〜
は各々分割された状態になっているため、ウェハの検査
で用いた隣接するパターンの撮像画像を相互に比較する
ことにより検査する手法は適用することができない。こ
のため従来では、検査者が顕微鏡による目視観察を行な
うことにより検査している。しかるにこの様な目視観察
による検査は、検査能率および検査精度が低いため、生
産性の向上を図ることができなかった。
一方、半導体ペレットを個々に撮像してその二値化画像
から欠陥を自動検出することも考えられているが、従来
ウェハの検査で用いられていた撮像手段は被検査面に対
し垂直上方から照明を行な、 い、その反射像
を垂直上方で搬惨し、配線パターンを１本１本検査する
ものであった。このため、半導体ペレッ１〜の端部等に
発生する割れや欠は等の欠陥については精度良く検出す
ることができるが、半導体ペレッ１〜に多い汚れや潰れ
等の表面欠陥については高速度で安価に検出することが
できイＴかった。
から欠陥を自動検出することも考えられているが、従来
ウェハの検査で用いられていた撮像手段は被検査面に対
し垂直上方から照明を行な、 い、その反射像
を垂直上方で搬惨し、配線パターンを１本１本検査する
ものであった。このため、半導体ペレッ１〜の端部等に
発生する割れや欠は等の欠陥については精度良く検出す
ることができるが、半導体ペレッ１〜に多い汚れや潰れ
等の表面欠陥については高速度で安価に検出することが
できイＴかった。
本発明は、検査者に頼ることなく高能率に精度良く欠陥
の検出を行なうことができ、しかも如何なる種類の欠陥
であっても高精痩にかつ構成簡易にして検出することが
できる外観検査装置を提供することを目的とする。
の検出を行なうことができ、しかも如何なる種類の欠陥
であっても高精痩にかつ構成簡易にして検出することが
できる外観検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、垂直落射照明を
行なう第１の照明手段と、斜め上方から照明を行なう第
２の照明手段とを設け、これらの照明手段により被検査
物に対しそれぞれ照明を行なって、上記垂直落射照明時
に得られる撮像画像から被検査物の割れや欠は等の端部
欠陥を検出するＪ：うにし、かつ斜め上方からの照明を
行なったどきに得られる撮像画像から被検査物の汚れや
潰れ等の表面欠陥を検出するようにしたものである。
行なう第１の照明手段と、斜め上方から照明を行なう第
２の照明手段とを設け、これらの照明手段により被検査
物に対しそれぞれ照明を行なって、上記垂直落射照明時
に得られる撮像画像から被検査物の割れや欠は等の端部
欠陥を検出するＪ：うにし、かつ斜め上方からの照明を
行なったどきに得られる撮像画像から被検査物の汚れや
潰れ等の表面欠陥を検出するようにしたものである。
第１図は、本発明の一実施例における外観検査装置の構
成を示すもので、１は基台、２はＸＹテーブルを示して
いる。このＸＹテーブル２は、ステップモータ２１．２
２により動作するもので、テーブル上２ａには被検査物
としての半導体ペレット３がストッカ（図示せず）から
コレットにより取出されて載置される。一方、この半導
体ペレット３の垂直上方には、支持軸５１で支持された
状態で撮像装置５が配設されている。この撮像装置５は
、上記支持軸５１に固定アーム５２を昇降自在に取着し
、この固定アーム５２に上記半導体ペレット３の被検査
面を拡大する顕微鏡５３およびこの顕微鏡５３で拡大さ
れた画像を撮像する工業用テレビジョン（ＩＴＶ）カメ
ラ５４を固定したものである。
成を示すもので、１は基台、２はＸＹテーブルを示して
いる。このＸＹテーブル２は、ステップモータ２１．２
２により動作するもので、テーブル上２ａには被検査物
としての半導体ペレット３がストッカ（図示せず）から
コレットにより取出されて載置される。一方、この半導
体ペレット３の垂直上方には、支持軸５１で支持された
状態で撮像装置５が配設されている。この撮像装置５は
、上記支持軸５１に固定アーム５２を昇降自在に取着し
、この固定アーム５２に上記半導体ペレット３の被検査
面を拡大する顕微鏡５３およびこの顕微鏡５３で拡大さ
