JP4462280B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、１つの基板上に設けられた２つの電極間で電界を生じる液晶装置に関し、特に、反射型表示と透過型表示の両方を選択的に行うことができる液晶装置に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）、カーナビゲーションシステム等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を画像として表示するための表示部として液晶装置が用いられている。この液晶装置として、いわゆる縦電界型の液晶装置と横電界型の液晶装置とが知られている。

縦電界型の液晶装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）型液晶装置に代表されるように、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板のそれぞれに電極を設け、それらの電極に電圧を印加することによりそれらの基板に対して垂直方向の電界、いわゆる縦電界を発生させ、液晶層内の液晶分子の配向をその縦電界によって制御することにより、その液晶層を通過する光を変調する。

一方、横電界型の液晶装置は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板の一方に共通電極及び画素電極の２つの電極を設け、それらの電極に電圧を印加することによりそれらの基板に対して平行方向又は斜め方向の電界、いわゆる横電界を発生させ、液晶層内の液晶分子の配向をその横電界によって制御することにより、その液晶層を通過する光を変調する。

横電界型の液晶装置は、基板に対して平行方向や斜め方向の電界によって液晶分子が駆動されるため、液晶分子の配向が基板に対して略平行な面内で制御され、そのため、視角が変わっても液晶分子を見る角度に変化が無く、従って、液晶分子の配向制御に従った表示を広い視角範囲内で視認できるという性質を有している。この性質は、視野角が広い、あるいは広視野角であるといわれている。

上記の横電界型の液晶装置において、反射型と透過型の表示方式を兼ね備えた半透過反射型のものが知られている。透過型は、液晶層を１回透過した光によって表示を行う表示形態である。また、反射型は、液晶層を１回透過した後に光反射膜で反射して再度液晶層を透過した光によって表示を行う表示形態である。半透過反射型は、上記の透過型表示及び上記の反射型表示の一方を選択的に行う表示形態である。この半透過反射型の液晶装置は、１つのサブ画素内に反射表示領域と透過表示領域とを備え、周囲の明るさに応じて反射モード又は透過モードのいずれかの表示方式に切り換えることにより、消費電力を低減しつつ周囲が暗い場合でも明瞭な表示を行うことができるものである。

また、この液晶装置では、反射表示領域と透過表示領域とで最適となるリタデーション値が異なるため、液晶層の層厚を反射表示領域と透過表示領域との間で異ならせている。具体的には、反射表示領域内に層厚調整膜を設け、反射表示領域内の液晶層の層厚を透過表示領域内の液晶層の層厚より薄くしている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−３３８２５６号公報（第６頁〜第７頁、図２）

特許文献１に開示された液晶装置では、層厚調整膜の端辺、すなわち反射表示領域と透過表示領域との境界部分の層厚調整膜に段差面が形成されている。この段差面は、一般に、層厚調整膜をパターニングにより形成する際に必然的に傾斜面として形成される。このような段差面の近傍では液晶分子を配向させる力が弱くなり、液晶分子の配向に不良が発生するおそれがある。特に横電界型の液晶装置では、電圧印加によって電界を形成すると基板の面に平行な面内で液晶分子が回転する。その後、電界を印加しない状態に戻したとしても、配向力が弱い段差面では、液晶分子が元の配向に戻りにくくなるおそれがある。その結果、段差面、すなわち反射表示領域と透過表示領域との境界部分において液晶分子の配向不良が発生し、表示のコントラストが低下するおそれがある。その理由は、特許文献１では、段差面と配向処理方向（例えば、ラビング方向）との関係が適正に考慮されていないからであると考えられる。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、横電界型であり半透過反射型である液晶装置及びそれを用いた電子機器において、電界方向と、層厚調整膜の段差面と、配向処理方向との相対関係を適正に規制することにより、反射表示領域と透過表示領域の境界における液晶分子の配向不良を防止し、表示のコントラストが低下するのを防止することを目的とする。

