[go: up one dir, main page]

JP6966691B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置及び発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6966691B2
JP6966691B2 JP2017108248A JP2017108248A JP6966691B2 JP 6966691 B2 JP6966691 B2 JP 6966691B2 JP 2017108248 A JP2017108248 A JP 2017108248A JP 2017108248 A JP2017108248 A JP 2017108248A JP 6966691 B2 JP6966691 B2 JP 6966691B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
light
emitting device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017108248A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018206853A (ja
Inventor
泰気 湯浅
大典 岩倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2017108248A priority Critical patent/JP6966691B2/ja
Priority to KR1020180056312A priority patent/KR102537648B1/ko
Priority to EP18174548.0A priority patent/EP3410497B1/en
Priority to CN201810531983.XA priority patent/CN108987551B/zh
Priority to US15/993,014 priority patent/US10608150B2/en
Priority to TW107118456A priority patent/TWI766032B/zh
Publication of JP2018206853A publication Critical patent/JP2018206853A/ja
Priority to US16/799,017 priority patent/US11011685B2/en
Priority to US17/302,248 priority patent/US11637226B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6966691B2 publication Critical patent/JP6966691B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本開示は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
従来、自動車のテールランプ、信号機、液晶パネルのバックライト、等の光源として、赤色ＬＥＤが多くの分野で使用されている。一方で、４元系材料によって構成される赤色ＬＥＤは、緑色ＬＥＤや青色ＬＥＤよりも温度特性が悪く、高温における出力低下が大きいことが知られている。
そこで、近年、赤色ＬＥＤを用いずに、赤色光の発光効率を高めた発光装置が、提案されている。例えば、特許文献１では、青色ＬＥＤと赤色蛍光体を含有する蛍光体含有層との間に、青色光を反射する誘電体多層膜を設け、青色光によって赤色蛍光体を効率良く励起させることで、赤色光の発光効率を高めた発光装置が提案されている。
特開２０１４−１３０９１１号公報
しかしながら、上述の発光装置では、誘電体多層膜に対する青色光の入射角（０°〜９０°）が大きくなる程、誘電体多層膜を透過する青色光の割合が増えてしまう。このため、上述の発光装置を特に斜めから見た場合、蛍光体含有層が出射する赤色光と、誘電体多層膜を透過する青色光とが混ざることによって、赤色光の色純度が低くなることもある。
本開示に係る実施形態は、斜め方向から見ても、発光素子からの光抜けの少ない発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第２面と対向して配置される蛍光体層と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、前記蛍光体層と対向して配置される発光素子と、前記被覆層の少なくとも一部を覆う反射部材と、を備える。
本開示の実施形態に係る発光装置は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第１面と対向して配置される蛍光体層と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、前記透光性部材と対向して配置される発光素子と、前記被覆層の少なくとも一部を覆う反射部材と、を備える。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第２面と対向して配置される蛍光体層と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、を備える第１部材を準備する工程と、凹部を有する基台に、発光素子を実装する工程と、前記発光素子と、前記第１部材と、を接合する工程と、前記被覆層の少なくとも一部の側面を覆うように、前記凹部に反射部材を設ける工程と、を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第２面と対向して配置される蛍光体層と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、前記蛍光体層と対向して配置される発光素子と、を備える第２部材を準備する工程と、凹部を有する基台の上に、前記第２部材の前記発光素子を実装する工程と、前記被覆層の少なくとも一部の側面を覆うように、前記凹部に反射部材を設ける工程と、を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第１面と対向して配置される蛍光体層と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、前記透光性部材と対向して配置される発光素子と、を備える第３部材を準備する工程と、凹部を有する基台の上に、前記第３部材の前記発光素子を実装する工程と、前記被覆層の少なくとも一部の側面を覆うように、前記凹部に反射部材を設ける工程と、を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置によれば、斜め方向から見ても、発光素子からの光抜けを少なくすることができる。
第１実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の図１ＡにおけるＩＢ−ＩＢ線での断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の変形例の構成を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の変形例の構成を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の変形例の構成を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における誘電体多層膜形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における蛍光体層形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材個片化工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化部材配置工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における被覆層形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における被覆層分割工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における第１部材剥離工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における第１部材接合工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における反射部材配置工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例の手順を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における誘電体多層膜形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における蛍光体層形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における透光性部材個片化工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における個片化部材配置工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における被覆層形成工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における発光素子載置工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における被覆層分割工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における第２部材剥離工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における発光素子実装工