JPH02254308A - 外観検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置あるいは他の電子部品等の外観検
査、特に多項目の外観検査を効率的に行うことのできる
技術に関する。

〔従来の技術〕

この種の技術について記載されている例としては、特開
昭６２−１０３５４８号公報、あるいは特開昭６２−１
５６５４７号公報等がある。

半導体装置等の製造においては、パッケージの外観が品
質に大きく影響する場合が多い。すなわち、当該製品に
おいてリードを含むパッケージ不良が生じていると視覚
的に印象が悪いというばかりでな（、実装不良あるいは
水分の侵入等による特性劣化を来し易い場合が多い。そ
のために、製造工程の最終段階ではこれらの外観が一定
基準を満たしているかを検査する外観検査工程が行われ
ている。

かかる外観検査は、上記の各公報にも記載されているよ
うに、ＩＣパッケージ等の被検査対象に対してできるだ
け均一な照度を有する照明系を用意し、被検査対象とし
てのパッケージ表面あるいはリードからの反射光を検出
してこれを検査者の視覚を通じて認識し、製品の良否を
判定するものが一般的である。

ところで、上記外観検査における検査項目としては、リ
ードに関するものだけでもたとえば、リード曲がり、リ
ードの欠落、リード平坦度、表面の傷、打痕、メツキ状
態等多岐にわたっており、この他にパッケージに関する
項目としてはモールドくぼみ、ボイド、パッケージ欠け
、割れ、さらにはパッケージ表面のマークの印字状態に
至るまで多種の検査項目がある。これらの複数種類の検
査項目に対して、検査手段としては被検査物体に対して
一律的な照明光の照射を行うことによって行っていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記のように多種の検査項目間において、最
適な検査条件、特に照明条件は一定なものではなく、検
査項目毎に照明条件が及ぼす影響、たとえば不良検出率
等が大きく異なることが本発明者によって見い出された
。すなわち、上記従来技術においては、パッケージ本体
表面とリード表面とのように光の反射率の大きく異なる
被検査対象部位間であっても一定の照明条件下しか設定
せずに、多種にわたる検査項目を実施していたため、項
目によっては必然的に不良検出率が低下し、精度の高い
外観検査を実施することが困難な状況となっていた。

また、上記の如く検査者の目視に依存した検査基準によ
っては客観的な良否判定が′難しく、これも検査精度を
低下させる要因であった。

さらに、照明光量等の条件を異なったものに設定した複
数の検査装置を用意することも考えられるが、検査効率
を著しく低下させるおそれがあり、現実的ではなかった
。

本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、そ
の目的は、多種の項目にわたる外観検査を高精度かつ効
率的に行うことのできる技術を提供することにある。

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。

すなわち、被検査対象に対して照明条件を可変にして多
種の検査項目に対してそれぞれ最適な照明状態の設定を
行うものである。

また、被検査対象に対してあらかじめ照明光源の照明条
件設定のために用意されたパラメータを種々に変更して
多種の検査項目を実施する際に、検査項目を完全不良項
目と再生可能不良項目とに分け、完全不良項目を検査し
た後に再生可能不良項目を検査するものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、多種の検査項目に対してそれぞ
れ最適な照明状態の設定を可能とすることにより、パッ
ケージ本体表面とリード表面とのように光の反射率の異
なる被検査部位間においても不良検出率が変化すること
なく、常に高精度な検出を行うことができる。

また、検査項目を完全不良項目と再生可能不良項目とに
分け、完全不良項目を検査した後に再生可能不良項目を
検査することによって、完全不良項目に該当する不良の
検出された被検査対象物はこの段階で排除されるため、
次の再生可能不良項目の検査を効率的に行うことができ
、外観検査の効率化を図ることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である外観検査装置の光学系
を示す説明図、第２図はその処理系を示すブロック図、
第３図は照明光源を示す斜視図、第４図は照明光源の移
動による変化の状態を示す説明図、第５図はリング照明
の断面構造を示す断面図、第６図は被検査対象の移動手
順を説明するためのブロック図、第７図は装置構成の外
観を示す斜視図、第８図（ａ）〜（ｒ）はそれぞれ被検
査対象のリード部における不良項目を具体的に示す説明
図、第９図（ａ）〜（１）はそれぞれ被検査対象のモー
ルド部における不良項目を具体的に示す説明図、第１０
図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ被検査対象のパッケージ表
面のマーキング部における不良項目を具体的に示す説明
図、第１１図は外観検査装置内における被検査物体の移
動手順を具体的に示す説明図、第１２図はリード平坦度
修正部の機構を示す断面図、第１３図（ａ）〜（６）は
検査部における被検査物体と検査ヘッドとの位置関係を
示す説明図、第１４図は検査ヘッドの内部における光学
系を示す説明図、第１５図は実施例の実験結果を説明す
るための光学系とリング照明と被検査物体である半導体
装置の配置状態を示す説明図、第１６図〜第２２図は実
施例の説明のために、本発明者の実験によって得られた
各検査項目における不良検出精度（縦軸）と照明光の入
射角度θ（横軸）との関係を示す説明図である。