本発明に係る第１の液晶装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記第２基板の前記液晶層側に設けられておりラビングが施された配向膜と、前記第１基板及び前記第２基板の平面領域内に配列された複数のサブ画素と、前記第１基板の液晶層側に設けられており電界を形成する第１電極及び第２電極とを有し、前記第２電極は間隙を有して平行に配列した複数の電極線状部を備え、個々の前記サブ画素内には、光反射膜が設けられた反射表示領域と、光反射膜が設けられていない透過表示領域が設けられ、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚と前記透過表示領域における前記液晶層の層厚とを異ならせる層厚調整膜が前記第２基板と前記配向膜との間に設けられ、前記層厚調整膜は、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界近傍に当該層厚調整膜の層厚方向に段差を有する段差面を備えた液晶装置である。この液晶装置において、前記ラビングが施された方向と前記段差面の延在方向とが成す角度をαとしたとき、
０°≦α≦２０°
であり、前記透過表示領域において、前記第１電極と前記第２電極の間に電圧が印加されたときに、前記ラビングが施された方向の先方側の液晶分子端が、前記段差面側に向かって配向するように前記ラビングの方向が設定されていることを特徴とする。

この液晶装置は、第１電極と第２電極との間の液晶層に、基板面に対して略平行方向に形成される電界を印加することにより液晶を駆動する、いわゆる横電界型の液晶装置である。このような横電界型の液晶装置の動作モードとしては、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードが知られている。ＩＰＳモードは、第１電極と第２電極とが平面視で重ならない位置に配設された構成を有する。一方、ＦＦＳモードは、第１電極と第２電極とが平面視で重なる位置に配設された構成を有する。このＦＦＳモードは、基板に平行な横電界に加えて液晶層の層厚方向にも電界を生じさせることができる。また、第１電極と第２電極との間に電気的な保持容量を形成することができる。これらの作用により、ＩＰＳモードに比べて、広視角、高コントラスト、低電圧の液晶装置を構成できる。

また、上記の電気光学装置は、いわゆる半透過反射型であってマルチギャップ構造を有した電気光学装置である。この半透過反射型の液晶装置は、サブ画素内に透過表示領域と反射表示領域とを有する。反射表示領域は、光反射膜が設けられその光反射膜によって反射した光を用いて、いわゆる反射型表示を行う。一方、透過表示領域は、光反射膜が設けられずに一方の基板から他方の基板へと透過する光を用いて、いわゆる透過型表示を行う。本発明の液晶装置では、反射表示領域と透過表示領域のいずれかを用いて透過型表示と反射型表示を選択的に行うことができる。

上記の液晶装置において、層厚調整膜は、反射表示領域と透過表示領域とで液晶層のリタデーション値を最適化するために設けられている。段差面は層厚調整膜の層厚方向に形成された面である。この段差面は、層厚調整膜を例えばフォトリソグラフィ処理等によってパターニングする際に、必然的に傾斜面に形成されることがある。この傾斜面は層厚調整膜の層厚が連続的に変化するように形成される。すなわち、層厚調整膜の断面において、層厚方向に傾斜するテーパ面として形成される。

液晶層に含まれる液晶分子は、第１基板及び第２基板上に設けられた配向膜に配向処理、例えばラビングを行うことにより配向される。ラビングは、一般に、ラビング布を巻き付けた円筒状のローラを用いて行われる。具体的には、ローラを回転させながらそのローラを配向膜面の面内の所定方向へ移動させることにより、ローラ表面に巻き付けたラビング布を配向膜の表面に擦りつけることにより行われる。本明細書において、「ラビングが施された方向の先方側」とは、例えば配向膜面に擦りつけたラビング布が配向膜面から抜ける側、すなわちラビングが終わる側のことである。以下、このことを本明細書では、「ラビング終わり側」ということがある。

上記のラビングによって、液晶分子は、電界が印加されていない状態（すなわち、初期配向の状態）で、配向膜の表面から所定角度傾斜した状態、いわゆるプレチルト状態に配向されている。この初期配向の状態において液晶分子は、一般に、上記のラビング先方側の端部がプレチルトにより配向膜の表面から離れた状態に配向されている。この配向状態の液晶に対して電界を印加すると、液晶分子は配向膜の表面から離れた側、すなわちラビングが施された方向の先方側の端部が移動することになる。

