JP7063355B2 - インダクタブリッジおよび電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、二つの回路間を接続する素子に関し、特にインダクタンス成分を有するインダクタブリッジおよびそれを備えた電子機器に関するものである。

従来、携帯端末等の小型電子機器において、筐体内に複数の基板等の実装回路部材を備える場合に、例えば特許文献１に示されているように、可撓性を有するフラットケーブルで実装回路部材間が接続されている。

国際公開第２００５／１１４７７８号パンフレット

複数の基板を備え、基板同士をフラットケーブルで接続した従来の電子機器においては、必要に応じて基板に電子部品が実装されて、基板単位で回路が構成され、上記フラットケーブルは、単に基板同士を接続する配線として使用されている。

このような、複数の基板等の実装回路部材を備えた電子機器においては、例えば回路に必要なインダクタを、基板にチップインダクタを実装することで実現するか、基板にインダクタの導体パターンを形成することで実現している。

しかし、チップインダクタを基板に実装する構造では、基板を薄くできず、電子機器全体の小型化を阻む一つの要因となる。一方、導体パターンでインダクタを形成する構造（以下「パターンインダクタ」）では、基板上の回路に対する占有面積が相対的に大きく、小型化を阻む一つの要因となる。

勿論、チップインダクタ、パターンインダクタのいずれにおいても、形成する導体パターンを微細化すれば、小型化は可能であるが、そのことによりＥＳＲ（等価直列抵抗）が大きくなったり、Ｑ値が低下したりする問題が生じる。

そこで、本発明の目的は、インダクタを有する電子回路を備えた電子機器の小型化を図ったインダクタブリッジおよび電子機器を提供することにある。

（１）本発明のインダクタブリッジは、アンテナを含む第１回路と第２回路との間をブリッジ接続するための素子であって、樹脂基材からなり、可撓性を有する平板状の素体と、前記素体に設けられ、第１回路に接続される第１接続部と、前記素体に設けられ、第２回路に接続される第２接続部と、前記素体の前記第１接続部と前記第２接続部との間に接続されたインダクタ部と、を備えることを特徴とする。また、インダクタブリッジは、前記第１回路と前記第２回路とは、高さ方向に異なる位置に設けられることを特徴とする。

上記構成により、接続対象である基板等の実装回路部材にチップインダクタやパターンインダクタを設けることなく、回路中にインダクタを設けることができるので、小型化が図れる。また、チップインダクタを基板等の実装回路部材に実装する工数が削減されるので、低コスト化が図れる。

（２）前記第１接続部および第２接続部は機械的接触により電気的に接続されるものであることが好ましい。これにより、回路間を電気的・機械的に接続する接続具として用いることができる。

（３）前記素体は樹脂基材の積層体であり、前記樹脂基材の材質は液晶ポリマー（LCP）であることが好ましい。これにより、低誘電率特性が活かされて浮遊容量が少なく、より高周波帯域までインダクタとして用いることができる。

（４）前記インダクタ部は、例えば前記素体の主面に垂直方向にコイル軸が向くスパイラル状の導体パターンを備える。これにより、少ない層数で大きなインダクタンスを得ることができ、必要なインダクタンスを得るに要する平面サイズが縮小化できる。

（５）前記素体が長手方向を有する場合に、前記インダクタ部は、例えば互いに隣接する線路のそれぞれが前記素体の長手方向に延びるミアンダライン状の導体パターンを備える。これにより、長手方向の剛性を高められる。また、インダクタ部の位置以外での屈曲が容易となる。

（６）前記素体が短手方向を有する場合に、前記インダクタ部は、例えば互いに隣接する線路のそれぞれが前記素体の短手方向に延びるミアンダライン状の導体パターンである。これにより、長手方向の全体の柔軟性を高められる。また、素体の屈曲量に対するインダクタンスの変化量が抑制できる。

（７）前記導体パターンは、例えば複数の層に亘って形成され、隣接する層に形成された導体パターンは平面視で重ならないように配置されている。これにより、層数の増加に伴うインダクタンスの増大の割には浮遊容量の増加が少なく、より高周波帯域までインダクタとして用いることができる。

（８）前記導体パターンは、例えば複数の層に亘って形成され、複数の導体パターンは並列接続されている。これにより、等価直列抵抗を低減できる。

（９）前記インダクタ部は、例えば前記素体の主面に平行方向にコイル軸が向くヘリカル状の導体パターンである。これにより、導体が隣接しても、その導体に渦電流が生じ難く、周囲環境によるインダクタンスの変動が抑制される。

（１０）前記素体内の前記導体パターンの近傍に磁性体（コア）が配置されていることが好ましい。これにより、より小型化される。

（１１）前記第１接続部は前記素体の第１端部に設けられ、前記第２接続部は前記素体の第２端部に設けられ、前記素体は前記第１端部から前記第２端部までの途中に屈曲部を有することが好ましい。これにより、屈曲した状態で二つの回路間を接続することができ、電子機器の筐体内の限られたスペースに収め易くなる。

（１２）前記屈曲部はライン（屈曲線）に沿うように屈曲される部分であり、且つ前記インダクタ部の形成範囲内にあり、前記インダクタ部は、長軸が前記ラインに対して非垂直な楕円形状に形成されていることが好ましい。これにより、インダクタ部を構成する導体パターンの断線が生じにくくなる。

（１３）上記（１１）において、屈曲部は前記インダクタ部の中心を通るライン以外の位置であることが好ましい。これにより、柔軟性の高い位置での屈曲が容易となり、インダクタ部への応力が抑制され、インダクタとしての特性も維持し易くなる。

（１４）上記（１３）において、屈曲部に層間接続導体（ビア）が形成されていることが好ましい。

（１５）前記素体に、前記インダクタ部を層方向に挟む位置に、シールド導体パターンが形成されていることが好ましい。これにより、インダクタ部が電磁シールドされて、安定した特性が得られる。

（１６）前記インダクタ部は、前記素体の主面に垂直方向にコイル軸が向き、且つ複数の層に亘ってヘリカル状に形成された導体パターンを備え、これらの導体パターンは層間で対向する位置に形成されていて、これらの複数の導体パターンのうち、前記第１接続部および前記第２接続部に経路上近い（最外層の）導体パターンの線幅は他の層の導体パターンの線幅より細いことが好ましい。この構成により、寄生容量が抑制されて、自己共振周波数が高くなり、通過帯域幅が広くなる。

（１７）前記インダクタ部は、前記素体の主面に垂直方向にコイル軸が向き、且つ複数の層に亘ってヘリカル状に形成された導体パターンを備え、これらの導体パターンは層間で対向する位置に形成されていて、これらの複数の導体パターンのうち、前記第１接続部および前記第２接続部に経路上近い（最外層の）導体パターンと、この導体パターンに対する隣接層の導体パターンとの間隔は、他の隣接層における導体パターン間の間隔より広いことが好ましい。この構成により、寄生容量が抑制されて、自己共振周波数が高くなり、通過帯域幅が広くなる。

（１８）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかに記載のインダクタブリッジ、第１回路および第２回路を備え、第１回路と第２回路とが前記インダクタブリッジを介して接続されていることを特徴とする。

（１９）上記（１８）において、例えば第１回路を構成する第１実装回路部材と、第２回路を構成する第２実装回路部材とは高さ方向に異なる位置に設けられ、インダクタブリッジは、屈曲状態で第１接続部が第１実装回路部材に接続され、第２接続部が第２実装回路部材に接続されている。

（２０）本発明の電子機器は、上記（４）に記載のインダクタブリッジ、第１回路および第２回路を備え、第１回路を構成する第１実装回路部材と、第２回路を構成する第２実装回路部材とは高さ方向に異なる位置に設けられ、第２実装回路部材にはグランド導体パターンが形成されていて、インダクタブリッジは、屈曲状態で前記インダクタ部のコイル軸が第２実装回路部材の面に対し非垂直となる状態で第１実装回路部材と第２実装回路部材との間に接続されていることを特徴とする。この構成により、インダクタ部とグランド導体との不要結合が抑制され、グランド導体に生じる渦電流が抑制される。

（２１）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかのインダクタブリッジと、前記第１接続部が導通する面状導体（グランド電極）が形成された実装回路部材（基板）とを備え、前記インダクタブリッジは、前記第１接続部に繋がる第１配線パターン、および前記第２接続部に繋がる第２配線パターンを備え、前記第２配線パターンおよび前記インダクタ部は前記第１配線パターンに比べて前記面状導体より離れた層に形成されていることが好ましい。

（２２）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかのインダクタブリッジと、前記第１接続部が導通するアンテナ素子パターンが形成されたアンテナとを備え、前記インダクタブリッジは、前記第１接続部に繋がる第１配線パターン、および前記第２接続部に繋がる第２配線パターンを備え、前記第２配線パターンは前記第１配線パターンに比べて前記アンテナ素子パターンより離れた層に形成されていることが好ましい。

（２３）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかのインダクタブリッジと、前記第１接続部が導通するアンテナ素子パターンが形成されたアンテナと、前記第２接続部が導通する面状導体とを備え、前記インダクタブリッジは、前記第１接続部に繋がる第１配線パターン、および前記第２接続部に繋がる第２配線パターンを備え、前記第１配線パターンは前記第２配線パターンに比べて前記面状導体より離れた層に形成されていることが好ましい。

（２４）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかのインダクタブリッジと、前記第１接続部が導通するアンテナ素子パターンが形成されたアンテナと、前記インダクタブリッジを間にして前記アンテナの反対側に配置された金属部材とを備え、前記インダクタブリッジは、前記第１接続部に繋がる第１配線パターン、および前記第２接続部に繋がる第２配線パターンを備え、前記第１配線パターンは前記第２配線パターンに比べて前記金属部材から離れた層に形成されていることが好ましい。

（２５）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかのインダクタブリッジと、面状導体（バッテリーなど）とを備え、前記インダクタ部は、前記素体の主面に垂直方向にコイル軸が向き、且つ複数の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、これらの導体パターンのうち、巻回数の多い導体パターンが形成された層が前記面状導体より離れた層に配置されていることが好ましい。

（２６）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかのインダクタブリッジを備え、前記インダクタ部は、前記素体の主面に垂直方向にコイル軸が向き、且つ複数の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、これらの導体パターンは層間で対向する位置に形成されていることが好ましい。

