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JP4758889B2 - 有機発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ、液晶表示機用バックライト、照明用光源、電飾、サイン用光源などに用いられる有機発光素子に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)と称される有機発光素子は、一般に、透明電極からなる陽極、ホール輸送層、有機発光層、電子注入層、陰極の順に、透明基板の片側の表面に積層した構成で形成されている。そして陽極と陰極の間に電圧を印加することによって、電子注入層を介して発光層に注入された電子と、ホール輸送層を介して発光層に注入されたホールとが、発光層内で再結合し、励起状態が生成して発光が起こり、発光層で発光したこの光は透明電極及び透明基板を通して取り出されるようになっている。
上記のような有機発光素子において、近年、高輝度発光で長寿命を達成するために、陽極と陰極の間に複数の有機発光層を積層すると共に、隣り合う各発光層の間に、電位面を形成する層、もしくは電荷発生層を設けるようにした、いわゆるマルチフォトン素子が提案されている(日本公開特許11−329748号公報、日本公開特許2003−45676号公報、日本公開特許2003−272860号公報、等参照)。
図12はこのようなマルチフォトン素子として形成される有機発光素子の構造の一例を示すものであり、陽極1と陰極2の間に複数の発光層3を、隣接する発光層3の間に等電位面を形成する層4もしくは電荷発生層4を介在させた状態で積層し、これを透明基板10の表面に積層したものであり、陽極1は光透過性の電極として、陰極2は光反射性の電極として形成してある。尚、図12において、発光層3の両側にはホール輸送層と電子注入層が設けられているが、ホール輸送層と電子注入層の図示は省略してある。そしてこのように複数層の発光層3を等電位面形成層もしくは電荷発生層4で仕切ることによって、複数の発光層3があたかも直列的に接続された状態で同時に発光し、各発光層3からの光が合算されることで、従来型の有機発光素子(有機EL素子)では実現不可能であった高い電流効率、量子効率を実現することができ、高輝度発光させることができるものである(日本公開特許2003−45676号公報、日本公開特許2003−272860号公報参照)。
ここで、有機発光素子は、光学波長オーダーの膜厚の薄膜デバイスであること、素子内に屈折率段差もしくは金属面等からなる反射面を備えること、高屈折率媒体の発光層で光が発光すること、がその構造の特徴として挙げられる。そしてこの構造によって、光干渉効果、全反射によって有機膜の発光層や基板、電極など、高屈折率媒体内への光の閉じ込め等の現象が生じ、この結果、発光輝度、発光スペクトルの角度依存性、膜厚依存性、および光利用効率の低下が観測される。この問題は上記の複数層の発光層を備えるマルチフォトン素子の有機発光素子においても生じるものである。光干渉効果は、それを適切に利用すれば、色純度の向上、指向性の制御等を実現することが可能であり、特にフラットパネルディスプレイ等の用途に有用である。例えば日本公開特許7−240277号公報及び日本公開特許2000−323277号公報には、発光層−光反射性の電極間の光学距離を1/4波長の偶数倍に調整することや、発光層−最大屈折率段差位置間の光学距離を1/4波長の偶数倍に調整することで、この波長を強調することが可能であることが記載されており、特に発光層−光反射性の電極間の光学距離が発光スペクトルに与える影響が大きいことが知られている。さらに上記の日本公開特許2003−272860号公報には、複数の発光層のそれぞれの発光位置から光反射性の電極までの光学膜厚をすべて1/4波長の奇数倍にすることで、最も高効率の発光が得られると共に、発光スペクトル形状が細くなることが記載されている。
しかし、上記のように発光層−光反射性の電極間の光学距離や、発光層−最大屈折率段差位置間の光学距離、つまり素子の膜厚の最適化によって色純度等の適正化を行なった有機発光素子では、膜厚が変化した際の発光輝度や発光色の変動が大きくなる。これはすなわち、有機発光素子の製造時の許容される膜厚ぶれが小さくなることを意味するものであり、生産性の問題に直結するものである。特に複数の発光層や等電位面形成層もしくは電荷発生層などを積層した構造の上記のような有機発光素子では、いずれかの層の膜厚異常が他の層の光学位置にさえも影響を及ぼすため、膜厚制御の精度や必然性がさらに増大することになる。
さらに上記の日本公開特開2003−272860号公報では、発光層−光反射性の電極間の光学距離を1/4波長の奇数(2n+1)[n=0,1,2…]倍に設定するが、nの値が大きくなるに伴なって、輝度やスペクトルの角度依存性が大きくなることが知られている。すなわち、発光層を一層のみ有する有機発光層では、概ねn=0に相当する光学長で膜厚設計がなされることが多いために、膜厚変化に対する発光輝度、発光色の変動は必ずしも大きくないが、上記のような複数層の発光層を備える有機発光素子においては、各発光層が1/4波長の2n+1倍の位置に必然的に位置するため、層数の増大に伴なって特定の波長がより顕著に強調され、発光層が本来有するスペクトルとは大きく異なる発光スペクトルを与えると同時に角度依存性が大きくなる問題を有するものである。
従って、等電位面形成層もしくは電荷発生層で仕切った複数層の複数の発光層を有する上記の有機発光素子は、確かに、従来型の有機発光素子では実現不可能であった高い電流効率、量子効率を実現することができるが、その発光スペクトルおよび角度依存性に関しては、必ずしも好ましい特性を有するものではない。
上記の日本公開特許2003−272860号公報には、このような問題を解決するために、複数の発光層を備える有機発光層において、発生した光の一部を光吸収手段で吸収させ、あるいは光乱反射手段で乱反射させることによって、光干渉効果が消失し、発光位置から光反射電極までの光学膜厚の調整が実質的に不要であるとの記載がある。しかしこの日本公開特許2003−272860号公報には、有機発光素子が有する角度依存性の問題については何ら言及がなく、依然として上記の問題は解決されていない。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができると共に、膜厚変動に対する発光輝度、発光色の変化が小さく、さらに光の利用効率を高くすることができる有機発光素子を提供することを目的とするものである。
本発明に係る有機発光素子は、陽極と陰極の間に複数の発光層を備え、各発光層が等電位面を形成する層もしくは電荷発生層で仕切られた有機発光素子において、素子内部と素子外部の少なくとも一方に発光層で発光した光を散乱させる光散乱手段を備えることを特徴とする。
本発明の有機発光素子は、発光層で発光した光を光散乱手段で散乱させた状態で出射させることによって、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものであり、この結果、膜厚変動に対する発光輝度、発光色の変化が小さくなり、さらに光の利用効率を高くすることができる。
あるいは、本発明に係る有機発光素子は、陽極と陰極の間に複数の発光層を備え、各発光層が等電位面を形成する層もしくは電荷発生層で仕切られた有機発光素子において、素子内部と素子外部の少なくとも一方に発光層で発光した光を散乱させる光散乱手段を備えると共に、陽極と陰極のいずれか一方を光透過性電極で形成し、他方を光反射性電極で形成し、等電位面を形成する層もしくは電荷発生層を光散乱性に形成して、上記光散乱手段を構成することを特徴とする。
あるいは、本発明に係る有機発光素子は、陽極と陰極の間に複数の発光層を備え、各発光層が等電位面を形成する層もしくは電荷発生層で仕切られた有機発光素子において、陽極と陰極をともに光透過性電極で形成し、一方の光透過性電極の発光層と反対側に光反射性の要素を設けると共に、この光反射性の要素と発光層との間に光学的スペーサを設けることによって、光反射性の要素と発光層との距離を、実質的に光学干渉をしない距離である1μm〜1mmの範囲に設定して成ることを特徴とする。
この場合、光反射性の要素と発光層を光学干渉しない距離に離すことによって、発光層で発光した光を干渉むらなどが発生することを防いだ状態で出射させることができ、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものであり、この結果、膜厚変動に対する発光輝度、発光色の変化が小さくなり、さらに光の利用効率を高くすることができるものである。
なお、上述の複数の発光層は、少なくとも2種類の異なる発光色の発光層からなるものでもよい。この場合、多くの色の有機発光素子を形成することが可能となる。
また、この有機発光素子の発光色が、白色であるのも好ましい。この場合、有機発光素子を液晶表示機用バックライトや照明用光源などに使用することができる。
参考例の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 参考例の他の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 参考例のさらに他の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 参考例のさらに他の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 参考例のさらに他の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 参考例のさらに他の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 参考例のさらに他の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 請求項の発明の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 請求項の発明の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 請求項の発明の他の実施の形態の一例を示す概略断面図である。 実施例、参考例及び比較例で用いる基板の平面図である。 実施例、参考例及び比較例で用いるマスクの平面図である。 実施例、参考例及び比較例で用いるマスクの平面図である。 実施例で用いる光学スペーサの概略断面図である。 従来例を示す概略断面図である。
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
図1は参考例の実施の形態の一例を示すものであり、陽極1と陰極2の間に複数の発光層3を、隣接する発光層3の間に等電位面を形成する層4もしくは電荷発生層4を介在させた状態で積層し、これを基板10の表面に積層してある。ここで、各発光層3の陽極1側には必要に応じてホール輸送層が、陰極2側には必要に応じて電子注入層が積層されているが、図1(後述の各図においても同じ)にはこれらのホール輸送層と電子注入層の図示は省略してある。また図1(後述の各図においても同じ)には三層の発光層3と二層の等電位面形成層4もしくは電荷発生層4の構成を示したが、図には一例を示すだけであり、層数はこれらに限定されるものでないのはいうまでもない。
そして図1の実施の形態では、陽極1は光反射性の電極として形成してあり、陰極2は光透過性の電極として形成してあるが、逆に陽極1を光透過性の電極として形成すると共に陰極2を光反射性の電極として形成するようにしてもよく、陽極1と陰極2を逆にして陰極2を基板10の表面に形成するようにしてもよい。
光反射性電極は、その材質や形成方法は特に限定されないものであり、本発明の効果の妨げにならない限り任意のものを用いることができるが、陰極2を光反射性電極として用いる場合には、例えばAl、Zr、Ti、Y、Sc、Ag、In、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属等の金属単体、もしくはこれらの金属の合金または酸化物、ハロゲン化物、あるいはこれらと特開平10−240171号公報等に記載されている金属ドーピング有機層の併用、などを挙げることができる。また陽極1を光反射性電極として用いる場合には、例えばAu、Pd、Pt等の金属などを用いることができる。また、インジウム−錫酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、錫酸化物、Au等の金属の極薄膜、導電性高分子、導電性の有機材料等による光透過性の電極と何らかの反射面を組み合わせて光反射性電極とすることも可能である。
光透過性電極についても、本発明の効果の妨げにならない限り任意のものを用いることができるものであり、例えばインジウム−錫酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、錫酸化物、Au等の金属の極薄膜、導電性高分子、導電性の有機材料、ドーパント(ドナーもしくはアクセプタ)含有有機層、およびこれらの積層体等を挙げることができる。
また発光層3に使用できる有機発光材料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体及び各種蛍光色素等があるが、これに限定されるものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を90〜99.5質量部、ドーピング材料を0.5〜10重量部含むようにすることも好ましい。また、前記化合物に代表される蛍光発光を生じる化合物のみならず、燐光発光を生じる燐光発光材料、およびそれらからなる部位を分子内の一部に有する化合物も好適に用いることができる。
ホール輸送層を構成するホール輸送材料としては、ホールを輸送する能力を有し、陽極1からのホール注入効果を有するとともに、発光層3に対して優れたホール注入効果を有し、また電子のホール輸送層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物を挙げることができる。具体的にはフタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエチレンジオキサイドチオフェン(PEDOT)等の導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、電子を輸送する能力を有し、陰極2からの電子注入効果を有するとともに、発光層3に対して優れた電子注入効果を有し、さらにホールの電子輸送層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物を挙げることができる。具体的には、フルオレン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、アントラキノジメタン等やそれらの化合物、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物としては、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリ(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム等があるが、これらに限定されるものではない。また含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等があるが、これらに限定されるものではない。さらに、ポリマー有機エレクトロルミネッセンス素子に使用されるポリマー材料も使用することができる。例えば、ポリパラフェニレン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体等である。
また、等電位面を形成する層4は、日本公開特許2003−45676号公報に記載されているように、電圧印加時に層内で厚さ方向にも、面方向にも電位差が実質的にない層を意味するものであり、具体的には比抵抗が1.0×102Ω・cm未満の物質からなるものである。既述のように有機発光素子では、陰極2側から発光層3に注入された電子と、陽極1側から発光層3に注入されたホールとが、発光層3内で再結合し、励起状態を生成して発光が起こるものであるが、複数の発光層3をこの等電位面形成層4で仕切ることによって、複数の各発光層3内でそれぞれ電子−ホール再結合が生じ、複数の発光を陽極1と陰極2の間で発生させることができるものである。
等電位面形成層4の材料としては、日本公開特許2003−45676号公報に記載されるものを用いることができ、特に限定されるものではないが、導電材料からなる層、透明性を有する程度の極薄の金属薄膜、誘電体と金属膜を積層してなる構造のもの、導電性有機物などを挙げることができる。具体的には、ITO、IZO、SnO2、ZnO2、Alの薄膜、Au/Bi22、フラーレン類、金属フタロシアニンなどがその例である。
また電荷発生層4は、日本公開特許2003−272860号公報に記載されているように、1.0×102Ω・cm以上の比抵抗を有する電気的絶縁層であり、電圧印加時に陰極2方向にホールを、陽極1方向に電子をそれぞれ注入する役割を果たす層である。そして複数の発光層3をこの電荷発生層4で仕切ることによって、陰極2と陽極1の間に挟まれた全ての層(発光層3や電荷発生層4など)が電気絶縁層から形成されているにも拘わらず、電荷発生層4で複数の発光層3が直列に接続されているように振る舞うことになり、複数の発光を陽極1と陰極2の間で発生させることができるものである。
電荷発生層4の材料としては、日本公開特許2003−272860号公報に開示されているものを用いることができ、特に限定されるものではないが、五酸化バナジウムや、例えば電荷移動錯体として、ラジカルカチオン状態の層とラジカルアニオン状態の層とが積層された構造のものを好ましく用いることができる。
そして図1の実施の形態では、陽極1と陰極2の一方を光反射性電極、他方を光透過性電極として形成し、光反射性電極の発光層3の側の表面を凹凸に形成して光散乱性として形成したものである。この光散乱性かつ光反射性の電極によって光散乱手段5が形成されるものである。図1の実施の形態では陽極1をこの光散乱性かつ光反射性の電極として形成し、陰極2を光透過性電極として形成してある。
光反射性電極の表面を凹凸に形成する方法は、特に限定されるものではない、例えば、基板10の表面もしくは基板10の表面に設けた層の、電極を形成する面に対して、サンドブラスト加工、フロスト加工、スタンプ加工、エッチング加工等により凹凸化を施した後に、この凹凸面に電極を形成することによって行なう方法、有機系樹脂やガラス等の母材に、樹脂ビーズ、ガラス、中空ガラスビーズ、シリカ、酸化バリウム、酸化チタン、樹脂ビーズ等の各種粒子を散在させたものを、塗布やゾルゲル法等によって成膜し、表面凹凸を有する膜を設けた後に、この凹凸膜に電極を形成する方法を挙げることができる。またフォトレジスト等を用いて凹凸パターンを基板10の表面に設けた後に、この凹凸パターンの上に電極を形成する方法を挙げることができ、さらに、マスクを用いて厚みの異なる部分を有する電極を形成する方法等を挙げることができる。その他、基板10の表面に直接凹凸を形成せず、他の基材上に凹凸を形成したものを転写したり貼付したりする各種の方法を利用することも可能である。光反射性電極の表面の凹凸の大きさは、光を散乱する特性を満足するものであればよく、形成法に応じて適宜選択されるものである。また光反射性電極の凹凸のパターンは、ランダムなものでも良いし、必要に応じてそのサイズが規定された回折格子、ゾーンプレートなどでも構わない。さらに、所望の発光波長に応じてサイズ、パターン、向きを適宜選択し、基板10上の所定の位置にそれぞれ形成することも好ましい。
上記のように形成される図1の有機発光素子にあっては、各発光層3で発光される光は、一部が光透過性電極の陰極2の側へ進行して、陰極2を通して出射される他、各発光層3から陽極1の側へ進行した他の光は、光反射性電極の陽極1で反射され、陰極2を通して出射される。このとき、陽極1は光散乱性電極でもあるので、光は陽極1の表面で散乱して反射される。従ってこの散乱した反射光は光透過性電極の陰極2から任意の方向に出射され、かつ発光層3から陰極2の側へ進行する一部の光との干渉を生じないために、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。そして有機発光素子の各層の膜厚変動に対する発光輝度、発光色の変化が小さくなり、さらに光の利用効率を高くすることができるものである。
図2は参考例の他の実施の形態の一例を示すものである。図1の実施の形態では基板10上に設ける電極を光散乱性かつ光反射性に形成したが、この実施の形態では、基板10上に設ける電極を光透過性に形成し、基板10上以外の部位に設ける電極を光散乱性かつ光反射性に形成してある。図2の実施の形態では陰極2をこの光散乱性かつ光反射性の電極として形成し、陽極1を光透過性電極として形成してある。
図2の実施の形態では光反射性電極の発光層3の側の表面を凹凸に形成して光散乱性として形成するものであるが、凹凸の形成方法としては、例えばマスクによって発光層3上に設けられる電子注入層の膜厚みに変化を与えて凹凸に成膜し、この上に電極を形成する方法などを挙げることができる。その他の構成は図1のものと同じである。
そしてこの実施の形態にあって、各発光層3で発光される光は、一部が光透過性電極の陽極1の側へ進行して、陽極1及びガラスなどで透明に形成される基板10を通して出射される他、各発光層3から陰極2の側へ進行した他の光は、光反射性電極の陰極2で反射され、陽極1及び基板10を通して出射される。このとき、陰極2は光散乱性電極でもあるので、光は陰極2の表面で散乱して反射され、反射光は光透過性の陽極1及び基板10を通して任意の方向に出射され、かつ発光層3から陽極1の側へ進行する一部の光との干渉を生じないために、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。
図3は参考例のさらに他の実施の形態の一例を示すものであり、陽極1と陰極2を光透過性電極として形成し、光透過性電極の陽極1と陰極2の一方に、その発光層3とは反対側に光散乱性かつ光反射性の要素6を設けるようにしたものである。図3の実施の形態では光透過性電極の陰極2の発光層3と反対側の表面に光散乱性かつ光反射性の要素6を設けるようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。この光散乱性かつ光反射性の要素6によって光散乱手段5が形成されるものである。光散乱性かつ光反射性の要素6は電極の表面に直近で形成する必要はなく、光学的に近接して設けられていればよい。
この光散乱性かつ光反射性の要素6としては、アルミニウム、クロム、銀等金属の薄膜を蒸着やスパッタその他任意の方法で成膜した反射膜、反射性粒子を塗布した反射膜、誘電体等の多層膜による反射膜など、光反射膜の電極側の表面を光散乱性にしたもので形成することができる。光散乱性の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば前記の表面凹凸を作る際に例示した各種方法を用いて凹凸表面を形成する他、屈折率の異なる母材と粒子とを混合したものを塗布して光散乱層を形成したり、複数の成分を最終的に生成する構成でのゾルゲル法によって散乱層を形成したり、内部に空洞を設けた層や複数の材料の相分離により散乱を示す層を形成したり、微細粒子を表面に整列乃至散在させて光散乱乃至回折性を付与する層を形成したりする方法などを挙げることができる。また後述の光反射層6aと光散乱層6bを組み合わせて光散乱性かつ光反射性の要素6を形成することもできる。その他の構成は図1のものと同じである。
