JP5486189B2 - 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
+2KΔZ(cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0)…(7)
ここで、KΔLは、2つの光束LB1,LB2の光路差ΔLに起因する位相差、ΔYは、反射型回折格子RGの+Y方向の変位、ΔZは、反射型回折格子RGの+Z方向の変位、pは回折格子のピッチ、nb,naは上述の各回折光の回折次数である。
その場合、式(7)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(9)が得られる。
上式(9)より、位相差φsymは光の波長に依存しないことがわかる。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(11)
上式(10)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(11)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
hC=(yC1−yC0)/φ ……(13)
hD=(xD1−xD0)/φ ……(15)
上式(12)、(13)からわかるように、ウエハステージWSTのピッチング量をφxとすると、ウエハステージWSTのピッチングに伴う、Yエンコーダ70A,70Cのアッベ誤差ΔAA、ΔACは、次式(16)、(17)で表せる。
ΔAC=hC・φx ……(17)
ΔAD=hD・φy ……(19)
CY=r’・ey’ …(20b)
ここで、ex’,ey’は、ウエハステージWSTにのった相対座標系(X’,Y’,θz’)におけるX’,Y’単位ベクトルで、基準座標系(X,Y,θz)におけるX,Y単位ベクトルex,eyと、次式(21)の関係がある。
CY=−(p−X)sinθz+(q−Y)cosθz ……(22b)
C2=−(p2−X)sinθz+(q2−Y)cosθz ……(23b)
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz ……(23c)
C4=X+p4・cosθz−q4・sinθz ……(24)
上式(24)において、p4、q4は、エンコーダEnc4のX座標値、Y座標値である。エンコーダEnc4のY座標値q4として前述のヘッド位置のキャリブレーションの際に取得した計測ビームの照射点の位置情報が、エンコーダEnc4のX座標値p4としては、計測ビームの照射点の設計上の位置情報が、メモリ34内からそれぞれ読み出されて用いられる。
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz …(23c)
C4= (p4−X)cosθz+(q4−Y)sinθz …(23d)
なお、4つめのエンコーダがYヘッドの場合には、理論式(23d)の代わりに次の理論式(23e)を用いた連立方程式(23b)(23c)(23e)を用いれば良い。
本実施形態では、ウエハステージWSTの3自由度(X,Y,θz)方向の位置座標を計測するために、常時、エンコーダシステム70A〜70Dを構成するXエンコーダ(ヘッド)及びYエンコーダ(ヘッド)の内、少なくとも1つのXヘッドと少なくとも2つのYヘッドを含む少なくとも3つのヘッドを使用している。そのため、ウエハステージWSTの移動に伴って使用するヘッドを切り換える際には、切り換えの前後でステージ位置の計測結果を連続につなぐために、3つのヘッドの組み合わせから別の3つのヘッドの組み合わせへと切り換える方式を採用している。この方式を、第1方式と呼ぶことにする。
CY4=−(p4−X)sinθz+(q4−Y)cosθz ……(25b)
ここで、(p3,q3),(p4,q4)はYヘッド64C3,64C4のX,Y設置位置(より正確には計測点(検出点)のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64C3,64C4のY設置位置は等しい(q3=q4)と仮定する。この仮定の下、上式(25a)(25b)より、次式(26)が得られる。
従って、後に停止される第1ヘッド64C3の計測値を上式(26)の右辺のCY3に代入して、左辺のCY4を求めることにより、新たに使用する第2ヘッド64C4の計測値を予測することができる。
ここで、(pA,qA)はYヘッド64AのX,Y設置位置(より正確には計測点のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64AのY設置位置qAは、Yヘッド64C3,64C4のY設置位置q3,q4と等しい(qA=q3=q4)と仮定する。
ただし、定数c=(p3−p4)/(qA−q3)と置いた。従って、Yヘッド64C3,64Aの計測値のそれぞれを上式(27)の右辺のCY3,CYAに代入して左辺のCY4を求めることにより、新たに使用するYヘッド64C4の計測値を予測することができる。
Claims (88)
- 実質的に所定の平面に沿って移動体を駆動する移動体駆動方法であって、
前記平面に実質的に平行な所定方向を周期方向とするグレーティングを有するスケールに計測ビームを照射し、前記グレーティングからのビームを受光するヘッドを含むエンコーダシステムを用いて前記平面に平行な面内における前記移動体の位置情報を計測するとともに、前記平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測装置を用いて計測し、前記エンコーダシステム及び前記計測装置による計測情報と、前記移動体の前記平面に垂直な方向に関する位置制御の基準となる基準面に対する前記スケールの面の前記平面に垂直な方向に関する位置の差に起因する、前記平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差の補正情報とに基づいて、前記平面に沿って前記移動体を駆動する工程と、
前記駆動する工程に先立って、前記位置の差を前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とに基づいて計測する工程と、を含む移動体駆動方法。 - 請求項1に記載の移動体駆動方法において、
前記スケールは、前記平面に実質的に平行な前記移動体の一面に配置されている移動体駆動方法。 - 請求項1又は2に記載の移動体駆動方法において、
前記計測する工程では、前記計測装置の計測値に基づいて、前記所定方向に関し前記平面に対して前記移動体を角度α傾斜させ、その傾斜前後の前記エンコーダシステムの計測値と前記計測装置で計測される前記角度αの情報とに基づいて、前記スケールの面の前記基準面に対する前記平面に垂直な方向に関する位置の差を算出する移動体駆動方法。 - 請求項3に記載の移動体駆動方法において、
前記計測装置として、複数の測長軸を有し、前記移動体の前記傾斜角を計測する干渉計を用いる移動体駆動方法。 - 移動面内で移動可能な移動体上に物体を載置する工程と;
前記物体に対してパターンを形成するため、請求項1〜4のいずれか一項に記載の移動体駆動方法により前記移動体を駆動する工程と;を含むパターン形成方法。 - パターン形成工程を含むデバイス製造方法であって、
前記パターン形成工程では、請求項5に記載のパターン形成方法を用いて物体上にパターンを形成するデバイス製造方法。 - エネルギビームの照射によって物体にパターンを形成する露光方法であって、
前記エネルギビームと前記物体との相対移動のために、請求項1〜4のいずれか一項に記載の移動体駆動方法を用いて、前記物体が載置される移動体を駆動する露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体と対向して設けられ、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報と、前記所定平面と直交する第3方向及び前記所定平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測装置の計測情報と、に基づいて、前記露光時に前記第3方向に関して前記物体の表面が一致する基準面と前記格子部の格子面との前記第3方向の位置の差に起因して生じる、前記所定平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するように前記所定平面内での前記移動体の位置を制御し、
前記基準面と前記格子面との前記第3方向の位置の差は、前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とに基づいて予め求められる露光方法。 - 請求項8に記載の露光方法において、
前記格子部は、前記移動体の表面に設けられ、かつ前記格子面と前記表面とで前記第3方向の位置が異なるとともに、前記移動体はその表面とほぼ面一に前記物体を保持可能である露光方法。 - 請求項8又は9に記載の露光方法において、
前記差及び前記傾斜角に基づいて、前記エンコーダシステムの計測情報又は前記移動体を位置決めする目標位置を補正する露光方法。 - 請求項8〜10のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記物体はマスクを介して前記エネルギビームで露光され、前記露光時、前記エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記移動体を駆動しつつ、前記基準面と前記格子面との前記第3方向の位置の差に起因して生じる、前記平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するように、前記差及び前記傾斜角に基づいて前記マスクの位置を制御する露光方法。 - 請求項8〜11のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基準面は、前記物体上にパターン像を生成する投影系の像面である露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体に前記物体を載置し、