（２７）本発明の電子機器は、上記（１）～（１７）のいずれかのインダクタブリッジと、面状導体（金属体）とを備え、前記インダクタ部は、前記素体の主面に垂直方向にコイル軸が向き、且つ複数の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、これらの導体パターンは、前記面状導体との間で容量が生じる位置に形成されていることが好ましい。

（２８）上記（２７）において、前記容量と前記インダクタ部とでローパスフィルタが構成されていることが好ましい。

本発明によれば、接続対象である基板等の実装回路部材にチップインダクタやパターンインダクタを設けることなく、回路中にインダクタを設けることができるので、小型化が図れる。また、チップインダクタを基板等の実装回路部材に実装する工数が削減されるので、低コスト化が図れる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１（Ｂ）はその分解斜視図である。 図２（Ａ）は第１の実施形態に係る別のインダクタブリッジの外観斜視図、図２（Ｂ）はその分解斜視図である。 図３（Ａ）は、インダクタブリッジ１０１Ｂを用いてマザー基板２０１とアンテナ基板３０１とを接続した状態での平面図、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＡ－Ａ部分の断面図である。 図４（Ａ）は、インダクタブリッジ１０１Ｂとアンテナ基板３０１とを備えた高周波回路のブロック図、図４（Ｂ）はその等価回路図である。 図５はアンテナ基板３０１とインダクタブリッジ１０１Ｃとの接続部の構造の例を示す図である。 図６（Ａ）はインダクタブリッジの一つの適用例を示すブロック図、図６（Ｂ）はその等価回路図である。 図７（Ａ）はインダクタブリッジ１０２の外観斜視図、図７（Ｂ）はその分解斜視図である。 図８は、インダクタブリッジ１０２を用いてマザー基板２０１とアンテナ基板３０１とを接続した状態での断面図である。 図９は２つの基板をインダクタブリッジで接続した状態を示す図である。 図１０（Ａ）は第２の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１０（Ｂ）はその分解斜視図である。図１０（Ｃ）はインダクタ部の導体パターンを示す部分平面図である。 図１１（Ａ）は第３の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１１（Ｂ）はその分解斜視図である。 図１２（Ａ）は第４の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１２（Ｂ）はその分解斜視図である。 図１３（Ａ）は第５の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１３（Ｂ）はその分解斜視図である。 図１４（Ａ）は第６の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１４（Ｂ）はその分解斜視図である。 図１５（Ａ）は第７の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１５（Ｂ）はその分解斜視図である。 図１６（Ａ）は第７の実施形態に係るもう一つのインダクタブリッジの外観斜視図、図１６（Ｂ）はその分解斜視図である。 図１７（Ａ）は第８の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１７（Ｂ）はその分解斜視図である。 図１８はインダクタブリッジ１０９のインダクタ部の断面図である。 図１９は第９の実施形態に係る電子機器４０１の筐体内部の構造を示す図であり、上部筐体１９１と下部筐体１９２とを分離して内部を露出させた状態での平面図である。 図２０は第１０の実施形態に係るインダクタブリッジ１１０の分解斜視図である。 図２１は、インダクタブリッジ１１０の断面図であり、図２０における一点鎖線部分での断面図である。 図２２はインダクタブリッジ１１０の等価回路図である。 図２３は自己共振周波数の変化について示す図である。 図２４は第１１の実施形態に係るインダクタブリッジ１１１の分解斜視図である。 図２５は、インダクタブリッジ１１１の断面図であり、図２４における一点鎖線部分での断面図である。 図２６は第１２の実施形態に係るインダクタブリッジ１１２の分解斜視図である。 図２７は、インダクタブリッジ１１２の断面図であり、図２６における一点鎖線部分での断面図である。 図２８はインダクタブリッジ１１２の等価回路図である。 図２９（Ａ）、図２９（Ｂ）は第１３の実施形態に係るインダクタブリッジ１１３の斜視図である。 図３０は第１４の実施形態に係る、インダクタブリッジおよびアンテナを備えた高周波回路の回路図である。 図３１は、図３０に示したアンテナANTおよびインダクタブリッジ１１４の実装（配置）構造を示す図である。 図３２（Ａ）（Ｂ）は、図３１に示したインダクタブリッジ１１４の実装構造および金属パターン８３との位置関係を示す分解斜視図である。 図３３は第１５の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１５およびアンテナ基板３０１を備えた高周波回路の構造を示す図である。 図３４（Ａ）（Ｂ）は、図３３に示したインダクタブリッジ１１５の実装構造およびアンテナ基板３０１との位置関係を示す分解斜視図である。 図３５は第１６の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１６、アンテナ基板３０１およびマザー基板２０１を備えた高周波回路の構造を示す図である。 図３６（Ａ）（Ｂ）は、図３５に示したインダクタブリッジ１１６の実装構造およびマザー基板２０１の金属パターン８３との位置関係を示す分解斜視図である。 図３７は第１７の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１７、アンテナ基板３０１および金属部材８４を備えた高周波回路の構造を示す図である。 図３８（Ａ）（Ｂ）は、図３７に示したインダクタブリッジ１１７の実装構造および金属部材８４との位置関係を示す分解斜視図である。 図３９（Ａ）（Ｂ）は第１８の実施形態に係るインダクタブリッジ１１８Ａ，１１８Ｂの分解斜視図である。 図４０は第１９の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１９、アンテナ基板３０１および金属部材８４を備えた高周波回路の構造を示す図である。 図４１（Ａ）は、図４０に示したインダクタブリッジ１１９の斜視図、図４１（Ｂ）（Ｃ）はインダクタブリッジ１１９Ａ，１１９Ｂの構造および金属部材８４との位置関係を示す分解斜視図である。 図４２は、第２０の実施形態に係るインダクタブリッジ１２０、アンテナ基板３０１および金属部材８４を備えた高周波回路の構造を示す図である。 図４３（Ａ）はインダクタブリッジ１２０の斜視図、図４３（Ｂ）はインダクタブリッジ１２０の構造および金属部材８４との位置関係を示す分解斜視図である。 図４４（Ａ）は、インダクタブリッジ１２０の素体１０の断面図である。図４４（Ｂ）はインダクタブリッジ１２０の等価回路図である。 図４５（Ａ）は、インダクタブリッジ１２０とは内部の構造が少し異なるインダクタブリッジの断面図、図４５（Ｂ）は、その場合のインダクタブリッジの等価回路図である。 図４６は、第２１の実施形態に係るインダクタブリッジ１２１、アンテナ基板３０１、金属部材８４およびマザー基板２０１を備えた高周波回路の構造を示す図である。 図４７はインダクタブリッジ１２１の斜視図である。 図４８（Ａ）（Ｂ）はインダクタブリッジ１２１の部分分解斜視図および屈曲位置を示す図である。 図４９（Ａ）（Ｂ）はインダクタブリッジ１２１の別の部分分解斜視図および屈曲位置を示す図である。 図５０（Ａ）は第２２の実施形態に係るインダクタブリッジ１２３の斜視図、図５０（Ｂ）はその分解斜視図である。 図５１（Ａ）は第２３の実施形態に係るインダクタブリッジ１２４の斜視図、図５１（Ｂ）はその分解斜視図である。 図５２（Ａ）は第２４の実施形態に係るインダクタブリッジ１２５の外観斜視図である。図５２（Ｂ）は第２４の実施形態に係るインダクタブリッジ１２５の分解平面図である。 図５３（Ａ）、図５３（Ｂ）は、屈曲部付近における導体パターンの一部を示す図である。図５３（Ｃ）はインダクタブリッジ１２５の屈曲状態での斜視図である。 図５４（Ａ）はインダクタブリッジ１２５の平面図、図５４（Ｂ）はインダクタブリッジ１２５の屈曲状態での斜視図である。 図５５（Ａ）は第２５の実施形態に係るインダクタブリッジ１２６の斜視図、図５５（Ｂ）はその分解斜視図である。 図５６（Ａ）は、インダクタブリッジ１２６のインダクタ部をインダクタ部以外の部分から屈曲させた状態の斜視図である。図５６（Ｂ）（Ｃ）は、インダクタブリッジ１２６が他の部品と共にマザー基板２０１に実装された状態を示す図である。 図５７（Ａ）は第２６の実施形態に係るインダクタブリッジ１２７の斜視図、図５７（Ｂ）はその分解斜視図である。 図５８（Ａ）（Ｂ）は、インダクタブリッジ１２７が他の部品と共にマザー基板２０１に実装された状態を示す図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０１Ａは第１回路と第２回路との間をブリッジ接続するための素子である。図１（Ａ）に表れているように、このインダクタブリッジ１０１Ａは、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。素体１０の内部には、後に述べるインダクタ部が構成されている。第１コネクタ５１は、素体１０の第１端部に設けられ、第１回路に機械的接触により接続される。第２コネクタ５２は、素体１０の第２端部に設けられ、第２回路に機械的接触により接続される。第１コネクタ５１は本発明に係る「第１接続部」に相当し、第２コネクタ５２は本発明に係る「第２接続部」に相当する。

図１（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は液晶ポリマー（LCP）の樹脂基材１１，１２，１３が積層されることで構成される。樹脂基材１２には導体パターン３１によるインダクタ部３０が構成されている。導体パターン３１は、樹脂基材１２の面に垂直方向（素体１０の主面に垂直方向）にコイル軸が向くスパイラル状の導体パターンである。

樹脂基材１２には配線パターン２１，２２が形成されていて、樹脂基材１３には配線パターン２３が形成されている。配線パターン２１の第１端はインダクタ部の導体パターン３１の外周端につながり、導体パターン３１の内周端はビア導体（層間接続導体）を介して配線パターン２３の第１端につながり、配線パターン２３の第２端はビア導体を介して配線パターン２２の第１端につながっている。

樹脂基材１１にはコネクタ５１，５２を実装するためのコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。これらコネクタ実装電極４１，４２はビア導体を介して配線パターン２１，２２の第２端にそれぞれ接続されている。

樹脂基材１１の上面にはレジスト層６１が形成されていて、樹脂基材１３の下面にはレジスト層６２が形成されている。なお、レジスト層６２は必須ではなく、形成しなくてもよい。

上記インダクタブリッジ１０１Ａの製造方法は次のとおりである。

（１）先ず樹脂基材と金属箔（例えば銅箔）とをラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、配線パターン２１，２２，２３、導体パターン３１、コネクタ実装電極４１，４２を形成する。また、樹脂基材１１，１２にビア導体を形成する。ビア導体は、レーザー等で貫通孔を設けた後、銅、銀、錫などを含む導電性ペーストを配設し、後の加熱・加圧工程で硬化させることによって設けられる。

（２）樹脂基材１１，１２，１３を積層し、加熱・加圧することで積層体を構成する。

（３）積層体の両面にレジスト層６１，６２をそれぞれ印刷形成する。

（４）コネクタ５１，５２をはんだ付けする。

（５）集合基板を分断することで、個別のインダクタブリッジ１０１Ａを得る。

図２（Ａ）は第１の実施形態に係る別のインダクタブリッジの外観斜視図、図２（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０１Ｂは、素体１０に対する第１コネクタ５１と第２コネクタ５２との取り付け面が異なっている。

図２（Ｂ）に表れているように、コネクタ実装電極４２は樹脂基材１３の下面に形成されている。レジスト層６１，６２はコネクタ実装電極４１，４２の位置に応じたパターンに形成されている。その他の構成は図１に示した例と同じである。

図３（Ａ）は、上記インダクタブリッジ１０１Ｂを用いてマザー基板２０１とアンテナ基板３０１とを接続した状態での平面図、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＡ－Ａ部分の断面図である。なお、ここでは、アンテナ基板３０１が第１実装回路部材に相当し、マザー基板２０１が第２実装回路部材に相当する。また、図３（Ｂ）に示すように、アンテナ基板３０１とマザー基板２０１とは高さ方向に異なる位置に設けられている。

アンテナ基板３０１にはアンテナ素子パターン９１が形成されている。このアンテナ素子パターン９１の給電点、または給電点から引き出した箇所にインダクタブリッジ１０１Ｂの第１コネクタ５１が接続される。インダクタブリッジ１０１Ｂの第２コネクタ５２はマザー基板２０１の上面に形成されている接続部に接続される。

図４（Ａ）は、上記インダクタブリッジ１０１Ｂとアンテナ基板３０１とを備えた高周波回路のブロック図、図４（Ｂ）はその等価回路図である。インダクタＬ１はインダクタブリッジ１０１Ｂに形成されたインダクタである。図４（Ａ）に示すように、アンテナＡＮＴとＲＦＩＣとの間にインダクタＬ１が接続されている。すなわち、図４（Ｂ）に示すように、アンテナ素子パターン９１の給電部にインダクタＬ１が直列に挿入されている。このインダクタＬ１によって、給電回路（ＲＦＩＣ）とアンテナとのインピーダンスマッチングおよびアンテナの周波数特性が定められる。

図５はアンテナ基板３０１とインダクタブリッジ１０１Ｃとの接続部の構造の例を示す図である。インダクタブリッジ１０１Ｃのコネクタ以外の構成は、既に示したインダクタブリッジ１０１Ａ，１０１Ｂと同じである。アンテナ素子パターン９１の給電点に孔Ｈ１が形成されている。インダクタブリッジ１０１Ｃの第１端部には電極（第１接続部）および孔Ｈ３が形成されている。このインダクタブリッジ側の孔Ｈ３を介してネジを孔Ｈ１にネジ留めすることにより、機械的・電気的に接続する。

図６（Ａ）はインダクタブリッジの別の適用例を示すブロック図、図６（Ｂ）はその等価回路図である。この例は、逆Ｆ型アンテナにおけるグランド接続点とグランドとの間にインダクタを挿入したアンテナを構成する例である。

図６（Ａ）、図６（Ｂ）において、インダクタＬ２はインダクタブリッジ１０２に形成されたインダクタである。アンテナＡＮＴとグランドとの間にインダクタＬ２が接続されて、逆Ｆ型アンテナが構成されている。すなわち、図６（Ｂ）に示すように、アンテナ素子パターン９１の一端とグランドとの間にインダクタＬ２が接続されていて、アンテナ素子パターン９１のうちインダクタＬ２の近傍に給電回路（ＲＦＩＣ）が接続されている。

図７（Ａ）はインダクタブリッジ１０２の外観斜視図、図７（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０２は、素体１０に対する第１コネクタ５１と第２コネクタ５２との取り付け面が異なっている。

図７（Ｂ）に表れているように、コネクタ実装電極４２は樹脂基材１３の下面に形成されている。レジスト層６１，６２はコネクタ実装電極４１，４２の位置に応じたパターンに形成されている。樹脂基材１２には導体パターン３１によるインダクタ部３０が構成されている。

樹脂基材１２には配線パターン２１が形成されていて、樹脂基材１３には配線パターン２３が形成されている。配線パターン２１の第１端はインダクタ部の導体パターン３１の外周端につながり、導体パターン３１の内周端はビア導体（層間接続導体）を介して配線パターン２３の第１端につながっている。

樹脂基材１１，１３にはコネクタ５１，５２を実装するためのコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。これらコネクタ実装電極４１，４２はビア導体を介して配線パターン２１，２３の第２端にそれぞれ接続されている。その他の構成は図１に示した例と同じである。

図８は、上記インダクタブリッジ１０２を用いてマザー基板２０１とアンテナ基板３０１とを接続した状態での断面図である。

アンテナ基板３０１には上記アンテナ素子パターン９１が形成されている。このアンテナ素子パターン９１の端部、または端部から引き出した箇所にインダクタブリッジ１０２の第１コネクタ５１が接続される。インダクタブリッジ１０２の第２コネクタ５２はマザー基板２０１の上面に形成されている接続部に接続される。このマザー基板２０１上の接続部は面状に広がったグランド導体パターンＧＮＤに導通している。

アンテナ基板３０１とマザー基板２０１との間にはマザー基板２０１に対する表面実装部品１６０がマザー基板２０１に実装されている。

インダクタブリッジ１０２のインダクタ部３０は、グランドに接続される第２コネクタ５２に近い位置に形成されている。すなわちアンテナ基板３０１から離れた位置に形成されている。このことにより、インダクタ部３０における電磁波放射によるアンテナ特性の劣化を抑制できる。また、インダクタブリッジのアンテナ寄りの配線パターン２１をアンテナの一部として作用させることができる。

また、図８に示すように、インダクタブリッジ１０２のうちインダクタ部３０の形成位置がマザー基板２０１に対して垂直方向に延びるように設ければ、インダクタ部３０のコイル軸Ａはマザー基板２０１に対して平行となる。そのため、マザー基板２０１に形成されているグランド導体パターンＧＮＤの影響を受けにくくできる。すなわち、インダクタ部３０とグランド導体ＧＮＤとの不要結合が抑制され、グランド導体ＧＮＤに生じる渦電流が抑制される。インダクタ部３０のコイル軸Ａはマザー基板２０１に対して完全に平行で無くてもよく、少なくとも垂直にならないようにすれば、その角度に応じて上記効果は相当程度生じる。

なお、図７に示した構成のインダクタブリッジ１０２以外に、例えば図２に示したインダクタブリッジ１０１Ｂ等、他のインダクタブリッジも、逆Ｆ型アンテナのインダクタ部分を構成するために適用することができる。

図９は２つの基板をインダクタブリッジで接続した状態を示す図である。サブ基板３０２にはＩＣ等の電子部品が実装されている。インダクタブリッジ１０１Ｄの第１接続部は基板３０２の上面に接続されていて、第２接続部はマザー基板２０２の上面に接続されている。なお、ここでは、サブ基板３０２が第１実装回路部材に相当し、マザー基板２０２が第２実装回路部材に相当する。

インダクタブリッジ１０１Ｄのコネクタ以外の構成は、既に示したインダクタブリッジ１０１Ａと同じである。

以降に示す各実施形態での図を用いた説明は、第１の実施形態で示したインダクタブリッジとは構成の異なる部分についてのみ行う。したがって、以下に説明するインダクタブリッジ１０３～１０７，１０８Ａ，１０８Ｂ，１０９の構成と、インダクタブリッジ１０１Ｂ～１０１Ｄ，１０２との構成を組み合わせたり、置換したりして実施することができる。

《第２の実施形態》
図１０（Ａ）は第２の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１０（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０３は、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。図１０（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。樹脂基材１２，１３にはスパイラル状の導体パターン３１，３２によるインダクタ部が構成されている。スパイラル状の導体パターン３１，３２は、樹脂基材１２，１３の面に垂直方向（素体１０の主面に垂直方向）にコイル軸が向くスパイラル状の導体パターンである。

樹脂基材１２には配線パターン２１，２２が形成されていて、樹脂基材１４には配線パターン２３が形成されている。配線パターン２１の第１端はインダクタ部の導体パターン３１の外周端につながり、導体パターン３１の内周端はビア導体（層間接続導体）を介して導体パターン３２の外周端につながり、導体パターン３２の内周端は配線パターン２３の第１端につながり、配線パターン２３の第２端はビア導体を介して配線パターン２２の第１端につながっている。導体パターン３１，３２は平面視で連続的には重ならないように配置されている。図１０（Ｃ）はインダクタ部の導体パターンを示す部分平面図である。その他の構造は図１（Ｂ）に示したものと同じである。

このような構造により、層数の増加に伴うインダクタンスの増大の割には浮遊容量の増加が少なく、より高周波帯域までインダクタとして用いることができる。

《第３の実施形態》
図１１（Ａ）は第３の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１１（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０４は、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。図１１（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。樹脂基材１２，１３にはスパイラル状の導体パターン３１，３２によるインダクタ部が構成されている。スパイラル状の導体パターン３１，３２は、樹脂基材１２，１３の面に垂直方向（素体１０の主面に垂直方向）にコイル軸が向くスパイラル状の導体パターンである。

樹脂基材１２には配線パターン２１，２２が形成されていて、樹脂基材１４には配線パターン２３が形成されている。配線パターン２１の第１端はインダクタ部の導体パターン３１の外周端につながり、導体パターン３１の内周端はビア導体（層間接続導体）を介して導体パターン３２の外周端につながり、導体パターン３２の内周端は配線パターン２３の第１端につながり、配線パターン２３の第２端はビア導体を介して配線パターン２２の第１端につながっている。導体パターン３１，３２は外周端同士および内周端同士が接続されている。すなわち導体パターン３１，３２は並列接続されている。その他の構造は図１（Ｂ）に示したものと同じである。

このような構造により、等価直列抵抗の低いインダクタを備えるインダクタブリッジが得られる。

《第４の実施形態》
図１２（Ａ）は第４の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１２（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０５は、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。図１２（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は樹脂基材１１，１２が積層されることで構成される。樹脂基材１２には素体の短手方向に延びるミアンダライン状の導体パターン３１によるインダクタ部が構成されている。

樹脂基材１２には配線パターン２１，２２が形成されている。配線パターン２１の第１端はインダクタ部の導体パターン３１の第１端につながり、導体パターン３１の第２端は配線パターン２２の第１端につながり、配線パターン２１，２２の第２端はビア導体を介してコネクタ実装電極４１，４２につながっている。その他の構造は図１（Ｂ）に示したものと同じである。

図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）において、破線は屈曲位置（概略位置）を示している。インダクタ部の位置とそれ以外の位置との境界付近が屈曲部である。ミアンダライン状の導体パターン３１によるインダクタ部は長手方向の剛性が高いので、インダクタ部の位置以外での屈曲が容易となる。また、このような構造により、素体１０の屈曲によるインダクタンスの変化が抑制できる。

なお、この第４の実施形態で示したインダクタ部の導体パターンとは異なり、互いに隣接する線路のそれぞれが素体の短手方向に延びるミアンダライン状の導体パターンでインダクタ部を構成すれば、素体の長手方向の柔軟性を高められる。また、素体の屈曲量に対するインダクタンスの変化量が抑制できる。

《第５の実施形態》
図１３（Ａ）は第５の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１３（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０６は、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。図１３（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は樹脂基材１１，１２が積層されることで構成される。樹脂基材１１，１２には、主面に平行方向にコイル軸が向くヘリカル状の導体パターン３１が形成されている。

樹脂基材１１には配線パターン２１，２２が形成されている。配線パターン２１の第１端はインダクタ部の導体パターン３１の第１端につながり、導体パターン３１の第２端は配線パターン２２の第１端につながり、配線パターン２１，２２の第２端はコネクタ実装電極４１，４２につながっている。その他の構造は図１（Ｂ）に示したものと同じである。

このように、素体１０の主面に平行方向にコイル軸が向くヘリカル状の導体パターン３１を形成することにより、このインダクタブリッジ１０６に導体が隣接しても、その導体に渦電流が生じ難く、周囲環境によるインダクタンスの変動が抑制される。

《第６の実施形態》
図１４（Ａ）は第６の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１４（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０７は、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。図１４（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。樹脂基材１２，１３には、主面に垂直方向にコイル軸が向くヘリカル状の導体パターン３１，３２が形成されている。樹脂基材１２には開口ＡＰが形成されていて、この開口ＡＰ内にフェライト板による磁性体コア７０が収納する。すなわち素体１０内に磁性体コア７０が埋設される。その他は図１（Ｂ）や図１０（Ｂ）に示したものと同じである。

このように、磁性体コア７０をインダクタ部の導体パターンの近傍に配置することにより、インダクタ部を小型化でき、小型のインダクタブリッジが構成できる。

《第７の実施形態》
図１５（Ａ）は第７の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１５（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１０８Ａは、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。樹脂基材１２にはスパイラル状の導体パターン３１によるインダクタ部が構成されている。樹脂基材１２には配線パターン２１が形成されていて、樹脂基材１３には配線パターン２２が形成されている。配線パターン２１の第１端はインダクタ部の導体パターン３１の外周端につながり、導体パターン３１の内周端はビア導体を介して配線パターン２２の第１端につながっている。樹脂基材１１にはコネクタ５１，５２を実装するためのコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。これらコネクタ実装電極４１，４２はビア導体を介して配線パターン２１，２２の第２端にそれぞれ接続されている。

樹脂基材１１，１４にはシールド導体パターン８１，８２が形成されている。このように、インダクタ部を層方向に挟む位置にシールド導体パターン８１，８２が形成されていることにより、インダクタ部が電磁シールドされて、安定した特性が得られる。

なお、コネクタ５１，５２は同軸コネクタタイプのコネクタであり、中心導体はコネクタ実装電極４１，４２に接続され、外導体はシールド導体パターン８１に接続される。

図１６（Ａ）は第７の実施形態に係るもう一つのインダクタブリッジ１０８Ｂの外観斜視図、図１６（Ｂ）はその分解斜視図である。樹脂基材１１，１４に設けられているシールド導体パターン８１，８２には開口ＡＰが形成されている。その他は図１５に示したインダクタブリッジ１０８Ａと同じである。このようにシールド導体パターンは全体に連続して広がっていなくても、電磁シールド効果はある。開口ＡＰを複数形成して、メッシュ状のシールド導体パターンを設けてもよい。また、開口ＡＰをインダクタ部に対応する位置に配置することで、素体１０の剛性を均一化することもできる。

《第８の実施形態》
図１７（Ａ）は第８の実施形態に係るインダクタブリッジの外観斜視図、図１７（Ｂ）はその分解斜視図である。また、図１８はインダクタブリッジ１０９のインダクタ部の断面図である。このインダクタブリッジ１０９は、可撓性を有する平板状の素体１０、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。樹脂基材１３にはチップインダクタ３９によるインダクタ部が構成されている。樹脂基材１２にはチップインダクタ３９が収納される開口ＡＰが形成されている。樹脂基材１３の下面にはチップインダクタ３９が接続される配線パターン２１，２２が形成されていて、樹脂基材１１の上面にはコネクタ５１，５２を実装するためのコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。これらコネクタ実装電極４１，４２はビア導体を介して配線パターン２１，２２にそれぞれ接続されている。

このように、チップインダクタ３９を素体１０の面方向厚み方向のいずれについても中央に配置することにより、素体１０の屈曲によるチップインダクタ３９へ加わる応力が小さく、素体１０の可撓性を維持したまま用いることができる。また、厚み一定のケーブルとして利用できる。

《第９の実施形態》
図１９は第９の実施形態に係る電子機器４０１の筐体内部の構造を示す図であり、上部筐体１９１と下部筐体１９２とを分離して内部を露出させた状態での平面図である。この電子機器４０１は例えば携帯電話端末やタブレットＰＣであり、図１に示したインダクタブリッジ１０１Ａを備えたものである。

上部筐体１９１の内部にはプリント配線板１７１，１８１、バッテリーパック１８３等が収められている。プリント配線板１７１にはＵＨＦ帯アンテナ１７２、カメラモジュール１７６等も搭載されている。また、プリント配線板１８１にはＵＨＦ帯アンテナ１８２等が搭載されている。プリント配線板１７１とプリント配線板１８１とはケーブル１８４を介して接続されている。

プリント配線板１８１とＵＨＦ帯アンテナ１８２との間はインダクタブリッジ１０１Ａで接続されている。インダクタブリッジ１０１Ａの構成は図１に示したとおりである。なお、ここでは、ＵＨＦ帯アンテナ１８２が第１実装回路部材に相当し、プリント配線板１８２が第２実装回路部材に相当する。

なお、プリント配線板１７１と１８１を接続するケーブル１８４にインダクタブリッジを適用してもよい。

《第１０の実施形態》
図２０は第１０の実施形態に係るインダクタブリッジ１１０の分解斜視図である。このインダクタブリッジ１１０は、可撓性を有する平板状の素体、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。上記素体は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。

図２１は、上記インダクタブリッジ１１０の断面図であり、図２０における一点鎖線部分での断面図である。

樹脂基材１１～１４には導体パターン３１～３４によるインダクタ部が構成されている。導体パターン３１～３４は、樹脂基材１１～１４の面に垂直方向（素体の主面に垂直方向）にコイル軸が向く矩形ヘリカル状の導体パターンである。導体パターン３１の一端には配線パターン２１の第１端が接続されていて、導体パターン３４の一端には配線パターン２３の第１端が接続されている。

樹脂基材１１にはコネクタ５１，５２を実装するためのコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。コネクタ実装電極４１は配線パターン２１の第２端に接続されていて、コネクタ実装電極４２はビア導体を介して配線パターン２３の第２端に接続されている。

上記導体パターン３１～３４は、層間で対向する位置に形成されている。すなわち、積層方向に平面視したとき、複数の導体パターン３１～３４は重なる。これら複数の導体パターンのうち、第１コネクタ５１（第１接続部）および第２コネクタ５２（第２接続部）に経路上近い導体パターン３１，３４の線幅は他の層の導体パターン３２，３３の線幅より細い。

図２１に表れているように、導体パターン３１～３４は、層間で対向する位置に形成されているので、層方向に隣接する導体パターン間に容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が生じる。導体パターン３１，３４の線幅は導体パターン３２，３３の線幅より細く、導体パターン３１と導体パターン３４との間に導体パターン３２，３３が挟まっているので、導体パターン３１と導体パターン３４との間に生じようとする容量Ｃ０は小さい。また、Ｃ１＜Ｃ２、Ｃ３＜Ｃ２の関係にある。

図２２は上記インダクタブリッジ１１０の等価回路図である。図２２においてインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４は上記導体パターン３１，３２，３３，３４のインダクタンス成分に相当し、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３は図２１に示したとおり、導体パターン３１～３４のうち、各層間に生じる容量成分、キャパシタＣ０は導体パターン３１と導体パターン３４との間に生じる容量成分にそれぞれ相当する。なお、ここでは導体パターンの抵抗成分については図示を省略している。

インダクタブリッジ１１０の自己共振周波数は、インダクタＬ１～Ｌ４等で示すインダクタンス成分、およびキャパシタＣ０～Ｃ３等で示す容量成分により定まるが、各部で生じる容量のうち、大きい電位差が掛かるキャパシタＣ０の容量が自己共振周波数の決定に対して支配的である。本実施形態によれば、上述のとおり、Ｃ０が効果的に抑制されるので、自己共振周波数は高くできる。

図２３は自己共振周波数の変化について示す図である。図２０、図２１に示した導体パターン３１～３４の線幅が等しいとき、自己共振周波数はｆ０で示す周波数となる。本実施形態のように、導体パターン３１，３４の線幅を導体パターン３２，３３の線幅より細くすることで、自己共振周波数はｆ１で示すように高くなる。仮に、導体パターン３１，３４の線幅を導体パターン３２，３３の線幅より太くすると、自己共振周波数はｆ２で示すように低くなる。本実施形態のように、導体パターン３１，３４の線幅を導体パターン３２，３３の線幅より細くすることで、自己共振周波数が高くなって、通過帯域幅ＰＢが広くなる。

なお、導体パターン３１，３４の線幅を細くしても、その他の導体パターン３２，３３の線幅は太くできるので、インダクタ部におけるDCR（直流抵抗）の増大は抑えられる。

《第１１の実施形態》
図２４は第１１の実施形態に係るインダクタブリッジ１１１の分解斜視図である。このインダクタブリッジ１１１は、可撓性を有する平板状の素体、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。上記素体は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。

図２５は、上記インダクタブリッジ１１１の断面図であり、図２４における一点鎖線部分での断面図である。

図２０、図２１に示したインダクタブリッジとは、導体パターン３１，３４の導体厚みが異なる。本実施形態では、導体パターン３１，３４の線路幅を細くした分、それらの導体厚みを厚くしてDCR（直流抵抗）が増大することを抑制している。この構造により、導体パターン３１，３４の線路幅を細くしてもDCRを低く抑えることができる。

《第１２の実施形態》
図２６は第１２の実施形態に係るインダクタブリッジ１１２の分解斜視図である。このインダクタブリッジ１１２は、可撓性を有する平板状の素体、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２を備えている。上記素体は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。

図２７は、上記インダクタブリッジ１１２の断面図であり、図２６における一点鎖線部分での断面図である。

本実施形態では、インダクタ部の導体パターン３１～３４の線幅は等しいが、層間距離が不均等である。すなわち、導体パターン３１と導体パターン３２との間の間隔は、導体パターン３２と導体パターン３３との間の間隔より広い。同様に、導体パターン３３と導体パターン３４との間の間隔は、導体パターン３２と導体パターン３３との間の間隔より広い。

図２８はインダクタブリッジ１１２の等価回路図である。図２８において、インダクタＬａ、抵抗Ｒａは、上記導体パターン３１，３２によるインダクタンス成分および抵抗成分に相当する。同様に、インダクタＬｂ、抵抗Ｒｂは、上記導体パターン３２，３３によるインダクタンス成分および抵抗成分に相当し、インダクタＬｃ、抵抗Ｒｃ、は上記導体パターン３３，３４によるインダクタンス成分および抵抗成分に相当する。相互インダクタンスＭは、インダクタＬａ－Ｌｂ間およびインダクタＬｂ－Ｌｃ間にそれぞれ生じる。また、キャパシタＣａは導体パターン３１－３２間に生じる容量成分に相当する。同様に、キャパシタＣｂは導体パターン３２と導体パターン３３との間に生じる容量成分、キャパシタＣｃは導体パターン３３と導体パターン３４間とのに生じる容量成分にそれぞれ相当する。

導体パターン３１と導体パターン３２との間隔および導体パターン３３と導体パターン３４との間隔は、導体パターン３２と導体パターン３３との間隔より広いので、上記容量Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃは、（Ｃａ，Ｃｃ）＜Ｃｂの関係にある。

上記構造をシミュレーションしたところ、導体パターン３１～３４の層間距離を均等にした場合に比べて自己共振周波数が高まることがわかった。したがって、複数の導体パターンのうち、第１コネクタ５１および第２コネクタ５２に経路上近い導体パターン３１，３４と、この導体パターン３１，３４に対する隣接層の導体パターンとの間隔を、他の隣接層における導体パターン間の間隔より広くすることで、インダクタブリッジの通過帯域幅を広くすることができる。

なお、第１０の実施形態、第１１の実施形態および第１２の実施形態では、インダクタ部を構成する導体パターンが４層であったが、３層であってもよいし、５層以上であってもよい。

《第１３の実施形態》
図２９（Ａ）、図２９（Ｂ）は第１３の実施形態に係るインダクタブリッジ１１３の斜視図である。図２９（Ａ）は上面を視た斜視図、図２９（Ｂ）は下面を視た斜視図である。樹脂基材１１の上面にスパイラル状の導体パターン３１および配線パターン２１，２２が形成されていて、その下面に配線パターン２３が形成されている。配線パターン２３の第１端はスパイラル状の導体パターン３１の内周端に、第２端は配線パターン２２の端部にそれぞれビア導体を介して接続されている。

図１に示した例では、２つの樹脂基材に導体パターン３１および配線パターン２１，２２を形成したが、図２９（Ａ）（Ｂ）に示す例のように、１層の樹脂基材１１に各種導体パターンを形成してもよい。必要に応じて最表面には導体パターンの保護のためのレジスト層が形成される。

本実施形態によれば、両面に金属箔を張り付けた基板を用い、１層で作製することで、積層、圧着工程が不要で、工程を簡略化できる。

《第１４の実施形態》
図３０は第１４の実施形態に係る、インダクタブリッジおよびアンテナを備えた高周波回路の回路図である。この例ではアンテナANTの給電ラインに設けるインダクタＬ１としてインダクタブリッジ１１４を適用している。

図３１は、図３０に示したアンテナANTおよびインダクタブリッジ１１４の実装（配置）構造を示す図である。

アンテナ基板３０１にはアンテナ素子パターンが形成されている。このアンテナ素子パターンの所定箇所にインダクタブリッジ１１４の第１コネクタ５１が接続される。インダクタブリッジ１１４の第２コネクタ５２はマザー基板２０１の上面に形成されている接続部に接続される。

インダクタブリッジ１１４が近接するマザー基板２０１上には金属パターン（グランド導体パターンやＲＦＩＣにつながる配線パターン等）８３が形成されている。アンテナ基板３０１のアンテナ素子パターンの所定箇所は金属パターン８３に接続されている。

図３１において、インダクタブリッジ１１４のインダクタ部３０と第２コネクタ５２との間の配線パターンと金属パターン８３との間（図中Ａで示す領域）は電位差が生じやすいので、この部分に生じる寄生容量が小さいことが好ましい。

図３２（Ａ）（Ｂ）は、図３１に示したインダクタブリッジ１１４の実装構造および金属パターン８３との位置関係を示す分解斜視図である。図３２（Ａ）（Ｂ）においては、インダクタブリッジの構造が異なるので、異なった符号を１１４Ａ，１１４Ｂをそれぞれ付している。

図３２（Ａ）（Ｂ）のいずれの構造においても、樹脂基材１１，１２，１３にスパイラル状の導体パターン３１、配線パターン２１，２２およびコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。

図３２（Ｂ）に示す例では、インダクタブリッジ１１４Ｂにおいて、ＲＦＩＣが接続される第２コネクタ５２側の配線パターン２２が第１コネクタ５１側の配線パターン２１に比べて金属パターン８３（面状導体）に近い層に形成されている。コネクタ実装電極４１と金属パターン８３とは同電位であり、配線パターン２２と金属パターン８３との間に生じる寄生容量は大きい。そのため、アンテナ特性に与える影響が比較的大きい。

これに対して、図３２（Ａ）に示す例では、インダクタブリッジ１１４Ａにおいて、樹脂基材１１にスパイラル状の導体パターン３１、配線パターン２２およびコネクタ実装電極４１が形成されている。樹脂基材１２には配線パターン２１が形成されている。そして、樹脂基材１３にコネクタ実装電極４２が形成されている。

図３２（Ａ）に示すインダクタブリッジの実装構造によれば、ＲＦＩＣが接続される第２コネクタ５２側の配線パターン２２およびインダクタ部３０の導体パターン３１が第１コネクタ５１側の配線パターン２１に比べて金属パターン８３（面状導体）より離れた層に形成されている。そのため、配線パターン２２および導体パターン３１と金属パターン８３との間に生じる寄生容量は小さく、アンテナ特性に与える影響が小さい。

《第１５の実施形態》
図３３は第１５の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１５およびアンテナ基板３０１を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ１１５を適用している。図３３において、アンテナ基板３０１に接続される第１コネクタ５１から遠い方の第２コネクタ５２につながる導体パターンとアンテナ基板３０１との間（図中Ａで示す領域）は電位差が大きいので、この部分に生じる寄生容量が小さいことが好ましい。

図３４（Ａ）（Ｂ）は、図３３に示したインダクタブリッジ１１５の実装構造およびアンテナ基板３０１との位置関係を示す分解斜視図である。図３４（Ａ）（Ｂ）においては、インダクタブリッジの構造が異なるので、異なった符号を１１５Ａ，１１５Ｂをそれぞれ付している。

図３４（Ａ）（Ｂ）のいずれの構造においても、樹脂基材１１，１２，１３にスパイラル状の導体パターン３１、配線パターン２１，２２およびコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。第１コネクタ５１はアンテナ基板のアンテナ素子パターン９１の端部に接続される。

図３４（Ｂ）に示す例では、インダクタブリッジ１１５Ｂにおいて、アンテナ素子パターン９１の開放端付近が対向する第２コネクタ５２側の配線パターン２２が、第１コネクタ５１側の配線パターン２１に比べてアンテナ素子パターン９１に近接する層に形成されている。そのため、配線パターン２２とアンテナ素子パターン９１との間に生じる寄生容量が大きく、アンテナ特性に与える影響が比較的大きい。

これに対して、図３４（Ａ）に示す例では、インダクタブリッジ１１５Ａにおいて、アンテナ素子パターン９１の開放端付近が対向する第２コネクタ５２側の配線パターン２２が、第１コネクタ５１側の配線パターン２１に比べてアンテナ素子パターン９１から離れた層に形成されている。そのため、配線パターン２２とアンテナ素子パターン９１との間に生じる寄生容量が小さく、アンテナ特性に与える影響が小さい。

《第１６の実施形態》
図３５は第１６の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１６、アンテナ基板３０１およびマザー基板２０１を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ１１６を適用している。図３５において、第２コネクタ５２は金属パターン８３に接続されていて、アンテナ基板３０１に接続される第１コネクタ５１につながる導体パターンとマザー基板２０１の金属パターン８３との間（図中Ａで示す領域）は電位差が大きいので、この部分に生じる寄生容量が小さいことが好ましい。

図３６（Ａ）（Ｂ）は、図３５に示したインダクタブリッジ１１６の実装構造およびマザー基板２０１の金属パターン８３との位置関係を示す分解斜視図である。図３６（Ａ）（Ｂ）においては、インダクタブリッジの構造が異なるので、異なった符号を１１６Ａ，１１６Ｂをそれぞれ付している。

図３６（Ａ）（Ｂ）のいずれの構造においても、樹脂基材１１，１２，１３にスパイラル状の導体パターン３１、配線パターン２１，２２およびコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。第１コネクタ５１はアンテナ基板３０１に接続される。

図３６（Ｂ）に示す例では、インダクタブリッジ１１６Ｂにおいて、アンテナ基板３０１に接続される第１コネクタ５１につながる配線パターン２１がマザー基板２０１の金属パターン８３に近接する層に形成されている。そのため、配線パターン２１と金属パターン８３との間に生じる寄生容量が大きく、アンテナ特性に与える影響が比較的大きい。

これに対して、図３６（Ａ）に示す例では、インダクタブリッジ１１６Ａにおいて、アンテナ基板３０１に接続される第１コネクタ５１につながる配線パターン２１が、配線パターン２２に比べて、マザー基板２０１の金属パターン８３から遠い層に形成されている。そのため、配線パターン２１と金属パターン８３との間に生じる寄生容量が小さく、アンテナ特性に与える影響が小さい。

《第１７の実施形態》
図３７は第１７の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１７、アンテナ基板３０１および金属部材８４を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ１１７を適用している。図３７において、アンテナ基板３０１に接続される第１コネクタ５１につながる導体パターンと金属部材（例えばバッテリーパックや液晶表示パネルのシールド板等）８４との間（図中Ａで示す領域）はアンテナ特性に与える影響が大きいので、この部分に生じる寄生容量が小さいことが好ましい。

図３８（Ａ）（Ｂ）は、図３７に示したインダクタブリッジ１１７の実装構造および金属部材８４との位置関係を示す分解斜視図である。図３８（Ａ）（Ｂ）においては、インダクタブリッジの構造が異なるので、異なった符号を１１７Ａ，１１７Ｂをそれぞれ付している。

図３８（Ａ）（Ｂ）のいずれの構造においても、樹脂基材１１，１２，１３にスパイラル状の導体パターン３１、配線パターン２１，２２およびコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。第１コネクタ５１はアンテナ基板３０１に接続される。

図３８（Ｂ）に示す例では、インダクタブリッジ１１７Ｂにおいて、アンテナ基板３０１に接続される第１コネクタ５１につながる配線パターン２１が金属部材８４に近接する層に形成されている。そのため、配線パターン２１と金属部材８４との間に生じる寄生容量が大きく、アンテナ特性に与える影響が比較的大きい。

これに対して、図３８（Ａ）に示す例では、インダクタブリッジ１１７Ａにおいて、アンテナ基板３０１に接続される第１コネクタ５１につながる配線パターン２１が、配線パターン２２に比べて、金属部材８４から遠い層に形成されている。そのため、配線パターン２１と金属部材８４との間に生じる寄生容量が小さく、アンテナ特性に与える影響が小さい。

《第１８の実施形態》
図３９（Ａ）（Ｂ）は第１８の実施形態に係るインダクタブリッジ１１８Ａ，１１８Ｂの分解斜視図である。樹脂基材１１，１２にスパイラル状の導体パターン３１，３２、配線パターン２１，２２，２３が形成されている。

このように、スパイラル状の導体パターン３１，３２を２層の樹脂基材１１，１２に形成するとともに、配線パターンもこの２層の樹脂基材１１，１２に形成することによって、２層の樹脂基材を積層するだけでインダクタブリッジを構成できる。なお、最表面には導体パターンの保護のためのレジスト層を形成することが好ましい。

《第１９の実施形態》
図４０は第１９の実施形態に係る、インダクタブリッジ１１９、アンテナ基板３０１および金属部材８４を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ１１９を適用している。 図４１（Ａ）は、図４０に示したインダクタブリッジ１１９の斜視図、図４１（Ｂ）はインダクタブリッジ１１９Ａの構造および金属部材８４との位置関係を示す分解斜視図である。図４１（Ｃ）はインダクタブリッジ１１９Ｂの構造および金属部材８４との位置関係を示す分解斜視図である。図４１（Ｂ）（Ｃ）においては、インダクタブリッジの構造が異なるので、異なった符号を１１９Ａ，１１９Ｂをそれぞれ付している。

図４１（Ａ）（Ｂ）のいずれの構造においても、樹脂基材１１，１２，１３にスパイラル状の導体パターン３１，３２、配線パターン２１，２２およびコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。第１コネクタ５１はアンテナ基板３０１に接続される。

図４１（Ｃ）に示す例では、インダクタブリッジ１１９Ｂにおいて、金属部材８４に近い側の樹脂基材１２に形成されている導体パターン３２のターン数が、遠い側の樹脂基材１１に形成されている導体パターン３１のターン数より多いので、インダクタ部に生じる磁界が金属部材８４によって妨げられやすい。そのため所定のインダクタンスを得にくい。また、導体パターン３２と金属部材８４との間に生じる寄生容量が大きい。

これに対して、図４１（Ｂ）に示す例では、インダクタブリッジ１１９Ａにおいて、金属部材８４に近い側の樹脂基材１２に形成されている導体パターン３２のターン数が、遠い側の樹脂基材１１に形成されている導体パターン３１のターン数より少ないので、インダクタ部に生じる磁界が金属部材８４によって妨げられにくい。そのためインダクタンスの低下が少ない。また、導体パターン３２と金属部材８４との間に生じる寄生容量も小さい。

《第２０の実施形態》
図４２は、第２０の実施形態に係るインダクタブリッジ１２０、アンテナ基板３０１および金属部材８４を備えた高周波回路の構造を示す図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ１２０を適用している。 図４３（Ａ）はインダクタブリッジ１２０の斜視図、図４３（Ｂ）はインダクタブリッジ１２０の構造および金属部材８４との位置関係を示す分解斜視図である。樹脂基材１１，１２，１３にスパイラル状の導体パターン３１，３２、配線パターン２１，２２およびコネクタ実装電極４１，４２が形成されている。樹脂基材１１，１２，１３が積層されて素体１０が構成される。第１コネクタ５１はアンテナ基板３０１に接続される。

図４４（Ａ）は、インダクタブリッジ１２０の素体１０の断面図である。この例では導体パターン３１と導体パターン３２とが層方向に対向している。図４４（Ｂ）はインダクタブリッジ１２０の等価回路図である。ここでインダクタＬは主に導体パターン３１，３２によるインダクタンスに相当し、キャパシタＣは導体パターン３１と導体パターン３２との間に生じる容量に相当する。この回路構成により、帯域除去フィルタ（ＢＥＦ）として作用し、所定の周波数帯域を減衰させる機能をもたせることができる。

図４５（Ａ）は、上記インダクタブリッジ１２０とは内部の構造が少し異なるインダクタブリッジの断面図、図４５（Ｂ）は、その場合のインダクタブリッジの等価回路図である。この例では、図４４（Ａ）に示した例に比べ、導体パターン３１と導体パターン３２との層方向の対向面積が少ない。図４５（Ｂ）に示すインダクタＬは主に導体パターン３１，３２によるインダクタンスに相当し、キャパシタＣは導体パターン３１，３２と金属部材８４との間に生じる容量に相当する。この回路構成により、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）として作用し、不要な高周波（高調波）成分を減衰させる機能をもたせることができる。

《第２１の実施形態》
図４６は、第２１の実施形態に係るインダクタブリッジ１２１、アンテナ基板３０１、金属部材８４およびマザー基板２０１を備えた高周波回路の構造を示す図である。図４７はインダクタブリッジ１２１の斜視図である。この例ではアンテナの給電ラインにインダクタブリッジ１２１を適用している。

図４８（Ａ）（Ｂ）はインダクタブリッジ１２１の部分分解斜視図および屈曲位置を示す図である。いずれも、樹脂基材１１，１２，１３にスパイラル状の導体パターン３１、配線パターン２１，２２およびコネクタ実装電極４２が形成されている。

図４８（Ｂ）に示すように配線パターン２１の途中位置で屈曲しようとすると、想定外の位置に応力を受けることにより、スパイラル状の導体パターン形成範囲にまで屈曲位置がずれてしまうことがある。その場合には、スパイラル状導体パターン３１の変形によってインダクタンスが変動してしまう。

一方、図４８（Ａ）に示すように、スパイラル状の導体パターン３１と配線パターン２２との層間接続導体（ビア）の位置でインダクタブリッジを屈曲すれば、屈曲位置が変動することなく、屈曲位置がばらつかないため、インダクタンスの想定外の変動が抑えられる。

図４９（Ａ）（Ｂ）はインダクタブリッジ１２１の別の部分分解斜視図および屈曲位置を示す図である。

図４９（Ｂ）に示すように、想定外の位置に応力を受けて、スパイラル状の導体パターン形成範囲にまで屈曲位置がずれてしまうと、スパイラル状導体パターン３１の変形によってインダクタンスが変動してしまう。

一方、図４９（Ａ）に示すように、配線パターン２１の途中位置で屈曲されるように、ダミーの層間接続導体（ビア）VIAを形成しておけば、この位置でインダクタブリッジが屈曲される。このことにより、屈曲位置が変動することなく、屈曲位置がばらつかないため、インダクタンスの想定外の変動が抑えられる。

《第２２の実施形態》
図５０（Ａ）は第２２の実施形態に係るインダクタブリッジ１２３の斜視図、図５０（Ｂ）はその分解斜視図である。このインダクタブリッジ１２３は第１回路と第２回路との間を２端子コネクタでブリッジ接続するための素子である。図５０（Ａ）に表れているように、このインダクタブリッジ１２３は、可撓性を有する平板状の素体１０、第１の２端子コネクタ５３および第２の２端子コネクタ５４を備えている。

図５０（Ｂ）に表れているように、素体１０は液晶ポリマー（LCP）の樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。樹脂基材１２，１３には導体パターン３１，３２によるインダクタ部が構成されている。導体パターン３１，３２は、樹脂基材１２の面に垂直方向（素体１０の主面に垂直方向）にコイル軸が向くスパイラル状の導体パターンである。

樹脂基材１２には配線パターン２１，２２が形成されていて、樹脂基材１４には配線パターン２３が形成されている。樹脂基材１１にはコネクタ実装電極４１Ｓ，４２Ｓおよびグランド電極４０が形成されている。２端子コネクタ５３，５４の中心導体はコネクタ実装電極４１Ｓ，４２Ｓにそれぞれ接続され、コネクタ実装電極４１Ｓ，４２Ｓの外導体はグランド電極４０に接続される。

グランド電極４０は、インダクタ部をシールドする機能があり、外部の回路との不要結合を抑制する。また、このインダクタブリッジを接続する基板等に形成されている導体や金属部材との不要結合を抑制する。

導体パターン３１のインダクタンスは導体パターン３２のインダクタンスより小さい、インダクタンスの小さい方の導体パターンがグランド電極４０に近接することで、グランド電極４０に生じる渦電流が少なくてすむ。

《第２３の実施形態》
図５１（Ａ）は第２３の実施形態に係るインダクタブリッジ１２４の斜視図、図５１（Ｂ）はその分解斜視図である。図５１（Ｂ）に表れているように、素体１０は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。樹脂基材１２，１３には導体パターン３１，３２によるインダクタ部が構成されている。樹脂基材１２には配線パターン２１，２２が形成されていて、樹脂基材１４には配線パターン２３が形成されている。樹脂基材１１にはコネクタ実装電極４１，４２およびグランド電極４０が形成されている。グランド電極４０には導電性両面テープ４３が貼付されている。

このインダクタブリッジ１２４を電子機器に組み込んだ状態で、導電性両面テープ４３が組み込み先電子機器筐体内のグランド電極や金属部材に貼付される。これにより、２端子コネクタを用いることなく、グランド接続が行われる。なお、導電性両面テープ以外に導電性接着剤を用いて、グランド接続を行ってもよい。

《第２４の実施形態》
図５２（Ａ）は第２４の実施形態に係るインダクタブリッジ１２５の外観斜視図である。図５２（Ｂ）は第２４の実施形態に係るインダクタブリッジ１２５の分解平面図である。インダクタブリッジ１２５は屈曲線LOF1で山折り、屈曲線LOF2で谷折りされ、例えば図８に示したような形態で使用される。

素体１０は樹脂基材１１，１２，１３，１４，１５が積層されることで形成される。樹脂基材１１の上面にはレジスト層６１が形成され、樹脂基材１５の下面にはレジスト層６２が形成される。レジスト層６１、６２にはそれぞれ開口部が形成されている。樹脂基材１１の上面には導体パターン３１が形成されている。樹脂基材１２～１５の下面にはループ状の導体パターン３２～３５が形成されている。樹脂基材１１～１５には層間接続導体Ｖ１～Ｖ５が形成されている。樹脂基材１１の上面にはコネクタ実装電極４１、樹脂基材１５の下面にはコネクタ実装電極４２がそれぞれ形成されている。

樹脂基材１１において導体パターン３１は第１端がコネクタ実装電極４１に接続され、第２端が層間接続導体Ｖ１に接続される。層間接続導体Ｖ１は樹脂基材１２に形成された導体パターン３２の第１端に接続される。樹脂基材１２において層間接続導体Ｖ２は導体パターン３２の第１端に接続される。導体パターン３２の第２端は樹脂基材１３に形成された層間接続導体Ｖ３に接続される。樹脂基材１３において層間接続導体Ｖ３は導体パターン３３の第１端に接続される。導体パターン３３の第２端は樹脂基材１４に形成された層間接続導体Ｖ４に接続される。樹脂基材１４において層間接続導体Ｖ４は導体パターン３４の第１端に接続される。導体パターン３４の第２端は樹脂基材１５に形成された層間接続導体Ｖ５に接続される。樹脂基材１５において層間接続導体Ｖ５は導体パターン３５の第１端に接続される。導体パターン３５の第２端はコネクタ実装電極４２に接続される。

コネクタ実装電極４１，４２は、レジスト層６１，６２の開口部を経由してコネクタ５１，５２に接続される。これらの導体パターンおよび層間接続導体にて積層型コイルパターンによるインダクタ部が構成されている。

本実施形態によれば、以下に述べるような多くの作用効果を奏する。

図５３（Ａ）（Ｂ）は上記屈曲部付近における導体パターンに掛かる応力について示す図である。図５３（Ｃ）はインダクタブリッジ１２５の屈曲状態での斜視図である。図５３（Ａ）（Ｂ）においては導体パターン３２，３４の一部を代表的に表している。図５３（Ａ）に示すように、インダクタブリッジ１２５の導体パターンのうち、屈曲線LOF1，LOF2と交差する部分は、屈曲線LOF1，LOF2に対して直交しないで所定角度で交差するように、導体パターンが形成されている。つまり、平面視でインダクタパターンは楕円形（リーフ形状）の概形を有しており、その長軸は各屈曲線LOF1，LOF2に対して非垂直である（楕円形状の長軸および短軸が各屈曲線LOF1，LOF2に対して斜めになる）ようにパターニングされている。

屈曲線LOF1，LOF2と交差する導体パターンの部分を上記形状にすることにより、素体１０の屈曲時に発生する応力を分散させることができる。具体的には、図５３（Ａ）に示すように、樹脂基材１２の長手方向に掛かる応力をFで表すとき、導体パターン３２の屈曲線LOF1と交差する位置での導体パターン３２に掛かる応力はFcosθになる。すなわちFより低減される。

また、図５３（Ｂ）に示すように、導体パターン３４は、屈曲線LOF2の近傍において導体パターンが湾曲している。このような部分を設けることにより、屈曲部における樹脂基材１４の変形に対し、導体パターン３４が追随変形するので断線しにくい。例えば導体パターン３４は素体１０の厚み中央より下層に存在するため、屈曲線LOF2での屈曲により、導体パターン３４には引っ張り応力が掛かる。そのため、図５３（Ｂ）において破線で示すように、導体パターン３４は屈曲線LOF2との交差位置付近が真っ直ぐに伸びようとする。このように、導体パターンの屈曲部が予め湾曲しているので、言わば「伸びしろ」があり、導体パターンが変形し易い。この作用によって導体パターンに掛かる応力はさらに緩和される。

また、図５２（Ｂ）に示したとおり、層間接続導体Ｖ１～Ｖ５は、いずれも屈曲線LOF2よりもコネクタ実装電極４２側に設けられている。屈曲線LOF2に近い位置に配置される層間接続導体Ｖ３，Ｖ５に接続される導体パターン３３，３５は、導体パターン３３，３５が屈曲線LOF2と重なる部分と層間接続導体Ｖ３，Ｖ５部との間において、図中破線で囲んで示すように、湾曲形状（迂回形状）になっている。導体パターンをこのような形状にすることにより、屈曲線LOF2で素体１０が屈曲されたときに、屈曲による応力は層間接続導体Ｖ３，Ｖ５に直接的に伝わらないので、層間接続導体Ｖ３，Ｖ５と導体パターン３３，３５との間の破断が起こりにくい。なお、導体パターン３２，３４については、屈曲線LOF2から層間接続導体Ｖ２，Ｖ４までの距離が大きいので、上記湾曲形状（迂回形状）が無くても断線し難い。

図５４（Ａ）はインダクタブリッジ１２５の平面図である。図５４（Ａ）においては、インダクタ部の導体パターンと屈曲位置との関係を示すために、導体パターンの楕円形状を表している。図５４（Ｂ）はインダクタブリッジ１２５の屈曲状態での斜視図である。

図５４（Ａ）に示すように、インダクタブリッジ１２５において、インダクタ部の楕円形状の導体パターンは、その長軸がＸ軸に対して傾斜している。そのため、インダクタ部の導体パターンは、領域Ａから領域Ｂにかけて、さらに領域Ｂから領域Ｃにかけて、Ｙ軸の正方向にシフトしている。このような構造にすることにより、楕円形状の長軸がＸ軸方向を向いている場合に比べて、隣接領域を亘る導体パターンの線間距離が大きくなる。例えば、楕円形状の長軸がＸ軸方向を向いていると、領域Ａにある導体パターンと領域Ｃにある導体パターンとは、屈曲線LOF1で山折り、屈曲線LOF2で谷折りされることで、領域Ａの導体パターン部分と領域Ｃの導体パターン部分とが接近する。これに対し、本実施形態によれば、図５４（Ａ）において破線で示す部分の導体パターン間の間隔は上記屈曲によってもあまり接近しない。そのため、インダクタ部の導体パターンの線間容量が大きくならず、自己共振周波数を高く保つことができる。

また、素体１０がフレキシブル性を有すると、素体１０の領域Ａと領域Ｂとの成す角度（屈曲角度）、領域Ｂと領域Ｃとの成す角度（屈曲角度）は、一定に保ちにくい。上述のとおり、本実施形態によれば、屈曲による線間容量の増大が少ないので、屈曲形状のばらつきによるインダクタ素子として電気的特性の変化も少ない。

また、図５２（Ｂ）と図５４（Ａ）（Ｂ）とを参照すれば明らかなように、領域Ｂには層間接続導体が形成されていない。層間接続導体は硬い材料で構成されていることから、層間接続導体が形成されている付近は、層間接続導体が形成されていない部分に比べて変形しにくい。そのため、領域Ｂに層間接続導体が形成されている構造と比べて、屈曲線LOF1，LOF2での屈曲が容易となる。

また、領域Ｂに層間接続導体が存在すると、インダクタ部の導体パターンの途中に、断面視における層間接続導体による角部（段差形状部）が形成されることになる。このような導体パターンの角部は高周波でのロスの原因となる。本実施形態においては、インダクタ部の導体パターンの途中に層間接続導体が存在しないので、上記ロスの発生を抑制できる。

なお、図５２～図５４に示した例では、平行な２本の屈曲線LOF1，LOF2に沿ってインダクタブリッジを屈曲させる例を示したが、屈曲線が１本である場合にも同様に適用され、同様の効果を奏する。

《第２５の実施形態》
図５５（Ａ）は第２５の実施形態に係るインダクタブリッジ１２６の斜視図、図５５（Ｂ）はその分解斜視図である。インダクタブリッジ１２６は素体１０内にインダクタが構成されている。素体１０の外面にはコネクタ５１，５２が設けられている。図５５（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。樹脂基材１２，１３の下面には導体パターン３１，３２によるインダクタ部が構成されている。また、樹脂基材１２，１３には配線パターン２１，２２が形成されている。樹脂基材１１にはコネクタ実装電極４２が形成されていて、樹脂基材１４にはコネクタ実装電極４１が形成されている。

これまでに示した各実施形態では、素体１０の両端部にそれぞれ接続部が設けられた例を示したが、本実施形態では、２つの接続部のうち少なくとも一方は素体１０の端部とは異なる位置に設けられている。

本実施形態のインダクタブリッジ１２６の特徴は、電気的には、２つのコネクタ５１，５２の間にインダクタが接続されているが、機械的構造においては、２つのコネクタ５１，５２の間でない個所にインダクタ部が配置されていること、および２つのコネクタ５１，５２の間でない個所を屈曲できるようにしたこと等である。

図５６（Ａ）は、上記インダクタブリッジ１２６のインダクタ部（２つのコネクタ５１，５２の間でない部分）をインダクタ部以外の部分から屈曲させた状態の斜視図である。図５６（Ｂ）（Ｃ）は、インダクタブリッジ１２６が他の部品と共にマザー基板２０１に実装された状態を示す図である。マザー基板２０１については断面を表している。

図５６（Ｂ）に示す例では、マザー基板２０１上の接続部にインダクタブリッジ１２６のコネクタ５１が接続された状態で、マザー基板２０１にインダクタブリッジ１２６が取り付けられている。このインダクタブリッジ１２６のコネクタ５２にはサブ基板３０２が接続されている。マザー基板２０１には表面実装部品１６０が実装されていて、この表面実装部品１６０とサブ基板３０２との間隙にインダクタブリッジ１２６のインダクタ部が配置されている。

インダクタ部は導体パターンが多いので曲げにくいのに対し、インダクタ部でない部分は曲げやすい。そのため、図５６（Ａ）（Ｂ）に示すようにインダクタ部とインダクタ部でない部分との境界で屈曲させやすい。このインダクタ部はマザー基板２０１に対して垂直に立っているので、部品間の狭い空間に配置しやすい。また、平面占有面積を縮小化できる。さらに、マザー基板２０１に形成されている金属パターン（グランド導体パターン等）８３が形成されている場合に、インダクタブリッジ１２６のインダクタ部のコイル軸は金属パターン８３と直交するので、金属パターン８３に渦電流が生じ難く、損失およびインダクタンスの変動が抑制される。

図５６（Ｃ）に示す例では、インダクタブリッジ１２６を平板状態でマザー基板２０１に取り付けている。このように、インダクタブリッジ１２６は必要に応じて屈曲させないで配置してもよい。

《第２６の実施形態》
図５７（Ａ）は第２６の実施形態に係るインダクタブリッジ１２７の斜視図、図５７（Ｂ）はその分解斜視図である。インダクタブリッジ１２７は素体１０内にインダクタが構成されている。素体１０の外面にはコネクタ５１，５２が設けられている。図５７（Ｂ）に表れているように、上記素体１０は樹脂基材１１，１２，１３，１４が積層されることで構成される。樹脂基材１２，１３の下面には導体パターン３１，３２によるインダクタ部が構成されている。また、樹脂基材１２，１３には配線パターン２１，２２が形成されている。樹脂基材１１にはコネクタ実装電極４２が形成されていて、樹脂基材１４にはコネクタ実装電極４１が形成されている。

本実施形態のインダクタブリッジ１２７の特徴は、電気的には、２つのコネクタ５１，５２の間にインダクタが接続されているが、機械的構造においては、２つのコネクタ５１，５２を結ぶ線上とは異なる個所にインダクタ部が配置されていること、２つのコネクタ５１，５２を結ぶ線上でない個所を屈曲できるようにしたこと、および、２つのコネクタ５１，５２を結ぶ線に平行な線に沿って屈曲できるようにしたこと等である。

図５８（Ａ）（Ｂ）は、上記インダクタブリッジ１２７が他の部品と共にマザー基板２０１に実装された状態を示す図である。インダクタブリッジ１２７の第１コネクタ５１はマザー基板２０１上の接続部に接続されている。インダクタブリッジ１２７の第２コネクタ５２にはサブ基板３０２が接続されている。マザー基板２０１には実装部品１６１が実装されている。

特に、図５８（Ａ）に示す例では、実装部品１６１と干渉しないように、インダクタブリッジ１２７のインダクタ部が起立している。このインダクタ部はマザー基板２０１に対して垂直に立っているので、部品間の狭い空間に配置しやすい。

また、図５８（Ｂ）に示す例では、インダクタブリッジ１２７のインダクタ部が起立することなく、インダクタ部が実装部品１６１と干渉しないように、インダクタブリッジ１２７がマザー基板２０１上に配置されている。

このように、インダクタ部を２つのコネクタ間を結ぶ線上とは異なる個所に形成してもよい。この構造により、２つのコネクタ間の距離が確保できない場合でも、所定の大きなインダクタンスを生じさせることができる。

ＡＮＴ…アンテナ
ＡＰ…開口
Ｈ１，Ｈ３…孔
Ｌ１…インダクタ
Ｖ１～Ｖ５…層間接続導体
１０…素体
１１，１２，１３，１４…樹脂基材
２１，２２，２３…配線パターン
３０…インダクタ部
３１，３２，３３，３４，３５…導体パターン
３９…チップインダクタ
４０…グランド電極
４１，４２…コネクタ実装電極
４３…導電性両面テープ
５１…第１コネクタ
５２…第２コネクタ
５３，５４…２端子コネクタ
６１，６２…レジスト層
７０…磁性体コア
８１，８２…シールド導体パターン
８３…金属パターン
８４…金属部材
９１…アンテナ素子パターン
１０１Ａ～１０１Ｄ…インダクタブリッジ
１０２～１０７…インダクタブリッジ
１０８Ａ，１０８Ｂ…インダクタブリッジ
１０９～１２７…インダクタブリッジ
１６０，１６１…実装部品
１７１，１８１…プリント配線板
１７２…ＵＨＦ帯アンテナ
１７６…カメラモジュール
１８２…ＵＨＦ帯アンテナ
１８３…バッテリーパック
１８４…ケーブル
１９１…上部筐体
１９２…下部筐体
２０１…マザー基板
２０２…マザー基板
３０１…アンテナ基板
３０２…基板
４０１…電子機器

Claims (8)

1. 第１実装回路部材と第２実装回路部材とをブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジであって、
   複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
   前記第１実装回路部材に接続される第１接続部と、
   前記第２実装回路部材に接続される第２接続部と、
   前記素体の前記第１接続部と前記第２接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
   前記第１接続部と前記第２接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第１接続部および前記第２接続部に接続する配線パターンと、
   を備え、
   前記インダクタ部は４層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
   前記第１接続部および前記第２接続部の少なくとも一方に経路上最も近い容量であって、層方向に隣接する２つの前記導体パターンにより形成される容量が前記第１接続部および前記第２接続部から経路上離れた容量であって、層方向に隣接する２つの前記導体パターンにより形成される容量と比較して小さく、
   前記第１接続部および前記第２接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記容量を形成する前記２つの導体パターンの前記層方向の間隔は、前記第１接続部および前記第２接続部から経路上離れた前記容量を形成する前記２つの導体パターンの前記層方向の間隔より大きい、
   インダクタブリッジ。
2. 前記第１接続部および前記第２接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンの線幅は、前記第１接続部および前記第２接続部から経路上離れた前記導体パターンの線幅より細い、
   請求項１に記載のインダクタブリッジ。
3. 第１実装回路部材と第２実装回路部材とをブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジであって、
   複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
   前記第１実装回路部材に接続される第１接続部と、
   前記第２実装回路部材に接続される第２接続部と、
   前記素体の前記第１接続部と前記第２接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
   前記第１接続部と前記第２接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第１接続部および前記第２接続部に接続する配線パターンと、
   を備え、
   前記インダクタ部は４層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
   最も表層に近い前記導体パターンが層方向に近接する前記導体パターンと形成する容量が、内層に位置する導体パターンが前記層方向において内層側に近接する導体パターンと形成する容量と比較して小さく、
   最も表層に近い前記導体パターンとこの導体パターンに前記層方向に近接する前記導体パターンとの間隔は、内層に位置する導体パターンとこの導体パターンに前記層方向において内層側に近接する導体パターンとの間隔より大きい、
   インダクタブリッジ。
4. 最も表層に近い前記導体パターンの線幅は、内層に位置する前記導体パターンの線幅より細い、
   請求項３に記載のインダクタブリッジ。
5. 複数の回路間をブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジと、第１実装回路部材と、第２実装回路部材とを備え、前記第１実装回路部材と前記第２実装回路部材とが前記インダクタブリッジを介して接続されている電子機器であって、
   前記インダクタブリッジは、
   複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
   前記第１実装回路部材に接続される第１接続部と、
   前記第２実装回路部材に接続される第２接続部と、
   前記素体の前記第１接続部と前記第２接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
   前記第１接続部と前記第２接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第１接続部および前記第２接続部に接続する配線パターンと、
   を備え、
   前記インダクタ部は４層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
   前記第１接続部および前記第２接続部の少なくとも一方に経路上最も近い容量であって、層方向に隣接する２つの前記導体パターンにより形成される容量が前記第１接続部および前記第２接続部から経路上離れた容量であって、層方向に隣接する２つの前記導体パターンにより形成される容量と比較して小さく、
   前記第１接続部および前記第２接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記容量を形成する前記２つの導体パターンの前記層方向の間隔は、前記第１接続部および前記第２接続部から経路上離れた前記容量を形成する前記２つの導体パターンの前記層方向との間隔より大きい、
   電子機器。
6. 前記第１接続部および前記第２接続部の少なくとも一方に経路上最も近い前記導体パターンの線幅は、前記第１接続部および前記第２接続部から経路上離れた前記導体パターンの線幅より細い、
   請求項５に記載の電子機器。
7. 複数の回路間をブリッジ接続するための素子であるインダクタブリッジと、第１実装回路部材と、第２実装回路部材とを備え、前記第１実装回路部材と前記第２実装回路部材とが前記インダクタブリッジを介して接続されている電子機器であって、
   前記インダクタブリッジは、
   複数の樹脂基材の積層体からなり、可撓性を有する平板状の素体と、
   前記第１実装回路部材に接続される第１接続部と、
   前記第２実装回路部材に接続される第２接続部と、
   前記素体の前記第１接続部と前記第２接続部との間に接続され、前記複数の樹脂基材の積層方向に巻回軸を有する導体パターンからなるインダクタ部と、
   前記第１接続部と前記第２接続部との間に設けられ、前記インダクタ部を前記第１接続部および前記第２接続部に接続する配線パターンと、
   を備え、
   前記インダクタ部は４層以上の層に亘ってスパイラル状に形成された導体パターンを備え、
   最も表層に近い前記導体パターンが層方向に近接する前記導体パターンと形成する容量が、内層に位置する導体パターンが前記層方向において内層側に近接する導体パターンと形成する容量と比較して小さく、
   最も表層に近い前記導体パターンとこの導体パターンに前記層方向に近接する前記導体パターンとの間隔は、内層に位置する導体パターンとこの導体パターンに前記層方向において内層側に近接する導体パターンとの間隔より大きい、
   電子機器。
8. 最も表層に近い前記導体パターンの線幅は、内層に位置する前記導体パターンの線幅より細い、
   請求項７に記載の電子機器。

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