JP6582382B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光素子と光反射部材とを備えた発光装置の製造方法に関する。

半導体発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）の側面に反射層を設け、上方向への発光を効率よく行わせる発光装置が提案されている。例えば、特許文献１には、透光性の樹脂に光反射性のフィラーを含有させることで光反射性を付与した樹脂部材で、ＬＥＤチップの側面を被覆した発光装置が記載されている。
また、特許文献２には、樹脂に４６重量％以上の光反射性フィラーを含有させた樹脂材料を用いてパッケージを形成し、パッケージの凹部にＬＥＤを搭載した発光装置が記載されている。

特開２０１２−２４３８２２号公報 特許第４７７８０８５号公報

特許文献１に記載された発光装置のように、透光性の樹脂に光反射性フィラーを含有させることで光反射性を付与した白色樹脂を用いて反射層を形成した場合は、入射光の一部が当該反射層を透過して外部に漏出することがあった。
また、白色樹脂で十分な反射率を得るためには、例えば、特許文献２に記載された樹脂材料のように、光反射性フィラーを高含有率で添加する必要がある。しかしながら、光反射性フィラーを高含有率で添加すると、樹脂材料の流動性が低下して固くなるため、成形性が悪くなり、また成形品が脆くなるため、成形品の信頼性が低下する。
このため、樹脂材料を用いて半導体発光素子の側面に、光反射性が良好で、かつ信頼性が高い反射層（光反射部材）を形成するのは難しかった。

本発明は係る問題に鑑みて創案されたものであり、樹脂と光反射性物質とからなる材料を用いて、光反射性に優れ、信頼性の高い光反射部材を備えた発光装置の製造方法を提供することを課題とする。

前記した課題を解決するために、本発明の実施形態に係る発光装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子の側面を被覆し、積層構造を有する光反射部材とを備え、前記光反射部材は、前記半導体発光素子側となる内側に設けられ、透光性を有する樹脂に光反射性物質を含有させてなる第１層と、前記第１層の外側に接して設けられ、透光性を有する樹脂に前記第１層よりも低い含有率で光反射性物質を含有させてなる第２層と、を有する。

また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、半導体発光素子の側面が、積層構造を有する光反射部材で被覆された発光装置の製造方法であって、基板に前記半導体発光素子を実装する半導体発光素子実装工程と、前記半導体発光素子の上面及び側面を被覆するように、光反射性物質を含有させた透光性樹脂からなる前記光反射部材の第１層を形成する第１層形成工程と、前記第１層上に、前記第１層よりも前記光反射性物質の含有率の低い透光性樹脂からなる前記光反射部材の第２層を積層形成する第２層形成工程と、前記半導体発光素子の上面に形成された前記第１層及び前記第２層を除去する光反射部材除去工程と、を有する。

また、本発明の他の実施形態に係る発光装置の製造方法は、半導体発光素子の側面が、積層構造を有する光反射部材で被覆された発光装置の製造方法であって、表面に粘着性を有するシート上に、前記シートと前記半導体発光素子の光取り出し面とが対向するように前記半導体発光素子を載置する半導体発光素子載置工程と、前記半導体発光素子の側面に接するように、かつ、前記半導体発光素子の厚さ方向について、光取り出し方向ほど外側となるように傾斜した外側面を有する透光性部材を形成する透光性部材形成工程と、前記半導体発光素子の上面及び前記透光性部材の外側面を被覆するように、光反射性物質を含有させた透光性樹脂からなる前記光反射部材の第１層を形成する第１層形成工程と、前記第１層上に、前記第１層よりも前記光反射性物質の含有率の低い透光性樹脂からなる前記光反射部材の第２層を積層形成する第２層形成工程と、前記半導体発光素子の上面に形成された前記第１層及び前記第２層を除去することで、前記前記半導体発光素子の電極を露出させる光反射部材除去工程と、前記シートを前記半導体発光素子及び前記透光性部材から剥離することで除去するシート除去工程と、を有する。

本発明の実施形態に係る発光装置によれば、発光装置の正面方向の輝度を高くすることができるとともに、発光装置の信頼性を高くすることができる。
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、正面方向の輝度が高く、信頼性の高い発光装置を製造することができる。

本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置に用いられる半導体発光素子の構成例を示す模式的断面図である。 光反射性物質の含有率ごとの、光反射部材の膜厚と光反射率との関係を示すグラフ図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法における実装基板準備工程で準備される実装基板の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子実装工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法における製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第１層形成工程、（ｂ）は第２層形成工程、（ｃ）は光反射部材除去工程、（ｄ）は波長変換部材形成工程を示す。 本発明の第１実施形態に係る発光装置における個片化工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法における製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は半導体発光素子実装工程、（ｂ）は第２層形成工程、（ｃ）は光反射部材除去工程を示す。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の一部を拡大した模式的断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子載置工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＶ−Ｖ線における断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＶ−Ｖ線における断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法における製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第１層形成工程、（ｂ）は第２層形成工程、（ｃ）は光反射部材除去工程、（ｄ）はシート除去工程を示す。 本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法における製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は波長変換部材形成工程、（ｂ）は個片化工程を示す。 本発明の第５実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。 本発明の第５実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 本発明の第５実施形態に係る発光装置の製造方法における製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は透光性部材塗布工程、（ｂ）は半導体発光素子載置工程、（ｃ）は波長変換部材形成工程を示す。

以下、本発明の実施形態に係る発光装置及び発光装置の製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
まず、図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図１に示すように、本実施形態に係る発光装置１００は、半導体発光素子１（以下、適宜「発光素子」と呼ぶ）と、光反射部材２と、波長変換部材３と、実装基板（サブマウント）９と、を備えて構成されている。
発光素子１は、半田などの導電性を有する接着部材９３を介して、実装基板９にフリップチップ実装されている。また、発光素子１の側面には、第１層２１及び第２層２２を有する光反射部材２が設けられ、発光素子１の上面側からの光取り出し効率の向上が図られている。また、発光素子１の上面には、波長変換部材３が設けられており、発光素子１が発する光の少なくとも一部を異なる波長の光に変換して出射するように構成されている。

次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で横長の長方形である略直方体形状を有しており、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が一方の面側に設けられるとともに、サブマウントである実装基板９の配線用電極９２ｎ，９２ｐと、導電性の接着部材９３を介して接合されるフリップチップ実装に適した構成を有するＬＥＤチップである。
ここで、図２を参照して、発光素子１の構成例について説明する。なお、図２においては、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面が上方となるように示しており、図１（ｂ）とは上下が逆に示している。また、図１及び後記する図６などでは、発光素子１の構成は簡略化して示している。

図２に示すように、発光素子１は、成長基板１１と、半導体積層体１２と、ｎ側電極１３と、全面電極１４と、ｐ側電極１５と、絶縁膜１６とを備えている。
発光素子１は、成長基板１１の一方の面上に、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に外部電源を接続して通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。

成長基板１１は、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させるための基板である。成長基板１１は、半導体積層体１２をエピタキシャル成長させることができる基板材料で形成されればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。例えば、半導体積層体１２をＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体を用いて形成する場合には、基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面の何れかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。なお、発光素子１をフリップチップ実装に適した構成とするためには、成長基板１１は、良好な透光性を有する材料を用いることが好ましい。

半導体積層体１２は、活性層１２ａを含むｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとが積層された積層体である。半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から凹んだ領域（この領域を「段差部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。段差部１２ｂの底面には、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されたｎ側電極１３が設けられている。ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、良好な導電性と光反射性とを有する全面電極１４が設けられている。また、半導体積層体１２の表面は、直接又は全面電極１４を介して、絶縁膜１６によって、段差部１２ｂの底面の一部及び全面電極１４の上面の一部を除き被覆されている。

半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。

全面電極１４は、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。全面電極１４は、上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に拡散させるための導体層である。また、全面電極１４は良好な反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向（図１（ｂ）においては上方向）に反射させる反射膜としても機能する。

全面電極１４は、良好な導電性と反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、全面電極１４は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。特に全面電極１４の下層（ｐ型半導体層１２ｐ側）としてマイグレーションしやすいＡｇを用いる場合には、上層として、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕなどのような良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いて、当該下層を被覆することが好ましい。

