JP4758889B2 - 有機発光素子 - Google Patents
有機発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4758889B2 JP4758889B2 JP2006511472A JP2006511472A JP4758889B2 JP 4758889 B2 JP4758889 B2 JP 4758889B2 JP 2006511472 A JP2006511472 A JP 2006511472A JP 2006511472 A JP2006511472 A JP 2006511472A JP 4758889 B2 JP4758889 B2 JP 4758889B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- light emitting
- anode
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 87
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 35
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 379
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 45
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 quinoline metal complex Chemical class 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,2-thiazole Chemical compound C1NSC=C1 YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWKLOMOIKCPLOY-UHFFFAOYSA-N 3,5-dinaphthalen-1-yl-1h-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(N3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MWKLOMOIKCPLOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIERSGULWXEJKL-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzoic acid Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C(O)=O RIERSGULWXEJKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGVWLHVMVQIQI-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenylthiadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=2C=CC=CC=2)SN=N1 QVGVWLHVMVQIQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-phenylphenyl)-n,n-bis[4-(4-phenylphenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 4-[(e)-(4-fluorophenyl)methylideneamino]-3-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CC1=NNC(=S)N1\N=C\C1=CC=C(F)C=C1 MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LGHMHEQXPCDYJG-UHFFFAOYSA-K aluminum;8-hydroxy-2-methyl-1h-quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C=CC(C)(C([O-])=O)NC2=C1O.C1=CC=C2C=CC(C)(C([O-])=O)NC2=C1O.C1=CC=C2C=CC(C)(C([O-])=O)NC2=C1O LGHMHEQXPCDYJG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzoquinoline Natural products C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWQNQSDKCINQQP-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)gallane Chemical compound C1=CN=C2C(O[Ga](OC=3C4=NC=CC=C4C=CC=3)OC=3C4=NC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 KWQNQSDKCINQQP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
無アルカリガラスの基板10上に、平均粒径500nmのシリカ粒子スラリーを塗布乾燥し、600℃で50分焼成した。基板10の表面の平均面粗さは約130nm、最大高低差は約2μmであった。この基板10の表面に、アセトン、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄、UV/O3洗浄を施し、この後に、基板10の表面にCrの膜を2200Åの厚みでスパッタし、さらにその上に厚み800ÅのAl膜を真空蒸着によって形成し、光散乱性かつ光反射性の電極(陰極2)を形成した。
厚み0.7mmの無アルカリ基板ガラス板からなる透明基板10の表面に、ITO薄膜をスパッタして、膜厚1100Å、シート抵抗12Ω/□の光透過性電極(陰極2)を形成した。このガラス基板10およびITOの陰極2を図11Aに示す形にエッチング及び切断した後、純水、アセトン、イソプロピルアルコールで各10分間超音波洗浄をし、次いでイソプロピルアルコール蒸気で2分間蒸気洗浄して乾燥し、さらに30分間UVオゾン洗浄した。
参考例2と同様に、陰極2と反対側の面に光散乱性かつ光反射性の要素6を形成した基板10を用い、参考例1に準じて有機発光素子を作製した。ただし、膜厚や層構成は次の通りである。すなわち、バソクプロインとCsのモル比1:1の共蒸着層からなる電子注入層を200Å、バソクプロインのみからなる電子輸送層を500Å、Alqとルブレンをルブレンの重量分率7%で共蒸着した発光層3を300Å、ホール輸送層を400Å、酸化バナジウムからなる電荷発生層4を100Å、バソクプロインとCsのモル比1:1の共蒸着層からなる電子注入層200Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、電荷発生層4を100Å、電子輸送注入層を200Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、ホール輸送層を800Åの順に積層し、最後に1Å/sの蒸着速度で100Å厚のAuを蒸着して、光透過性電極(陽極1)を形成することによって、3層の発光層3を備えた白色発光の有機発光素子を作製した(図4参照)。
旭電化工業株式会社製「アデカITO塗布液(ITO−L)」に平均粒径200nmのシリカ粒子を、ITOとシリカの重量比で20:1になるように添加混合して分散した。次にこの混合液を無アルカリガラス基板10の上にスピンコートし、160℃の大気中で5分乾燥した後、300℃で120分間焼成およびアニール処理を行った。この処理を3回繰り返すことによって、平均厚み5300ÅのITOシリカ混合膜を得た。次いで、この膜を研磨機によって研磨し、平均厚み4800Å、表面平均粗さ1.3nmに調整した。さらに、この基板10をイオン交換水を用いて洗浄した後、ITOシリカ混合膜の上にスパッタにより厚み200ÅのITO膜を成膜することによって、光散乱性かつ光透過性の電極(陽極1)を形成した。得られた陽極1のシート抵抗は、72Ω/□、基板10は全光線透過率69%、ヘーズ82%であった。
無アルカリガラスの基板10の上に、平均粒径500nmのシリカ粒子スラリーを塗布して乾燥した後、600℃で50分間焼成し、光散乱性かつ光透過性の要素7を形成した。この光散乱性かつ光透過性の要素7を形成した基板10の表面の平均面粗さは約130nm、最大高低差は約2μmであった。
参考例2と同様なITO薄膜の光透過性電極(陽極1)を形成したガラス基板10を用い、この基板10の陽極1の上に参考例4と同様にして各層の形成を行なった。次に、この基板10の陽極1と反対側の表面に、株式会社きもと製の光散乱シート「100−GM2」を、屈折率1.63のマッチングオイルを用いて貼り付けて光散乱性かつ光透過性の要素7を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した(図7において光散乱性かつ光透過性の要素7を基板10の外面に形成したもの参照)。
電子注入層の膜厚を50Åに変更した他は、参考例5と同様にして3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した(図7参照)。
