JPS6157837A - Inspecting device for outer appearance - Google Patents
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば半導体ペレットの欠陥を検査する外観
検査装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a visual inspection apparatus for inspecting defects in semiconductor pellets, for example.
一般に集積回路の製造ラインでは、ウェハにマスクパタ
ーンを形成したのちダイシングして半導体ペレット毎に
分割し、しかるのちボンディング等の後工程に供するよ
うにしているが、この間の工程は集積回路の品質を決め
る上で最も重要であり、傷や汚れ等の外観検査が不可欠
である。このため従来では、例えばウェハにマスクパタ
ーンを形成した状態で、顕微鏡による目視観察を行なっ
たり、ウェハのパターン形成面を撮像して隣接する名べ
1ノツトのパターンを相互に比較することに」;り欠陥
の有無を検査している。しかるに半導体ぺ1ノットは、
つエバをダイシングして分割する際に端部に割れや欠(
Jを生じ易く、また各半導体ぺlノットを1・1ノーに
収容する際にペレットの表面に汚れや個れ、傷等が牛し
ることかあるため、前記ウェハの状態で欠陥無しと判定
されたどしてl)半導体ペレッ1〜が良品であるとは必
ずしも占え/にい。Generally, on an integrated circuit production line, a mask pattern is formed on a wafer, and then it is diced and divided into semiconductor pellets, which are then subjected to subsequent processes such as bonding, but this process affects the quality of the integrated circuit. This is the most important step in making a decision, and visual inspection for scratches, dirt, etc. is essential. For this reason, in the past, for example, with a mask pattern formed on a wafer, visual observation was performed using a microscope, or images of the pattern-formed surface of the wafer were taken and adjacent patterns of one note were compared with each other. inspected for defects. However, the semiconductor P1 knot is
When dicing and dividing the wafer, the edges may be cracked or chipped (
The wafer was determined to be free of defects because it is easy to cause J, and when each semiconductor pellet knot is housed in a 1.1 no, the surface of the pellet may be contaminated, chipped, scratched, etc. 1) It is not always possible to predict that semiconductor pellets 1 to 1 are good products.
そこで最近では、半導体ペレットの状態で欠陥検査を行
なうことが実施されている。しかしながら、この半導体
ペレットの状態で検査を行なおうとすると、ペレッ1〜
は各々分割された状態になっているため、ウェハの検査
で用いた隣接するパターンの撮像画像を相互に比較する
ことにより検査する手法は適用することができない。こ
のため従来では、検査者が顕微鏡による目視観察を行な
うことにより検査している。しかるにこの様な目視観察
による検査は、検査能率および検査精度が低いため、生
産性の向上を図ることができなかった。Therefore, recently, defect inspection has been carried out in the state of semiconductor pellets. However, if you try to perform an inspection on this semiconductor pellet, the pellet 1~
Since each pattern is divided, a method of inspecting the wafer by comparing captured images of adjacent patterns used in wafer inspection cannot be applied. For this reason, conventionally, an inspector performs inspection by visual observation using a microscope. However, such inspection by visual observation has low inspection efficiency and inspection accuracy, making it impossible to improve productivity.
一方、半導体ペレットを個々に撮像してその二値化画像
から欠陥を自動検出することも考えられているが、従来
ウェハの検査で用いられていた撮像手段は被検査面に対
し垂直上方から照明を行な、 い、その反射像
を垂直上方で搬惨し、配線パターンを1本1本検査する
ものであった。このため、半導体ペレッ1〜の端部等に
発生する割れや欠は等の欠陥については精度良く検出す
ることができるが、半導体ペレッ1〜に多い汚れや潰れ
等の表面欠陥については高速度で安価に検出することが
できイTかった。On the other hand, it is also being considered to image semiconductor pellets individually and automatically detect defects from the binarized image, but the imaging means conventionally used for wafer inspection uses illumination from perpendicularly above the surface to be inspected. Then, the reflected image was viewed vertically upward and each wiring pattern was inspected one by one. For this reason, defects such as cracks and chips that occur at the edges of semiconductor pellets 1~ can be detected with high accuracy, but surface defects such as dirt and crushing, which are common on semiconductor pellets 1~, can be detected at high speed. It was possible to detect it at low cost.