ｎ側電極１３は、半導体積層体１２の段差部１２ｂの底面において、絶縁膜１６の開口部１６ｎ内でｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されるように設けられている。また、ｐ側電極１５は、全面電極１４の上面において、絶縁膜１６の開口部１６ｐ内で全面電極１４と電気的に接続されるように設けられている。ｎ側電極１３はｎ型半導体層１２ｎに、ｐ側電極１５は全面電極１４を介してｐ型半導体層１２ｐに、外部からの電流を供給するためのパッド電極である。
また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、絶縁膜１６を介して、全面電極１４上の広範囲に延在するように設けられている。

ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属及びそれらの合金などを好適に用いることができる。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。

絶縁膜１６は、半導体積層体１２及び全面電極１４の上面及び側面を被覆する層であり、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。絶縁膜１６は、段差部１２ｂの底面の一部に開口部１６ｎを有し、全面電極１４の上面の一部に開口部１６ｐを有している。また、絶縁膜１６の上面の広範囲には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が相補的に延在するように設けられている。
絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の金属の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。

なお、図２に示した発光素子１は、一例を示しものであり、外形形状や、段差部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に変更することが可能である。

図１に戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
光反射部材２は、発光素子１の側面を被覆するように設けられ、発光素子１の側面から出射する光を発光素子１内に反射させるものである。ここで、光反射部材２は、光が伝播する部材である半導体積層体１２及び成長基板１１の側面に設けられる。これによって、光取り出し面である発光素子１の上面の発光輝度を向上させることができる。

図１に示した光反射部材２は、内側、すなわち発光素子１側に設けられる第１層２１と、第１層２１の外側に設けられる第２層２２とから構成されている。
第１層２１及び第２層２２は、透光性を有する樹脂に、光反射性物質の粒子を含有させた層として形成される。

前記したように、光反射性物質を高含有率で含有させるほど、反射率は向上するが、樹脂材料の流動性が低下して固くなるため、成形性が悪くなる。また、成形品が脆くなるため、成形品の信頼性が低下する。そこで、本実施形態では、第１層２１を、光反射性物質を高含有率で含有させることで第２層２２よりも高反射率となるように形成するとともに、光反射部材２全体として脆くならないように、第２層２２よりも薄膜で形成する。そして、第２層２２を、十分な成形性が得られる範囲の含有率で光反射性物質を含有させて、光反射部材２全体としての機械強度が確保されるように厚膜に形成する。このように構成することで、光反射部材２の光反射性と成形性とを両立させることができる。
また、このような光反射部材２を備えることで、発光装置１００の光取り出し面方向である正面方向の発光輝度と、発光装置１００の信頼性とを向上させることができる。

第１層２１は、光反射性物質の含有率を、その膜厚に応じて定めることができる。第１層２１は、形状が維持されるように外側から第２層２２によって補強される。そのため、第１層２１は、第２層２２よりも良好な光反射性を得るために、第２層２２よりも高含有率で光反射性物質を含有させることができる。
良好な反射性が得られるように、第１層２１の光反射性物質の含有率は、６０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子同士の十分な結着性が得られるように、第１層２１の光反射性物質の含有率は、９９質量％以下することが好ましい。
なお、第１層２１と発光素子１の側面との間に十分な密着性が得られれば、第１層２１の光反射性物質の含有率が９９質量％を超えてもよい。

第１層２１は、安定した形状で、また、安定した精度の膜厚で形成できるように、膜厚を２μｍ以上とすることが好ましく、１０μｍ以上とすることが更に好ましい。
また、第１層２１は、第２層２２による補強によって形状が維持可能な範囲で、厚い膜厚で形成することが好ましい。このために、第１層２１は、膜厚を３０μｍ以下とすることが好ましい。

第２層２２は、例えば、金型や枠体などを用いた成形方法で十分な成形性が得られる範囲で、高含有率で光反射性物質を含有させることが好ましい。
第２層２２の光反射性物質の含有率は、１０質量％以上６０質量％以下とすることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下とすることがより好ましい。
なお、第１層２１が十分に高い光反射率（例えば、９０％以上）とすることができる場合は、第２層２２に含有させる光反射性物質の含有率は、１質量％程度としてもよく、含有させないようにしてもよい。
また、第２層２２は、第１層２１の形状を維持可能に十分に補強できる膜厚で形成することが好ましい。このために、第２層２２は、膜厚を３０μｍ以上とすることが好ましい。

第１層２１に用いる樹脂材料としては、良好な透光性を有することが好ましい。また、樹脂材料として熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。溶剤に熱硬化性樹脂と光反射性物質の固形粒子とを含有するスラリーを処方して、スプレー塗布した後に加熱することにより熱硬化性樹脂を硬化させることで、光反射性物質の固形粒子を高含有率で含有させた場合でも、安定した膜厚で第１層２１を形成することができる。

このような樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種類以上含むハイブリッド樹脂などが挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性及び耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。

第２層２２に用いる樹脂材料としては、前記した第１層２１と同様の樹脂材料を用いることができる。また、第２層２２は、第１層２１と同様に、スプレー法によって形成することもできるが、金型を用いた成形法、スクリーン印刷法などにより形成することもできる。
なお、第１層２１に用いる樹脂材料と第２層２２に用いる樹脂材料とは、異なる材料を用いてもよいが、同種の材料を用いることで、より高い密着性で第１層２１と第２層２２とを接合させることができる。また、第２層２２の成形の際に、粘度や流動性を調整するために、前記したスラリーにシリカなどを添加するようにしてもよい。

また、第１層２１に用いる樹脂は、第２層２２で用いる樹脂よりも発光素子１が発する光に対する屈折率が高いことが好ましい。このように構成することによって、第１層２１を透過して第２層２２に向かって伝播する光を、スネルの法則に基づいて第１層２１と第２層２２との界面で効率的に反射させることができる。

第１層２１及び第２層２２に含有させる光反射性物質としては、前記した樹脂材料との屈折率差が大きく、良好な透光性を有する材料の粒子を用いることが好ましい。
このような光反射性物質としては、屈折率が、例えば１．８以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、２．０以上であることが好ましく、２．５以上であることがより好ましい。樹脂材料との屈折率差は、例えば０．４以上であって、光を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るためには、０．７以上であることが好ましく、０．９以上であることがより好ましい。また、光反射性物質の粒子の平均粒径（メジアン径）は、高い効率で光散乱効果を得られるように、０．０８μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。

このような光反射性物質としては、ＴｉＯ_２（酸化チタン）、ＺｒＯ_２（酸化ジルコニウム）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＭｇＣＯ_３（炭酸マグネシウム）、Ｍｇ（ＯＨ）_２（水酸化マグネシウム）、ＣａＣＯ_３（炭酸カルシウム）、Ｃａ（ＯＨ）_２（水酸化カルシウム）、ＣａＳｉＯ_３（珪酸カルシウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム）、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）などを用いることができる。なかでも、ＴｉＯ_２は、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため、好ましい。
また、より良好な反射性を得るために、発光素子１が発する光が可視光の場合には、光反射性物質としてＴｉＯ_２を用いることが好ましく、紫外光の場合には、光反射性物質としてＡｌ_２Ｏ_３を用いることが好ましい。

ここで、図３を参照して、光反射部材２の第１層２１及び第２層２２の光反射率の具体例について説明する。図３は、第１層２１又は第２層２２を想定した反射膜として、光反射性物質の含有率及び膜厚を変化させて作製し、作製した各反射膜について光反射率を測定した実験結果を示すものである。
本実験では、光反射性物質として、平均粒径（メジアン径）が０．２μｍのＴｉＯ_２の粒子を用い、透光性の樹脂材料として、シリコーン樹脂を用いて反射膜を形成した。第１層２１を想定して、ＴｉＯ_２の含有率が９５質量％（白丸「○」でプロット）、６０質量％（黒丸「●」でプロット）の場合について、スプレー法（ＳＰ）で反射膜を作製した。また、第２層２２を想定して、ＴｉＯ_２の含有率が６０質量％（白四角「□」でプロット）、４０質量％（黒四角「■」でプロット）の場合について、トランスファーモールド法（ＴＭ）で反射膜を作製した、
図３に示すように、光反射性物質であるＴｉＯ_２の含有率が高くなるほど、また膜厚が厚くなるほど光反射率が高くなることが分かる。