本実施例における外観検査装置１は第７図に示すように
、装置本体２と、これを制御するパソコンシステム等か
らなる制御部３とで構成されており、制御部３には同図
に図示されているプリンタ装置４および制御情報を表示
するためのデイスプレィ５の他に同図では図示されてい
ないが外部記憶手段として磁気ディスク装置６等が備え
られている。

本実施例で用いられる照明光源は照明本体がリング状に
構成された、いわゆるリング照明７であり、第３図に示
すようなランプハウス８を有している。ランプハウス８
には図示しないハロゲンランプなどの照明光源が内蔵さ
れており、この照明光源によって発生された照明光が束
状に構成された光フアイバケーブル１０を経由してリン
グ照明７に伝えられる構成となっている。

第１図は、上記リング照明７を２重構造としたものを示
しており、外周側のリング照明７ａと内周側のリング照
明７ｂとで照灯の切り換えを行うことによって、被検査
対象物である半導体装置１１に対して照射される照明光
の照明角度θを変更可能となっている。このような、２
重構造のリング照明７は、第５図に示すように大径のリ
ング照明７ａと小径のリング照明７ｂとで各々独立した
照明が可能な構造とされており、各リング照明７内には
たとえば光ファイバが埋め込まれた構造を有している。

なお、照明条件の変更方法として、第１図に示した大径
のリング照明７ａと小径のリング照明７ｂとの照灯の切
り換えによるものの他、第４図に示すように単一のリン
グ照明７を用意し、このリング照明７を半導体装置１１
に対して上下動させる構造としてもよい。

上記照明光源からの照明光は、半導体装置１１０表面で
反射した後、リング照明７の上方に位置するＴＶカメラ
１３によって光電変換される。Ｔ■カメラ１３の撮像信
号は、概略的には第２図に示すように、まずＡ／Ｄ変換
部１４においてＡ／Ｄ変換された後、多値化部１９にお
いて２値化あるいは多値化されて一旦メモリ１５に格納
された後、検出部１６において、予めサンプリングされ
た基準信号と比較されて外観不良の有無が検出される。

第６図は、半導体装置１１の移動手順を示しており、同
図に示すように、ローダ・アンローダ１７より供給され
、位置決めの行われた半導体装置１１は、まずリード平
坦度修正部１８においてリード２０の平坦度が修正され
た後、検査部２１　（同図では第１検査部２１ａ〜第３
検査部２１ｃまでを図示）において所定の検査が実施さ
れ、搬送部２２によってローダ・アンローダ１７に戻さ
れる。

上記の半導体装置１１の移動は、たとえばコンベア等の
搬送手段により行われ、これらは第６図に示す駆動機構
制御部２３によって制御されている。検査部２１は各々
画像処理部２４に接続されており、検査部２１より得ら
れた画像信号はこの画像処理部２４で処理されるととも
にＣＲＴ等のモニタ２５によってオペレータの目視によ
る監視が可能となっている。上記画像処理部２４は、制
御部３によって制御される構成となっている。

上記構成を装置上のレイアウトで示したものが第１１図
である。半導体装置１１である半導体装置１１は、収納
トレイ２６に収容された状態でローダ・アンローダ１７
に°供給され、該収納トレイ２６より順次１個ずつ取り
出されて位置決め部９にてパッケージの位置決めが行わ
れた後、リード平坦度修正部１８に送られる。リード平
坦度修正部１８では、第１２図（ａ）およびら）に示す
ように、押上機構２７と押下機構２８とを備えており、
両機構２７．２８は共に半導体装置１１のパッケージ面
を固定する真空吸引口３“０を備えた吸着ステージ３１
を有している。押上機構２７における吸着ステージ３１
の上方にはリード押え３２が半導体装置１１の側面より
突出されたリード２０の根元部分を同図上方より支持す
るように設けられている。上記リード２０に対してその
下方には押上型３３が配置されており、上記リード２０
の先端部分を下方から上方に一定距離だけ押し上げる構
造となっている。