本発明は、検査者に頼ることなく高能率に精度良く欠陥
の検出を行なうことができ、しかも如何なる種類の欠陥
であっても高精痩にかつ構成簡易にして検出することが
できる外観検査装置を提供することを目的とする。The present invention provides a visual inspection device that can detect defects with high efficiency and accuracy without relying on an inspector, and can detect any type of defects with high precision and a simple configuration. The purpose is to provide
本発明は、上記目的を達成するために、垂直落射照明を
行なう第1の照明手段と、斜め上方から照明を行なう第
2の照明手段とを設け、これらの照明手段により被検査
物に対しそれぞれ照明を行なって、上記垂直落射照明時
に得られる撮像画像から被検査物の割れや欠は等の端部
欠陥を検出するJ:うにし、かつ斜め上方からの照明を
行なったどきに得られる撮像画像から被検査物の汚れや
潰れ等の表面欠陥を検出するようにしたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a first illumination means that performs vertical epi-illumination and a second illumination means that performs illumination from diagonally above, and uses these illumination means to respectively illuminate the object to be inspected. Illumination is performed, and edge defects such as cracks and chips of the object to be inspected are detected from the captured image obtained during the above-mentioned vertical epi-illumination. This system detects surface defects such as stains and crushing of the object to be inspected from the image.
第1図は、本発明の一実施例における外観検査装置の構
成を示すもので、1は基台、2はXYテーブルを示して
いる。このXYテーブル2は、ステップモータ21.2
2により動作するもので、テーブル上2aには被検査物
としての半導体ペレット3がストッカ(図示せず)から
コレットにより取出されて載置される。一方、この半導
体ペレット3の垂直上方には、支持軸51で支持された
状態で撮像装置5が配設されている。この撮像装置5は
、上記支持軸51に固定アーム52を昇降自在に取着し
、この固定アーム52に上記半導体ペレット3の被検査
面を拡大する顕微鏡53およびこの顕微鏡53で拡大さ
れた画像を撮像する工業用テレビジョン(ITV)カメ
ラ54を固定したものである。FIG. 1 shows the configuration of a visual inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, where 1 indicates a base and 2 indicates an XY table. This XY table 2 is powered by a step motor 21.2.
A semiconductor pellet 3 as an object to be inspected is taken out from a stocker (not shown) by a collet and placed on a table 2a. On the other hand, an imaging device 5 is disposed vertically above the semiconductor pellet 3 while being supported by a support shaft 51 . This imaging device 5 has a fixed arm 52 attached to the support shaft 51 so as to be movable up and down, and a microscope 53 for enlarging the surface to be inspected of the semiconductor pellet 3 and an image enlarged by the microscope 53 on the fixed arm 52. An industrial television (ITV) camera 54 for taking images is fixed.
ところで、この撮像装置5には2つの相異なる照明装置
6.7が設けである。このうち第1の照明装置6は、第
2図(a)に示す如く光源61の出力光を半透鏡62で
反射させることにより、前記XYテーブル2に載置され
ている半導体ペレット3に対し垂直落射照明を行なうも
のである。−□方第2の照明装置7は、光源71と前記
顕微鏡53の先端部に固定された投光部72とからなり
、光源71の出力光を投光部72より第2図(b)に示
す如く半導体ペレット3に対し斜め上方から照射し、こ
れにより半導体ペレット3の被検査面を斜め照明するも
のである。尚、この斜め照明の角度は、半導体ペレット
3の表面に対し20度乃至30度(150度乃至160
度)が最適である。By the way, this imaging device 5 is provided with two different illumination devices 6.7. Among them, the first illumination device 6 is installed perpendicularly to the semiconductor pellet 3 placed on the XY table 2 by reflecting the output light of the light source 61 with a semi-transparent mirror 62 as shown in FIG. 2(a). It provides epi-illumination. - The second illumination device 7 consists of a light source 71 and a light projecting section 72 fixed to the tip of the microscope 53, and the output light of the light source 71 is transmitted from the light projecting section 72 to the direction shown in FIG. 2(b). As shown, the semiconductor pellet 3 is irradiated obliquely from above, thereby obliquely illuminating the surface of the semiconductor pellet 3 to be inspected. Note that the angle of this oblique illumination is 20 degrees to 30 degrees (150 degrees to 160 degrees) with respect to the surface of the semiconductor pellet 3.
