JP2002335020A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
- Publication number
- JP2002335020A JP2002335020A JP2001139397A JP2001139397A JP2002335020A JP 2002335020 A JP2002335020 A JP 2002335020A JP 2001139397 A JP2001139397 A JP 2001139397A JP 2001139397 A JP2001139397 A JP 2001139397A JP 2002335020 A JP2002335020 A JP 2002335020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- emitting element
- light
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 52
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 31
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silver Chemical class 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サイズの変更が容易であり、しかも外部から
の応力に対して強度の高い安定な発光装置を提供する。 【解決手段】 上面と下面を有する基板２と、該基板の
上面に配された発光素子と１、該発光素子の少なくとも
一部を被覆する封止部材５とを備えてなる発光装置であ
って、前記基板は、上面及び下面に開口部を有する貫通
孔９を有し、前記貫通孔は、少なくとも上面の開口部が
基板の端部から離れて形成され、前記封止部材は、前記
発光素子の少なくとも側面から前記貫通孔を介して基板
の下面に達するよう連続して設けられている。
の応力に対して強度の高い安定な発光装置を提供する。 【解決手段】 上面と下面を有する基板２と、該基板の
上面に配された発光素子と１、該発光素子の少なくとも
一部を被覆する封止部材５とを備えてなる発光装置であ
って、前記基板は、上面及び下面に開口部を有する貫通
孔９を有し、前記貫通孔は、少なくとも上面の開口部が
基板の端部から離れて形成され、前記封止部材は、前記
発光素子の少なくとも側面から前記貫通孔を介して基板
の下面に達するよう連続して設けられている。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明はサイズの変更が容易で、外
部からの力に対して安定である発光装置に係り、特に、
発光素子の側面から放出される光を、安定で効率よく上
面から放出させることで発光効率が改善可能な発光装置
を提供することにある。
部からの力に対して安定である発光装置に係り、特に、
発光素子の側面から放出される光を、安定で効率よく上
面から放出させることで発光効率が改善可能な発光装置
を提供することにある。
【０００２】
【従来技術】チップ型の発光ダイオード（以下、ＬＥＤ
と略称する）などの発光装置は、図１１のように、リー
ド電極が埋め込まれた樹脂パッケージの凹部に、発光素
子を樹脂等によってダイボンディングさせている。図１
１はフェイスダウンで実装させており、この場合は発光
素子の電極とリード電極とを導電性のダイボンド材で接
着させている。また、フェイスアップで実装する場合
は、リード電極と発光素子の各電極とはワイヤー等によ
って電気的に接続されている。また、発光素子を保護す
るように樹脂パッケージの凹部内に透光性のモールド樹
脂を封入してある。パッケージに凹部が形成されている
ので、モールド樹脂が硬化するまでの間に流動してＬＥ
Ｄ素子やワイヤーが露出することなく容易に封入でき
る。封入後に硬化しない樹脂でも、例えばガラスでカバ
ーすれば用いることができる。
と略称する）などの発光装置は、図１１のように、リー
ド電極が埋め込まれた樹脂パッケージの凹部に、発光素
子を樹脂等によってダイボンディングさせている。図１
１はフェイスダウンで実装させており、この場合は発光
素子の電極とリード電極とを導電性のダイボンド材で接
着させている。また、フェイスアップで実装する場合
は、リード電極と発光素子の各電極とはワイヤー等によ
って電気的に接続されている。また、発光素子を保護す
るように樹脂パッケージの凹部内に透光性のモールド樹
脂を封入してある。パッケージに凹部が形成されている
ので、モールド樹脂が硬化するまでの間に流動してＬＥ
Ｄ素子やワイヤーが露出することなく容易に封入でき
る。封入後に硬化しない樹脂でも、例えばガラスでカバ
ーすれば用いることができる。
【０００３】また、樹脂パッケージは、凹部が形成され
ていなくてもよく、図１２のようにリード電極が設けら
れた樹脂からなる平板状の基板でもよい。この基板に発
光素子を配した後に透光性の樹脂で被覆させることで、
チップ型ＬＥＤとすることができる。この場合、凹部が
ないので、モールド樹脂は金型を用いて成形したり、或
いは粘度の高い樹脂をポッティングするなどして、光ま
たは熱で硬化させることで容易に成形することができ
る。
ていなくてもよく、図１２のようにリード電極が設けら
れた樹脂からなる平板状の基板でもよい。この基板に発
光素子を配した後に透光性の樹脂で被覆させることで、
チップ型ＬＥＤとすることができる。この場合、凹部が
ないので、モールド樹脂は金型を用いて成形したり、或
いは粘度の高い樹脂をポッティングするなどして、光ま
たは熱で硬化させることで容易に成形することができ
る。
【０００４】しかしながら、上記のように凹部を有する
樹脂パッケージを用いた場合は、樹脂の封入が容易であ
るが、樹脂パッケージの大きさがすなわちＬＥＤの大き
さとなるので、サイズの変更が容易ではない。特に、樹
脂パッケージを小型化すると、形状の制御が難しくな
り、例えば凹部の壁面の角度が変わると光の指向性まで
変化してしまうので、小型化が困難である。また、図１
２のような凹部がない平板状の基板を用いる場合は、サ
イズの変更は容易であるが、凹部がある場合に比べてモ
ールド樹脂を保護する壁がないため、外部からの応力に
対して弱く、モールド樹脂が剥がれやすい等の問題があ
る。
樹脂パッケージを用いた場合は、樹脂の封入が容易であ
るが、樹脂パッケージの大きさがすなわちＬＥＤの大き
さとなるので、サイズの変更が容易ではない。特に、樹
脂パッケージを小型化すると、形状の制御が難しくな
り、例えば凹部の壁面の角度が変わると光の指向性まで
変化してしまうので、小型化が困難である。また、図１
２のような凹部がない平板状の基板を用いる場合は、サ
イズの変更は容易であるが、凹部がある場合に比べてモ
ールド樹脂を保護する壁がないため、外部からの応力に
対して弱く、モールド樹脂が剥がれやすい等の問題があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本願発明
は上記問題を解決し、サイズの変更が容易であり、しか
も外部からの応力に対して強度の高い安定な発光装置を
提供するものである。
は上記問題を解決し、サイズの変更が容易であり、しか
も外部からの応力に対して強度の高い安定な発光装置を
提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、上面と下面を有する基板と、該基板の上
面に配された発光素子と、該発光素子の少なくとも一部
を被覆する封止部材とを備えてなる発光装置であって、
基板は、上面及び下面に開口部を有する貫通孔を有し、
貫通孔は、少なくとも上面の開口部が基板の端部から離
れて形成され、封止部材は、発光素子の少なくとも側面
から貫通孔を介して基板の下面に達するよう連続して設
けられていることを特徴とする。このような構成とする
ことにより、大きさの変更が容易で、封止部材が剥がれ
にくい発光装置とすることができる。
決するために、上面と下面を有する基板と、該基板の上
面に配された発光素子と、該発光素子の少なくとも一部
を被覆する封止部材とを備えてなる発光装置であって、
基板は、上面及び下面に開口部を有する貫通孔を有し、
貫通孔は、少なくとも上面の開口部が基板の端部から離
れて形成され、封止部材は、発光素子の少なくとも側面
から貫通孔を介して基板の下面に達するよう連続して設
けられていることを特徴とする。このような構成とする
ことにより、大きさの変更が容易で、封止部材が剥がれ
にくい発光装置とすることができる。
【０００７】また、本発明の発光装置は、封止部材とし
て発光素子からの光を反射する光反射部材を含んでいる
ものを用いることができる。これにより、発光素子の側
面から光が放出されるのを防ぐことができ、正面（上
面）からの発光輝度が向上する。
て発光素子からの光を反射する光反射部材を含んでいる
ものを用いることができる。これにより、発光素子の側
面から光が放出されるのを防ぐことができ、正面（上
面）からの発光輝度が向上する。
【０００８】また、本発明の発光装置は、封止部材とし
て発光素子からの光を透過する透光性部材からなるもの
を用いることができ、透光性部材を用いる場合は、発光
素子の上面から貫通孔を介して基板の下面に達するよう
連続して設けることができる。これにより、発光素子を
より強固に基板に固定させることができる。
て発光素子からの光を透過する透光性部材からなるもの