れた画像を撮像する工業用テレビジョン（ＩＴＶ）カメ
ラ５４を固定したものである。
ところで、この撮像装置５には２つの相異なる照明装置
６．７が設けである。このうち第１の照明装置６は、第
２図（ａ）に示す如く光源６１の出力光を半透鏡６２で
反射させることにより、前記ＸＹテーブル２に載置され
ている半導体ペレット３に対し垂直落射照明を行なうも
のである。−□方第２の照明装置７は、光源７１と前記
顕微鏡５３の先端部に固定された投光部７２とからなり
、光源７１の出力光を投光部７２より第２図（ｂ）に示
す如く半導体ペレット３に対し斜め上方から照射し、こ
れにより半導体ペレット３の被検査面を斜め照明するも
のである。尚、この斜め照明の角度は、半導体ペレット
３の表面に対し２０度乃至３０度（１５０度乃至１６０
度）が最適である。
６．７が設けである。このうち第１の照明装置６は、第
２図（ａ）に示す如く光源６１の出力光を半透鏡６２で
反射させることにより、前記ＸＹテーブル２に載置され
ている半導体ペレット３に対し垂直落射照明を行なうも
のである。−□方第２の照明装置７は、光源７１と前記
顕微鏡５３の先端部に固定された投光部７２とからなり
、光源７１の出力光を投光部７２より第２図（ｂ）に示
す如く半導体ペレット３に対し斜め上方から照射し、こ
れにより半導体ペレット３の被検査面を斜め照明するも
のである。尚、この斜め照明の角度は、半導体ペレット
３の表面に対し２０度乃至３０度（１５０度乃至１６０
度）が最適である。
さて、前記ＩＴＶカメラ５４で得られた撮像画像は、先
ず二値化回路８１で所定の二値化レベルにしたがって二
値化されたのち画像メモリ８２に一旦記憶され、しかる
のち制御回路８３に導入されるようになっている。この
制御回路８３は、主制御部としてのマイクロプロセッサ
を有するもので、第３図に示す如く撮像制御手段３１、
視野制御手段３２、位置制御手段３３、端部欠陥検出手
段３４、表面欠陥検査手段３５および照明切換手段３６
からなる各制御機能を備えている。撮像制−〇− 御手段３１は、ＩＴＶカメラ５４を駆動するとともに、
二値化回路８１に二値化レベルを設定しかつ画像メモリ
８２の書き込みおよび読み出し各動作を制御するもので
ある。視野制部手段３２は、モータ駆動回路８４を介し
て前記ＸＹテーブル２を駆動することにより、半導体ペ
レット３に対するＩＴＶカメラ５４の撮像視野を可変制
御する。
ず二値化回路８１で所定の二値化レベルにしたがって二
値化されたのち画像メモリ８２に一旦記憶され、しかる
のち制御回路８３に導入されるようになっている。この
制御回路８３は、主制御部としてのマイクロプロセッサ
を有するもので、第３図に示す如く撮像制御手段３１、
視野制御手段３２、位置制御手段３３、端部欠陥検出手
段３４、表面欠陥検査手段３５および照明切換手段３６
からなる各制御機能を備えている。撮像制−〇− 御手段３１は、ＩＴＶカメラ５４を駆動するとともに、
二値化回路８１に二値化レベルを設定しかつ画像メモリ
８２の書き込みおよび読み出し各動作を制御するもので
ある。視野制部手段３２は、モータ駆動回路８４を介し
て前記ＸＹテーブル２を駆動することにより、半導体ペ
レット３に対するＩＴＶカメラ５４の撮像視野を可変制
御する。
位置検出手段３３は、垂直落射照明により得られた画像
から半導体ペレット３の位置を検出するものである。ま
た端部欠陥検出手段３４は、前記垂直落射照明のとぎに
得られた二値化パターン像の信号レベルを判定すること
により割れや欠（Ｊ等の端部欠陥を検出づる。また表面
欠陥検出手段３５は、前記斜め照明を行なった状態で１
９られる二値化パターン像の信号レベルを判定すること
に３Ｊ、す、半導体ペレッ１へ３の汚れや潰れ、表面傷
等の表面欠陥を検出する。最後に照明切換１段３６は、
ｎｆｔ記第１の照明装置６の光源６１お、１、び第２の
照明装置７の光源７１を各別に駆＃、Ｉ＋ ｎることに
、」、Ｉ）、半導体ペレッ１〜３の被検査面に３＝１１
． ！ｒｉ自ｍＯ・１照明と斜め照明とを各々別々に行
なうものである。
から半導体ペレット３の位置を検出するものである。ま
た端部欠陥検出手段３４は、前記垂直落射照明のとぎに
