[go: up one dir, main page]

JP2003163381A - 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Info

Publication number
JP2003163381A
JP2003163381A JP2001360045A JP2001360045A JP2003163381A JP 2003163381 A JP2003163381 A JP 2003163381A JP 2001360045 A JP2001360045 A JP 2001360045A JP 2001360045 A JP2001360045 A JP 2001360045A JP 2003163381 A JP2003163381 A JP 2003163381A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
package
recess
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001360045A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3768864B2 (ja
Inventor
Hiroto Isoda
寛人 磯田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2001360045A priority Critical patent/JP3768864B2/ja
Priority to US10/303,006 priority patent/US6774406B2/en
Publication of JP2003163381A publication Critical patent/JP2003163381A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3768864B2 publication Critical patent/JP3768864B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/858Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8585Means for heat extraction or cooling being an interconnection

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光色を容易に調整できて歩留が向上し、量
産に適するLED及びその製造方法。 【解決手段】 高熱伝導性のMg系、Al系、Cu系等
のメタルコア材料を、射出成形あるいはプレス成形によ
って略立方体形状に成形したパッケージ1の上面1aに
は、円形の底面1bと円錐形状の光反射面1cとを有す
る凹部1dが形成されている。上面1aからこれと背中
合わせの下面1eにかけて、縦にスリット1fが形成さ
れており、そこへ絶縁部材2が充填されている。発光素
子であるバンプ付きLED素子3が、前記絶縁部材2を
跨いで底面1cの両電極面にFCボンディングにより接
合されている。アンダーフィル樹脂4がLED素子3と
底面1bとの隙間に充填されている。コーティング樹脂
5がLED素子3の少なくとも一面に、インクジェット
方式により塗布されている。透明ガラス又は樹脂から成
るカバー板6がパッケージ1上面1aに接合されて内部
を封止している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型発光ダ
イオード(以下LEDと略記する)及びその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】LEDはGaPやGaN等の化合物半導
体ウエハ上にPN接合を形成し、これに順方向電流を通
じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであり、近年
表示、通信、計測、制御等に広く応用されている。しか
し、このような従来のLEDの発光色は限られた色調の
ものしか存在しない。そこで、所望のカラー光源を得よ
うと、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止樹脂中に
蛍光物質や着色剤を含有させる試みがあった。このよう
な従来のLEDの一例を、図面により説明する。
【0003】図4は従来のLED50の縦断面図であ
る。51は両面銅箔張りのガラスエポキシ樹脂等より成
る配線基板であり、配線基板51の両面銅箔部にはメッ
キレジストをラミネートし、露光現像して配線パターン
を形成し、更にその上に金メッキ等の表面処理を施して
ある。52は、上面電極52aから側面電極52bを経
由して下面電極52cに至る配線パターンである一方の
電極パターンであり、53は、同じく上面電極53aか
ら側面電極53bを経由して下面電極53cに至る他方
の電極パターンである。
【0004】54は、上面電極52aに一方の電極を銀
ペーストによりダイボンディングしたGaN系の青色L
ED素子である。55はAu線等より成るワイヤであ
り、ワイヤ55によりLED素子54の他方の電極と上
面電極53aとがワイヤボンディングにより接続されて
いる。56は、LED素子54、LED素子54の接続
部及びワイヤ55等の保護と、LED素子54の発光を
効果的にすることのために封止している、透光性のエポ
キシ樹脂等から成る封止樹脂である。封止樹脂56には
