JP2008233851A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】半透過反射型の液晶装置において、反射表示領域に設けられる層厚調整膜とラビングとの方位関係を適正化することによりコントラストの高い高品質の表示を得る。
【解決手段】素子基板８とカラーフィルタ基板９との間に設けられた液晶層１４と、前記両基板の面上に設けられたサブ画素Ｐ内の一部の領域に設けられた反射表示領域Ｒと、サブ画素Ｐ内の他の領域に設けられた透過表示領域Ｔと、反射表示領域Ｒに対応してカラーフィルタ基板９上に設けられた位相差膜４６と、位相差膜４６を覆ってカラーフィルタ基板９と液晶層１４との間に設けられておりラビングが施された配向膜４７とを有する液晶装置である。位相差膜４６は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部に段差面４６ａを有し、ラビングは段差面４６ａに対向する向きから行われ、段差面４６ａの延在方向とラビング方向とが基板面内で成す角度をαとするとき７０°≦α≦１１０°である。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶層の層厚を規定する層厚調整膜を反射表示領域内に備えた半透過反射型の液晶装置に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いた電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する情報を表示する表示装置として用いられている。この液晶装置は、一対の基板間に設けられた液晶層に印加する電圧を画素ごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を画素ごとに制御して当該液晶層を透過する偏光を画素ごとに変調し、これにより、いずれか一方の基板の表面に画像を表示する。

従来、半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この液晶装置では、反射板として機能する共通配線によって反射表示領域を形成し、共通配線のない領域によって透過表示領域を形成し、それらの各領域内の電極に選択的に駆動電圧を印加することにより、反射型表示と透過型表示を選択的に行っている。

特開２００５−３３８２５６号公報（第６頁、図２）

特許文献１に開示された液晶装置では、透過表示領域を通過する光が液晶層を１回通過するのに対し、反射表示領域を通過する光が液晶層を２回通過することに起因して、反射光と透過光とでリタデーション（Δｎｄ：但しΔｎは屈折率位相差、ｄは液晶層層厚）に差が発生し、反射型表示と透過型表示の表示特性が不均一になることが考えられる。このリタデーションの差を補償するため、特許文献１の液晶装置では、液晶層の層厚（ｄ）を調整するための層厚調整膜としての内蔵位相差板が反射表示領域内に設けられている。

特許文献１の液晶装置は１つの基板上に画素電極及び共通電極の２つの電極を形成する構成の、いわゆる横電界型の液晶装置であり、層厚調整膜としての内蔵位相差板はそれらの電極が形成された基板に対向する基板上に設けられている。そして、液晶層内の液晶分子は一対の基板の双方に設けた配向膜をラビングすることによりホモジニアス配向に配列されている。

層厚調整膜は反射表示領域と透過表示領域との境界部分に段差面を有しており、この段差面は傾斜面となっている。この傾斜面は、層厚調整膜をフォトリソグラフィ法に基づいて形成する際に必然的に形成されるものである。特許文献１の液晶装置では、層厚調整膜の段差面が信号配線に直角の方向に延在している。特許文献１では、層厚調整膜の段差面の延在方向と液晶分子を配向させるためのラビング方向との成す角度に関していくつかの例が示されており、その中に、段差面の延在方向とラビング方向とが７５°又は９０°であることが開示されている。しかしながら、ラビング方向と段差面との方位関係、すなわちラビングが段差面に対向した方向から行われるのか、あるいは段差面の山部から谷部へ向けて行われるのか、については何も触れられていない。

本発明者は、層厚調整膜の段差面とラビング方向の方位関係について実験を行い、その方位関係が適切に設定されていないと、層厚調整膜の段差面において十分な配向力が得られず、液晶分子の配向に乱れが生じ、その配向の乱れに基づいてコントラストが低下するおそれがあることを知見した。

本発明は、上記の知見に基づいて成されたものであって、半透過反射型の液晶装置及びそれを用いた電子機器において、反射表示領域に設けられる層厚調整膜とラビングとの方位関係を適正化することによりコントラストの高い高品質の表示を得ることを目的とする。

本発明に係る液晶装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記液晶層を挟持する前記第１基板及び前記第２基板によって駆動表示の制御単位を構成するサブ画素内の一部の領域に設けられており反射光によって表示を行う反射表示領域と、前記サブ画素内の他の領域に設けられており透過光によって表示を行う透過表示領域と、前記反射表示領域に対応して前記第２基板上に設けられており前記液晶層の層厚を前記透過表示領域と異なる層厚に規定する層厚調整膜と、該層厚調整膜を覆って前記第２基板と前記液晶層との間に設けられておりラビングが施された配向膜とを有し、前記層厚調整膜は前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界部に段差面を有し、前記ラビングは前記段差面に対向する向きから行われ、該段差面の延在方向と前記ラビング方向との成す角度をαとするとき、７０°≦α≦１１０°であることを特徴とする。

周知の通り、ラビングは配向膜表面をラビング部材によって擦ることによって行われる。本発明に係る液晶装置によれば、ラビングが層厚調整膜の段差面に対向する向きから、即ち、段差面の谷部（透過表示領域）側から山部（反射表示領域）側へ向けて行われ、且つ７０°〜１１０°（すなわち９０°±２０°）の角度範囲内で行われるので、その段差面に対して強いラビング強度を付与でき、配向力を強くでき、配向ムラを防止でき、その結果、高いコントラストを確保できる。ラビングが、本発明とは逆に、段差面の山部から谷部へ向かって行われると、当該段差面に付与されるラビング強度が弱くなって表示不良を生じるおそれがある。これに対し本発明によれば、段差面に対して強いラビング強度を付与できるので、ラビング不良に起因する表示不良の発生を防止できる。

また、本発明者の実験によれば、段差面の延在方向に対するラビングの角度が７０°よりも小さくなると、ラビング不良に起因すると思われる表示不良が見られた。また、段差面の延在方向に対するラビングの角度が１１０°よりも大きくなった場合にも、ラビング不良に起因すると思われる表示不良が見られた。従って、ラビング強度の低下に起因する表示不良の低下を防止するためには、段差面の延在方向に対するラビングの角度を７０°〜１１０°の範囲内に規定することが望ましい。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記段差面は前記第２基板の基板面に対して９０°より小さい角度で傾斜する傾斜面であることが望ましい。層厚調整膜はフォトリソグラフィ法に基づいたパターニング手法によって第２基板上の形成されるのが一般的である。この場合には、層厚調整膜の端部（すなわち段差部）には必然的に傾斜面が形成されることが多い。このような傾斜面に対してラビングを行う際、その傾斜面に対して強いラビング力を付与するためには、そのラビングは傾斜面に対向する向きから行われることが望ましく、さらには、傾斜面の延在方向に対して７０°〜１１０°の角度範囲内で行われることが望ましい。