得られた二値化パターン像の信号レベルを判定すること
により割れや欠（Ｊ等の端部欠陥を検出づる。また表面
欠陥検出手段３５は、前記斜め照明を行なった状態で１
９られる二値化パターン像の信号レベルを判定すること
に３Ｊ、す、半導体ペレッ１へ３の汚れや潰れ、表面傷
等の表面欠陥を検出する。最後に照明切換１段３６は、
ｎｆｔ記第１の照明装置６の光源６１お、１、び第２の
照明装置７の光源７１を各別に駆＃、Ｉ＋ ｎることに
、」、Ｉ）、半導体ペレッ１〜３の被検査面に３＝１１
． ！ｒｉ自ｍＯ・１照明と斜め照明とを各々別々に行
なうものである。
次に、以上のように構成された装置の動作を制御回路８
３の制御手順に従って説明する。第４図（ａ）、（ｂ）
は、その制御手順を示すフローチャー１〜である。
３の制御手順に従って説明する。第４図（ａ）、（ｂ）
は、その制御手順を示すフローチャー１〜である。
×Ｙテーブル２上の所定の位置に半導体ペレッｉ〜３を
セラ１〜し、この状態で検査開始スイッチ（図示せず）
を操作すると、制御回路８３は先ずステップ４ａで第１
の照明装置６の光［６１に対し駆動信号を発し、これに
より半導体ペレット３に対して垂直落射照明を行なう。
セラ１〜し、この状態で検査開始スイッチ（図示せず）
を操作すると、制御回路８３は先ずステップ４ａで第１
の照明装置６の光［６１に対し駆動信号を発し、これに
より半導体ペレット３に対して垂直落射照明を行なう。
そしてこの状態でステップ４ｂによりＩＴＶカメラ５４
に駆動信号を出力して撮像動作を開始させ、これにより
１ｑられた撮像画像信号を二値化回路８１で二値化させ
たのち画像メモリ８２に記憶させる。このどき制御回路
８３は、半導体ペレット３の位置検出用としてそのポン
ディグバットを検出するために、下値化回路８１に対し
比較的高い二値化レベルをム（２定゛りる。この＝１直
化レベルは、ボンディングバット部分の画像ＩＭ ｔ’
Ｕレベル（約０．８Ｖ）とポンディングパッドを除いた
部分の画像信号レベル（約０．４Ｖ）との中間値に設定
される。第５図（ａ）はその結果得られた二値化パター
ン像の一例を示すもので、ボンディングパット部分３ｂ
のみが゛Ｈ″レベルとなって検出される。そうして位置
検出用の二値化パターン像が得られると制御回路８３は
、続いてステップ４Ｃで上記二値化パターン像からボン
ディングパット３ｂをパターン認識により検出してその
位置から半導体ペレット３の位置を検出する。そしてス
テップ４ｄでモータ駆動回路８４を介してＸＹテーブル
２を駆動して半導体ペレット３の位置を調整し、これに
より撮像視野の初期位置を設定する。
に駆動信号を出力して撮像動作を開始させ、これにより
１ｑられた撮像画像信号を二値化回路８１で二値化させ
たのち画像メモリ８２に記憶させる。このどき制御回路
８３は、半導体ペレット３の位置検出用としてそのポン
ディグバットを検出するために、下値化回路８１に対し
比較的高い二値化レベルをム（２定゛りる。この＝１直
化レベルは、ボンディングバット部分の画像ＩＭ ｔ’
Ｕレベル（約０．８Ｖ）とポンディングパッドを除いた
部分の画像信号レベル（約０．４Ｖ）との中間値に設定
される。第５図（ａ）はその結果得られた二値化パター
ン像の一例を示すもので、ボンディングパット部分３ｂ
のみが゛Ｈ″レベルとなって検出される。そうして位置
検出用の二値化パターン像が得られると制御回路８３は
、続いてステップ４Ｃで上記二値化パターン像からボン
ディングパット３ｂをパターン認識により検出してその
位置から半導体ペレット３の位置を検出する。そしてス
テップ４ｄでモータ駆動回路８４を介してＸＹテーブル
２を駆動して半導体ペレット３の位置を調整し、これに
より撮像視野の初期位置を設定する。
さて、そうして撮像位置の位置決めを終了すると制御回
路８３は、先ずステップ４ｅでＩＴＶカメラ５４を駆動
して半導体ペレット３の被検査面を撮像させ、これによ
り得られた撮像画像信号を二値化回路８１で二値化させ
たのち画像メモリ８２に記憶させる。ところで、このと
き制御回路８３は、二値化回路８１に対し、ボンディン
グパラド部分を除いた部分を検出するために前記ボンデ
ィングパラ１〜の検出レベルよりも低い二値化レベル、
例えばポンディングパッド部分を除いた部分の画像信号
レベル（０，７１Ｖ）とストッカ４の画像信号レベル（
０，２Ｖ）との中間値に設定する。
路８３は、先ずステップ４ｅでＩＴＶカメラ５４を駆動
して半導体ペレット３の被検査面を撮像させ、これによ
り得られた撮像画像信号を二値化回路８１で二値化させ
たのち画像メモリ８２に記憶させる。ところで、このと
き制御回路８３は、二値化回路８１に対し、ボンディン
グパラド部分を除いた部分を検出するために前記ボンデ
ィングパラ１〜の検出レベルよりも低い二値化レベル、
例えばポンディングパッド部分を除いた部分の画像信号
レベル（０，７１Ｖ）とストッカ４の画像信号レベル（
０，２Ｖ）との中間値に設定する。
従って、この二値化により画像メモリ８２には例えば第
５図（ｂ）、（Ｃ）に示す如くポンディングパッド部分
を除いた部分３ａがｌｌ ＨＩＩレベルでＸＹテーブル
表面２ａが゛Ｌ°ルベルどなる二値化パターン像が記憶
される。尚、第５図（ｂ）は割れや欠【ノ等の端部欠陥
が無い場合の二値化パターン像を、また（Ｃ）は同欠陥
が存在する場合の二値化パターン像の一例を示している
。そして制御回路８３は、ステップ４ｆで上記二値化パ
ターン像におけるポンディングパッド部分を除いた部分
３ａの端部の信号レベルを判定して端部欠陥の検出を行
ない、続いてステップ４ｑで端部欠陥の有無を判定する
。尚、この判定手段は、例えば■ＴＶカメラ５４の出力
を走査線毎にデジタル化した信号から欠陥相当の信号の
有無を検出することにより行なう。そして、欠陥無しと
判定した場合は、ステップ４ｉで前記ＸＹテーブル２を
駆動して半導体ペレット３に対するＩＴＶカメラ５４の
搬像視野を移動させ、しかるのちステップ４ｅに戻って
上記欠陥の検出動作を繰返す。そして半導体ペレッ１〜
３の端部全周に対し上記端部欠陥の検査を繰返し行ない
、ステップ４ｈで１ペレツトについての端部欠陥の検査
を終了したと判定すると、第４図（ｂ）のステップ４ｊ
に移行する。一方これらの各端部欠陥の検査中に、上記
ステップ４Ｑで端部欠陥ありど判定すると、制御回路８
３はその時点でその半導体ペレットに対する検査を終了
して第４図（ｂ）のステップ４Ｓに移行し、ここで上記
半導体ペレッ１への排除指令を出力して次の半導体ペレ
ッ１〜に対する検査に移行する。
５図（ｂ）、（Ｃ）に示す如くポンディングパッド部分
を除いた部分３ａがｌｌ ＨＩＩレベルでＸＹテーブル
表面２ａが゛Ｌ°ルベルどなる二値化パターン像が記憶
される。尚、第５図（ｂ）は割れや欠【ノ等の端部欠陥
が無い場合の二値化パターン像を、また（Ｃ）は同欠陥
が存在する場合の二値化パターン像の一例を示している
。そして制御回路８３は、ステップ４ｆで上記二値化パ
ターン像におけるポンディングパッド部分を除いた部分
３ａの端部の信号レベルを判定して端部欠陥の検出を行
ない、続いてステップ４ｑで端部欠陥の有無を判定する
。尚、この判定手段は、例えば■ＴＶカメラ５４の出力
を走査線毎にデジタル化した信号から欠陥相当の信号の
有無を検出することにより行なう。そして、欠陥無しと
判定した場合は、ステップ４ｉで前記ＸＹテーブル２を
駆動して半導体ペレット３に対するＩＴＶカメラ５４の
搬像視野を移動させ、しかるのちステップ４ｅに戻って
上記欠陥の検出動作を繰返す。そして半導体ペレッ１〜
３の端部全周に対し上記端部欠陥の検査を繰返し行ない
、ステップ４ｈで１ペレツトについての端部欠陥の検査
を終了したと判定すると、第４図（ｂ）のステップ４ｊ
に移行する。一方これらの各端部欠陥の検査中に、上記
ステップ４Ｑで端部欠陥ありど判定すると、制御回路８
３はその時点でその半導体ペレットに対する検査を終了
して第４図（ｂ）のステップ４Ｓに移行し、ここで上記
半導体ペレッ１への排除指令を出力して次の半導体ペレ
ッ１〜に対する検査に移行する。
さて、上記端部欠陥の検査を終了してステップ４ 、＋
に移行すると制御回路８３（Ｊ、次にそれまで吟・
駆ｖ）状態どしていた第１の照明装置６の動作を
停止させ、それに代わって第２の照明装置７の光源７１