予め蛍光物質と着色剤とを含有させてある。
【0005】LED50を発光させると、LED素子5
4を発して封止樹脂56の中で蛍光物質(YAG蛍光
体)に当たった青色光は黄色に変化して出射し、蛍光物
質に当たらなかった光は青色のまま出射することになる
ため、もし着色剤の混入がない場合には、これら黄色と
青色が混色となって白色光となる。そこで、封止樹脂5
6内に蛍光物質の他に着色剤を混入させることにより所
望の発光色を得ることができるというものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなLEDでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比
重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬
化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、樹脂
内に均一に拡散させることができない。また、着色剤の
量を微調整することが難しく、量産上色調や輝度のバラ
ツキが避けられず、色調の選別工程が欠かせなかった。
したがってコストアップを招くので、これらのバラツキ
をいかに少なくしてコストを押さえるかが課題であっ
た。
【0007】上記発明は、このような従来の問題を解決
するためになされたものであり、その目的は、歩留が向
上して量産に適するLED及びその製造方法を提供する
ことである。
【0008】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ための本発明の手段は、外部接続端子を有するパッケー
ジ上にGaN系の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍光
体若しくは着色剤を含有した樹脂で封止した表面実装型
発光ダイオードにおいて、前記パッケージはメタルコア
材料より成る略立方体形状のパッケージであって、該パ
ッケージの一面に光反射面を有する凹部が形成されてお
り、前記一面から前記一面と背中合わせの面にかけて形
成された前記パッケージを縦に2分するスリットに絶縁
部材が充填されており、前記凹部の底面に前記発光素子
が実装され、前記発光素子の少なくとも一面に、蛍光体
若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有する樹
脂が塗布されており、前記パッケージは前記一面に接合
したカバー板で封止されていることを特徴とする。
【0009】また、前記発光素子は前記スリットを跨い
で実装されたフリップチップであり、該フリップチップ
と前記パッケージの前記凹部の底面との隙間にアンダー
フィル樹脂を充填したことを特徴とする。
【0010】また、前記凹部の底面のボンディング部並
びに前記背中合わせ面の外部接続端子部に、金メッキ等
の表面処理が施されていることを特徴とする
【0011】また、前記凹部は、円形の前記底面から上
部開口へ向かうに従って外側に拡がる円錐形状を成して
いることを特徴とする。
【0012】また、前記凹部は、略球面の一部であるこ
とを特徴とする。
【0013】また、前記凹部は、略放物面の一部である
ことを特徴とする。
【0014】また、前記凹部は、反射膜により被覆され
ていることを特徴とする。
【0015】また、前記カバー板は、透明ガラス又は透
明樹脂で形成されていることを特徴とする。
【0016】また、前記カバー板は、シート状又は平板
状に形成されていることを特徴とする。
【0017】また、前記カバー板には、レンズ形状が形
成されていることを特徴とする。
【0018】また、前述した目的を達成するための本発
明の他の手段は、請求項1乃至請求項10のいずれかに
記載の表面実装型ダイオードの製造方法において、前記
発光素子の少なくとも一面に、前記蛍光体、若しくは着
色剤のいずれか一方、又は両方を含有した樹脂をインク
ジェット方式により塗布する工程を有することを特徴と
する。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。まず、この実施の形態の構
成について説明する。図1は本発明の実施の形態である
LEDの断面図、図2はこのLEDのパッケージの斜視
図、図3はこのLEDの製造方法を示す断面図である。
【0020】図1において、10は表面実装型LEDで
ある。1は、50W/(m・K)以上の熱伝導性の高い
Mg系、Al系、Cu系等のメタルコア材料を、射出成
形あるいはプレス成形によって略立方体形状に成形した
パッケージである。図2にも示すように、パッケージ1
の上面1aには円形の底面1b及び底面1bから開口へ
向かって拡がる円錐形状の光反射面1cを有する凹部1
dが形成されている。底面1b及び光反射面1cは、銀
メッキ等の反射膜により被覆されている。
【0021】パッケージ1の上面1aから上面1aと背
中合わせの下面1eにかけて、パッケージ1を縦に2分
するスリット1fが形成されている。2はスリット1f
に充填された接着剤等の絶縁部材である。パッケージ1
は、絶縁部材2において2分割されて一対の電極を構成
している。底面1bにあるLED素子3のボンディング
部及び下面1eの外部接続端子部には、それぞれ防錆と
ボンディングとに必要な金メッキ等の表面処理が施され
ている。
【0022】3は予めフリップチップ(FC)として形
成された発光素子であるバンプ付きLED素子であり、
前記絶縁部材2を跨いでパッケージ1の底面1bの両電
極面にFCボンディングにより接合されている。4はL
