CN210053650U

CN210053650U - 电子设备

Info

Publication number: CN210053650U
Application number: CN201790001029.9U
Authority: CN
Inventors: 冈本文太; 用水邦明
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-07-06
Filing date: 2017-07-03
Publication date: 2020-02-11
Anticipated expiration: 2027-07-03
Also published as: WO2018008573A1; US11380474B2; US20190103213A1; JPWO2018008573A1; JP6414651B2

Abstract

本实用新型提供一种电子设备。电子设备(301)具备：第1电路(电路基板(71))、第2电路(构成于安装基板(201)的电路)、和将第1电路与第2电路连接的电感器桥(101A)。电感器桥(101A)具有：绝缘基材(10)、和形成于绝缘基材(10)的锥形线圈(3)。锥形线圈(3)包含沿着卷绕轴方向(Z轴方向)而被配置的多个环状导体(小径环状导体(32)以及大径环状导体(31))。多个环状导体的内外径的沿着Z轴方向的变化是一个方向。多个环状导体之中内外径最大的大径环状导体(31)被配置于在电感器桥(101A)弯曲时内外径与其他环状导体(小径环状导体(32))相比相对地沿着绝缘基材(10)扩展的位置。

Description

电子设备

技术领域

本实用新型涉及电子设备，特别涉及具备具有电感分量的电感器桥的电子设备。

背景技术

以往，在移动终端等的小型电子设备中，在壳体内具备多个基板等的安装电路部件的情况下，例如专利文献1所示，通过具有挠性的扁平电缆来将安装电路部件之间连接。

图18是专利文献1中所示的一个电感器桥100的分解立体图。该电感器桥100具备具有挠性的绝缘基材(基材层11a、12a、13a、14a的层叠体)、和形成于绝缘基材的盘旋线圈(由环状导体31a、32a、33a、34a 构成的盘旋状的线圈)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/129279号

实用新型内容

-实用新型要解决的课题-

专利文献1所示的具有挠性的电感器桥在被设置于电子设备的内部的有限空间的情况下，可能以规定位置弯曲的状态而被设置。然而，若电感器桥弯曲，则随着绝缘基材的变形，盘旋线圈的形状可能变形，盘旋线圈的线间电容(层间电容)可能变化，在电感器桥的弯曲前后，盘旋线圈的电特性可能变化。

本实用新型的目的在于，提供一种具备对随着弯曲的电特性的变动进行抑制的电感器桥的电子设备。

-解决课题的手段-

(1)本实用新型的电子设备的特征在于，具备：

电感器桥、第1电路和第2电路，

所述第1电路与所述第2电路经由所述电感器桥而被连接，

所述电感器桥具有：

绝缘基材，具有第1主面，并且具有挠性；和

锥形线圈，形成于所述绝缘基材，具有与所述第1主面正交的卷绕轴，

所述锥形线圈构成为包含沿着所述锥形线圈的卷绕轴方向而被配置的多个环状导体，

所述多个环状导体的内外径的沿着所述卷绕轴方向的变化是一个方向，

从所述卷绕轴方向观察时，所述多个环状导体相互不重叠，

所述多个环状导体之中内外径的最大的大径环状导体被配置于在所述电感器桥弯曲时内外径与其他环状导体相比相对地沿着所述绝缘基材扩展的位置。

在该结构中，大径环状导体在电感器桥弯曲时，被配置于内外径与其他环状导体相比相对地沿着绝缘基材扩展的位置，因此大径环状导体与其他环状导体在面彼此不对置。因此，即使电感器桥弯曲，也可抑制多个环状导体间的层间电容的变化，可抑制随着电感器桥的弯曲的锥形线圈的电特性的变动。

(2)在上述(1)中，优选所述绝缘基材是将由热塑性树脂构成的多个基材层层叠而形成的层叠体。在该结构中，由于绝缘基材是热塑性树脂，因此能够与安装状态(安装对象的凹凸等)一致地容易地塑性加工为形状。

(3)在上述(1)或(2)中，所述电感器桥也可以在一部分具备弯曲部。

(4)在上述(1)中，优选所述锥形线圈卷绕多于2匝，从所述卷绕轴方向观察时，将在所述锥形线圈中于最外周卷绕的部分定义为第1线圈部，将相对于所述第1线圈部向内周侧位于第n-1(n为2以上的整数)个的部分定义为第n线圈部，将所述第1线圈部与第2线圈部的间隙定义为第1间隙，将所述第n线圈部与第n+1线圈部的间隙定义为第n间隙时，所述第1间隙比其他间隙大。第1线圈部与第2线圈部相互并列的部分比其他线圈部彼此相互并列的部分长。因此，通过该结构，相比于增大其他间隙，能够更加有效地减少锥形线圈的线间电容，能够提高锥形线圈的自谐振频率。

此外，通过该结构，相比于相等地增大全部间隙的情况，能够更加有效地减少锥形线圈的线间电容，并且能够抑制锥形线圈的大型化。

(5)在上述(4)中，优选所述第n间隙比第n+1间隙大。第n线圈部与第n+1相互并列的部分比第n+1线圈部与第n+2线圈部相互并列的部分长。因此，通过增大第n间隙，相比于增大第n+1间隙，能够更加有效地减少锥形线圈的线间电容，能够提高锥形线圈的自谐振频率。

(6)在上述(4)中，也可以从所述卷绕轴方向观察的所述第1间隙比从所述卷绕轴方向观察的其他间隙大。

(7)在上述(6)中，也可以从所述卷绕轴方向观察的第n间隙比从所述卷绕轴方向观察的所述第n+1间隙大。

(8)在上述(4)中，也可以所述卷绕轴方向上的所述第1间隙比所述卷绕轴方向上的其他间隙大。

(9)在上述(8)中，也可以所述卷绕轴方向上的所述第n间隙比所述卷绕轴方向上的第n+1间隙大。

(10)在上述(4)至(9)的任意一个中，优选所述第1线圈部的线宽比其他线圈部的线宽窄。第1线圈部与第2线圈部相互并列的部分比其他线圈部彼此相互并列的部分长。因此，通过该结构，由于第1线圈部与第2线圈部的对置面积变小，因此相比于缩窄其他线圈部的线宽(即，相比于减小其他线圈部彼此的对置面积)，能够更加有效地减少锥形线圈的线间电容，能够提高锥形线圈的自谐振频率。

(11)在上述(10)中，优选所述第n线圈部的线宽比所述第n+1线圈部的线宽窄。第n线圈部与第n+1线圈部相互并列的部分比第n+1线圈部与第n+2线圈部相互并列的部分长。因此，通过该结构，相比于缩窄第 n+1线圈部的线宽，能够更加有效地减少锥形线圈的线间电容，能够提高锥形线圈的自谐振频率。

-实用新型效果-

根据本实用新型，能够实现具备对随着弯曲的电特性的变动进行了抑制的电感器桥的电子设备。

附图说明

图1(A)是第1实施方式所涉及的电感器桥101的立体图，图1(B) 是电感器桥101的分解立体图。

图2(A)是表示电感器桥101的形成有锥形线圈3的部分的俯视图，图2(B)是该部分的剖视图。

图3(A)是使其弯曲前的电感器桥101的局部剖视图，图3(B)是使其弯曲后的电感器桥101的局部剖视图。

图4是表示第1实施方式所涉及的电子设备301的主要部分的剖视图。

图5是按照顺序表示电感器桥101A的制造工序的剖视图。

图6是表示第2实施方式所涉及的电子设备302的主要部分的剖视图。

图7(A)是使其弯曲前的电感器桥102的局部剖视图，图7(B)是使其弯曲后的电感器桥102的局部剖视图。

图8(A)是第2实施方式所涉及的另一电感器桥102A的使其弯曲前的局部剖视图，图8(B)是使其弯曲后的电感器桥102A的局部剖视图。

图9(A)是第2实施方式所涉及的另一电感器桥102B的使其弯曲前的局部剖视图，图9(B)是使其弯曲后的电感器桥102B的局部剖视图。

图10(A)是第2实施方式所涉及的另一电感器桥102C的使其弯曲前的局部剖视图，图10(B)是使其弯曲后的电感器桥102C的局部剖视图。

图11(A)是第3实施方式所涉及的电感器桥103的立体图，图11 (B)是电感器桥103的分解立体图。

图12(A)是表示电感器桥103的形成有锥形线圈3A的部分的俯视图，图12(B)是该部分的剖视图。

图13(A)是表示第4实施方式所涉及的电感器桥104的形成有锥形线圈3B的部分的俯视图，图13(B)是该部分的剖视图。

图14(A)是表示第5实施方式所涉及的电感器桥105的形成有锥形线圈3C的部分的俯视图，图14(B)是该部分的剖视图。

图15(A)是表示第6实施方式所涉及的电感器桥106的形成有锥形线圈3D的部分的俯视图，图15(B)是该部分的剖视图。

图16(A)是表示第7实施方式所涉及的电感器桥107的形成有锥形线圈3E的部分的各环状导体的俯视图，图16(B)是表示该部分的各线圈部的俯视图。

图17是电感器桥107的形成有锥形线圈3E的部分的剖视图。

图18是专利文献1所示的一个电感器桥的分解立体图。

具体实施方式

以下，参照附图来举出几个具体例，来表示用于实施本实用新型的多个方式。各附图中对同一位置赋予同一符号。考虑到要点的说明或者理解的容易性，为了方便而分为实施方式进行表示，但能够进行不同实施方式中所示的结构的局部置换或者组合。第2实施方式以下，省略针对与第1 实施方式共用的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别地，针对基于同样结构的同样的作用效果，不按照每个实施方式依次提及。

《第1实施方式》

图1(A)是第1实施方式所涉及的电感器桥101的立体图，图1(B) 是电感器桥101的分解立体图。图2(A)是表示电感器桥101的形成有锥形线圈3的部分的俯视图，图2(B)是该部分的剖视图。在图2(A) 中，为了容易理解构造，省略了保护层1以及基材层14的图示。此外，在图2(A)中，通过点图案来表示被大径环状导体31包围的开口部BR。

电感器桥101具备绝缘基材10、保护层1、形成于绝缘基材10的锥形线圈3(后面详细叙述)、连接器51、52。

绝缘基材10具有第1主面VS1以及与第1主面VS1对置的第2主面 VS2，是长边方向与X轴方向一致的长方体状的热塑性树脂的平板。

绝缘基材10是将基材层11、12、13、14以及保护层1层叠形成的层叠体，具有挠性。多个基材层11、12、13、14分别是长边方向与X轴方向一致的、平面形状为矩形的、例如包含以液晶聚合物为主材料的热塑性树脂的片状的平板。

在基材层11的背面形成电极41。电极41是在基材层11的第1端(图 1(B)中的基材层11的右端)附近配置的平面形状为矩形的导体图案。电极41例如是Cu箔等的导体图案。

在基材层12的背面形成小径环状导体32以及导体21。小径环状导体 32是在基材层12的中央附近形成的约0.7匝的矩形环状的导体图案。导体21是在X轴方向延伸的线状的导体图案，从基材层12的中央附近配置到靠近基材层12的第1端的位置。小径环状导体32以及导体21被连续形成，小径环状导体32的第1端与导体21的第1端连接。导体21的第2 端经由形成于基材层11的层间连接导体V1而与电极41连接。小径环状导体32以及导体21例如是Cu箔等的导体图案，层间连接导体V1例如是过孔导体、或者在内壁形成有镀膜的通孔等。

在基材层13的表面，形成大径环状导体31以及导体22。大径环状导体31是在基材层13的中央附近形成的约0.8匝的矩形环状的导体图案。如图2(A)所示，大径环状导体31的内外径比小径环状导体32大。导体22是在X轴方向延伸的线状的导体图案，从基材层13的中央附近配置到靠近基材层13的第2端(图1(B)中的基材层13的左端)的位置。大径环状导体31的第1端经由形成于基材层12、13的层间连接导体V2 而与小径环状导体32连接。大径环状导体31以及导体22被连续形成，大径环状导体31的第2端与导体22的第1端连接。大径环状导体31以及导体22例如是Cu箔等的导体图案，层间连接导体V2例如是过孔导体、或者在内壁形成有镀膜的通孔等。

另外，所谓本实用新型中的“大径环状导体”，是指构成锥形线圈的多个环状导体之中内外径(内径以及外径)最大的环状导体。

在基材层14的表面形成电极42。电极42是被配置在基材层14的第 2端(图1(B)中的基材层14的左端)附近的、平面形状为矩形的导体图案。电极42经由形成于基材层14的层间连接导体V3而与导体22的第 2端连接。电极42例如是Cu箔等的导体图案，层间连接导体V3例如是过孔导体、或者在内壁形成有镀膜的通孔等。

保护层1的平面形状与基材层14实质相同，层叠于基材层14的表面。保护层1具有与电极42的位置相应的开口部AP1。因此，即使保护膜1 层叠于基材层14的表面，电极42也在绝缘基材10的第1主面VS1露出。保护层1例如是阻焊膜。另外，保护层1不是必须的。

连接器51被设置于绝缘基材10的第2主面VS2，被配置于绝缘基材 10的长边方向的第1端(图1(A)中的绝缘基材10的右端)附近。连接器51与电极41连接。连接器52被设置于绝缘基材10的第1主面VS1，被配置于绝缘基材10的长边方向的第2端(绝缘基材10的左端)附近。连接器52与电极42连接。

在电感器桥101中，包含分别形成于多个基材层12、13的小径环状导体32、大径环状导体31以及层间连接导体V2而构成约1.5匝的矩形锥形线圈3。如图2(B)所示，锥形线圈3具有与第1主面VS1以及第2 主面VS2正交的(与Z轴方向平行的)卷绕轴AX。

如图2(B)所示，多个环状导体(小径环状导体32以及大径环状导体31)沿着锥形线圈3的卷绕轴AX方向(Z轴方向)而被配置。如图2 (B)所示，多个环状导体之中内外径最大的大径环状导体31在锥形线圈 3的卷绕轴AX方向(Z轴方向)，被配置为比其他环状导体(小径环状导体32)更接近第1主面VS1。

多个环状导体的内外径的、Z轴方向上的变化是一个方向(参照图2 (B)中的锥形线圈3的概略形状DE)。所谓本实用新型中的“沿着卷绕轴方向的变化是一个方向”，是指多个环状导体的内外径变化为沿着Z轴方向变大(或者变小)。

具体而言，大径环状导体31在Z轴方向被配置为比其他环状导体(小径环状导体32)更接近第1主面VS1，多个环状导体之中内外径最小的小径环状导体32在Z轴方向被配置于比其他环状导体(大径环状导体31) 更远离第1主面VS1的位置。即，如图2(B)中的锥形线圈3的概略形状DE所示，多个环状导体的内外径变化为朝向+Z方向(从第2主面VS2 侧向第1主面VS1侧)变大。

此外，如图2(A)所示，从Z轴方向观察时，小径环状导体32被配置于由大径环状导体31包围的开口部BR的内侧。此外，从Z轴方向观察时，多个环状导体(大径环状导体31以及小径环状导体32)相互不重叠。

另外，本实用新型中的“从卷绕轴方向观察时，多个环状导体相互不重叠”是指，除了多个环状导体彼此经由层间连接导体而连接的部分以外，从Z轴方向观察时，相互不重叠(不交叉)。

接下来，参照附图来说明对电感器桥101施加使其产生弯曲的外力的情况。图3(A)是使其弯曲前的电感器桥101的局部剖视图，图3(B) 是使其弯曲后的电感器桥101的局部剖视图。

如图3(B)所示，电感器桥101沿着绝缘基材10的长边方向(X轴方向)弯曲为L字状(以第2主面VS2为内侧)。此时，由于绝缘基材 10的弯曲移位，第1主面VS1侧变形为被拉伸，第2主面VS2侧变形为被压缩。随着该第1主面VS1侧的拉伸变形，位于在Z轴方向靠近第1 主面VS1的位置的大径环状导体31移位为向绝缘基材10的长边方向的两端扩展(参照图3(B)的中空箭头DF1)。此外，随着第2主面VS2侧的压缩变形，位于在Z轴方向靠近第2主面VS2的位置的小径环状导体 32移位为收缩(参照图3(B)的中空箭头DF2)。

如图3(A)以及图3(B)所示，在电感器桥101弯曲时，大径环状导体31被配置于内外径与其他环状导体(小径环状导体32)相比相对地沿着绝缘基材10扩展的位置(靠近第1主面VS1的位置)。若具体说明，大径环状导体31被配置于将电感器桥101弯曲后的大径环状导体31的内径(L1b)比将电感器桥101弯曲前的大径环状导体31的内径(L1a)大 (L1a＜L1b)的位置。因此，在电感器桥101如图3(B)所示那样弯曲后，从Z轴方向观察时大径环状导体31与其他环状导体(小径环状导体 32)不会重叠(在面彼此不会对置)。因此，大径环状导体31与其他环状导体(小径环状导体32)之间的层间电容的变化量较小。

接下来，参照附图来对具备本实用新型的电感器桥的电子设备进行说明。图4是表示第1实施方式所涉及的电子设备301的主要部分的剖视图。

电子设备301具备电感器桥101A、电路基板71以及安装基板201。在本实施方式中，构成于电路基板71的电路相当于本实用新型中的“第1 电路”，构成于安装基板201的电路相当于本实用新型中的“第2电路”。电感器桥101A在绝缘基材10在一部分具备弯曲部CR(被弯曲加工的部分)这方面，与电感器桥101不同，其他的结构实质相同。

如图4所示，电感器桥101A连接于电路基板71以及安装基板201。

在安装基板201的上表面形成导体81。塞孔61与导体81连接，与构成于安装基板201的第2电路电连接。安装基板201例如是印刷布线板。

此外，在电路基板71的下表面安装塞孔62。塞孔62与形成于电路基板71的第1电路电连接。第1电路例如是UHF频带天线的放射元件。

电感器桥101A的连接器51与塞孔61连接，连接器52与塞孔62连接。

本实施方式所涉及的电感器桥101A例如可通过如下工序而被制造。图5是按照顺序表示电感器桥101A的制造工序的剖视图。

首先，层叠将小径环状导体、大径环状导体、导体、电极等图案化了的基材层来构成层叠体，涂布了保护层之后，从该集合基板状态的绝缘基材分离为各个坯体，得到图5中的(1)所示的电感器桥101。

接下来，如图5中的(2)所示，使用上部模具5以及下部模具6，沿着Z轴方向，对绝缘基材10的第1主面VS1以及第2主面VS2进行加热加压(参照图5中的(2)所示的箭头)。另外，加热加压的位置是从绝缘基材10的长边方向(X轴方向)的中央靠近第1端(绝缘基材的右端) 的位置。上部模具5以及下部模具6是剖面形状弯曲为规定的形状的构造。

然后，从上部模具5以及下部模具6取出电感器桥101A。通过这样的制造方法，得到具备弯曲部CR(被弯曲加工的部分)的电感器桥101A。

通过本实施方式所涉及的电感器桥101、101A，起到如下效果。

(a)在本实施方式中，内外径不同的多个环状导体(大径环状导体31以及小径环状导体32)沿着Z轴方向而被配置。此外，从Z轴方向观察时，大径环状导体31与其他环状导体(小径环状导体32)不重叠。通过该结构，环状导体(大径环状导体31以及小径环状导体32)相互在面彼此不对置，因此多个环状导体间的层间电容较小。

(b)在本实施方式中，从Z轴方向观察时，其他环状导体(小径环状导体32)被配置于由大径环状导体31包围的开口部BR的内侧，从Z 轴方向观察时，大径环状导体31以及其他环状导体相互不重叠。此外，大径环状导体31被配置于在电感器桥101弯曲时内外径与其他环状导体相比相对地沿着绝缘基材10扩展的位置。通过该结构，即使电感器桥101 以第2主面VS2为内侧弯曲为L字状，多个环状导体(大径环状导体31 以及小径环状导体32)相互也在面彼此不对置，因此可抑制多个环状导体间的层间电容的变化，可抑制锥形线圈3的电特性的变动。

另外，在本实施方式中，表示了在电感器桥101弯曲时、大径环状导体31被配置于内外径沿着绝缘基材10扩展的位置(比绝缘基材10的中立面更靠近第1主面VS1的位置)、其他环状导体(小径环状导体32) 被配置于内外径沿着绝缘基材10收缩的位置(比绝缘基材10的中立面更靠近第2主面VS2的位置)的例子，但并不限定于该结构。在电感器桥弯曲，被配置于大径环状导体31的内外径与其他环状导体相比“相对地”沿着绝缘基材10扩展的位置即可。

若具体说明，只要在电感器桥101弯曲时，被配置于大径环状导体31 的内外径与其他环状导体相比“相对地”扩展的位置，也可以大径环状导体31以及其他环状导体任意一个被配置于内外径扩展的位置(比绝缘基材10的中立面更靠近第1主面VS1的位置)。此外，只要在电感器桥101 弯曲时，被配置于大径环状导体31的内外径与其他环状导体相比“相对地”扩展的位置，也可以大径环状导体31以及其他环状导体任意一个被配置于内外径收缩的位置(比绝缘基材10的中立面更靠近第2主面VS2 的位置)。进一步地，只要在电感器桥101弯曲时，被配置于大径环状导体31的内外径与其他环状导体相比“相对地”扩展的位置，也可以大径环状导体31以及其他环状导体的任意一个被配置于绝缘基材10的中立面。这在以下所示的各实施方式中也是同样的。

(c)在本实施方式中，包含分别形成于多个基材层12、13的小径环状导体32以及大径环状导体31而构成锥形线圈3。通过该结构，能够将具有规定的匝数以及电感的锥形线圈形成于绝缘基材10。

(d)此外，在本实施方式中，绝缘基材10是热塑性树脂，因此图5 中的(2)所示，能够与安装状态(安装对象的凹凸等)一致地容易地对形状进行塑性加工(弯曲加工)。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，表示与第1实施方式中所示的电子设备不同的构造。

电子设备302具备电感器桥102、树脂壳体91以及安装基板202。在树脂壳体91的内表面形成导体图案4。导体图案4例如是接地导体。

在本实施方式中，构成于安装基板202的电路相当于本实用新型中的“第1电路”，构成于树脂壳体91的电路(接地导体)相当于本实用新型中的“第2电路”。

如图6所示，电感器桥102连接于树脂壳体91的导体图案4以及安装基板202的导体82。电感器桥102在一部分被弯曲这方面与电感器桥 101不同。其他的结构与电感器桥101实质相同。

在安装基板202的上表面形成导体82，在安装基板202的内部形成导体83。塞孔62与导体82连接，与构成于安装基板202的第1电路电连接。安装基板202例如是印刷布线板。

此外，在树脂壳体91的内表面安装塞孔61。塞孔61与形成于树脂壳体91的内面的导体图案4(接地导体)电连接。

电感器桥102的连接器51与塞孔61连接，连接器52与塞孔62连接。电感器桥102在连接于安装基板202以及树脂壳体91的状态下，形成有锥形线圈3的部分从在树脂壳体91形成的开口OP1露出。因此，锥形线圈3不会被电磁场屏蔽。因此，能够将该电感器桥102用作为天线，能够进行与外部的通信。

此外，电感器桥102在连接于安装基板202以及树脂壳体91的导体图案4的状态下，从绝缘基材10的长边方向的中央靠近第2端(图6中的绝缘基材10的右端)的位置弯曲。具体而言，电感器桥102如图6所示，未形成锥形线圈3的部分被弯曲为L字状。

接下来，参照附图来说明电感器桥的未形成锥形线圈3的部分弯曲为 L字状的情况。图7(A)是使其弯曲前的电感器桥102的局部剖视图，图 7(B)是使其弯曲后的电感器桥102的局部剖视图。

如图7(B)所示，电感器桥102的弯曲部CR1被弯曲为L字状。在电感器桥102中，锥形线圈3位于弯曲部CR1的左侧附近。此时，随着绝缘基材10的弯曲移位，第1主面VS1侧在+X方向施加应力，第2主面 VS2侧在-X方向施加应力。因此，在Z轴方向位于靠近第1主面VS1的位置的大径环状导体31移位为其内外径扩展(参照图7(B)的中空箭头DF1c)。此外，在Z轴方向位于靠近第2主面VS2的位置的其他环状导体(小径环状导体32)移位为其内外径收缩(参照图7(B)的中空箭头 DF2c)。即，可以说大径环状导体31被配置于将电感器桥102弯曲后的大径环状导体31的内径(L1c)比将电感器桥102弯曲前的大径环状导体 31的内径(L1a)大(L1a＜L1c)的位置。

因此，即使电感器桥102如图7(B)所示那样弯曲，从Z轴方向观察时，大径环状导体31与其他环状导体也不会重叠，因此大径环状导体 31与其他环状导体之间的层间电容的变化量较小。

接下来，参照附图来说明使电感器桥弯曲为不同的几个形状的情况。

图8(A)是第2实施方式所涉及的另一电感器桥102A的使其弯曲前的局部剖视图，图8(B)是使其弯曲后的电感器桥102A的局部剖视图。电感器桥102A在绝缘基材10整体沿着长边方向(X轴方向)弯曲为U 字状这方面与电感器桥102不同，其他的结构与电感器桥102相同。

如图8(B)所示，电感器桥102A的弯曲部CR1、CR2均以第2主面 VS2为内侧并弯曲为L字状。在电感器桥102中，锥形线圈3被配置于弯曲部CR1与弯曲部CR2之间。

此时，随着绝缘基材10的弯曲移位，第1主面VS1侧在X轴方向被施加拉伸应力，第2主面VS2侧在X轴方向被施加压缩应力。因此，在Z 轴方向位于靠近第1主面VS1的位置的大径环状导体31移位为其内外径扩展(参照图8(B)的中空箭头DF1d)。此外，在Z轴方向位于靠近第 2主面VS2的位置的其他环状导体(小径环状导体32)移位为其内外径收缩(参照图8(B)的中空箭头DF2d)。即，大径环状导体31被配置于如图8(B)所示的电感器桥102A那样弯曲后的大径环状导体31的内径 (L1d)比将电感器桥102A弯曲前的大径环状导体31的内径(L1a)大 (L1a＜L1d)的位置。

因此，即使电感器桥102A如图8(B)所示那样弯曲，从Z轴方向观察时，大径环状导体31与其他环状导体也不会重叠，因此大径环状导体 31与其他环状导体之间的层间电容的变化量较小。

图9(A)是第2实施方式所涉及的电感器桥102B的使其弯曲前的局部剖视图，图9(B)是使其弯曲后的电感器桥102B的局部剖视图。图10 (A)是第2实施方式所涉及的电感器桥102C的使其弯曲前的局部剖视图，图10(B)是使其弯曲后的电感器桥102C的局部剖视图。

电感器桥102B、102C在绝缘基材10沿着长边方向(X轴方向)弯曲为Z字状这方面与电感器桥102不同，其他的结构与电感器桥102相同。

如图9(B)以及图10(B)所示，电感器桥102B、102C的弯曲部 CR1以第2主面VS2为内侧而被弯曲为L字状，弯曲部CR2以第1主面 VS1为内侧而被弯曲为L字状。

电感器桥被弯曲的情况下的某个部分的绝缘基材的变形量取决于距接近于某个部分的弯曲部的中心线(弯曲部的起点与终点的中间位置的线)的距离。在电感器桥102B中，锥形线圈3被配置于相比于中心线CL2 更靠近中心线CL1的位置。

此时，随着绝缘基材10的弯曲移位，第1主面VS1侧主要在+X方向被施加应力，第2主面VS2侧主要在-X方向被施加应力。因此，在Z轴方向位于靠近第1主面VS1的位置的大径环状导体31移位为其内外径扩展(参照图9(B)的中空箭头DF1e)。此外，在Z轴方向位于靠近第2 主面VS2的位置的其他环状导体(小径环状导体32)移位为其内外径收缩(参照图9(B)的中空箭头DF2e)。即，大径环状导体31被配置于如图9(B)所示的电感器桥102B那样弯曲后的大径环状导体31的内径 (L1e)比将电感器桥102B弯曲前的大径环状导体31的内径(L1a)大(L1a ＜L1e)的位置。

在电感器桥102C中，锥形线圈3被配置于弯曲部CR1与弯曲部CR2 之间并且靠近弯曲部CR2的位置。

电感器桥弯曲的情况下的某个部分绝缘基材的变形量取决于距接近与某个部分的弯曲部的中心线(弯曲部的起点与终点的中间位置的线)的距离。在电感器桥102C中，锥形线圈3被配置于相比于中心线CL1更靠近中心线CL2的位置。

此时，随着绝缘基材10的弯曲移位，第1主面VS1侧主要在-X方向被施加应力，第2主面VS2侧主要在+X方向被施加应力。因此，在Z轴方向位于靠近第1主面VS1的位置的大径环状导体31移位为其内外径扩展(参照图10(B)的中空箭头DF1f)。此外，在Z轴方向位于靠近第2 主面VS2的位置的其他环状导体(小径环状导体32)移位为其内外径收缩(参照图10(B)的中空箭头DF2f)。即，大径环状导体31被配置于如图10(B)所示的电感器桥102C那样弯曲后的大径环状导体31的内径 (L1f)比将电感器桥102C弯曲前的大径环状导体31的内径(L1a)大(L1a ＜L1f)的位置。

这样，通过将锥形线圈3如图9(B)以及图10(B)所示那样配置，从而即使电感器桥102B、102C弯曲为Z字状，大径环状导体31与其他环状导体(小径环状导体32)在面彼此也不对置。因此，随着电感器桥 102B、102C的弯曲的大径环状导体31与其他环状导体之间的层间电容的变化量较小。

另外，在本实施方式中，表示了经由塞孔61将电感器桥102连接于在树脂壳体91的内表面形成的导体图案4的例子，但并不限定于该结构。在电子设备具备金属壳体的情况下，也可以通过螺纹固定等来将电感器桥与金属壳体连接。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，表示锥形线圈的构造不同的电感器桥的例子。

图11(A)是第3实施方式所涉及的电感器桥103的立体图，图11 (B)是电感器桥103的分解立体图。图12(A)是表示电感器桥103的形成有锥形线圈3A的部分的俯视图，图12(B)是该部分的剖视图。在图12(A)中，为了容易理解构造，省略保护层1以及基材层14的图示，通过阴影来表示大径环状导体31A，通过点图案来表示小径环状导体32A。

电感器桥103具备绝缘基材10A、形成于绝缘基材10A的锥形线圈 3A(后面详细叙述)、连接器51、52。

绝缘基材10A具有第1主面VS1以及与第1主面VS1对置的第2主面VS2，是长边方向与X轴方向一致的长方体状的热塑性树脂的平板。绝缘基材10A是将基材层11、12、13、14以及保护层1层叠而形成的层叠体，具有挠性。

在基材层11的背面形成电极41。电极41是被配置于基材层11的第 1端(图11(B)中的基材层11的右端)附近的平面形状为矩形的导体图案。

在基材层12的背面，形成小径环状导体33A以及导体21。小径环状导体33A是形成于基材层12的中央附近的约多于0.7匝的矩形环状的导体图案。导体21是在X轴方向延伸的线状的导体图案，被配置于从基材层12的中央附近靠近基材层12的第1端的位置。小径环状导体33A以及导体21被连续形成，小径环状导体33A的第1端与导体21的第1端连接。导体21的第2端经由形成于基材层11、12的层间连接导体V1而与电极 41连接。

在基材层13的表面形成小径环状导体32A。小径环状导体32A是形成于基材层13的中央附近的约1匝的矩形环状的导体图案。如图12(A) 所示，小径环状导体32A的内外径大于小径环状导体33A。小径环状导体 32A的第1端经由分别形成于基材层12、13的层间连接导体V2而与小径环状导体33A的第2端连接。

在基材层14的表面，形成大径环状导体31A、导体22以及电极42。大径环状导体31A是形成于基材层14的中央附近的约0.8匝的矩形环状的导体图案。如图12(A)所示，大径环状导体31A的内外径大于小径环状导体32A、33A。导体22是在X轴方向延伸的线状的导体图案，被配置于从基材层14的中央附近靠近基材层14的第2端(图11(B)中的基材层14的左端)的位置。电极42是被配置于基材层14的第2端(图11 (B)中的基材层14的左端)附近的平面形状为矩形的导体图案。大径环状导体31A的第1端经由形成于基材层14的层间连接导体V3而与小径环状导体32A的第2端连接。大径环状导体31A的第2端与导体22的第 1端连接，导体22的第2端与电极42连接。

保护层1的平面形状与基材层14实质相同，被层叠于基材层14的表面。保护层1具有与电极42的位置相应的开口部AP1。因此，即使保护层1被层叠于基材层14的表面，电极42也在绝缘基材10A的第1主面 VS1露出。

连接器51被设置于绝缘基材10A的第2主面VS2，被配置于绝缘基材10A的长边方向的第1端(图11(A)中的绝缘基材10A的右端)附近。连接器51与电极41连接。连接器52被设置于绝缘基材10A的第1 主面VS1，被配置于绝缘基材10A的长边方向的第2端(绝缘基材10A的左端)附近。连接器52与电极42连接。

在电感器桥103中，包含分别形成于多个基材层12、13、14的大径环状导体31A、小径环状导体32A、33A以及层间连接导体V1、V2而构成约2.5匝的矩形锥形线圈3A。如图12(B)所示，锥形线圈3A具有与第1主面VS1以及第2主面VS2正交的(与Z轴方向平行的)卷绕轴AX。

如图12(A)所示，从Z轴方向观察时，小径环状导体32A、33A被配置于由大径环状导体31A包围的开口部的内侧。

此外，多个环状导体的内外径的、沿着Z轴方向的变化是一个方向。具体地，在本实施方式中，如图12(B)所示的锥形线圈3A的概略形状 DE所示那样，多个环状导体的内外径变化为朝向+Z方向(从第2主面 VS2侧向第1主面VS1侧)变大。

这样，本实用新型中的“其他环状导体”(大径环状导体以外的环状导体)也可以是多个。另外，在该情况下，也以从Z轴方向观察时，多个环状导体(大径环状导体31A、小径环状导体32A、33A)相互不重叠为条件。在本实施方式中，小径环状导体32A被配置于由大径环状导体31A 包围的开口部的内侧，小径环状导体33A被配置于由小径环状导体32A 包围的开口部的内侧。

另外，如本实施方式所示，多个环状导体的内外径并不限定于沿着Z 轴方向一样地变化。即，多个环状导体的内外径并不限定于与Z轴方向的移动距离成比例地在一个方向变化。例如，沿着Z轴方向配置为朝向+Z 方向(从第2主面侧向第1主面侧)4个环状导体(包含大径环状导体) 的内外径依次为2X→4X→5X→8X(X是任意的数)的结构也包含于本实用新型中的“沿着卷绕轴方向的变化是一个方向”。另外，在这种情况下，以从Z轴方向观察时4个环状导体相互不重叠为条件。另一方面，沿着Z 轴方向配置为朝向+Z方向(从第2主面侧向第1主面侧)4个环状导体(包含大径环状导体)的内外径依次为2X→5X→3X→4X(X是任意的数)的结构被从本实用新型中的“沿着卷绕轴方向的变化是一个方向”的状态去除。

《第4实施方式》

在第4实施方式中，表示对环状导体间的线间电容进行抑制的锥形线圈。

图13(A)是表示第4实施方式所涉及的电感器桥104的形成有锥形线圈3B的部分的俯视图，图13(B)是该部分的剖视图。在图13(A) 中，为了容易理解构造，通过阴影来表示第1线圈部CP1，通过点图案来表示第2线圈部CP2，通过交叉阴影来表示第4线圈部CP4。

电感器桥104具备绝缘基材10B、形成于绝缘基材10B的锥形线圈3B (后面详细叙述)等。绝缘基材10B的基本结构与第3实施方式所涉及的绝缘基材10A实质相同。

本实施方式所涉及的锥形线圈3B构成为包含大径环状导体31B、小径环状导体32B、小径环状导体33B、小径环状导体34B以及层间连接导体(省略图示)。锥形线圈3B具有与第1主面VS1以及第2主面VS2正交的(与Z轴方向平行的)卷绕轴AX。

此外，锥形线圈3B卷绕为多于2匝(约4.5匝)，具有第1线圈部 CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部CP3以及第4线圈部CP4。第1线圈部CP1是从Z轴方向观察在锥形线圈3B中于最外周卷绕的部分。第2线圈部CP2是从Z轴方向观察时相对于第1线圈部CP1朝向内周侧位于第一个的部分。第3线圈部CP3是相对于第1线圈部CP1朝向内周侧位于第二个的部分。第4线圈部CP4是相对于第1线圈部CP1朝向内周侧位于第三个的部分。

在本实施方式中，如图13(A)所示，形成于基材层14的表面的1 匝的大径环状导体31B与第1线圈部CP1一致，形成于基材层13的表面的1匝的小径环状导体32B与第2线圈部CP2一致。此外，在本实施方式中，形成于基材层12的表面的1匝的小径环状导体33B与第3线圈部 CP3一致，形成于基材层11的表面的0.5匝的小径环状导体34B与第4 线圈部CP4一致。

如图13(A)所示，第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部 CP3以及第4线圈部CP4的线宽相互相等。若将全长按照长短顺序排列，则为第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部CP3、第4线圈部CP4 的顺序。第1线圈部CP1的全长比其他线圈部长，位于最内周侧的第4线圈部CP4的全长比其他线圈部短。

此外，锥形线圈3B具有第1间隙G1、第2间隙G2以及第3间隙G3。第1间隙G1是第1线圈部CP1(大径环状导体31B)与第2线圈部CP2 (小径环状导体32B)的间隙。第2间隙G2是第2线圈部CP2与第3线圈部CP3(小径环状导体33B)的间隙。第3间隙G3是第3线圈部CP3 与第4线圈部CP4(小径环状导体34B)的间隙。

如图13(B)所示，第1间隙G1比除第1间隙G1以外的其他间隙 (第2间隙G2以及第3间隙G3)大。此外，第2间隙G2比第3间隙 G3大。若将间隙按照大小顺序排列，则为第1间隙G1、第2间隙G2、第3间隙G3的顺序。

在本实施方式中，如图13(B)所示，Z轴方向上的第1间隙VG1与 Z轴方向上的其他间隙(第2间隙VG2以及第3间隙VG3)相等。另一方面，在本实施方式中，如图13(A)所示，从Z轴方向观察的第1间隙 PG1比从Z轴方向观察的其他间隙(第2间隙PG2以及第3间隙PG3)大。此外，从Z轴方向观察的第2间隙PG2比从Z轴方向观察的第3间隙PG3大。因此，如上所述，第1间隙G1比其他间隙(第2间隙G2以及第3间隙G3)大，第2间隙G2比第3间隙G3大。

通过本实施方式所涉及的电感器桥104，除第3实施方式中所述的效果以外，起到如下效果。

(a)在本实施方式中，第1间隙G1比除第1间隙G1以外的其他间隙(第2间隙G2以及第3间隙G3)大。第1线圈部CP1与第2线圈部 CP2相互并列的部分比其他线圈部彼此(第2线圈部CP2与第3线圈部 CP3、或者第3线圈部CP3与第4线圈部CP4)相互并列的部分长。因此，通过该结构，相比于增大其他间隙(第2间隙G2以及第3间隙G3)，能够有效地减少锥形线圈3B的线间电容，能够提高锥形线圈3B的自谐振频率。

此外，在将多个基材层层叠来形成绝缘基材时，由于基材层的层叠偏移等可能产生各环状导体的位置偏移，锥形线圈整体的线间电容可能变动。如上述那样，由于第1线圈部CP1与第2线圈部CP2相互并列的部分比其他线圈部彼此相互并列的部分长，因此相对于锥形线圈整体的线间电容，第1线圈部CP1与第2线圈部CP2之间产生的线间电容所占的比例较大。在本实施方式中，由于第1间隙G1(第1线圈部CP1与第2线圈部CP2的间隙)比其他间隙大，因此即使产生各环状导体的位置偏移，也能够抑制锥形线圈的线间电容的差别。

进一步地，通过该结构，与相等地增大全部间隙(第1间隙G1、第2 间隙G2以及第3间隙G3)的情况相比，能够有效地减少锥形线圈3B的线间电容，并且抑制锥形线圈3B的大型化。

另外，在本实施方式中，从Z轴方向观察的第1间隙PG1比从Z轴方向观察的其他间隙(第2间隙PG2以及第3间隙PG3)大。此外，在本实施方式中，从Z轴方向观察的第2间隙G2比从Z轴方向观察的第3间隙G3大。因此，与全部相等地增大从Z轴方向观察的间隙(第1间隙PG1、第2间隙PG2以及第3间隙PG3)的情况相比，能够有效地减少锥形线圈 3B的线间电容，并且能够抑制锥形线圈3B的平面(XY平面)上的大型化。即，上述结构在希望减少锥形线圈的线间电容并且减薄Z轴方向上的锥形线圈的厚度的情况下有效。

(b)此外，在本实施方式中，第2间隙G2比第3间隙G3大。第2 线圈部CP2与第3线圈部CP3相互并列的部分比第3线圈部CP3与第4 线圈部CP4相互并列的部分长。因此，通过该结构，相比于增大第3间隙 G3，能够有效地减少锥形线圈3B的线间电容，能够提高锥形线圈3B的自谐振频率。即，通过更加增大位于外周侧的线圈部彼此的间隙，能够有效地减少锥形线圈的线间电容。

另外，在本实施方式中，表示了具有4个线圈部(第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部CP3以及第4线圈部CP4)的锥形线圈3B，但并不限定于该结构。本实用新型的“锥形线圈”也可以具有第n线圈部 (n是2以上的整数)。第n线圈部是指从Z轴方向观察时，相对于第1 线圈部CP1向内周侧位于第n-1个的部分。

此外，在本实施方式中，表示了具有3个间隙(第1间隙G1、第2 间隙G2以及第3间隙G3)的锥形线圈3B，但并不限定于该结构。本实用新型的“锥形线圈”也可以具有第n间隙(n是2以上的整数)。第n 间隙是指第n线圈部与第n+1线圈部的间隙。在这种情况下，如上述(a) 所示，也优选第1间隙G1比其他间隙大。进一步地，如上述(b)所示，优选第n间隙比第n+1间隙大。

《第5实施方式》

在第5实施方式中，表示与第4实施方式不同的构造的锥形线圈的例子。

图14(A)是表示第5实施方式所涉及的电感器桥105的形成有锥形线圈3C的部分的俯视图，图14(B)是该部分的剖视图。在图14(A) 中，为了容易理解构造，通过阴影来表示第1线圈部CP1，通过点图案来表示第2线圈部CP2，通过交叉阴影来表示第4线圈部CP4。

电感器桥105具备绝缘基材10C、形成于绝缘基材10C的锥形线圈3C (后面详细叙述)等。绝缘基材10C的基本结构与第4实施方式所涉及的绝缘基材10B实质相同。

本实施方式所涉及的锥形线圈3C构成为包含大径环状导体31C、小径环状导体32C、小径环状导体33C、小径环状导体34C以及层间连接导体(省略图示)。锥形线圈3C具有与第1主面VS1以及第2主面VS2正交的(与Z轴方向平行的)卷绕轴AX。

此外，锥形线圈3C卷绕多于2匝(约4.5匝)，具有第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部CP3以及第4线圈部CP4。第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部CP3以及第4线圈部CP4与第4实施方式中说明的实质相同。

此外，在本实施方式中，如图14(A)所示，形成于基材层14的表面的1匝的大径环状导体31C与第1线圈部CP1一致，形成于基材层13 的背面的1匝的小径环状导体32C与第2线圈部CP2一致。此外，在本实施方式中，形成于基材层12的背面的1匝的小径环状导体33C与第3 线圈部CP3一致，形成于基材层11的背面的0.5匝的小径环状导体34C 与第4线圈部CP4一致。

如图14(A)所示，第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部 CP3以及第4线圈部CP4的线宽相互相等。

此外，锥形线圈3C具有第1间隙G1、第2间隙G2以及第3间隙G3。如图14(B)所示，第1间隙G1比除第1间隙G1以外的其他间隙(第2 间隙G2以及第3间隙G3)大。此外，第2间隙G2比第3间隙G3大。

在本实施方式中，如图14(A)所示，从Z轴方向观察的第1间隙 PG1与从Z轴方向观察的其他间隙(第2间隙PG2以及第3间隙PG3) 相等。另一方面，在本实施方式中，如图14(B)所示，Z轴方向上的第 1间隙VG1比Z轴方向上的其他间隙(第2间隙VG2以及第3间隙VG3)大。此外，从Z轴方向观察的第2间隙PG2比从Z轴方向观察的第3间隙PG3大。因此，如上述那样，第1间隙G1比其他间隙(第2间隙G2 以及第3间隙G3)大，第2间隙G2比第3间隙G3大。

通过这样的结构，也起到与第4实施方式所涉及的电感器桥104相同的作用/效果。

另外，在本实施方式中，Z轴方向上的第1间隙VG1比Z轴方向上的其他间隙(第2间隙VG2以及第3间隙VG3)大。此外，在本实施方式中，第2间隙VG2比Z轴方向上的第3间隙VG3大。即，Z轴方向上的第n间隙比Z轴方向上的第n+1间隙大。通过该结构，与全部相等地增大Z轴方向上的间隙(第1间隙VG1、第2间隙VG2以及第3间隙VG3) 的情况相比，能够有效地减少锥形线圈3C的线间电容，并且能够抑制锥形线圈3C的Z轴方向上的大型化。

此外，上述结构在希望减少锥形线圈的线间电容并且减小从Z轴方向观察的锥形线圈的面积(锥形线圈的XY平面上的面积)的情况下有效。

《第6实施方式》

在第6实施方式中，表示与第4、第5实施方式不同的构造的锥形线圈的例子。

图15(A)是表示第6实施方式所涉及的电感器桥106的形成有锥形线圈3D的部分的俯视图，图15(B)是该部分的剖视图。在图15(A) 中，为了容易理解构造，通过阴影来表示第1线圈部CP1，通过点图案来表示第2线圈部CP2，通过交叉阴影来表示第4线圈部CP4。

电感器桥106具备绝缘基材10D、形成于绝缘基材10D的锥形线圈3D(后面详细叙述)等。绝缘基材10D的基本结构与第4实施方式所涉及的绝缘基材10B实质相同。

本实施方式所涉及的锥形线圈3D形成为包含大径环状导体31D、小径环状导体32D、小径环状导体33D、小径环状导体34D以及层间连接导体(省略图示)。锥形线圈3D具有与第1主面VS1以及第2主面VS2 正交的(与Z轴方向平行的)卷绕轴AX。

此外，锥形线圈3D卷绕多于2匝(约4.5匝)，具有第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部CP3以及第4线圈部CP4。

在本实施方式中，如图15(A)所示，形成于基材层14的表面的1 匝的大径环状导体31D与第1线圈部CP1一致，形成于基材层13的表面的1匝的小径环状导体32D与第2线圈部CP2一致。此外，在本实施方式中，形成于基材层12的表面的1匝的小径环状导体33D与第3线圈部 CP3一致，形成于基材层11的表面的0.5匝的小径环状导体34D与第4 线圈部CP4一致。

如图15(A)以及图15(B)所示，第1线圈部CP1的线宽T1比其他线圈部的线宽(第2线圈部CP2的线宽T2、第3线圈部CP3的线宽T3 以及第4线圈部CP4的线宽T4)窄。此外，第n线圈部的线宽比第n+1 线圈部的线宽窄。具体而言，第2线圈部CP2的线宽T2比第3线圈部CP3 的线宽T3窄，第3线圈部CP3的线宽T3比第4线圈部CP4的线宽T4 窄。若将线圈部的线宽按照宽窄排列，为第1线圈部CP1、第2线圈部 CP2、第3线圈部CP3、第4线圈部CP4的顺序。

此外，锥形线圈3D具有第1间隙G1、第2间隙G2以及第3间隙 G3。如图15(B)所示，第1间隙G1与除第1间隙G1以外的其他间隙 (第2间隙G2以及第3间隙G3)相等。

在本实施方式中，如图15(A)所示，从Z轴方向观察的第1间隙 PG1与从Z轴方向观察的其他间隙(第2间隙PG2以及第3间隙PG3) 相等。此外，在本实施方式中，如图15(B)所示，Z轴方向上的第1间隙VG1与Z轴方向上的其他间隙(第2间隙VG2以及第3间隙VG3)相等。因此，如上述那样，第1间隙G1与其他间隙(第2间隙G2以及第3 间隙G3)相等。

通过本实施方式所涉及的电感器桥106，除第3实施方式所述的效果以外，还起到如下效果。

(a)在本实施方式中，第1线圈部CP1的线宽T1比其他线圈部的线宽(第2线圈部CP2的线宽T2、第3线圈部CP3的线宽T3以及第4线圈部CP4的线宽T4)窄。第1线圈部CP1与第2线圈部CP2相互并列的部分比其他线圈部彼此(第2线圈部CP2与第3线圈部CP3，或者第3线圈部CP3与第4线圈部CP4)相互并列的部分长。因此，通过该结构，由于第1线圈部CP1与第2线圈部CP2的对置面积变小，因此相比于使其他线圈部的线宽变窄(相比于减小其他线圈部彼此的对置面积)，能够更加有效地减少锥形线圈3D的线间电容，能够提高锥形线圈3D的自谐振频率。

此外，通过上述结构，能够在不增大Z轴方向上的锥形线圈的厚度、从Z轴方向观察的锥形线圈的面积(锥形线圈的XY平面上的面积)的情况下，减少锥形线圈的线间电容。

此外，通过该结构，与缩窄全部线圈部(第1线圈部CP1、第2线圈部CP2、第3线圈部CP3以及第4线圈部CP4)的线宽的情况相比，能够减小直流电阻并且有效地减少锥形线圈3D的线间电容。

(b)此外，在本实施方式中，第2线圈部CP2的线宽T2比第3线圈部CP3的线宽T3窄，第3线圈部CP3的线宽T3比第4线圈部CP4的线宽T4窄。即，第n线圈部的线宽比第n+1线圈部的线宽窄。第n线圈部与第n+1线圈部相互并列的部分比第n+1线圈部与第n+2线圈部相互并列的部分长。因此，通过该结构，相比于缩窄第n+1线圈部的线宽，能够更加有效地减少锥形线圈3D的线间电容，能够提高锥形线圈3D的自谐振频率。即，通过更加缩窄位于外周侧的线圈部的线宽，能够有效地减少锥形线圈的线间电容。

《第7实施方式》

在第7实施方式中，表示各线圈部与各环状导体不一致的锥形线圈的例子。

图16(A)是表示第7实施方式所涉及的电感器桥107的形成有锥形线圈3E的部分的各环状导体的俯视图，图16(B)是表示该部分的各线圈部的俯视图。图17是电感器桥107的形成有锥形线圈3E的部分的剖视图。

在图16(A)中，为了容易理解构造，通过阴影来表示大径环状导体31E，通过点图案来表示小径环状导体32E，通过交叉阴影来表示小径环状导体33E。此外，在图16(B)中，通过阴影来表示第1线圈部CP1，通过点图案来表示第2线圈部CP2，通过交叉阴影来表示第3线圈部CP3。

电感器桥107具备绝缘基材10E、形成于绝缘基材10E的锥形线圈3E (后面详细叙述)等。绝缘基材10E的基本结构与第3实施方式所涉及的绝缘基材10A实质相同。

本实施方式所涉及的锥形线圈3E构成为包含大径环状导体31E、小径环状导体32E、小径环状导体33E以及层间连接导体(省略图示)。另外，锥形线圈3E的基本结构与第3实施方式中说明的锥形线圈3A实质相同。

以下，对与第3实施方式所涉及的锥形线圈3A不同的部分进行说明。

锥形线圈3E卷绕多于2匝(约2.5匝)，具有第1线圈部CP1、第2 线圈部CP2以及第3线圈部CP3。在本实施方式中，如图16(A)以及图 16(B)所示，第1线圈部CP1由形成于基材层14的表面的大径环状导体31E和形成于基材层13的表面的小径环状导体32E的一部分构成。此外，第2线圈部CP2由形成于基材层13的表面的小径环状导体32E的一部分和形成于基材层12的表面的小径环状导体33E的一部分构成。此外，第3线圈部CP3由小径环状导体33E的一部分构成。

此外，如图17所示，锥形线圈3E具有第1间隙G1以及第2间隙G2。第1间隙G1比除第1间隙G1以外的其他间隙(第2间隙G2)大。

通过这样的结构，也起到与第4/第5实施方式所涉及的电感器桥104、 105等相同的作用/效果。

《其他的实施方式》

在以上所示的各实施方式中，表示了绝缘基材的平面形状是矩形的例子，但并不限定于该结构。绝缘基材的平面形状能够在起到本实用新型的作用/效果的范围内适当地变更，例如也可以是多边形、圆形、椭圆形、L 字形、曲柄形、T字形、Y字形等。

此外，在以上所示的各实施方式中，表示了具备将4个基材层层叠而形成的绝缘基材的电感器桥，但并不限定于该结构。形成绝缘基材的基材层的层数能够在起到本实用新型的作用/效果的范围内适当地变更，例如基材层也可以是单层。

在以上所示的各实施方式中，示例了包含分别形成于多个基材层的环状导体而构成约1.5匝、2.5匝或者4.5匝的锥形线圈，但并不限定于该结构。电感器桥所具备的锥形线圈的匝数能够适当地变更。此外，从卷绕轴方向(Z轴方向)观察的锥形线圈的外形例如也可以是圆形、椭圆形、矩形、多边形。进一步地，在以上的实施方式中，表示了包含小于1匝的小径环状导体以及大径环状导体的锥形线圈的例子，但也可以包含1匝以上的螺旋状的小径环状导体以及大径环状导体来构成锥形线圈。

此外，在以上所示的各实施方式中，表示了在绝缘基材的第1主面以及第2主面的各面分别设置一个连接器的例子，但并不限定于该结构。2 个连接器也可以仅设置于绝缘基材的第1主面，也可以仅设置于第2主面。此外，连接器的配置/个数能够根据电感器桥的电路结构来适当地变更。

另外，在本实用新型中，连接器不是必须的。也可以不使用连接器而通过焊料等的导电性接合材料等，将连接部连接于第1电路以及第2电路等。

最后，上述的实施方式的说明在全部方面为示例，并不是限制性的。对于本领域技术人员来讲能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围并不通过上述的实施方式来表示，而通过权利要求书来表示。进一步地，在本实用新型的范围中包含与权利要求书均等的范围内的自实施方式的变更。

-符号说明-

AP1...开口部

AX...锥形线圈的卷绕轴

BR...由大径环状导体包围的开口部

DE...锥形线圈的概略形状

CL1、CL2...中心线

OP1...开口

CR、CR1、CR2...弯曲部

CP1...第1线圈部

CP2...第2线圈部

CP3...第3线圈部

CP4...第4线圈部

G1...第1间隙

G2...第2间隙

G3...第3间隙

PG1...从卷绕轴方向观察的第1间隙

PG2...从卷绕轴方向观察的第2间隙

PG3...从卷绕轴方向观察的第3间隙

VG1...卷绕轴方向上的第1间隙

VG2...卷绕轴方向上的第2间隙

VG3...卷绕轴方向上的第3间隙

DF1、DF1a、DF1b、DF1c、DF1d、DF1e、DF1f、DF2、DF2a、DF2b、 DF2c、DF2d、DF2e、DF2f...空心箭头

V1、V2、V3...层间连接导体

VS1...绝缘基材的第1主面

VS2...绝缘基材的第2主面

1...保护层

3、3A、3B、3C、3D...锥形线圈

5...上部模具

6...下部模具

10、10A、10B、10C、10D...绝缘基材

11、12、13、14、11a、12a、13a、14a...基材层

21、22...导体

32、32A、32B、32C、32D、33A、33B、33C、33D、34B、34C、34D... 小径环状导体(其他环状导体)

31、31A、31B、31C、31D...大径环状导体

41、42...电极

51、52...连接器

61、62...塞孔

71...电路基板

81、82、83、84...导体

91...金属壳体

100、101、101A、102、102A、102B、102C、103、104、105、106... 电感器桥

201、202...安装基板

301、302...电子设备。

Claims

1.一种电子设备，其特征在于，具备：

电感器桥、第1电路和第2电路，

所述第1电路与所述第2电路经由所述电感器桥而被连接，

所述电感器桥具有：

绝缘基材，具有第1主面，并且具有挠性；和

从所述卷绕轴方向观察时，所述多个环状导体相互不重叠，

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述绝缘基材是将由热塑性树脂构成的多个基材层层叠而形成的层叠体。

3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，

所述电感器桥在一部分具备弯曲部。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，

所述锥形线圈卷绕多于2匝，

从所述卷绕轴方向观察时，将在所述锥形线圈中于最外周卷绕的部分定义为第1线圈部，将相对于所述第1线圈部向内周侧位于第n-1个的部分定义为第n线圈部，其中n为2以上的整数，

将所述第1线圈部与第2线圈部的间隙定义为第1间隙，将所述第n线圈部与第n+1线圈部的间隙定义为第n间隙时，所述第1间隙比其他间隙大。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，

所述第n间隙比第n+1间隙大。

6.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，

从所述卷绕轴方向观察的所述第1间隙比从所述卷绕轴方向观察的其他间隙大。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，

从所述卷绕轴方向观察的第n间隙比从所述卷绕轴方向观察的第n+1间隙大。

8.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，

所述卷绕轴方向上的所述第1间隙比所述卷绕轴方向上的其他间隙大。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，

所述卷绕轴方向上的所述第n间隙比所述卷绕轴方向上的第n+1间隙大。

10.根据权利要求4至9的任意一项所述的电子设备，其特征在于，

所述第1线圈部的线宽比其他线圈部的线宽窄。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，

所述第n线圈部的线宽比所述第n+1线圈部的线宽窄。