次に、本発明に係る液晶装置は、電界を形成する第１電極及び第２電極を第１基板上に設けることができる。そして、前記第２電極は間隙をおいて平行に並ぶ複数の電極線状部を有することができる。そして、前記間隙と前記ラビング方向との成す角度をβとするとき、５°≦β≦２０°であることが望ましい。

このように１つの基板上に第１電極及び第２電極の２つの電極を設け、さらに、第２電極は間隙をおいて平行に並ぶ複数の電極線状部を有する構成とすることにより、基板と平行な面内に電界（いわゆる横電界）を形成することができる。このような動作モードは、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードや、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード等として知られている。この動作モードにおいて、第２電極に設けた間隙の延在方向（従って電極線状部の延在方向）とラビング方向との成す角度を５°〜２０°の範囲内に規制することにより、オン電圧印加時の配向変化を安定化すると共に配向変化が生じるしきい値電圧を低減できる。なお、電界方向は間隙及び電極線状部の延在方向に直交する方向であり、ラビング方向を間隙の延在方向に対して５°〜２０°にするということは、電界方向に対して８５°〜７０°の角度でラビングを行うということである。

間隙及び電極線状部は第２電極だけに設けても良いし、第１電極と第２電極の両方に設けても良い。間隙及び電極線状部を第２電極だけに設け、第１電極は面状電極（いわゆるベタ状電極）とする場合には、電極線状部は他方の面状電極と平面視で重なり合うことになる。また、第１電極と第２電極の両方に間隙及び電極線状部を設ける場合でも、双方の電極線状部を互いに平面視で重なり合う状態にすることができる。これらのように、一方の電極に設けた電極線状部が他方の電極に平面視で重なり合う状態の電極構造によって実現される動作モードがＦＦＳモードである。一方、第１電極及び第２電極の双方に間隙及び電極線状部を設け、双方の電極線状部が平面視で重なり合うことなくそれらの電極線状部の間に間隔が形成される電極構造によって実現される動作モードがＩＰＳモードである。

次に、第２電極に間隙及び電極線状部を設けた構成の本発明に係る液晶装置において、前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向に平行に延びる直線形状であり、前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して５°〜２０°傾いており、前記層厚調整膜の段差面はサブ画素の短手方向と平行に延在することが望ましい。この構成によれば、層厚調整膜の段差面がサブ画素の短手方向と平行に延在するので、基板上のパターン形状が簡単で形成し易くなるという効果が得られる。

次に、第２電極に間隙及び電極線状部を設けた構成の本発明に係る液晶装置において、前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向に平行に延びる直線形状であり、前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して５°〜２０°傾いており、前記層厚調整膜の段差面は前記ラビング方向に対して直角方向になる状態で前記サブ画素の短手方向に対して傾いて延在することが望ましい。この構成によれば、層厚調整膜の段差面がラビング方向に対して正確に９０°となるので、当該段差面に強いラビング力を付与でき、液晶分子の配向不良の発生を確実に防止できる。

次に、第２電極に間隙及び電極線状部を設けた構成の本発明に係る液晶装置において、前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向における当該第２電極の中間位置で折れ曲がる形状であり、前記第２電極のうち前記中間位置から一方の領域にある間隙は平面視でサブ画素の長手方向に対して反時計方向に５°〜２０°傾き、前記第２電極のうち前記中間位置から他方の領域にある間隙は平面視でサブ画素の長手方向に対して正時計方向に５°〜２０°傾き、前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して平行方向であり、前記層厚調整膜の段差面はサブ画素の短手方向と平行に延在することが望ましい。

この構成によれば、１つのサブ画素内に間隙の傾きが線対称である２つのドメインが設けられるので、高視角領域における表示の視認性を高めることができ、視角特性がさらに向上する。また、層厚調整膜の段差面がラビング方向に対して正確に９０°となるので、当該段差面に強いラビング力を付与でき、液晶分子の配向不良の発生を確実に防止できる。

次に、第２電極に間隙及び電極線状部を設けた構成の本発明に係る液晶装置において、前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向に平行に延びる直線形状であり、前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して５°〜２０°傾いており、前記層厚調整膜の段差面は前記ラビング方向に対して直角方向になる状態で前記サブ画素の短手方向に対して傾いて延在し、且つ複数のサブ画素間で直線状に延在することが望ましい。この構成によれば、層厚調整膜の段差面の傾斜がサブ画素ごとに繰り返されるパターンではなく、複数のサブ画素ごとに繰り返されるパターンになる。このため、個々のサブ画素間の境界部分においてラビング強度にムラが生じることを防止できる。

なお、本発明に係る液晶装置が複数色、例えばＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色の着色膜を含むカラーフィルタを有する場合には、層厚調整膜の段差面を複数のサブ画素間で直線状に延在させる際のその複数のサブ画素は、上記複数色の着色膜に対応したサブ画素をセットとする１つの画素とすることが望ましい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、青緑の４色で１つの画素が構成される場合には、その４色に対応した１画素内では層厚調整膜の段差面の傾斜が直線状に連続することが望ましい。

次に、本発明に係る液晶装置においては、前記第１基板上にスイッチング素子を設けることができ、該スイッチング素子のオン／オフによってサブ画素内の液晶層にオン電圧及びオフ電圧を印加することができる。スイッチング素子としては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子等といった３端子型のスイッチング素子や、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）等といった２端子型のスイッチング素子を用いることができる。スイッチング素子は、一般に、走査線又は信号線に接続されており、前記サブ画素の長手方向は前記走査線又は前記信号線の延在方向と平行の方向であることが望ましい。