更に、発光素子１であるＬＥＤチップの側面に、膜厚を３０μｍとし、ＴｉＯ_２の含有率を９５質量％、６０質量％、４０質量％とした反射膜を、それぞれ実験例１〜３として形成し、ＬＥＤの正面方向からの発光出力を測定した実験結果を表１に示す。ここで、ＬＥＤの発光出力は、実験例３を「１００」とし、実験例１，２は、その相対値で示している。
なお、実験例１，２の反射膜はスプレー法で形成し、実験例３の反射膜はトランスファーモールド法で形成した。また、表１に示した実験結果として示した実験例１〜３は、第１層２１に相当する膜厚の反射膜のみを設けて実験したものである。

表１に示すように、従来の光反射部材として用いられる含有率４０質量％の反射膜を形成した実験例３では、反射膜の光反射率が８０％であるのに比べて、含有率６０質量％の反射膜を形成した実験例２の場合で、反射膜の光反射率が９０％となり、１１０％の発光出力が得られた。また、含有率９５質量％の反射膜を形成した実験例１の場合で、反射膜の光反射率が９５％となり、１１５％の発光出力が得られた。この実験により、従来の光反射部材として用いられる程度の光反射性物質の含有率の反射膜の膜厚の一部に代えて、光反射性物質が高含有率の薄膜を設けることで、高い光反射率を得て、ＬＥＤの正面方向の出力を向上させることができることが分かる。

図１及び図２に戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
波長変換部材３は、発光素子１の光取り出し面である上面側に設けられており、発光素子１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有する層である。
波長変換物質とは蛍光体であり、波長変換部材３は、例えば、蛍光体の粒子を含有した透光性の樹脂を用いて形成することができる。樹脂材料としては、前記した光反射部材２に用いる樹脂と同様のものを用いることができる。また、波長変換部材３に光拡散性を付与するために、光拡散性物質の粒子を含有させるようにしてもよい。光拡散性物質としては、前記した光反射性物質を用いることができる。

波長変換部材３の膜厚は、蛍光体の含有量や、発光素子１が発光する光と波長変換後の光との混色後の色調などによって定めることができ、例えば、１μｍ以上１０００μｍ以下とすることができ、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。

本実施形態において、波長変換部材３は、光反射部材２の上面にまで延在するように設けられているが、発光素子１上にのみ設けるようにしてもよい。また、波長変換部材３は必須の構成ではなく、省略するようにしてもよい。また、波長変換部材３に代えて、光拡散性物質を含有する光拡散部材を設けるようにしてもよいし、保護膜となるような透明層を設けるようにしてもよい。

また、蛍光体（波長変換物質）としては、発光素子１が発する波長の光によって励起されて、この励起光と異なる波長の蛍光を発する蛍光物質であれば特に限定されず、粒状の蛍光体を好適に用いることができる。粒状の蛍光体は、光散乱性及び光反射性を有するため、波長変換機能に加えて光散乱部材としても機能し、光の拡散効果を得ることができる。蛍光体は、当該蛍光体が含有される樹脂層中に一様に分散されていることが好ましい。

また、スプレー法によって波長変換部材３を形成する場合は、蛍光体は、溶剤及び熱硬化性樹脂とともに処方されるスラリーがスプレー塗布可能なように、平均粒径が２．５〜３０μｍ程度とすることが好ましい。
なお、蛍光体の平均粒径の値は、空気透過法又はＦ．Ｓ．Ｓ．Ｓ．Ｎｏ（Ｆｉｓｈｅｒ−ＳｕｂＳｉｅｖｅ−Ｓｉｚｅｒｓ−Ｎｏ．）によるものとする（いわゆるＤバー（Ｄの上にバー）で表される値）。

蛍光体材料としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、緑〜黄色に発光するセリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑色に発光するセリウムで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、緑〜赤色に発光するユーロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、青〜赤色に発光するユーロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、緑色に発光するβサイアロン蛍光体、赤色に発光するＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体などの窒化物系蛍光体、赤色に発光するＫＳＦ（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）系蛍光体、緑色又は赤色に発光する硫化物系蛍光体などが挙げられる。

また蛍光体材料は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。このような材料としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＩＶ族の半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_ＸＳｅ_１−Ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ、ＩｎＡｓ等のナノサイズの高分散粒子を挙げることができる。このような蛍光体は、例えば、粒径１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜２０ｎｍ程度（原子が１０〜５０個程度）とすることができる。このような粒径の蛍光体を用いることにより、内部散乱を抑制することができ、色変換された光の散乱を抑制し、波長変換部材３の光の透過率をより一層向上させることができる。

実装基板（基板）９は、発光素子１を実装してパッケージ化するためのサブマウントである。図１に示した実装基板９は、平面視で横長の長方形であり平板状の基体９１と、基体９１の長手方向の左右のそれぞれに、基体９１の上面から裏面にかけて屈曲して設けられた配線用電極９２ｎ，９２ｐが設けられて構成されている。
実装基板９は、平面視で、発光素子１が包含されるような大きさで形成されている。配線用電極９２ｎはｎ側電極１３と、配線用電極９２ｐはｐ側電極１５と、それぞれ導電性を有する半田などの接着部材９３を用いて接合されている。
また、実装基板９の上面には、発光素子１の側面を被覆する光反射部材２が、その下面が密着するように設けられている。また、配線用電極９２ｎ，９２ｐの露出部が、外部との接続端子として用いられる。

実装基板９は必須の構成ではなく、省略することもできる。実装基板９を設けない場合において、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に、それぞれ外部接続用電極として、例えば、メッキ端子を設けることでＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）型の発光装置を構成することもできる（後記する第４実施形態を参照）。

［発光装置の動作］
次に、図１を参照（適宜図２参照）して、発光装置１００の動作について説明する。
なお、説明の便宜上、発光素子１は青色光を発光し、波長変換部材３は青色光を吸収して黄色光を発光するものとして説明する。

図１に示した発光装置１００は、実装基板９の配線用電極９２ｎ，９２ｐを介して外部電源からｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが青色光を発光する。
発光素子１の活性層１２ａが発光した青色光は、発光素子１の半導体積層体１２及び成長基板１１内を伝播して、発光素子１の上面から波長変換部材３に入射される。また、発光素子１内を横方向に伝播する光は光反射部材２によって発光素子１内に反射され、下方向に伝播する光は、全面電極１４などによって上方に反射され、光取り出し面である発光素子１の成長基板１１側から波長変換部材３に入射される。
なお、発光素子１の側面に向かって伝播する光は、主として光反射部材２の第１層２１によって効率よく反射される。また、第１層２１を透過した光も第２層２２によって反射される。

波長変換部材３に入射された青色光の一部は、波長変換部材３に含有される蛍光体に吸収され、黄色光に波長変換されて発光装置１００の外部に取り出される。また、波長変換部材３に入射された他の少なくとも一部は、蛍光体に吸収されることなく青色光のまま発光装置１００の外部に取り出される。そして発光装置１００からは、黄色光と青色光とが混色した白色光が外部に取り出される。

［発光装置の製造方法］
次に、図４から図８を参照して、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について説明する。
図４に示すように、発光装置１００の製造方法は、半導体発光素子準備工程Ｓ１０１と、実装基板準備工程Ｓ１０２と、半導体発光素子実装工程Ｓ１０３と、第１層形成工程Ｓ１０４と、第２層形成工程Ｓ１０５と、光反射部材除去工程Ｓ１０６と、波長変換部材形成工程Ｓ１０７と、個片化工程Ｓ１０８と、を含んでいる。なお、第１層形成工程Ｓ１０４と第２層形成工程Ｓ１０５と光反射部材除去工程Ｓ１０６とで、光反射部材形成工程が構成されている。

まず、半導体発光素子準備工程Ｓ１０１において、図２に示した構成の個片化された発光素子１を準備する。以下に、発光素子１を製造する工程例について説明するが、市販の発光素子１を入手することで当該半導体発光素子準備工程Ｓ１０１としてもよい。

具体的には、まず、サファイアなどからなる成長基板１１上に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層した半導体積層体１２を形成する。
半導体積層体１２が形成されると、半導体積層体１２の表面の一部の領域について、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの全部、並びにｎ型半導体層１２ｎの一部をエッチングにより除去してｎ型半導体層１２ｎが底面に露出した段差部１２ｂを形成する。