一方、押下機構２８は、第１２図ら）に示すように吸着
ステージ３１の側方に配置され、半導体装置１１の側面
から突出されたリード２０の根元部分を同図下方より支
持するリード押え３２と、その上方に配置された押下型
３４を有しており、上記リード２０の先端部分を上方よ
り下方に一定距離だけ押し下げる構造となっている。

上記押上機構２７ふよび押下機構２８の押上型３３およ
び押下型３４は、マイクロメータヘッド等により定量的
な移動が可能な構造となっており、同図のようにガルウ
ィング状にリード２０が形成された製品に対して、リー
ド２０の押し下げおよび押し上げの２工程を通じて平坦
度の修正を行うものである。

上記リード平坦度修正部１８においてリード２０の平坦
度修正の行われた半導体装置１１は、検査ＩｆＢ２１に
送られて所定の外観検査が実施される。

第１３図（ａ）〜（６）はそれぞれ第１〜第４検査部（
２１ａ〜２１ｄ）における半導体装Ｗ１１１と検査ヘッ
ド３５との位置関係を示したものである。すなわち、第
１検査部２１ａ　（第１３図（ａ））では半導体装置１
１の側面方向に検査ヘッド３５．３５が配置されており
、リード２０の平坦度、パッケージ側面のボイド、リー
ド２０の根元部分の半田付着等が検査される。第２検査
部２１ｂ（第１３図（ハ））では、検査へラド３５は半
導体装置１１の上方に配置されてふり、主としてパッケ
ージ表面のボイド、異物付着、パッケージの欠け／クポ
ミ、パフケージクラック、マーキング状態、リード２０
０曲がり等が検査される。第３検査部２１ｃ（第１３図
（Ｃ））では、半導体装置１１の下方に検査ヘッド３５
が配置されており、半導体装置１１の下面側から上記第
１３図（社）で説明したものと同様の検査項目を実施す
る。なお、前述の第６図では図示していないが、第４検
査部２１ｄ（第１３図（社））として検査ヘッド３５を
半導体装置ＩＩの側面方向に配置して、リード２０の平
坦度および曲がり等をさらに精密に検査するかあるいは
第１検査部２１ａ〜第３検査部２ＩＣで検査することが
出来ない部分（リード裏側）の検査を行うようにしても
よい。

第１４図は、上記検査へγド３５の構成を示している。

第１４図の検査ヘッド３５の配置は第１３図（ｂ）の検
査へラド３５の配置状態に対応しているものとする。こ
の配置状態において、リング照明７の上方に位置する検
査へラド３５の内部には、レンズ３６を経てガルバノミ
ラ−３７が配置されており、このガルバノミラ−３７に
よって反射された反射光が例えば２０４８画素のＣＣＤ
リニアセンサによって構成された受光素子３８に入光さ
れ、半導体装置１１からの反射光を画像信号に変換する
構成となっている。なお、上記ガルバノミラ−３７は、
ガルバノミラ−制御部４０によって反射角度を移動でき
る構造とされており、半導体装置１１のパッケージ表面
を所定の範囲で走査可能となっている。

次に、本実施例における主な検査項目について第８図〜
第１０図を用いて具体的に説明する。

第８図（ａ）〜（ｒ）は半導体装１１ｉ！１１のリード
部における不良項目を各々示している。

同図（ａ）はフラットパッケージ、（ｂ）はＪリードパ
ッケージのリード平坦度に関する不良状態を示しており
、同図中に示すばらつきΔａが所定値、たとえば数十μ
ｍ以上の場合にはリード平坦度不良とされるものである
。

同図（Ｃ）および（６）は、リード曲がり不良、すなわ
ちリード２０の水平方向のずれを示しており、このずれ
量Δａが一定値以上となった場合が不良とされる。

同図（ｅ）はリード不揃い不良、同図げ〕はダム切断不
良、同図（（至）はリード打痕不良、同図（社）はレジ
ンフラッシュ不良、同図（ｉ）はリードキズ不良、同図
（Ｊ）はめっき不良、同図（資）は半田濡れ不良、同図
（１）は半田ブリッジ不良、同図■は半田ヒゲおよび半
田ツララ不良、同図（ｎ）〜（ロ）はそれぞれ半田突起
／過多／粒不良、同図（６）は異物付着不良、同図（ｒ
）は汚れ不良をそれぞれ示している。これらの各検査項
目は同一の検査部２１で同時に検査可能なものも多い。