次に、１つの基板である第１基板上に第１電極及び第２電極の２つの電極を設けた構成の本発明に係る液晶装置において、前記層厚調整膜は位相差膜を含み、該位相差膜のリタデーション（Δｎｄ）は２分の１波長であることが望ましい。反射表示領域の最適なリタデーション（Δｎｄ）は広帯域の４分の１波長である。本発明において、層厚調整膜は反射表示領域に対応して第２基板上に設けられる。層厚調整膜の位相差膜と液晶層により反射表示領域のリタデーションを反射表示に最適な広帯域の４分の１波長とするものである。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した本発明に係る液晶装置を有することを特徴とする。この電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯情報端末機等が挙げられる。本発明に係る液晶装置によれば、ラビング不良に起因する表示不良を解消できるので、その液晶装置を用いて形成される電子機器においても高品質の表示を得ることができる。

（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、半透過反射型でカラー表示が可能なアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。また、本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のポリシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた液晶装置に本発明を適用する。また、本実施形態における液晶装置では、横電界型動作モードの１つであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを採用するものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場合がある。

図１は本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。図１において、液晶装置１は、液晶パネル２と照明装置３とを有する。この液晶装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）４と、透光性の樹脂によって形成された導光体５とを有する。ＬＥＤ４から出射した光は導光体５の光入射面５ａから導光体５の内部へ取り込まれ、光出射面５ｂから面状の光となって液晶パネル２へ供給される。照明装置３は、ＬＥＤ４のような点状光源を用いたものでなく、冷陰極管のような線状光源を用いたものでも良い。

液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状（すなわち枠状）のシール材７によって互いに貼り合わされた第１基板としての素子基板８及び第２基板としてのカラーフィルタ基板９を有する。第１基板としての素子基板８はスイッチング素子が形成される素子基板８である。第２基板としてのカラーフィルタ基板９はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板９である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板９が配置され、観察側から見て背面に素子基板８が配置される。シール材７は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性の樹脂、例えばエポキシ系樹脂によって形成されており、例えばスクリーン印刷によって所望の環状に形成されている。

液晶パネル２の内部であってシール材７に囲まれた領域内において、複数の互いに平行な走査線１１が行方向Ｘへ延びて設けられている。また、複数の互いに平行な信号線１２が列方向Ｙへ延びて設けられている。複数の走査線１１と複数の信号線１２とによって囲まれる複数のドット状（すなわち島状）の領域が矢印Ａ方向から見て行列状（いわゆるマトリクス状）に並んでいる。そして、これらの各領域内にサブ画素Ｐが設けられる。これらのサブ画素Ｐが行列状に並ぶことによって表示領域Ｖが形成されている。なお、図１ではサブ画素Ｐを実際のものよりも拡大して模式的に示している。行方向Ｘ及び列方向Ｙは、それぞれ、観察者が液晶パネル２の画像表示を見たときに横方向及び縦方向となる方向である。

サブ画素Ｐは明表示（白表示）及び暗表示（黒表示）のスイッチングの単位となる領域であり、このサブ画素Ｐが複数集まって表示の単位となる１画素が形成される。例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各１色に対応してサブ画素Ｐが形成され、Ｒ、Ｇ、Ｂ３色の個々に対応する３つのサブ画素Ｐが集まって１画素が形成される。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に他の１色（例えば、青緑）を加えた４色のサブ画素Ｐが集まって１画素が形成されることもある。本実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素によって１画素が形成されるものとする。

素子基板８はカラーフィルタ基板９の外側に張り出した張出し部を有しており、その張出し部上に駆動用ＩＣ１０がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって実装されている。駆動用ＩＣ１０は外部の制御回路から制御信号を入力し、走査線１１へ走査信号を供給し、信号線１２へデータ信号を供給する。駆動用ＩＣ１０はＣＯＧ技術によって液晶パネル２に接続されることに限られず、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性配線）基板を介して液晶パネル２へ接続することもできる。

図２は、図１の素子基板８上の１画素（３つのサブ画素）近傍の平面構造を液晶層側の基板法線方向から見た状態を示している。図３は、図１に示すカラーフィルタ基板９の１つの画素（３つのサブ画素）近傍の平面構造を観察側（すなわち液晶層と反対側）の基板法線方向から見た状態を示している。つまり、図３は図２と同じ側からカラーフィルタ基板９を見た状態を示している。図４は、図２及び図３におけるＺ４−Ｚ４線に従った１つのサブ画素Ｐの列方向Ｙに沿った断面構造を示している。図５は、図２及び図３におけるＺ５−Ｚ５線に従った１つのサブ画素Ｐの行方向Ｘに沿った断面構造を示している。

図１において、素子基板８とカラーフィルタ基板９との間には所定厚さの間隙、いわゆるセルギャップが形成されている。このセルギャップの厚さは、シール材７の中に含まれているギャップ材と、素子基板８又はカラーフィルタ基板９の表面に置かれたスペーサ（図示せず）とによって維持される。スペーサは球状部材を素子基板８又はカラーフィルタ基板９上に分散して形成しても良いし、フォトリソグラフィ処理によって素子基板８又はカラーフィルタ基板９上にフォトスペーサとして形成しても良い。フォトスペーサ６は図２に示すように、表示の邪魔にならない位置に設けられる。

以上のようにして形成されるセルギャップＧが図４において符号Ｇで示されている。このセルギャップＧの中に液晶が注入されて液晶層１４が形成されている。本実施形態では、液晶として正の誘電率異方性（Δε＞０）を持つネマチック液晶を用いるものとする。液晶層厚は５μｍとする。符号１４ａは液晶内に含まれる液晶分子１４ａを模式的に示している。液晶層１４はラビング処理によりホモジニアス配向に配向処理されている。

素子基板８は基板法線方向から見て長方形又は正方形の第１透光性基板１５を有する。この第１透光性基板１５は、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。第１透光性基板１５の外側表面には第１偏光板１６が貼り付けられている。一方、カラーフィルタ基板９は基板法線方向から見て長方形又は正方形の第２透光性基板１７を有する。この第２透光性基板１７は、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。第２透光性基板１７の外側表面には第２偏光板１８が貼り付けられている。

第１透光性基板１５の内側表面（すなわち液晶側表面）に、ゲート線２０及び共通線２１が設けられている。ゲート線２０は、図２に示すように、複数本が互いに平行に行方向Ｘに延びて形成されている。共通線２１は、複数本がゲート線２０と平行に行方向Ｘに延びて形成されている。ゲート線２０は、図１の走査線１１として機能する。

ゲート線２０及び共通線２１を覆って第１透光性基板１５上にゲート絶縁膜２２が形成されている。そして、ゲート絶縁膜２２の上にスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子２３が形成され、さらにゲート絶縁膜２２の上にゲート線２０に直交してソース線２４（図２参照）が形成されている。ソース線２４は、図１の信号線１２として機能する。

図４において、ＴＦＴ素子２３は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のポリシリコンＴＦＴとして形成されている。このＴＦＴ素子２３は、ゲート線２０の一部分であるゲート電極２０ａと、ゲート絶縁膜２２と、ポリシリコンを用いて形成された半導体膜２６と、ソース電極２７と、そしてドレイン電極２８とを有する。ソース電極２７及びドレイン電極２８は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子２３の電極端子である。ソース電極２７は、図２に示すように、ソース線２４から分岐して形成されている。本実施形態のＴＦＴ素子２３はボトムゲート構造であるが、これをトップゲート構造とすることもできる。

図４において、ＴＦＴ素子２３及びソース線２４を被覆するための面状の樹脂膜である保護膜としてのパシベーション膜２９がゲート絶縁膜２２の上に設けられ、さらにその上に樹脂膜３０が設けられている。そして、樹脂膜３０の上に反射膜３１が設けられている。反射膜３１は複数のサブ画素間にわたって図４の紙面垂直方向に帯状に設けられている。反射膜３１の上に重ねて第１電極としての共通電極３２が設けられている。この共通電極３２は、基板法線方向から見て列方向Ｙに長い長方形状の面状（いわゆるベタ状）に形成されている。また、共通電極３２は、樹脂膜３０、パシベーション膜２９及びゲート絶縁膜２２内に設けられたスルーホール３３を介して共通線２１に接続している。

共通電極３２の上には容量絶縁膜３５が設けられ、容量絶縁膜３５の上に第２電極としての画素電極３６が設けられ、その上に配向膜３７が設けられている。画素電極３６は、容量絶縁膜３５、樹脂膜３０及びパシベーション膜２９内に設けられたスルーホール３８を介してＴＦＴ素子２３のドレイン電極２８に接続されている。画素電極３６の基板法線方向から見た外縁形状は、概ね、列方向Ｙに長い長方形状となっている。この画素電極３６は図２に示すように直線状の間隙であるスリット４０をおいて平行に並んだ複数の電極線状部４１を有している。スリット４０及び電極線状部４１はサブ画素Ｐの長手方向（すなわち列方向Ｙ）に直線状に延びている。

なお、本実施形態では、図２において信号線であるソース線２４がＴＦＴ素子２３のソース電極２７につながり、ＴＦＴ素子２３のドレイン電極２８が画素電極３６に接続される構成となっている。これに代えて、信号線にドレイン電極がつながり、画素電極３６にソース電極がつながる構成であっても良い。

共通電極３２は面状であるので、画素電極３６の電極線状部４１は基板法線方向からの平面視で共通電極３２に重なっている。本実施形態では、スリット４０が閉じた開口として形成されているが、スリット４０は片側の端辺が開放された形状でも良い。この場合には、画素電極３６は櫛歯形状となる。また、スリット４０は両側の端辺が開放された形状でも良い。

図４において、反射膜３１は、例えばＣｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）等をフォトエッチング処理することによって形成されている。望ましくは、光を散乱させるための凹凸形状パターンが反射膜３１の表面に形成される。この凹凸形状パターンは、例えば、樹脂膜３０の表面にフォトリソグラフィ処理によって凹凸形状パターンを形成し、その凹凸形状パターン上に反射膜３１を形成することによって作ることができる。共通電極３２及び画素電極３６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）等といった透光性の金属酸化物をフォトエッチング処理することによって形成されている。ゲート絶縁膜２２、パシベーション膜２９、樹脂膜３０、容量絶縁膜３５は、例えば、アクリル系樹脂、ＳｉＮ（窒化シリコン）、又はＳｉＯ₂（酸化シリコン）等によって形成されている。配向膜３７は、例えばポリイミドによって形成されている。

以上のように本実施形態では、１つの基板である素子基板８上に一対の電極である共通電極３２及び画素電極３６の両電極が設けられており、両電極間に所定の電圧を印加することにより素子基板８の表面に平行な電界、いわゆる横電界が形成され、この横電界によって液晶層１４内の液晶分子１４ａの配向が基板平行面内で制御される。本実施形態において、反射膜３１に対応する領域が反射表示領域Ｒであり、反射表示領域Ｒ以外で共通電極３２と画素電極３６とが平面視で重なり合う領域が透過表示領域Ｔである。

次に、図４において第２透光性基板１７の内側表面（すなわち液晶側表面）には、カラーフィルタを構成する着色膜４３が形成され、その周囲に遮光膜４４が形成されている。個々の着色膜４３は基板法線方向から見て図３に示すように、サブ画素Ｐに対応する長方形又は正方形のドット状（すなわち島状）に形成されている。また、着色膜４３は複数個が行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４４はそれらの着色膜４３を囲む格子状に形成されている。遮光膜４４は、通常、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔ以外の領域を遮光している。

着色膜４３の個々はＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＲ、Ｇ、Ｂの着色膜４３がストライプ配列で並べられている。本明細書において着色膜４３に添えられた（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の符号は、それぞれ、着色膜の色が赤色、緑色、青色であることを示している。ストライプ配列は、列方向ＹにＲ、Ｇ、Ｂの同色が並び、行方向ＸにＲ、Ｇ、Ｂが１色ずつ順々に交互に並ぶ配列である。ストライプ配列に代えてその他の配列、例えばモザイク配列、デルタ配列で各色の着色膜４３を並べることもできる。なお、着色膜４３の光学的特性は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色とすることもでき、あるいは、その他の４色以上とすることもできる。遮光膜４４は異なる色の着色膜４３を２色又は３色重ねることによって樹脂膜として形成されている。しかし、遮光膜４４はＣｒ等といった金属膜によって形成することもできる。