前記物体が載置される前記移動体に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体と対向して設けられ、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報と、前記所定平面と直交する第3方向及び前記所定平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測装置の計測情報と、前記露光時に前記第3方向に関して前記物体の表面が一致する基準面と前記格子部の格子面との、前記第3方向に関する位置の差に起因して生じる、前記移動体の前記所定平面に対する傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するための第1補正情報を含む補正情報と、に基づいて、前記所定平面内での前記移動体の位置を制御し、
前記第3方向に関する前記基準面と前記格子面との間隔情報を、前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とを用いて求める露光方法。 - 請求項13に記載の露光方法において、
前記格子部は、前記移動体の表面に設けられ、かつ前記格子面と前記表面とで前記第3方向の位置が異なるとともに、前記移動体はその表面とほぼ面一に前記物体を保持可能である露光方法。 - エネルギビームで物体を露光する露光方法であって、
表面に格子面が保護部材に覆われた格子部が設けられるとともに、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体上に、前記表面とほぼ面一となる状態で前記物体を載置し、
前記移動体の表面が対向して配置されるヘッドユニットを有し、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムの計測情報と、
前記所定平面と直交する第3方向及び前記所定平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測装置の計測情報と、
前記第3方向に関する前記移動体の表面と前記格子部の格子面とのギャップに起因して生じる、前記所定平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するための第1補正情報を含む補正情報と、に基づいて、前記所定平面内での前記移動体の位置を制御し、
前記ギャップは、前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とに基づいて予め求められる露光方法。 - 請求項13〜15のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記ヘッドユニットと前記格子部との少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するための第2補正情報を含む露光方法。 - 請求項16に記載の露光方法において、
前記第2補正情報は、前記ヘッドユニットの少なくとも光学特性に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光方法。 - 請求項16又は17に記載の露光方法において、
前記第2補正情報は、前記格子部の平坦性と形成誤差との少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光方法。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記計測時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する第3補正情報を含む露光方法。 - 請求項19に記載の露光方法において、
前記異なる方向は、前記所定平面と直交する方向、前記所定平面と直交する軸の回りの回転方向、及び前記所定平面と平行な軸の回りの回転方向の少なくとも1つを含む露光方法。 - 請求項13〜20のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記エンコーダシステムは、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって前記移動体の位置情報を計測し、
前記補正情報は、前記計測で用いるヘッドの検出点の位置又は変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する第4補正情報を含む露光方法。 - 請求項21に記載の露光方法において、
前記第4補正情報は、前記ヘッドでの前記移動体の位置情報の計測方向と直交する方向に関する前記検出点の位置又は変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光方法。 - 請求項22に記載の露光方法において、
前記複数のヘッドは、前記計測方向と直交する方向に関して離れて配置され、前記エンコーダシステムでは、前記計測方向と直交する方向に関する前記移動体の位置に応じて前記計測に用いるヘッドが切り換わる露光方法。 - 請求項13〜23のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記エンコーダシステムでは、前記移動体の移動によって、前記計測に用いる前記ヘッドユニットのヘッドが切り換わり、
前記補正情報は、前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する第5補正情報を含む露光方法。 - 請求項13〜23のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記エンコーダシステムでは、前記移動体の移動によって、前記計測に用いる前記ヘッドユニットのヘッドが切り換わり、
前記切り換え前のヘッドによって計測される位置情報と、前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記切り換え後のヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する露光方法。 - 請求項25に記載の露光方法において、
前記切り換えの前後で前記移動体の位置が維持されるように前記切り換え後のヘッドによって計測されるべき位置情報が決定され、前記切り換えの前後で前記移動体の位置情報が連続的につながるように、前記切り換え後のヘッドによって計測される位置情報の初期値として前記決定された位置情報が設定される露光方法。 - 請求項24〜26のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向は、前記所定平面内の回転方向を含む露光方法。 - 請求項13〜23のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向する少なくとも3つのヘッドによって、前記第1方向、前記第2方向、及び前記所定平面内の回転方向に関する前記移動体の位置情報が計測されるとともに、前記移動体の移動によって、前記計測に用いる3つのヘッドが、その3つのヘッドと異なる少なくとも1つのヘッドを含む3つのヘッドに切り換わり、
前記切り換え時、前記切り換え前の3つのヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記切り換え後の3つのヘッドのうち前記切り換え前の3つのヘッドと異なる少なくとも1つのヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する露光方法。 - 請求項28に記載の露光方法において、
前記切り換えの前後で前記移動体の位置が維持されるように、前記切り換え後の少なくとも1つのヘッドによって計測されるべき位置情報が決定され、
前記切り換えの前後で前記移動体の位置情報が連続的につながるように、前記切り換え後の少なくとも1つのヘッドによって計測される位置情報の初期値として前記決定された位置情報が設定される露光方法。 - 請求項28又は29に記載の露光方法において、
前記切り換え前後の各ヘッドの検出点の前記所定平面に平行な面内の位置情報を用いて、前記切り換え後の少なくとも1つのヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する露光方法。 - 請求項24〜30のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記切り換えは、前記切り換え前のヘッド及び前記切り換え後のヘッドの両方が前記格子部と対向している状態で行われる露光方法。 - 請求項13〜31のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記補正情報に基づいて、前記エンコーダシステムの計測情報又は前記移動体を位置決めする目標位置を補正する露光方法。 - 請求項13〜32のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記物体はマスクを介して前記エネルギビームで露光され、前記露光時、前記エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記移動体を駆動しつつ、前記計測誤差を補償するように、前記補正情報に基づいて、前記移動体に代えて、又は前記移動体とともに前記マスクの位置を制御する露光方法。 - 請求項8〜33のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は、前記ヘッドでの前記移動体の位置情報の計測方向を長手方向として設けられ、前記ヘッドユニットは、前記計測方向と直交する方向に関して前記複数のヘッドが離れて配置される露光方法。 - 請求項8〜34のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は、前記第1方向を長手方向としかつ前記第2方向に離れて配置される一対の第1格子部と、前記第2方向を長手方向としかつ前記第1方向に離れて配置される一対の第2格子部とを有し、