上記のように形成される図3の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が光透過性電極の陽極1の側へ進行して、陽極1及びガラスなどで光透過性に形成される基板10を通して出射される他、各発光層3から陰極2の側へ進行した他の光は、陰極2を透過した後に光散乱性かつ光反射性の要素6で反射され、陽極1及び基板10を通して出射される。このとき、光は光散乱性かつ光反射性の要素6で散乱して反射されるので、散乱した反射光は光透過性の陽極1及び基板10を通して任意の方向に出射され、かつ発光層3から陽極1の側へ進行する一部の光との干渉を生じないために、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。
図4は参考例のさらに他の実施の形態の一例を示すものである。この実施の形態では、陽極1と陰極2を光透過性電極として形成し、光透過性の基板10の陽極1と反対側の外面に光散乱性かつ光反射性の要素6を設けるようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。この光散乱性かつ光反射性の要素6は図3の実施の形態と同様にして形成することができるが、基板10の表面に直接形成しても良いし、あるいは別の基材に別途形成しておき、必要に応じて転写、貼付等の方法によって用いることも可能である。また光透過性の基板10自体が光散乱性を有するものでもよい。光散乱性の基板10の材質や構造は特に限定しないが、例えば複数の高分子を混合・相分離させることにより散乱性を持たせたもの、屈折率の異なるあるいは反射性の成分を部分的に含有することで散乱性を有するものなどが挙げられる。その他の構成は図1のものと同じである。
この実施の形態の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が光透過性電極の陰極2の側へ進行して、陰極2を通して出射される他、各発光層3から陽極1の側へ進行した他の光は、陽極1及び基板10を透過した後に光散乱性かつ光反射性の要素6で反射され、陰極2を通して出射される。このとき、光は光散乱性かつ光反射性の要素6で散乱して反射されるので、散乱した反射光は光透過性の陰極2を通して任意の方向に出射され、かつ発光層3から陰極2の側へ進行する一部の光との干渉を生じないために、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。
図5は参考例のさらに他の実施の形態の一例を示すものである。この実施の形態では、陽極1と陰極2を光透過性電極として形成し、陽極1と基板10の間に光散乱性かつ光反射性の要素6を設けるようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。そして図5の実施の形態では、陽極1と反対側の光反射層6aと陽極1側の光散乱層6bの二層構造に光散乱性かつ光反射性の要素6を形成するようにしてある。
光反射層6aの種類および形成方法は、特に限定されるものではないが、アルミニウム、クロム、銀等金属の薄膜を蒸着やスパッタその他任意の方法により成膜したもの、反射性粒子を塗布したもの、誘電体等の多層膜によって形成したものなどを挙げることができる。
また光散乱層6bの種類および形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば前記の表面凹凸を作る際に例示した各種方法等により形成された凹凸が散乱性の層として機能する層、屈折率の異なる母材と粒子とを混合したものを塗布して散乱層としたもの、複数の成分を最終的に生成する構成でのゾルゲル法によって形成される散乱層、内部に空洞を設けた層、複数の材料の相分離により散乱を示す層、微細粒子を表面に整列あるいは散在させて光散乱あるいは回折性を付与した層、などが挙げられる。これらの層6a,6bは基板10の表面に直接形成しても良いし、あるいは別の基材に別途形成し、必要に応じて転写や貼付等の方法によって用いることも可能である。その他の構成は図1のものと同じである。
この実施の形態の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が光透過性電極の陰極2の側へ進行して、陰極2を通して出射される他、各発光層3から陽極1の側へ進行した他の光は、陽極1を透過した後に光反射層6aで反射され、陰極2を通して出射される。このとき、光は光反射層6aで反射される際に、光散乱層6bで散乱されるので、散乱した反射光は光透過性の陰極2を通して任意の方向に出射され、かつ発光層3から陰極2の側へ進行する一部の光との干渉を生じないために、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。
図6は参考例のさらに他の実施の形態の一例を示すものであり、陽極1と陰極2の一方を光反射性の電極で形成し、他方を光散乱性かつ光透過性の電極で形成するようにしたものである。この光散乱性かつ光透過性の電極によって光散乱手段5が形成されるものである。図6の実施形態では、基板10の側の陽極1を光散乱性かつ光透過性の電極で形成し、基板10と反対側の陰極2を光反射性電極で形成するようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。
光散乱性かつ光透過性の電極の種類及び形成方法は、特に限定されるものではないが、例えばマスクを用いて凹凸形状を有する光透過性の電極を形成することによって、この凹凸形状で光散乱性を付与する方法、光透過性の電極を部分的にエッチングして凹凸形状を付与することによって、光散乱性を与える方法、前述のように基板10の表面に凹凸形状を予め形成しておき、この上に光透過性の電極を形成して凹凸形状にすることよって、光散乱性を付与する方法、屈折率の異なる複数の材質からなる光透過性の電極を形成して光散乱性を発現させる方法、ITO等の透明導電性材料とそれとは屈折率の異なるシリカ等の微粒子を塗布後に焼成して部分的に屈折率が異なる電極構成物とすることによって、光散乱性を得る方法などが挙げられる。その他の構成は図1のものと同じである。
上記のように形成される図6の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が陽極1の側へ進行して、陽極1及びガラスなどで光透過性に形成される基板10を通して出射される他、各発光層3から陰極2の側へ進行した他の光は、光反射性の陰極2で反射され、陽極1及び基板10を通して出射される。このとき、陽極1は光散乱性かつ光透過性に形成されているので、光が陽極1を通過する際に散乱される。従って、陽極1側へ進行した光及び反射光はともに散乱された状態で、陽極1及び基板10を通して任意の方向に出射されるものであり、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。
図7は参考例のさらに他の実施の形態の一例を示すものであり、陽極1と陰極2の一方を光反射性の電極で形成し、他方を光透過性の電極で形成すると共に、この光透過性電極の発光層3と反対側に光散乱性かつ光透過性の要素7を設けるようにしたものである。この光散乱性かつ光透過性の要素7によって光散乱手段5が形成されるものである。図7の実施形態では、基板10側の陽極1を光透過性電極で形成し、基板10と反対側の陰極2を光反射性電極で形成するようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。
光散乱性かつ光透過性の要素7は、例えば、上記の光散乱性かつ光透過性の電極や、光散乱層6bなどと同様な層で形成することができるものである。またこの光散乱性かつ光透過性の要素7は光透過性電極に直接接して設けるようにしてもよく、光透過性電極との間に別の構成要素が挿入されていてもよい。
ここで、光散乱性かつ光透過性の要素7を光透過性電極と基板10の間など、屈折率の異なる2種の材質間に設ける場合、光散乱性かつ光透過性の要素7を形成する層を構成する材質の屈折率は、必ずしも両側の2種の材質の屈折率に依存するものではないが、光散乱性かつ光透過性の要素7を形成する層を構成する材料が1種の場合には、どちらかの屈折率に近いものが好ましく、2種以上の場合には、1つが片側の屈折率、もう1つが他方の屈折率に近いものが好ましいものであり、光散乱性かつ光透過性の要素7に入射される光や出射される光の全反射分率を低減させることができ、結果として光利用効率を向上させることが可能であるので好ましい。また、光透過性電極、光反射性電極のいずれを基板10上に設けるかにかかわらず、有機発光素子を形成する基板10上に凹凸を設けた場合、その凹凸は直上の電極のみならず発光層3などの有機層、等電位面形成層4もしくは電荷発生層4、対向する陽極1と陰極の、一部もしくは全ての形状に付与されて各層が凹凸形状となることがあるが、得られた有機発光素子に致命的な影響を与えない限り問題とはならない。
上記のように形成される図7の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が陽極1の側へ進行して、光透過性の陽極1及びガラスなどで光透過性に形成される基板10を通して出射される他、各発光層3から陰極2の側へ進行した他の光は、光反射性の陰極2で反射され、陽極1及び基板10を通して出射される。このとき、陽極1の外側には光散乱性かつ光透過性の要素7が設けられているので、光は陽極1から光散乱性かつ光透過性の要素7を通過し、その際に散乱される。従って、陽極1側へ進行した光及び反射光はともに散乱された状態で、反射光は基板10を通して任意の方向に出射されるものであり、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。
図8は請求項の発明の実施の形態の一例を示すものであり、隣接する発光層3の間に設けられる等電位面を形成する層4もしくは電荷発生層4を光散乱性に形成するようにしたものである。この光散乱性の等電位面形成層4もしくは電荷発生層4によって光散乱手段5が形成されるものである。図8の実施形態では、基板10側の陽極1を光透過性電極で形成し、基板10と反対側の陰極2を光反射性電極で形成するようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。
等電位面形成層4や電荷発生層4を光散乱性に形成するにあたっては、例えば、前述のように等電位面形成層4や電荷発生層4を形成する際に、複数のマスクを用いて部分的に厚みが異なるようにこれらの層4を形成する方法、部分的に組成が異なる部分を層内部に有するようにこれらの層4を形成する方法、形成した電荷発生層4の一部をリフトオフ、レーザー加工等によって除去する方法、電荷発生層4の厚み方向のいずれかの位置に部分的に導電膜(透明導電膜や金属膜等)を形成する方法などを例として挙げることができる。また、等電位面形成層4もしくは電荷発生層4を複数層形成した素子構造の場合には、いずれか1つの等電位面形成層4もしくは電荷発生層4が光散乱性を有していればよく、必ずしも全ての等電位面形成層4もしくは電荷発生層4が光散乱性を有している必要はない。その他の構成は図1のものと同じである。