なお、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色領域は、波長に応じて色相が変化する可視光量域（３８０〜７８０ｎｍ）のうち、赤系の色相の着色領域、緑系の色相の着色領域、青系の色相の着色領域から成る領域である。例えば、「Ｂ」は波長のピークが４１５ｎｍ〜５００ｎｍ、「Ｇ」は波長のピークが４８５ｎｍ〜５３５ｎｍ、「Ｒ」は波長のピークが６００ｎｍ以上、のそれぞれの領域にある着色領域である。もちろん、本発明は着色領域を限定するものではないので、必要に応じて、その他の任意の波長領域を選定できる。

図４及び図５において、着色膜４３及び遮光膜４４の上にオーバーコート層４５が形成されている。素子基板８上の反射膜３１に対向する領域（すなわち反射表示領域Ｒ）内のオーバーコート層４５上に層厚調整膜としての位相差膜４６が設けられている。そして、位相差膜４６を覆ってオーバーコート層４５の上に配向膜４７が設けられている。

着色膜４３は、例えば、感光性樹脂材料に顔料や染料を混合した材料をフォトリソグラフィ法に基づいてパターニングすることによって形成されている。オーバーコート層４５は、例えばアクリル系樹脂によって形成されている。配向膜４７はポリイミドによって形成されている。オーバーコート層４５は、カラーフィルタの構成材料が液晶に混入することを防止する保護膜及びカラーフィルタの表面を平坦化する平坦化膜として機能する。

位相差膜４６は、例えば、液晶高分子を厚さ２μｍ〜３μｍで一様に形成した後にフォトリソグラフィ法に基づいたパターニング手法によって反射表示領域Ｒに対応した部分が残るように形成する。位相差膜４６の両端は段差面４６ａであり、この段差面４６ａはフォトリソグラフィ法に基づいたパターニング処理の際に傾斜面となって形成される。段差面４６ａはオーバーコート層４５の面から９０°以下の角度で行方向Ｘ（紙面垂直方向）に帯状に延びている。

段差面４６ａは図３では破線によって示されており、図２では仮想線によって示されている。図２では段差面４６ａと反射膜３１の端辺とがわずかにずれて描かれているが、実際は、段差面４６ａは平面視で反射膜３１の端辺と略重なっている。反射表示領域Ｒにおいて位相差膜４６と液晶層により反射表示領域Ｒのリタデーション（Δｎｄ）を反射表示に最適な広帯域の４分の１波長とするために、位相差膜４６のリタデーション（Δｎｄ）は２分の１波長に、反射表示領域Ｒの液晶層のリタデーション（Δｎｄ）は４分の１波長に設定されている。

なお、位相差膜４６は反射表示領域Ｒの液晶のリタデーション（Δｎｄ）が４分の１波長となるように膜厚が設定されている。層厚調整膜としての位相差膜４６自体の膜厚によって反射表示領域Ｒにおける適正な液晶層厚が得られない場合には、位相差膜４６をフォトリソグラフィ法に基づいて形成する際にマスクとして用いたレジストを全部除去するのではなく適宜の膜厚分だけ残せば良い。

また、図示してないが、位相差膜４６を層厚調整膜とは、兼用ではなく、別々に設けることもできる。例えば、カラーフィルタ基板９の液晶側の表面に位相差膜４６を設け、カラーフィルタ基板９の外側表面に別の位相差膜４６を設けることができる。この場合、カラーフィルタ基板９に施されるラビング方向は位相差膜４６の段差面４６ａに対向する向きから行われる。カラーフィルタ基板９の外側に設ける位相差膜４６は、フォトリソグラフィ法に従ったパターニングによって形成するのではなく、フィルム状の位相差膜を貼着することによって形成しても良い。

図６は軸配置の関係を示している。符号１４０は、図２の画素電極３６の間隙としてのスリット４０の延在方向（従って電極線状部４１の延在方向）を示している。符号Ｒ１は、図２の素子基板８側のラビング方向を示している。符号Ｒ２は、図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向を示している。符号１４６ａは図３の層厚調整膜としての位相差膜４６の段差面４６ａの延在方向を示している。符号１１６は図４のバックライト側の第１偏光板１６の透過軸の方向を示している。符号１１８は図４の観察側の第２偏光板１８の透過軸の方向を示している。

図６を参照して軸配置の関係を説明すれば、図２の画素電極３６のスリット４０はサブ画素Ｐの長手方向（図２の上下方向）に延びている（図６の方向１４０）。スリット４０に対する素子基板８側のラビング方向Ｒ１の角度βはβ＝５°に規定されている（図６の方向Ｒ１）。図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２は、素子基板８側のラビング方向Ｒ１に対して逆平行（アンチパラレル）であり（図６の方向Ｒ２）、層厚調整膜としての位相差膜４６の段差面４６ａに対向する向きから行われている（図６の１４６ａ方向参照）。段差面４６ａは行方向Ｘに延びており、図２の画素電極３６のスリット４０（すなわち電極線状部４１）の延在方向と直角方向に延在している。従って、図３のカラーフィルタ基板側のラビング方向Ｒ２と位相差膜４６の段差面４６ａとの成す角度αはα＝８５°を成している。

図４において、素子基板８側（バックライト側）の第１偏光板１６及びカラーフィルタ基板９側（観察側）の第２偏光板１８の各透過軸は互いに直角であり（図６の方向１１６及び方向１１８）、観察側の第２偏光板１８の透過軸１１８は、ラビング方向Ｒ１，Ｒ２と直角であり、バックライト側の第１偏光板１６の透過軸１１６はラビング方向Ｒ１，Ｒ２と平行である。

本実施形態の液晶装置１において透過表示が行われる場合、図１の照明装置３の導光体５の光出射面５ｂから出射された面状の光が図４の透過表示領域Ｔ内へ供給される。供給された光は第１偏光板１６によって直線偏光とされて液晶層１４へ入射する。オフ電圧印加時、当該偏光の振動方向は液晶配向方向に平行なため（図６の符号１１６、Ｒ１、Ｒ２参照）、液晶層１４によって位相差を与えられない。この直線偏光は第２偏光板１８によって吸収されて外部へは出射しない。これにより、低透過率の暗表示を実現できる。オン電圧印加時、液晶層１４へ入射した偏光は液晶層１４によってその位相が変調され、第２偏光板１８を透過して外部へ出射して明表示となる。本実施形態では液晶分子がオン電圧印加時に基板平行面内で配向制御されるので、縦方向に配向制御される縦電界制御の場合に比べて広視角の明表示が実現される。また、透過表示領域Ｔには位相差膜４６が存在しないので、視角方向に余分な位相差が発生せず、広視角の暗表示を実現できる。