に駆動信号を出力して第２の照明装置７にＪ、る斜め照
明を開始させる。つまり半導体ペレツ１〜３に対する照
明の形態を切換える。そしてこの状態で、先ずステップ
４ ｋにより前記垂直落射照明の時にステップ４Ｇで検
出した半導体ペレット３の位置に応じて撮像視野の初期
位置を設定し、しかるのちステップ４ａでＩＴＶカメラ
５４を駆動して半導体ペレット３の被検査面を撮像させ
、これにより得られた撮像画像信号を二値化回路８１で
所定の二値化レベルに従って二値化させたのち画像メモ
リ８２に記憶させる。このとき、上記二値化レベルは、
ポンディングパッド部分を除いた部分３ａの画像信号レ
ベルど表面欠陥の画像信号レベルとの中間値に設定され
るため、表面欠陥が存在しなければ第６図（ａ）のよう
に全域が゛Ｌ″レベルとなり、一方表面欠陥がある場合
には例えば第６図（ｂ）に示す如く欠陥部分３Ｇが゛Ｈ
″レベルとなって現われる。これは、斜め照明を行なう
ことにより、正常なポンディングパッド部分を除いた部
分３ａでは照明光が全反射してＩＴＶカメラ５４に導入
されないのに対し、表面欠陥部分３Ｃでは斜め上方から
の照明光が乱反射してＴＴＶカメラ５４に導かれるため
である。
に移行すると制御回路８３（Ｊ、次にそれまで吟・
駆ｖ）状態どしていた第１の照明装置６の動作を
停止させ、それに代わって第２の照明装置７の光源７１
に駆動信号を出力して第２の照明装置７にＪ、る斜め照
明を開始させる。つまり半導体ペレツ１〜３に対する照
明の形態を切換える。そしてこの状態で、先ずステップ
４ ｋにより前記垂直落射照明の時にステップ４Ｇで検
出した半導体ペレット３の位置に応じて撮像視野の初期
位置を設定し、しかるのちステップ４ａでＩＴＶカメラ
５４を駆動して半導体ペレット３の被検査面を撮像させ
、これにより得られた撮像画像信号を二値化回路８１で
所定の二値化レベルに従って二値化させたのち画像メモ
リ８２に記憶させる。このとき、上記二値化レベルは、
ポンディングパッド部分を除いた部分３ａの画像信号レ
ベルど表面欠陥の画像信号レベルとの中間値に設定され
るため、表面欠陥が存在しなければ第６図（ａ）のよう
に全域が゛Ｌ″レベルとなり、一方表面欠陥がある場合
には例えば第６図（ｂ）に示す如く欠陥部分３Ｇが゛Ｈ
″レベルとなって現われる。これは、斜め照明を行なう
ことにより、正常なポンディングパッド部分を除いた部
分３ａでは照明光が全反射してＩＴＶカメラ５４に導入
されないのに対し、表面欠陥部分３Ｃでは斜め上方から
の照明光が乱反射してＴＴＶカメラ５４に導かれるため
である。
そして制御回路８３は、こうして得られた二値化パター
ン像からステップ４ｍで半導体ペレット３表面の汚れや
潰れ等の表面欠陥を’ ｌ−４”レベルの画素数を計数
することにより検出し、しかるのちステップ４ｎで表面
欠陥の有無の判定を行なう。
ン像からステップ４ｍで半導体ペレット３表面の汚れや
潰れ等の表面欠陥を’ ｌ−４”レベルの画素数を計数
することにより検出し、しかるのちステップ４ｎで表面
欠陥の有無の判定を行なう。
そして欠陥無しと判定した場合は、前記端部欠陥の検出
時と同様にステップ４ｐで撮像視野の位置をＸＹテーブ
ル２により移動させる毎に表面欠陥の検査動作を繰返し
、１ペレツトの全域についての検査を終了したとステッ
プ４０で判定した時点で、ステップ４ｒに移行して欠陥
が無いことを示す信号、つまり良品信号を出力し、しか
るのち次の半導体ベレッ］・３があればこの半導体ペレ
ット３に対する検査に移行する。一方、上記各表面欠陥
の検査動作中に、−に記ステップ４ｎで欠陥ありと判定
した場合は、その時点でステップ４Ｓに移行してここで
排除指令を出力し、次の半導体ぺ１ノツ１〜３に対する
検査に移行する。
時と同様にステップ４ｐで撮像視野の位置をＸＹテーブ
ル２により移動させる毎に表面欠陥の検査動作を繰返し
、１ペレツトの全域についての検査を終了したとステッ
プ４０で判定した時点で、ステップ４ｒに移行して欠陥
が無いことを示す信号、つまり良品信号を出力し、しか
るのち次の半導体ベレッ］・３があればこの半導体ペレ
ット３に対する検査に移行する。一方、上記各表面欠陥