を用いることができ、透光性部材を用いる場合は、発光
素子の上面から貫通孔を介して基板の下面に達するよう
連続して設けることができる。これにより、発光素子を
より強固に基板に固定させることができる。
【０００９】また、本発明の発光装置は、封止部材が光
反射部材と透光性部材とからなり、少なくとも発光素子
の側面には光反射部材が設けられているようにすること
ができる。これにより、発光素子の側面からの光が放出
されるのを効率よく防ぐとともに、基板との接着力を強
固にすることができる。
反射部材と透光性部材とからなり、少なくとも発光素子
の側面には光反射部材が設けられているようにすること
ができる。これにより、発光素子の側面からの光が放出
されるのを効率よく防ぐとともに、基板との接着力を強
固にすることができる。
【００１０】また、本発明の発光装置は、貫通孔の基板
上面の開口部は、基板の端部と発光素子が設けられる素
子設置部との間に形成されている。これにより、封止部
材を貫通孔に注入し易くすることができる。
上面の開口部は、基板の端部と発光素子が設けられる素
子設置部との間に形成されている。これにより、封止部
材を貫通孔に注入し易くすることができる。
【００１１】また、本発明の発光装置は、基板の上面か
ら下面まで連続する導電性部材を有し、導電性部材が貫
通孔を介して基板の上面から下面まで連続して形成され
ている。これにより、導電性部材が側面に露出していな
い発光装置とすることができる。
ら下面まで連続する導電性部材を有し、導電性部材が貫
通孔を介して基板の上面から下面まで連続して形成され
ている。これにより、導電性部材が側面に露出していな
い発光装置とすることができる。
【００１２】また、本発明の発光装置は、発光素子を導
電性部材の上に配してもよい。これにより、ワイヤーを
用いずに導通させることができる。
電性部材の上に配してもよい。これにより、ワイヤーを
用いずに導通させることができる。
【００１３】また、本発明の光反射部材は、酸化ケイ
素、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム
からなる群から選択される少なくとも１つを含むものを
用いることができる。
素、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム
からなる群から選択される少なくとも１つを含むものを
用いることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
に係る実施の形態の発光装置について説明する。本発明
に係る実施の形態の発光装置は、図１に示すように、基
板に貫通孔を有し、発光素子の少なくとも一部を被覆す
る封止部材が素子の側面から基板の下面に達するまで連
続して設けられているものである。このように、発光素
子を保護すると共に基板に固定させる機能を有する封止
部材を、基板上面だけでなく、貫通孔の中にも連続する
ように設けることで、基板との接触面積を大きくして立
体的に固定することができるので、発光素子及び封止部
材と基板との接着力が向上し、外部からの力によって封
止部材や発光素子等が剥がれることを防ぐことができ
る。下面に達した封止部材が横方向に拡がるようにする
ことで、更に樹脂が安定して基板に固定される。このよ
うに貫通孔と封止部材とを利用することで、図１１のよ
うな側壁のある樹脂パッケージを用いなくても封止部材
の剥がれにくい発光装置を得ることができる。又、側壁
を形成しなくてよいので、基板の大きさの変更が容易で
あり、目的に応じた形状や大きさの発光装置とすること
ができる。
に係る実施の形態の発光装置について説明する。本発明
に係る実施の形態の発光装置は、図１に示すように、基
板に貫通孔を有し、発光素子の少なくとも一部を被覆す
る封止部材が素子の側面から基板の下面に達するまで連
続して設けられているものである。このように、発光素
子を保護すると共に基板に固定させる機能を有する封止
部材を、基板上面だけでなく、貫通孔の中にも連続する
ように設けることで、基板との接触面積を大きくして立
体的に固定することができるので、発光素子及び封止部
材と基板との接着力が向上し、外部からの力によって封
止部材や発光素子等が剥がれることを防ぐことができ
る。下面に達した封止部材が横方向に拡がるようにする
ことで、更に樹脂が安定して基板に固定される。このよ
うに貫通孔と封止部材とを利用することで、図１１のよ
うな側壁のある樹脂パッケージを用いなくても封止部材
の剥がれにくい発光装置を得ることができる。又、側壁
を形成しなくてよいので、基板の大きさの変更が容易で
あり、目的に応じた形状や大きさの発光装置とすること
ができる。
【００１５】（貫通孔）基板に形成される貫通孔は、発
光素子を設置する基板の上面と下面とに開口部を有する
ように形成されており、上面の開口部が発光素子が設置
される位置と基板の端面との間になるように形成されて
いる。図１では、貫通孔は上面から下面に向かって同じ
形状で、ほぼ直下に向かって形成されている。このよう
な形状は形成し易く好ましい。しかし、このような形状
に限らず、開口部の形状や、側面の角度等は特に限定し
なくてもよく、例えば図８に示すように、傾斜していて
もよい。また、図１０のように下面に近づくにつれて大
きくなるように形成させると、封止部材が硬化した際に
基板に引っかかるようになるので、より安定し、剥がれ
にくくなる。しかもこのような形状にすると、封止樹脂
が基板の下面まで達していなくてもよく、少ない量の封
止部材で効率よく強固な接着力を得ることができる。ま
た、貫通孔の上面の開口部が基板の側面から離れていれ
ばよい。下面の開口部は基板の下面だけに形成されてい
てもよいし、又は側面にまで達していてもよい。
光素子を設置する基板の上面と下面とに開口部を有する
ように形成されており、上面の開口部が発光素子が設置
される位置と基板の端面との間になるように形成されて
いる。図１では、貫通孔は上面から下面に向かって同じ
形状で、ほぼ直下に向かって形成されている。このよう
な形状は形成し易く好ましい。しかし、このような形状
に限らず、開口部の形状や、側面の角度等は特に限定し
なくてもよく、例えば図８に示すように、傾斜していて
もよい。また、図１０のように下面に近づくにつれて大
きくなるように形成させると、封止部材が硬化した際に
基板に引っかかるようになるので、より安定し、剥がれ
にくくなる。しかもこのような形状にすると、封止樹脂
が基板の下面まで達していなくてもよく、少ない量の封
止部材で効率よく強固な接着力を得ることができる。ま
た、貫通孔の上面の開口部が基板の側面から離れていれ
ばよい。下面の開口部は基板の下面だけに形成されてい
てもよいし、又は側面にまで達していてもよい。
【００１６】貫通孔の上面の開口部は、発光素子が配さ
れる位置と、基板の端面との間に形成されることで、発
光素子を載置後に封止部材が充填されやすくなる。ま
た、図６のように、発光素子が配される位置に設けるこ
ともできるが、この場合は発光素子よりも開口部を小さ
くする必要があり、封止部材を発光素子の側面から連続
して設けるためには、予め封止部材を設けその上に発光
素子を載置させる等、形成方法を考慮する必要が有る。
れる位置と、基板の端面との間に形成されることで、発
光素子を載置後に封止部材が充填されやすくなる。ま
た、図６のように、発光素子が配される位置に設けるこ
ともできるが、この場合は発光素子よりも開口部を小さ
くする必要があり、封止部材を発光素子の側面から連続
して設けるためには、予め封止部材を設けその上に発光
素子を載置させる等、形成方法を考慮する必要が有る。
【００１７】貫通孔は、１つだけでもよく、或いは２つ
以上の複数個設けてもよい。１つだけ設ける場合は、図
６のように発光素子の配置される位置に設けてもよく、
又は、図９のように発光素子の配置される位置と基板の
端面との間に設けてもよい。１つだけであっても、発光
素子とそれを被覆している封止部材とが基板から剥がれ
るのを防ぐ効果は得られる。また、複数設ける場合は、
後述する導電性部材を貫通孔を介して上面から下面まで
連続させる場合、別々の貫通孔を用いることで、電極間
をショートしにくくすることができるので好ましい。複
数設ける場合は、各々が同じ形状になるようにすると形
成が容易になるが、異なる形状であっても、何ら問題は
ない。また、左右対又は上下対称になるような位置に形
成させてもよいし、任意の位置に形成させてもよい。形
成方法としては、ドリルを用いて開けることも出来る
し、レーザーによって設けることも出来る。また、打ち
抜き加工によっても形成することができる。
以上の複数個設けてもよい。１つだけ設ける場合は、図
６のように発光素子の配置される位置に設けてもよく、
又は、図９のように発光素子の配置される位置と基板の
端面との間に設けてもよい。１つだけであっても、発光
素子とそれを被覆している封止部材とが基板から剥がれ
るのを防ぐ効果は得られる。また、複数設ける場合は、
後述する導電性部材を貫通孔を介して上面から下面まで
連続させる場合、別々の貫通孔を用いることで、電極間
をショートしにくくすることができるので好ましい。複
数設ける場合は、各々が同じ形状になるようにすると形
成が容易になるが、異なる形状であっても、何ら問題は
ない。また、左右対又は上下対称になるような位置に形
成させてもよいし、任意の位置に形成させてもよい。形
成方法としては、ドリルを用いて開けることも出来る
し、レーザーによって設けることも出来る。また、打ち
抜き加工によっても形成することができる。