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における反射部材配置工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第２実施形態に係る発光装置の図１１ＡにおけるＸＩＢ−ＸＩＢ線での断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における誘電体多層膜形成工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における蛍光体層形成工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材個片化工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化部材配置工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における被覆層形成工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子載置工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における被覆層分割工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における第３部材剥離工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造方法における反射部材配置工程を示す断面図である。 ＥＣＥ規格と色度座標との関係を示す図である。 波長と光強度との関係を示す図である。 指向角と配光色度との関係を示す図である。 実施例１に係る発光装置の点灯時の外観を示す図である。 実施例２に係る発光装置の点灯時の外観を示す図である。 比較例１に係る発光装置の点灯時の外観を示す図である。
以下、実施形態に係る発光装置、及びその製造方法について説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。また、本明細書において、「上」、「下」などは構成要素間の相対的な位置を示すものであって、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
≪第１実施形態≫
＜発光装置の構成＞
まず、図１Ａ及び図１Ｂを参照して、第１実施形態に係る発光装置１００の構成について説明する。図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における第１実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。なお、図１Ａは、図１Ｂの断面図において各部材に施したハッチングに対応させて、同じハッチングを記載している。
発光装置１００は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材３と、透光性部材３の第２面と対向して配置される蛍光体層４と、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に配置される被覆層５と、蛍光体層４と対向して配置される発光素子１と、被覆層５の少なくとも一部を覆う反射部材６と、を備える。発光素子１は基台２に配置される。
発光素子１は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える。第１面は上面であり、第２面は下面であり、第３面は側面である。発光素子１の第１面は、蛍光体層４と対向して配置され、発光素子１の第２面は、基台２における凹部２３ａの底面２３ｂ上に配置され、発光素子１の第３面は、反射部材６に配置される。この発光素子１は、基台２に配置される配線と電気的に接続されて、青色光を出射する。
発光素子１は、平面視において、略正方形である。発光素子１は、平面視において、蛍光体層４と同じ面積あっても良いし、蛍光体層４より小さい面積であっても良い。なお、発光素子１は、平面視において、四角形、三角形、六角形、等の多角形であっても良いし、円形、楕円形、等であっても良い。
基台２は、凹部２３ａを有し、平面視において、外部形状及び凹部２３ａの内側となる内部形状が略正方形である。基台２は、例えば、セラミックス、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、等の材料によって形成される。なお、基台２は、凹部２３ａを有さない平板状であっても良い。
透光性部材３は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える。第１面は上面であり、第２面は下面であり、第３面は側面である。透光性部材３の第２面は、蛍光体層４と対向して配置され、透光性部材３の第３面は、被覆層５に配置される。また、透光性部材３の第２面と蛍光体層４との間には、誘電体多層膜７が配置される。誘電体多層膜７を設けることで蛍光体層４を透過した発光素子１からの光を外部に略漏らすことなく、蛍光体層４に戻すことができ、発光素子１からの漏れ光を効率良く蛍光体層４で波長変換することができる。
透光性部材３は、良好な透光性を有する材料によって形成されることが好ましく、当該材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、等が挙げられる。
蛍光体層４は、例えば、接合部材８を介して発光素子１と接合され、発光素子１が出射する青色光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射する。ここで、黄赤乃至赤色光とは、黄赤色から赤色までの波長範囲の色の光である。発光素子１が出射する青色光が、蛍光体層４に多く入射する程、蛍光体層４は、蛍光体を効率良く励起させて、黄赤乃至赤色光を、多く出射することができる。なお、蛍光体層４は、蛍光体と母材とを混合することで形成されても良いし、蛍光体のみで形成されても良い。
蛍光体層４の母材は、良好な透光性を有する材料であることが好ましく、当該材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、これらの変性樹脂、これらのハイブリッド樹脂、等が挙げられる。特に、シリコーン樹脂は、耐候性、耐熱性及び耐光性に優れるため、蛍光体層４の母材として用いられることが好ましい。
蛍光体層４が含有する蛍光体は、発光素子１が出射する青色光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射する材料である。蛍光体の材料としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ蛍光体（「ＣＡＳＮ蛍光体」）、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ蛍光体（「ＳＣＡＳＮ蛍光体」）、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ蛍光体（「ＫＳＦ蛍光体」）、等、又は、これらの組み合わせ等が挙げられる。
被覆層５は、蛍光体層４の側面、誘電体多層膜７の側面、及び透光性部材３の第３面に矩形環状に配置され、発光素子１が出射する青色光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射若しくは呈する。また、被覆層５は、誘電体多層膜７を透過する青色光を吸収する。被覆層５が、蛍光体層４の側面から透光性部材３の第３面までを覆うように配置されることで、青色光から黄赤乃至赤色光へと変換される光の割合は、増加する。これにより、誘電体多層膜７に対する入射角（０°〜９０°）が大きくなることで、誘電体多層膜７を透過する青色光の割合が増えても、発光素子１からの光抜けの少ない発光装置１００を実現できる。
被覆層５は、蛍光体層であっても良いし、顔料層であっても良い。被覆層５が蛍光体層である場合には、蛍光体は、青色光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射する。一方、被覆層５が顔料層である場合には、顔料は、青色光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を呈する。顔料自身は発光しない。なお、被覆層５に蛍光体が含有されている場合、蛍光体層４における蛍光体の密度は、被覆層５における蛍光体の密度より高いことが好ましい。
被覆層５の母材は、良好な透光性を有する材料であることが好ましく、当該材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、これらの変性樹脂、これらのハイブリッド樹脂、等が挙げられる。特に、シリコーン樹脂は、耐候性、耐熱性及び耐光性に優れるため、被覆層５の母材として用いられることが好ましい。
被覆層５が含有する蛍光体に用いられる材料としては、例えば、ＣＡＳＮ蛍光体、ＳＣＡＳＮ蛍光体、ＫＳＦ蛍光体等、又は、これらの組み合わせ等が挙げられる。また、被覆層５が含有する顔料に用いられる材料としては、例えば、ペリレン系顔料、チタンニッケルアンチモン系酸化物、これらの組み合わせ、等が挙げられる。
反射部材６は、被覆層５の少なくとも一部を覆うように配置されることが好ましい。発光素子１からの上方への光量を増やすことができるからである。図面においては被覆層５の上面を除いて側面及び下面を覆っている。基台２が凹部２３ａを有する場合には、反射部材６は、凹部２３ａに充填され、被覆層５を覆うことが、更に好ましい。反射部材６は、被覆層５が出射若しくは呈する黄赤乃至赤色光を、効率的に反射させることで、発光装置１００の光取り出し効率を高めることができる。
反射部材６の母材は、良好な透光性を有する材料であることが好ましく、当該材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーンハイブリッド樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、ユリア樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、等が挙げられる。