参考例2と同様なITO薄膜の光透過性電極(陽極1)を形成したガラス基板10を用いた。そしてこの基板10を真空蒸着装置にセットし、図11Bに示す形状のマスク13を用いて、5×10−5Paの減圧下、α−NPDを1Å/sの蒸着速度で800Å厚に蒸着して、陽極1の上にホール輸送層を形成した。次にホール輸送層の上に、ジナフチルアントラセン誘導体(コダック製「BH−2」)にジスチリルアリーレン誘導体(化1)を4質量%ドープした層を500Å厚積層することによって、青色発光層3を設けた。次に発光層3の上に、バソクプロイン((株)同仁化学研究所製)とCsをモル比1:1で共蒸着して電子注入層を設けた。この電子注入層の形成は、図11Bのマスク13を用いて100Å厚に蒸着し、さらにこの上に20μm幅のラインと20μmのライン間隔を有するマスクを重ねて300Å厚に蒸着することによって行ない、電子注入層の上面に凹凸を形成した。次いで、この電子注入層の凹凸面に五酸化バナジウム(V2O5)を成膜速度2Å/sで100Å厚に蒸着し、光散乱性の電荷発生層4を形成した。この後、上記手順に基づき、ホール輸送層を700Å、発光層を500Å、電子注入層を200Å、さらに光散乱性の電荷発生層4を100Å、ホール輸送層を700Å、発光層3を500Å、電子注入層を200Å積層した。最後に陰極2としてAlを、図11Cに示す形の孔14あきのマスク15を用いてAlを4Å/sの成膜速度で800Å積層して、光反射性の電極(陰極2)を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を得た(図8参照)。
厚み0.7mmの無アルカリ基板ガラス板からなる透明基板10の表面に、ITO薄膜をスパッタして、膜厚1100Å、シート抵抗12Ω/□の光透過性電極(陽極1)を形成した。このガラス基板10およびITOの陽極1を図11Aに示す形にエッチング及び切断した後、純水、アセトン、イソプロピルアルコールで各10分間超音波洗浄をし、次いでイソプロピルアルコール蒸気で2分間蒸気洗浄して乾燥し、さらに30分間UVオゾン洗浄した。
電子注入層の膜厚を50Åに変更した他は、比較例1と同様にして3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した。
比較例1と同様のITO薄膜付きの基板10を用い、基板10のITO薄膜と反対側の面に1000Åの厚みのAl膜を蒸着して反射面を形成した。
比較例1と同様のITO薄膜付きの基板10を用い、基板10のITO薄膜と反対側の面に1000Åの厚みのAl膜を蒸着して反射面を形成した。
比較例1に準じて有機発光素子の作製を行なった。ただし、陰極2はITOを図11Cのマスク15を用いて対向ターゲット式スパッタ装置によって4Å/sで1000Åの厚みで積層して、光透過性電極として形成した。さらに、厚み0.4mmのガラスからなる光学スペーサ11の片面に厚み10000ÅのAl膜からなる光反射性要素8を設けて図11Dのように形成し、この光学スペーサ11を光反射性要素8と反対側の面で、陰極2の表面に屈折率1.5のマッチングオイルで貼付することによって、3層の発光層を備えた有機発光素子を得た(図9参照)。
実施例2に準じて有機発光素子の作製を行なった。ただし、電子注入層の膜厚を50Åに設定し、また、光反射性要素8付きの光学スペーサ11を、基板10の陽極1と反対側の表面に屈折率1.5のマッチングオイルで貼付するようにして、3層の発光層を備えた有機発光素子を得た(図10参照)。
比較例1に準じて有機発光素子を作製した。ただし、膜厚、層構成は以下の通りである。ホール輸送層を800Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、電子注入層を200Å、電荷発生層4を100Å、ホール輸送層を700Å、Alqとルブレンをルブレンの重量分率7%で共蒸着した発光層3を300Å、バソクプロインからなる電子輸送層を500Å、電子注入層を200Å、Alからなる陰極2を800Åに設定して、白色発光の有機発光素子を得た(図12参照)。
比較例5に準じて有機発光素子を作製した。ただし、陰極2はITOを図11Cのマスク15を用いて対向ターゲット式スパッタ装置によって4Å/sで1000Åの厚みで積層して、光透過性電極として形成した。さらに、図11Dの光学スペーサ11を陰極2の表面に屈折率1.5のマッチングオイルで貼付することによって、白色発光の有機発光素子を得た(図9参照)。
Claims (4)
- 陽極と陰極の間に複数の発光層を備え、各発光層が等電位面を形成する層もしくは電荷発生層で仕切られた有機発光素子において、
上記有機発光素子は、素子内部と素子外部の少なくとも一方に発光層で発光した光を散乱させる光散乱手段を備えると共に、
陽極と陰極のいずれか一方を光透過性電極で形成し、他方を光反射性電極で形成し、等電位面を形成する層もしくは電荷発生層を光散乱性に形成して、上記光散乱手段を構成した。 - 陽極と陰極の間に複数の発光層を備え、各発光層が等電位面を形成する層もしくは電荷発生層で仕切られた有機発光素子において、
陽極と陰極をともに光透過性電極で形成し、一方の光透過性電極の発光層と反対側に光反射性の要素を設けると共に、この光反射性の要素と発光層との間に光学的スペーサを設けることによって、光反射性の要素と発光層との距離を、実質的に光学干渉をしない距離である1μm〜1mmの範囲に設定した。 - 請求項2に記載の有機発光素子において、
複数の発光層は、少なくとも2種類の異なる発光色の発光層からなる。 - 請求項3に記載の有機発光素子において、
この有機発光素子の発光色は、白色である。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006511472A JP4758889B2 (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-23 | 有機発光素子 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004092618 | 2004-03-26 | ||
JP2004092618 | 2004-03-26 | ||
JP2006511472A JP4758889B2 (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-23 | 有機発光素子 |
PCT/JP2005/005224 WO2005094130A1 (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-23 | 有機発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005094130A1 JPWO2005094130A1 (ja) | 2008-02-14 |
JP4758889B2 true JP4758889B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=35056583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006511472A Expired - Fee Related JP4758889B2 (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-23 | 有機発光素子 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8339037B2 (ja) |
EP (2) | EP1734792B1 (ja) |
JP (1) | JP4758889B2 (ja) |
KR (1) | KR100848347B1 (ja) |
CN (1) | CN1961613B (ja) |
AT (1) | ATE532383T1 (ja) |
ES (2) | ES2380972T3 (ja) |
TW (1) | TWI261484B (ja) |
WO (1) | WO2005094130A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI577067B (zh) * | 2012-06-11 | 2017-04-01 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4742638B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-08-10 | 大日本印刷株式会社 | 拡散防止膜付積層体 |
EP1808909A1 (de) * | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
WO2007091548A1 (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7498603B2 (en) * | 2006-12-06 | 2009-03-03 | General Electric Company | Color tunable illumination source and method for controlled illumination |
KR100813850B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 |
JP5536977B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2014-07-02 | パナソニック株式会社 | 面発光体 |
US7911133B2 (en) * | 2007-05-10 | 2011-03-22 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
US8179034B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices |
KR100922758B1 (ko) * | 2008-02-20 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
JP5214284B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2273852A4 (en) * | 2008-04-22 | 2011-07-13 | Zeon Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENTS LIGHTING SOURCE |
JP5568224B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2014-08-06 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2010055926A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2011003522A (ja) * | 2008-10-16 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
US7957621B2 (en) | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
JP2010146893A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法 |
JP2010170969A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Asahi Glass Co Ltd | 電極付き基板、その製造方法、有機led素子およびその製造方法 |
KR101147428B1 (ko) | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
RU2527323C2 (ru) | 2009-05-08 | 2014-08-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Электролюминесцентное устройство |
WO2010141580A2 (en) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Solar-powered lighting module |
TWI394071B (zh) * | 2009-08-14 | 2013-04-21 | Au Optronics Corp | 有機發光二極體觸控面板及其製作方法 |
US8894458B2 (en) * | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
KR101801351B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2017-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치 |
JP5986992B2 (ja) * | 2010-06-14 | 2016-09-06 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | 有機発光素子 |
JP2012009359A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2012038876A1 (en) | 2010-09-22 | 2012-03-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-view display device |
KR101365824B1 (ko) | 2010-10-22 | 2014-02-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
DE102010063511A1 (de) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektrischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
WO2012128079A1 (ja) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | パナソニック株式会社 | 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び白色発光有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP6108664B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2017-04-05 | ローム株式会社 | 有機el装置 |
JP5998600B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2016-09-28 | 三菱レイヨン株式会社 | 光学フィルム及びそれを用いた光学装置 |
US9054338B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-06-09 | General Electric Company | OLED devices comprising hollow objects |
EP3428933B1 (en) * | 2011-09-30 | 2022-03-02 | View, Inc. | Improved optical device fabrication |
US8686634B2 (en) * | 2011-10-24 | 2014-04-01 | Htc Corporation | Organic light emitting display and method for manufacturing the same |
JP2013140679A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 有機el光源 |
DE102012202839B4 (de) * | 2012-02-24 | 2019-07-11 | Osram Oled Gmbh | Organische Leuchtdiode |
JP6110695B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR20130108028A (ko) | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
KR20130111154A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
JP6214077B2 (ja) | 2012-07-31 | 2017-10-18 | 株式会社Joled | 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法 |
JP6217642B2 (ja) | 2012-08-24 | 2017-10-25 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
JP2014078499A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-05-01 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子および発光装置 |
JP5758366B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2015-08-05 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子および発光装置 |
DE102012109258B4 (de) * | 2012-09-28 | 2020-02-06 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
GB2509065A (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-25 | Dupont Teijin Films Us Ltd Partnership | Method for reducing angular dependence on OLED light emission |
EP2983222A4 (en) | 2013-03-29 | 2016-09-28 | Konica Minolta Inc | MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENTS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
EP2980878B1 (en) | 2013-03-29 | 2019-05-01 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, and lighting device and display device which are provided with same |
WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
CN104124366A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104124373A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104183729A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104253226A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