一方、反射表示が行われる場合、外部からカラーフィルタ基板９へ光が供給される。この光は、第２偏光板１８によって直線偏光に変換され、液晶層１４を通過して反射膜３１で反射された後、再び第２偏光板１８を通過して観察者側へ向かう。

反射表示領域Ｒにおいて、オフ電圧印加時、第２偏光板１８、位相差膜４６、液晶層１４を通過した光は円偏光になって反射膜３１に入射する。反射後に再び第２偏光板１８に入射した偏光はその第２偏光板１８によって吸収されて外部へは出射しない。これにより、低透過率の暗表示を実現できる。オン電圧印加時、液晶層１４へ入射した偏光は液晶層１４によってその位相が変調され、第２偏光板１８を透過して外部へ出射して明表示となる。

以上に説明したように本実施形態によれば、図３において、ラビングＲ２が位相差膜４６の段差面４６ａに対向する向きから角度α＝８５°で行われるので、その段差面４６ａに対して強いラビング強度を付与でき、配向力を強くでき、配向ムラを防止でき、その結果、段差面４６ａの所で高いコントラストを確保できる。ラビングが、本実施形態とは逆に、段差面４６ａの山部から谷部へ向かって行われると、この段差面４６ａに付与されるラビング強度が弱くなって表示不良を生じるおそれがある。これに対し本実施形態によれば、段差面４６ａに対して強いラビング強度を付与できるので、ラビング不良に起因する表示不良の発生を防止できる。

なお、本実施形態では、段差面４６ａに対するラビングの角度αをα＝８５°としたが、これはスリット４０に対するラビング方向Ｒ１，Ｒ２の角度βに応じて変化させても良い。ＦＦＳモードの場合、スリット４０に対するラビング方向Ｒ１，Ｒ２の角度βは５°〜２０°の範囲内にあることが望ましい。段差面４６ａはこのようなラビング方向Ｒ１，Ｒ２に対して適切な角度に設定される。本発明者の実験によれば、段差面４６ａの延在方向に対するラビングの角度αが７０°（＝９０°−２０°）よりも大きく、１１０°（＝９０°＋２０°）よりも小さい範囲内であれば、ラビング不良に起因すると思われる表示不良は発生しないことが分かった。

次に、図４において、層厚調整膜としての位相差膜４６の段差面４６ａはカラーフィルタ基板９の基板面に対して９０°より小さい角度で傾斜する傾斜面である。本実施形態のように、その段差面４６ａに対向する向きからラビングを行うことにより、段差面４６ａに対して良好なラビング強度を付与することができた。

次に、図２において、素子基板８側のラビング方向Ｒ１は画素電極３６のスリット４０の延在方向に対してβ＝５°の角度とした。そして、図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２は逆平行（アンチパラレル）とした。この角度関係により、オン電圧印加時の配向変化を安定化すると共に配向変化が生じるしきい値電圧を低減できる効果が得られた。なお、画素電極のスリットとラビング方向との成す角度αが５°〜２０°の範囲内であれば同様の効果が得られた。

図１から図５に示した上記の実施形態は、画素電極３６の電極線状部４１が平面視で共通電極３２に重なり合う電極構造を有するモードであるＦＦＳモードの液晶装置であった。本発明は、このＦＦＳモードに限られず、ＩＰＳモードの液晶装置にも適用できる。ＩＰＳモードは、共通電極３２にもスリット及び電極線状部が設けられ、画素電極３６の電極線状部４１と共通電極３２の電極線状部とが平面視で互いに重なり合うことがなく、それらの間に所定の間隔、例えば液晶層１４の層厚よりも大きい間隔が設けられるモードである。

次に、本実施形態では、図２において画素電極３６のスリット４０はサブ画素Ｐの長手方向（図２の上下方向）に平行に延びる直線形状であり、ラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの長手方向に対してβ＝５°傾いており、図３の位相差膜４６の段差面４６ａはサブ画素Ｐの短手方向と平行に延在している。この構成は、カラーフィルタ基板９上の位相差膜４６の形状を簡単にすることに関して有効である。

（液晶装置の第２実施形態）
図７及び図８は本発明に係る液晶装置の第２実施形態を示している。この実施形態が図２及び図３に示した第１実施形態と異なる点は、カラーフィルタ基板９上に形成する層厚調整膜としての位相差膜４６の基板法線方向から見た形状に改変を加えたことである。本実施形態において図２及び図３と同じ部材は同じ符号を付すことにしてその説明は省略することにする。

図７において、画素電極３６内に設けられた間隙としてのスリット４０はサブ画素Ｐの長手方向（列方向Ｙ）に直線状に延在している。このスリット４０に対向して図８のカラーフィルタ基板９上に層厚調整膜としての位相差膜４６が設けられている。既述の第１実施形態においては、図３に示したように、位相差膜４６の段差面４６ａがサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に平行に延在し、さらに、段差面４６ａが複数のサブ画素Ｐにわたって一直線につながっていた。これに対し、本実施形態では、図８に示すように、位相差膜４６の段差面４６ａが個々のサブ画素Ｐ内においてサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対して平行ではなく傾いて延在している。そして、各段差面４６ａが互いに隣接するサブ画素Ｐ間の境界部分で段差状につながっている。全体的に見れば、段差面４６ａは鋸歯状に形成されている。

図７において、スリット４０の延在方向（列方向Ｙ）に対する素子基板８側のラビング方向Ｒ１の角度βはβ＝５°に設定されている。図８のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２の、層厚調整膜としての位相差膜４６の段差面４６ａに対する角度αは、α＝９０°に設定されている。図７の素子基板８側のラビング方向Ｒ１はカラーフィルタ基板９側のラビング方向に対して逆平行（アンチパラレル）の関係にある。

本実施形態によれば、位相差膜４６の段差面４６ａがラビング方向Ｒ２に対して正確にα＝９０°となるので、段差面４６ａに強いラビング力を付与でき、液晶分子の配向不良の発生を確実に防止できる。なお、スリット４０の延在方向に対するラビング方向Ｒ１，Ｒ２の角度βは、ＦＦＳモードのための液晶分子配向を得るためには、β＝５°〜２０°の範囲内の値をとることができる。β角度がこの角度範囲内で変化する場合でも、ラビング方向Ｒ１，Ｒ２と段差面４６ａとの成す角度βは９０°であることが望ましい。