上記のように形成される図8の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が陽極1の側へ進行して、光透過性の陽極1及びガラスなどで光透過性に形成される基板10を通して出射される他、各発光層3から陰極2の側へ進行した他の光は、光反射性の陰極2で反射され、陽極1及び基板10を通して出射される。このとき、素子内に位置する等電位面形成層4もしくは電荷発生層4は光散乱性に形成されているので、光が等電位面形成層4もしくは電荷発生層4を通過する際に散乱される。従って、陽極1側へ進行した光及び反射光はともに散乱された状態で、陽極1及び基板10を通して任意の方向に出射されるものであり、かつ発光層3から陽極1の側へ進行する一部の光との干渉を生じないために、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものである。
図9は請求項の発明の実施の形態の一例を示すものであり、陽極1と陰極2をともに光透過性電極として形成し、陽極1と陰極2のいずれか一方の発光層3と反対側に光反射性の要素8が設けてある。図の実施の形態では、発光した光を出射させるために光透過性に形成される基板10と反対側に配置される陰極2の外側に光反射性の要素8を設けるようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。そして光の出射側と反対側端部に配置される発光層3と光反射性要素8の反射面との距離が実質的に光学干渉をしない距離以上になるように、陰極2から離れた位置に光反射性要素8を設けるようにしてある。発光層3と光反射性要素8の反射面との距離は、1μm〜1mm程度の範囲である。1μm未満である場合、ある程度の光学干渉が発生することがあり、また1mmを超える場合には、特に発光面積が小さいときには鉛直方向以外の角度から観察した際に発光位置ずれが観測されることがある。
図9の実施の形態では、発光層3と光反射性要素8との間に光学緩衝要素として光学的スペーサ11を設けることによって、発光層3と光反射性要素8との距離が実質的に光学干渉をしない距離以上になるようにしてある。この光学的スペーサ11としては、光の透過率が高く、有機発光素子に悪影響を与えないものであればその材質や形成方法は任意であるが、例えば、透明樹脂の塗布、透明フィルムの貼付、透明ガラス、スパッタや蒸着等によって成膜されるシリカ膜等の無機膜、あるいは同様の方法により成膜される有機膜などによって形成することができる。光学的スペーサ11が単独の材料で形成されるものである場合には、隣接する材質の屈折率に近いものであることが好ましい。また、光学的スペーサ11が光散乱性のものであってもかまわない。屈折率の異なる2種以上の材料成分を用いた光散乱性のものの場合には、いずれかの材料成分の屈折率が隣接する光透過性の電極の屈折率に近いことが好ましい。また光反射性要素8は、既述の光反射性の電極を形成する材料や、図5の光反射層6aを形成する材料などを用いて、同様に形成することができる。陰極2(光透過性電極)と光反射性要素8の間は必ずしも密着していなくても構わないため、光反射性要素8を設けた光学的スペーサ11を別体化して陰極2の近隣に位置させることも可能であるし、また光反射性要素8のみを空気層または真空層を介して陰極2の近隣に位置させることも可能である。その他の構成は図1のものと同じである。
上記のように形成される図9の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が陽極1の側へ進行して、光透過性の陽極1及びガラスなどで光透過性に形成される基板10を通して出射される他、各発光層3から陰極2の側へ進行した他の光は、陰極2を通して光反射性要素8で反射され、陽極1の側へ進行して陽極1及び基板10を通して出射される。このとき、発光層3と光反射性要素8との距離を光学干渉をしない距離以上に設定してあるので、陰極2を通して光反射性要素8に進行してきた光は光反射性要素8の反射面でほぼ正反射して陽極1の側へ戻り、かつ、発光層3から陽極1の側へ進行した光とは干渉しないものとして、出射させることができるものである。従って、発光輝度、発光色の角度依存性を小さくすることができるものであり、この結果、膜厚変動に対する発光輝度、発光色の変化が小さくなり、さらに光の利用効率を高くすることができるものである。
そしてこの種の有機発光素子は、上記のように光反射性要素8で反射された光に基づく干渉効果の影響を受けないために、素子の膜厚設計の自由度も高まるものである。具体的には、一般に知られている発光層−電極ミラー間の光学距離を4分の1波長の奇数倍に調整することが不要である。また、発光層−最大屈折率段差位置間の光学距離を4分の1波長の偶数倍に調整する必要が小さくなる。すなわち素子効率その他の特性に鑑み、任意の膜厚にて素子を作製することが可能となるものであり、これはすなわち、膜厚ずれが起きたときの発光色のずれが小さいことを意味しており、膜厚管理の厳密さを緩和できるものである。
図10は請求項の発明の他の実施の形態の一例を示すものであり、陽極1と陰極2をともに光透過性電極として形成し、ガラスなどで光透過性に形成される基板10の外面に光反射性の要素8が設けてある。図の実施の形態では、基板10の表面に陽極1を設けると共に陰極2を基板10と反対側に配置し、陽極1の発光層3と反対側に光反射性要素8が設けられるようにしてある。勿論、陽極1と陰極2は逆であってもよい。そしてこの実施の形態では、基板10を利用して、光の出射側と反対側端部に位置する発光層3と光反射性要素8の反射面との距離が実質的に光学干渉をしない距離以上になるようにしてあり、基板10が陽極1と光反射性要素8の間の光学的スペーサ11として作用するようにしたものである。その他の構成は図9のものと同じである。
このように形成される図10の有機発光素子にあって、各発光層3で発光される光は、一部が陰極2の側へ進行して、光透過性の陰極2を通して出射される他、各発光層3から陽極1の側へ進行した他の光は、光透過性の陽極1と基板10を通して光反射性要素8で反射され、陰極2の側へ進行して陰極2を通して出射される。このとき、発光層3と光反射性要素8との距離を光学干渉をしない距離以上に設定してあるので、陽極1を通して光反射性要素8に進行してきた光は光反射性要素8の反射面でほぼ正反射して陰極2の側へ戻り、かつ、発光層3から陰極2の側へ進行した光とは干渉しないものとして、出射させることができるものである。
上記の各実施の形態にあって、複数の各発光層3は異なる色を発光するように形成することができる。この場合、複数の発光層3がすべて異なる発光色である必要はないが、少なくとも2種類の異なる発光色の発光層3から形成するものである。このように異なる発光色の発光層3で形成することによって、異なる色を混色した状態で有機発光素子から出射させることができるものであり、多くの色の有機発光素子を形成することが可能になるものである。また発光層3の層数、発光色の選定等によって、発光色を調整することが可能である。そして、各発光層3から発光される色が光の三原色や、光の補色などである場合、複数の発光層3から発光される色が混色すると白色になる。従ってこの場合には、有機発光素子を液晶表示機用バックライトや照明用光源などとして用いることができるものである。
上記の各図に例示した有機発光素子の構造はあくまでも一例であり、本発明はこれらのみに限定されるものではなく、各構造を適宜組み合わせて使用することもできる。また、本発明の有機発光素子に用いられる基板、有機材料(ホール注入材料、ホール輸送材料、発光層ホスト、発光層ドーパント、電子輸送材料、電子注入材料)、各種材料(電極、電荷発生層用材料、等電位面用材料、金属錯体、各種無機材料)等、および有機層(発光層、ホール輸送層、電子輸送層など)の積層順及び成分など素子の内部構成として例示したものは、本発明の趣旨に反しない限り、公知の任意のものを用いることができる。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
参考例1)
無アルカリガラスの基板10上に、平均粒径500nmのシリカ粒子スラリーを塗布乾燥し、600℃で50分焼成した。基板10の表面の平均面粗さは約130nm、最大高低差は約2μmであった。この基板10の表面に、アセトン、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄、UV/O洗浄を施し、この後に、基板10の表面にCrの膜を2200Åの厚みでスパッタし、さらにその上に厚み800ÅのAl膜を真空蒸着によって形成し、光散乱性かつ光反射性の電極(陰極2)を形成した。
次に、上記の基板10を真空蒸着装置にセットし、図11Bに示す形状の孔12あきのマスク13を用いて、5×10-5Paの減圧下、バソクプロイン((株)同仁化学研究所製)とCsをモル比1:1で200Å厚に共蒸着して陰極2の上に電子注入層を形成した。次に電子注入層の上にジナフチルアントラセン誘導体(コダック製「BH−2」)に、ジスチリルアリーレン誘導体(化1)を4質量%ドープした層を500Å厚積層することによって、青色発光層3を設けた。次にこの発光層3の上に、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(以下α−NPDと略称)(ケミプロ化成株式会社製)を1Å/sの蒸着速度で800Å厚に蒸着してホール輸送層を形成した。そしてホール輸送層の上に五酸化バナジウム(V25)を成膜速度2Å/sで100Å厚に蒸着し、電荷発生層4を形成した。
この後、上記の手順に基づき、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、さらに電荷発生層4を100Å、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を800Å積層した。
最後にこの上に1Å/sの蒸着速度で100Åの厚のAuを蒸着して、光透過性電極(陽極1)を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した(図1参照)。

Figure 0004758889
参考例2
厚み0.7mmの無アルカリ基板ガラス板からなる透明基板10の表面に、ITO薄膜をスパッタして、膜厚1100Å、シート抵抗12Ω/□の光透過性電極(陰極2)を形成した。このガラス基板10およびITOの陰極2を図11Aに示す形にエッチング及び切断した後、純水、アセトン、イソプロピルアルコールで各10分間超音波洗浄をし、次いでイソプロピルアルコール蒸気で2分間蒸気洗浄して乾燥し、さらに30分間UVオゾン洗浄した。
次に、基板10の陰極2を形成した面と反対側の面を#220の粗さのサンドブラストで粗面化し、次いでこの粗面に厚み1000ÅのAl膜を形成することによって、光散乱性かつ光反射性の要素6を形成した。
この後、参考例1と同様にして、基板10の陰極2の上に、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、電荷発生層4を100Å、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、電荷発生層4を100Å、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を800Åの順に積層し、最後に1Å/sの蒸着速度で100Å厚のAuを蒸着して、光透過性電極(陽極1)を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した(図4参照)。
参考例3
参考例2と同様に、陰極2と反対側の面に光散乱性かつ光反射性の要素6を形成した基板10を用い、参考例1に準じて有機発光素子を作製した。ただし、膜厚や層構成は次の通りである。すなわち、バソクプロインとCsのモル比1:1の共蒸着層からなる電子注入層を200Å、バソクプロインのみからなる電子輸送層を500Å、Alqとルブレンをルブレンの重量分率7%で共蒸着した発光層3を300Å、ホール輸送層を400Å、酸化バナジウムからなる電荷発生層4を100Å、バソクプロインとCsのモル比1:1の共蒸着層からなる電子注入層200Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、電荷発生層4を100Å、電子輸送注入層を200Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、ホール輸送層を800Åの順に積層し、最後に1Å/sの蒸着速度で100Å厚のAuを蒸着して、光透過性電極(陽極1)を形成することによって、3層の発光層3を備えた白色発光の有機発光素子を作製した(図4参照)。
(参考例
旭電化工業株式会社製「アデカITO塗布液(ITO−L)」に平均粒径200nmのシリカ粒子を、ITOとシリカの重量比で20:1になるように添加混合して分散した。次にこの混合液を無アルカリガラス基板10の上にスピンコートし、160℃の大気中で5分乾燥した後、300℃で120分間焼成およびアニール処理を行った。この処理を3回繰り返すことによって、平均厚み5300ÅのITOシリカ混合膜を得た。次いで、この膜を研磨機によって研磨し、平均厚み4800Å、表面平均粗さ1.3nmに調整した。さらに、この基板10をイオン交換水を用いて洗浄した後、ITOシリカ混合膜の上にスパッタにより厚み200ÅのITO膜を成膜することによって、光散乱性かつ光透過性の電極(陽極1)を形成した。得られた陽極1のシート抵抗は、72Ω/□、基板10は全光線透過率69%、ヘーズ82%であった。
続いて上記の基板10を真空蒸着装置にセットし、図11Bに示す形状のマスク13を用いて、5×10−5Paの減圧下、α−NPDを1Å/sの蒸着速度で800Å厚に蒸着して、陽極1の上にホール輸送層を形成した。次にホール輸送層の上に、ジナフチルアントラセン誘導体(コダック製「BH−2」)にジスチリルアリーレン誘導体(化1)を4質量%ドープした層を500Å厚積層することによって、青色発光層3を設けた。次に発光層3の上に、バソクプロイン((株)同仁化学研究所製)とCsをモル比1:1で200Å厚に共蒸着して電子注入層を設けた。次いで、五酸化バナジウム(V)を成膜速度2Å/sで100Å厚に蒸着し、電荷発生層4を形成した。この後、上記手順に基づき、ホール輸送層を700Å、発光層を500Å、電子注入層を200Å、さらに電荷発生層4を100Å、ホール輸送層を700Å、発光層3を500Å、電子注入層を200Å積層した。最後に陰極としてAlを、図11Cに示す形の孔14あきのマスク15を用いて4Å/sの成膜速度で800Å積層して、光反射性の電極(陰極2)を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を得た(図6参照)。
(参考例
無アルカリガラスの基板10の上に、平均粒径500nmのシリカ粒子スラリーを塗布して乾燥した後、600℃で50分間焼成し、光散乱性かつ光透過性の要素7を形成した。この光散乱性かつ光透過性の要素7を形成した基板10の表面の平均面粗さは約130nm、最大高低差は約2μmであった。
この基板1を用い、光散乱性かつ光透過性の要素7の表面に、ITO薄膜をスパッタして、膜厚1100Å、シート抵抗27Ω/□の光透過性電極(陽極1)を形成した。このガラス基板10およびITOの陰極1を図11Aに示す形に切断及びエッチングした後、純水、アセトン、イソプロピルアルコールで各10分間超音波洗浄をし、次いでイソプロピルアルコール蒸気で2分間蒸気洗浄して乾燥し、さらに30分間UVオゾン洗浄した。
後は、参考例と同様にして各層の形成を行ない、3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した(図7参照)。
(参考例
参考例2と同様なITO薄膜の光透過性電極(陽極1)を形成したガラス基板10を用い、この基板10の陽極1の上に参考例と同様にして各層の形成を行なった。次に、この基板10の陽極1と反対側の表面に、株式会社きもと製の光散乱シート「100−GM2」を、屈折率1.63のマッチングオイルを用いて貼り付けて光散乱性かつ光透過性の要素7を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した(図7において光散乱性かつ光透過性の要素7を基板10の外面に形成したもの参照)。
(参考例
電子注入層の膜厚を50Åに変更した他は、参考例と同様にして3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した(図7参照)。
(実施例
参考例2と同様なITO薄膜の光透過性電極(陽極1)を形成したガラス基板10を用いた。そしてこの基板10を真空蒸着装置にセットし、図11Bに示す形状のマスク13を用いて、5×10−5Paの減圧下、α−NPDを1Å/sの蒸着速度で800Å厚に蒸着して、陽極1の上にホール輸送層を形成した。次にホール輸送層の上に、ジナフチルアントラセン誘導体(コダック製「BH−2」)にジスチリルアリーレン誘導体(化1)を4質量%ドープした層を500Å厚積層することによって、青色発光層3を設けた。次に発光層3の上に、バソクプロイン((株)同仁化学研究所製)とCsをモル比1:1で共蒸着して電子注入層を設けた。この電子注入層の形成は、図11Bのマスク13を用いて100Å厚に蒸着し、さらにこの上に20μm幅のラインと20μmのライン間隔を有するマスクを重ねて300Å厚に蒸着することによって行ない、電子注入層の上面に凹凸を形成した。次いで、この電子注入層の凹凸面に五酸化バナジウム(V)を成膜速度2Å/sで100Å厚に蒸着し、光散乱性の電荷発生層4を形成した。この後、上記手順に基づき、ホール輸送層を700Å、発光層を500Å、電子注入層を200Å、さらに光散乱性の電荷発生層4を100Å、ホール輸送層を700Å、発光層3を500Å、電子注入層を200Å積層した。最後に陰極としてAlを、図11Cに示す形の孔14あきのマスク15を用いてAlを4Å/sの成膜速度で800Å積層して、光反射性の電極(陰極2)を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を得た(図8参照)。
(比較例1)
厚み0.7mmの無アルカリ基板ガラス板からなる透明基板10の表面に、ITO薄膜をスパッタして、膜厚1100Å、シート抵抗12Ω/□の光透過性電極(陽極1)を形成した。このガラス基板10およびITOの陽極1を図11Aに示す形にエッチング及び切断した後、純水、アセトン、イソプロピルアルコールで各10分間超音波洗浄をし、次いでイソプロピルアルコール蒸気で2分間蒸気洗浄して乾燥し、さらに30分間UVオゾン洗浄した。
続いて上記の基板10を真空蒸着装置にセットし、図11Bに示す形状のマスク13を用いて、5×10-5Paの減圧下、α−NPDを1Å/sの蒸着速度で800Å厚に蒸着して、陽極1の上にホール輸送層を形成した。次にホール輸送層の上に、ジナフチルアントラセン誘導体(コダック製「BH−2」)にジスチリルアリーレン誘導体(化1)を4質量%ドープした層を500Å厚積層することによって、青色発光層3を設けた。次に発光層3の上に、バソクプロイン((株)同仁化学研究所製)とCsをモル比1:1で200Å厚に共蒸着して電子注入層を設けた。次いで、五酸化バナジウム(V25)を成膜速度2Å/sで100Å厚に蒸着し、電荷発生層4を形成した。この後、上記手順に基づき、ホール輸送層を700Å、発光層を500Å、電子注入層を200Å、さらに電荷発生層4を100Å、ホール輸送層を700Å、発光層3を500Å、電子注入層を200Å積層した。最後に陰極1としてAlを、図11Cに示す形の孔14あきのマスク15を用いてAlを4Å/sの成膜速度で800Å積層して、光反射性の電極(陰極2)を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を得た(図12参照)。
(比較例2)
電子注入層の膜厚を50Åに変更した他は、比較例1と同様にして3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した。
(比較例3)
比較例1と同様のITO薄膜付きの基板10を用い、基板10のITO薄膜と反対側の面に1000Åの厚みのAl膜を蒸着して反射面を形成した。
そして基板10のITO薄膜を光透過性の陰極2として、この陰極2の上に参考例1と同様にして、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、電荷発生層4を100Å、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、電荷発生層4を100Å、電子注入層を200Å、発光層3を500Å、ホール輸送層を800Åの順に積層し、最後に1Å/sの蒸着速度で100Å厚のAuを蒸着して、光透過性電極(陽極1)を形成することによって、3層の発光層3を備えた有機発光素子を作製した。
(比較例4)
比較例1と同様のITO薄膜付きの基板10を用い、基板10のITO薄膜と反対側の面に1000Åの厚みのAl膜を蒸着して反射面を形成した。
そして基板10のITO薄膜を光透過性の陰極2として、この陰極2の上に参考例3と同様にして、バソクプロインとCsのモル比1:1の共蒸着層からなる電子注入層を200Å、バソクプロインのみからなる電子輸送層を500Å、Alqとルブレンをルブレンの重量分率7%で共蒸着した発光層3を300Å、ホール輸送層を400Å、酸化バナジウムからなる電荷発生層4を100Å、電子注入層200Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、ホール輸送層を700Å、電荷発生層4を100Å、電子輸送注入層を200Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、ホール輸送層を800Åの順に積層し、最後に1Å/sの蒸着速度で100Å厚のAuを蒸着して、光透過性電極(陽極1)を形成することによって、3層の発光層3を備えた白色発光の有機発光素子を作製した。
上記のように実施例1、参考例1〜及び比較例1〜4で作製した有機発光素子を、電源(KEITHLEYモデル2400)に接続して5mA/cmの定電流駆動を行い、その際の輝度を輝度計(トプコン社製「BM−9」;視野角0.2°、距離45cm)で測定した。また、CIE色度をマルチチャンネルアナライザー(浜松ホトニクス社製「PMA−11」;測定距離5cm)を用いて測定した。これらの測定は、有機発光素子の鉛直正面方向(0°)からと、鉛直正面方向に対して45°の方向からとで行なった。
そして、0°方向から測定した輝度と45°方向から測定した輝度の比を求め、また0°方向から観測した際のCIE色度座標値の、CIE−x値(x1)、CIE−y値(y1)と、45°の方向から観測した際のCIE−x値(x2)、CIE−y値(y2)の差と、((x1−x2)2+(y1−y2)2)の値を求めた。これらの結果を表1に示す。
Figure 0004758889
表1にみられるように、実施例1及び参考例1〜のものは、鉛直正面方向(0°)からと、45°の方向からの輝度の比や色度の差が小さく、発光輝度や発光色の角度依存性が小さいことが確認される。
(実施例
比較例1に準じて有機発光素子の作製を行なった。ただし、陰極2はITOを図11Cのマスク15を用いて対向ターゲット式スパッタ装置によって4Å/sで1000Åの厚みで積層して、光透過性電極として形成した。さらに、厚み0.4mmのガラスからなる光学スペーサ11の片面に厚み10000ÅのAl膜からなる光反射性要素8を設けて図11Dのように形成し、この光学スペーサ11を光反射性要素8と反対側の面で、陰極2の表面に屈折率1.5のマッチングオイルで貼付することによって、3層の発光層を備えた有機発光素子を得た(図9参照)。
(実施例
実施例に準じて有機発光素子の作製を行なった。ただし、電子注入層の膜厚を50Åに設定し、また、光反射性要素8付きの光学スペーサ11を、基板10の陽極1と反対側の表面に屈折率1.5のマッチングオイルで貼付するようにして、3層の発光層を備えた有機発光素子を得た(図10参照)。
(比較例5)
比較例1に準じて有機発光素子を作製した。ただし、膜厚、層構成は以下の通りである。ホール輸送層を800Å、BH−2とスチリルアリーレン誘導体からなる発光層3を500Å、電子注入層を200Å、電荷発生層4を100Å、ホール輸送層を700Å、Alqとルブレンをルブレンの重量分率7%で共蒸着した発光層3を300Å、バソクプロインからなる電子輸送層を500Å、電子注入層を200Å、Alからなる陰極2を800Åに設定して、白色発光の有機発光素子を得た(図12参照)。
(実施例
比較例5に準じて有機発光素子を作製した。ただし、陰極2はITOを図11Cのマスク15を用いて対向ターゲット式スパッタ装置によって4Å/sで1000Åの厚みで積層して、光透過性電極として形成した。さらに、図11Dの光学スペーサ11を陰極2の表面に屈折率1.5のマッチングオイルで貼付することによって、白色発光の有機発光素子を得た(図9参照)。
上記のように実施例及び比較例5で作製した有機発光素子について、上記と同様にして、輝度及びCIE色度を測定した。そして、0°方向から測定した輝度と45°方向から測定した輝度の比を求め、また0°方向から観測した際のCIE色度座標値の、CIE−x値(x1)、CIE−y値(y1)と、45°の方向から観測した際のCIE−x値(x2)、CIE−y値(y2)の差と、((x1−x2)+(y1−y2))の値を求めた。これらの結果を表2に示す。
Figure 0004758889
表2にみられるように、実施例のものは、鉛直正面方向(0°)からと、45°の方向からの輝度の比や色度の差が小さく、発光輝度や発光色の角度依存性が小さいことが確認される。

Claims (4)

  1. 陽極と陰極の間に複数の発光層を備え、各発光層が等電位面を形成する層もしくは電荷発生層で仕切られた有機発光素子において、
    上記有機発光素子は、素子内部と素子外部の少なくとも一方に発光層で発光した光を散乱させる光散乱手段を備えると共に、
    陽極と陰極のいずれか一方を光透過性電極で形成し、他方を光反射性電極で形成し、等電位面を形成する層もしくは電荷発生層を光散乱性に形成して、上記光散乱手段を構成した。
  2. 陽極と陰極の間に複数の発光層を備え、各発光層が等電位面を形成する層もしくは電荷発生層で仕切られた有機発光素子において、
    陽極と陰極をともに光透過性電極で形成し、一方の光透過性電極の発光層と反対側に光反射性の要素を設けると共に、この光反射性の要素と発光層との間に光学的スペーサを設けることによって、光反射性の要素と発光層との距離を、実質的に光学干渉をしない距離である1μm〜1mmの範囲に設定した。
  3. 請求項に記載の有機発光素子において、
    複数の発光層は、少なくとも2種類の異なる発光色の発光層からなる。
  4. 請求項に記載の有機発光素子において、
    この有機発光素子の発光色は、白色である。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI577067B (zh) * 2012-06-11 2017-04-01 Jx Nippon Oil & Energy Corp Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4742638B2 (ja) * 2005-03-25 2011-08-10 大日本印刷株式会社 拡散防止膜付積層体
EP1808909A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
WO2007091548A1 (ja) * 2006-02-07 2007-08-16 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7498603B2 (en) * 2006-12-06 2009-03-03 General Electric Company Color tunable illumination source and method for controlled illumination
KR100813850B1 (ko) * 2007-03-29 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
JP5536977B2 (ja) * 2007-03-30 2014-07-02 パナソニック株式会社 面発光体
US7911133B2 (en) * 2007-05-10 2011-03-22 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US8179034B2 (en) 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
KR100922758B1 (ko) * 2008-02-20 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP5214284B2 (ja) * 2008-03-10 2013-06-19 株式会社東芝 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2273852A4 (en) * 2008-04-22 2011-07-13 Zeon Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENTS LIGHTING SOURCE
JP5568224B2 (ja) * 2008-07-04 2014-08-06 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010055926A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
US7957621B2 (en) 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
JP2010146893A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法
JP2010170969A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Asahi Glass Co Ltd 電極付き基板、その製造方法、有機led素子およびその製造方法
KR101147428B1 (ko) 2009-02-09 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
RU2527323C2 (ru) 2009-05-08 2014-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Электролюминесцентное устройство
WO2010141580A2 (en) * 2009-06-02 2010-12-09 University Of Florida Research Foundation, Inc. Solar-powered lighting module
TWI394071B (zh) * 2009-08-14 2013-04-21 Au Optronics Corp 有機發光二極體觸控面板及其製作方法
US8894458B2 (en) * 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101801351B1 (ko) * 2010-04-28 2017-11-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치
JP5986992B2 (ja) * 2010-06-14 2016-09-06 ノヴァレッド ゲーエムベーハー 有機発光素子
JP2012009359A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012038876A1 (en) 2010-09-22 2012-03-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-view display device
KR101365824B1 (ko) 2010-10-22 2014-02-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
DE102010063511A1 (de) * 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektrischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
WO2012128079A1 (ja) 2011-03-24 2012-09-27 パナソニック株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び白色発光有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP6108664B2 (ja) * 2011-04-04 2017-04-05 ローム株式会社 有機el装置
JP5998600B2 (ja) * 2011-06-24 2016-09-28 三菱レイヨン株式会社 光学フィルム及びそれを用いた光学装置
US9054338B2 (en) * 2011-09-30 2015-06-09 General Electric Company OLED devices comprising hollow objects
EP3428933B1 (en) * 2011-09-30 2022-03-02 View, Inc. Improved optical device fabrication
US8686634B2 (en) * 2011-10-24 2014-04-01 Htc Corporation Organic light emitting display and method for manufacturing the same
JP2013140679A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Ricoh Opt Ind Co Ltd 有機el光源
DE102012202839B4 (de) * 2012-02-24 2019-07-11 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
JP6110695B2 (ja) * 2012-03-16 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20130108028A (ko) 2012-03-23 2013-10-02 주식회사 엘지화학 유기발광소자
KR20130111154A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
JP6214077B2 (ja) 2012-07-31 2017-10-18 株式会社Joled 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法
JP6217642B2 (ja) 2012-08-24 2017-10-25 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法
JP2014078499A (ja) * 2012-09-20 2014-05-01 Toshiba Corp 有機電界発光素子および発光装置
JP5758366B2 (ja) * 2012-09-24 2015-08-05 株式会社東芝 有機電界発光素子および発光装置
DE102012109258B4 (de) * 2012-09-28 2020-02-06 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
GB2509065A (en) * 2012-12-18 2014-06-25 Dupont Teijin Films Us Ltd Partnership Method for reducing angular dependence on OLED light emission
EP2983222A4 (en) 2013-03-29 2016-09-28 Konica Minolta Inc MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENTS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
EP2980878B1 (en) 2013-03-29 2019-05-01 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, and lighting device and display device which are provided with same
WO2014157610A1 (ja) 2013-03-29 2014-10-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法
CN104124366A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124373A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183729A (zh) * 2013-05-24 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104253226A (zh) * 2013-06-26 2014-12-31 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
WO2015064491A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル
US20150255029A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
CN103928634B (zh) * 2014-03-24 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
GB2523859B (en) 2014-08-01 2016-10-19 Dupont Teijin Films U S Ltd Partnership Polyester film assembly
CN105449107B (zh) * 2014-08-15 2018-08-10 北京维信诺科技有限公司 一种顶发光oled器件及其制备方法
JP6573160B2 (ja) 2014-09-17 2019-09-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子
KR102209107B1 (ko) 2014-12-04 2021-01-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자
US9761842B2 (en) * 2014-12-19 2017-09-12 The Regents Of The University Of Michigan Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces
TWI663759B (zh) * 2014-12-26 2019-06-21 財團法人工業技術研究院 上發光有機電激發光元件
US9843012B2 (en) 2014-12-26 2017-12-12 Industrial Technology Research Institute Top emitting organic electroluminescent devices
JP5831654B1 (ja) 2015-02-13 2015-12-09 コニカミノルタ株式会社 芳香族複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
DE102015104793A1 (de) * 2015-03-27 2016-09-29 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
DE102015206745B4 (de) 2015-04-15 2022-05-05 Infineon Technologies Dresden Gmbh Strahler und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6454226B2 (ja) 2015-06-08 2019-01-16 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
EP3109916B1 (en) * 2015-06-23 2021-08-25 Novaled GmbH Organic light emitting device comprising polar matrix, metal dopant and silver cathode
CN104966789A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种电荷连接层及其制造方法、叠层oled器件
JP6788314B2 (ja) 2016-01-06 2020-11-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP6899502B2 (ja) 2016-02-10 2021-07-07 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
DE102016103282A1 (de) * 2016-02-24 2017-08-24 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
WO2018037791A1 (ja) 2016-08-24 2018-03-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
US20180097202A1 (en) * 2016-10-03 2018-04-05 Regents Of The University Of Michigan Enhanced oled outcoupling by suppressing surface plasmon modes
CN107507920B (zh) * 2017-09-22 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
JP6778706B2 (ja) * 2018-02-23 2020-11-04 Lumiotec株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子、ディスプレイ装置、照明装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129375A (ja) * 1995-11-01 1997-05-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002110363A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 有機電界発光素子及びそれを用いた光電子素子
JP2002343574A (ja) * 2001-05-10 2002-11-29 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオードデバイス
JP2003036969A (ja) * 2000-10-25 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置
JP2003272860A (ja) * 2002-03-26 2003-09-26 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004029466A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器および電気光学装置用基板の製造方法
JP2004127725A (ja) * 2002-10-02 2004-04-22 Pioneer Electronic Corp 有機elディスプレイ
JP2004152751A (ja) * 2002-10-08 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2005183213A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tohoku Pioneer Corp 有機el素子及びその形成方法

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1028489A (en) 1911-11-06 1912-06-04 Ernst F Priddat Package-carrier and advertising device.
US4752717A (en) * 1984-08-27 1988-06-21 Edwards Industries, Inc. Shielded electroluminescent lamp
JPS61156691A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 シャープ株式会社 薄膜el素子
IT1241172B (it) 1990-02-13 1993-12-29 F Sistemi Automazioni Flessibi Impianto di trasporto monorotaia e carrello motorizzato per tale impianto.
JPH0542035A (ja) 1991-08-14 1993-02-23 Mitsubishi Electric Home Appliance Co Ltd ジヤー炊飯器
GB2261863B (en) 1991-11-29 1995-02-22 Fata Automation Material conveyor system comprising powered trolleys on an overhead rail
JP2846571B2 (ja) 1994-02-25 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3635344B2 (ja) 1994-10-28 2005-04-06 中西金属工業株式会社 自走車の走行補助装置
DE29509604U1 (de) 1995-06-12 1995-08-24 Siemens AG, 80333 München Einrichtung zur Versorgung von Passanten mit Hörbotschaften
US5814416A (en) * 1996-04-10 1998-09-29 Lucent Technologies, Inc. Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices
JPH10240171A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置
US6091197A (en) 1998-06-12 2000-07-18 Xerox Corporation Full color tunable resonant cavity organic light emitting diode
US6501098B2 (en) * 1998-11-25 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
JP4136185B2 (ja) 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
US6777871B2 (en) 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
TW527848B (en) 2000-10-25 2003-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting element and display device and lighting device utilizing thereof
JP3892715B2 (ja) * 2000-12-26 2007-03-14 株式会社東芝 液晶表示装置
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
JP4611578B2 (ja) 2001-07-26 2011-01-12 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003115377A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Nec Corp 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
JP3933915B2 (ja) * 2001-11-09 2007-06-20 セイコーインスツル株式会社 反射層付き照明装置及び液晶表示装置
JP2003264085A (ja) * 2001-12-05 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
US7956349B2 (en) * 2001-12-05 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP2003257662A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
US6670772B1 (en) * 2002-06-27 2003-12-30 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling
JP2004039568A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Toyota Industries Corp 照明装置及び表示装置
US7038373B2 (en) * 2002-07-16 2006-05-02 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode display
JP3730971B2 (ja) * 2002-08-30 2006-01-05 株式会社トミー El発光ディスプレイシステム
US6965197B2 (en) * 2002-10-01 2005-11-15 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency
JP3910926B2 (ja) * 2003-02-26 2007-04-25 株式会社東芝 表示装置用透明基板の製造方法
CN1781339A (zh) * 2003-03-25 2006-05-31 国立大学法人京都大学 发光元件以及有机电致发光元件
TW200506093A (en) * 2003-04-21 2005-02-16 Aviza Tech Inc System and method for forming multi-component films
KR101067092B1 (ko) * 2003-04-24 2011-09-22 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 표시 장치
JP4163567B2 (ja) * 2003-07-09 2008-10-08 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
JP2005085571A (ja) * 2003-09-08 2005-03-31 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロルミネッセンス材料
JP4703108B2 (ja) * 2003-09-10 2011-06-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光素子基板およびそれを用いた発光素子
KR100990065B1 (ko) * 2003-09-24 2010-10-26 후지필름 가부시키가이샤 전계 발광 소자
JP3928609B2 (ja) * 2003-10-01 2007-06-13 セイコーエプソン株式会社 ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)の保存方法
US7903055B2 (en) * 2004-04-30 2011-03-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting display
TWI272039B (en) * 2004-06-18 2007-01-21 Sanyo Electric Co Electroluminescence panel
JP2006139932A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Pentax Corp 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
US7602118B2 (en) * 2005-02-24 2009-10-13 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
JP4573672B2 (ja) * 2005-02-28 2010-11-04 三洋電機株式会社 有機elパネル
JP4645587B2 (ja) * 2006-02-03 2011-03-09 ソニー株式会社 表示素子および表示装置
US7842406B2 (en) * 2007-12-14 2010-11-30 Global Oled Technology Llc OLED device with substituted acridone compounds
DE102008035110A1 (de) * 2008-07-28 2010-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
FR2939241B1 (fr) * 2008-11-28 2011-03-25 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un substrat nanostructure pour oled et procede de fabrication d'une oled
TWI401992B (zh) * 2008-12-01 2013-07-11 Innolux Corp 影像顯示裝置、影像顯示系統及其製造方法
TWI413443B (zh) * 2009-09-24 2013-10-21 Innolux Corp 影像顯示系統

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129375A (ja) * 1995-11-01 1997-05-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002110363A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 有機電界発光素子及びそれを用いた光電子素子
JP2003036969A (ja) * 2000-10-25 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置
JP2002343574A (ja) * 2001-05-10 2002-11-29 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオードデバイス
JP2003272860A (ja) * 2002-03-26 2003-09-26 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004029466A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器および電気光学装置用基板の製造方法
JP2004127725A (ja) * 2002-10-02 2004-04-22 Pioneer Electronic Corp 有機elディスプレイ
JP2004152751A (ja) * 2002-10-08 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2005183213A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Tohoku Pioneer Corp 有機el素子及びその形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI577067B (zh) * 2012-06-11 2017-04-01 Jx Nippon Oil & Energy Corp Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2005094130A1 (ja) 2008-02-14
TW200534746A (en) 2005-10-16
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EP1734792A4 (en) 2010-05-19
TWI261484B (en) 2006-09-01
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US20080272689A1 (en) 2008-11-06
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US20130078749A1 (en) 2013-03-28

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