degree) is optimal.
さて、前記ITVカメラ54で得られた撮像画像は、先
ず二値化回路81で所定の二値化レベルにしたがって二
値化されたのち画像メモリ82に一旦記憶され、しかる
のち制御回路83に導入されるようになっている。この
制御回路83は、主制御部としてのマイクロプロセッサ
を有するもので、第3図に示す如く撮像制御手段31、
視野制御手段32、位置制御手段33、端部欠陥検出手
段34、表面欠陥検査手段35および照明切換手段36
からなる各制御機能を備えている。撮像制−〇−
御手段31は、ITVカメラ54を駆動するとともに、
二値化回路81に二値化レベルを設定しかつ画像メモリ
82の書き込みおよび読み出し各動作を制御するもので
ある。視野制部手段32は、モータ駆動回路84を介し
て前記XYテーブル2を駆動することにより、半導体ペ
レット3に対するITVカメラ54の撮像視野を可変制
御する。Now, the captured image obtained by the ITV camera 54 is first binarized by a binarization circuit 81 according to a predetermined binarization level, then temporarily stored in an image memory 82, and then introduced into a control circuit 83. It is now possible to do so. This control circuit 83 has a microprocessor as a main control section, and as shown in FIG.
Visual field control means 32, position control means 33, edge defect detection means 34, surface defect inspection means 35, and illumination switching means 36
It has various control functions consisting of: Imaging control -〇- The control means 31 drives the ITV camera 54, and
It sets a binarization level in the binarization circuit 81 and controls writing and reading operations of the image memory 82. The visual field control unit 32 variably controls the imaging visual field of the ITV camera 54 with respect to the semiconductor pellet 3 by driving the XY table 2 via the motor drive circuit 84 .
位置検出手段33は、垂直落射照明により得られた画像
から半導体ペレット3の位置を検出するものである。ま
た端部欠陥検出手段34は、前記垂直落射照明のとぎに
得られた二値化パターン像の信号レベルを判定すること
により割れや欠(J等の端部欠陥を検出づる。また表面
欠陥検出手段35は、前記斜め照明を行なった状態で1
9られる二値化パターン像の信号レベルを判定すること
に3J、す、半導体ペレッ1へ3の汚れや潰れ、表面傷
等の表面欠陥を検出する。最後に照明切換1段36は、
nft記第1の照明装置6の光源61お、1、び第2の
照明装置7の光源71を各別に駆#、I+ nることに
、」、I)、半導体ペレッ1〜3の被検査面に3=11
. !ri自mO・1照明と斜め照明とを各々別々に行
なうものである。The position detection means 33 detects the position of the semiconductor pellet 3 from an image obtained by vertical epi-illumination. Further, the edge defect detection means 34 detects edge defects such as cracks and chips (J) by determining the signal level of the binarized pattern image obtained after the vertical epi-illumination. The means 35 is configured to:
By determining the signal level of the binarized pattern image 3J, surface defects such as dirt, crushing, and surface scratches on the semiconductor pellet 1 are detected. Finally, the first stage of lighting switching 36 is
The light source 61 of the first illumination device 6 and the light source 71 of the second illumination device 7 are separately driven, I), to inspect the semiconductor pellets 1 to 3. 3=11 on the surface
.. ! The ri mO·1 illumination and the oblique illumination are performed separately.