本実施形態では、図７に示すように、位相差膜４６の傾斜する段差面４６ａが平面視で反射膜３１の端辺の外部へ張り出すように、素子基板８とカラーフィルタ基板９とが貼り合わされている。しかしながら、反射膜３１の端辺を平面視で段差面４６ａと一致させても良い。

（液晶装置の第３実施形態）
図９及び図１０は本発明に係る液晶装置の第３実施形態を示している。この実施形態が図２及び図３に示した第１実施形態と異なる点は、画素電極に設けた間隙としてのスリット及び電極線状部の形状を改変し、それに応じてラビング方向を変更したものである。本実施形態において図２及び図３と同じ部材は同じ符号を付すことにしてその説明は省略することにする。

図９において、画素電極３６は、複数の間隙としてのスリット４０及びそれらのスリット４０を介在させて並んだ複数の電極線状部４１を有している。画素電極３６のスリット４０はサブ画素Ｐの長手方向における画素電極３６の中間位置で折れ曲がる形状であり、画素電極３６のその中間位置から一方（図９の上方）の領域にあるスリット４０は平面視でサブ画素Ｐの長手方向に対して反時計方向に５°傾いている。また、画素電極３６のその中間位置から他方（下方）の領域にあるスリット４０は平面視でサブ画素Ｐの長手方向に対して正時計方向に５°傾いている。

素子基板８側のラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの長手方向（列方向Ｙ）に対して平行方向である。図１０のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２は素子基板側のラビング方向Ｒ１に対して逆平行（アンチパラレル）である。スリット４０とラビング方向Ｒ１，Ｒ２との成す角度βはβ＝５°である。

カラーフィルタ基板９上に設けられた層厚調整膜としての位相差膜４６の段差面４６ａはサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）と平行に延在している。この方向は、素子基板８上のソース線２４に直角の方向であり、ゲート線２０に平行の方向である。位相差膜４６の段差面４６ａに対するラビング方向Ｒ１，Ｒ２の角度αはα＝９０°である。カラーフィルタ基板９側のラビングＲ２は位相差膜４６の段差面４６ａに対向する向きから行われる。スリット４０は位相差膜４６の段差面４６ａに対して８５°の角度をもって設けられている。

本実施形態によれば、１つのサブ画素Ｐ内にスリット４０の傾きが線対称である２つのドメインが設けられるので、高視角領域における表示の視認性を高めることができ、視角特性がさらに向上する。また、位相差膜４６の段差面４６ａがラビング方向Ｒ１，Ｒ２に対して正確に９０°となるので、当該段差面４６ａに強いラビング力を付与でき、液晶分子の配向不良の発生を確実に防止できる。

（液晶装置の第４実施形態）
図１１及び図１２は本発明に係る液晶装置の第４実施形態を示している。この実施形態が図２及び図３に示した第１実施形態と異なる点は、カラーフィルタ基板９上に形成する層厚調整膜としての位相差膜４６の基板法線方向から見た形状に改変を加えたことである。本実施形態において図２及び図３と同じ部材は同じ符号を付すことにしてその説明は省略することにする。

図１１において、画素電極３６は、複数の間隙としてのスリット４０及びそれらのスリット４０を介在させて並んだ複数の電極線状部４１を有している。スリット４０はサブ画素Ｐの長手方向（列方向Ｙ）に平行に延びる直線形状である。ラビング方向Ｒ１，Ｒ２はサブ画素Ｐの長手方向に対して５°〜２０°傾いている。つまり、スリット４０とラビング方向Ｒ１，Ｒ２との成す角度βは５°≦β≦２０°である。

位相差膜４６の段差面４６ａは、当該段差面４６ａとラビング方向Ｒ２との成す角度αが、α＝９０°になる状態でサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対して傾いて延在している。さらに、段差面４６ａは、個々のサブ画素Ｐ内で独立して傾いているのではなく、３つのサブ画素４３（Ｒ），４３（Ｇ），４３（Ｂ）を１つのセットとしてそのセット内で直線状に延在している。つまり、段差面４６ａは複数のサブ画素Ｐ間で直線状につながって延在している。この構成によれば、位相差膜４６の段差面４６ａの傾斜がサブ画素Ｐごとに繰り返されるパターンではなく、複数のサブ画素Ｐごとに繰り返されるパターンになる。このため、１つ１つのサブ画素Ｐの境界部分においてラビング強度にムラが生じることを防止できる。

なお、本実施形態ではＲ、Ｇ、Ｂを１つのセットとして段差面４６ａを繰り返して傾斜させる構成としたが、１画素を構成するサブ画素がＲ、Ｇ、Ｂ３色以外の組み合わせである場合には、その組み合わせに応じて段差面４６ａの形状を適宜に変更する。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、青緑の４色で１つの画素が構成される場合には、その４色に対応した１画素ごとに段差面４６ａの直線状の傾斜を繰り返して連続させる。

本実施形態では、図１１に示すように、位相差膜４６の段差面４６ａが傾斜状態で設けられ、反射膜３１の端辺が行方向Ｘと平行に設けられている。つまり、段差面４６ａと反射膜３１の端辺とが平面視で不一致の状態となっている。しかしながら、反射膜３１の端辺を平面視で段差面４６ａと一致するように傾斜させても良い。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の液晶装置を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、以上の実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いたが、ＴＦＴ素子以外の３端子型スイッチング素子を用いることもできる。また、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）等といった２端子型のスイッチング素子を用いることもできる。
上記実施形態では、画素電極の電極線状部と共通電極とが平面視で互いに重なり合う電極構造を有するＦＦＳモードを例示した。しなしながら、本発明はＩＰＳモード、すなわち画素電極の電極線状部と共通電極の電極線状部とが平面視で重なり合うことなく、基板平行方向においてそれらの電極線状部間に間隔が設けられる電極構造を有する表示モードにも適用できる。

（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、電気光学装置としての液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。また、制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶装置１０１は、例えば、図１〜図６に示した液晶装置１を用いて構成する。液晶装置１によれば、層厚調整膜の段差面に対するラビング方向を適切に設定することによりコントラストの高い高品質の表示を実現できるので、その液晶装置１を用いた本電子機器においても高品質の表示を実現できる。