【００１８】（基板）貫通孔が設けられる基板は、加工
が容易で耐久性の有る材料で有れば任意のものを用いる
ことができる。このような基板の具体的材料として、後
述する導電性部材を予め上面及び下面に形成された硝子
エポキシ樹脂や、或いは、銅、アルミニウムや各種合
金、セラミックなど種々のものを利用することができ
る。導電性材料を用いた場合は、電気的に絶縁すべくＳ
ｉＯ２やＳｉＮｘなどの絶縁膜を形成後、銅、金、銀な
どの薄膜パターンやこれら金属を含む合金、これら金属
を含む積層膜などＣＶＤやスパッタによって形成させた
ものを好適に利用することができる。
が容易で耐久性の有る材料で有れば任意のものを用いる
ことができる。このような基板の具体的材料として、後
述する導電性部材を予め上面及び下面に形成された硝子
エポキシ樹脂や、或いは、銅、アルミニウムや各種合
金、セラミックなど種々のものを利用することができ
る。導電性材料を用いた場合は、電気的に絶縁すべくＳ
ｉＯ２やＳｉＮｘなどの絶縁膜を形成後、銅、金、銀な
どの薄膜パターンやこれら金属を含む合金、これら金属
を含む積層膜などＣＶＤやスパッタによって形成させた
ものを好適に利用することができる。
【００１９】（封止部材）発光素子を少なくとも一部を
被覆している封止部材は、発光素子を保護すると共に、
基板と発光素子とを固着させるための接着剤としての機
能をも有している。ダイボンド剤だけでも発光素子と基
板を接着させることは出来るが、より強力な接着性が必
要な場合は、封止部材を発光素子とその周辺を覆うよう
に設けることで、接着性を向上させることができる。し
かし、体積が大きい分だけ、外部からの力も掛かりやす
くなるので、図１２のように、基板の上面だけに接する
ように形成させると、かえって剥がれやすくなるが、本
発明では貫通孔の内部にまで連続するように形成させて
いることで、基板と接触する面積が大きくなり、しか
も、立体的に接することが出来るので、強固な接着力が
得られる。
被覆している封止部材は、発光素子を保護すると共に、
基板と発光素子とを固着させるための接着剤としての機
能をも有している。ダイボンド剤だけでも発光素子と基
板を接着させることは出来るが、より強力な接着性が必
要な場合は、封止部材を発光素子とその周辺を覆うよう
に設けることで、接着性を向上させることができる。し
かし、体積が大きい分だけ、外部からの力も掛かりやす
くなるので、図１２のように、基板の上面だけに接する
ように形成させると、かえって剥がれやすくなるが、本
発明では貫通孔の内部にまで連続するように形成させて
いることで、基板と接触する面積が大きくなり、しか
も、立体的に接することが出来るので、強固な接着力が
得られる。
【００２０】封止部材として用いる材料は、発光素子か
らの光を反射させる光反射部材を含むものや、その逆に
光を透過させることができる透光性部材を用いることが
でき、熱又は光などで硬化可能な樹脂を用いることがで
きる。光反射部材を含む封止部材を用いる場合は、発光
素子の上面には設けないようにすればよく、素子の側面
から貫通孔に連続するように設ける。光反射部材を含む
封止部材を発光素子の側面に設けることで、発光素子の
上面からのみ光を放出させることができる。封止部材と
して用いられる樹脂は、発光素子から放出される光の波
長によっては劣化し易い場合があるので、側面だけでも
光反射部材含む封止部材を用いることで、劣化を抑制す
ることができる。樹脂が劣化して着色してしまうと、光
を吸収してしまうので、発光効率が低下するが、劣化を
抑制することでそのような問題も回避することができ
る。
らの光を反射させる光反射部材を含むものや、その逆に
光を透過させることができる透光性部材を用いることが
でき、熱又は光などで硬化可能な樹脂を用いることがで
きる。光反射部材を含む封止部材を用いる場合は、発光
素子の上面には設けないようにすればよく、素子の側面
から貫通孔に連続するように設ける。光反射部材を含む
封止部材を発光素子の側面に設けることで、発光素子の
上面からのみ光を放出させることができる。封止部材と
して用いられる樹脂は、発光素子から放出される光の波
長によっては劣化し易い場合があるので、側面だけでも
光反射部材含む封止部材を用いることで、劣化を抑制す
ることができる。樹脂が劣化して着色してしまうと、光
を吸収してしまうので、発光効率が低下するが、劣化を
抑制することでそのような問題も回避することができ
る。
【００２１】また、光反射部材を含む封止部材を用いる
場合は、発光素子の側面だけではなく底面にも設けるこ
とで、基板側へ光が放出されるのを防ぐこともできる。
基板と発光素子の間にはダイボンド材が設けられている
が、隙間が有る場合にはその隙間を埋めるように光反射
部材を設けるのが好ましい。発光素子の底面と基板との
距離は短いので、光が発光素子の底部から放出される
と、反射を繰り返して樹脂が劣化し易くなるので、光反
射部材を含む封止部材を用いることでそのような劣化を
防ぐことができる。この場合、発光素子の側面から連続
するように光反射部材を含む封止部材を設け、更に貫通
孔まで連続するように設けることで、基板との接着性を
有すると共に光の取り出し効率も向上させることができ
る。また、発光素子の底部から貫通孔まで連続するよう
に設けても光の取り出し効率を向上させることができ
る。
場合は、発光素子の側面だけではなく底面にも設けるこ
とで、基板側へ光が放出されるのを防ぐこともできる。
基板と発光素子の間にはダイボンド材が設けられている
が、隙間が有る場合にはその隙間を埋めるように光反射
部材を設けるのが好ましい。発光素子の底面と基板との
距離は短いので、光が発光素子の底部から放出される
と、反射を繰り返して樹脂が劣化し易くなるので、光反
射部材を含む封止部材を用いることでそのような劣化を
防ぐことができる。この場合、発光素子の側面から連続
するように光反射部材を含む封止部材を設け、更に貫通
孔まで連続するように設けることで、基板との接着性を
有すると共に光の取り出し効率も向上させることができ
る。また、発光素子の底部から貫通孔まで連続するよう
に設けても光の取り出し効率を向上させることができ
る。
【００２２】光反射部材としては、酸化ケイ素、チタン
酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群
から選択される少なくとも１つを用いるのが好ましい。
これらの部材からなる粒子を光反射部材として封止部材
に混入させて用いることができる。
酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群
から選択される少なくとも１つを用いるのが好ましい。
これらの部材からなる粒子を光反射部材として封止部材
に混入させて用いることができる。
【００２３】また、透光性部材を用いる場合は、発光素
子の上面から貫通孔まで連続して設けることが出来るの
で、より強固な接着力が得られる。そして、上記のよう
な光反射部材と透光性部材の両方を有する封止部材を用
い、例えば図２や図４のように、発光素子の側面にのみ
光反射部材を設けて、透光性部材を発光素子の上面から
貫通孔に達するように形成させてもよい。又、図５のよ
うに、発光素子の側面から貫通孔に達するよう光反射部
材を含む封止部材を設け、発光素子の上面には透光性部
材を形成させてもよい。このように、貫通孔に充填され
るのは、透光性部材でも光反射部材を含むものであって
もよく、発光素子の少なくとも側面から連続して設けら
れていれば接着力を向上させる効果は得られる。
子の上面から貫通孔まで連続して設けることが出来るの
で、より強固な接着力が得られる。そして、上記のよう
な光反射部材と透光性部材の両方を有する封止部材を用
い、例えば図２や図４のように、発光素子の側面にのみ
光反射部材を設けて、透光性部材を発光素子の上面から
貫通孔に達するように形成させてもよい。又、図５のよ
うに、発光素子の側面から貫通孔に達するよう光反射部
材を含む封止部材を設け、発光素子の上面には透光性部
材を形成させてもよい。このように、貫通孔に充填され
るのは、透光性部材でも光反射部材を含むものであって
もよく、発光素子の少なくとも側面から連続して設けら
れていれば接着力を向上させる効果は得られる。
【００２４】透光性部材を用いる場合は、光を拡散させ
る光拡散材を混入させてもよい。これにより、光の分散
性が向上し、均一な発光装置とすることができる。ま
た、発光素子からの光によって励起されてその波長より
も長波長の光が発光可能な蛍光物質を混入させてもよ
い。これにより、発光素子からの光と蛍光物質からの光
との混色光を発することができるので、様々な発光波長
を有する発光装置とすることができる。
る光拡散材を混入させてもよい。これにより、光の分散
性が向上し、均一な発光装置とすることができる。ま
た、発光素子からの光によって励起されてその波長より
も長波長の光が発光可能な蛍光物質を混入させてもよ
い。これにより、発光素子からの光と蛍光物質からの光
との混色光を発することができるので、様々な発光波長
を有する発光装置とすることができる。
【００２５】封止部材は貫通孔の内部を全て充填するよ
うに設けるのが好ましい。特に基板の下面まで達するよ
うにすることで、より接着面積が広くなるのでより好ま
しい。しかし、発光素子の少なくとも側面から貫通孔ま
で連続していればよく、更に下面まで連続している場合
でも、貫通孔の一部の側面を介して連続するように形成
されていればよい。このような封止部材は、ポッティン