前記ヘッドユニットは、前記第2方向に関して複数の第1ヘッドが離れて配置されかつ前記露光時に前記第1ヘッドが前記一対の第1格子部と対向する一対の第1ヘッドユニットと、前記1方向に関して複数の第2ヘッドが離れて配置されかつ前記露光時に前記第2ヘッドが前記一対の第2格子部と対向する一対の第2ヘッドユニットとを有する露光方法。 - 請求項8〜35のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記計測装置は、前記ヘッドユニットと同じ側に配置される複数のセンサのうち前記格子部と対向するセンサによって、前記第3方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測システムを含み、前記計測システムの計測情報に基づいて、前記移動体の前記第3方向の位置を制御する露光方法。 - 請求項36に記載の露光方法において、
前記計測システムは、前記格子部と対向する複数のセンサによって前記移動体の第3方向の位置情報、及び傾斜情報を計測する露光方法。 - 請求項36又は37に記載の露光方法において、
前記移動体の6自由度の方向の位置情報のうち、前記第1方向、前記第2方向、及び前記所定平面内の回転方向を含む3自由度の方向の位置情報が前記エンコーダシステムで計測され、残りの3自由度の方向の位置情報が前記計測システムで計測される露光方法。 - 請求項38に記載の露光方法において、
前記計測される6自由度の方向の位置情報に基づいて、少なくとも露光動作における前記移動体の位置を制御する露光方法。 - 請求項36〜39のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記物体の面位置情報の計測動作では、前記エンコーダシステム及び前記計測システムに加え、前記物体の前記第3方向の位置情報を計測する位置計測装置が用いられる露光方法。 - 請求項36〜40のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記物体のマークの検出動作では、前記エンコーダシステムと、前記マークを検出するマーク検出系とが用いられる露光方法。 - 請求項36〜41のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記計測装置は、前記移動体の少なくとも前記第1及び第2方向の位置情報を計測する干渉計システムを含み、
前記移動体を駆動するために、露光動作で前記エンコーダシステムの計測情報が用いられ、前記露光動作と異なる動作で前記干渉計システムの計測情報が用いられる露光方法。 - 請求項42に記載の露光方法において、
前記物体のマーク及び/又は面位置情報の検出動作では前記エンコーダシステムの計測情報が用いられる露光方法。 - 請求項42又は43に記載の露光方法において、
前記干渉計システムの計測情報の少なくとも一部は前記露光動作で用いられる露光方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項8〜44のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、前記移動体に載置された感応物体を露光し、該感応物体上にパターンを形成するデバイス製造方法。 - 実質的に所定の平面に沿って移動体を駆動する移動体駆動システムであって、
前記平面に実質的に平行な所定方向を周期方向とするグレーティングを有するスケールに計測ビームを照射して前記グレーティングからの光を受光し、前記平面に平行な面内における前記移動体の位置情報を計測するヘッドを含むエンコーダシステムと;
前記平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測装置と;
前記エンコーダシステム及び前記計測装置による計測情報と、前記移動体の前記平面に垂直な方向に関する位置制御の基準となる基準面に対する前記スケールの面の前記平面に垂直な方向に関する位置の差に起因する、前記平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差の補正情報とに基づいて、前記平面に沿って前記移動体を駆動する制御装置と;
前記基準面に対する前記スケールの面の前記平面に垂直な方向に関する位置の差を、前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とに基づいて計測する処理装置と;を備える移動体駆動システム。 - 請求項46に記載の移動体駆動システムにおいて、
前記スケールは、前記平面に実質的に平行な前記移動体の一面に配置されている移動体駆動システム。 - 請求項46又は47に記載の移動体駆動システムにおいて、
前記処理装置は、前記計測装置の計測値に基づいて、前記所定方向に関し前記平面に対して前記移動体を角度α傾斜させ、その傾斜前後の前記エンコーダシステムの計測値と前記計測装置で計測される前記角度αの情報とに基づいて、前記スケールの面の前記基準面に対する前記平面に垂直な方向に関する位置の差を算出する移動体駆動システム。 - 請求項48に記載の移動体駆動システムにおいて、
前記計測装置は、複数の測長軸を有し、前記移動体の前記傾斜角を計測する干渉計である移動体駆動システム。 - 物体が載置され、該物体を保持して移動面内で移動可能な移動体と;
前記物体に対するパターン形成のため、前記移動体を駆動する請求項46〜49のいずれか一項に記載の移動体駆動システムと;を備えるパターン形成装置。 - エネルギビームの照射によって物体にパターンを形成する露光装置であって、
前記物体に前記エネルギビームを照射するパターニング装置と;
請求項46〜49のいずれか一項に記載の移動体駆動システムと;を備え、
前記エネルギビームと前記物体との相対移動のために、前記移動体駆動システムによる前記物体が載置される移動体の駆動を行う露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体と;
前記物体が保持される前記移動体に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体と対向して設けられ、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと;
前記所定平面と直交する第3方向及び前記所定平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測装置と;
前記計測装置の計測情報と前記エンコーダシステムの計測情報とに基づいて、前記露光時に前記第3方向に関して前記物体の表面が一致する基準面と前記格子部の格子面との前記第3方向の位置の差に起因して生じる前記所定平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するように前記所定平面内での前記移動体の位置を制御する制御装置と;備え、
前記基準面と前記格子面との前記第3方向の位置の差は、前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とに基づいて予め求められる露光装置。 - 請求項52に記載の露光装置において、
前記格子部は、前記移動体の表面に設けられ、かつ前記格子面と前記表面とで前記第3方向の位置が異なるとともに、前記移動体はその表面とほぼ面一に前記物体を保持可能である露光装置。 - 請求項52又は53に記載の露光装置において、
前記差及び前記傾斜角に基づいて、前記エンコーダシステムの計測情報又は前記移動体を位置決めする目標位置を補正する露光装置。 - 請求項52〜54のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記物体はマスクを介して前記エネルギビームで露光され、前記露光時、前記エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記移動体を駆動しつつ、前記基準面と前記格子面との前記第3方向の位置の差に起因して生じる、前記平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するように、前記差及び前記傾斜角に基づいて前記マスクの位置を制御する露光装置。 - 請求項52〜55のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記物体上にパターン像を生成する投影系をさらに備え、前記基準面は、前記投影系の像面である露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持し、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体と;
前記物体が保持される前記移動体に格子部とヘッドユニットとの一方が設けられ、かつ他方が前記移動体と対向して設けられ、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと;
前記所定平面と直交する第3方向及び前記所定平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測装置と;
前記エンコーダシステム及び前記計測装置の計測情報と、前記露光時に前記所定平面と直交する第3方向に関して前記物体の表面が一致する基準面と前記格子部の格子面との、前記第3方向に関する位置の差に起因して生じる、前記移動体の前記所定平面に対する傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するための第1補正情報を含む補正情報とに基づいて、前記所定平面内での前記移動体の位置を制御する制御装置と;
前記第3方向に関する前記基準面と前記格子面との間隔情報を、前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とに基づいて検出する検出装置と;を備える露光装置。 - 請求項57に記載の露光装置において、
前記格子部は、前記移動体の表面に設けられ、かつ前記格子面と前記表面とで前記第3方向の位置が異なるとともに、前記移動体はその表面とほぼ面一に前記物体を保持可能である露光装置。 - エネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記物体を表面とほぼ面一に保持可能かつ前記表面に格子面が保護部材に覆われた格子部が設けられるとともに、少なくとも所定平面内で直交する第1及び第2方向に移動可能かつ前記所定平面に対して傾斜可能な移動体と;
前記移動体の表面が対向して配置されるヘッドユニットを有し、前記所定平面内での前記移動体の位置情報を計測するエンコーダシステムと;