WO2015064491A1 (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
US20150255029A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module |
CN103928634B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
GB2523859B (en) | 2014-08-01 | 2016-10-19 | Dupont Teijin Films U S Ltd Partnership | Polyester film assembly |
CN105449107B (zh) * | 2014-08-15 | 2018-08-10 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种顶发光oled器件及其制备方法 |
JP6573160B2 (ja) | 2014-09-17 | 2019-09-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子 |
KR102209107B1 (ko) | 2014-12-04 | 2021-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
US9761842B2 (en) * | 2014-12-19 | 2017-09-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces |
TWI663759B (zh) * | 2014-12-26 | 2019-06-21 | 財團法人工業技術研究院 | 上發光有機電激發光元件 |
US9843012B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-12-12 | Industrial Technology Research Institute | Top emitting organic electroluminescent devices |
JP5831654B1 (ja) | 2015-02-13 | 2015-12-09 | コニカミノルタ株式会社 | 芳香族複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
DE102015104793A1 (de) * | 2015-03-27 | 2016-09-29 | Osram Oled Gmbh | Organische Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode |
DE102015206745B4 (de) | 2015-04-15 | 2022-05-05 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Strahler und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6454226B2 (ja) | 2015-06-08 | 2019-01-16 | 出光興産株式会社 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器 |
EP3109916B1 (en) * | 2015-06-23 | 2021-08-25 | Novaled GmbH | Organic light emitting device comprising polar matrix, metal dopant and silver cathode |
CN104966789A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-10-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种电荷连接层及其制造方法、叠层oled器件 |
JP6788314B2 (ja) | 2016-01-06 | 2020-11-25 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置 |
JP6899502B2 (ja) | 2016-02-10 | 2021-07-07 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
DE102016103282A1 (de) * | 2016-02-24 | 2017-08-24 | Osram Oled Gmbh | Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements |
WO2018037791A1 (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
US20180097202A1 (en) * | 2016-10-03 | 2018-04-05 | Regents Of The University Of Michigan | Enhanced oled outcoupling by suppressing surface plasmon modes |
CN107507920B (zh) * | 2017-09-22 | 2024-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置 |
US12100696B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-09-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US11282981B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
JP6778706B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2020-11-04 | Lumiotec株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子、ディスプレイ装置、照明装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129375A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002110363A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 有機電界発光素子及びそれを用いた光電子素子 |
JP2002343574A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイス |
JP2003036969A (ja) * | 2000-10-25 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置 |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2004029466A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器および電気光学装置用基板の製造方法 |
JP2004127725A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Pioneer Electronic Corp | 有機elディスプレイ |
JP2004152751A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-05-27 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP2005183213A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその形成方法 |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1028489A (en) | 1911-11-06 | 1912-06-04 | Ernst F Priddat | Package-carrier and advertising device. |
US4752717A (en) * | 1984-08-27 | 1988-06-21 | Edwards Industries, Inc. | Shielded electroluminescent lamp |
JPS61156691A (ja) | 1984-12-27 | 1986-07-16 | シャープ株式会社 | 薄膜el素子 |
IT1241172B (it) | 1990-02-13 | 1993-12-29 | F Sistemi Automazioni Flessibi | Impianto di trasporto monorotaia e carrello motorizzato per tale impianto. |
JPH0542035A (ja) | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Mitsubishi Electric Home Appliance Co Ltd | ジヤー炊飯器 |
GB2261863B (en) | 1991-11-29 | 1995-02-22 | Fata Automation | Material conveyor system comprising powered trolleys on an overhead rail |
JP2846571B2 (ja) | 1994-02-25 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3635344B2 (ja) | 1994-10-28 | 2005-04-06 | 中西金属工業株式会社 | 自走車の走行補助装置 |
DE29509604U1 (de) | 1995-06-12 | 1995-08-24 | Siemens AG, 80333 München | Einrichtung zur Versorgung von Passanten mit Hörbotschaften |
US5814416A (en) * | 1996-04-10 | 1998-09-29 | Lucent Technologies, Inc. | Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices |
JPH10240171A (ja) | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
US6091197A (en) | 1998-06-12 | 2000-07-18 | Xerox Corporation | Full color tunable resonant cavity organic light emitting diode |
US6501098B2 (en) * | 1998-11-25 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device |
JP4136185B2 (ja) | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
US6777871B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-08-17 | General Electric Company | Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction |
TW527848B (en) | 2000-10-25 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting element and display device and lighting device utilizing thereof |
JP3892715B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2007-03-14 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
US6703780B2 (en) * | 2001-01-16 | 2004-03-09 | General Electric Company | Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same |
JP4611578B2 (ja) | 2001-07-26 | 2011-01-12 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003115377A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
JP3933915B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2007-06-20 | セイコーインスツル株式会社 | 反射層付き照明装置及び液晶表示装置 |
JP2003264085A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-09-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池 |
US7956349B2 (en) * | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP2003257662A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
US6670772B1 (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
JP2004039568A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Toyota Industries Corp | 照明装置及び表示装置 |
US7038373B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-05-02 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display |
JP3730971B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2006-01-05 | 株式会社トミー | El発光ディスプレイシステム |
US6965197B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
JP3910926B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 表示装置用透明基板の製造方法 |
CN1781339A (zh) * | 2003-03-25 | 2006-05-31 | 国立大学法人京都大学 | 发光元件以及有机电致发光元件 |
TW200506093A (en) * | 2003-04-21 | 2005-02-16 | Aviza Tech Inc | System and method for forming multi-component films |
KR101067092B1 (ko) * | 2003-04-24 | 2011-09-22 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 표시 장치 |
JP4163567B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2008-10-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光型表示装置 |
JP2005085571A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | エレクトロルミネッセンス材料 |
JP4703108B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2011-06-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
KR100990065B1 (ko) * | 2003-09-24 | 2010-10-26 | 후지필름 가부시키가이샤 | 전계 발광 소자 |
JP3928609B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2007-06-13 | セイコーエプソン株式会社 | ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)の保存方法 |
US7903055B2 (en) * | 2004-04-30 | 2011-03-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-emitting display |
TWI272039B (en) * | 2004-06-18 | 2007-01-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence panel |
JP2006139932A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Pentax Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
US7602118B2 (en) * | 2005-02-24 | 2009-10-13 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
JP4573672B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4645587B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 表示素子および表示装置 |
US7842406B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-11-30 | Global Oled Technology Llc | OLED device with substituted acridone compounds |
DE102008035110A1 (de) * | 2008-07-28 | 2010-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
FR2939241B1 (fr) * | 2008-11-28 | 2011-03-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un substrat nanostructure pour oled et procede de fabrication d'une oled |
TWI401992B (zh) * | 2008-12-01 | 2013-07-11 | Innolux Corp | 影像顯示裝置、影像顯示系統及其製造方法 |
TWI413443B (zh) * | 2009-09-24 | 2013-10-21 | Innolux Corp | 影像顯示系統 |
-
2005
- 2005-03-23 AT AT05726966T patent/ATE532383T1/de active
- 2005-03-23 ES ES05726966T patent/ES2380972T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-23 ES ES10173511T patent/ES2394073T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-23 EP EP05726966A patent/EP1734792B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-23 KR KR20067021207A patent/KR100848347B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-23 EP EP20100173511 patent/EP2254390B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-23 US US10/593,630 patent/US8339037B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-23 WO PCT/JP2005/005224 patent/WO2005094130A1/ja active Application Filing
- 2005-03-23 CN CN2005800171803A patent/CN1961613B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-23 JP JP2006511472A patent/JP4758889B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-25 TW TW94109377A patent/TWI261484B/zh active
-
2012
- 2012-11-19 US US13/680,638 patent/US9018834B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129375A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002110363A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 有機電界発光素子及びそれを用いた光電子素子 |
JP2003036969A (ja) * | 2000-10-25 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置 |
JP2002343574A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Eastman Kodak Co | 有機発光ダイオードデバイス |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2004029466A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器および電気光学装置用基板の製造方法 |
JP2004127725A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Pioneer Electronic Corp | 有機elディスプレイ |
JP2004152751A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-05-27 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
JP2005183213A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその形成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI577067B (zh) * | 2012-06-11 | 2017-04-01 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2005094130A1 (ja) | 2008-02-14 |
TW200534746A (en) | 2005-10-16 |
US8339037B2 (en) | 2012-12-25 |
CN1961613B (zh) | 2011-06-29 |
ES2394073T3 (es) | 2013-01-16 |
KR100848347B1 (ko) | 2008-07-25 |
KR20060127257A (ko) | 2006-12-11 |
CN1961613A (zh) | 2007-05-09 |
EP1734792A1 (en) | 2006-12-20 |
ES2380972T3 (es) | 2012-05-22 |
EP2254390A1 (en) | 2010-11-24 |
WO2005094130A1 (ja) | 2005-10-06 |
EP2254390B1 (en) | 2012-07-04 |
EP1734792B1 (en) | 2011-11-02 |
EP1734792A4 (en) | 2010-05-19 |
TWI261484B (en) | 2006-09-01 |
US9018834B2 (en) | 2015-04-28 |
US20080272689A1 (en) | 2008-11-06 |
ATE532383T1 (de) | 2011-11-15 |
US20130078749A1 (en) | 2013-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4758889B2 (ja) | 有機発光素子 | |
JP4966176B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
TWI501688B (zh) | 發光裝置、其製造方法、及含其之顯示器 | |
JP5452853B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5390850B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5698848B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR20110043722A (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP6168610B2 (ja) | 有機el照明パネル用基板、有機el照明パネルおよび有機el照明装置 | |
CN103460430B (zh) | 有机el元件及其制造方法 | |
JP4310995B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2006155940A (ja) | 調光調色特性を備えた有機el光源装置及び照明装置 | |
JP3967946B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP5791129B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP2010034042A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4785034B2 (ja) | El素子 | |
JP2004146121A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010033973A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4103531B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2008218320A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2011222310A (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR101373438B1 (ko) | 백색 유기전계발광소자 | |
US20150060799A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2011204646A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPWO2014087462A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及びこれに用いる有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれらに用いる光取出しシート | |
WO2012176584A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100802 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4758889 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |