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JP6760321B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置および発光装置の製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
例えば特許文献１には、発光素子上に蛍光体板を接着し、その周囲を光反射性の白色部材で被覆した発光装置が記載されている。このような発光装置の上面は、蛍光体板に含有される蛍光体の色（例えば黄色）と、白色部材の色（白色）の２色で構成される。
また、発光装置は、蛍光体層などの波長変換部材の側面に光反射部材を設けない形態のものもある（例えば、特許文献２参照）。
特開２０１３−１２５４５号公報 特開２０１３−７７６７９号公報
特許文献１に記載の発光装置は、例えばスマートフォンのカメラのフラッシュライトなどの照明装置の光源として使用した場合、非発光時に、レンズに蛍光体の色と白色部材の色が写り込んでしまう。そのため、例えば、スマートフォンやそのカバーのデザインによっては、特許文献１に記載の発光装置は、非発光時に発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩とならず、外観が好まれない場合がある。
特許文献２に記載の発光装置は、発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩となるが、発光時の発光領域が広く、明暗のコントラストが小さいという問題がある。
本発明に係る実施形態は、非発光時に発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩となり、かつ、発光時に発光領域の明暗のコントラストが大きい発光装置および発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、発光面と側面を有する発光素子と、前記発光素子の少なくとも一部の側面に設けられた導光部材と、前記発光素子の側面に前記導光部材を介して設けられた反射部材と、前記発光素子の発光面上、前記導光部材上、および前記反射部材上に設けられた波長変換部材と、を備え、前記波長変換部材は、前記波長変換部材の外側面と前記導光部材との間に凹部を有し、前記凹部内に前記反射部材が設けられる。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と前記第１面の反対側に第２面を有する波長変換部材の前記第１面に、発光面を対面させて、発光素子の少なくとも一部の側面を覆うように導光部材を設けるとともに前記発光素子を載置する工程と、前記導光部材の周囲における前記波長変換部材の一部を除去し、前記導光部材の周囲に凹部を形成する工程と、前記凹部内を充填するとともに前記発光素子および前記導光部材を被覆する反射部材を配置する工程と、を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と前記第１面の反対側に第２面を有する波長変換部材の前記第１面に、発光面を対面させて、発光素子の少なくとも一部の側面を覆うように導光部材を設けるとともに前記発光素子を載置する工程と、前記発光素子および前記導光部材を第１反射部材で被覆する工程と、前記導光部材の周囲における前記第１反射部材を貫通するとともに前記波長変換部材の一部を除去し、前記導光部材の周囲に前記第１反射部材を貫通する凹部を形成する工程と、前記凹部内に第２反射部材を充填する工程と、を含む。
本発明に係る実施形態の発光装置によれば、非発光時に発光装置の上面全体を波長変換部材の色彩とすることができ、かつ、発光時に発光領域の明暗のコントラストを大きくすることができる。
本発明に係る実施形態の発光装置の製造方法によれば、非発光時に発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩となり、かつ、発光時における発光領域の明暗のコントラストが大きい発光装置を得ることができる。
第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。 図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、シート上に波長変換部材を形成する工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、波長変換部材に凹部を形成する工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、反射部材を配置する工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、反射部材から電極を露出させる工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、装置ごとに切断する工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、シート上に波長変換部材を形成する工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、波長変換部材に凹部を形成する工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、波長変換部材の凹部内に第２反射部材を充填する工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子などを第１反射部材で被覆する工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射部材から電極を露出させる工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法において、装置ごとに切断する工程を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、シート上に波長変換部材を形成する工程を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子などを第１反射部材で被覆する工程を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射部材を貫通する凹部を形成する工程を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射部材を貫通する凹部内に第２反射部材を充填する工程を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射部材から電極を露出させる工程を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法において、装置ごとに切断する工程を示す断面図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 波長変換部材における凹部の他の形状を模式的に示す断面図である。 波長変換部材における凹部の他の形状を模式的に示す断面図である。 波長変換部材における凹部の他の形状を模式的に示す断面図である。
＜実施形態＞
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置および発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置などは、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、説明を明確にするために誇張していることがある。
＜第１実施形態＞
［発光装置］
まず、第１実施形態に係る発光装置について説明する。
図１Ａ〜図１Ｃに示すように、発光装置１００は、発光素子１と、反射部材２と、波長変換部材３と、導光部材６と、を備える。
発光装置１００の上面は、強発光領域と微発光領域からなる。なお、強発光領域とは、発光装置１００の上面において、発光時に強く発光する領域（例えば、発光装置１００の上面の内側（中心側））であり、微発光領域とは、強発光領域以外の領域（例えば、発光装置１００の上面の外側（外側面側））である。ここでは、凹部３０における導光部材６側の側面の延長線上を基準とし、発光装置１００の上面において延長線上よりも内側を強発光領域Ｌ、延長線上およびこれよりも外側を微発光領域Ｎとする。ただし、強発光領域と微発光領域は厳密に定められるものではなく、発光装置１００の構造や凹部３０の形状、発光の状態などによって、適宜定めればよい。
（発光素子）
発光素子１は、ＬＥＤ素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子１は、種々の半導体で構成される素子構造に正負一対の電極１１，１２が設けられたものであればよい。特に、発光素子１は、蛍光体を効率良く励起可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）のものが好ましい。この他、発光素子１は、硫化亜鉛系半導体、セレン化亜鉛系半導体、炭化珪素系半導体のものでもよい。
（反射部材）
反射部材２は、発光素子１からの光を反射して、波長変換部材３を介して光を取り出すためのものである。反射部材２は、発光素子１が発光し、横方向または下方向に進行する光を、発光装置１００の発光領域である波長変換部材３側に反射するための部材である。
反射部材２は、発光素子１の側面および波長変換部材３の下方に設けられている。反射部材２は、発光素子１の側面に形成された導光部材６を介して設けられている。具体的には、反射部材２は、発光素子１の下面（電極１１，１２側）を被覆する。さらに、反射部材２は、発光素子１の側面のうち、導光部材６で被覆している領域は導光部材６を介して包囲するように被覆し、導光部材６で被覆していない領域は直接発光素子側面を被覆している。
また、反射部材２は、波長変換部材３との境界面から波長変換部材３側に枠状に突出して凹部３０内に枠状突出部２Ａを形成している。発光装置１００は、枠状突出部２Ａを有することで強発光領域と微発光領域が形成され、発光時に強発光領域と微発光領域とのコントラストが大きくなる。これにより、発光時における発光領域の明暗のコントラストが大きくなる。発光装置１００では、発光素子１の側面および波長変換部材３の下方に設けられた反射部材２と、波長変換部材３の凹部３０内に設けられた枠状突出部２Ａを形成する反射部材２とは、１つの部材として一体となって形成されている。
図１Ｂに示すように、枠状突出部２Ａは、断面視で、波長変換部材３側に凸状に形成されている。また、断面視で、波長変換部材３の外側面側における枠状突出部２Ａの側面は、波長変換部材３で覆われている。さらに、枠状突出部２Ａは、図１Ｃに示すように、平面視で、導光部材６の外縁の外側を取り囲むように四角環状に形成されている。また、枠状突出部２Ａは、ここでは、枠状突出部２Ａの四隅から発光装置１００の外側面に延出する延出部２Ｂを有する。延出部２Ｂは、発光装置１００の製造方法において、例えば、波長変換部材３を形成した大判のシートに発光素子１を複数載置し、シートの縦と横とにそれぞれ連続的に凹部３０を形成する場合に生じる。
枠状突出部２Ａは、断面視で、導光部材６側の側面が、発光素子１の発光面に対して略垂直に形成されている。また、枠状突出部２Ａは、断面視で、波長変換部材３の外側面側の側面が傾斜している。例えば、図１Ｂに示すような円弧状である。すなわち、枠状突出部２Ａは、断面視で、先端が細くなるとともに、一方の側面が直線状で他方の側面が湾曲した形状に形成されている。
断面視で、枠状突出部２Ａの導光部材６側の側面が、発光素子１の発光面に対して略垂直に形成されていることで、発光時の強発光領域と微発光領域とのコントラストをより大きくすることができる。これにより、発光時における発光領域の明暗のコントラストをより大きくすることができる。
また、断面視で、波長変換部材３の外側面側における枠状突出部２Ａの側面を傾斜させることで、枠状突出部２Ａの幅を持たせつつ、枠状突出部２Ａが、発光装置１００の上面に向かって先細りの形状となる。これにより、発光装置１００の上面に近づくほど枠状突出部２Ａの幅が小さくなり、発光装置１００の上面から見たときに枠状突出部２Ａが見えにくくなる。そのため、枠状突出部２Ａの幅を持たせつつ、発光装置１００の上面における波長変換部材３の色彩が枠状突出部２Ａの色彩の影響をより受けにくくなる。
したがって、波長変換部材３の外側面側における枠状突出部２Ａの側面を傾斜させることで、発光時の強発光領域と微発光領域とのコントラストをより大きくしつつ、非発光時における発光装置１００の上面全体の色彩が波長変換部材３の色彩と同じになりやすくなる。
反射部材２は、例えば、反射物質を含有する樹脂層である。反射部材２は、母材あるいはバインダーとなる樹脂に、反射物質の他に、充填剤を含有して構成されてもよい。
バインダーは、前記した反射物質や充填剤を、反射部材２として発光素子１の側面および下面（電極１１，１２側）に結着させるための樹脂である。バインダーとなる樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。または、バインダーとなる樹脂としては、例えば、これらの変性樹脂やこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂またはその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、硬化後の体積収縮が少ないため、好ましい。
反射物質は、発光素子１が発光した光を反射する物質である。反射物質としては、例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素などが挙げられる。また、シリコーンパウダーなどの樹脂の粉末を用いてもよい。
充填剤は、樹脂層である反射部材２の強度を上げるため、または、反射部材２の熱伝導率を上げるためなどの理由から添加されるものである。充填剤としては、例えば、ガラス繊維、ウィスカー、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化硼素、酸化亜鉛、窒化アルミニウムなどが挙げられる。
（導光部材）
導光部材６は、発光素子１から光を取り出しやすくし、発光素子１からの光を波長変換部材３に導光する部材である。導光部材６は、光束および光の取り出し効率を向上させることができる。
導光部材６は、波長変換部材３と発光素子１とを接合する接着部材が、発光素子１の側面に這い上がって形成されたものである（製造時には上下が反対の状態で製造される）。
導光部材６としては、例えば、透光性の樹脂材料を用いることができる。また、導光部材６は、前記した反射部材２の母材あるいはバインダーとなる樹脂などの透光性接着材料が挙げられる。また、シリカ、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素などの拡散剤が含有されていてもよい。これにより、波長変換部材３に、より均等に光を入射することができ、発光装置１００の色ムラを抑制することができる。
導光部材６は、図１Ｂに示すように、断面視で、発光素子１の下面（電極１１，１２側）から波長変換部材３に向かって、部材幅が広がるように三角形状に形成されている。このような形態とすることで、光束および光の取り出し効率がより向上する。ただし、導光部材６の形状は、特に規定されるものではない。例えば、導光部材６の形状は、反射部材２側に凸形状でもよいし、発光素子１側に凹形状でもよい。
導光部材６は、発光素子１の側面の一部を被覆していてもよく、光束および光の取り出し効率を向上させる観点から、発光素子１の側面の略全部を被覆していることがより好ましい。
また、導光部材６は波長変換部材３と発光素子１の間に配置されてもよい。
（波長変換部材）
波長変換部材３は、発光素子１が発光する波長の光の一部を吸収し、異なる波長の光に変換して発光する波長変換物質を含有する部材である。波長変換部材３で用いられる波長変換物質は、例えば蛍光体である。以下、波長変換物質は蛍光体であるものとして説明する。
波長変換部材３は、発光素子１の発光面上、導光部材６上、および反射部材２上に設けられている。
波長変換部材３の下面、すなわち、発光素子１の発光面と対面する面は、発光素子１の上面である発光面よりも大きく形成されている。
波長変換部材３は、波長変換部材３の外側面と導光部材６との間に凹部３０を有している。詳細には、凹部３０は、導光部材６の外縁の外側を取り囲む四角環状の部分が波長変換部材３の外側面より発光素子１側にあり、四角環状の部分における凹部３０の外側には波長変換部材３を有する。凹部３０は、四角環状の部分が、発光装置１００の外側面に達しないように、かつ、全部または一部が導光部材６上に配置されないように設ける。
凹部３０は、枠状突出部２Ａと同様に、導光部材６の外縁の外側を取り囲むように四角環状に形成されている。また、凹部３０は、枠状突出部２Ａの延出部２Ｂに対応し、ここでは、四角環状の四隅から発光装置１００の外側面に延出している。
そして、凹部３０内に反射部材２が設けられることで枠状突出部２Ａが形成されている。
凹部３０は、枠状突出部２Ａと同様に、断面視で、先端が尖るとともに、一方の側面が直線状で他方の側面が湾曲した形状に形成されている。
波長変換部材３の上下方向の厚み（凹部３０を除く）は、蛍光体の含有量、発光素子１が発光する光と、波長変換後の光との混色後の色調などによって定めることができるが、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。
また、凹部３０の深さは、波長変換部材３の厚みの２０％以上８０％以下であることが好ましい。凹部３０の深さが波長変換部材３の厚みの２０％以上であれば、発光時の強発光領域と微発光領域とのコントラストをより大きくすることができる。一方、凹部３０の深さが波長変換部材３の厚みの８０％以下であれば、発光装置１００の上面から見たときに凹部３０内の反射部材２が見えにくくなる。これにより、非発光時における発光装置１００の上面全体の色彩が波長変換部材３の色彩と同じになりやすくなる。凹部３０の深さは、発光時の強発光領域と微発光領域とのコントラストをより大きくする観点から、より好ましくは、波長変換部材３の厚みの４０％以上である。また、凹部３０の深さは、非発光時における発光装置１００の上面全体の色彩を波長変換部材３の色彩と同じにしやすくする観点から、より好ましくは、波長変換部材３の厚みの６０％以下である。
なお、ここでの凹部３０の深さとは、波長変換部材３の第１面３ａからの最大深さである。
なお、非発光時に発光装置１００の上面全体が波長変換部材３の色彩となるとは、発光装置１００の上面全体の色彩が波長変換部材３の色彩と同じとなる場合の他、同程度となる場合も含む。同程度とは、例えば、マンセル表色系（２０色相）の等色相面において、色相、明度、彩度とも両隣までとすることができる。
波長変換部材３の幅、すなわち、図１ＢにおけるＮ＋Ｌ＋Ｎの総和は、２００μｍ以上２．４ｍｍ以下とすることができる。さらに好ましくは、２００μｍ以上２４０μｍ以下である。
凹部３０の幅は、２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。凹部３０の幅が２０μｍ以上であれば、発光時の強発光領域と微発光領域とのコントラストをより大きくすることができる。一方、凹部３０の幅が１００μｍ以下であれば、非発光時における発光装置１００の上面全体の色彩が波長変換部材３の色彩と同じになりやすくなる。凹部３０の幅は、発光時の強発光領域と微発光領域とのコントラストをより大きくする観点から、より好ましくは４０μｍ以上である。また、凹部３０の幅は、非発光時における発光装置１００の上面全体の色彩を波長変換部材３の色彩と同じにしやすくする観点から、より好ましくは８０μｍ以下である。
なお、ここでの凹部３０の幅とは、凹部３０の開口部から深さの１／２の領域における凹部３０の幅である。凹部３０の深さの１／２から凹部３０の先端における幅は、上記幅より狭くてもよい。ここで、凹部３０の幅とは、凹部３０内に配置されている枠状突出部２Ａの幅でもある。なお、凹部３０内に空隙がある場合は、枠状突出部２Ａの幅が、上記範囲であることが好ましい。
波長変換部材３の母材あるいはバインダーは、透光性の樹脂によって形成されていることが好ましい。ここでの樹脂としては、例えば、前記した反射部材２の母材あるいはバインダーとなる樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂またはその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、硬化後の体積収縮が少ないため、好ましい。また、波長変換部材３の母材あるいはバインダーは、樹脂の他、ガラスによって形成されてもよい。
波長変換部材３に含有される蛍光体としては、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット、セリウムで賦活されたテルビウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウムおよびクロムのうちのいずれか１つまたは２つで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。
蛍光体自体の体色はどのようなものであってもよい。体色とは、発光装置１００の非発光時における部材自体の色彩をいう。
例えば、蛍光体自体の体色が白色系の蛍光体を用いた場合、波長変換部材３の体色は白色系となる。そのため、非発光時に発光装置１００の上面全体が白色系の色彩となる。
体色の測定は、例えば、分光測色計 ＣＭシリーズ（コニカミノルタ社製）、色彩色差計 ＣＲシリーズ（コニカミノルタ社製）などの測定器を用いて行うことができる。このような測定器のうち、キセノンランプの光源とシリコンフォトダイオードの受光素子を備え、平面回折格子で分光でき、マンセル表色系での出力が可能なものを用いればよい。
発光装置１００を例えばカメラのフラッシュライトなどの照明装置の白色光の光源として使用する場合、発光色が青色系の発光素子と、発光色が黄色系であり、体色が黄色系の蛍光体を用いることが好ましい。また、発光色が青色系の発光素子と、発光色が橙色系であり、体色が橙色系の蛍光体を用いることが好ましい。
体色が黄色系で、発光色が黄色の蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ系蛍光体）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ系蛍光体）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＴＡＧ系蛍光体）などが挙げられる。また、体色が黄色系で、発光色が赤色系の蛍光体としては、ＫＳＦが挙げられる。これらの蛍光体の体色は、マンセル表色系（２０色相）のマンセル色相環において、１０Ｙ、または、５Ｙである。
体色が橙色系で、発光色が赤色系の蛍光体としては、例えば、ＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮなどが挙げられる。これらの蛍光体の体色は、マンセル表色系（２０色相）のマンセル色相環において、１０ＹＲ、または、５ＹＲである。
また、発光色が黄色系蛍光体と発光色が赤色系蛍光体を混合し、発光色が橙色系の蛍光体とすることができる。
また、蛍光体自体の体色が黄色系の蛍光体および橙色系の蛍光体の色としては、例えば、マンセル表色系（２０色相）のマンセル色相環において、５ＹＲ、１０ＹＲ、５Ｙ、１０Ｙの色相が挙げられる。
蛍光体自体の色としては、黄色系の蛍光体の場合、例えば、１０Ｙ、５Ｙである。橙色系の蛍光体の場合、例えば、１０ＹＲ、５ＹＲである。蛍光体自体の体色が黄色系の蛍光体で、マンセル表色系（２０色相）のマンセル色相環において５Ｙの場合を例にとり、以下に説明する。
マンセル表色系において、明度は、例えば、７以上９以下である。
また、マンセル表色系において、彩度は、例えば、４以上１４以下である。
波長変換部材３には、拡散剤を含有させてもよい。拡散剤は、発光素子１および蛍光体の発する光を効率良く拡散するために添加されるものである。拡散剤としては、例えば、前記した反射部材２の反射物質と同様のものが挙げられる。
＜発光装置の動作＞
次に、発光装置１００の動作について説明する。
発光装置１００を駆動すると、電極１１，１２を介して外部電源から発光素子１に電力が供給され、発光素子１が発光する。発光素子１が発光した光の一部は反射部材２で反射し、波長変換部材３を通過して外部に取り出される。この際、波長変換部材３の凹部３０内に枠状突出部２Ａが設けられていることで、発光装置１００の上面における明暗のコントラスト（輝度の差）が大きくなる。
［発光装置の製造方法］
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法の一例について、図２〜図４Ｃを参照して説明する。なお、図３Ａ〜図４Ｃは、複数の発光装置１００を同時に製造するときの１つの発光装置１００を模式的に示している。
図２に示すように、第１実施形態の発光装置１００の製造方法は、シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ１０１と、発光素子を載置する工程Ｓ１０２と、波長変換部材に凹部を形成する工程Ｓ１０３と、反射部材を配置する工程Ｓ１０４と、電極を露出させる工程Ｓ１０５と、切断する工程Ｓ１０６と、を含む。
なお、各部材の材質や配置などについては、前記した発光装置１００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
（シート上に波長変換部材を形成する工程）
シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ１０１は、図３Ａに示すように、樹脂などのシート２０上に波長変換部材３を形成する工程である。
シート２０上への波長変換部材３の形成は、例えば、印刷法、圧縮成形法、または、板状の波長変換部材を積層する方法などにより行うことができる。
（発光素子を載置する工程）
発光素子を載置する工程Ｓ１０２は、図３Ｂに示すように、第１面３ａと第１面３ａの反対側に第２面３ｂを有する波長変換部材３の第１面３ａに、発光面１ａを対面させて発光素子１を載置する工程である。また、発光素子を載置する工程Ｓ１０２は、発光素子１の少なくとも一部の側面を覆うように導光部材６を設けるとともに、波長変換部材３上に発光素子１を載置する工程である。
この工程Ｓ１０２では、発光素子１は、発光素子１の電極１１，１２が設けられた側の反対面、すなわち、発光面１ａを、接着部材を介して波長変換部材３の第１面３ａに接合する。
ここで、接着部材の量を調整することで、接着部材を発光素子１の側面に這い上がらせ、発光素子１の側面に接着部材を形成することができる。これにより、発光装置１００は、発光素子１の側面に接着部材である導光部材６が設けられた形態となる。
また、発光素子１の発光面１ａと波長変換部材３の第１面３ａの間に接着部材である導光部材６が上下方向の所定の厚みで配置されてもよい。これにより、発光素子１と波長変換部材３をより強固に接着することができる。なお、図示しないが、ここでは発光素子１の発光面１ａと波長変換部材３の第１面３ａの間には、発光素子１と波長変換部材３との接合のため、極薄い状態で接着部材が介在している。
（波長変換部材に凹部を形成する工程）
波長変換部材に凹部を形成する工程Ｓ１０３は、図３Ｃに示すように、導光部材６の周囲における波長変換部材３の一部を除去し、導光部材６の周囲に凹部３０を形成する工程である。
凹部３０の形成は、例えば、所定幅および所定形状のブレードを用いて、波長変換部材３の上面からシート２０に向けて垂直方向または、傾斜をつけて、波長変換部材３の一部を除去することにより行うことができる。
なお、凹部３０の形成は、レーザー光により行ってもよく、エッチングにより行ってもよい。図３Ｃに示すような深さの浅い凹部３０を形成する場合は、ルーターを使用するのがより好ましい。なお、レーザー光により凹部３０を形成する場合は、凹部３０を形成した後にレーザー光と波長変換部材３が反応したものを除去する工程を行ってもよい。
また、凹部３０は、導光部材６の一部を除去するように形成してもよい。発光効率を高めるためには、図３Ｃに示すように、導光部材６より外側に形成することが好ましい。また、凹部３０は、導光部材６の外縁の外側を取り囲む四角環状の部分を波長変換部材３の外側面より内側に形成する。
（反射部材を配置する工程）
反射部材を配置する工程Ｓ１０４は、図４Ａに示すように、波長変換部材３の凹部３０内を充填するとともに発光素子１および導光部材６を被覆する反射部材２を配置する工程である。
この工程Ｓ１０４では、波長変換部材３の凹部３０内に反射部材２を充填する。また、この工程Ｓ１０４では、電極１１，１２を含めた発光素子１の全部および導光部材６を反射部材２で被覆する。この工程Ｓ１０４では、波長変換部材３の凹部３０内、および、波長変換部材３の面から電極１１，１２の上面まで反射部材２が設けられている。
凹部３０内への充填と、発光素子１および導光部材６の被覆は、例えば、固定されたシート２０の上側において、シート２０に対して上下方向あるいは水平方向などに移動（可動）させることができる吐出装置（ディスペンサー）を用いて行うことができる。反射部材２の充填および被覆は、吐出装置を用いて、反射部材２を構成する樹脂などを波長変換部材３の凹部３０内および波長変換部材３上に充填することにより行うことができる。
また、圧縮成形法、トランスファー成形法などによって被覆することも可能である。
（電極を露出させる工程）
電極を露出させる工程Ｓ１０５は、図４Ｂに示すように、電極１１，１２側における、反射部材２の一部を、発光素子１の電極１１，１２を露出させるように除去する工程である。
この工程Ｓ１０５では、例えば、電極１１，１２側から、反射部材２の表面を電極１１，１２が露出するまで除去する。反射部材２を除去する方法として、例えば、研削、研磨、ブラストなどがある。
（切断する工程）
切断する工程Ｓ１０６は、図４Ｃに示すように、発光装置１００の集合体を切断する工程である。すなわち、切断する工程Ｓ１０６は、発光装置１００の集合体を個片化する工程である。
この工程Ｓ１０６では、発光装置１００の集合体を個片化するための切断溝３１形成箇所を発光装置１００の大きさが均等になるように、予め定めておく。
集合体の個片化は、例えば、１つの発光素子１を囲むように、厚さ方向に反射部材２の一部および波長変換部材３の一部を除去し、切断溝３１を形成することにより行う。なお、切断溝３１は、シート２０の一部まで達するように形成することが好ましい。
切断溝３１の形成は、ブレードで切断するダイシング方法など、従来公知の方法により行うことができる。
そして、この集合体の個片化により、複数の発光装置１００が得られる。
なお、シート２０上に複数の発光素子１を配置し形成する場合、切断溝３１は１つの発光素子１を囲むように形成されてもよく、複数の発光素子１を囲むように形成されてもよい。
例えば、凹部３０を１つの発光素子１を囲むように形成し、切断溝３１を２つの発光素子１を囲むように形成し、２つの発光素子１ごとに切断溝３１で切断することで、図１６Ａに示すような発光装置１００Ｄが得られる。
また、例えば、凹部３０および切断溝３１を２つの発光素子１を囲むように形成し、２つの発光素子１ごとに切断溝３１で切断することで、図１６Ｂに示すような発光装置１００Ｅが得られる。
＜第２実施形態＞
［発光装置］
次に、第２実施形態に係る発光装置について説明する。
図５に示すように、発光装置１００Ａは、発光素子１と、第１反射部材２と、波長変換部材３と、第２反射部材４と、導光部材６と、を備える。
ここでは、第１実施形態と主に異なる点について説明する。
第２実施形態では、反射部材は、発光素子１の側面に設けられる第１反射部材２と、凹部３０内に設けられる第２反射部材４と、を備える。
第１反射部材２は、波長変換部材３の凹部３０内に設けられていないこと以外は、第１実施形態で説明した反射部材２と同様である。また、凹部３０内の第２反射部材４が設けられた部位は、第１実施形態で説明した枠状突出部２Ａに相当する。
第２反射部材４は第１反射部材２とは別体であり、波長変換部材３の凹部３０内に設けられている。別体とは、第１反射部材２と第２反射部材４とが別の部材として設けられているということである。
第２反射部材４は、第１反射部材２と同じ反射部材でも良いし、異なる反射部材でもよい。第２反射部材４は、添加する充填剤などを変更したものでもよい。
また、第２反射部材４は着色物質を含有していてもよい。第２反射部材４が着色物質を含有することで、非発光時における発光装置１００の上面全体の色彩が波長変換部材３の色彩と同じになりやすくなる。
着色物質は、顔料および染料のいずれか１つを含む。
顔料としては特に限定されるものではないが、例えば、無機系材料や有機系材料を用いたものがあり、以下の材料を用いたものが挙げられる。
無機系材料として、例えば、べんがら（Ｆｅ２Ｏ３）、鉛丹（Ｐｂ３Ｏ４）、チタンニッケルアンチモン系酸化物、チタンニッケルバリウム系酸化物、チタンクロムアンチモン系酸化物、チタンクロムニオブ系酸化物などが挙げられる。
有機系材料として、例えば、アントラキノン系、アゾ系、キナクリドン系、ペリレン系、ジケトピロロピロール系、モノアゾ系、ジスアゾ系、ピラゾロン系、ベンツイミダゾロン系、キノキサリン系、アゾメチン系、イソイソドリノン系、イソイソドリン系などが挙げられる。
染料としては特に限定されるものではないが、例えば、アントラキノン系染料、メチン系染料、アゾメチン系染料、オキサジン系染料、アゾ系染料、スチリル系染料、クマリン系染料、ポルフィリン系染料、ジベンゾフラノン系染料、ジケトピロロピロール系染料、ロダミン系染料、キサンテン系染料、ピロメテン系染料などが挙げられる。
なお、顔料および染料は、基本的に発光素子１からの光を異なる波長に変換しないものがよい。
［発光装置の製造方法］
次に、第２実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法の一例について、図６〜図９Ｂを参照して説明する。なお、図７Ａ〜図９Ｂは、複数の発光装置１００Ａを同時に製造するときの１つの発光装置１００Ａを模式的に示している。
図６に示すように、第２実施形態の発光装置１００Ａの製造方法は、シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ２０１と、発光素子を載置する工程Ｓ２０２と、波長変換部材に凹部を形成する工程Ｓ２０３と、第２反射部材を充填する工程Ｓ２０４と、第１反射部材で被覆する工程Ｓ２０５と、電極を露出させる工程Ｓ２０６と、切断する工程Ｓ２０７と、を含む。
なお、各部材の材質や配置などについては、前記した発光装置１００，１００Ａの説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ２０１、発光素子を載置する工程Ｓ２０２、波長変換部材に凹部を形成する工程Ｓ２０３、電極を露出させる工程Ｓ２０６、切断する工程Ｓ２０７は、図７Ａ〜図７Ｃ、図９Ａ、図９Ｂに示すように、それぞれ、前記した発光装置１００の製造方法で説明した、シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ１０１、発光素子を載置する工程Ｓ１０２、波長変換部材に凹部を形成する工程Ｓ１０３、電極を露出させる工程Ｓ１０５、切断する工程Ｓ１０６に準じて行うことができる。
ここでは、反射部材を配置する工程として、第２反射部材を充填する工程Ｓ２０４、および、第１反射部材で被覆する工程Ｓ２０５について説明する。
（第２反射部材を充填する工程）
第２反射部材を充填する工程Ｓ２０４は、図８Ａに示すように、波長変換部材３の凹部３０内に第２反射部材４を充填する工程である。
第２反射部材４の充填は、例えば、印刷法、圧縮成形法などにより行うことができる。また、第２反射部材４の充填は、前記した樹脂吐出装置を用いて行うことができる。
（第１反射部材で被覆する工程）
第１反射部材で被覆する工程Ｓ２０５は、図８Ｂに示すように、発光素子１、導光部材６、および第２反射部材４を第１反射部材２で被覆する工程である。
この工程Ｓ２０５では、発光素子１および導光部材６に加えて、波長変換部材３の凹部３０内に設けられた第２反射部材４を第１反射部材２で被覆する。その他については、前記した発光装置１００の製造方法で説明した反射部材を配置する工程Ｓ１０４に準じて行うことができる。
電極を露出させる工程Ｓ２０６は、図９Ａに示すように、電極１１，１２側における、第１反射部材２の一部を、発光素子１の電極１１，１２を露出させるように除去する工程である。詳細については、前記した発光装置１００の製造方法で説明した、電極を露出させる工程Ｓ１０５に準じて行うことができる。
切断する工程Ｓ２０７は、図９Ｂに示すように、発光装置１００の集合体を切断する工程である。詳細については、前記した発光装置１００の製造方法で説明した、切断する工程Ｓ１０６に準じて行うことができる。
＜第３実施形態＞
［発光装置］
次に、第３実施形態に係る発光装置について説明する。
図１０に示すように、発光装置１００Ｂは、発光素子１と、第１反射部材２と、波長変換部材３と、第２反射部材４と、導光部材６と、を備える。
ここでは、第２実施形態と主に異なる点について説明する。
第２反射部材４は、第１反射部材２を貫通して設けられている。第１反射部材２は、波長変換部材３の凹部に連通する貫通孔を有しており、この貫通孔と波長変換部材３の凹部とが一体となって、凹部３２を形成している。第２反射部材４は、波長変換部材３の凹部内に設けられるとともに第１反射部材２の貫通孔内に設けられている。これにより、波長変換部材３の凹部内の第２反射部材４と、第１反射部材２の貫通孔内の第２反射部材４とが一体となって、凹部３２内に第２反射部材４が設けられている。凹部３２は、ここでは、導光部材６の外縁の外側を取り囲む四角環状の四隅において、発光装置１００の外側面に延出している。なお、波長変換部材３の凹部は、第１実施形態で説明した凹部３０に相当し、波長変換部材３の凹部内の第２反射部材４が設けられた部位は、第１実施形態で説明した枠状突出部２Ａに相当する。
［発光装置の製造方法］
次に、第３実施形態に係る発光装置１００Ｂの製造方法の一例について、図１１〜図１４Ｂを参照して説明する。なお、図１２Ａ〜図１４Ｂは、複数の発光装置１００Ｂを同時に製造するときの１つの発光装置１００Ｂを模式的に示している。
図１１に示すように、第３実施形態の発光装置１００Ｂの製造方法は、シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ３０１と、発光素子を載置する工程Ｓ３０２と、第１反射部材で被覆する工程Ｓ３０３と、第１反射部材を貫通する凹部を形成する工程Ｓ３０４と、第２反射部材を充填する工程Ｓ３０５と、電極を露出させる工程Ｓ３０６と、切断する工程Ｓ３０７と、を含む。
なお、各部材の材質や配置などについては、前記した発光装置１００，１００Ａ，１００Ｂの説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ３０１、発光素子を載置する工程Ｓ３０２は、図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、それぞれ、前記した発光装置１００の製造方法で説明した、シート上に波長変換部材を形成する工程Ｓ１０１、発光素子を載置する工程Ｓ１０２に準じて行うことができる。
ここでは、第１反射部材で被覆する工程Ｓ３０３、第１反射部材を貫通する凹部を形成する工程Ｓ３０４、第２反射部材を充填する工程Ｓ３０５、電極を露出させる工程Ｓ３０６、切断する工程Ｓ３０７について説明する。
（第１反射部材で被覆する工程）
第１反射部材で被覆する工程Ｓ３０３は、図１２Ｃに示すように、発光素子１および導光部材６を第１反射部材２で被覆する工程である。
この工程Ｓ３０３では、この時点では波長変換部材３に凹部が設けられていないため、凹部が設けられていない波長変換部材３上に第１反射部材２を設ける。その他については、前記した発光装置１００の製造方法で説明した反射部材を配置する工程Ｓ１０４に準じて行うことができる。
（第１反射部材を貫通する凹部を形成する工程）
第１反射部材を貫通する凹部を形成する工程Ｓ３０４は、図１３Ａに示すように、導光部材６の周囲に第１反射部材２を貫通する凹部３２を形成する工程である。
この工程Ｓ３０４では、導光部材６の周囲における第１反射部材２を貫通させるとともに波長変換部材３の一部を除去する。これにより、導光部材６の周囲に第１反射部材２を貫通する凹部３２が形成される。
凹部３２の形成は、例えば、所定幅および所定形状のブレードを用いて、第１反射部材２の上面からシート２０に向けて垂直方向または、傾斜をつけて、部材を除去することにより行うことができる。凹部３２の形成は、第１反射部材２を貫通し、さらに波長変換部材３の一部を除去することにより行うことができる。
なお、図１３Ａに示すような深さの深い凹部３２を形成する場合は、凹部３２の形成はレーザー光により行ってもよく、ダイシングにより行ってもよい。しかしながら、凹部３２の形成はダイシングにより行うのがより好ましい。
また、凹部３２は、導光部材６の一部を除去するように形成してもよい。発光効率を高めるためには、図１３Ａに示すように、導光部材６より外側に形成することが好ましい。また、凹部３２は、導光部材６の外縁の外側を取り囲む四角環状の部分を波長変換部材３の外側面より内側に形成する。
（第２反射部材を充填する工程）
第２反射部材を充填する工程Ｓ３０５は、図１３Ｂに示すように、凹部３２内に第２反射部材４を充填する工程である。
第２反射部材４の充填は、例えば、印刷法、圧縮成形法などにより行うことができる。また、第２反射部材４の充填は、前記した樹脂吐出装置を用いて行うことができる。
（電極を露出させる工程）
電極を露出させる工程Ｓ３０６は、図１４Ａに示すように、電極１１，１２側における、第１反射部材２の一部、および、第２反射部材４の一部を、発光素子１の電極１１，１２を露出させるように除去する工程である。
この工程Ｓ３０６では、例えば、電極１１，１２側から、第１反射部材２、および、第２反射部材４の表面を電極１１，１２が露出するまで除去する。第１反射部材２、および、第２反射部材４を除去する方法として、例えば、研削、研磨、ブラストなどがある。
（切断する工程）
切断する工程Ｓ３０７は、図１４Ｂに示すように、発光装置１００Ｂの集合体を切断する工程である。
この工程Ｓ３０７では、凹部３２の周囲の切断溝３１形成箇所で発光装置１００Ｂの集合体を切断する。その他については、前記した発光装置１００の製造方法で説明した切断する工程Ｓ１０６に準じて行うことができる。
以上、本実施形態に係る発光装置および発光装置の製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明した。しかし、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれる。
以下、他の実施形態について説明する。
導光部材６は、図１５に示す発光装置１００Ｃのように、発光素子１の側面だけでなく、発光素子１と波長変換部材３の間にも設けてもよい。この場合、発光素子１と波長変換部材３をより強固に接着する観点から、また、光束および光の取り出し効率を向上させる観点から、導光部材６の上下方向の厚みは０．５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。また、発光素子１は、１つの場合の他、複数設けてもよい。また、発光装置は、発光装置１００を実装する実装基板を備えるものであってもよい。
また、波長変換部材３は、単層構造だけではなく、多層構造とすることもできる。波長変換部材３は、異なる波長変換物質を含有している波長変換部材を複数積層したものでもよい。また、波長変換部材３は、波長変換物質を含有しない透光層を含んでいてもよい。また、波長変換部材３の上に、波長変換部材３を含有しない透光層、拡散剤を含有する層、表面に凹凸を有する層、凸レンズなどの透光部材を積層してもよい。なお、図１５は、波長変換部材３の上に透光層７を積層している。透光層７を積層することで、波長変換物質を外部環境より保護することができる。
波長変換部材３が積層体で、波長変換物質を含有しない透光層を含む場合は、図１５のように、透光層７を波長変換部材３の第２面３ｂ上に配置することが好ましい。なお、この場合、透光層７は波長変換部材３の一部としてもよいが、波長変換物質を含有しない層として、波長変換物質を含有する波長変換部材３とは異なる層であるものとすることができる。透光層７を波長変換部材３の第２面３ｂ上に配置することにより、シート２０を除去し、発光装置１００Ｃとしたときに、透光層７が保護層となり波長変換物質を外部環境より保護することができる。
透光層７は透明部材であり、透光層７としては、波長変換部材３に用いることができる樹脂などの透光性の樹脂や、ガラスなどが挙げられる。
なお、波長変換部材を形成する工程において波長変換部材３の第２面３ｂ側に波長変換物質を含有しない透光層７を設けておくことで、容易に発光装置の上面を整えることができる。詳細には、発光装置の上面を整える際に、波長変換部材３を除去することなく、波長変換物質を含有しない透光層７の一部を除去することで、発光色の変化および波長変換部材３の体色変化を抑制することができる。
波長変換部材３の凹部３０の形状は、特に規定されるものではない。例えば、図１７Ａに示すように、凹部３０は、断面視で四角形状であってもよい。また、図１７Ｂに示すように、凹部３０は、断面視で、上面が円弧状に形成された形状であってもよい。また、図１７Ｃに示すように、凹部３０は、断面視で、三角形状であってもよい。
なお、凹部３０が図１７Ａ、図１７Ｂのような形状の場合、例えば、凹部３０における内側（導光部材６側）の側面の延長線上を基準として強発光領域と微発光領域を定めればよい。また、凹部３０が図１７Ｃのような三角形状の場合、例えば、三角形の頂点から、発光素子１の発光面に対して垂直な延長線上を基準として強発光領域と微発光領域を定めればよい。
凹部３０は、例えば、ブレードの形状を変えることで、様々な形状とすることができる。
なお、第３実施形態の凹部３２における、波長変換部材３の凹部の形状についても特に規定されるものではなく、例えば、図１７Ａ〜図１７Ｃに示す形状とすることができる。
また、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法では、発光素子を載置する工程Ｓ１０２の後、波長変換部材に凹部を形成する工程Ｓ１０３を行ったが、これに限らない。波長変換部材３に凹部３０を形成した後、発光素子１を波長変換部材３に載置してもよい。第２実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法も同様に、波長変換部材３に凹部３０を形成した後、発光素子１を波長変換部材３に載置してもよい。また、第２実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法では、波長変換部材３に凹部３０を形成し、凹部３０内に第２反射部材４を充填した後、発光素子１を波長変換部材３に載置してもよい。
また、枠状突出部２Ａの平面視形状は四角環状としたがこれに限らない。枠状突出部２Ａは、平面視で、導光部材６の外縁の外側を取り囲むように円環状に形成されていてもよい。また、枠状突出部２Ａは、連続的な環状でもよいし断続的な環状で形成されていてもよい。より好ましくは、発光素子１の平面視形状と相似形状がよい。
凹部３０、凹部３２についても枠状突出部２Ａと同様に、平面視で、導光部材６の外縁の外側を取り囲むように円環状に形成されていてもよい。また、凹部３０、凹部３２は、連続的な環状でもよいし断続的な環状で形成されていてもよい。より好ましくは、発光素子１の平面視形状と相似形状がよい。
また、枠状突出部２Ａは、延出部２Ｂを有さないものであってもよい。凹部３０、凹部３２についても同様に、延出部２Ｂに対応する部分を有さないものであってもよい。
また、枠状突出部２Ａと波長変換部材３の間に空隙があってもよい。その場合、空隙は、波長変換部材３の外側面側に設け、導光部材６側は、枠状突出部２Ａが配置されるようにする。例えば、凹部３０内、および、凹部３２における波長変換部材３の凹部内において、導光部材６側に反射部材２または第２反射部材４を設け、波長変換部材３の外側面側は空隙とする。また、第３実施形態の凹部３２における貫通孔内にも、第１反射部材２の外側面側に空隙がある形態としてもよい。
また、発光装置の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、あるいは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程などを含めてもよい。
本発明の実施形態に係る発光装置は、カメラのフラッシュライト、一般照明などの各種照明装置に利用することができる。
１ 発光素子
１ａ 発光素子の発光面
２ 反射部材，第１反射部材
２Ａ 枠状突出部
２Ｂ 延出部
３ 波長変換部材
３ａ 波長変換部材の第１面
３ｂ 波長変換部材の第２面
４ 第２反射部材
６ 導光部材
７ 透光層
１１，１２ 電極
２０ シート
３０，３２ 凹部
３１ 切断溝
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ 発光装置
Ｌ 強発光領域
Ｎ 微発光領域

Claims (11)

  1. 発光面と、前記発光面の反対側にある下面と、前記発光面と前記下面との間にある側面と、を有する発光素子と、
    前記発光素子の少なくとも一部の側面に設けられた導光部材と、
    前記発光素子の側面に前記導光部材を介して設けられた反射部材と、
    前記発光素子の発光面、前記導光部材および前記反射部材と対向する第１面と、前記第１面の反対側にある第２面と、前記第１面と前記第２面との間にある外側面と、を有する波長変換部材と、を備え、
    前記波長変換部材の第１面は、前記波長変換部材の外側面と前記導光部材との間に凹部を有し、
    前記凹部は、断面視において、前記導光部材側の側面が前記発光素子の発光面に対して垂直であり、かつ、断面視において、前記凹部の底面側が細くなるとともに、前記波長変換部材の外側面側の側面が湾曲しており、
    前記凹部内に前記反射部材が設けられる発光装置。
  2. 発光面と、前記発光面の反対側にある下面と、前記発光面と前記下面との間にある側面と、を有する発光素子と、
    前記発光素子の少なくとも一部の側面に設けられた導光部材と、
    前記発光素子の側面に前記導光部材を介して設けられた第１反射部材と、
    前記発光素子の発光面、前記導光部材および前記第１反射部材と対向する第１面と、前記第１面の反対側にある第２面と、前記第１面と前記第２面との間にある外側面と、を有する波長変換部材と、を備え、
    前記波長変換部材の第１面は、前記波長変換部材の外側面と前記導光部材との間に凹部を有し、
    前記凹部は、断面視において、前記導光部材側の側面が前記発光素子の発光面に対して垂直であり、かつ、断面視において、前記凹部の底面側が細くなるとともに、前記波長変換部材の外側面側の側面が湾曲しており、
    前記凹部内に、前記第１反射部材とは別体である第２反射部材が設けられる発光装置。
  3. 前記第２反射部材は、前記波長変換部材の体色の色系と同じ色系の着色物質を含有する、請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記着色物質は、顔料および染料のいずれか１つを含む、請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記第２反射部材は、前記第１反射部材を貫通している、請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記凹部の深さは、前記波長変換部材の前記凹部を除く、前記波長変換部材の第１面と第２面が対向する方向における厚みの２０％以上８０％以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 断面視において、前記波長変換部材の外側面が対向する方向における前記凹部の幅は、２０μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 第１面と前記第１面の反対側に第２面を有する波長変換部材の前記第１面に、発光面を対面させて、発光素子の少なくとも一部の側面を覆うように導光部材を設けるとともに前記発光素子を載置する工程と、
    前記導光部材の周囲における前記波長変換部材の一部を除去し、前記導光部材の周囲に凹部を形成する工程と、
    前記凹部内を充填するとともに前記発光素子および前記導光部材を被覆する反射部材を配置する工程と、
    前記凹部の周囲の前記反射部材および前記波長変換部材を切断して前記凹部を含む発光装置とする工程と、を含む、発光装置の製造方法。
  9. 前記反射部材を配置する工程は、
    前記凹部内に第２反射部材を充填する工程と、
    前記発光素子、前記導光部材、および前記第２反射部材を第１反射部材で被覆する工程と、を含む、請求項８に記載の発光装置の製造方法。
  10. 第１面と前記第１面の反対側に第２面を有する波長変換部材の前記第１面に、発光面を対面させて、発光素子の少なくとも一部の側面を覆うように導光部材を設けるとともに前記発光素子を載置する工程と、
    前記発光素子および前記導光部材を第１反射部材で被覆する工程と、
    前記導光部材の周囲における前記第１反射部材を貫通するとともに前記波長変換部材の一部を除去し、前記導光部材の周囲に前記第１反射部材を貫通する凹部を形成する工程と、
    前記凹部内に第２反射部材を充填する工程と、
    前記凹部の周囲の前記第１反射部材および前記波長変換部材を切断して前記凹部を含む発光装置とする工程と、を含む、発光装置の製造方法。
  11. 前記凹部を形成する工程は、前記凹部を、断面視において、前記凹部の底面側が細くなるとともに、前記導光部材側の側面が前記発光素子の発光面に対して垂直となるように形成する、請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7037052B2 (ja) * 2018-04-20 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
CN111276596B (zh) * 2018-12-05 2024-02-06 光宝光电(常州)有限公司 发光单元
JP7401743B2 (ja) * 2019-10-28 2023-12-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN111081850A (zh) * 2019-12-03 2020-04-28 弘凯光电(深圳)有限公司 Led封装结构及其制作方法
US20220173280A1 (en) * 2020-11-30 2022-06-02 Nichia Corporation Light-transmissive member and method of manufacturing the same, optical member, and light emitting device
DE102021128151A1 (de) * 2021-10-28 2023-05-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786640A (ja) * 1993-06-17 1995-03-31 Nichia Chem Ind Ltd 発光デバイス
JP3286221B2 (ja) * 1997-09-29 2002-05-27 松下電器産業株式会社 発光デバイス
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
JP2006066657A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006049814A (ja) * 2004-06-28 2006-02-16 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100802393B1 (ko) * 2007-02-15 2008-02-13 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그 제조방법
JP5189835B2 (ja) * 2007-12-21 2013-04-24 シチズン電子株式会社 反射枠付表面実装型ｌｅｄ
TW201022327A (en) 2008-10-30 2010-06-16 Solvay Advanced Polymers Llc Hydroquinone-containing polyesters having improved whiteness
JP5325597B2 (ja) * 2009-02-13 2013-10-23 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5612298B2 (ja) 2009-11-20 2014-10-22 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用灯具
JP5702588B2 (ja) * 2010-12-02 2015-04-15 株式会社小糸製作所 車輌用前照灯
JP5718117B2 (ja) * 2011-03-24 2015-05-13 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
EP2701214A4 (en) * 2011-04-20 2014-11-26 Elm Inc LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP5680472B2 (ja) * 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP5777952B2 (ja) 2011-06-28 2015-09-09 シチズン電子株式会社 発光装置とその製造方法
JP5848562B2 (ja) * 2011-09-21 2016-01-27 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及びその製造方法。
JP2013077679A (ja) 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
JP5450680B2 (ja) 2012-02-01 2014-03-26 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5816127B2 (ja) 2012-04-27 2015-11-18 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
JP6094062B2 (ja) 2012-06-01 2017-03-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2014078678A (ja) * 2012-09-18 2014-05-01 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
CN104854716B (zh) * 2012-12-10 2017-06-20 西铁城时计株式会社 Led装置及其制造方法
US9287472B2 (en) 2013-06-27 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP6205897B2 (ja) * 2013-06-27 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6171749B2 (ja) * 2013-09-05 2017-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6248431B2 (ja) * 2013-06-28 2017-12-20 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置の製造方法
EP3036777B1 (en) 2013-08-20 2020-03-11 Lumileds Holding B.V. Shaped phosphor to reduce repeated reflections
JP6201675B2 (ja) * 2013-11-21 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP6331376B2 (ja) * 2013-12-17 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US9997676B2 (en) * 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5808840B2 (ja) 2014-05-26 2015-11-10 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用灯具
JP2016058551A (ja) 2014-09-09 2016-04-21 株式会社東芝 半導体発光装置
JP6582382B2 (ja) * 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2016167518A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
EP3244459B1 (en) * 2015-04-02 2020-10-14 Nichia Corporation Light emitting device
JP6065135B2 (ja) * 2015-04-02 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6424738B2 (ja) * 2015-05-26 2018-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP6554914B2 (ja) * 2015-06-01 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP6179555B2 (ja) * 2015-06-01 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106356441A (zh) * 2015-07-16 2017-01-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US9859480B2 (en) * 2015-08-20 2018-01-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP6327220B2 (ja) 2015-08-31 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9922963B2 (en) * 2015-09-18 2018-03-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
JP6451579B2 (ja) * 2015-09-30 2019-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6249002B2 (ja) * 2015-09-30 2017-12-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TW201717334A (zh) 2015-11-05 2017-05-16 凌北卿 封裝結構及其製法
US10199533B2 (en) * 2015-12-21 2019-02-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP6711021B2 (ja) * 2016-03-02 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6782579B2 (ja) * 2016-08-03 2020-11-11 シチズン電子株式会社 発光装置
TWI721005B (zh) 2016-08-17 2021-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
JP6460189B2 (ja) 2017-09-06 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

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