前記所定平面と直交する第3方向及び前記所定平面に対する傾斜方向を含む複数の計測方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測装置と;
前記エンコーダシステムの計測情報と、前記計測装置の計測情報と、前記所定平面と直交する第3方向に関する前記移動体の表面と前記格子部の格子面とのギャップに起因して生じる、前記所定平面に対する前記移動体の傾斜角に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するための第1補正情報を含む補正情報とに基づいて、前記所定平面内での前記移動体の位置を制御する制御装置と;を備え、
前記ギャップは、前記エンコーダシステムの出力と前記計測装置の出力とに基づいて予め求められる露光装置。 - 請求項57〜59のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記ヘッドユニットと前記格子部との少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償するための第2補正情報を含む露光装置。 - 請求項60に記載の露光装置において、
前記第2補正情報は、前記ヘッドユニットの少なくとも光学特性に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光装置。 - 請求項60又は61に記載の露光装置において、
前記第2補正情報は、前記格子部の平坦性と形成誤差との少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光装置。 - 請求項57〜62のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記計測時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する第3補正情報を含む露光装置。 - 請求項63に記載の露光装置において、
前記異なる方向は、前記所定平面と直交する方向、前記所定平面と直交する軸の回りの回転方向、及び前記所定平面と平行な軸の回りの回転方向の少なくとも1つを含む露光装置。 - 請求項57〜64のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エンコーダシステムは、前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向するヘッドによって前記移動体の位置情報を計測し、
前記補正情報は、前記計測で用いるヘッドの検出点の位置又は変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する第4補正情報を含む露光装置。 - 請求項65に記載の露光装置において、
前記第4補正情報は、前記ヘッドでの前記移動体の位置情報の計測方向と直交する方向に関する前記検出点の位置又は変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光装置。 - 請求項66に記載の露光装置において、
前記複数のヘッドは、前記計測方向と直交する方向に関して離れて配置され、前記エンコーダシステムでは、前記計測方向と直交する方向に関する前記移動体の位置に応じて前記計測に用いるヘッドが切り換わる露光装置。 - 請求項57〜67のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エンコーダシステムでは、前記移動体の移動によって、前記計測に用いる前記ヘッドユニットのヘッドが切り換わり、
前記補正情報は、前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の変位に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する第5補正情報を含む露光装置。 - 請求項57〜67のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エンコーダシステムでは、前記移動体の移動によって、前記計測に用いる前記ヘッドユニットのヘッドが切り換わり、
前記切り換え前のヘッドによって計測される位置情報と、前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向に関する前記移動体の位置情報とに基づいて、前記切り換え後のヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する露光装置。 - 請求項69に記載の露光装置において、
前記切り換えの前後で前記移動体の位置が維持されるように前記切り換え後のヘッドによって計測されるべき位置情報が決定され、前記切り換えの前後で前記移動体の位置情報が連続的につながるように、前記切り換え後のヘッドによって計測される位置情報の初期値として前記決定された位置情報が設定される露光装置。 - 請求項68〜70のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記切り換え時の前記第1及び第2方向と異なる方向は、前記所定平面内の回転方向を含む露光装置。 - 請求項57〜67のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ヘッドユニットの複数のヘッドのうち前記格子部と対向する少なくとも3つのヘッドによって、前記第1方向、前記第2方向、及び前記所定平面内の回転方向に関する前記移動体の位置情報が計測されるとともに、前記移動体の移動によって、前記計測に用いる3つのヘッドが、その3つのヘッドと異なる少なくとも1つのヘッドを含む3つのヘッドに切り換わり、
前記切り換え時、前記切り換え前の3つのヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記切り換え後の3つのヘッドのうち前記切り換え前の3つのヘッドと異なる少なくとも1つのヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する露光装置。 - 請求項72に記載の露光装置において、
前記切り換えの前後で前記移動体の位置が維持されるように、前記切り換え後の少なくとも1つのヘッドによって計測されるべき位置情報が決定され、前記切り換えの前後で前記移動体の位置情報が連続的につながるように、前記切り換え後の少なくとも1つのヘッドによって計測される位置情報の初期値として前記決定された位置情報が設定される露光装置。 - 請求項72又は73に記載の露光装置において、
前記切り換え前後の各ヘッドの検出点の前記所定平面に平行な面内の位置情報を用いて、前記切り換え後の少なくとも1つのヘッドによって計測されるべき位置情報を決定する露光装置。 - 請求項68〜74のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記切り換えは、前記切り換え前のヘッド及び前記切り換え後のヘッドの両方が前記格子部と対向している状態で行われる露光装置。 - 請求項57〜75のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補正情報に基づいて、前記エンコーダシステムの計測情報又は前記移動体を位置決めする目標位置を補正する露光装置。 - 請求項57〜76のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記物体はマスクを介して前記エネルギビームで露光され、前記露光時、前記エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記移動体を駆動しつつ、前記計測誤差を補償するように、前記補正情報に基づいて、前記移動体に代えて、又は前記移動体とともに前記マスクの位置を制御する露光装置。 - 請求項52〜77のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は、前記ヘッドでの前記移動体の位置情報の計測方向を長手方向として設けられ、前記ヘッドユニットは、前記計測方向と直交する方向に関して前記複数のヘッドが離れて配置される露光装置。 - 請求項52〜78のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は、前記第1方向を長手方向としかつ前記第2方向に離れて配置される一対の第1格子部と、前記第2方向を長手方向としかつ前記第1方向に離れて配置される一対の第2格子部とを有し、
前記ヘッドユニットは、前記第2方向に関して複数の第1ヘッドが離れて配置されかつ前記露光時に前記第1ヘッドが前記一対の第1格子部と対向する一対の第1ヘッドユニットと、前記1方向に関して複数の第2ヘッドが離れて配置されかつ前記露光時に前記第2ヘッドが前記一対の第2格子部と対向する一対の第2ヘッドユニットとを有する露光装置。 - 請求項52〜79のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記計測装置は、前記ヘッドユニットと同じ側に配置される複数のセンサのうち前記格子部と対向するセンサによって、前記第3方向に関する前記移動体の位置情報を計測する計測システムを含み、
前記計測システムの計測情報に基づいて、前記移動体の第3方向の位置を制御する露光装置。 - 請求項80に記載の露光装置において、
前記計測システムは、前記格子部と対向する複数のセンサによって前記移動体の第3方向の位置情報、及び傾斜情報を計測する露光装置。 - 請求項80又は81に記載の露光装置において、
前記移動体の6自由度の方向の位置情報のうち、前記第1方向、前記第2方向、及び前記所定平面内の回転方向を含む3自由度の方向の位置情報が前記エンコーダシステムで計測され、残りの3自由度の方向の位置情報が前記計測システムで計測される露光装置。 - 請求項82に記載の露光装置において、
前記計測される6自由度の方向の位置情報に基づいて、少なくとも露光動作における前記移動体の位置を制御する露光装置。 - 請求項80〜83のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記物体の前記第3方向の位置情報を計測する位置計測装置をさらに備え、前記物体の面位置情報の計測動作では前記エンコーダシステム、前記計測システム、及び前記位置計測装置が用いられる露光装置。 - 請求項80〜84のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記物体のマークを検出するマーク検出系をさらに備え、前記マークの検出動作では前記エンコーダシステムと前記マーク検出系とが用いられる露光装置。 - 請求項80〜85のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記計測装置は、前記移動体の少なくとも前記第1及び第2方向の位置情報を計測する干渉計システムを含み、
前記移動体を駆動するために、露光動作で前記エンコーダシステムの計測情報が用いられ、前記露光動作と異なる動作で前記干渉計システムの計測情報が用いられる露光装置。 - 請求項86に記載の露光装置において、
前記物体のマーク及び/又は面位置情報の検出動作では前記エンコーダシステムの計測情報が用いられる露光装置。 - 請求項86又は87に記載の露光装置において、
前記干渉計システムの計測情報の少なくとも一部は前記露光動作で用いられる露光装置。
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US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
DE102009032210B4 (de) * | 2009-07-03 | 2011-06-09 | Kleo Ag | Bearbeitungsanlage |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110075120A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110085150A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2006057A (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method for correcting a position of an stage of a lithographic apparatus. |
CN102332856B (zh) * | 2010-07-14 | 2014-04-02 | 台达电子工业股份有限公司 | 编码器反馈位置的动态补偿装置及其动态补偿方法 |
US20120064460A1 (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-15 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method |
KR101158323B1 (ko) * | 2010-10-14 | 2012-06-26 | 주식회사 고영테크놀러지 | 기판 검사방법 |
WO2012073483A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | 株式会社ニコン | マーク検出方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
CN102538685A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-07-04 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 具有修正扭转误差功能的位移检测系统 |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
TW201336616A (zh) * | 2012-03-07 | 2013-09-16 | Chiuan Yan Technology Co Ltd | 運動平台回授控制系統 |
TWI573174B (zh) | 2012-03-08 | 2017-03-01 | 瑪波微影Ip公司 | 處理諸如晶圓的靶材之微影系統和方法 |
JP6381184B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法 |
CN104637395A (zh) * | 2013-11-13 | 2015-05-20 | 上海和辉光电有限公司 | 用于基板上的标识结构、基板以及形成基板的标识结构的方法 |
JP6544907B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2019-07-17 | 株式会社トプコン | 変位測定方法及び変位測定装置 |
CN111610696A (zh) | 2015-02-23 | 2020-09-01 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
EP3264030B1 (en) | 2015-02-23 | 2020-07-22 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method |
CN111208712A (zh) | 2015-02-23 | 2020-05-29 | 株式会社尼康 | 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 |
CN107430357B (zh) * | 2015-03-31 | 2021-02-05 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平面显示器的制造方法、元件制造方法、及曝光方法 |
JP6855009B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2021-04-07 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法 |
CN108139683B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-11-05 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
JP2018534623A (ja) | 2015-11-20 | 2018-11-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリント装置 |
US9916989B2 (en) * | 2016-04-15 | 2018-03-13 | Amkor Technology, Inc. | System and method for laser assisted bonding of semiconductor die |
CN109313018B (zh) * | 2016-06-08 | 2021-12-10 | 索尼公司 | 成像控制装置和方法、以及车辆 |
KR20180029145A (ko) * | 2016-09-09 | 2018-03-20 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
CN107883887B (zh) | 2016-09-30 | 2019-11-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光学测量装置和方法 |
CN107883884B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光学测量装置和方法 |
CN109791364B (zh) * | 2016-09-30 | 2021-04-27 | 株式会社尼康 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法 |
KR102296327B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2021-09-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 이동 방법, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN109791365B (zh) * | 2016-09-30 | 2021-07-23 | 株式会社尼康 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及元件制造方法 |
WO2018077873A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | Asml Netherlands B.V. | System and method for determining and calibrating a position of a stage |
US20190061558A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-02-28 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Systems and methods for sensing parameters on movers in linear motor systems |
KR101956839B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2019-03-13 | 주식회사 한화 | 링 레이저 공진기에 구비되는 거울 조립체 각도 오차 측정 장치 및 그 방법 |
US11360388B2 (en) * | 2018-03-19 | 2022-06-14 | Tokyo Electron Limited | Critical dimension correction via calibrated trim dosing |
CN108827153B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-07-10 | 广东省新材料研究所 | 一种喷枪用激光定位装置及其校准方法 |
CN111352303B (zh) * | 2018-12-21 | 2021-06-18 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 投影物镜波像差检测装置及方法、光刻机 |
JP2020112605A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびその制御方法、および、物品製造方法 |
US11626305B2 (en) * | 2019-06-25 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Sensor-based correction of robot-held object |
JP7328809B2 (ja) | 2019-07-01 | 2023-08-17 | キヤノン株式会社 | 検出装置、露光装置、および物品製造方法 |
KR102271053B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2021-06-30 | 고려대학교 산학협력단 | 수차를 야기하는 샘플 내의 타겟 오브젝트를 이미징하기 위한 초점 스캔 방식의 이미징 장치 |
JP7610346B2 (ja) * | 2019-11-01 | 2025-01-08 | テクセンドフォトマスク株式会社 | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 |
US11874144B2 (en) * | 2020-07-28 | 2024-01-16 | Li Lin | Displacement measurement system |
CN113552534B (zh) * | 2021-08-05 | 2022-02-01 | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 | 基于脉冲信号的旋转基线干涉仪相位标校方法 |
CN114459516B (zh) * | 2022-02-21 | 2023-07-28 | 清华大学深圳国际研究生院 | 一种绝对式六自由度光栅编码器 |
CN114460110B (zh) * | 2022-03-08 | 2023-06-06 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种伺服系统误差补偿方法 |
EP4484898A1 (en) * | 2023-06-29 | 2025-01-01 | Renishaw PLC | Encoder apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP2002090114A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
JP2002151405A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-24 | Asm Lithography Bv | リトグラフィー投影装置 |
Family Cites Families (189)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
US733174A (en) * | 1902-08-27 | 1903-07-07 | Godfrey Engel | Sand filter. |
US4215938A (en) * | 1978-09-28 | 1980-08-05 | Farrand Industries, Inc. | Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
JPS6027024A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 演算装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60119407A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 比較検査装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2704734B2 (ja) * | 1988-09-05 | 1998-01-26 | キヤノン株式会社 | ステージ位置決め補正方法及び装置 |
US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5070250A (en) | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
US5021649A (en) * | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP2784225B2 (ja) * | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3077149B2 (ja) * | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
US5523843A (en) * | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
DE4033556A1 (de) | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3149472B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
US5506684A (en) | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
DE4219311C2 (de) * | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05129184A (ja) | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP3282233B2 (ja) * | 1992-08-18 | 2002-05-13 | 株式会社ニコン | 距離測定装置、及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH06160069A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-07 | Nippon Seiko Kk | 精密位置決め装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5461237A (en) * | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
US5583609A (en) | 1993-04-23 | 1996-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JPH09223650A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
US5625453A (en) * | 1993-10-26 | 1997-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JP3544573B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2004-07-21 | オリンパス株式会社 | 光学式エンコーダ |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09115820A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
KR970067591A (ko) * | 1996-03-04 | 1997-10-13 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
JP3450580B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置および露光方法 |
JPH09318321A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 測長装置 |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5917580A (en) * | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
IL130137A (en) | 1996-11-28 | 2003-07-06 | Nikon Corp | Exposure apparatus and an exposure method |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH10223528A (ja) | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
JPH10209039A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
DE69829614T2 (de) | 1997-03-10 | 2006-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern |
JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH11121325A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-04-30 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP2000106340A (ja) * | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JP4210871B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6020964A (en) * | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3809268B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JPH11191585A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
JPH11233420A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置検出方法 |
EP1063742A4 (en) | 1998-03-11 | 2005-04-20 | Nikon Corp | ULTRAVIOLET LASER DEVICE AND EXPOSURE APPARATUS COMPRISING SUCH A ULTRAVIOLET LASER DEVICE |
US6008610A (en) | 1998-03-20 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Position control apparatus for fine stages carried by a coarse stage on a high-precision scanning positioning system |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
WO1999060361A1 (fr) | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Nikon Corporation | Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe |
AU4061099A (en) * | 1998-06-17 | 2000-01-05 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000068192A (ja) | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及び位置検出方法 |
JP3395142B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2003-04-07 | 住友重機械工業株式会社 | 光学系駆動装置 |
AU6122099A (en) * | 1998-10-14 | 2000-05-01 | Nikon Corporation | Shape measuring method and shape measuring device, position control method, stage device, exposure apparatus and method for producing exposure apparatus, and device and method for manufacturing device |
DE69943311D1 (de) | 1998-12-24 | 2011-05-12 | Canon Kk | Trägerplattesteuerungsvorrichtung, Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6924884B2 (en) * | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
US6381004B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4428781B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 光学式ロータリエンコーダ及びモータ制御装置 |
AU2001227690A1 (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Abbe error correction system and method |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
KR20010085493A (ko) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 시마무라 기로 | 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
US6639686B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-10-28 | Nanowave, Inc. | Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
CN1462471A (zh) * | 2000-09-21 | 2003-12-17 | 株式会社尼康 | 成像特性的测量方法和曝光方法 |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
JP4445705B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2010-04-07 | 1...リミテッド | 音場を作り出す方法および装置 |
JP4198338B2 (ja) | 2001-07-09 | 2008-12-17 | 株式会社 東北テクノアーチ | ステージ装置 |
JP2003031474A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
GB0130149D0 (en) * | 2001-12-18 | 2002-02-06 | Johnson Electric Sa | Electric motor |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2003197502A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Nikon Corp | 計測方法及び露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3890233B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 位置決めステージ装置、露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2003065428A1 (fr) | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information |
US6987555B2 (en) * | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN101349876B (zh) * | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004212243A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Canon Inc | 格子干渉型光学式エンコーダ |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
KR101516142B1 (ko) | 2003-05-06 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
US7025498B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
JP4254356B2 (ja) * | 2003-06-09 | 2009-04-15 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2005038874A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
KR101343720B1 (ko) | 2003-07-28 | 2013-12-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법 |
JP4524601B2 (ja) * | 2003-10-09 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
TW201738932A (zh) * | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
TWI295408B (en) * | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
JP2005252246A (ja) | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び方法、位置制御方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2005076325A1 (ja) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、位置制御方法並びにデバイス製造方法 |
JP4429037B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2005249452A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | リニアエンコーダ、画像読取装置及び画像記録装置 |
JP4622340B2 (ja) | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268608A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005310832A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Nikon Corp | ステージ制御方法、露光方法及びステージ装置 |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
GB0411837D0 (en) * | 2004-05-27 | 2004-06-30 | Leuven K U Res & Dev | A measurement configuration based on linear scales able to measure to a target also moving perpendicular to the measurement axis |
US7126109B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-10-24 | Gsi Group Corporation | Encoder scale error compensation employing comparison among multiple detectors |
JP4677833B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 |
JP4873242B2 (ja) | 2004-06-22 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
JP4677987B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
KR101285963B1 (ko) | 2004-09-17 | 2013-07-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP4852951B2 (ja) | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
EP1794650A4 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-10 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE |
JP4424739B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
TWI553703B (zh) * | 2004-11-18 | 2016-10-11 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
KR101280166B1 (ko) | 2004-11-25 | 2013-06-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2006179759A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Nikon Corp | 光学素子及び投影露光装置 |
JP4569291B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-10-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP4450739B2 (ja) | 2005-01-21 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
JP2006210570A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 調整方法、露光装置 |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7349069B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7405811B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7348574B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
US7978339B2 (en) * | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
KR101889245B1 (ko) | 2006-01-19 | 2018-08-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN101385122B (zh) | 2006-02-21 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 图案形成装置、标记检测装置、曝光装置、图案形成方法、曝光方法及组件制造方法 |
EP3293577A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-03-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
EP2813893A1 (en) * | 2006-02-21 | 2014-12-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2007097350A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 位置計測装置及び位置計測方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7602489B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7576832B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP4393540B2 (ja) | 2006-08-01 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 樹脂含有粒子の凝集体の製造方法、トナー、現像剤、現像装置および画像形成装置 |
KR101493661B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2015-02-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101638306B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2016-07-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법 |
KR101565275B1 (ko) | 2006-08-31 | 2015-11-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101452524B1 (ko) | 2006-09-01 | 2014-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101881716B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2018-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US7619207B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) * | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
KR101477833B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-12-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP2014160956A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Ricoh Co Ltd | 画像処理装置、画像処理方法、及び画像処理プログラム |
-
2007
- 2007-09-03 KR KR1020087026016A patent/KR101452524B1/ko not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP2002090114A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
JP2002151405A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-24 | Asm Lithography Bv | リトグラフィー投影装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013034014A (ja) * | 2006-09-01 | 2013-02-14 | Nikon Corp | 移動体駆動方法 |
JP2015180967A (ja) * | 2006-09-01 | 2015-10-15 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014150264A (ja) * | 2009-08-25 | 2014-08-21 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014212332A (ja) * | 2009-08-25 | 2014-11-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016106255A (ja) * | 2009-08-25 | 2016-06-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016128911A (ja) * | 2009-08-25 | 2016-07-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
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