次に、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａを有する発光領域となる領域には、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように、光反射性を有する全面電極１４を形成する。
次に、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとが接続される領域、及びｐ側電極１５と全面電極１４とが接続される領域に、開口部１６ｎ，１６ｐを有するように、ウエハの表面全体に、例えば、スパッタリング法により、ＳｉＯ_２などの絶縁膜１６を形成する。
次に、開口部１６ｎから絶縁膜１６の上面にかけて延在するように、パッド電極であるｎ側電極１３を形成する。また、開口部１６ｐから絶縁膜１６の上面にかけて延在するように、パッド電極であるｐ側電極１５を形成する。

以上により、ウエハ状態の発光素子１が形成される。
次に、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハ状態の発光素子１を所定の分割領域で割断することにより個片化された発光素子１を作製することができる。
なお、ウエハを割断する前に、成長基板１１の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。これにより、容易に割断することができる。

次に、実装基板準備工程Ｓ１０２において、図５に示すような実装基板９を準備する。図５に示した例では、複数の実装基板９の基体９１が連続して形成された集合基板９０の状態で準備されている。また、本実施形態では、個片化工程Ｓ１０８で個片化されるまで、複数の発光装置１００が、この集合基板９０上に同時に形成される。
図５に示すように、集合基板９０は、縦方向に６個、横方向に３個の実装基板９が配列して構成されている。図５において、個々の実装基板９の領域を、境界線８１及び境界線８２で区画して示している。また、集合基板９０には、境界線８２に沿って、基体９１を厚さ方向に貫通する溝９１ａが形成されており、実装基板９は横方向には予め分離されている。また、基体９１の上面から溝９１ａを介して下面側にまで延在するように、個々の実装基板９に対応して、それぞれ一対の配線用電極９２ｎ，９２ｐが設けられている。基体９１の上面側の中央部に設けられた配線用電極９２ｎ，９２ｐのそれぞれの矩形領域が、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５と接続するための接続部９２ｎａ，９２ｐａである。
また、配線用電極９２ｎ，９２ｐの基体９１の長手方向の両端部に設けられた領域が、２次実装時に外部と接続するための領域となる。

なお、半導体発光素子準備工程Ｓ１０１と、実装基板準備工程Ｓ１０２とは、何れを先に行ってもよく、並行して行うようにしてもよい。また、実装基板９としては、集合基板９０の状態ではなく、個片化された状態で準備するようにしてもよい。また、実装基板９の配線用電極９２ｎ，９２ｐは、基体９１の上面と下面とに設けられる領域が、基体９１の厚さ方向に貫通するスルーホールを介して電気的に接続されるようにしてもよい。更にまた、実装基板９の配線用電極９２ｎ，９２ｐは、基体９１の上面側にのみ設けられてもよい。

次に、半導体発光素子実装工程Ｓ１０３において、図６に示すように、実装基板９に発光素子１を実装する。
図６に示すように、半田などの導電性の接着部材９３を用いて、ｎ側電極１３と配線用電極９２ｎの接続部９２ｎａとを接合するとともに、ｐ側電極１５と配線用電極９２ｐの接続部９２ｐａとを接合することで、発光素子１を実装基板９にフリップチップ実装する。

次に、光反射部材形成工程において、発光素子１の側面に光反射部材２を形成する。この工程には、前記したように、第１層形成工程Ｓ１０４と第２層形成工程Ｓ１０５と光反射部材除去工程Ｓ１０６とが含まれる。

まず、第１層形成工程Ｓ１０４において、図７（ａ）に示すように、発光素子１の側面を被覆するように、光反射部材２の第１層２１を形成する。
なお、図７（ａ）は、図６（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に相当する位置における断面を示したものである。図７（ｂ）から図７（ｄ）も同様である。

本実施形態では、図７（ａ）に示すように、スプレー装置６１を用いて、溶剤に熱硬化性樹脂と光反射性物質の粒子とを含有させたスラリーのスプレー６２を噴射して、発光素子１の表面に塗布膜を形成する。更に、塗布膜を加熱して熱硬化性樹脂を硬化させることで、光反射性物質の粒子同士が強固に結着した第１層２１が形成される。

また、前記したスラリーを塗布する前に、発光素子１の搭載箇所及びその近傍を除き、実装基板９の上面にマスキング用のテープ６３を貼付しておき、塗布作業が終了後に、テープ６３を除去する。これによって、実装基板９の上面の、配線用電極９２ｎ，９２ｐの外部と接続するための領域に塗膜が形成されないようにすることができる。
なお、本工程では、発光素子１の側面の他に、発光素子１の上面及び発光素子１の近傍の実装基板９の上面の一部にも塗膜が形成される。

また、本実施形態では、テープ６３が、第１層２１及び第２層２２が形成される領域が被覆されないように設けられている。そして、テープ６３は、本工程では除去されずに、次工程である第２層形成工程Ｓ１０５において、第２層２２を形成する際の枠体としてもそのまま用いられる。
テープ６３は、前記したスラリーに用いられる溶剤などに対して耐薬品性を有し、剥離又は適宜な薬剤による溶解などで除去可能なものであれば特に限定されない。

第１層２１の形成方法としては、前記したスプレー法の他に、インクジェット法、ポッティング法、スクリーン印刷法などの各種の塗布方法を用いることができるが、高含有率で光反射性物質の粒子を含有した樹脂材料を高精度に塗布する方法として、スプレー法が好ましい。特に、スプレー６２をパルス状に、すなわち間欠的に噴射させる塗布法であるパルススプレー法が、より高精度な膜厚で塗布膜を形成できるため、更に好ましい。

ここで、パルススプレー法について説明する。
パルススプレー法では、噴射量を少なくすることができるため、１回のスプレー塗布による塗布量を低減して薄膜を形成することができる。そして、スプレー塗布を複数回繰り返すことにより、塗布膜を精度のよい膜厚で形成することができる。また、樹脂材料として熱硬化性樹脂を用い、複数回のスプレー塗布の間に、１回の塗布ごと又は所定回数（例えば、３回）の塗布ごとに熱硬化性樹脂の仮硬化処理を行うことにより、液垂れなどにより膜厚が不均一となることを防止し、均一性の高い良好な膜厚精度で、塗布膜を形成することができる。
なお、ここで仮硬化とは、熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い温度で加熱することで、熱硬化性樹脂を含有するスラリーの流動性を消失させる程度に硬化させることをいう。

スプレー装置６１によって塗布されるスラリーは、溶剤と、熱硬化性樹脂と、光反射性物質蛍光体の粒子とが含有される。また、このスラリーは、スプレー噴射可能な範囲で、適度な粘度に調整される。
なお、熱硬化性樹脂としては、前記した樹脂材料を用いることができる。また、溶剤としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、トルエン、アセトンなどの有機溶剤を用いることができる。

なお、パルススプレー法及びスラリーの塗布に適したスプレー装置については、例えば、参考文献１及び参考文献２に詳細に説明されているため、更なる説明は省略する。
（参考文献１）特開昭６１−１６１１７５号公報
（参考文献２）特開２００３−３０００００号公報

次に、第２層形成工程Ｓ１０５において、図７（ｂ）に示すように、第１層２１の外側を被覆するように第２層２２を形成する。このとき、前工程である第１層形成工程Ｓ１０４で用いたテープ６３を枠体として、第１層２１よりも光反射性物質の粒子の含有率が低い樹脂層を形成する。また、第２層２２を、発光素子１の上面と同じ高さか、当該上面よりも高くなるような厚さで形成する。また、第２層２２を形成した後に、テープ６３を除去する。

第２層２２の形成方法としては、第１層２１の形成方法として列挙した塗布方法を用いることができる。なお、スクリーン印刷法や金型を用いた成形方法などで第２層２２を形成する場合は、テープ６３を予め除去してから行うことができる。

なお、第１層２１及び第２層２２に熱硬化性樹脂を用いる場合は、第１層形成工程Ｓ１０４において第１層２１を仮硬化させ、第２層形成工程Ｓ１０５において第２層２２とともに第１層２１を本硬化させることが好ましい。これによって、第１層２１と第２層２２とを、より強固に接合させることができる。
ここで、本硬化とは、熱硬化性樹脂の硬化温度以上で加熱することで、熱硬化性樹脂を完全に硬化させることをいう。

次に、光反射部材除去工程Ｓ１０６において、図７（ｂ）に示した切削線７１の高さ、すなわち、発光素子１の上面の高さまで、光反射部材２（第１層２１及び第２層２２）を切削装置を用いて除去する。これによって、図７（ｃ）に示すように、発光素子１の光取り出し面である上面が露出し、光反射部材２は、発光素子１の側面のみを被覆するようにパターニングされる。

次に、波長変換部材形成工程Ｓ１０７において、図７（ｄ）に示すように、発光素子１の上面及び光反射部材２の上面に、波長変換部材３を形成する。波長変換部材３は、前記した光反射部材２の第１層２１又は第２層２２の形成方法と同様の方法で形成することができる。図７（ｄ）に示した例では、スプレー装置６４を用いて、溶剤に熱硬化性樹脂と蛍光体（波長変換物質）の粒子とを含有させたスラリーのスプレー６５を噴射して塗布膜を形成することで波長変換部材３を形成している。
なお、スプレー法により波長変換部材３を形成する場合は、発光素子１及び光反射部材２の上面を除き、例えば、マスキング用のテープで被覆しておくことが好ましい。

また、波長変換部材３は、別途に所定形状の板状部材として作製しておき、透光性を有する接着剤を用いて発光素子１及び光反射部材２の上面に接着することで設けるようにしてもよい。

次に、個片化工程Ｓ１０８において、図８（ａ）に示すように、境界線８１に沿って実装基板９及び光反射部材２を切断することにより、発光装置１００が個片化される。なお、前記したように、実装基板９は、境界線８２に沿って設けられている溝９１ａによって、横方向に隣接する発光装置１００とは分離されているため、境界線８２に沿った切断作業は不要である。

＜第２実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、図９を参照して、第２実施形態に係る発光装置について説明する。
図９に示すように、第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１００に対して、波長変換部材３が発光素子１の上面にのみ設けられていることと、波長変換部材３の上面に透明層７が設けられていることと、光反射部材２が波長変換部材３及び透明層７の側面を被覆する高さまで設けられていることと、が異なる。
発光装置１００Ａは、波長変換部材３が平面視で発光素子１の上面と同じ領域に設けられ、更に側面が光反射部材２によって被覆されているため、正面方向（図９の上方向）の発光輝度をより高くすることができる。

透明層７は、波長変換部材３の上面全体を被覆するように設けられ、透光性を有する樹脂材料を用いて形成される膜である。樹脂材料としては、光反射部材２又は波長変換部材３に用いられるものと同様の樹脂材料を用いることができる。
透明層７は、光反射部材除去工程Ｓ２０６（図１０参照）において、光反射部材２の上部を除去する際に、波長変換部材３に損傷を与えずに、波長変換部材３を光学的に露出させるための膜である。当該工程の詳細については後記する。

なお、発光装置１００Ａは、透明層７を介して外部に光が取り出される。それ以外は、発光装置１００Ａは、発光装置１００と同様に動作するため、同載についての詳細な説明は省略する。

［発光装置の製造方法］
次に、図１０及び図１１を参照して、図９に示した第２実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法について説明する。
図１０に示すように、発光装置１００Ａの製造方法は、半導体発光素子準備工程Ｓ２０１と、実装基板準備工程Ｓ２０２と、半導体発光素子実装工程Ｓ２０３と、第１層形成工程Ｓ２０４と、第２層形成工程Ｓ２０５と、光反射部材除去工程Ｓ２０６と、個片化工程Ｓ２０７と、を含んでいる。
本実施形態では、波長変換部材３を形成する工程は、半導体発光素子準備工程Ｓ２０１に含まれる。以下、図１１を参照して、主として第１実施形態と異なる工程について詳細に説明する。

まず、半導体発光素子準備工程Ｓ２０１において、第１実施形態における半導体発光素子準備工程Ｓ１０１と同様にして発光素子１を準備する。また、本工程において、発光素子１を個片化する前に、成長基板１１側の表面に、スプレー法などによって波長変換部材３及び透明層７を順次に積層して形成する。そして、発光素子１とともに、波長変換部材３及び透明層７を割断することで、波長変換部材３及び透明層７付きの個片化された発光素子１Ａを準備する。
実装基板準備工程Ｓ２０２は、第１実施形態における実装基板準備工程Ｓ１０２と同様であるから説明は省略する。

次に、半導体発光素子実装工程Ｓ２０３において、図１１（ａ）に示すように、波長変換部材３及び透明層７付きの発光素子１Ａを、接着部材９３を用いて、ｎ側電極１３と配線用電極９２ｎの接続部９２ｎａとを接合するとともに、ｐ側電極１５と配線用電極９２ｐの接続部９２ｐａとを接合することで、実装基板９にフリップチップ実装する。

次に、第１層形成工程Ｓ２０４及び第２層形成工程Ｓ２０５を、それぞれ第１実施形態における第１層形成工程Ｓ１０４及び第２層形成工程Ｓ１０５と同様にして行う。これにより、図１１（ｂ）に示すように、発光素子１Ａの側面及び上面を被覆するように、光反射部材２が形成される。

次に、光反射部材除去工程Ｓ２０６において、光反射部材２を、図１１（ｂ）に示した切削線７３の高さまで切削することで除去する。これによって、図１１（ｃ）に示すように、光取り出し面である波長変換部材３の上面が、光反射部材２から光学的に露出する。ここで、光学的に露出するとは、波長変換部材３の上面側に透明層７が介在してもよいことを意味する。

なお、切削線７３の高さは、透明層７の下端から上端までの間に設定される。工法にもよるが、切削加工による膜厚精度よりも、スプレー法などによって形成される波長変換部材３の方が高い膜厚精度が得られやすい。従って、予め高い膜厚精度で発光素子１の上面に形成された波長変換部材３を切削加工で損傷すると、色調が部分的に又は全体的に変化することとなる。

そこで、本実施形態では、透明層７を設け、透明層７の厚さの範囲で光反射部材２を切削加工して除去することで、光取り出し面を光反射部材２から光学的に露出させるものである。
なお、透明層７の膜厚は、切削の加工精度に応じて、当該加工精度よりも厚くなるように定めることができる。

個片化工程Ｓ２０７は、第１実施形態における個片化工程Ｓ１０８と同様に行うことができるため説明は省略する。
以上により、図９に示した発光装置１００Ａが形成される。

＜第３実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、図１２を参照して、第３実施形態に係る発光装置について説明する。
図１２に示すように、第３実施形態に係る発光装置１００Ｂは、図１に示した第１実施形態に係る発光装置１００に対して、光反射部材２に代えて光反射部材２Ｂを備えることが異なる。光反射部材２Ｂは、第１層２１Ｂが樹脂リッチ層２３を介して発光素子１の側面に設けられている。

第１層２１Ｂは、第１実施形態における第１層２１と同様に、光反射性物質を高含有率で含有して形成される。光反射性物質の粒子を高含有率（例えば、９５質量％以上）で含有すると、発光素子１との間で十分な密着性が得られない場合がある。そのため、本実施形態では、光反射性物質の含有率が低い、言い換えれば樹脂成分が多い樹脂リッチ層２３を、第１層２１Ｂと発光素子１の間に設け、両者の密着性を向上させるものである。

樹脂リッチ層２３としては、第１実施形態における光反射部材２と同様の樹脂材料を用いることができる。また、光反射性物質は含有させなくてもよく、含有させる場合は、第１層２１Ｂよりも低含有率とし、第２層２２と同程度又は第２層２２よりも低い含有率とすることが好ましい。また、樹脂リッチ層２３は、第１層２１Ｂによる光反射の効率が高くなるように、第１層２１Ｂと発光素子１とを良好に密着性させることができる範囲で薄膜とすることが好ましい。このために、樹脂リッチ層２３の膜厚は、第１層２１Ｂと同程度か第１層２１Ｂよりも薄いことが好ましい。具体的には、樹脂リッチ層２３の膜厚は、１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。

また、樹脂リッチ層２３は、前記した第１層２１，２１Ｂの形成方法と同様に、各種の塗布方法を用いて形成することができる。樹脂リッチ層２３を、より薄膜で均一に形成するためには、パルススプレー法が特に好ましい。

発光装置１００Ｂは、第１実施形態に係る発光装置１００と同様に動作するから、動作についての説明は省略する。

［発光装置の製造方法］
発光装置１００Ｂは、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法において、半導体発光素子実装工程Ｓ１０３の後に、かつ、第１層形成工程Ｓ１０４を行う前に、樹脂リッチ層２３を形成し、他の工程を同様に行うことで製造することができる。
具体的には、第１層形成工程Ｓ１０４において第１層２１Ｂを形成する前に、スプレー法などによって、発光素子１の表面を被覆するように、樹脂リッチ層２３を形成する。