ED素子3と底面1bとの隙間に充填され、ボンディン
グ部を被覆しているアンダーフィル樹脂である。5は、
蛍光体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有
したコーティング樹脂であり、LED素子3の少なくと
も一面に塗布してある。6は、パッケージ1上面1aに
接合して内部を封止している透明ガラス又は透明樹脂か
ら成るシート状又は平板状のカバー板である。
【0023】次に、この実施の形態の作用を説明する。
コーティング樹脂5の中に蛍光物質(YAG蛍光体)の
みを含有させてある場合には、GaN系のLED素子3
を発した青色光は、コーティング樹脂5の中で蛍光物質
に当たって黄色に変化して出射し、蛍光物質に当たらな
かった光は青色のまま出射することになるため、これら
黄色と青色が混色することにより白色光となる。また、
コーティング樹脂5の中に着色剤のみを含有させてある
場合には、LED素子3の青色と着色剤の色調とが混色
されて出射する。更に、コーティング樹脂5内に蛍光物
質の他に着色剤を混入させることにより着色剤の色調を
持った発光色を得ることができる。こうして、所望の発
光色を得ることができる。
【0024】なお、このような作用によるのであるか
ら、所望の発光色を得るには、蛍光物質若しくは着色剤
のいずれか一方、又は両方をコーティング樹脂5に含有
させればよいことになる。また、必要に応じて、酸化防
止剤や老化防止剤を適宜混入させてもよい。
【0025】次に、このLED10の製造方法につい
て、中でもインクジェット方式を採用してコーティング
樹脂5を塗布する工程について説明する。図3におい
て、20はインクジェット方式によりコーティング樹脂
5を吐出するノズルである。まず、LED素子3を搭載
後のパッケージ1に対して、アンダーフィル樹脂4を注
入・充填する。次に、ノズル20をLED素子3の上面
に近接させてコーティング樹脂5を吐出する。次に、カ
バー板5をパッケージ1に接合する。LED10を製造
する全体の工程には、多数個取りが可能な集合状態のパ
ッケージ基板を用いて、バッチ処理により同時多数個の
製造方式がとられる。
【0026】次に、本実施の形態であるLED10の効
果について説明する。光反射面1cを設けたので、側面
に向かった光は光反射面1cにより反射され、必要な方
向である上方への光の取り出し効率(輝度)が向上す
る。多数個取りのできる集合基板であるパッケージ基板
を用いて、同時多数個の処理ができるので、製造コスト
の削減ができる。LED素子3の接合をFCボンディン
グによって行ったので、耐衝撃性に優れている。吸湿性
があり、熱膨張の大きな封止樹脂を用いないで、線膨張
係数がパッケージ材料と近似したカバー板5を用いて封
止した場合には、耐湿性、耐熱性に優れている。
【0027】パッケージ1が熱伝導性の高いメタルコア
材料で構成されているので、従来のLEDと比べて遙か
に放熱性に優れており、大電流が必要で、発熱量の大き
い車載用LEDには最適な構成である。また、射出成形
又はプレス成形といった方法で製造できるので、特殊な
技術や設備を必要としない。
【0028】コーティング樹脂5を、インクジェット方
式によって塗布するようにしたので、樹脂量の微調整が
可能となり、微妙な色調調整ができるようになった。こ
れにより、従来必要であった色調による選別工程を廃止
できた。
【0029】なお、本発明は、以上説明した実施の形態
に限定されるものではないので、他の形態について説明
する。カバー板は、単なる平板ではなくて、凸レンズ、
凹レンズ、フレネルレンズ、セルフォックレンズ、ホロ
グラムレンズ等のうちのいずれか一つのレンズが形成さ
れていてもよい。このようなレンズを備えていることに
より、出射光が集光されLEDの輝度が向上する。ま
た、LEDを実装した凹部の内面形状は、略球面の一
部、若しくは略放物面の一部であってもよい。円錐面の
場合と同様に出射光を上方へ導く効果がある。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面実装型のLEDのパッケージは、メタルコア材料よ
り成る略立方体形状のパッケージであって、該パッケー
ジの一面に光反射面を有する凹部が形成されており、前
記一面から前記一面と背中合わせの面にかけて形成され
た前記パッケージを縦に2分するスリットに絶縁部材が
充填されており、前記凹部の底面に前記発光素子が実装
され、前記発光素子の少なくとも一面に、蛍光体若しく
は着色剤のいずれか一方、又は両方を含有するコーティ
ング樹脂を塗布し、前記パッケージは前記一面に接合し
たカバー板で封止したので、このLEDは放熱性、耐熱
性に優れ、白色を含め発光色を所望の色に変化させるこ
とができ、かつ輝度も向上させることができた。
【0031】コーティング樹脂を発光素子に塗布するの
に、インクジェット方式を採用したので、樹脂量の微調
整が可能となり、容易に任意の色調の発光を得ることが
できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態であるLEDの斜視図であ
る。
【図2】本発明の実施の形態であるLEDの製造方法を
示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態であるLEDの製造方法を
示す断面図である。
【図4】従来のLEDの縦断面図である。
【符号の説明】
1 パッケージ 1a 上面 1b 底面 1c 光反射面 1d 凹部 1e 下面 2 絶縁部材 3 LED素子 4 アンダーフィル樹脂 5 コーティング樹脂 6 カバー板 10 LED

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部接続端子を有するパッケージ上にG
    aN系の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍光体若しく
    は着色剤を含有した樹脂で封止した表面実装型発光ダイ
    オードにおいて、前記パッケージはメタルコア材料より
    成る略立方体形状のパッケージであって、該パッケージ
    の一面に光反射面を有する凹部が形成されており、前記
    一面から前記一面と背中合わせの面にかけて形成された
    前記パッケージを縦に2分するスリットに絶縁部材が充
    填されており、前記凹部の底面に前記発光素子が実装さ
    れ、前記発光素子の少なくとも一面に、蛍光体若しくは
    着色剤のいずれか一方、又は両方を含有する樹脂が塗布
    されており、前記パッケージは前記一面に接合したカバ
    ー板で封止されていることを特徴とする表面実装型発光
    ダイオード。
  2. 【請求項2】 前記発光素子は前記スリットを跨いで実
    装されたフリップチップであり、該フリップチップと前
    記パッケージの前記凹部の底面との隙間にアンダーフィ
    ル樹脂を充填したことを特徴とする請求項1記載の表面
    実装型発光ダイオード。
  3. 【請求項3】 前記凹部の底面のボンディング部並びに
    前記背中合わせ面の外部接続端子部に、金メッキ等の表
    面処理が施されていることを特徴とする請求項1又は請
    求項2記載の表面実装型発光ダイオード。
  4. 【請求項4】 前記凹部は、円形の前記底面から上部開
    口へ向かうに従って外側に拡がる円錐形状を成している
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記
    載の表面実装型発光ダイオード。
  5. 【請求項5】 前記凹部は、略球面の一部であることを
    特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の表
    面実装型発光ダイオード。
  6. 【請求項6】 前記凹部は、略放物面の一部であること
    を特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の
    表面実装型発光ダイオード。
  7. 【請求項7】 前記凹部は、反射膜により被覆されてい
    ることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに
    記載の表面実装型発光ダイオード。
  8. 【請求項8】 前記カバー板は、透明ガラス又は透明樹
    脂で形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求
    項7のいずれかに記載の表面実装型発光ダイオード。
  9. 【請求項9】 前記カバー板は、シート状又は平板状に
    形成されていることを特徴とする請求項8記載の表面実
    装型発光ダイオード。
  10. 【請求項10】 前記カバー板には、レンズが形成され
    ていることを特徴とする請求項8記載の表面実装型発光
    ダイオード。
  11. 【請求項11】 請求項1乃至請求項10のいずれかに
    記載の表面実装型ダイオードを製造する方法において、
    前記発光素子の少なくとも一面に、前記蛍光体、若しく
    は着色剤のいずれか一方、又は両方を含有した樹脂をイ
    ンクジェット方式により塗布する工程を有することを特
    徴とする表面実装型発光ダイオードの製造方法。
JP2001360045A 2001-11-26 2001-11-26 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3768864B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001360045A JP3768864B2 (ja) 2001-11-26 2001-11-26 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US10/303,006 US6774406B2 (en) 2001-11-26 2002-11-25 Light emitting diode device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001360045A JP3768864B2 (ja) 2001-11-26 2001-11-26 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003163381A true JP2003163381A (ja) 2003-06-06
JP3768864B2 JP3768864B2 (ja) 2006-04-19

Family

ID=19170938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001360045A Expired - Fee Related JP3768864B2 (ja) 2001-11-26 2001-11-26 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6774406B2 (ja)
JP (1) JP3768864B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005039100A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Works Ltd 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
JP2005159263A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
WO2006008883A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki 反射形光学式検出器
KR100646155B1 (ko) 2005-04-14 2006-11-14 주식회사 코스텍시스 발광다이오드 모듈
KR100646405B1 (ko) * 2004-07-27 2006-11-23 서울반도체 주식회사 히트 씽크 일체형 발광 다이오드
JP2009171904A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Panasonic Corp 発光ダイオード照明器具
US7728507B2 (en) * 2005-09-30 2010-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component provided with metallic injected-molded carrier
KR101923713B1 (ko) * 2012-03-09 2018-11-29 서울바이오시스 주식회사 발광소자 패키지

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
JP4288481B2 (ja) * 2003-10-02 2009-07-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US7239080B2 (en) * 2004-03-11 2007-07-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd LED display with overlay
WO2005101489A2 (de) * 2004-04-16 2005-10-27 Lucea Ag Gehäuse für led-chip und lichtquelle
CN100544042C (zh) * 2004-10-13 2009-09-23 松下电器产业株式会社 发光光源及其制造方法以及发光装置
USD536308S1 (en) 2004-10-19 2007-02-06 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
USD521946S1 (en) * 2004-10-19 2006-05-30 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
USD521947S1 (en) * 2004-10-19 2006-05-30 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
TWD110645S1 (zh) * 2004-10-19 2006-05-01 羅姆電子股份有限公司 發光二極體
TWD110646S1 (zh) * 2004-10-19 2006-05-01 羅姆電子股份有限公司 發光二極體
USD521950S1 (en) * 2004-10-19 2006-05-30 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
TWD110644S1 (zh) * 2004-10-19 2006-05-01 羅姆電子股份有限公司 發光二極體
USD521463S1 (en) * 2004-10-19 2006-05-23 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
USD544847S1 (en) * 2004-10-19 2007-06-19 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode
TWD110647S1 (zh) * 2004-10-19 2006-05-01 羅姆電子股份有限公司 發光二極體
JP2007027278A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
USD531140S1 (en) * 2005-11-14 2006-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting semiconductor device
TWD127499S1 (zh) * 2005-12-21 2009-02-21 伊諾特有限公司 發光二極體之封裝殼
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
TWD117963S1 (zh) * 2006-04-05 2007-07-01 首爾半導體股份有限公司 發光二極體(led)
TWD127765S1 (zh) * 2006-04-05 2009-03-11 首爾半導體股份有限公司 發光二極體(led)
US9240524B2 (en) 2012-03-05 2016-01-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR101812741B1 (ko) * 2012-03-09 2018-01-30 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법
US9263658B2 (en) 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR20130104628A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 서울반도체 주식회사 Led 조명 모듈
CN104701446A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装体的制造方法
USD750578S1 (en) * 2014-09-30 2016-03-01 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
KR20160038568A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 (주)포인트엔지니어링 복수의 곡면 캐비티를 포함하는 칩 기판
USD750579S1 (en) * 2014-09-30 2016-03-01 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD757665S1 (en) * 2014-09-30 2016-05-31 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
USD757664S1 (en) * 2014-09-30 2016-05-31 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light emitting diode
KR20170064673A (ko) * 2015-12-02 2017-06-12 (주)포인트엔지니어링 칩기판
EP3405983B1 (en) * 2016-01-20 2021-03-10 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Methods for manufacturing of optoelectronic modules having fluid permeable channels
KR101902365B1 (ko) * 2016-11-04 2018-10-01 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스 및 그 제조방법
KR101827988B1 (ko) * 2016-11-04 2018-02-12 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판 및 그 제조방법 및 광 디바이스

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09270537A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Nichia Chem Ind Ltd 光電変換装置
JPH1146019A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びled表示器の形成方法
JPH11161197A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置
JP2000049415A (ja) * 1998-07-30 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子
JP2000082849A (ja) * 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JP2000269555A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2000340843A (ja) * 1999-05-28 2000-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード素子
JP2001036147A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2001298216A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体発光装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100662955B1 (ko) * 1996-06-26 2006-12-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
US6158837A (en) * 1997-09-19 2000-12-12 Xerox Corporation Printer having print mode for non-qualified marking material
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
WO2000058100A1 (fr) * 1999-03-29 2000-10-05 Seiko Epson Corporation Procede et dispositif de remplissage d'encre dans une cartouche
US6345891B1 (en) * 2000-07-31 2002-02-12 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for specifying ink volume in a multichamber ink container

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09270537A (ja) * 1996-04-01 1997-10-14 Nichia Chem Ind Ltd 光電変換装置
JPH1146019A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びled表示器の形成方法
JPH11161197A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置
JP2000049415A (ja) * 1998-07-30 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子
JP2000269555A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2000340843A (ja) * 1999-05-28 2000-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード素子
JP2001036147A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JP2000082849A (ja) * 1999-09-27 2000-03-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JP2001298216A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体発光装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005039100A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Works Ltd 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
JP2005159263A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
WO2006008883A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki 反射形光学式検出器
KR100646405B1 (ko) * 2004-07-27 2006-11-23 서울반도체 주식회사 히트 씽크 일체형 발광 다이오드
KR100646155B1 (ko) 2005-04-14 2006-11-14 주식회사 코스텍시스 발광다이오드 모듈
US7728507B2 (en) * 2005-09-30 2010-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component provided with metallic injected-molded carrier
JP2009171904A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Panasonic Corp 発光ダイオード照明器具
KR101923713B1 (ko) * 2012-03-09 2018-11-29 서울바이오시스 주식회사 발광소자 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
US6774406B2 (en) 2004-08-10
JP3768864B2 (ja) 2006-04-19
US20030102481A1 (en) 2003-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003163381A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US7291866B2 (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
JP4789350B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
US7846754B2 (en) High power light emitting diode package and method of producing the same
KR101162404B1 (ko) 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법
US7714342B2 (en) Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof
JP4747726B2 (ja) 発光装置
EP2479810B1 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
JP2003163378A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2002335020A (ja) 発光装置
CN102113139A (zh) 发光装置
JP2012134531A (ja) 発光装置
JP2007324417A (ja) 半導体発光装置とその製造方法
JPH10261821A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
US8987775B2 (en) Light emitting device package
JP4003866B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2004207367A (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
EP1900040B1 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
JP2009177188A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JPH05145121A (ja) 発光ダイオードの実装構造
KR100675204B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20180062713A (ko) 반도체 발광소자, 이를 제조하는 방법, 이를 이용한 반도체 발광소자 구조물 및 이를 제조하는 방법
JP2013026371A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050603

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3768864

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees