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JP7266398B2 - 切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法 - Google Patents

切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法 Download PDF

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Description

本発明は、切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法に関する。
近年、電子機器の軽薄短小化の要求に伴い、半導体デバイスが形成された半導体ウエーハ（以下ウエーハという）の薄化が進んでいる。この種のウエーハの外周縁は表面から裏面に亘りＲ形状に面取りされているため、ウエーハの裏面を研削して薄化すると、外周縁が所謂ナイフエッジ状態となり、研削中のウエーハの外周縁に欠けが発生しやすいという問題がある。この問題を解決するために、予めウエーハのデバイス面側に外周縁に沿った環状溝を形成するエッジトリミング技術が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
一方、この種のエッジトリミングでは、所定の幅にウエーハの外周縁が除去されていないと、Ｒ形状が残ってしまう恐れがあるため、外周縁の環状溝の幅を検出する機能を備えた切削装置が考案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００７－１５２９０６号公報 特開２０１３－１４９８２２号公報
しかしながら、従来の技術は、撮像手段を用いてウエーハの外周縁の環状溝を所定角度間隔で撮影し、この撮影画像に基づいて環状溝の幅の要否を検査していたため、ウエーハの外周縁の所定ポイントを撮像手段の下方にその都度位置づける必要があり、検査に要する時間が長くなっていた。また、所定角度間隔ごとに撮影しているため、環状溝を全周に亘って検査することができず、検査効率の向上が要望されていた。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの外周縁全周に形成された環状溝の検査効率の向上を図った切削装置及び切削装置を用いたウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る切削装置は、切削ブレードが装着されるスピンドルを有しウエーハの外周縁を切削して環状溝を形成する切削ユニットと、ウエーハを回転可能に保持する保持部と、一列に並ぶ受光素子が該保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面し該環状溝の幅方向に沿って配置されるラインスキャンカメラと、該保持部を回転させながら該環状溝を撮像した該ラインスキャンカメラが出力する信号から該ウエーハの外周縁全周の該環状溝の画像を構成し、該画像から該環状溝の幅及び欠けを検出する検査部と、該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた場合に警告情報を発信する警告部と、を備え、該保持部が、該ウエーハの外周縁を保持した状態で該ウエーハを回転自在に保持するとともに、該ウエーハの周方向に間隔をあけて複数備えられ、該ラインスキャンカメラが、該複数の保持部と該ウエーハの周方向に間隔あけて配置されているとともに、該受光素子が該環状溝の幅方向と該ウエーハの表面とに沿って複数配置され、一部の受光素子が該ウエーハの表面と該表面に直交する方向に対向して該ウエーハの該環状溝の上方に延在する撮像時の位置と、該ウエーハの上方から退避する位置と亘って進退自在に構成されているものである。
また、本発明は、上記切削装置を用いて、表面から裏面に至る面取り部が外周縁に形成されたウエーハの外周縁を切削するウエーハの加工方法であって、該ウエーハを保持面で保持し、該ウエーハの外周縁に該切削ブレードを切り込ませながら該保持部を回転させ、該外周縁に該環状溝を形成する円形切削ステップと、該円形切削ステップの実施後、ウエーハを回転可能に保持する保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面する位置に該ラインスキャンカメラを位置付け、該ウエーハを撮影しつつ該保持部を回転させ、該ウエーハ外周縁全周の画像を撮影する撮影ステップと、該撮影ステップで撮影した該画像を該検査部で検査し、該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた結果が出た場合警告情報を発信する検査ステップと、を備えるものである。
前記ウエーハの加工方法は、該検査ステップを実施した後、該ウエーハのノッチを基準に該許容範囲内に入らなかった該幅及び該欠けの位置を該切削装置の記憶部に記憶してもよい。
本発明によれば、ラインスキャンカメラを用いて環状溝を撮影することで、保持部を回転させながらウエーハの外周縁全周の環状溝を短時間で撮影することが可能であり、環状溝を全周に亘って効率的に検査することができる。
図１は、本実施形態に係る切削装置の一例を示す斜視図である。 図２は、ウエーハを保持したチャックテーブルを示す断面図である。 図３は、ウエーハの外周縁を保持したエッジクランプと外周縁を撮影するラインスキャンカメラとを模式的に示す平面図である。 図４は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。 図５は、円形切削ステップを示す側断面図である。 図６は、洗浄ステップを示す側断面図である。 図７は、撮影ステップを示す側断面図である。 図８は、撮影ステップにおける撮影領域の一例を示す図である。 図９は、撮影された複数の画像情報から形成されたウエーハの外周縁全周分の画像の一例を示す図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
本実施形態に係る切削装置を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る切削装置の一例を示す斜視図である。図２は、ウエーハを保持したチャックテーブルを示す断面図である。図３は、ウエーハの外周縁を保持したエッジクランプと外周縁を撮影するラインスキャンカメラとを模式的に示す平面図である。なお、図３では、ウエーハの表面に形成されるデバイスなどを省略している。
ウエーハ１００は、例えば、シリコン、サファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）又はガリウムヒ素などを母材とする円板形状の半導体デバイスウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ１００は、図１及び図２に示すように、上面（表面）１０１に格子状に形成された分割予定ライン１０２を有し、この分割予定ラインで区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０３が形成されている。また、図２に示すように、ウエーハ１００の外周縁１０４は、上面１０１から下面（裏面）１０５に亘って円弧状（Ｒ形状）に面取りされている。ウエーハ１００の外周縁１０４の一部には、結晶方位の識別マークであるノッチ１０６が形成されている。
本実施形態に係る切削装置１は、ウエーハ１００の面取りされた外周縁１０４の上面１０１側に外周縁１０４に沿った環状溝を形成（エッジトリミング加工）するとともに、形成された環状溝の幅が所定の基準範囲内にあるか否かを検査する機能を備える装置である。切削装置１は、図１に示すように、装置本体２を有し、この装置本体２の上面２ａにはカセット載置台３を備えている。カセット載置台３は昇降可能となっており、このカセット載置台３にはウエーハ１００が複数収容されるカセット４を載置可能となっている。
装置本体２のＸ軸方向前部には、カセット４に対してウエーハ１００の搬出及び搬入を行う搬送ロボット６が設けられている。搬送ロボット６は、ウエーハ１００を保持するロボットハンド６ａと、ロボットハンド６ａを所望の位置に移動させるアーム部６ｂとを備えている。搬送ロボット６は、図示しない搬送機構によりＹ軸方向に移動可能となっている。
装置本体２の上面２ａのＸ軸方向後部には、Ｘ軸方向に移動可能な移動基台７が設けられており、この移動基台７の経路を跨ぐようにして門型フレーム５が立設されている。移動基台７には、後述する切削ブレード１８の先端形状を平坦にドレスするためのドレスボードを保持するドレスボード保持手段８と、ウエーハ１００を保持し自転可能なチャックテーブル（保持部）１０と、チャックテーブル１０をＸ軸方向に加工送りする加工送り手段１３とが設けられている。
チャックテーブル１０は、その周縁部においてウエーハ１００の下面１０５の外周縁１０４側を保持するリング状の保持面１１を有しており、図２に示すように、保持面１１の内側の領域がウエーハ１００の下面１０５と接触しない凹状の空間１２となっている。チャックテーブル１０には、保持面１１に開口した吸引口１４が形成されており、この吸引口１４はバルブ１５を介して吸引源１６に接続されている。加工送り手段１３は、図示は省略するが、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじと、このボールねじを軸心回りに回転させる周知のモータと、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールとを備えて構成される。
また、切削装置１は、図１に示すように、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００の外周縁１０４をそれぞれ切削する一対の切削ユニット１７ａ，１７ｂを備える。これら切削ユニット１７ａ，１７ｂは、チャックテーブル１０を挟んで対向配置されている。一方の切削ユニット１７ａは、ウエーハ１００の上面１０１を外周縁１０４に沿って切削して、外周縁１０４に後述する環状溝１０７を形成する切削ブレード１８と、Ｙ軸方向の軸心を有し切削ブレード１８を回転させるスピンドル１９とを少なくとも有している。他方の切削ユニット１７ｂも切削ユニット１７ａと同様の構成となっている。なお、ウエーハ１００を切削する際に、２つの切削ユニット１７ａ，１７ｂを同時に稼働させなくてもよいが、同時に稼働させることもできる。
門型フレームのＸ軸方向前方には、切削ユニット１７ａをＺ軸方向に切り込み送りする切り込み手段２０ａと、切削ユニット１７ａをＹ軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段２５ａと、切削ユニット１７ｂをＺ軸方向に切り込み送りする切り込み送り手段２０ｂと、切削ユニット１７ｂをＹ軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段２５ｂとが儲かられている。切り込み送り手段２０ａは、Ｚ軸方向に延びるボールねじ２１と、ボールねじ２１の一端に接続されたモータ２２と、ボールねじ２１と平行にのびる一対のガイドレール２３と、切削ユニット１７ａに連結された昇降板２４とを備えている。昇降板２４の一方の面には一対のガイドレール２３が摺接し、昇降板２４の中央部に形成された図示しないナットにボールねじ２１が螺合している。そして、モータ２２がボールねじ２１を回動させることにより、昇降板２４と共に切削ユニット１７ａを所定の送り速度でＺ軸方向に昇降させることができる。なお、切り込み送り手段２０ｂも切り込み送り手段２０ａと同様の構成となっているため、切り込み送り手段２０ｂを構成する各部位には切り込み送り手段２０ａと同一の符号を付し、その説明を省略する。
割り出し送り手段２５ａ及び割り出し送り手段２５ｂは、それぞれＹ軸方向に延びるボールねじ２６と、それぞれのボールねじ２６に接続されたモータ２７と、ボールねじ２６と平行にのびるガイドレール２８と、一方の面に切り込み送り手段２０ａと切り込み送り手段２０ｂとが連結されるとともに切削ユニット１７ａ及び切削ユニット１７ｂをそれぞれＹ軸方向に移動させる移動板２９と、を備えている。移動板２９の他方の面には一対のガイドレール２８が摺接し、移動板２９の中央部に形成された図示しないナットにボールねじ２６が螺合している。モータ２７によって駆動されボールねじ２６が回動すると、移動板２９と共に切削ユニット１７ａ及び切削ユニット１７ｂをＹ軸方向に割り出し送りすることができる。
切削装置１は、加工後のウエーハ１００を洗浄する洗浄手段３０と、チャックテーブル１０から洗浄手段３０へ加工後のウエーハ１００を搬送する搬送パッド９とが配設されている。洗浄手段３０は、ウエーハ１００を保持し自転するとともに昇降可能なスピンナーテーブル３１と、洗浄水をスピンナーテーブル３１に保持されたウエーハに供給する洗浄水ノズル３２とを少なくとも備えている。
装置本体２の上面２ａの中央部には、カセット載置台３と洗浄手段３０との間に、ウエーハ１００の外周縁に形成された環状溝の幅（溝幅）を検査する検査領域２００が設けられている。この検査領域２００において、切削装置１は、ウエーハ１００の外周縁１０４をクランプ（保持）する複数（少なくとも３つ）のエッジクランプ（保持部）４０と、エッジクランプ４０に保持された加工後のウエーハ１００の外周縁１０４に形成された環状溝１０７を撮像するラインスキャンカメラ５０とを備えている。
複数のエッジクランプ４０のすべて又はどれかは、図３に示すように、ウエーハ１００の外周縁１０４付近にて半径方向に移動自在に設けられている。また、エッジクランプ４０は、略円柱状に形成されて高さ方向の中央部が周方向に横向きＶ字状に窪んでいる。また、エッジクランプ４０は、装置本体２の上面２ａ上にそれぞれ水平面内で回転駆動自在に支持されており、ウエーハ１００の厚みに関係なく外周縁１０４を点接触状態でクランプ可能に構成されている。従って、エッジクランプ４０は、ウエーハ１００の外周縁１０４をクランプした状態で回転自在に保持することができる。
ラインスキャンカメラ５０は、図３に示すように、ウエーハ１００の上方に外周縁１０４の環状溝１０７と対面して配置される細長い筐体５０Ａを備え、この筐体５０Ａの長手方向はエッジクランプ４０に保持されたウエーハ１００の半径方向に沿って延在する。この筐体５０Ａの長手方向には、複数のＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの撮像素子（受光素子）が一列横並びに内蔵される。このため、ラインスキャンカメラ５０の複数の撮像素子はウエーハ１００の環状溝１０７の幅方向に沿って配置され、ラインスキャンカメラ５０は、エッジクランプ４０に保持されたウエーハ１００を回転させつつ、ウエーハ１００の環状溝１０７を１ラインずつ撮影する。ラインスキャンカメラ５０は、少なくとも環状溝１０７の幅よりも長いものが用いられている。また、ラインスキャンカメラ５０は、上記した半径方向に進退自在に構成され、撮影時にはウエーハ１００の環状溝１０７の上方に延在し、エッジクランプ４０に対するウエーハ１００の着脱時にはウエーハ１００の上方から退避するのが好ましい。また、ラインスキャンカメラ５０は、撮影時に環状溝１０７を照射する光源５１を備える。ラインスキャンカメラ５０で撮影された複数の画像情報（信号）は、切削装置１が備える制御ユニット６０に出力される。
制御ユニット６０は、図１に示すように、演算処理部６１と、記憶部６２と、検査部６３と、警告部６４とを備える。演算処理部６１は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを備えて構成され、コンピュータプログラムを実行して、切削装置１の動作を制御するため、及び、環状溝１０７の検査動作を制御するための各種制御信号を生成する。生成された制御信号は入出力インタフェース（不図示）を介して切削装置１の各構成要素に出力される。記憶部６２は、各種情報、特に、ラインスキャンカメラ５０から出力された画像情報を記憶する。ラインスキャンカメラ５０は、回転するウエーハ１００の外周縁１０４の全周に亘って環状溝１０７を撮影し、これら画像情報を順次出力するため、記憶部６２は、少なくとも外周縁１０４全周分の画像情報を記憶する。
検査部６３は、演算処理部６１の制御下で、記憶部６２に記憶された画像情報からウエーハ１００の外周縁１０４全周分の画像を形成し、この画像から環状溝１０７の幅や環状溝１０７の領域の欠け（チッピング）の有無、大きさを検査する。警告部６４は、検査部６３が検査した環状溝１０７の幅や欠けの大きさを予め登録された許容範囲と比較する。そして、警告部６４は、環状溝１０７の幅や欠けの大きさが許容範囲内にあれば正常に加工されていると判定する。また、警告部６４は、演算処理部６１の制御下で、環状溝１０７の幅や欠けの大きさが許容範囲を外れた場合には正常に加工されていないと判定して警告情報を発信する。警告情報としては、例えば、警告ランプを点灯したり警告音を発報したりする。また、切削装置１が備える操作パネル上に加工異常のメッセージを表示してもよい。
次に、上記した切削装置１を用いてウエーハ１００を加工する加工方法について説明する。図４は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。本実施形態に係るウエーハの加工方法は、ウエーハ１００の外周縁１０４に環状溝１０７を形成し、この環状溝１０７を検査するものである。ウエーハの加工方法は、図４に示すように、円形切削ステップＳＴ１と、洗浄ステップＳＴ２と、撮影ステップＳＴ３と、検査ステップＳＴ４とを備える。
（円形切削ステップ）
図５は、円形切削ステップを示す側断面図である。円形切削ステップＳＴ１は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００の外周縁１０４に切削ブレードを切り込ませながらチャックテーブル１０を回転させ、外周縁１０４に環状溝１０７を形成するステップである。本実施形態では、一方の切削ユニット１７ａのみで環状溝１０７を形成する場合について説明する。
まず、ウエーハ１００をチャックテーブル１０に保持する。この場合、図１に示す搬送ロボット６を用いて、カセット４から加工前のウエーハ１００を取り出し、このウエーハ１００の下面１０５をチャックテーブル１０の保持面１１に載置する。続いて、図２に示すバルブ１５を開くとともに吸引源１６の吸引力を保持面１１に作用させ、保持面１１でウエーハ１００を吸引保持する。このとき、空間１２に面したウエーハ１００の下面１０５は非接触のため、ゴミ等が付着することがない。
ウエーハ１００がチャックテーブル１０に保持されると、移動基台７（図１）を用いて、チャックテーブル１０を切削ユニット１７ａの下方に移動させ、図５に示すように、ウエーハ１００の外周縁１０４に環状溝１０７を形成する。具体的には、切削ユニット１７ａの下方に移動したチャックテーブル１０を例えば矢印Ａ方向に回転させる。切削ユニット１７ａは、スピンドル１９を回転させることにより、切削ブレード１８を例えば矢印Ｅ方向に所定の回転速度で回転させながら、切り込み送り手段２０ａ（図１）を用いて、切削ユニット１７ａをＺ軸方向に下降させ、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００の外周縁１０４に回転する切削ブレード１８を切り込ませる。こうして切削ブレード１８によってウエーハ１００の外周縁１０４に円弧状に形成された面取りの一部を除去して所望の幅及び深さの環状溝１０７を形成する。なお、切削ユニット１７ａをＺ軸方向に下降させて切削ブレード１８をウエーハ１００の外周縁１０４切り込ませる他、予め切削ユニット１７ａを所定の切り込み高さに位置づけた後、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させて切削ブレード１８をウエーハ１００の外周縁１０４切り込ませてもよい。
（洗浄ステップ）
図６は、洗浄ステップを示す側断面図である。洗浄ステップＳＴ２は、環状溝１０７が切削加工されたウエーハ１００を洗浄するステップである。円形切削ステップＳＴ１を実施した後、搬送パッド９は、チャックテーブル１０から加工後のウエーハ１００を洗浄手段３０のスピンナーテーブル３１に搬送する。図６に示すように、スピンナーテーブル３１にウエーハ１００を載置したら、バルブ１５ａを開き、吸引源１６ａの吸引力によってウエーハ１００をスピンナーテーブル３１の保持面３１ａにおいて吸引保持する。その後、スピンナーテーブル３１を所定の回転速度で、例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、スピンナーテーブル３１に保持されたウエーハ１００に向けて洗浄水ノズル３２から洗浄水３３を供給し、ウエーハ１００の洗浄を行う。洗浄終了後は、スピンナーテーブル３１を洗浄時より高速で回転させ、高圧エアーを噴出するなどして、ウエーハ１００を乾燥させる。なお、洗浄ステップＳＴ２では、洗浄水ノズル３２をウエーハ１００の上面（表面）１０１上を移動させて該上面１０１全面に洗浄水を供給してもよい。
（撮影ステップ）
図７は、撮影ステップを示す側断面図である。図８は、撮影ステップにおける撮影領域の一例を示す図である。撮影ステップＳＴ３は、ラインスキャンカメラ５０を用いて、ウエーハ１００を回転させながら該ウエーハ１００の外周縁１０４全周分の環状溝１０７の画像を撮影するステップである。
洗浄ステップＳＴ２を実施した後、環状溝１０７が所望の溝幅となっているかどうかを検査するために、搬送ロボット６を用いてスピンナーテーブル３１から洗浄後のウエーハ１００を搬出し、このウエーハ１００を検査領域２００に搬送する。ウエーハ１００が検査領域２００に搬送されると、図３に示すように、各エッジクランプ４０が半径方向に縮小するように移動し、ウエーハ１００の外周縁１０４をクランプして固定する。また、エッジクランプ４０がそれぞれ回転し、ウエーハ１００を例えば図中矢印方向に回転させる。
次に、ラインスキャンカメラ５０は、図３及び図７に示すように、ウエーハ１００の半径方向に移動されて、環状溝１０７と対面する位置に位置付けられる。各エッジクランプ４０を回転駆動させてウエーハ１００を回転させつつ、ラインスキャンカメラ５０は、例えば、ノッチ１０６（図３）から再びノッチ１０６が到達するまで外周縁１０４全周分の環状溝１０７を撮影する。ラインスキャンカメラ５０は、筐体５０Ａ内に一列に並んだ複数の撮像素子５０Ｂを備え、これら撮像素子５０Ｂは、ウエーハ１００の半径方向に並んでいる。このため、ラインスキャンカメラ５０は、図８に示すように、ウエーハ１００の回転に合わせて、撮像素子５０Ｂの１ラインに相当する撮影領域８０ずつ環状溝１０７を順次撮影する。この撮影領域８０は、環状溝１０７の半径方向に延在し、少なくとも環状溝１０７の溝内周エッジ１０７Ａとウエーハ１００の外周縁１０４との間の溝底１０７Ｂを含む。各撮影領域８０に対応する画像情報は記憶部６２に出力され、記憶部６２は外周縁１０４全周分の画像情報を記憶する。
（検査ステップ）
検査ステップＳＴ４は、記憶部６２に記憶された画像情報からウエーハ１００の外周縁１０４全周分の画像を形成し、この画像から環状溝１０７の幅や環状溝１０７の領域の欠けの有無、大きさを検査するステップである。図９は、撮影された複数の画像情報から形成されたウエーハの外周縁全周分の画像の一例を示す図である。ウエーハ１００の外周縁１０４全周分の画像９０は、図９に示すように、撮影領域８０に対応する画像情報を繋げて形成される。この画像９０に基づいて、検査部６３は、環状溝１０７の幅Ｌや環状溝１０７の領域の欠け１０８の有無、及び欠け１０８の大きさを検査する。環状溝１０７の幅Ｌは、環状溝１０７の溝内周エッジ１０７Ａとウエーハ１００の外周縁１０４との間の半径方向の長さをいう。また、環状溝１０７の領域の欠け１０８は、例えば、環状溝１０７の溝内周エッジ１０７Ａに生じた欠損箇所であり、欠け１０８の大きさＤは、欠け１０８の半径方向の長さをいう。
検査部６３は、環状溝１０７の幅Ｌが予め登録された許容範囲内であるかどうかを判断する。具体的には、検査部６３は、ウエーハ１００の環状溝１０７の幅Ｌの最大値と最小値とを全周分の値から読み出し、この最大値及び最小値が許容範囲内であるかどうかを判断する。また、検査部６３は、環状溝１０７の領域に欠け１０８が生じているか否か、生じている場合には、欠け１０８の大きさＤが予め登録された許容範囲内であるかどうかを判断する。この欠け１０８の大きさＤは、ウエーハ１００（環状溝１０７）の径方向だけでなく、周方向の長さ（大きさ）を含んでもよい。
これらの判断において、環状溝１０７の幅Ｌや欠け１０８の大きさＤが許容範囲を外れた場合には、環状溝１０７が正常に加工されていないと判定し、警告部６４は警告情報を発信する。警告情報としては、例えば、警告ランプを点灯したり警告音を発報したりする。また、切削装置１が備える操作パネル上に加工異常のメッセージを表示してもよい。環状溝１０７の幅Ｌや欠け１０８の大きさＤが許容範囲を外れた場合には、切削ブレード１８の先端形状に偏磨耗が発生している可能性があるため、図１に示したドレスボード保持手段８に保持されたドレスボードに回転する切削ブレード１８を切り込ませてドレスを行って目立てをしたり、フラットドレスによって切削ブレード１８の先端の形状を整えることができる。また、切削ブレード１８の偏磨耗の程度によっては、新品の切削ブレード１８に交換してもよい。
検査ステップＳＴ４を実施した後、搬送ロボット６によって検査領域２００からウエーハ１００を搬出し、このウエーハ１００をカセット４に収容する。なお、検査ステップＳＴ４を実施して、環状溝１０７の幅Ｌや欠け１０８の大きさＤが許容範囲内に入らなかったウエーハ１００は、不良のウエーハとしてカセット４の何段目に収容されたかを切削装置１の記憶部６２に記憶させておく。あわせてノッチ１０６を基準にどの位置の幅Ｌや欠け１０８の大きさＤが許容範囲内に入らなかったのかについても記憶することができる。また、環状溝１０７の幅Ｌや欠け１０８の大きさＤが許容範囲内に入らなかったウエーハ１００を元々収容されていたカセット４とは別のカセットに収容してもよい。
以上、説明したように、本実施形態に係る切削装置１は、切削ブレード１８が装着されるスピンドル１９を有しウエーハ１００の外周縁１０４を切削して環状溝１０７を形成する切削ユニット１７ａ、１７ｂと、ウエーハ１００を回転可能に保持するエッジクランプ４０と、一列に並ぶ撮像素子５０Ｂがエッジクランプ４０に保持されたウエーハ１００の環状溝１０７に対面し、環状溝１０７の幅方向に沿って配置されるラインスキャンカメラ５０と、エッジクランプ４０を回転させながら環状溝１０７を撮像したラインスキャンカメラ５０が出力する信号からウエーハ１００の外周縁１０４全周の環状溝１０７の画像９０を構成し、この画像９０から環状溝１０７の幅Ｌ及び欠け１０８の有無や大きさＤを検出する検査部６３と、検査部６３の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた場合に警告情報を発信する警告部６４とを備える。この構成によれば、ラインスキャンカメラ５０を用いて環状溝１０７を撮影することで、エッジクランプ４０を回転させながらウエーハ１００の外周縁１０４の全周の環状溝１０７を短時間で撮影することが可能であり、環状溝１０７を全周に亘って効率的に検査することができる。
発明者の実験によれば、従来のエリアカメラを用いて、環状溝１０７を所定角度間隔で複数個所（例えば３６カ所）撮影する場合には、所定の撮影ポイントをエリアカメラの下方にその都度位置づける必要があるため、３６カ所を撮影するのに１５０秒要していた。また、この構成では、所定角度間隔ごとに撮影するため、外周縁１０４の全周の環状溝１０７を検査することができなかった。これに対して、ラインスキャンカメラ５０を用いた本実施形態の構成によれば、エッジクランプ４０を用いて、ウエーハ１００を所定速度（５ｍｍ／ｓ）で回転させた場合に、外周縁１０４の全周の環状溝１０７を１２．６秒という従来の１／１０以下の時間で撮影することができた。
これにより、ウエーハ１００ごとに環状溝１０７の幅Ｌや欠け１０８の大きさＤが許容範囲内であるかどうかを判断してウエーハ１００が不良であるかどうかを簡単、かつ、迅速に検出できるため、製品の生産性をより向上させることができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では、ウエーハ１００はエッジクランプ４０で回転させた状態でラインスキャンカメラ５０によって、外周縁１０４の全周を撮影したが、チャックテーブル（保持部）１０にウエーハ１００を保持した状態でラインスキャンカメラ５０がウエーハ１００の環状溝１０７に対面するように移動する構成としてもよい。
すなわち、切削ユニット１７ａ、１７ｂを用いて、ウエーハ１００の外周縁１０４に環状溝１０７を形成する円形切削ステップＳＴ１の後、ウエーハ１００を移動させることなく、チャックテーブル１０（ウエーハ１００）を回転させた状態で、ウエーハ１００の環状溝１０７に対面するようにラインスキャンカメラ５０を移動させて外周縁１０４の全周を撮影してもよい。この構成によれば、ウエーハ１００を移動させずに、切削後にそのままチャックテーブル１０上で検査することができるため、検査の時間的効率がよい。
１ 切削装置
１０ チャックテーブル（保持部）
１７ａ、１７ｂ 切削ユニット
１８ 切削ブレード
３０ 洗浄手段
４０ エッジクランプ（保持部）
５０ ラインスキャンカメラ
５０Ａ 筐体
５０Ｂ 撮像素子（受光素子）
６０ 制御ユニット
６３ 検査部
６４ 警告部
８０ 撮影領域
９０ 画像
１００ ウエーハ
１０１ 上面（表面）
１０４ 外周縁
１０５ 下面（裏面）
１０７ 環状溝
１０８ 欠け
２００ 検査領域

Claims (4)

  1. 切削ブレードが装着されるスピンドルを有しウエーハの外周縁を切削して環状溝を形成する切削ユニットと、
    ウエーハを回転可能に保持する保持部と、
    一列に並ぶ受光素子が該保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面し該環状溝の幅方向に沿って配置されるラインスキャンカメラと、
    該保持部を回転させながら該環状溝を撮像した該ラインスキャンカメラが出力する信号から該ウエーハの外周縁全周の該環状溝の画像を構成し、該画像から該環状溝の幅及び欠けを検出する検査部と、
    該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた場合に警告情報を発信する警告部と、を備え、
    該保持部が、該ウエーハの外周縁を保持した状態で該ウエーハを回転自在に保持するとともに、該ウエーハの周方向に間隔をあけて複数備えられ、
    該ラインスキャンカメラが、該複数の保持部と該ウエーハの周方向に間隔あけて配置されているとともに、該受光素子が該環状溝の幅方向と該ウエーハの表面とに沿って複数配置され、一部の受光素子が該ウエーハの表面と該表面に直交する方向に対向して該ウエーハの該環状溝の上方に延在する撮像時の位置と、該ウエーハの上方から退避する位置と亘って進退自在に構成されている切削装置。
  2. 該ウエーハのノッチを基準に該許容範囲内に入らなかった該幅及び該欠けの位置を記憶する記憶部を備える請求項１に記載の切削装置。
  3. 請求項１又は請求項２に記載の切削装置を用いて、表面から裏面に至る面取り部が外周縁に形成されたウエーハの外周縁を切削するウエーハの加工方法であって、
    該ウエーハを保持面で保持し、該ウエーハの外周縁に該切削ブレードを切り込ませながら該保持部を回転させ、該外周縁に該環状溝を形成する円形切削ステップと、
    該円形切削ステップの実施後、ウエーハを回転可能に保持する保持部に保持された該ウエーハの該環状溝に対面する位置に該ラインスキャンカメラを位置付け、該ウエーハを撮影しつつ該保持部を回転させ、該ウエーハ外周縁全周の画像を撮影する撮影ステップと、
    該撮影ステップで撮影した該画像を該検査部で検査し、該検査部の検査結果が予め登録した許容範囲を外れた結果が出た場合に警告情報を発信する検査ステップと、を備える切削装置を用いたウエーハの加工方法。
  4. 該検査ステップを実施した後、該ウエーハのノッチを基準に該許容範囲内に入らなかった該幅及び該欠けの位置を該切削装置の記憶部に記憶する請求項３に記載のウエーハの加工方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20210125726A (ko) * 2020-04-09 2021-10-19 삼성전자주식회사 웨이퍼 트리밍 장치
TWM600933U (zh) * 2020-05-07 2020-09-01 鈦昇科技股份有限公司 晶圓裝卸機
JP7509581B2 (ja) 2020-06-02 2024-07-02 日東電工株式会社 半導体加工用粘着シート
US20220063135A1 (en) * 2020-09-03 2022-03-03 Dia&Co Inc. Method and apparatus for manufacturing high-hardness diamond simulant by cutting a gemstone into 100-sided body
JP7548853B2 (ja) * 2021-03-24 2024-09-10 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び加工品の製造方法
TWI756142B (zh) * 2021-06-15 2022-02-21 博磊科技股份有限公司 基板切斷裝置及基板切斷裝置的作動方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096091A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハ加工方法
JP2010030007A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びスクラッチ検出装置
JP2011009626A (ja) 2009-06-29 2011-01-13 Olympus Corp 基板検査方法および基板検査装置
JP2015023239A (ja) 2013-07-23 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置
JP2018161733A (ja) 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3662130B2 (ja) * 1998-11-19 2005-06-22 東芝セラミックス株式会社 半導体インゴット切断装置およびこれを用いた切断方法
JP4252740B2 (ja) * 2001-06-04 2009-04-08 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
TW559937B (en) * 2002-10-21 2003-11-01 Uni Tek System Inc Dicing process flow with forced rotation of wafer
JP2004179211A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Kansai Ltd レジスト塗布装置のエッジリンス機構
JP4774286B2 (ja) 2005-12-08 2011-09-14 株式会社ディスコ 基板の切削加工方法
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
DE102007042271B3 (de) * 2007-09-06 2009-02-05 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Lage der Entlackungskante eines scheibenförmigen Objekts
JP2009194346A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Kenichi Kojima 単軸駆動アライナー
JP4918537B2 (ja) * 2008-12-11 2012-04-18 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP2013149822A (ja) 2012-01-20 2013-08-01 Disco Abrasive Syst Ltd エッジトリミング方法
DE102013219468B4 (de) * 2013-09-26 2015-04-23 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
JP6255238B2 (ja) * 2013-12-27 2017-12-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP6654435B2 (ja) * 2016-01-07 2020-02-26 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6748891B2 (ja) * 2018-02-08 2020-09-02 株式会社東京精密 ダイシング装置及びダイシング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096091A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハ加工方法
JP2010030007A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びスクラッチ検出装置
JP2011009626A (ja) 2009-06-29 2011-01-13 Olympus Corp 基板検査方法および基板検査装置
JP2015023239A (ja) 2013-07-23 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置
JP2018161733A (ja) 2017-03-27 2018-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

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