の検査動作中に、−に記ステップ４ｎで欠陥ありと判定
した場合は、その時点でステップ４Ｓに移行してここで
排除指令を出力し、次の半導体ぺ１ノツ１〜３に対する
検査に移行する。
このにうに本実施例であれば、各半導体ペレット３毎に
欠陥を自動検査でき、しかも垂直落射照明と斜め照明と
をそれぞれ行なってこれらの照明毎に割れや欠は等の端
部欠陥と汚れや潰れ等の表面欠陥とを各別に検出するよ
うにしたことによって、複雑な画像処理を行なうことな
く簡単かつ高速にしかも精度良く全ての欠陥を検出する
ことができる。従って構成簡易にして生産性を向上させ
ることができる。
欠陥を自動検査でき、しかも垂直落射照明と斜め照明と
をそれぞれ行なってこれらの照明毎に割れや欠は等の端
部欠陥と汚れや潰れ等の表面欠陥とを各別に検出するよ
うにしたことによって、複雑な画像処理を行なうことな
く簡単かつ高速にしかも精度良く全ての欠陥を検出する
ことができる。従って構成簡易にして生産性を向上させ
ることができる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えば、」：記実施例では先ず垂直落射照明を行なって端
部欠陥の検出を行ない、次に斜め照明に切換えて表面欠
陥の検出を行なうようにしたが、この順序は逆に設定し
てもよい。但しこの場合は、斜め照明を行なう前に一旦
垂直落射照明を行なって半導体ペレット３の位置を検出
する必要がある。また前記実施例では半導体ペレットの
欠陥を検査する場合について説明したが、端部欠陥およ
び表面欠陥が生じる製造物であれば、どのようなもので
あっても同様に適用することができる。
えば、」：記実施例では先ず垂直落射照明を行なって端
部欠陥の検出を行ない、次に斜め照明に切換えて表面欠
陥の検出を行なうようにしたが、この順序は逆に設定し
てもよい。但しこの場合は、斜め照明を行なう前に一旦
垂直落射照明を行なって半導体ペレット３の位置を検出
する必要がある。また前記実施例では半導体ペレットの
欠陥を検査する場合について説明したが、端部欠陥およ
び表面欠陥が生じる製造物であれば、どのようなもので
あっても同様に適用することができる。
その他、各照明装置の構成や制御手順、制御内容、欠陥
の検出手段、搬像手段の構成、視野の制御手段の構成等
についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施できる。
の検出手段、搬像手段の構成、視野の制御手段の構成等
についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施できる。
（発明の効果）
以上詳述したように本発明によれば、垂直落射照明を行
なう第１の照明手段と、斜め上方から照明を行なう第２
の照明手段とを設け、これらの照明手段により被検査物
に対しそれぞれ照明を行なって、上記垂直落射照明時に
得られる撮像画像から被検査物の割れや欠は等の端部欠
陥を検出するようにし、かつ斜め上方からの照明を行な
ったときに得られる搬像画像から被検査物の汚れや潰れ
等の表面欠陥を検出するようにしたことによって、検査
者に頼ることなく高能率に精度良く欠陥の検出を行なう
ことができ、しかも如何なる種類の欠陥であっても高精
度にかつ構成簡易にして検出することができる外観検査
装置を提供することができる。
なう第１の照明手段と、斜め上方から照明を行なう第２
の照明手段とを設け、これらの照明手段により被検査物
に対しそれぞれ照明を行なって、上記垂直落射照明時に
得られる撮像画像から被検査物の割れや欠は等の端部欠
陥を検出するようにし、かつ斜め上方からの照明を行な
ったときに得られる搬像画像から被検査物の汚れや潰れ
等の表面欠陥を検出するようにしたことによって、検査
者に頼ることなく高能率に精度良く欠陥の検出を行なう
ことができ、しかも如何なる種類の欠陥であっても高精
度にかつ構成簡易にして検出することができる外観検査
装置を提供することができる。
図は本発明の一実施例における外観検査装置を説明する
ためのもので、第１図は同装置の全体の構成を示す図、