グによって設けることもできるし、発光素子の上面をマ
スク等で保護してから印刷塗布などの方法で設けること
もできる。
うに設けるのが好ましい。特に基板の下面まで達するよ
うにすることで、より接着面積が広くなるのでより好ま
しい。しかし、発光素子の少なくとも側面から貫通孔ま
で連続していればよく、更に下面まで連続している場合
でも、貫通孔の一部の側面を介して連続するように形成
されていればよい。このような封止部材は、ポッティン
グによって設けることもできるし、発光素子の上面をマ
スク等で保護してから印刷塗布などの方法で設けること
もできる。
【００２６】（導電性部材）導電性部材は、発光素子に
設けられた素子電極と導通させるために基板に設けられ
ているもので、基板の上面（発光素子が配される面）か
ら基板の下面まで連続するように設けられている。図６
のように、基板の側面（端面）に露出するように設けて
もよく、又は、図１のように貫通孔を介して設けてもよ
い。貫通孔を介して設ける場合、図１のように貫通孔の
開口部全てに設けてもよいし、図２のように発光素子が
配置される側にだけ設けてもよい。発光素子の配置され
る位置に設けられていると、フェイスダウンでの実装が
可能となる。また、図７のように、発光素子が配される
位置に設けないようにすることもでき、この場合は、電
極間の距離を大きくすることができるので、ショートを
防ぐことができ、フェイスアップで実装する場合に用い
ることができる。このように貫通孔を介する場合、正負
の電極の両方を同一の貫通孔に設けてもよいが、ショー
トし易くなるので、異なる貫通孔を介するように形成す
るのが好ましい。また、その位置も、互いに離れて形成
された貫通孔をそれぞれ介することで、更にショートし
にくくなる。
設けられた素子電極と導通させるために基板に設けられ
ているもので、基板の上面（発光素子が配される面）か
ら基板の下面まで連続するように設けられている。図６
のように、基板の側面（端面）に露出するように設けて
もよく、又は、図１のように貫通孔を介して設けてもよ
い。貫通孔を介して設ける場合、図１のように貫通孔の
開口部全てに設けてもよいし、図２のように発光素子が
配置される側にだけ設けてもよい。発光素子の配置され
る位置に設けられていると、フェイスダウンでの実装が
可能となる。また、図７のように、発光素子が配される
位置に設けないようにすることもでき、この場合は、電
極間の距離を大きくすることができるので、ショートを
防ぐことができ、フェイスアップで実装する場合に用い
ることができる。このように貫通孔を介する場合、正負
の電極の両方を同一の貫通孔に設けてもよいが、ショー
トし易くなるので、異なる貫通孔を介するように形成す
るのが好ましい。また、その位置も、互いに離れて形成
された貫通孔をそれぞれ介することで、更にショートし
にくくなる。
【００２７】貫通孔を介して導電性部材を設けた場合
は、封止部材は導電性部材の上に形成させるのが好まし
い。封止部材は、貫通孔すなわち基板材料に直接接して
いなくても、発光素子の側面から貫通孔まで連続して設
けられていれば、基板（導電性部材を介した基板）との
接着面積が大きくなることには変わりがない。
は、封止部材は導電性部材の上に形成させるのが好まし
い。封止部材は、貫通孔すなわち基板材料に直接接して
いなくても、発光素子の側面から貫通孔まで連続して設
けられていれば、基板（導電性部材を介した基板）との
接着面積が大きくなることには変わりがない。
【００２８】導電性部材に用いる材料としては、発光素
子からの熱を効率よく外部に取り出すために高熱伝導性
材料が好ましく、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌやこれら合金などを
好適に利用することもできる。特に、銅やアルミニウム
は加工のしやすさなどから好適に利用することができ
る。また、反射率の高い金属や合金などでメッキなどす
ることもできる。このような金属として金、銀、銅やニ
ッケルや各種合金を好適に利用することできる。
子からの熱を効率よく外部に取り出すために高熱伝導性
材料が好ましく、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌやこれら合金などを
好適に利用することもできる。特に、銅やアルミニウム
は加工のしやすさなどから好適に利用することができ
る。また、反射率の高い金属や合金などでメッキなどす
ることもできる。このような金属として金、銀、銅やニ
ッケルや各種合金を好適に利用することできる。
【００２９】（発光素子）本発明に用いられる発光素子
は各種半導体発光素子を利用することができる。具体的
半導体発光素子としては、サファイヤ、ＳｉＣ、スピネ
ル、ＧａＮなどの基板上にＭＯＣＶＤ法などを利用して
ｎ型窒化物半導体及びｐ型窒化物半導体を積層させたも
のを好適に利用することができる。ＧａＮ、ＧａＡｌ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、Ｇ
ａＩｎＢＮなどの窒化物半導体だけでなくＩｎＧａＰ、
ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣなど各種半導体を発光層に用
いた発光素子を好適に利用することができる。基板に導
電性材料を用いた場合支持部材とＡｇペーストやハンダ
などによってダイボンドし電気的に導通させてもよい
し、間に絶縁層を介してもよい。
は各種半導体発光素子を利用することができる。具体的
半導体発光素子としては、サファイヤ、ＳｉＣ、スピネ
ル、ＧａＮなどの基板上にＭＯＣＶＤ法などを利用して
ｎ型窒化物半導体及びｐ型窒化物半導体を積層させたも
のを好適に利用することができる。ＧａＮ、ＧａＡｌ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、Ｇ
ａＩｎＢＮなどの窒化物半導体だけでなくＩｎＧａＰ、
ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣなど各種半導体を発光層に用
いた発光素子を好適に利用することができる。基板に導
電性材料を用いた場合支持部材とＡｇペーストやハンダ
などによってダイボンドし電気的に導通させてもよい
し、間に絶縁層を介してもよい。
【００３０】以下本発明の具体的実施例について詳述す
るがこれのみに限られるものでないことは言うまでもな
い。
るがこれのみに限られるものでないことは言うまでもな
い。
【００３１】
【実施例】（実施例１）基板として硝子エポキシ樹脂か
らなる平板を用いる。この基板の上面及び下面に導電性
部材として銅薄膜を接着或いは積層などの方法で形成さ
せる。次いで、この基板に根がフィルムを貼り付けて露
光し、ケミカルエッチング等によって除去することで図
１３（ａ）の斜線部のような銅薄膜パターンを形成す
る。この銅薄膜形成基板にドリル、エッチングやレーザ
などを用いて図１３（ｂ）のようにＸ方向及びＹ方向に
複数の貫通孔が並ぶように形成させる。次に、これら貫
通孔を介して図１３（ｃ）に示す断面図のように、銅薄
膜が貫通孔を介して上面から下面まで連続するように形
成する。これにより、Ｘ方向に並ぶ貫通孔同士は連続す
るよう設けられているが、Ｙ方向に並ぶ貫通孔は図１３
（ｃ）に示すように上面及び下面で互いに離れて基板が
露出するような銅薄膜が形成される。すなわち、Ｘ方向
に並んだ４つの貫通孔の銅薄膜は連続しており、Ｙ方向
に並んだ２つの貫通孔の銅薄膜は、接しないように形成
されている。
らなる平板を用いる。この基板の上面及び下面に導電性
部材として銅薄膜を接着或いは積層などの方法で形成さ
せる。次いで、この基板に根がフィルムを貼り付けて露
光し、ケミカルエッチング等によって除去することで図
１３（ａ）の斜線部のような銅薄膜パターンを形成す
る。この銅薄膜形成基板にドリル、エッチングやレーザ
などを用いて図１３（ｂ）のようにＸ方向及びＹ方向に
複数の貫通孔が並ぶように形成させる。次に、これら貫
通孔を介して図１３（ｃ）に示す断面図のように、銅薄
膜が貫通孔を介して上面から下面まで連続するように形
成する。これにより、Ｘ方向に並ぶ貫通孔同士は連続す
るよう設けられているが、Ｙ方向に並ぶ貫通孔は図１３
（ｃ）に示すように上面及び下面で互いに離れて基板が
露出するような銅薄膜が形成される。すなわち、Ｘ方向
に並んだ４つの貫通孔の銅薄膜は連続しており、Ｙ方向
に並んだ２つの貫通孔の銅薄膜は、接しないように形成
されている。
【００３２】次いで、図１３（ｄ）のように、Ｙ方向に
並んだ貫通孔の間で、かつ、離れて形成された銅薄膜の
両方と接するように発光素子を配置させる。この時、１
つの発光素子の正負の電極は、それぞれ離れて形成され
た銅薄膜に接するように配されている。はんだを予め銅
薄膜上に形成させておき、その上に接着させる。
並んだ貫通孔の間で、かつ、離れて形成された銅薄膜の
両方と接するように発光素子を配置させる。この時、１
つの発光素子の正負の電極は、それぞれ離れて形成され
た銅薄膜に接するように配されている。はんだを予め銅
薄膜上に形成させておき、その上に接着させる。
【００３３】次いで、光反射部材としてＴｉＯ２を含む
樹脂を図１３（ｆ）のように貫通孔上にポッティングす
る。この時、ＴｉＯ２含有樹脂が発光素子の上面を覆わ
ないように、樹脂の量を制御しておく必要がある。Ｔｉ
Ｏ２含有樹脂を硬化させた後、基板全面に透光性樹脂を
塗布して、硬化させる。硬化後、図１３（ｆ）の破線部
で基板を切断することで、図１３（ｇ）に示すような本