たとえば、同図（ｅ）〜同図０）等の項目については同
時に検査可能である。

第９　図（ａ）〜（ｉ）は、モールド部における不良項
目をそれぞれ示している。

すなわち、同図（ａ）および（ｂ）は、半導体装置１１
のパッケージ表面におけるボイド不良を示しており、同
図（Ｃ）は主としてレジンクズ等による異物付着不良、
同図（６）および（ｅ）はカケ／クボミ不良、同図（ｆ
）はパッケージクラック不良、同図（８）はキズ不良、
同図（社）は汚れ／シミ不良、同図（りは半田付着不良
をそれぞれ示している。なお、同図では（１）のみＤＩ
Ｐ形のパッケージ構造で示しているが、他のパッケージ
構造であっても検査項目はほぼ同様である。

第１０図（ａ）〜（Ｃ）は、それぞれマーキング不良の
態様を示しており、同図（ａ）は文字の一部が欠けてい
る状態のマーク欠は不良、同図ら）は文字が消えている
マーク消え不良、同図（Ｃ）はマーキングの濃淡が異常
となっている濃淡不良をそれぞれ示している。なおマー
キング不良に関してはこの他にも図示していないが、イ
ンク付着、位置ズレ、ダブリマーキング等の不良項目が
ある。

なお、第１０図にそれぞれ示したマーキング不良の検査
に関しては、先の第８図におけるリード部の検査あるい
はモールド部の検査等において同時に実施することが可
、能である。

また、上記第８図〜第１０図で説明した検査項目は完全
不良項目と再生可能不良項目とに分類することができる
。すなわち、前者はその不良が再加工によって補填でき
ない程度のものであり、当該不良が発見されるとその製
品はライン上から廃棄してしまう以外にないものを指す
。これらに該当するものとしては、リードの不揃い不良
（第８図（ｅ））　、リード打痕不良（第８図（〕）、
めっき不良（第８図（社））、ボイド不良（第９図（ａ
））、パッケージクラック不良（第９図（ｆ））等があ
る。また、後者の再生可能不良は、不良箇所の修正によ
って再生可能な項目であり、リード平坦度不良（第８図
（ａ）および（ｂ））、リード曲がり不良（第８図（Ｃ
）および（６））、半田濡れ不良（第８図Ｃｋ））　、
半田ブリッジ不良（第８図（１））、等がある。

本実施例の検査部２１で行われる不良項目の検査に際し
ては、まず前者の完全不良項目についての検査を行い、
続いて再生可能不良項目の検査を行うことにより、完全
不良項目該当製品をラインから強制的に排除した後に、
効率的に再生可能不良項目の検査を行うことができ、検
査重複の無駄を低減することができる。

次に、本実施例により得られた不良検出率の変化につい
て本発明者の実験結果を基に説明する。

本実験において、本発明者は第１５図に示すように、被
検査物体である半導体装置１１の上方りの高さに上下動
可能な直径ｒのリング照明７を配置し、その上方に光学
系４１を配置した。このとき、リング照明７からの入射
光と基準光軸ｌとで構成される角度をθとしてリング照
明７の高さｈを変化させることによりこの角度θを変化
させて不良検出率の変化を測定した。

なお、第１６図〜第２２図において、◎、Ｏ１△、Ｘは
不良検出率の度合を示しており、◎は最適な画像認識に
より不良検出が最適な状態で行われた場合、Ｏは概ね適
正な状態となっている場合、△は検出にやや難がある場
合、×は検出が困難な場合をそれぞれ示している。

第１６図は第９図（ａ）もしくは（ｂ）に示すようなパ
ッケージ表面におけるボイドの検出を行った実験結果を
示しており、予めφ＝２００〜３００μｍ程度のボイド
不良を生じている製品を試料として用意し、不良検出率
をθ＝　１２．３°〜４０．９°の範囲でモニタ２５上
における認識画像によって検査した。この結果、同図に
示すように、θが１２゜３°〜２３．６°の間では上記
ボイドが鮮明に検出可能であったが、２７．５　＠〜３
３．０°の間では検出に難があり、３９．１°以上では
検出不可能であった。この結果、パッケージ表面のボイ
ドの検出においては、θが小さい値、すなわちｈを比較
的高い位置に配置する方が検出率が高くなることが判明
した。

第１７図は、第８図（１〕に示したようなり−ドキズ不
良を検出する場合を示してふり、この場合には同図に示
すように、１２．３　’〜１６．３　’の狭い範囲で検
出率が高いことが明かとなった。

第１８図は、第８図（ｇ）に示したようなり−ド打痕不
良の検出を示しており、このような検査項目においては
２２．１°〜４０．９°の比較的θの大きくなる範囲、
すなわちｈの値が小さくなるように半導体装置１１に対
してリング照明７を降下・接近させた位置に配置するこ
とにより不良検出率が高くなることが明らかになった。

第１９図は、第８図（社）に示したレジンフラッシュ不
良の検出を示しており、この種の検査項目では１２．３
°〜３３，０°の比較的広範囲で高い検出率が得られて
いる。

第２０図は、半導体装置１１のパッケージに右けるモー
ルドキズ不良（第９図（ｇ））の検出率の変化を示して
おり、当該検査項目については、２２゜５゛〜４０．９
　＠の範囲における検出率が高くなっている。

第２１図は、半導体装置１１のパッケージに右けるモー
ルド異物付着（第９図（Ｃ））の検出率の変化を示して
おり、同図によればθ＝　１２．３°〜４０．９°の範
囲で概ね適正な検出率を維持できている。

第２２図は、半導体装置１１におけるパッケージ表面の
マーキング不良を示しており、２２．１゜〜４０．９°
の範囲で高い・検出率が得られている。

以上第１６図〜第２２図で示したように、各検査項目に
よって高い検出率の得られる角度θの範囲は異なってお
り、検査項目毎に最高検出率の得られるように角度θを
設定する必要のあることが理解できる。

上記角度θの設定は、先に説明したように、第１５１！
ｌに示した高さｈを変化させることによって可能である
。な右、第１５図ではリング照明７を上下動させて高さ
ｈを変化させ、これにともなって角度θを変化させる場
合で説明したが、これに限らず第１図で説明したように
、大径と小径のリング照明７ａ、７ｂを用意し、これら
の照灯を切り換えることによって角度θを２段階あるい
は数段階に変化させてもよい。

さらに、上記以外にも、リング照明７を高さｈの異なる
位置に複数系統設けた構成として、これらの照灯を切換
制御することによって角度θを段階的に変更する機構と
してもよい。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、照明条件の変
更としては、被検査対象に対する照明光源の照射角度を
変更する場合について説明したが、これに限らず他の照
明条件の変更、たとえば照明光量の変更等を行うことに
してもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆる半導体装置製造におけ
るパッケージ組立後の外観検査技術に適用した場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、たと
えば半導体ウェハ状態における外観検査、さらには他の
電子部品等における外観検査に広く適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