反射部材６が含有する光反射性物質は、母材との屈折率差が大きい材料であることが好ましく、例えば、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、等が挙げられる。特に、酸化チタンは、水分等に対して安定性が高く、熱伝導性にも優れるため、光反射性物質として用いられることが好ましい。なお、光反射性物質の平均粒径は、０．００１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．００１μｍ以上０．０５μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径を当該範囲とすることで、光散乱効果を高め、発光装置１００の光取り出し効率を高めることができる。
誘電体多層膜７は、透光性部材３と蛍光体層４との間に配置され、発光素子１が出射する青色光を、効率良く蛍光体層４又は被覆層５へと入射させる。即ち、誘電体多層膜７は、発光素子１が出射する青色光に対しては、高い反射率を有し、蛍光体層４が出射する黄赤乃至赤色光、又は被覆層５が出射若しくは呈する黄赤乃至赤色光に対しては、高い透過率を有する。誘電体多層膜７の青色光に対する反射率は、青色光の入射角が、０°以上３０°以下の範囲で、９０％以上であることが好ましく、青色光の入射角が、０°以上３０°以下の範囲で、９５％以上であることがより好ましい。
誘電体多層膜７は、少なくとも２種類以上の誘電体層が、交互に積層されることによって形成される。誘電体層に用いられる材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、等が挙げられる。なお、誘電体層の積層数は、特に限定されるものではない。
接合部材８は、発光素子１と蛍光体層４とを接合する。接合部材８は、蛍光体層４の母材と同じ材料によって形成されることが好ましい。これにより、蛍光体層４と接合部材８との屈折率差を小さくすることができるので、発光素子１が出射する青色光を、蛍光体層４へ多く入射させることができる。また、接合部材８は、良好な透光性を有する材料によって形成されることが好ましい。当該材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、等が挙げられる。
上述のように、第１実施形態に係る発光装置１００によれば、被覆層５が、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に配置される。被覆層５を設けず、透光性部材３の第３面を直接、反射部材６で覆うと、透光性部材３の第３面と反射部材６との界面付近から、発光素子１の光が外部に漏れる。それに対して、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を設けることにより、発光素子１からの光が外部に漏れることを防ぐことができる。これにより、斜め方向から見ても、発光素子からの光抜けが少なく、赤色を見る方向によって変わることなく表示できる発光装置１００にすることができる。
＜変形例＞
次に、図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｃを参照して、第１実施形態に係る発光装置１００における変形例について説明する。第１変形例では、図１に示した発光装置１００において、発光素子１と蛍光体層４との接合方法を変形させた発光装置１００Ａについて説明する。第２変形例では、図１に示した発光装置１００において、接合部材８の形状を変形させた発光装置１００Ｂについて説明する。第３変形例では、図１に示した発光装置１００において、反射部材６の構造を変形させた発光装置１００Ｃについて説明する。
（第１変形例）
図２Ａは、第１実施形態に係る発光装置１００の変形例の構成を示す断面図である。第１変形例に係る発光装置１００Ａについて、図２Ａを参照して説明する。
本変形例における発光装置１００Ａは、発光素子１と蛍光体層４とが直接接合される。発光素子１と蛍光体層４との間に、接合部材８を配置しないことで、発光素子１が出射する青色光が、接合部材８によって遮られ難くなるため、発光装置１００Ａにおける発光むらを低減させることができる。
直接接合の方法としては、例えば、表面活性化結合法、水酸基結合法、原子拡散結合法、等が挙げられる。表面活性化結合法は、接合面を真空中で処理することで化学結合し易い状態とし、各接合面を結合する方法である。水酸基結合法は、原子層堆積法等により接合面に水酸基を形成し、各接合面の水酸基を結合させる方法である。原子拡散結合法は、各接合面に、１原子層相当の膜厚の金属膜を形成し、真空中や不活性ガス雰囲気で各接合面を接触させることで金属原子を結合させる方法である。このような直接接合により、常温に近い環境下で、発光素子１と蛍光体層４とを一体化することができる。
（第２変形例）
図２Ｂは、第１実施形態に係る発光装置１００の変形例の構成を示す断面図である。第２変形例に係る発光装置１００Ｂについて、図２Ｂを参照して説明する。
本変形例における発光装置１００Ｂは、接合部材８Ｂが、発光素子１の第１面及び第３面に配置される。接合部材８Ｂは、発光素子１の第３面にも設けられ、フィレットを形成することで、発光素子１が出射する青色光を、蛍光体層４及び被覆層５へと入射させ易くすることができる。また、接合部材８Ｂは、発光素子１と蛍光体層４のみならず、発光素子１と被覆層５とを接合する。そのため、平面視において、発光素子１の面積が蛍光体層４の面積より小さい場合であっても、発光素子１が出射する青色光を、効率良く蛍光体層４又は被覆層５へと入射させることが可能になる。
また、発光素子１の第３面に配置される接合部材８Ｂは、フィレット部分が断面視において、略三角形である。当該形状とすることで、発光素子１が出射する青色光を、接合部材８Ｂと反射部材６との界面で、多く反射させることが可能になる。これにより、発光装置１００Ｂにおける発光効率を高め、発光輝度を向上させることができる。なお、接合部材８Ｂは、フィレット部分の大きさが、接合部材の量に応じて調整可能であり、発光素子１と、蛍光体層４及び被覆層５との接合面の濡れ性や粘度に応じて、適宜定められる。
（第３変形例）
図２Ｃは、第１実施形態に係る発光装置１００の変形例の構成を示す断面図である。第３変形例に係る発光装置１００Ｃについて、図２Ｃを参照して説明する。
本変形例における発光装置１００Ｃは、被覆層５と反射部材６との間に、保護層１０が設けられる。保護層１０は、反射部材６の光反射面において、被覆層５が出射若しくは呈する黄赤乃至赤色光を、効率良く反射させる。また、保護層１０は、光反射面の損傷、劣化を抑制すると共に、反射部材６の耐食性を向上させる。なお、保護層１０は、被覆層５と反射部材６との間に配置されるだけでなく、発光素子１と反射部材６との間に配置されていても構わない。
保護層１０は、反射率の高い材料で形成されることが好ましく、更に、耐食性の高い金属材料で形成されることが好ましい。保護層１０は、材料として、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、等が挙げられる。また、保護層１０は、膜厚が０．１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがより好ましい。膜厚を当該範囲とすることで、発光装置１００Ｃの光取り出し効率を高めつつ、反射部材６を保護することが可能になる。なお、本明細書において、反対側とは、第１面を表面とした場合に、表面に対する裏面である第２面を指すものとする。
＜発光装置の製造方法＞
次に、図３〜図６Ｃを参照して、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。なお、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後しても良い。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１部材準備工程（Ｓ２１）と、発光素子実装工程（Ｓ２２）と、第１部材接合工程（Ｓ２３）と、反射部材配置工程（Ｓ２４）と、を含む。第１部材準備工程（Ｓ２１）は、誘電体多層膜形成工程（Ｓ２０１）と、蛍光体層形成工程（Ｓ２０２）と、透光性部材個片化工程（Ｓ２０３）と、個片化部材配置工程（Ｓ２０４）と、被覆層形成工程（Ｓ２０５）と、被覆層分割工程（Ｓ２０６）と、第１部材剥離工程（Ｓ２０７）と、を含む。
第１部材準備工程（Ｓ２１）は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材３と、透光性部材３の第２面と対向して配置される蛍光体層４と、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に配置される被覆層５と、を備える第１部材を準備する工程である。
以下、第１部材準備工程（Ｓ２１）について、具体的に説明する。
図４Ａに示すように、誘電体多層膜形成工程（Ｓ２０１）は、透光性部材３の上に、誘電体多層膜７を形成する工程である。誘電体多層膜形成工程（Ｓ２０１）では、誘電体多層膜７は、透光性部材３の上に、少なくとも２種類以上の誘電体層として、スパッタリング法等で成膜されることにより形成される。
図４Ｂに示すように、蛍光体層形成工程（Ｓ２０２）は、誘電体多層膜７の上に、蛍光体層４を形成する工程である。蛍光体層形成工程（Ｓ２０２）では、蛍光体層４は、誘電体多層膜７の上に、赤色蛍光体が添加された樹脂が、スクリーン印刷法等で塗布されることにより形成される。
図４Ｃに示すように、透光性部材個片化工程（Ｓ２０３）は、誘電体多層膜７及び蛍光体層４が形成された透光性部材３を個片化する工程である。透光性部材個片化工程（Ｓ２０３）では、誘電体多層膜７及び蛍光体層４が形成された透光性部材３は、ブレードダイシング法やレーザダイシング法等で、個片化予定線ＢＤ１に沿って個片化される。
図５Ａに示すように、個片化部材配置工程（Ｓ２０４）は、個片化された部材を、所定間隔で熱剥離シート９に並べる工程である。個片化部材配置工程（Ｓ２０４）では、個片化された部材は、所定間隔で熱剥離シート９に並べられ、当該間隔は、次工程で形成される被覆層５の幅等を考慮して、適宜設定される。被覆層５の幅は、発光素子１の第３面に対して垂直方向における被覆層５の厚さを指す。
熱剥離シート９は、常温では粘着力を有し、被接着物を接着するが、加熱又は紫外線照射によって硬化することで、粘着力を喪失し、被接着物を剥離するシートである。従って、熱剥離シート９は、個片化部材配置工程（Ｓ２０４）〜被覆層分割工程（Ｓ２０６）が行われる間は、粘着力を有するが、第１部材剥離工程（Ｓ２０７）が行われる際には、粘着力を喪失する。なお、熱剥離シート９が加熱によって粘着力を喪失する場合、熱剥離シート９の剥離温度は、蛍光体層４及び被覆層５の母材として用いられる熱硬化性樹脂の硬化温度より高いことが好ましい。
図５Ｂに示すように、被覆層形成工程（Ｓ２０５）は、個片化された部材間に、被覆層５を形成する工程である。被覆層形成工程（Ｓ２０５）では、被覆層５は、ディスペンサを用いたポッティング法等によって、個片化された部材間が、赤色蛍光体又は赤色顔料を含有する樹脂で埋められることにより形成される。なお、被覆層５は、透光性部材３の上には形成されない。
図５Ｃに示すように、被覆層分割工程（Ｓ２０６）は、被覆層５を分割する工程である。被覆層分割工程（Ｓ２０６）では、被覆層５は、ブレードダイシング法やレーザダイシング法等で、分割予定線ＢＤ２に沿って分割される。平面視において分割予定線ＢＤ２は、露出している被覆層５の中央に設定されることが好ましい。
図５Ｄに示すように、第１部材剥離工程（Ｓ２０７）は、熱剥離シート９から、第１部材２１１を剥離する工程である。第１部材剥離工程（Ｓ２０７）では、熱剥離シート９は、加熱又は紫外線照射によって粘着力を喪失し、第１部材２１１を剥離する。以上で、第１部材準備工程（Ｓ２１）が終了する。
図６Ａに示すように、発光素子実装工程（Ｓ２２）は、凹部２３ａを有する基台２に、発光素子１を実装する工程である。発光素子実装工程（Ｓ２２）では、発光素子１の実装方法は、リフロー法を用いた半田によるフリップチップ実装が好ましい。
図６Ｂに示すように、第１部材接合工程（Ｓ２３）は、発光素子１と、第１部材２１１と、を接合する工程である。第１部材接合工程（Ｓ２３）では、接合部材８が、発光素子１の接合面及び／又は第１部材２１１の接合面に、塗布法等で形成され、各接合面は、接合部材８を介して接合される。
図６Ｃに示すように、反射部材配置工程（Ｓ２４）は、被覆層５の少なくとも一部の側面を覆うように、凹部２３ａに反射部材６を設ける工程である。反射部材配置工程（Ｓ２４）では、反射部材６は、凹部２３ａが、ディスペンサを用いたポッティング法等によって、光反射性物質を分散させた未硬化の樹脂で充填された後、当該樹脂が、ヒーターやリフロー炉等の加熱装置によって、所定温度で所定時間加熱されることにより形成される。なお、反射部材６は、透光性部材３及び被覆層５の上には形成されない。
基台２が凹部２３ａを有さず、平板状である場合には、反射部材６は、発光素子１を囲むように配置された枠体の内部が、光反射性物質を分散させた未硬化の樹脂で充填され、当該樹脂が所定温度で所定時間加熱された後、枠体が除去されることにより、形成される。
以上、説明したように上述の各工程を行うことにより、発光装置１００が製造される。なお、各工程は、必ずしも上述の順序で実施する必要はなく、例えば、発光素子実装工程（Ｓ２２）を実施した後に、第１部材準備工程（Ｓ２１）を実施しても良い。
＜変形例＞
次に、図７〜図１０を参照して、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例について説明する。第１実施形態に係る発光装置の製造方法では、個片化された部材の蛍光体層４を下向きにして、熱剥離シート９に並べて第１部材２１１を形成しているが、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例では、個片化された部材の透光性部材３を下向きにして、熱剥離シート９に並べて第２部材３１１を形成している。なお、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後しても良い。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例は、第２部材準備工程（Ｓ３１）と、発光素子実装工程（Ｓ３２）と、反射部材配置工程（Ｓ３３）と、を含む。第２部材準備工程（Ｓ３１）は、誘電体多層膜形成工程（Ｓ３０１）と、蛍光体層形成工程（Ｓ３０２）と、透光性部材個片化工程（Ｓ３０３）と、個片化部材配置工程（Ｓ３０４）と、被覆層形成工程（Ｓ３０５）と、発光素子載置工程（Ｓ３０６）と、被覆層分割工程（Ｓ３０７）と、第２部材剥離工程（Ｓ３０８）と、を含む。
第２部材準備工程（Ｓ３１）は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材３と、透光性部材３の第２面と対向して配置される蛍光体層４と、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に配置される被覆層５と、蛍光体層４と対向して配置される発光素子１と、を備える第２部材を準備する工程である。
以下、第２部材準備工程（Ｓ３１）について、具体的に説明する。なお、上述の第１実施形態に係る発光装置の製造方法と、共通する部分については、重複した説明を省略する。
図８Ａ〜図８Ｃに示す工程（Ｓ３０１〜Ｓ３０３）は、図４Ａ〜図４Ｃに示す工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０３）と同じであるため、上述の説明を参酌する。
図９Ａに示すように、個片化部材配置工程（Ｓ３０４）は、個片化された部材を、透光性部材３を下向きにして、所定間隔で熱剥離シート９に並べる工程である。個片化部材配置工程（Ｓ３０４）では、熱剥離シート９は、個片化部材配置工程（Ｓ３０４）〜被覆層分割工程（Ｓ３０７）が行われる間は、粘着力を有するが、第２部材剥離工程（Ｓ３０８）が行われる際には、粘着力を喪失する。
図９Ｂに示すように、被覆層形成工程（Ｓ３０５）は、個片化された部材間に、被覆層５を形成する工程である。被覆層形成工程（Ｓ３０５）では、被覆層５は、ディスペンサを用いたポッティング法等によって、個片化された部材間が、赤色蛍光体又は赤色顔料を含有する樹脂で埋められることにより形成される。なお、被覆層５は、蛍光体層４の上には形成されない。
図９Ｃに示すように、発光素子載置工程（Ｓ３０６）は、蛍光体層４の上に、発光素子１を載置する工程である。発光素子載置工程（Ｓ３０６）では、接合部材８が、発光素子１の接合面及び／又は蛍光体層４の接合面に、塗布法等で形成され、各接合面が、接合部材８を介して、接合されることにより、発光素子１は、蛍光体層４の上に載置される。
図９Ｄに示すように、被覆層分割工程（Ｓ３０７）は、被覆層５を分割する工程である。被覆層分割工程（Ｓ３０７）では、被覆層５は、ブレードダイシング法やレーザダイシング法等で、分割予定線ＢＤ３に沿って分割される。平面視において分割予定線ＢＤ３は、露出している被覆層５の中央に設定されることが好ましい。
図９Ｅに示すように、第２部材剥離工程（Ｓ３０８）は、熱剥離シート９から、第２部材３１１を剥離する工程である。第２部材剥離工程（Ｓ３０８）では、熱剥離シート９は、加熱又は紫外線照射によって粘着力を喪失し、第２部材３１１を剥離する。以上で、第２部材準備工程（Ｓ３１）が終了する。
図１０Ａに示すように、発光素子実装工程（Ｓ３２）は、凹部２３ａを有する基台２に、発光素子１を実装する工程である。発光素子実装工程（Ｓ３２）では、第２部材３１１は、発光素子１を下向きにして、凹部２３ａを有する基台２に、直接実装される。
即ち、第１実施形態に係る発光装置の製造方法では、発光素子１を単独で基台２に実装した後、発光素子１と第１部材２１１とを接合しているが、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例では、第２部材３１１を直接、基台２に実装している。
図１０Ｂに示すように、反射部材配置工程（Ｓ３３）は、被覆層５の少なくとも一部の側面を覆うように、凹部２３ａに反射部材６を設ける工程である。反射部材配置工程（Ｓ３３）では、反射部材６は、凹部２３ａが、ディスペンサを用いたポッティング法等によって、光反射性物質を分散させた未硬化の樹脂で充填された後、当該樹脂が、ヒーターやリフロー炉等の加熱装置によって、所定温度で所定時間加熱されることにより形成される。なお、反射部材６は、透光性部材３及び被覆層５の上には形成されない。
以上、説明したように上述の各工程を行うことでも、発光装置１００が製造される。
≪第２実施形態≫
＜発光装置の構成＞
次に、第２実施形態について、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して、発光装置２００の構成について説明する。なお、上述の第１実施形態と、共通する部分については、重複した説明を省略する。
図１１Ａは、第２実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図であり、図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ−ＸＩＢ線における第２実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
発光装置２００は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材３と、透光性部材３の第１面と対向して配置される蛍光体層４と、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に配置される被覆層５と、透光性部材３と対向して配置される発光素子１と、被覆層５の少なくとも一部を覆う反射部材６と、を備える。
発光素子１は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える。第１面は上面であり、第２面は下面であり、第３面は側面である。発光素子１の第１面は、透光性部材３と対向して配置され、発光素子１の第２面は、基台２における凹部２３ａの底面２３ｂに配置され、発光素子１の第３面は、反射部材６に配置される。
透光性部材３は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える。第１面は上面であり、第２面は下面であり、第３面は側面である。透光性部材３の第１面は、蛍光体層４と対向して配置され、透光性部材３の第２面は、発光素子１と対向して配置され、透光性部材３の第３面は、被覆層５に配置される。また、透光性部材３の第１面と蛍光体層４との間には、誘電体多層膜７が配置される。
蛍光体層４は、透光性部材３の第１面と対向して配置され、発光素子１が出射する青色光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射する。
被覆層５は、蛍光体層４の側面、誘電体多層膜７の側面、及び透光性部材３の第３面に矩形環状に配置され、発光素子１が出射する青色光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射若しくは呈する。また、被覆層５は、誘電体多層膜７を透過する青色光を吸収する。被覆層５が、蛍光体層４の側面から透光性部材３の第３面までを覆うように配置されることで、青色光から黄赤乃至赤色光へと変換される光の割合は、増加する。これにより、誘電体多層膜７に対する入射角（０°〜９０°）が大きくなることで、誘電体多層膜７を透過する青色光の割合が増えても、発光素子１からの光抜けの少ない発光装置２００を実現できる。
反射部材６は、被覆層５の少なくとも一部を覆うように配置される。図面においては被覆層５の上面を除いて側面及び下面を覆っている。反射部材６は、被覆層５が出射若しくは呈する黄赤乃至赤色光を、効率的に反射させることで、発光装置２００の光取り出し効率を高めることができる。
誘電体多層膜７は、透光性部材３と蛍光体層４との間に配置され、発光素子１が出射する青色光を、効率良く蛍光体層４又は被覆層５へと入射させる。
接合部材８は、発光素子１と透光性部材３とを接合する。接合部材８を、透光性部材３と同じ材料で形成する場合、透光性部材３と接合部材８との屈折率差を小さくすることができるので、発光素子１が出射する青色光を、蛍光体層４又は被覆層５へ多く入射させ、発光装置２００の光取り出し効率を高めることができる。
上述のように、第２実施形態に係る発光装置２００によれば、被覆層５が、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に配置される。これにより、斜め方向から見ても、発光素子からの光抜けが少なく、赤色を見る方向によって変わることなく表示できる発光装置２００にすることができる。
＜発光装置の製造方法＞
次に、図１２〜図１５Ｂを参照して、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。なお、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後しても良い。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法は、第３部材準備工程（Ｓ４１）と、発光素子実装工程（Ｓ４２）と、反射部材配置工程（Ｓ４３）と、を含むこととする。第３部材準備工程（Ｓ４１）は、誘電体多層膜形成工程（Ｓ４０１）と、蛍光体層形成工程（Ｓ４０２）と、透光性部材個片化工程（Ｓ４０３）と、個片化部材配置工程（Ｓ４０４）と、被覆層形成工程（Ｓ４０５）と、発光素子載置工程（Ｓ４０６）と、被覆層分割工程（Ｓ４０７）と、第３部材剥離工程（Ｓ４０８）と、を含むこととする。
第３部材準備工程（Ｓ４１）は、第１面と、第１面と反対側の第２面と、第１面及び第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材３と、透光性部材３の第１面と対向して配置される蛍光体層４と、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に配置される被覆層５と、透光性部材３と対向して配置される発光素子１と、を備える第３部材を準備する工程である。
以下、第３部材準備工程（Ｓ４１）について、具体的に説明する。なお、上述の第１実施形態に係る発光装置の製造方法、上述の第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例と、共通する部分については、重複した説明を省略する。
図１３Ａ〜図１３Ｃに示す工程（Ｓ４０１〜Ｓ４０３）は、図４Ａ〜図４Ｃに示す工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０３）と同じであるため、上述の説明を参酌できる。
図１４Ａに示すように、個片化部材配置工程（Ｓ４０４）は、個片化された部材を、蛍光体層４を下向きにして、所定間隔で熱剥離シート９に並べる工程である。個片化部材配置工程（Ｓ４０４）では、熱剥離シート９は、個片化部材配置工程（Ｓ４０４）〜被覆層分割工程（Ｓ４０７）が行われる間は、粘着力を有するが、第３部材剥離工程（Ｓ４０８）が行われる際には、粘着力を喪失する。
図１４Ｂに示すように、被覆層形成工程（Ｓ４０５）は、個片化された部材間に、被覆層５を形成する工程である。被覆層形成工程（Ｓ４０５）では、被覆層５は、ディスペンサを用いたポッティング法等によって、個片化された部材間が、赤色蛍光体又は赤色顔料を含有する樹脂で埋められることにより形成される。なお、被覆層５は、透光性部材３の上には形成されない。
図１４Ｃに示すように、発光素子載置工程（Ｓ４０６）は、透光性部材３の上に、発光素子１を載置する工程である。発光素子載置工程（Ｓ４０６）では、接合部材８が、発光素子１の接合面及び／又は透光性部材３の接合面に、塗布法等で形成され、各接合面が、接合部材８を介して、接合されることにより、発光素子１は、透光性部材３の上に載置される。
図１４Ｄに示すように、被覆層分割工程（Ｓ４０７）は、被覆層５を分割する工程である。被覆層分割工程（Ｓ４０７）では、被覆層５は、ブレードダイシング法やレーザダイシング法等で、分割予定線ＢＤ４に沿って分割される。平面視において分割予定線ＢＤ４は、露出している被覆層５の中央に設定されることが好ましい。
図１４Ｅに示すように、第３部材剥離工程（Ｓ４０８）は、熱剥離シート９から、第３部材４１１を剥離する工程である。第３部材剥離工程（Ｓ４０８）では、熱剥離シート９は、加熱又は紫外線照射によって粘着力を喪失し、第３部材４１１を剥離する。以上で、第３部材準備工程（Ｓ４１）が終了する。
図１５Ａに示すように、発光素子実装工程（Ｓ４２）は、凹部２３ａを有する基台２に、発光素子１を実装する工程である。発光素子実装工程（Ｓ４２）では、第３部材４１１は、発光素子１を下向きにして、凹部２３ａを有する基台２に、直接実装される。
図１５Ｂに示すように、反射部材配置工程（Ｓ４３）は、被覆層５の少なくとも一部の側面を覆うように、凹部２３ａに反射部材６を設ける工程である。反射部材配置工程（Ｓ４３）では、反射部材６は、凹部２３ａが、ディスペンサを用いたポッティング法等によって、光反射性物質を分散させた未硬化の樹脂で充填された後、当該樹脂が、ヒーターやリフロー炉等の加熱装置によって、所定温度で所定時間加熱されることにより形成される。なお、反射部材６は、蛍光体層４及び被覆層５の上には形成されない。
以上、説明したように上述の各工程を行うことにより、発光装置２００が製造される。≪実施例≫
第１実施形態に係る発光装置の製造方法によって、発光装置１００を作製した。被覆層５が蛍光体層である発光装置１００を、実施例１とした。被覆層５が顔料層である発光装置１００を、実施例２とした。被覆層５以外の構成要素（発光素子１、基台２、透光性部材３、蛍光体層４、反射部材６、誘電体多層膜７、接合部材８）は、実施例１と実施例２とで、等しく形成した。
実施例１及び実施例２における各構成要素の詳細を、以下に示す。
〔発光素子１〕
個数：１個実装
種類：約４４５ｎｍに発光ピーク波長を有する青色ＬＥＤ
平面視における外形寸法：１辺（縦×横）が８００μｍの正方形
高さ：１５０μｍ
〔基台２〕
材料：セラミックス
平面視における外形寸法：１辺（縦×横）が３．０ｍｍの正方形
平面視における内形寸法：１辺（縦×横）が２．３ｍｍの正方形
〔透光性部材３〕
材料：ガラス
平面視における外形寸法：１辺（縦×横）が１．１５ｍｍの正方形
形状：平板状
厚さ：１５０μｍ
〔蛍光体層４〕
母材：ジメチルシリコーン樹脂（商品名ＫＪＲ−９２０１「信越化学工業株式会社」、含有量３５質量％）
蛍光体：ＣＡＳＮ（３８１−７７、ピーク波長６６０ｎｍ、中粒径、含有量６５質量％）
平面視における外形寸法：１辺（縦×横）が１．１５ｍｍの正方形
厚さ：６８μｍ
〔被覆層５〕
《実施例１（蛍光体層）》
母材：シリコーン樹脂（商品名ＳＣＲ１０１１−Ｈ２「信越化学工業株式会社」、１００ｐｈｒ）
蛍光体：ＣＡＳＮ（型番３８１−７７、１００ｐｈｒ）
フィラー：シリカ（型番９９９−１０１、含有量０．５質量％）
平面視における外形寸法：１辺（縦×横）が１．３５ｍｍの正方形
平面視における内形寸法：１辺（縦×横）が１．１５ｍｍの正方形
厚さ：２００μｍ
《実施例２（顔料層）》
母材：シリコーン樹脂（商品名ＳＣＲ１０１１−Ｈ２「信越化学工業株式会社」、１００ｐｈｒ）
顔料：チタンイエロー「石原産業」（ＴＹ−５０、５０ｐｈｒ）
フィラー：シリカ（型番９９９−１０１、含有量０．５質量％）
平面視における外形寸法：１辺（縦×横）が１．３５ｍｍの正方形
平面視における内形寸法：１辺（縦×横）が１．１５ｍｍの正方形
厚さ：２００μｍ
〔反射部材６〕
母材：シリコーン樹脂（含有量６２．５質量％）
光反射性物質：酸化チタン（粒径０．５μｍ、含有量３７．５質量％）
加熱温度：約１５０℃
加熱時間：約４時間
〔誘電体多層膜７〕
全体の厚さ：２μｍ
１層目：ＳｉＯ２，膜厚３３．８４ｎｍ
２層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚１９．９４ｎｍ
３層目：ＳｉＯ２，膜厚８５．０１ｎｍ
４層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚３５．８２ｎｍ
５層目：ＳｉＯ２，膜厚９２．４５ｎｍ
６層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚３９．３１ｎｍ
７層目：ＳｉＯ２，膜厚７３．９２ｎｍ
８層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚４８．３１ｎｍ