本発明に係る第１の液晶装置では、電界方向と、段差面と、配向処理方向との相対関係を以下の通りに規定することにした。
（１）配向膜に対するラビングを段差面に対して平行方向又は段差面に対向する方向に行ない、そのラビングの方向と段差面の延在方向とが成す角度αの範囲は、０°≦α≦２０°である。
（２）ラビングの方向は、第１電極と第２電極の間に電圧が印加されたときに当該ラビングが施された方向の先方側の液晶分子端を段差面へ向けて移動させる方向である。

以上の（１）及び（２）のように規定すれば、液晶分子は、初期配向の状態において、段差面の延在方向に対して０°〜２０°の角度範囲内に配向される。そして、液晶分子のうちの配向膜の表面から離れた端部（すなわちラビング先方側の端部）が移動する方向の先方に段差面を配置することができる。その結果、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できるので、第１電極と第２電極の間に電界を生じさせたときに、配向力が弱い段差面近傍に在る液晶分子の動きを規制することができる。それ故、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が元の配向状態（すなわち、初期配向の状態）に戻り易くなり、段差面近傍において配向不良が発生し難くなる。これにより、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記液晶は正の誘電率異方性を有する液晶であり、前記透過表示領域と前記反射表示領域は前記サブ画素の長手方向に並べて設けられ、前記電極線状部の延在方向はサブ画素短手方向に対して液晶層側から見て正時計方向で０°〜４５°の範囲内か、又は反時計方向で０°〜４５°の範囲内であることが望ましい。本発明態様では、透過表示領域と反射表示領域がサブ画素の長手方向に並べて設けられるので、段差面をサブ画素の短手方向に延在させることができる。それ故、その段差面を形成することが容易にできる。

また、正の誘電率異方性を有する液晶は、電界を印加した状態で、液晶分子の長軸方向が電界の方向と平行の方向に配向される。本発明態様では、第２電極の電極線状部及び間隙がサブ画素の短手方向に延びるので、第１電極と第２電極の間に形成される電界の方向がサブ画素の長手方向になる。従って、第２基板上の液晶分子は、電圧が印加されたときに、移動する側の端部が短手方向に延在する段差面に当接できる。その結果、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が初期配向の状態に戻りやすくなり、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記ラビングの方向と前記電極線状部の延在方向との成す角度をβとしたとき、
５°≦β≦２０°
であり、前記ラビングの方向と前記段差面の延在方向との成す角度をαとしたとき、
α≠０°
であり、前記ラビングは前記段差面に対向する方向から当該段差面に向けて行われることが望ましい。

本発明態様において、ラビングの方向と電極線状部の延在方向との成す角度βを５°≦β≦２０°の範囲内に設定することにより、電圧印加時の液晶分子の配向変化を安定化すると共に配向変化が生じるしきい値電圧を低減できる。また、ラビングの方向と段差面の延在方向とが成す角度αをα≠０°（すなわち、ラビングの方向は段差面に対して平行ではない）としたので、電圧を印加した時に液晶分子のうちの移動する側の端部が段差面に当接できる。その結果、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が初期配向の状態に戻りやすくなり、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、段差面とラビングの方向との相対角度αをα≠０°とした上記の液晶装置において、前記透過表示領域と前記反射表示領域は前記サブ画素の長手方向に並べて設けられ、前記段差面及び前記電極線状部は共に前記サブ画素の短手方向と平行方向に延在していることが望ましい。また、前記段差面と前記電極線状部は互いに平行であることが望ましい。

本発明態様においても、電界方向と、段差面と、配向処理方向との相対関係が既述の（１）及び（２）で規定した条件を満たすことができる。従って、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できるので、共通電極と画素電極の間に電界を生じさせたときに、液晶分子の動きを小さくすることができる。その結果、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が初期配向の状態に戻り易くなり、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記ラビングの方向と前記電極線状部の延在方向との成す角度をβとしたとき、
５°≦β≦２０°
であり、前記ラビングの方向と前記段差面の延在方向との成す角度をαとしたとき、
α＝０°
であることが望ましい。

本発明態様において、ラビングの方向と電極線状部の延在方向との成す角度βを、５°≦β≦２０°の範囲内に設定することにより、電圧印加時の液晶分子の配向変化を安定化すると共に配向変化が生じるしきい値電圧を低減できる。また、ラビングの方向と段差面の延在方向とが成す角度αをα＝０°（すなわち、ラビングの方向を段差面に対して平行）としたので、電圧を印加した時に液晶分子のうちの移動する側の端部が段差面に当接できる。その結果、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が初期配向の状態に戻りやすくなり、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記電極線状部と前記サブ画素の短手方向とが成す角度δはδ＝０°であり、前記電極線状部の延在方向と前記段差面の延在方向とが成す角度εは５°≦ε≦２０°であり、前記ラビングの方向と前記段差面の延在方向とが成す角度αはα＝０°であることが望ましい。本発明態様においても、電界方向と、段差面と、配向処理方向との相対関係が既述の（１）及び（２）で規定した条件を満たすことができる。従って、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できるので、共通電極と画素電極の間に電界を生じさせたときに、液晶分子の動きを小さくすることができる。その結果、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が初期配向の状態に戻り易くなり、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

また、本発明態様では、ラビングの方向と段差面の延在方向とが成す角度αをα＝０°とした。こうすれば、段差面の延在方向に対して所定角度の方向にラビングする場合に比べて段差面上の配向膜に対する配向処理を確実に行うことができる。その結果、段差面における配向力を強くすることができるので、段差面の近傍において配向不良が発生することをより確実に防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記電極線状部と前記サブ画素の短手方向とが成す角度δは５°≦δ≦２０°であり、前記電極線状部の延在方向と前記段差面の延在方向とが成す角度εは５°≦ε≦２０°であり、前記ラビングの方向と前記段差面の延在方向とが成す角度αはα＝０°であることが望ましい。本発明態様においても、電界方向と、段差面と、配向処理方向との相対関係が既述の（１）及び（２）で規定した条件を満たすことができる。従って、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できるので、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

また、本発明態様では、ラビングの方向と段差部の延在方向とが成す角度αを０°とした。こうすれば、段差面の延在方向に対して所定角度の方向にラビングする場合に比べて段差面上の配向膜に対する配向処理を確実に行うことができる。その結果、段差面における配向力を強くすることができるので、段差面の近傍において配向不良が発生することをより確実に防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記第２電極は前記電極線状部の傾き方向が異なっている２つの領域を有し、前記電極線状部は、前記２つの領域の一方では、前記液晶層側からの平面視で前記サブ画素の短手方向に対して正時計方向に傾き、前記２つの領域の他方では、前記液晶層側からの平面視で前記サブ画素の短手方向に対して反時計方向に傾き、前記電極線状部と前記サブ画素の短手方向とが成す角度δは５°≦δ≦２０°であり、前記電極線状部の延在方向と前記段差面の延在方向とが成す角度εは５°≦ε≦２０°であり、前記ラビングの方向と前記段差面の延在方向とが成す角度αはα＝０°であることが望ましい。

本発明態様のように第２電極が電極線状部の延在方向が異なる２つの領域（２ドメイン）を有する構成では、液晶層に電界を印加した際のサブ画素内における液晶分子の配向方向（すなわち、液晶分子が動く方向）を２つの異なる方向にすることができる。つまり、液晶層のダイレクタの分布を２つの方向にすることができる。この配向方向の違いにより、サブ画素内において２つの領域におけるそれぞれの視角特性の方位角依存性が相殺されて、視角特性を向上させることができる。

このようにサブ画素内に電極線状部の延在方向が異なる２つの領域を有する構成においても、電界方向と、段差面と、配向処理方向との相対関係が既述の（１）及び（２）で規定した条件を満たすことにより、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できるので、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において複数色の着色膜を個々に有するサブ画素が当該サブ画素の短手方向に並べられて１画素が形成され、前記層厚調整膜は前記１画素ごとに同じ形状に形成され、前記電極線状部と前記サブ画素の短手方向とが成す角度δはδ＝０°であり、前記電極線状部の延在方向と前記段差面の延在方向とが成す角度εは５°≦ε≦２０°であり、前記ラビングの方向と前記段差面の延在方向とが成す角度αはα＝０°であり、前記段差面は前記１画素内で直線状に延在していることが望ましい。