発明の発光装置とすることができる。この切断位置は任
意に変更することができる。
樹脂を図１３（ｆ）のように貫通孔上にポッティングす
る。この時、ＴｉＯ２含有樹脂が発光素子の上面を覆わ
ないように、樹脂の量を制御しておく必要がある。Ｔｉ
Ｏ２含有樹脂を硬化させた後、基板全面に透光性樹脂を
塗布して、硬化させる。硬化後、図１３（ｆ）の破線部
で基板を切断することで、図１３（ｇ）に示すような本
発明の発光装置とすることができる。この切断位置は任
意に変更することができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明は発光素子を配置する基板に貫通
孔を設け、封止部材を発光素子の側面から貫通孔内部ま
で連続して設けることで、基板と封止部材との接着力を
向上させることができる。
孔を設け、封止部材を発光素子の側面から貫通孔内部ま
で連続して設けることで、基板と封止部材との接着力を
向上させることができる。
【図１】 本発明の発光装置を示す模式的断面図。
【図２】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図３】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図４】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図５】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図６】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図７】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図８】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図９】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図１０】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面
図。
図。
【図１１】 本発明と比較のために示す発光装置を示す
模式的断面図。
模式的断面図。
【図１２】 本発明と比較のために示す別の発光装置を
示す模式的断面図。
示す模式的断面図。
【図１３】 本発明の発光装置の形成工程を示す工程
図。 （ａ）導電性部材が形成された基板の模式図 （ｂ）貫通孔が形成された基板の模式図 （ｃ）図１３（ｂ）の断面図 （ｄ）発光素子が配された基板の模式図 （ｅ）図１３（ｄ）の断面図 （ｆ）光反射部材が形成された基板の模式図 （ｇ）図１３（ｆ）の断面図
図。 （ａ）導電性部材が形成された基板の模式図 （ｂ）貫通孔が形成された基板の模式図 （ｃ）図１３（ｂ）の断面図 （ｄ）発光素子が配された基板の模式図 （ｅ）図１３（ｄ）の断面図 （ｆ）光反射部材が形成された基板の模式図 （ｇ）図１３（ｆ）の断面図
１・・・発光素子 ２・・・基板 ３・・・導電性部材 ４・・・ダイボンド材 ５・・・封止部材（光反射部材含有） ６・・・封止部材（光透過性） ７・・・ワイヤー ８・・・樹脂パッケージ ９・・・貫通孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年５月２４日（２００１．５．２
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】
【実施例】（実施例１）基板として硝子エポキシ樹脂か
らなる平板を用いる。この基板の上面及び下面に導電性
部材として銅薄膜を接着或いは積層などの方法で形成さ
せる。次いで、この基板にネガフィルムを貼り付けて露
光し、ケミカルエッチング等によって除去することで図
１３（ａ）の斜線部のような銅薄膜パターンを形成す
る。この銅薄膜形成基板にドリル、エッチングやレーザ
などを用いて図１３（ｂ）のようにＸ方向及びＹ方向に
複数の貫通孔が並ぶように形成させる。次に、これら貫
通孔を介して図１３（ｃ）に示す断面図のように、銅薄
膜が貫通孔を介して上面から下面まで連続するように形
成する。これにより、Ｘ方向に並ぶ貫通孔同士は連続す
るよう設けられているが、Ｙ方向に並ぶ貫通孔は図１３
（ｃ）に示すように上面及び下面で互いに離れて基板が
露出するような銅薄膜が形成される。すなわち、Ｘ方向
に並んだ４つの貫通孔の銅薄膜は連続しており、Ｙ方向
に並んだ２つの貫通孔の銅薄膜は、接しないように形成
されている。
らなる平板を用いる。この基板の上面及び下面に導電性
部材として銅薄膜を接着或いは積層などの方法で形成さ
せる。次いで、この基板にネガフィルムを貼り付けて露
光し、ケミカルエッチング等によって除去することで図
１３（ａ）の斜線部のような銅薄膜パターンを形成す
る。この銅薄膜形成基板にドリル、エッチングやレーザ
などを用いて図１３（ｂ）のようにＸ方向及びＹ方向に
複数の貫通孔が並ぶように形成させる。次に、これら貫
通孔を介して図１３（ｃ）に示す断面図のように、銅薄
膜が貫通孔を介して上面から下面まで連続するように形
成する。これにより、Ｘ方向に並ぶ貫通孔同士は連続す
るよう設けられているが、Ｙ方向に並ぶ貫通孔は図１３
（ｃ）に示すように上面及び下面で互いに離れて基板が
露出するような銅薄膜が形成される。すなわち、Ｘ方向
に並んだ４つの貫通孔の銅薄膜は連続しており、Ｙ方向
に並んだ２つの貫通孔の銅薄膜は、接しないように形成
されている。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 AA02 BA03 DB15 DB16 EB18 EC11 EC12 GA01 5F041 CA40 CA46 DA02 DA04 DA07 DA09 DA12 DA20 DA43 DA46 DA57 DB09
Claims (9)
- 【請求項１】 上面と下面を有する基板と、該基板の上
面に配された発光素子と、該発光素子の少なくとも一部
を被覆する封止部材とを備えてなる発光装置であって、 前記基板は、上面及び下面に開口部を有する貫通孔を有
し、 前記貫通孔は、少なくとも上面の開口部が基板の端部か
ら離れて形成され、 前記封止部材は、前記発光素子の少なくとも側面から前
記貫通孔を介して基板の下面に達するよう連続して設け
られていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項２】 前記封止部材は、前記発光素子からの光
を反射する光反射部材を含んでいる請求項１記載の発光
装置。 - 【請求項３】 前記封止部材は、前記発光素子からの光
を透過する透光性部材からなる請求項１記載の発光装
置。 - 【請求項４】 前記透光性部材は、前記発光素子の上面
から前記貫通孔を介して基板の下面に達するよう連続し
て設けられている請求項３記載の発光装置。 - 【請求項５】 前記封止部材は、光反射部材と透光性部
材とからなり、少なくとも発光素子の側面には光反射部
材が設けられている請求項１乃至請求項４記載の発光装
置。 - 【請求項６】 前記貫通孔は、基板上面の開口部は、基
板の端部と、前記発光素子が設けられる素子設置部との
間に形成されている請求項１乃至請求項５記載の発光装
置。 - 【請求項７】 前記基板は、上面から下面まで連続する
導電性部材を有し、該導電性部材は、前記貫通孔を介し
て基板の上面から下面まで連続して形成されている請求
項１又は請求項６記載の発光装置。 - 【請求項８】 前記発光素子は、前記導電性部材の上に
配されている請求項１乃至請求項７記載の発光装置。 - 【請求項９】 前記光反射部材は、酸化ケイ素、チタン
酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群
から選択される少なくとも１つを含む請求項１乃至請求
項８記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139397A JP2002335020A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139397A JP2002335020A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002335020A true JP2002335020A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18986176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001139397A Pending JP2002335020A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002335020A (ja) |
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266124A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2005159276A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2006332421A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sony Chemical & Information Device Corp | 機能素子実装モジュール及びその製造方法 |
| JP2007266647A (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2008159659A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Showa Denko Kk | 発光装置および表示装置 |
| JP2008219854A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール |
| JP2010225755A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| WO2010147178A1 (ja) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | 三洋電機株式会社 | 発光装置および発光装置モジュール |
| JP2011129862A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置 |
| JP2011176234A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2011243709A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | 発光モジュール及びこれを備えた照明装置 |
| JP2013506976A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品 |
| JP2013069843A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| US8455902B2 (en) | 2007-02-05 | 2013-06-04 | Panasonic Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
| JP2013152971A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
| JP2013175759A (ja) * | 2013-04-10 | 2013-09-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP2014179384A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Mtek-Smart Corp | Ｌｅｄの製造方法 |
| JP2014225518A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | アピックヤマダ株式会社 | Ｌｅｄ装置の製造方法、金型、樹脂成形装置、及び、ｌｅｄ装置 |
| JP2015012081A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| WO2015132380A1 (de) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
| JP2016021583A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
| JP2016072304A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US9391250B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device package and package substrate for the same |
| JP2016149553A (ja) * | 2008-09-09 | 2016-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US9640734B2 (en) | 2013-12-13 | 2017-05-02 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| CN107078194A (zh) * | 2014-09-01 | 2017-08-18 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发光二极管组件 |
| US9755127B2 (en) | 2015-09-11 | 2017-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| US9773959B2 (en) | 2008-09-09 | 2017-09-26 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2018006483A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 実装基板、ｌｅｄモジュール及びそれを備える照明器具 |
| US9929324B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2018182352A (ja) * | 2018-08-27 | 2018-11-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019003994A (ja) * | 2017-06-13 | 2019-01-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP2019041094A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019050430A (ja) * | 2018-12-27 | 2019-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR20190092556A (ko) * | 2016-12-15 | 2019-08-07 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 높은 근거리 콘트라스트 비를 갖는 led 모듈 |
| JP2019134187A (ja) * | 2014-09-26 | 2019-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2019207993A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | シーシーエス株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| JP2020092150A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2020092149A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US10707384B2 (en) | 2017-07-06 | 2020-07-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
| JP2021068917A (ja) * | 2021-01-20 | 2021-04-30 | 三菱電機株式会社 | 発光装置 |
| JP2022016624A (ja) * | 2017-06-13 | 2022-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| US11393965B2 (en) | 2019-08-02 | 2022-07-19 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
| US11594665B2 (en) | 2019-08-02 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001139397A patent/JP2002335020A/ja active Pending
Cited By (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266124A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007266647A (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP4817845B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-11-16 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
| JP2005159276A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2006332421A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Sony Chemical & Information Device Corp | 機能素子実装モジュール及びその製造方法 |
| JP2008159659A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Showa Denko Kk | 発光装置および表示装置 |
| JP2008219854A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール |
| US8455902B2 (en) | 2007-02-05 | 2013-06-04 | Panasonic Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
| JP2016149553A (ja) * | 2008-09-09 | 2016-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US10164163B2 (en) | 2008-09-09 | 2018-12-25 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device with bottom surface including electrically conductive members and light-blocking base member therebetween, and method for manufacturing the same |
| US11271144B2 (en) | 2008-09-09 | 2022-03-08 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device including a wavelength converting member and method for manufacturing the same |
| TWI666791B (zh) * | 2008-09-09 | 2019-07-21 | 日商日亞化學工業股份有限公司 | 光半導體裝置及其製造方法 |
| US9773959B2 (en) | 2008-09-09 | 2017-09-26 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP3633743A1 (en) * | 2008-09-09 | 2020-04-08 | Nichia Corporation | Optical-semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2010225755A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| WO2010147178A1 (ja) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | 三洋電機株式会社 | 発光装置および発光装置モジュール |
| US10665747B2 (en) | 2009-08-07 | 2020-05-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US9728683B2 (en) | 2009-08-07 | 2017-08-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US11239386B2 (en) | 2009-08-07 | 2022-02-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US9985171B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-05-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US9490396B2 (en) | 2009-08-07 | 2016-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US12002901B2 (en) | 2009-08-07 | 2024-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US11749776B2 (en) | 2009-08-07 | 2023-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| JP2016021583A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
| US8853732B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-10-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
| JP2013506976A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品 |
| US9653661B2 (en) | 2009-11-19 | 2017-05-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device, method of manufacturing the same, method of mounting the same and lighting device |
| JP2011129862A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置 |
| JP2011176234A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2011243709A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | 発光モジュール及びこれを備えた照明装置 |
| JP2013069843A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2013152971A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
| JP2014179384A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Mtek-Smart Corp | Ｌｅｄの製造方法 |
| JP2013175759A (ja) * | 2013-04-10 | 2013-09-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
| US9391250B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device package and package substrate for the same |
| JP2014225518A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | アピックヤマダ株式会社 | Ｌｅｄ装置の製造方法、金型、樹脂成形装置、及び、ｌｅｄ装置 |
| US9929324B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US10230029B2 (en) | 2013-06-27 | 2019-03-12 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2015012081A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US10270011B2 (en) | 2013-12-13 | 2019-04-23 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9640734B2 (en) | 2013-12-13 | 2017-05-02 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| WO2015132380A1 (de) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
| CN107078194A (zh) * | 2014-09-01 | 2017-08-18 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发光二极管组件 |
| JP2017533598A (ja) * | 2014-09-01 | 2017-11-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 発光ダイオード素子 |
| US10600942B2 (en) | 2014-09-26 | 2020-03-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
| JP2019134187A (ja) * | 2014-09-26 | 2019-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2016072304A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US10193036B2 (en) | 2014-09-26 | 2019-01-29 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
| US11056627B2 (en) | 2014-09-26 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9755127B2 (en) | 2015-09-11 | 2017-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| JP2018006483A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 実装基板、ｌｅｄモジュール及びそれを備える照明器具 |
| KR20190092556A (ko) * | 2016-12-15 | 2019-08-07 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 높은 근거리 콘트라스트 비를 갖는 led 모듈 |
| KR102519814B1 (ko) | 2016-12-15 | 2023-04-10 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 높은 근거리 콘트라스트 비를 갖는 led 모듈 |
| JP2022016624A (ja) * | 2017-06-13 | 2022-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP7014948B2 (ja) | 2017-06-13 | 2022-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP2019003994A (ja) * | 2017-06-13 | 2019-01-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP7277815B2 (ja) | 2017-06-13 | 2023-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| US11201266B2 (en) | 2017-07-06 | 2021-12-14 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
| JP2019041094A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10707384B2 (en) | 2017-07-06 | 2020-07-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
| JP7189413B2 (ja) | 2017-07-06 | 2022-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7403944B2 (ja) | 2018-05-30 | 2023-12-25 | シーシーエス株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| JP2019207993A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | シーシーエス株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| JP2018182352A (ja) * | 2018-08-27 | 2018-11-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7211784B2 (ja) | 2018-12-04 | 2023-01-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP7211783B2 (ja) | 2018-12-04 | 2023-01-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2020092149A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2020092150A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2019050430A (ja) * | 2018-12-27 | 2019-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US11594665B2 (en) | 2019-08-02 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
| US11393965B2 (en) | 2019-08-02 | 2022-07-19 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
| US11799064B2 (en) | 2019-08-02 | 2023-10-24 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
| US11901498B2 (en) | 2019-08-02 | 2024-02-13 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
| JP2021068917A (ja) * | 2021-01-20 | 2021-04-30 | 三菱電機株式会社 | 発光装置 |
| JP7283489B2 (ja) | 2021-01-20 | 2023-05-30 | 三菱電機株式会社 | 発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002335020A (ja) | 発光装置 | |
| JP4279388B2 (ja) | 光半導体装置及びその形成方法 | |
| US7842526B2 (en) | Light emitting device and method of producing same | |
| EP1953834B1 (en) | Light-emitting device | |
| KR100853064B1 (ko) | 복합발광소자 | |
| JP4789350B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| US9905741B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| TWI316747B (en) | Surface mountable optoelectronic component and its production method | |
| US9512968B2 (en) | LED module | |
| US8421088B2 (en) | Surface mounting type light emitting diode | |
| US10461227B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device | |
| JP2003163381A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| CN104157636A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| JP2008071955A (ja) | 発光装置 | |
| JP6947995B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2003008074A (ja) | 表面実装型発光装置及びその製造方法 | |
| US10651336B2 (en) | Light-emitting device | |
| JP2002009347A (ja) | Ｌｅｄ光源およびその製造方法 | |
| JP2004165308A (ja) | 発光装置 | |
| JP2003168828A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP6551210B2 (ja) | 発光装置 | |
| TWI565101B (zh) | 發光二極體封裝體及其製造方法 | |
| US11227983B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
| JP7193698B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
| JP6701711B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041021 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070518 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070522 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071002 |