すなわち、多種の検査項目に対してそれぞれ最適な照明
状態の設定を可能とすることにより、光の反射率の異な
る被検査部位間にふいても不良検出率が変化することな
く、常に高精度な検出を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である外観検査装置の光学系
を示す説明図、 第２図はその処理系を示すブロック図、第３図は上記実
施例における照明光源を示す斜視図、 第４図は同じく照明光源の移動による変化の状態を示す
説明図、 第５図はリング照明の断面構造を示す断面図、第６図は
本実施例における被検査対象の移動手順を説明するため
のブロック図、 第７図は装置構成の外観を示す斜視図、第８図（ａ）〜
（ｒ）はそれぞれ被検査対象のリード部における不良項
目を具体的に示す説明図、第９図（ａ）〜（１）はそれ
ぞれ被検査対象のモールド部における不良項目を具体的
に示す説明図、第１０図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ被検
査対象のパッケージ表面のマーキング部における不良項
目を具体的に示す説明図、 第１１図は実施例の外観検査装置内における被検査物体
の移動手順を具体的に示す説明図、第１２図（ａ）およ
び（５）は実施例のリード平坦度修正部の機構を示す断
面図、 第１３図（ａ）〜（ｄ）は各検査部における被検査物体
と検査ヘッドとの位置関係を示す説明図、第１４図は実
施例における検査ヘッドの内部における光学系を示す説
明図、 第１５図は本実施例の実験結果を説明するための光学系
とリング照明と被検査物体である半導体装置の配置状態
を示す説明図、 第１６図〜第２２図は実施例の説明のために、本発明者
の実験によって得られた各検査項目における不良検出精
度（縦軸）と照明光の入射角度θ（横軸）との関係を示
す説明図である。 １・・・外観検査装置、２・・・装置本体、３・・・制
御部、４・・・プリンタ装置、５・・・デイスプレィ、
７・・・リング照明、７ａ・・・リング照明、７ｂ・・
・リング照明、８・・・ランプハウス、９・・・位置決
め部、１０・・・光フアイバケーブル、１１・・・半導
体装置、１３・・・ＴＶカメラ、１４・・・Ａ／Ｄ変換
部、１５・・・メモリ、１６・・・検出部、１７・・・
ローダ・アンローダ、１８・・・リード平坦度修正部、
１９・・・多値化部、２０・・・リード、２１・・・検
査部、２１ａ・・・第１検査部、２１ｂ・・・第２検査
部、２１ｃ・・・第３検査部、２１ｄ・・・第４検査部
、２２・・・搬送部、２３・・・駆動機構制御部、２４
・・・画像処理部、２５・・・モニタ、２６・・・収納
トレイ、２７・・・押上機構、２８・・・押下機構、３
０・・・真空吸引口、３１・・・吸着ステージ、３２・
・・リード押え、３３・・・押上型、３４・・・押下型
、３５・・・検査ヘッド、３６・・・レンズ、３７・・
・ガルバノミラ−３８・・・受光、ｌ、４０・・・ガル
バノミラ−制御部、４１・・・光学系、θ・・・入射角
度。 代理人　弁理士　筒　井　大　和 第 図 第 図 第２ １１面の浄書 第７図 図面の浄； 第 図 図面の浄書 第 図 （ａ） （ｂ） 第１０図 第 図 （ａ） （ｂ） 第 図 図面の浄書 （Ｃ） （ｄ） 第１４ 図 第 図 第１７ 図 第１８ 図 第１９ 図 第２０図 第 図 第２２ 図 手続補正書 （方式） ％式％ 発明の名称 外観検査方法および装置 ３゜ 補正をする者 事件との関係 名称（５１０）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被検査対象に対して照明光を照射し、この反射光に
   よって外観状態を検査する外観検査であって、照明条件
   を可変にして多種の検査項目に対してそれぞれ最適な照
   明状態の設定を可能とすることを特徴とする外観検査方
   法。 ２、上記照明条件の変更は被検査対象に対する照明光源
   の照射角度を連続的に変化させることにより行うことを
   特徴とする請求項１記載の外観検査方法。 ３、上記照明条件の変更は被検査対象に対する照明光源
   の照射角度を段階的に変化させることにより行うことを
   特徴とする請求項１記載の外観検査方法。 ４、所定の被検査対象に対してあらかじめ照明光源の照
   明条件設定のために用意されたパラメータを種々に変更
   して多種の検査項目を実施する際に、検査項目を完全不
   良項目と再生可能不良項目とに分け、完全不良項目を検
   査した後に再生可能不良項目を検査することを特徴とす
   る外観検査方法。 ５、被検査対象に対して相対的に移動可能な照明光源と
   、２以上の検査項目の変更にしたがって被検査対象と照
   明光源との位置を予め定められた最適値に設定する制御
   手段とを備えた外観検査装置。 ６、被検査対象に対して切換照灯が可能な２以上の照明
   光源と、２以上の検査項目の変更にしたがって２以上の
   照明光源のうちから最適な照明光源を選択して照灯させ
   る制御手段とを備えた外観検査装置。 ７、上記２以上の照明光源は、被検査対象に対して配置
   されたリング径の異なる２以上のリング照明からなるこ
   とを特徴とする請求項６記載の外観検査装置。 ８、上記２以上の照明光源は、被検査対象に対して高さ
   位置の異なる２以上のリング照明からなることを特徴と
   する請求項６記載の外観検査装置。 ９、照明光源と光学系と面像認識手段とをそれぞれ備え
   た２以上の画像入力部を有しており、各画像入力部では
   各々異なる照明配置によって認識された被検査対象から
   の認識画像を得ることを特徴とする外観検査装置。