９層目：ＳｉＯ２，膜厚５９．８６ｎｍ
１０層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚３２．６５ｎｍ
１１層目：ＳｉＯ２，膜厚５１．１４ｎｍ
１２層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚３８．０８ｎｍ
１３層目：ＳｉＯ２，膜厚６５．５７ｎｍ
１４層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚４７．５７ｎｍ
１５層目：ＳｉＯ２，膜厚７９．５４ｎｍ
１６層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚４７．８９ｎｍ
１７層目：ＳｉＯ２，膜厚７９．５７ｎｍ
１８層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚４９．５１ｎｍ
１９層目：ＳｉＯ２，膜厚７８．６９ｎｍ
２０層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚５０．６４ｎｍ
２１層目：ＳｉＯ２，膜厚７８．５８ｎｍ
２２層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚５１．５５ｎｍ
２３層目：ＳｉＯ２，膜厚６９．５２ｎｍ
２４層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚５５．３３ｎｍ
２５層目：ＳｉＯ２，膜厚７６．９４ｎｍ
２６層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚４５．９１ｎｍ
２７層目：ＳｉＯ２，膜厚７３．８３ｎｍ
２８層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚４７．５８ｎｍ
２９層目：ＳｉＯ２，膜厚７７．９７ｎｍ
３０層目：Ｎｂ２Ｏ５，膜厚２１．５１ｎｍ
３１層目：ＳｉＯ２，膜厚１８７．１６ｎｍ
〔接合部材８〕
材料：シリコーン樹脂
平面視における外形寸法：１辺（縦×横）が１．１５ｍｍの正方形
厚さ：１０μｍ
≪比較例≫
実施例に係る発光装置と比較するため、比較例に係る発光装置を作製した。被覆層５を有さない発光装置を、比較例１とした。構成要素（発光素子１、基台２、透光性部材３、蛍光体層４、反射部材６、誘電体多層膜７、接合部材８）は、実施例１及び実施例２と、等しく形成した。比較例１における各構成要素の詳細は、上述の通りである。
≪評価≫
実施例に係る発光装置（実施例１、実施例２）及び比較例に係る発光装置（比較例１）を評価した。評価結果を、以下に示す。
Figure 0006966691
表１は、実施例１、実施例２及び比較例１における色度座標、全光束、ドミナント波長、ピーク波長の測定結果を示す表である。
“ｘ”は、色度座標におけるｘ座標を示し、“ｙ”は、色度座標におけるｙ座標を示し、“φｖ［ｌｍ］”は、実施例１、実施例２及び比較例１が発光する光の明るさを示し、“λｄ［ｎｍ］”は、実施例１、実施例２及び比較例１が発光する光の色を、人の目で感じる色として数値化した波長を示し、“λｐ［ｎｍ］”は、実施例１、実施例２及び比較例１が発光する光の中で、光スペクトルの出力が最も高い波長を示している。
φｖの値は、比較例１が最も大きかった。また、λｄの値及びλｐの値は、実施例１が最も大きく、実施例２が最も小さかった。従って、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を配置することで、発光装置の明るさは、若干低下することがわかった。また、実施例２は、黄色寄りの光を発光し、実施例１は、深赤寄りの光を発光することがわかった。
図１６は、表１に示す実施例１、実施例２及び比較例１におけるｘｙ色度座標を、実際にプロットした図である。
図１６において、実線は、ＥＣＥ規格を示し、太線の丸は、実施例１を示し、細線の丸は、実施例２を示し、二重鎖線の丸は、比較例１を示している。ここで、ＥＣＥ規格とは、日本を含む主要各国が採用している配光、色度、等に関する統一規格であり、発光装置におけるｘｙ色度座標が、実線（ＥＣＥ規格）に近い程、発光装置における赤色光の色純度が高いことを示している。
図１６に示すように、実施例１の色度座標が、ＥＣＥ規格に最も近く、比較例１の色度座標が、ＥＣＥ規格から最も遠かった。従って、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を配置することで、発光装置における赤色光の色純度を高められることがわかった。
図１７は、実施例１、実施例２及び比較例１における波長と光強度との関係を示すグラフである。縦軸は、光強度［ａ．ｕ．（任意単位）］を示し、横軸は、波長［ｎｍ］を示している。図１７において、太線は、実施例１を示し、細線は、実施例２を示し、二重鎖線は、比較例１を示している。
図１７に示すように、青色光の強度は、比較例１が最も強かった。従って、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を配置することで、発光装置における青色光の光抜けを低減できることがわかった。
図１８は、実施例１、実施例２及び比較例１における指向角と配光色度との関係を示すグラフである。縦軸は、配光色度Δｘ（ｘｙ色度図上の変位量）を示し、横軸は、指向角［°］を示している。図１８において、太線は、実施例１を示し、細線は、実施例２を示し、二重鎖線は、比較例１を示している。
図１８に示すように、実施例１、実施例２及び比較例１において、指向角が大きくなる程、配光色度の絶対値は、大きくなり、特に、指向角が６０°以上になると、急激に、配光色度の絶対値は、大きくなった。また、指向角が０°から３０°付近までは、実施例１、実施例２及び比較例１間で、配光色度の絶対値に大きな差は無かったが、指向角が３０°付近から７５°付近までは、比較例１における配光色度の絶対値が、最も大きくなった。
従って、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を配置することで、発光装置における色度ずれを改善できることがわかった。また、指向角が７５°を超えてしまうと、被覆層５を配置してもしなくても、発光装置における色度ずれを改善できないことがわかった。
図１９Ａ〜図１９Ｃは、実施例１、実施例２及び比較例１を、１０ｍＡの駆動電流で点灯させた場合における、点灯時の外観を示す図である。
図１９Ａに示すように、実施例１は、ガラス（透光性部材３）の側面から、青色光の光抜けが少ないことがわかった。また、実施例１は、見た目の色ずれが少ないが、ガラスの中心とガラスの側面とで、若干の輝度ムラがあることがわかった。
図１９Ｂに示すように、実施例２は、ガラスの側面から、若干の青色光の光抜けがあることがわかった。また、実施例２は、ガラスの中心とガラスの側面とで、若干の輝度ムラがあることがわかった。
図１９Ｃに示すように、比較例１は、ガラスの側面から、青色光の光抜けがかなり多いことがわかった。また、比較例１は、光抜けした青色光が反射部材に反射することで、カラー画像で見ると、発光素子の周りが紫色に光って見えることがわかった。
従って、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を配置することで、発光装置における青色光の光抜けを低減できることがわかった。また、被覆層５が蛍光体層である発光装置は、最も色ずれを抑止できることがわかった。
上述の≪評価≫から、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を配置することで、発光装置における青色光の光抜けを低減し、赤色光の色純度を高められることがわかった。また、蛍光体層４の側面及び透光性部材３の第３面に被覆層５を配置することで、誘電体多層膜に対する青色光の入射角が大きくなってしまっても、発光素子からの光抜けを少なくすることができることがわかった。
以上、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
本開示の実施形態に係る発光装置は、車載用発光装置などに利用することができる。
１ 発光素子
２ 基台
３ 透光性部材
４ 蛍光体層
５ 被覆層
６ 反射部材
７ 誘電体多層膜
８、８ｂ 接合部材
９ 熱剥離シート
１０ 保護層
２３ａ 凹部
２３ｂ 底面
１００，２００ 発光装置
ＢＤ１ 個片化予定線
ＢＤ２ 分割予定線
ＢＤ３ 分割予定線
ＢＤ４ 分割予定線

Claims (13)

  1. 発光ピーク波長が青色の波長範囲である発光素子と、
    第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、
    前記透光性部材の前記第２面と対向し、前記発光素子と対向して配置される蛍光体層と、
    前記透光性部材と前記蛍光体層との間に配置され、前記発光素子からの光の少なくとも一部を反射する誘電体多層膜と、
    前記蛍光体層の側面と、前記誘電体多層膜の側面と、前記透光性部材の前記第３面とに配置される被覆層と、
    前記被覆層の側面及び下面、並びに、前記発光素子の側面を覆う反射部材と、を備え、
    前記被覆層は前記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射若しくは呈する発光装置。
  2. 前記透光性部材は、平板状である請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記蛍光体層と前記発光素子とは、直接接合される請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記蛍光体層と前記発光素子とは、接合部材を介して接合される請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  5. 前記発光素子は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備え、
    前記発光素子の前記第１面は、前記蛍光体層と対向し、
    前記接合部材は、前記発光素子の前記第１面及び前記発光素子の前記第３面に配置される請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記発光素子の前記第３面に配置される前記接合部材の断面形状は、略三角形である請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記発光装置は、さらに凹部を有する基台を備え、
    前記凹部の底面に前記発光素子が配置され、
    前記凹部に前記反射部材が充填される請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記反射部材と前記被覆層との間に、保護層を備える請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 平面視において、前記発光素子は、前記蛍光体層と同じ又は前記蛍光体層よりも小さい請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 発光ピーク波長が青色の波長範囲である発光素子と、
    第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備え、前記第２面が前記発光素子に対向する透光性部材と、
    前記透光性部材の前記第１面と対向して配置される蛍光体層と、
    前記透光性部材と前記蛍光体層との間に配置され、前記発光素子からの光の少なくとも一部を反射する誘電体多層膜と、
    前記蛍光体層の側面と、前記誘電体多層膜の側面と、前記透光性部材の前記第３面とに配置される被覆層と、
    前記被覆層の側面及び下面、並びに、前記発光素子の側面を覆う反射部材と、を備え、
    前記被覆層は前記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射若しくは呈する発光装置。
  11. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第２面と対向して配置される蛍光体層と、前記透光性部材と前記蛍光体層との間に配置される誘電体多層膜と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、を備える第１部材を準備する工程と、
    凹部を有する基台に、発光ピーク波長が青色の波長範囲である発光素子を実装する工程と、
    前記発光素子と、前記第１部材と、を接合する工程と、
    前記被覆層の側面及び下面、並びに、前記発光素子の側面を覆うように、前記凹部に反射部材を設ける工程と、を含み、
    前記第１部材を準備する工程は、
    前記透光性部材の上に、前記発光素子からの光の少なくとも一部を反射する前記誘電体多層膜を形成する工程と、
    前記誘電体多層膜の上に、前記蛍光体層を形成する工程と、
    前記誘電体多層膜及び前記蛍光体層が形成された前記透光性部材を個片化する工程と、
    個片化された部材を、所定間隔で熱剥離シートに並べる工程と、
    前記個片化された部材間に、前記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射若しくは呈する前記被覆層を形成する工程と、
    前記被覆層を分割する工程と、
    前記熱剥離シートから、前記第１部材を剥離する工程と、を含む、発光装置の製造方法。
  12. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第２面と対向して配置される蛍光体層と、前記透光性部材と前記蛍光体層との間に配置される誘電体多層膜と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、前記蛍光体層と対向して配置され発光ピーク波長が青色の波長範囲である発光素子と、を備える第２部材を準備する工程と、
    凹部を有する基台の上に、前記第２部材の前記発光素子を実装する工程と、
    前記被覆層の側面及び下面、並びに、前記発光素子の側面を覆うように、前記凹部に反射部材を設ける工程と、を含み、
    前記第２部材を準備する工程は、
    前記透光性部材の上に、前記発光素子からの光の少なくとも一部を反射する前記誘電体多層膜を形成する工程と、
    前記誘電体多層膜の上に、前記蛍光体層を形成する工程と、
    前記誘電体多層膜及び前記蛍光体層が形成された前記透光性部材を個片化する工程と、
    個片化された部材を、前記透光性部材を下向きに所定間隔で熱剥離シートに並べる工程と、
    前記個片化された部材間に、前記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射若しくは呈する前記被覆層を形成する工程と、
    前記蛍光体層の上に、前記発光素子を載置する工程と、
    前記被覆層を分割する工程と、
    前記熱剥離シートから、前記第２部材を剥離する工程と、を含む発光装置の製造方法。
  13. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる第３面と、を備える透光性部材と、前記透光性部材の前記第１面と対向して配置される蛍光体層と、前記透光性部材と前記蛍光体層との間に配置される誘電体多層膜と、前記蛍光体層の側面及び前記透光性部材の前記第３面に配置される被覆層と、前記透光性部材と対向して配置され発光ピーク波長が青色の波長範囲である発光素子と、を備える第３部材を準備する工程と、
    凹部を有する基台の上に、前記第３部材の前記発光素子を実装する工程と、
    前記被覆層の側面及び下面、並びに、前記発光素子の側面を覆うように、前記凹部に反射部材を設ける工程と、を含み、
    前記第３部材を準備する工程は、
    前記透光性部材の上に、前記発光素子からの光の少なくとも一部を反射する前記誘電体多層膜を形成する工程と、
    前記誘電体多層膜の上に、前記蛍光体層を形成する工程と、
    前記誘電体多層膜及び前記蛍光体層が形成された前記透光性部材を個片化する工程と、
    個片化された部材を、前記蛍光体層を下向きに所定間隔で熱剥離シートに並べる工程と、
    前記個片化された部材間に、前記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して黄赤乃至赤色光を出射若しくは呈する前記被覆層を形成する工程と、
    前記透光性部材の上に、前記発光素子を載置する工程と、
    前記被覆層を分割する工程と、
    前記熱剥離シートから、前記第３部材を剥離する工程と、を含む発光装置の製造方法。
JP2017108248A 2017-05-31 2017-05-31 発光装置及び発光装置の製造方法 Active JP6966691B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017108248A JP6966691B2 (ja) 2017-05-31 2017-05-31 発光装置及び発光装置の製造方法
KR1020180056312A KR102537648B1 (ko) 2017-05-31 2018-05-17 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
EP18174548.0A EP3410497B1 (en) 2017-05-31 2018-05-28 Light-emitting device and method of manufacturing same
CN201810531983.XA CN108987551B (zh) 2017-05-31 2018-05-29 发光装置以及发光装置的制造方法
US15/993,014 US10608150B2 (en) 2017-05-31 2018-05-30 Light-emitting device and method of manufacturing same
TW107118456A TWI766032B (zh) 2017-05-31 2018-05-30 發光裝置及發光裝置之製造方法
US16/799,017 US11011685B2 (en) 2017-05-31 2020-02-24 Method of manufacturing light-emitting device
US17/302,248 US11637226B2 (en) 2017-05-31 2021-04-28 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017108248A JP6966691B2 (ja) 2017-05-31 2017-05-31 発光装置及び発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018206853A JP2018206853A (ja) 2018-12-27
JP6966691B2 true JP6966691B2 (ja) 2021-11-17

Family

ID=62455361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017108248A Active JP6966691B2 (ja) 2017-05-31 2017-05-31 発光装置及び発光装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10608150B2 (ja)
EP (1) EP3410497B1 (ja)
JP (1) JP6966691B2 (ja)
KR (1) KR102537648B1 (ja)
CN (1) CN108987551B (ja)
TW (1) TWI766032B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018169968A1 (en) 2017-03-16 2018-09-20 Invensas Corporation Direct-bonded led arrays and applications
TWI774927B (zh) * 2018-02-20 2022-08-21 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製作方法
US11169326B2 (en) 2018-02-26 2021-11-09 Invensas Bonding Technologies, Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects
US11256004B2 (en) 2018-03-20 2022-02-22 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct-bonded lamination for improved image clarity in optical devices
US11024220B2 (en) 2018-05-31 2021-06-01 Invensas Corporation Formation of a light-emitting diode display
JP7057508B2 (ja) * 2019-03-28 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7332881B2 (ja) 2019-09-30 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11762200B2 (en) 2019-12-17 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded optical devices
DE102020103070A1 (de) * 2020-02-06 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente und optoelektronisches bauelement
KR20220036670A (ko) * 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US20220165923A1 (en) * 2020-11-24 2022-05-26 Creeled, Inc. Cover structure arrangements for light emitting diode packages
EP4071809A1 (en) * 2021-04-07 2022-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Color conversion structure, display apparatus, and method of manufacturing the display apparatus
JP7513907B2 (ja) 2021-12-24 2024-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102022112418A1 (de) * 2022-05-18 2023-11-23 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung
US20240234642A1 (en) * 2023-01-05 2024-07-11 Creeled, Inc. Sidewall arrangements for light-emitting diode devices and related methods

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5521325B2 (ja) 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JPWO2011004795A1 (ja) 2009-07-07 2012-12-20 シーシーエス株式会社 発光装置
JP2011035198A (ja) 2009-08-03 2011-02-17 Ccs Inc Ｌｅｄ発光デバイスの製造方法
JP5139519B2 (ja) * 2009-09-01 2013-02-06 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光装置
US9112122B2 (en) 2010-04-13 2015-08-18 Konica Minolta Advanced Layers, Inc. Light-emitting device and method for manufacturing same
JP5553741B2 (ja) * 2010-12-22 2014-07-16 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2013065726A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
WO2014081042A1 (ja) 2012-11-26 2014-05-30 シチズン電子株式会社 発光装置
JP6163754B2 (ja) 2012-12-28 2017-07-19 日亜化学工業株式会社 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置
DE102013214896B4 (de) 2013-07-30 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements und eines optoelektronischen Bauelements, Konverterelement und optoelektronisches Bauelement
JP6269214B2 (ja) * 2014-03-19 2018-01-31 日亜化学工業株式会社 蛍光体板、発光装置及び蛍光体板の製造方法、発光装置の製造方法
JP6582382B2 (ja) 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6459354B2 (ja) 2014-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
KR102346798B1 (ko) * 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
JP6424738B2 (ja) * 2015-05-26 2018-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP6217705B2 (ja) * 2015-07-28 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102415331B1 (ko) * 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102537648B1 (ko) 2023-05-26
KR20180131399A (ko) 2018-12-10
JP2018206853A (ja) 2018-12-27
EP3410497A1 (en) 2018-12-05
TWI766032B (zh) 2022-06-01
TW201904096A (zh) 2019-01-16
CN108987551A (zh) 2018-12-11
CN108987551B (zh) 2023-09-15
US20210249571A1 (en) 2021-08-12
US20200194635A1 (en) 2020-06-18
US10608150B2 (en) 2020-03-31
US11637226B2 (en) 2023-04-25
US11011685B2 (en) 2021-05-18
EP3410497B1 (en) 2021-09-08
US20180351053A1 (en) 2018-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6966691B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7048873B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6089686B2 (ja) 発光装置
US11043615B2 (en) Light-emitting device having a dielectric multilayer film arranged on the side surface of the light-emitting element
JP2022107676A (ja) 発光素子及びその製造方法
CN109698189B (zh) 发光模块及集成型发光模块
JP6399017B2 (ja) 発光装置
JP2017130640A (ja) 発光装置
JP5332960B2 (ja) 発光装置
JP6959502B2 (ja) 発光装置
JP2014067774A (ja) 波長変換部材及び波長変換部材を用いた半導体発光装置
JP2017204623A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018107417A (ja) 発光装置
JP5678462B2 (ja) 発光装置
JP6426332B2 (ja) 発光装置
CN112582384A (zh) 发光装置的制造方法
JP2015230903A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210511

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210706

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210921

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211004

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6966691

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250