なお、樹脂リッチ層２３及び第１層２１Ｂの樹脂材料として熱硬化性樹脂を用いる場合は、樹脂リッチ層２３を発光素子１の表面に塗布した後は、塗布膜を自然乾燥又は仮硬化又はさせた状態とし、第１層２１Ｂを塗布した後に、本硬化させることが好ましい。これによって、樹脂リッチ層２３を介して、発光素子１と第１層２１Ｂとをより強固に密着させることができる。他の工程は、第１実施形態と同様であるから説明は省略する。
以上により、図１２に示した発光装置１００Ｂが形成される。

なお、発光素子１の側面に樹脂リッチ層２３を介して第１層２１Ｂを設ける構成は、第２実施形態に係る発光装置１００Ａにも適用することができる。

＜第４実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、図１３を参照して、本発明の第４実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図１３に示すように、第４実施形態に係る発光装置１００Ｃは、発光素子１Ｃと、光反射部材２Ｃと、波長変換部材３と、透光性部材４と、支持部材５と、外部接続用電極６ｎ，６ｐと、を備えて構成されている。
発光装置１００Ｃは、図１に示した発光装置１００とは、発光素子１Ｃの側面に設けられる透光性部材４を備え、光反射部材２Ｃが、透光性部材４を介して発光素子１Ｃの側面を被覆するように設けられていることが異なる。

また、発光装置１００Ｃは、発光装置１００とは、次の点でも異なっている。
発光装置１００Ｃは、サブマウントである実装基板９に代えて、外部接続用電極６ｎ，６ｐと支持部材５とを備え、ＣＳＰ型のパッケージを構成している。また、発光装置１００Ｃで用いられる発光素子１Ｃは、平面視形状が略正方形をしている。
なお、発光装置１００と同様の構成要素については、同じ符号を付して説明は適宜に省略する。

発光素子１Ｃは、図１に示した発光素子１とは外形形状が異なるが、図２に示した発光素子１と同様の断面構造を有しており、フリップチップ実装型のＬＥＤチップである。また、発光素子１Ｃの平面視形状は特に限定されるものではなく、発光素子１と同様に長方形であってもよい。
また、発光素子１Ｃの側面である半導体積層体１２及び成長基板１１（図２参照）の側面には透光性部材４が設けられている。
また、発光素子１Ｃの下面側には、ｎ側電極１３と電気的に接続される外部接続用電極６ｎと、ｐ側電極１５と電気的に接続される外部接続用電極６ｐと、平面視で外部接続用電極６ｎ，６ｐの周囲を囲むように設けられた支持部材５と、が設けられている。

透光性部材４は、発光素子１Ｃの側面に接し、平面視で発光素子１の外周を取り囲むように設けられ、発光素子１Ｃの側面から出射する光を、光取り出し方向である上方向に反射させるためのフィレットである。そのために、透光性部材４は、発光素子１の厚さ方向について光取り出し面方向である上方ほど、平面視で外側となるように逆傾斜した外側面を有している。このような透光性部材４を設けることで、発光素子１Ｃの側面から出射する光を、効率的に外部に取り出すことができる。
図１３（ｂ）に示した例では、透光性部材４の外側面は、その断面形状が直線となるように平面で構成されているが、これに限定されるものではなく、下に凸状に、又は上に凸状に湾曲した外側面としてもよい。

また、透光性部材４の外側面は、光反射部材２Ｃの第１層２１Ｃによって被覆されており、透光性部材４の上面には、波長変換部材３が発光素子１の上面から連続して設けられている。透光性部材４の上面から出射する光は、波長変換部材３を介して、外部に取り出される。

透光性部材４は、良好な透光性を有する樹脂やガラスなどの材料で形成することができる。また、透光性部材４は、光反射部材２Ｃの第１層２１Ｃに用いられる樹脂材料よりも屈折率の高い材料を用いて形成することが好ましい。透光性部材４を第１層２１Ｃの樹脂材料よりも屈折率の高い材料で構成することにより、スネルの法則に基づき、第１層２１Ｃとの界面である外側面で光を効率的に反射させることができる。
また、透光性部材４は、液状又はペースト状の樹脂材料を、例えば、ディスペンサを用いて発光素子１Ｃの側面に供給し、その後に硬化させることで形成することができる。

光反射部材２Ｃは、第１層２１Ｃと第２層２２Ｃとの２層構造を有しており、透光性部材４の外側面を被覆するように設けられ、透光性部材４の外側面から出射する光を当該透光性部材４に反射させるものである。すなわち、光反射部材２Ｃは、発光素子１Ｃの側面を、透光性部材４を介して被覆するように設けられている。従って、第１層２１Ｃは、透光性部材４の外側面を被覆するように設けられ、第２層２２Ｃは、第１層２１Ｃの外側を被覆するように設けられている。
また、図１３（ｂ）に示した例では、光反射部材２Ｃの下面は、支持部材５の下面と同じ高さとなるように設けられている。
なお、第１層２１Ｃ及び第２層２２Ｃは、それぞれ第１実施形態の第１層２１及び第２層２２と同様の材料を用いて、同様の方法で形成することができる。

波長変換部材３は、発光素子１の上面、透光性部材４の上面、及び光反射部材２の上面を被覆するように設けられている。波長変換部材３は、第１実施形態とは外形形状が異なるだけであるから、詳細な説明は省略する。

支持部材５は、発光素子１Ｃの電極形成面である下面側に、平面視で外部接続用電極６ｎ，６ｐを囲むように設けられており、外部接続用電極６ｎ，６ｐを支持するための部材である。支持部材５は絶縁性を有する樹脂材料を用いて形成することができる。特に、フォトレジストとして用いられる感光性の樹脂材料を用いることで、フォトリソグラフィ法により支持部材５をパターニングすることができるため好ましい。また、支持部材５は、外部接続用電極６ｎ，６ｐの周囲に設けられるため、半田などの接着部材を用いた実装時に、変形や変質しないように、耐熱性が良好な材料を用いることが好ましい。例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などをベースとした樹脂材料を好適に用いることができる。

外部接続用電極６ｎ，６ｐは、発光素子１Ｃを外部電源と接続するための電極端子である。外部接続用電極６ｎは、上面がｎ側電極１３と電気的に接続され、下面が外部と接続するための接続部である。同様に、外部接続用電極６ｐは、上面がｐ側電極１５と電気的に接続され、下面が外部と接続するための接続部である。
外部接続用電極６ｎ，６ｐは、例えば、電解メッキによるメッキポストとして形成することができる。また、外部接続用電極６ｎ，６ｐは、金属ワイヤを用いて形成することもできる。外部接続用電極６ｎ，６ｐとしては、例えば、Ｃｕ、Ａｕなどの導電性及び熱伝導性の良好な金属材料を用いることが好ましい。

［発光装置の動作］
次に、図１３を参照（適宜図２参照）して、発光装置１００Ｃの動作について説明する。
なお、説明の便宜上、発光素子１Ｃは青色光を発光し、波長変換部材３は青色光を吸収して黄色光を発光するものとして説明する。

図１３に示した発光装置１００Ｃは、外部電源から外部接続用電極６ｎ，６ｐを介してｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１Ｃの活性層１２ａが青色光を発光する。
発光素子１Ｃの活性層１２ａが発光した青色光は、発光素子１Ｃの半導体積層体１２及び成長基板１１内を伝播して、発光素子１Ｃの上面から波長変換部材３を介して外部に取り出される。また、発光素子１Ｃ内を横方向に伝播する光は透光性部材４に入射され、外側に光反射部材２Ｃが設けられた外側面で上方向に反射され、波長変換部材３を介して外部に取り出される。また、発光素子１Ｃ内を下方向に伝播する光は、全面電極１４などによって上方に反射され、波長変換部材３を介して外部に取り出される。

波長変換部材３に入射された青色光の一部は波長変換部材３によって黄色光に変換され、青色光の少なくとも他の一部は波長変換されることなく青色光のまま、それぞれ発光装置１００Ｃの外部に取り出される。そして、発光装置１００Ｃからは、黄色光と青色光とが混色した白色光が外部に取り出される。

［発光装置の製造方法］
次に、図１４を参照して、図１３に示した第４実施形態に係る発光装置１００Ｃの製造方法について説明する。
図１４に示すように、発光装置１００Ｃの製造方法は、半導体発光素子準備工程Ｓ３０１と、半導体発光素子載置工程Ｓ３０２と、透光性部材形成工程Ｓ３０３と、第１層形成工程Ｓ３０４と、第２層形成工程Ｓ３０５と、光反射部材除去工程Ｓ３０６と、シート除去工程Ｓ３０７と、波長変換部材形成工程Ｓ３０８と、個片化工程Ｓ３０９と、を含んでいる。なお、第１層形成工程Ｓ３０４と第２層形成工程Ｓ３０５と光反射部材除去工程Ｓ３０６とで、光反射部材形成工程が構成されている。

まず、半導体発光素子準備工程Ｓ３０１において、支持部材５及び外部接続用電極６ｎ，６ｐが設けられ、個片化された状態の発光素子１Ｃを準備する。
そのために、まず、第１実施形態における半導体発光素子準備工程Ｓ１０１（図４参照）と同様の手順で、発光素子１Ｃを形成する。
次に、発光素子１Ｃの電極形成面側に、フォトレジストを用いて、フォトリソグラフィ法によって支持部材５を形成する。このとき、支持部材５は、外部接続用電極６ｎ，６ｐが形成される領域に開口部を有するようにパターニングされる。
次に、前記した開口部内を含めて、支持部材５上に、例えばスパッタリング法などによって、電解メッキのシード層となる金属膜を形成する。
次に、このシード層を電流経路とする電解メッキを行うことで、支持部材５の開口部内に、外部接続用電極６ｎ，６ｐとして金属メッキ層を形成する。
次に、支持部材５及び金属メッキ層の上面を、所定の高さに切削することで、支持部材５及び外部接続用電極６ｎ，６ｐが設けられた発光素子１Ｃが形成される。
なお、支持部材５及び外部接続用電極６ｎ，６ｐの形成までをウエハレベルプロセスで行い、これらの部材を形成後に、発光素子１Ｃを個片化するようにしてもよい。

次に、半導体発光素子載置工程Ｓ３０２において、図１５に示すように、表面に粘着性を有するシート６６上に、支持部材５及び外部接続用電極６ｎ，６ｐが設けられた発光素子１Ｃを、成長基板１１及び半導体積層体１２側を下向きとして載置する。図１５（ａ）に示した例では、所定の間隔を開けて、縦方向に３個、横方向の３個が配列するように発光素子１Ｃが載置されている。なお、載置する発光素子１Ｃは１個でもよく、更に多数の発光素子１Ｃを配列するようにしてもよい。
また、図１５（ａ）において、個々の発光装置１００Ｃを区画する領域を、境界線８１，８２で示している。

次に、透光性部材形成工程Ｓ３０３において、図１６に示すように、発光素子１Ｃの側面、すなわち、成長基板１１及び半導体積層体１２の側面に、平面視で発光素子１Ｃの外周を取り囲むように、透光性部材４を形成する。
透光性部材４は、例えば、透光性を有する樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて発光素子１Ｃの側面に接するように供給し、その後に樹脂材料を硬化させることで形成することができる。透光性部材４は、外側面が、平面視で光取り出し方向（図１６（ｂ）において発光素子１Ｃの下面側）ほど外側となるように傾斜した傾斜面とすることが好ましい。このような形状は、発光素子１Ｃの成長基板１１の下面とシート６６の上面とがなす角部に、適宜な粘度を有する樹脂材料を供給し、重力により下方ほど広がった形状として硬化させることで形成することができる。また、金型を用いて外側面の形状を成型して硬化させるようにしてもよい。

次に、光反射部材形成工程において、透光性部材４の外側面を被覆するように、光反射部材２Ｃを形成する。この工程には、前記したように、第１層形成工程Ｓ３０４と第２層形成工程Ｓ３０５と光反射部材除去工程Ｓ３０６とが含まれる。

まず、第１層形成工程Ｓ３０４において、図１７（ａ）に示すように、透光性部材４の外側面を被覆するように、光反射部材２Ｃの第１層２１Ｃを形成する。第１層２１Ｃは、第１実施形態と同様にして、スプレー装置６１を用いて形成される。本工程では、第１層２１Ｃは、シート６６上に設けられている透光性部材４，支持部材５及び外部接続用電極６ｎ，６ｐの表面全体に塗布することで形成される。
なお、図１７（ａ）は、図１５（ａ）のＶ−Ｖ線に相当する位置における断面を示すものである。図１７（ｂ）の他の図及び図１８の各図も同様である。

次に、第２層形成工程Ｓ３０５において、図１７（ｂ）に示すように、第１層２１Ｃの外側を被覆するように第２層２２Ｃを形成する。このとき、第１層２１Ｃよりも光反射性物質の粒子の含有率が低い樹脂層を形成する。また、第２層２２Ｃを、外部接続用電極６ｎ，６ｐの上面と同じ高さか、当該上面よりも高くなるような厚さで形成する。
第２層２２Ｃの形成方法としては、第１実施形態と同様の方法を用いることができるため、説明は省略する。

次に、光反射部材除去工程Ｓ３０６において、図１７（ｂ）に示した切削線７２の高さ、すなわち、外部接続用電極６ｎ，６ｐの上面の高さまで、光反射部材２Ｃ（第１層２１Ｃ及び第２層２２Ｃ）を切削装置を用いて除去する。これによって、図１７（ｃ）に示すように、外部接続用電極６ｎ，６ｐの外部との接続部となる上面が露出し、光反射部材２は、発光素子１の側面を光反射部材２Ｃを介して被覆するようにパターニングされる。

次に、シート除去工程Ｓ３０７において、図１７（ｄ）に示すように、発光素子１Ｃの支持体であるシート６６を除去する。このとき、複数の発光素子１Ｃは、互いに光反射部材２Ｃによって連結されているため、シート６６が除去されても配列状態を維持することができる。

次に、波長変換部材形成工程Ｓ３０８において、図１８（ａ）に示すように、発光素子１Ｃ及び透光性部材４の光取り出し面側に、波長変換部材３を形成する。なお、図１８（ａ）では、図１７（ｄ）とは上下が逆になるように発光素子１Ｃが配置されている。従って、図１８（ａ）において、発光素子１Ｃの光取り出し面は上面側である。
また、波長変換部材３は、第１実施形態と同様にして形成することができるため、詳細な説明は省略する。

次に、個片化工程Ｓ３０９において、図１８（ｂ）に示すように、境界線８２及び境界線８１（図１５（ａ）参照）に沿って、波長変換部材３及び光反射部材２Ｃを切断することにより、発光装置１００Ｃを個片化する。
以上により、図１３に示した発光装置１００Ｃが形成される。

＜第５実施形態＞
［発光装置の構成］
次に、図１９を参照して、本発明の第５実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図１９に示すように、第５実施形態に係る発光装置１００Ｄは、図１３に示した第４実施形態に係る発光装置１００Ｃに対して、透光性部材４に代えて、透光性部材４Ｄを備えることが異なる。

発光装置１００Ｄにおいて、透光性部材４Ｄは、発光素子１Ｃの側面に加えて、一体的に上面も被覆するように設けられている。従って、波長変換部材３は、発光素子１の上面に透光性部材４Ｄを介して設けられている。
他の構成は、第４実施形態に係る発光装置１００Ｃと同様であるから説明は省略する。

発光装置１００Ｄは、発光素子１Ｃが発した光で、発光素子１Ｃ内を上方に伝播する光が、透光性部材４Ｄを介して波長変換部材３に入射される。それ以外は、第４実施形態に係る発光装置１００Ｃと同様に動作するから、動作についての詳細な説明は省略する。

［発光装置の製造方法］
次に、図２０及び図２１を参照して、図１９に示した第５実施形態に係る発光装置１００Ｄの製造方法について説明する。
図２０に示すように、発光装置１００Ｄの製造方法は、半導体発光素子準備工程Ｓ４０１と、透光性部材塗布工程Ｓ４０２と、半導体発光素子載置工程Ｓ４０３と、第１層形成工程Ｓ４０４と、第２層形成工程Ｓ４０５と、光反射部材除去工程Ｓ４０６と、シート除去工程Ｓ４０７と、波長変換部材形成工程Ｓ４０８と、個片化工程Ｓ４０９と、を含んでいる。なお、第１層形成工程Ｓ４０４と第２層形成工程Ｓ４０５と光反射部材除去工程Ｓ４０６とで、光反射部材形成工程が構成されている。

半導体発光素子準備工程Ｓ４０１は、第４実施形態における半導体発光素子準備工程Ｓ３０１と同様に行われる。

次に、透光性部材塗布工程Ｓ４０２において、ポッティング法、インクジェット法などの塗布法によって、図２１（ａ）に示すように、シート６６上の発光素子１Ｃが載置される領域（図２１（ｂ）参照）に、透光性部材４Ｄとして液状の樹脂材料を塗布する。ここで、液状の透光性部材４Ｄの塗布膜は、シート６６上で、表面張力によって盛り上がるように形成される。

次に、半導体発光素子載置工程Ｓ４０３において、図２１（ｂ）に示すように、液状の透光性部材４Ｄ上に、発光素子１Ｃを載置する。このとき、発光素子１Ｃは、自重で液状の透光性部材４Ｄに沈降し、透光性部材４Ｄによって下面及び側面が被覆される。なお、透光性部材塗布工程Ｓ４０２において、発光素子１Ｃが透光性部材４Ｄによって下面及び側面が被覆されるように、液状の透光性部材４Ｄの塗布範囲、塗布量、粘度などが調整される。このような調整を容易に行うために、透光性部材４Ｄとして熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
また、発光素子１Ｃが透光性部材４Ｄによって下面及び側面を被覆された状態で、透光性部材４Ｄを硬化させる。なお、透光性部材４Ｄとして熱硬化性樹脂を用いる場合は、自然乾燥又は／及び加熱により硬化させることができる。

次の第１層形成工程Ｓ４０４、第２層形成工程Ｓ４０５、光反射部材除去工程Ｓ４０６及びシート除去工程Ｓ４０７は、それぞれ第４実施形態における第１層形成工程Ｓ３０４、第２層形成工程Ｓ３０５、光反射部材除去工程Ｓ３０６及びシート除去工程Ｓ３０７と同様に行われる。

次に、波長変換部材形成工程Ｓ４０８において、図２１（ｃ）に示すように、光取り出し面である透光性部材４Ｄの上面に、波長変換部材３を形成する。波長変換部材３は、第４実施形態における波長変換部材形成工程Ｓ３０８と同様にして形成することができるため、詳細な説明は省略する。
なお、図２１（ｃ）において、シート除去工程Ｓ４０７の後の発光素子１Ｃは、透光性部材４Ｄが設けられた面が上方となるように配置されている。

次に、個片化工程Ｓ４０９において、第４実施形態における個片化工程Ｓ３０９と同様にして、図２１（ｃ）に示した境界線８２等に沿って、波長変換部材３及び光反射部材２Ｃを切断することにより、発光装置１００Ｄを個片化する。
以上により、図１９に示した発光装置１００Ｄが形成される。

＜変形例＞
図１に示した発光装置１００では、光反射部材２は、第１層２１と第２層２２とを積層した２層構成の反射層であるが、第１層２１と第２層２２とを、交互に複数組を積層して構成するようにしてもよい。これによって、より反射率の高い光反射部材２を構成することができる。また、この場合においても、第１層２１に用いられる樹脂材料として、第２層に用いられる樹脂材料よりも屈折率が高くなるように構成することが好ましい。これによって、スネルの法則に基づく界面反射を利用でき、光反射部材２の反射率を更に向上させることができる。

また、他の実施形態に係る発光装置１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ及び１００Ｄにおいても同様に、光反射部材２等において、第１層２１等と第２層２２等とを、交互に複数組を積層するように構成してもよい。

以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

１，１Ａ，１Ｃ 発光素子（半導体発光素子）
１１ 成長基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 段差部
１３ ｎ側電極
１４ 全面電極
１５ ｐ側電極
１６ 絶縁膜
２，２Ｂ，２Ｃ 光反射部材
２１，２１Ｂ，２１Ｃ 第１層
２２，２２Ｃ 第２層
２３ 樹脂リッチ層
３ 波長変換部材
４，４Ｄ 透光性部材
５ 支持部材
６ｎ，６ｐ 外部接続用電極
７ 透明層
９ 実装基板（基板）
９０ 集合基板
９１ 基体
９２ｎ，９２ｐ 配線用電極
９２ｎａ，９２ｐａ 接続部
９３ 接着部材
６１，６４ スプレー装置
６２，６５ スプレー
６３ テープ
６６ シート
７１，７２，７３ 切削線
８１，８２ 境界線
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ 発光装置

Claims (9)

1. 半導体発光素子の側面が、積層構造を有する光反射部材で被覆された発光装置の製造方法であって、
   基板に前記半導体発光素子を実装する半導体発光素子実装工程と、
   前記半導体発光素子の上面及び側面に第１層及び第２層を形成する工程と、
   前記半導体発光素子の上面に形成された前記第１層及び前記第２層を除去する光反射部材除去工程と、
   を有し、
   前記第１層及び第２層を形成する工程は、光反射性物質を含有させた透光性樹脂からなる前記光反射部材の第１層を形成する第１層形成工程と、前記第１層上に、前記第１層よりも前記光反射性物質の含有率の低い透光性樹脂からなる前記光反射部材の第２層（ただし、光反射性物質を含有しないものを含む）を積層形成する第２層形成工程と、をこの順に交互に行い、前記第１層と前記第２層とを交互に、複数組を積層する工程であり、前記第１層が前記半導体発光素子の上面及び側面を被覆していることを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記光反射部材除去工程の後に、
   前記半導体発光素子の上面を被覆するように、前記半導体発光素子が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有した波長変換部材を形成する波長変換部材形成工程を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 半導体発光素子の側面が、積層構造を有する光反射部材で被覆された発光装置の製造方法であって、
   表面に粘着性を有するシート上に、前記シートと前記半導体発光素子の光取り出し面とが対向するように前記半導体発光素子を載置する半導体発光素子載置工程と、
   前記半導体発光素子の側面に接するように、かつ、前記半導体発光素子の厚さ方向について、光取り出し方向ほど外側となるように傾斜した外側面を有する透光性部材を形成する透光性部材形成工程と、
   前記半導体発光素子の上面及び前記透光性部材の外側面に第１層及び第２層を形成する工程と、
   前記半導体発光素子の上面に形成された前記第１層及び前記第２層を除去することで、前記半導体発光素子の電極を露出させる光反射部材除去工程と、
   前記シートを前記半導体発光素子及び前記透光性部材から剥離することで除去するシート除去工程と、
   を有し、
   前記第１層及び第２層を形成する工程は、前記半導体発光素子の上面及び前記透光性部材の外側面を被覆するように、光反射性物質を含有させた透光性樹脂からなる前記光反射部材の第１層を形成する第１層形成工程と、前記第１層上に、前記第１層よりも前記光反射性物質の含有率の低い透光性樹脂からなる前記光反射部材の第２層（ただし、光反射性物質を含有しないものを含む）を積層形成する第２層形成工程と、をこの順に交互に行い、前記第１層と前記第２層とを交互に、複数組を積層する工程であり、前記第１層が前記半導体発光素子の上面及び前記透光性部材の外側面を被覆していることを特徴とする発光装置の製造方法。
4. 前記シート除去工程の後に、
   前記半導体発光素子の光取り出し面を被覆するように、前記半導体発光素子が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有した波長変換部材を形成する波長変換部材形成工程を有することを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記第２層の膜厚は、前記第１層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記光反射性物質は、前記半導体発光素子が発する光が、可視光の場合においてはＴｉＯ_２の粒子であり、紫外光の場合においてはＡｌ_２Ｏ_３の粒子であることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記第１層形成工程において、
   前記第１層は、前記光反射性物質の含有率が９０質量％以上となるように形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記第１層形成工程は、
   前記透光性樹脂と前記光反射性物質の粒子とを含有するスラリーを、間欠的に噴射するパルススプレー法により塗布することによって前記第１層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記第１層形成工程において、
   前記スラリーは、熱硬化性樹脂を含有し、
   前記半導体発光素子は、少なくとも塗布された前記スラリーの流動性を消失させることができる温度に加熱されることを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。

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