第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ垂直落射照明および斜
め照明を行なう照明装置の構成を模式的に示した図、第
３図は制御回路の機能を示Ｊブロック図、第４図（ａ）
、（ｂ）は制御回路の制御手順を示すフローチャート、
第５図（ａ）〜（Ｃ）および第６図（ａ）、（ｂ）はそ
れぞれ作用説明に用いるための二値化パターン像を示す
模式図である。 １・・・基台、２・・・ＸＹテーブル、３・・・半導体
ペレッ！〜、３ａ・・・ボンＡ７デイングパツド部分を
除いた部分、３ｂ・・・ボンディングパラ１〜部分、３
Ｇ・・・表面欠陥部分、５・・・照像装置、５３・・・
顕微鏡、５４・・・ＩＴＶカメラ、６・・・第１の照明
装置、７・・・第２の照明装置、８１・・・二値化回路
、８２・・・画像メモリ、８３・・・制御回路、８４・
・・モータ駆動回路。
ためのもので、第１図は同装置の全体の構成を示す図、
第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ垂直落射照明および斜
め照明を行なう照明装置の構成を模式的に示した図、第
３図は制御回路の機能を示Ｊブロック図、第４図（ａ）
、（ｂ）は制御回路の制御手順を示すフローチャート、
第５図（ａ）〜（Ｃ）および第６図（ａ）、（ｂ）はそ
れぞれ作用説明に用いるための二値化パターン像を示す
模式図である。 １・・・基台、２・・・ＸＹテーブル、３・・・半導体
ペレッ！〜、３ａ・・・ボンＡ７デイングパツド部分を
除いた部分、３ｂ・・・ボンディングパラ１〜部分、３
Ｇ・・・表面欠陥部分、５・・・照像装置、５３・・・
顕微鏡、５４・・・ＩＴＶカメラ、６・・・第１の照明
装置、７・・・第２の照明装置、８１・・・二値化回路
、８２・・・画像メモリ、８３・・・制御回路、８４・
・・モータ駆動回路。
Claims (3)
- （１）被検査物に対し垂直落射照明を行なう第１の照明
手段と、被検査物に対し斜め上方から照明を行なう第２
の照明手段と、これらの照明手段により各別に照明され
た被検査物の被検査面をその垂直上方で撮像する撮像手
段と、前記第１の照明手段による照明時に前記撮像手段
により得られる画像情報から被検査物の端部欠陥を検出
する手段と、前記第２の照明手段による照明時に前記撮
像手段により得られる画像情報から被検査物の表面欠陥
を検出する手段とを具備したことを特徴とする外観検査
装置。 - （２）第１の照明手段による照明と第２の照明手段によ
る照明は、外観検査時に切換えるものである特許請求の
範囲第（１）項記載の外観検査装置。 - （３）被検査物は半導体ペレットである特許請求の範囲
第（１）項記載の外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102584A JPS6157837A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18102584A JPS6157837A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 外観検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157837A true JPS6157837A (ja) | 1986-03-24 |
| JPH0554622B2 JPH0554622B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=16093445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18102584A Granted JPS6157837A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6157837A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128730U (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-23 | ||
| JPH0293312A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 欠陥検査装置 |
| JPH04297886A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ測距装置 |
| US5686994A (en) * | 1993-06-25 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appearance inspection apparatus and appearance inspection method of electronic components |
| JP2009016437A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの欠陥位置検出方法 |
| CN104458763A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-03-25 | 元亮科技有限公司 | 广视野表面缺陷检测装置 |
| CN110208286A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-06 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种检测设备 |
| JP2020013841A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP18102584A patent/JPS6157837A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128730U (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-23 | ||
| JPH0541551Y2 (ja) * | 1987-02-16 | 1993-10-20 | ||
| JPH0293312A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 欠陥検査装置 |
| JPH04297886A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ測距装置 |
| US5686994A (en) * | 1993-06-25 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appearance inspection apparatus and appearance inspection method of electronic components |
| JP2009016437A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの欠陥位置検出方法 |
| CN104458763A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-03-25 | 元亮科技有限公司 | 广视野表面缺陷检测装置 |
| JP2020013841A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| CN110208286A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-06 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种检测设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554622B2 (ja) | 1993-08-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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