（電子機器の第２実施形態）
図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す電子機器としての携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１４が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１５に表示される。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。本体部１１１には操作ボタン１１９及び送話部１１７が設けられる。

表示装置１１３は、例えば、図１〜図６に示した液晶装置１を用いて構成する。液晶装置１によれば、層厚調整膜の段差面に対するラビング方向を適切に設定することによりコントラストの高い高品質の表示を実現できるので、その液晶装置１を用いた本携帯電話機１１０においても高品質の表示を実現できる。

以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の電子機器を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、本発明は、携帯電話機に限られず、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話装置、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種の電子機器に適用できる。

本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す斜視図。 図１の液晶装置の一方の基板の要部を示す平面図。 図１の液晶装置の他方の基板の要部を示す平面図。 図２及び図３のＺ４−Ｚ４線に従った断面図。 図２及び図３のＺ５−Ｚ５線に従った断面図。 図１の液晶装置における光学軸の軸配置関係を示す図。 本発明に係る液晶装置の他の実施形態で用いる基板の要部を示す平面図。 図７の基板に対向する基板の要部を示す平面図。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態で用いる基板の要部を示す平面図。 図９の基板に対向する基板の要部を示す平面図。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態で用いる基板の要部を示す平面図。 図１１の基板に対向する基板の要部を示す平面図。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図。

符号の説明

１…液晶装置、２…液晶パネル、３…照明装置、４…ＬＥＤ、５…導光体、６…フォトスペーサ、７…シール材、８…素子基板、９…カラーフィルタ基板、１０…駆動用ＩＣ、１１…走査線、１２…信号線、１４…液晶層、１５…第１透光性基板、１６…第１偏光板、１７…第２透光性基板、１８…第２偏光板、２０…ゲート線、２０ａ…ゲート電極、２１…共通線、２２…ゲート絶縁膜、２３…スイッチング素子としてのＴＦＴ素子、２４…ソース線、２６…半導体膜、２７…ソース電極、２８…ドレイン電極、２９…保護膜としてのパシベーション膜、３０…樹脂膜、３１…反射膜、３２…第１電極としての共通電極、３３…スルーホール、３５…容量絶縁膜、３６…第２電極としての画素電極、３７…配向膜、３８…スルーホール、４０…間隙としてのスリット、４１…電極線状部、４３…着色膜、４４…遮光膜、４５…オーバーコート層、４６…層厚調整膜としての位相差膜、４６ａ…段差面、４７…配向膜、１０１…液晶装置、１０２…制御回路、１０３…液晶パネル、１１０…電子機器としての携帯電話機、Ｇ…セルギャップ、Ｐ…サブ画素、Ｒ…反射表示領域、Ｒ１，Ｒ２…ラビング方向、Ｔ…透過表示領域、Ｖ…表示領域。

Claims (11)

1. 互いに対向する第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、
   前記液晶層を挟持する前記第１基板及び前記第２基板によって駆動表示の制御単位を構成するサブ画素内の一部の領域に設けられており反射光によって表示を行う反射表示領域と、
   前記サブ画素内の他の領域に設けられており透過光によって表示を行う透過表示領域と、
   前記反射表示領域に対応して前記第２基板上に設けられており前記液晶層の層厚を前記透過表示領域と異なる層厚に規定する層厚調整膜と、
   該層厚調整膜を覆って前記第２基板と前記液晶層との間に設けられておりラビングが施された配向膜とを有し、
   前記層厚調整膜は前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界部に段差面を有し、
   前記ラビングは前記段差面に対向する向きから行われ、該段差面の延在方向と前記ラビング方向との成す角度をαとするとき、
   ７０°≦α≦１１０°
   であることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、前記段差面は前記第２基板の基板面に対して９０°より小さい角度で傾斜する傾斜面であることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置において、
   前記第１基板上に設けられており電界を形成する第１電極及び第２電極をさらに有し、
   前記第２電極は間隙をおいて平行に並ぶ複数の電極線状部を有し、
   前記間隙と前記ラビング方向との成す角度をβとするとき、
   ５°≦β≦２０°
   であることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置において、
   前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向に平行に延びる直線形状であり、
   前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して５°〜２０°傾いており、
   前記層厚調整膜の段差面はサブ画素の短手方向と平行に延在することを特徴とする液晶装置。
5. 請求項３に記載の液晶装置において、
   前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向に平行に延びる直線形状であり、
   前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して５°〜２０°傾いており、
   前記層厚調整膜の段差面は前記ラビング方向に対して直角方向になる状態で前記サブ画素の短手方向に対して傾いて延在することを特徴とする液晶装置。
6. 請求項３に記載の液晶装置において、
   前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向における当該第２電極の中間位置で折れ曲がる形状であり、前記第２電極の前記中間位置から一方の領域にある間隙は平面視でサブ画素の長手方向に対して反時計方向に５°〜２０°傾き、前記第２電極の前記中間位置から他方の領域にある間隙は平面視でサブ画素の長手方向に対して正時計方向に５°〜２０°傾き、
   前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して平行方向であり、
   前記層厚調整膜の段差面はサブ画素の短手方向と平行に延在することを特徴とする液晶装置。
7. 請求項３に記載の液晶装置において、
   前記第２電極の間隙はサブ画素の長手方向に平行に延びる直線形状であり、
   前記ラビング方向はサブ画素の長手方向に対して５°〜２０°傾いており、
   前記層厚調整膜の段差面は前記ラビング方向に対して直角方向になる状態で前記サブ画素の短手方向に対して傾いて延在し、且つ複数のサブ画素間で直線状に延在することを特徴とする液晶装置。
8. 請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置において、前記第１基板上に設けられたスイッチング素子をさらに有し、該スイッチング素子は走査線又は信号線に接続されており、前記サブ画素の長手方向は前記走査線又は前記信号線の延在方向と平行の方向であることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項３から請求項８のいずれか一項に記載の液晶装置において、前記層厚調整膜は位相差膜を含み、該位相差膜のリタデーションは２分の１波長であることを特徴とする液晶装置。
10. 請求項３から請求項９のいずれか一項に記載の液晶装置において、前記第２電極の電極線状部は前記第１電極に平面視で重なることを特徴とする液晶装置。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。

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