次に、以上のように構成された装置の動作を制御回路8
3の制御手順に従って説明する。第4図(a)、(b)
は、その制御手順を示すフローチャー1〜である。Next, a control circuit 8 controls the operation of the device configured as described above.
The explanation will be given according to the control procedure of No. 3. Figure 4 (a), (b)
are flowcharts 1 to 3 showing the control procedure.
×Yテーブル2上の所定の位置に半導体ペレッi〜3を
セラ1〜し、この状態で検査開始スイッチ(図示せず)
を操作すると、制御回路83は先ずステップ4aで第1
の照明装置6の光[61に対し駆動信号を発し、これに
より半導体ペレット3に対して垂直落射照明を行なう。Place the semiconductor pellets i~3 into the cellar 1~ at a predetermined position on the ×Y table 2, and in this state turn on the inspection start switch (not shown).
When the control circuit 83 first operates the first
A driving signal is emitted to the light [61 of the illumination device 6], thereby vertically epi-illuminating the semiconductor pellet 3.
そしてこの状態でステップ4bによりITVカメラ54
に駆動信号を出力して撮像動作を開始させ、これにより
1qられた撮像画像信号を二値化回路81で二値化させ
たのち画像メモリ82に記憶させる。このどき制御回路
83は、半導体ペレット3の位置検出用としてそのポン
ディグバットを検出するために、下値化回路81に対し
比較的高い二値化レベルをム(2定゛りる。この=1直
化レベルは、ボンディングバット部分の画像IM t’
Uレベル(約0.8V)とポンディングパッドを除いた
部分の画像信号レベル(約0.4V)との中間値に設定
される。第5図(a)はその結果得られた二値化パター
ン像の一例を示すもので、ボンディングパット部分3b
のみが゛H″レベルとなって検出される。そうして位置
検出用の二値化パターン像が得られると制御回路83は
、続いてステップ4Cで上記二値化パターン像からボン
ディングパット3bをパターン認識により検出してその
位置から半導体ペレット3の位置を検出する。そしてス
テップ4dでモータ駆動回路84を介してXYテーブル
2を駆動して半導体ペレット3の位置を調整し、これに
より撮像視野の初期位置を設定する。In this state, the ITV camera 54 is
A drive signal is output to start the imaging operation, and the captured image signal 1q is thereby binarized by the binarization circuit 81 and then stored in the image memory 82. At this time, the control circuit 83 sets a relatively high binarization level to the lowering circuit 81 (2 constant, this = 1 The straightening level is the image IM t' of the bonding butt part.
It is set to an intermediate value between the U level (approximately 0.8 V) and the image signal level of the portion excluding the bonding pad (approximately 0.4 V). FIG. 5(a) shows an example of a binarized pattern image obtained as a result, and shows an example of the bonding pad portion 3b.
When the binary pattern image for position detection is obtained, the control circuit 83 subsequently detects the bonding pad 3b from the binary pattern image in step 4C. The position of the semiconductor pellet 3 is detected by pattern recognition and the position of the semiconductor pellet 3 is detected from that position.Then, in step 4d, the XY table 2 is driven via the motor drive circuit 84 to adjust the position of the semiconductor pellet 3, thereby adjusting the imaging field of view. Set the initial position.
さて、そうして撮像位置の位置決めを終了すると制御回
路83は、先ずステップ4eでITVカメラ54を駆動
して半導体ペレット3の被検査面を撮像させ、これによ
り得られた撮像画像信号を二値化回路81で二値化させ
たのち画像メモリ82に記憶させる。ところで、このと
き制御回路83は、二値化回路81に対し、ボンディン
グパラド部分を除いた部分を検出するために前記ボンデ
ィングパラ1〜の検出レベルよりも低い二値化レベル、
例えばポンディングパッド部分を除いた部分の画像信号
レベル(0,71V)とストッカ4の画像信号レベル(
0,2V)との中間値に設定する。After completing the positioning of the imaging position, the control circuit 83 first drives the ITV camera 54 in step 4e to image the surface to be inspected of the semiconductor pellet 3, and converts the obtained image signal into a binary image signal. After being binarized by the conversion circuit 81, it is stored in the image memory 82. By the way, at this time, the control circuit 83 sets the binarization circuit 81 to a binarization level lower than the detection level of the bonding parameters 1 to 1 in order to detect the portion excluding the bonding parameter portion.
For example, the image signal level of the part excluding the bonding pad part (0.71V) and the image signal level of the stocker 4 (
0.2V).
従って、この二値化により画像メモリ82には例えば第
5図(b)、(C)に示す如くポンディングパッド部分
を除いた部分3aがll HIIレベルでXYテーブル
表面2aが゛L°ルベルどなる二値化パターン像が記憶
される。尚、第5図(b)は割れや欠【ノ等の端部欠陥
が無い場合の二値化パターン像を、また(C)は同欠陥
が存在する場合の二値化パターン像の一例を示している
。そして制御回路83は、ステップ4fで上記二値化パ
ターン像におけるポンディングパッド部分を除いた部分
3aの端部の信号レベルを判定して端部欠陥の検出を行
ない、続いてステップ4qで端部欠陥の有無を判定する
。尚、この判定手段は、例えば■TVカメラ54の出力
を走査線毎にデジタル化した信号から欠陥相当の信号の
有無を検出することにより行なう。そして、欠陥無しと
判定した場合は、ステップ4iで前記XYテーブル2を
駆動して半導体ペレット3に対するITVカメラ54の
搬像視野を移動させ、しかるのちステップ4eに戻って
上記欠陥の検出動作を繰返す。そして半導体ペレッ1〜
3の端部全周に対し上記端部欠陥の検査を繰返し行ない
、ステップ4hで1ペレツトについての端部欠陥の検査
を終了したと判定すると、第4図(b)のステップ4j
に移行する。一方これらの各端部欠陥の検査中に、上記
ステップ4Qで端部欠陥ありど判定すると、制御回路8
3はその時点でその半導体ペレットに対する検査を終了
して第4図(b)のステップ4Sに移行し、ここで上記
半導体ペレッ1への排除指令を出力して次の半導体ペレ
ッ1〜に対する検査に移行する。Therefore, as a result of this binarization, the image memory 82 has a portion 3a excluding the bonding pad portion as shown in FIGS. 5(b) and 5(C). A binarized pattern image is stored. Furthermore, Fig. 5(b) shows an example of a binarized pattern image when there are no edge defects such as cracks or chips, and Fig. 5(C) shows an example of a binarized pattern image when the same defects exist. It shows. Then, in step 4f, the control circuit 83 detects an edge defect by determining the signal level at the end of the portion 3a excluding the bonding pad portion in the binarized pattern image, and then in step 4q, the edge defect is detected. Determine the presence or absence of defects. This determination means is performed, for example, by detecting the presence or absence of a signal corresponding to a defect from a signal obtained by digitizing the output of the TV camera 54 for each scanning line. If it is determined that there is no defect, the XY table 2 is driven in step 4i to move the field of view of the ITV camera 54 relative to the semiconductor pellet 3, and then the process returns to step 4e to repeat the defect detection operation. . And semiconductor pellet 1~
The above-mentioned end defect inspection is repeatedly performed on the entire circumference of the end of pellet No. 3, and when it is determined in step 4h that the end defect inspection for one pellet has been completed, step 4j of FIG. 4(b) is performed.
to move to. On the other hand, during the inspection of each of these end defects, if it is determined in step 4Q that there is an end defect, the control circuit 8
3 finishes the inspection of the semiconductor pellet at that point and moves to step 4S of FIG. Transition.
さて、上記端部欠陥の検査を終了してステップ4 、+
に移行すると制御回路83(J、次にそれまで吟・
駆v)状態どしていた第1の照明装置6の動作を
停止させ、それに代わって第2の照明装置7の光源71
に駆動信号を出力して第2の照明装置7にJ、る斜め照
明を開始させる。つまり半導体ペレツ1〜3に対する照
明の形態を切換える。そしてこの状態で、先ずステップ
4 kにより前記垂直落射照明の時にステップ4Gで検
出した半導体ペレット3の位置に応じて撮像視野の初期
位置を設定し、しかるのちステップ4aでITVカメラ
54を駆動して半導体ペレット3の被検査面を撮像させ
、これにより得られた撮像画像信号を二値化回路81で
所定の二値化レベルに従って二値化させたのち画像メモ
リ82に記憶させる。このとき、上記二値化レベルは、
ポンディングパッド部分を除いた部分3aの画像信号レ
ベルど表面欠陥の画像信号レベルとの中間値に設定され
るため、表面欠陥が存在しなければ第6図(a)のよう
に全域が゛L″レベルとなり、一方表面欠陥がある場合
には例えば第6図(b)に示す如く欠陥部分3Gが゛H
″レベルとなって現われる。これは、斜め照明を行なう
ことにより、正常なポンディングパッド部分を除いた部
分3aでは照明光が全反射してITVカメラ54に導入
されないのに対し、表面欠陥部分3Cでは斜め上方から
の照明光が乱反射してTTVカメラ54に導かれるため
である。Now, after completing the inspection for the edge defects, proceed to step 4,+
When it moves to the control circuit 83 (J, then the
v) Stop the operation of the first lighting device 6 which has been in a state of failure, and switch on the light source 71 of the second lighting device 7 instead.
A drive signal is output to cause the second illumination device 7 to start diagonal illumination. In other words, the form of illumination for the semiconductor pellets 1 to 3 is switched. In this state, first, in step 4k, the initial position of the imaging field of view is set according to the position of the semiconductor pellet 3 detected in step 4G during the vertical epi-illumination, and then, in step 4a, the ITV camera 54 is driven. The surface to be inspected of the semiconductor pellet 3 is imaged, and the obtained image signal is binarized by a binarization circuit 81 according to a predetermined binarization level, and then stored in the image memory 82. At this time, the above binarization level is
The image signal level of the portion 3a excluding the bonding pad portion is set to an intermediate value between the image signal level of the surface defect, so if there is no surface defect, the entire area is “L” as shown in FIG. 6(a). On the other hand, if there is a surface defect, the defective portion 3G becomes ``H'' level as shown in FIG. 6(b), for example.
This is because by performing oblique illumination, the illumination light is totally reflected in the part 3a excluding the normal bonding pad part and is not introduced into the ITV camera 54, whereas the surface defect part 3C This is because the illumination light from diagonally above is diffusely reflected and guided to the TTV camera 54.
そして制御回路83は、こうして得られた二値化パター
ン像からステップ4mで半導体ペレット3表面の汚れや
潰れ等の表面欠陥を’ l−4”レベルの画素数を計数
することにより検出し、しかるのちステップ4nで表面
欠陥の有無の判定を行なう。Then, the control circuit 83 detects surface defects such as stains and crushing on the surface of the semiconductor pellet 3 from the thus obtained binary pattern image by counting the number of pixels at the '1-4'' level in step 4m. Thereafter, in step 4n, the presence or absence of surface defects is determined.
そして欠陥無しと判定した場合は、前記端部欠陥の検出
時と同様にステップ4pで撮像視野の位置をXYテーブ
ル2により移動させる毎に表面欠陥の検査動作を繰返し
、1ペレツトの全域についての検査を終了したとステッ
プ40で判定した時点で、ステップ4rに移行して欠陥
が無いことを示す信号、つまり良品信号を出力し、しか
るのち次の半導体ベレッ]・3があればこの半導体ペレ
ット3に対する検査に移行する。一方、上記各表面欠陥
の検査動作中に、−に記ステップ4nで欠陥ありと判定
した場合は、その時点でステップ4Sに移行してここで
排除指令を出力し、次の半導体ぺ1ノツ1〜3に対する
検査に移行する。If it is determined that there is no defect, the surface defect inspection operation is repeated every time the position of the imaging field of view is moved by the XY table 2 in step 4p in the same way as when detecting the edge defect, and the entire area of one pellet is inspected. When it is determined in step 40 that the process has been completed, the process moves to step 4r and outputs a signal indicating that there is no defect, that is, a non-defective signal, and then the next semiconductor pellet]・3 is detected for this semiconductor pellet 3. Move on to inspection. On the other hand, during the above-mentioned inspection operation for each surface defect, if it is determined that there is a defect in step 4n described in -, the process moves to step 4S at that point, where an exclusion command is output, and the next semiconductor chip is inspected. - Move on to inspection for 3.
このにうに本実施例であれば、各半導体ペレット3毎に
欠陥を自動検査でき、しかも垂直落射照明と斜め照明と
をそれぞれ行なってこれらの照明毎に割れや欠は等の端
部欠陥と汚れや潰れ等の表面欠陥とを各別に検出するよ
うにしたことによって、複雑な画像処理を行なうことな
く簡単かつ高速にしかも精度良く全ての欠陥を検出する
ことができる。従って構成簡易にして生産性を向上させ
ることができる。In this way, with this embodiment, defects can be automatically inspected for each semiconductor pellet 3, and by performing vertical epi-illumination and oblique illumination, each of these illuminations can detect edge defects such as cracks and chips, and dirt. By detecting surface defects such as cracks and cracks separately, all defects can be detected easily, quickly, and accurately without performing complicated image processing. Therefore, the configuration can be simplified and productivity can be improved.
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えば、」:記実施例では先ず垂直落射照明を行なって端
部欠陥の検出を行ない、次に斜め照明に切換えて表面欠
陥の検出を行なうようにしたが、この順序は逆に設定し
てもよい。但しこの場合は、斜め照明を行なう前に一旦
垂直落射照明を行なって半導体ペレット3の位置を検出
する必要がある。また前記実施例では半導体ペレットの
欠陥を検査する場合について説明したが、端部欠陥およ
び表面欠陥が生じる製造物であれば、どのようなもので
あっても同様に適用することができる。Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, vertical epi-illumination was first used to detect edge defects, and then diagonal illumination was used to detect surface defects, but this order can also be reversed. good. However, in this case, it is necessary to once perform vertical epi-illumination to detect the position of the semiconductor pellet 3 before performing oblique illumination. Further, in the above embodiment, a case was described in which a semiconductor pellet was inspected for defects, but the present invention can be similarly applied to any product as long as it has edge defects and surface defects.
その他、各照明装置の構成や制御手順、制御内容、欠陥
の検出手段、搬像手段の構成、視野の制御手段の構成等
についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施できる。In addition, the configuration of each illumination device, control procedure, control content, defect detection means, image conveyance means, field of view control means, etc. can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention. .
(発明の効果)
以上詳述したように本発明によれば、垂直落射照明を行
なう第1の照明手段と、斜め上方から照明を行なう第2
の照明手段とを設け、これらの照明手段により被検査物
に対しそれぞれ照明を行なって、上記垂直落射照明時に
得られる撮像画像から被検査物の割れや欠は等の端部欠
陥を検出するようにし、かつ斜め上方からの照明を行な
ったときに得られる搬像画像から被検査物の汚れや潰れ
等の表面欠陥を検出するようにしたことによって、検査
者に頼ることなく高能率に精度良く欠陥の検出を行なう
ことができ、しかも如何なる種類の欠陥であっても高精
度にかつ構成簡易にして検出することができる外観検査
装置を提供することができる。(Effects of the Invention) As detailed above, according to the present invention, the first illumination means performs vertical epi-illumination, and the second illumination means performs illumination from diagonally above.
illumination means, and these illumination means illuminate the object to be inspected to detect edge defects such as cracks and chips from the captured image obtained during the vertical epi-illumination. By detecting surface defects such as dirt and crushing of the object to be inspected from the image obtained when illumination is performed from diagonally above, it is possible to detect surface defects with high efficiency and accuracy without relying on inspectors. It is possible to provide a visual inspection device that can detect defects and can detect any type of defects with high precision and with a simple configuration.
図は本発明の一実施例における外観検査装置を説明する
ためのもので、第1図は同装置の全体の構成を示す図、
第2図(a)、(b)はそれぞれ垂直落射照明および斜
め照明を行なう照明装置の構成を模式的に示した図、第
3図は制御回路の機能を示Jブロック図、第4図(a)
、(b)は制御回路の制御手順を示すフローチャート、
第5図(a)〜(C)および第6図(a)、(b)はそ
れぞれ作用説明に用いるための二値化パターン像を示す
模式図である。
1・・・基台、2・・・XYテーブル、3・・・半導体
ペレッ!〜、3a・・・ボンA7デイングパツド部分を
除いた部分、3b・・・ボンディングパラ1〜部分、3
G・・・表面欠陥部分、5・・・照像装置、53・・・
顕微鏡、54・・・ITVカメラ、6・・・第1の照明
装置、7・・・第2の照明装置、81・・・二値化回路
、82・・・画像メモリ、83・・・制御回路、84・
・・モータ駆動回路。The drawings are for explaining a visual inspection device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of the device;
Figures 2 (a) and (b) are diagrams schematically showing the configuration of a lighting device that performs vertical epi-illumination and oblique illumination, respectively, Figure 3 is a block diagram showing the functions of the control circuit, and Figure 4 ( a)
, (b) is a flowchart showing the control procedure of the control circuit,
FIGS. 5(a) to 5(C) and FIGS. 6(a) and 6(b) are schematic diagrams showing binarized pattern images for use in explaining the operation, respectively. 1... Base, 2... XY table, 3... Semiconductor pellet! 〜, 3a...Bon A7 portion excluding deging pad part, 3b...Bonding para 1~ portion, 3
G...Surface defect portion, 5...Illumination device, 53...
Microscope, 54... ITV camera, 6... First illumination device, 7... Second illumination device, 81... Binarization circuit, 82... Image memory, 83... Control circuit, 84・
...Motor drive circuit.
Claims (3)
手段と、被検査物に対し斜め上方から照明を行なう第2
の照明手段と、これらの照明手段により各別に照明され
た被検査物の被検査面をその垂直上方で撮像する撮像手
段と、前記第1の照明手段による照明時に前記撮像手段
により得られる画像情報から被検査物の端部欠陥を検出
する手段と、前記第2の照明手段による照明時に前記撮
像手段により得られる画像情報から被検査物の表面欠陥
を検出する手段とを具備したことを特徴とする外観検査
装置。(1) A first illumination means that vertically illuminates the object to be inspected, and a second illumination means that illuminates the object obliquely from above.
an illumination means, an imaging means for taking an image vertically above the inspection surface of the object to be inspected that is separately illuminated by these illumination means, and image information obtained by the imaging means when illuminated by the first illumination means. and means for detecting surface defects of the object to be inspected from image information obtained by the imaging means during illumination by the second illumination means. Appearance inspection equipment.
る照明は、外観検査時に切換えるものである特許請求の
範囲第(1)項記載の外観検査装置。(2) The visual inspection apparatus according to claim (1), wherein the illumination by the first illumination means and the illumination by the second illumination means are switched during the visual inspection.
第(1)項記載の外観検査装置。(3) The appearance inspection apparatus according to claim (1), wherein the object to be inspected is a semiconductor pellet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18102584A JPS6157837A (en) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Inspecting device for outer appearance |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18102584A JPS6157837A (en) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Inspecting device for outer appearance |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6157837A true JPS6157837A (en) | 1986-03-24 |
JPH0554622B2 JPH0554622B2 (en) | 1993-08-13 |
Family
ID=16093445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18102584A Granted JPS6157837A (en) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Inspecting device for outer appearance |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6157837A (en) |
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-
1984
- 1984-08-30 JP JP18102584A patent/JPS6157837A/en active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0554622B2 (en) | 1993-08-13 |
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