本発明態様においても、電界方向と、段差面と、配向処理方向との相対関係が既述の（１）及び（２）で規定した条件を満たすことができる。従って、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できるので、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することを防止できる。

また、本発明態様では、複数色のサブ画素から成る１画素毎に同一形状の層厚調整膜を設ける構成とした。仮に、サブ画素の短手方向に対して傾いた方向に延在した段差面をサブ画素毎に形成した場合、互いに隣接するサブ画素の境界には、平面的に見て層厚調整膜の端辺がサブ画素の長手方向に突出して段差が形成されることがある。この段差が各サブ画素の境界に形成されると、その段差部分で配向不良が発生するおそれがある。本発明態様のように１画素毎に同一形状の層厚調整膜を設ければ、仮に段差部分が形成されたとしても、色数分のサブ画素毎に形成されることになり、各サブ画素毎に段差部分が形成される場合に比べて配向不良が発生することを抑制できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記第１電極は前記第２電極の電極線状部と平面視で重なり合う部分を有する面状電極であることが望ましい。この電極の構成を有する液晶装置は、いわゆるＦＦＳモードの液晶装置である。このＦＦＳモードの液晶装置に本発明を適用すれば、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によってより確実に規制できるので、段差面の配向力が弱いことを起因として表示のコントラストが低下することをより確実に防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記層厚調整膜は複数個の前記サブ画素にわたって帯状に設けられていることが望ましい。こうすれば、層厚調整膜をサブ画素ごとに形成する場合に比べて層厚調整膜のパターンを簡単にすることができるので、製造コストを低く抑えることができる。また、互いに隣接するサブ画素同士の間にも層厚調整層の段差面が設けられるので、サブ画素間における液晶分子の動きも規制できる。その結果、サブ画素間において表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第１の液晶装置において、前記層厚調整膜は位相差膜を含んで形成され、前記位相差膜のリタデーション（Δｎｄ）は２分の１波長であることが望ましい。本発明において、層厚調整膜は反射表示領域に対応して第２基板上に設けられる。層厚調整膜は、反射表示領域と透過表示領域とで異なる最適リタデーション値を実現するために用いられる。

次に、本発明に係る第２の液晶装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記第２基板の前記液晶層側に設けられておりラビングが施された配向膜と、前記第１基板及び前記第２基板の平面領域内に配列された複数のサブ画素と、前記第１基板の液晶層側に設けられており電界を形成する第１電極及び第２電極とを有し、前記第２電極は間隙を有して平行に配列した複数の電極線状部を備え、個々の前記サブ画素内には、光反射膜が設けられた反射表示領域と、光反射膜が設けられていない透過表示領域が設けられ、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚と前記透過表示領域における前記液晶層の層厚とを異ならせる層厚調整膜が前記第２基板と前記配向膜との間に設けられ、前記層厚調整膜は、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界近傍に当該層厚調整膜の層厚方向に段差を有する段差面を備えた液晶装置である。この液晶装置において、前記ラビングが施された方向と前記段差面の延在方向とが成す角度をαとしたとき、
０°≦α≦２０°
であり、前記段差面は、前記透過表示領域において、前記第１電極と前記第２電極の間に電圧が印加されたときに移動するラビングが施された方向の先方側の液晶分子端が当接する位置に配置されることを特徴とする。

前記第1の液晶装置はラビングの方向に着目して本発明を規定した。これに対し、本第２の液晶装置は層厚調整膜の段差面の配置位置に着目して本発明を規定している。

この第２の液晶装置においては、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されたときに移動するラビングが施された方向の先方側の液晶分子端が当接する位置に段差面を設けたので、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できる。これにより、共通電極と画素電極の間に電界を生じさせたときに、液晶分子の動きを小さくすることができる。その結果、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が元の配向状態（すなわち、初期配向の状態）に戻りやすくなり、段差面の配向力が弱いことに起因して表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る第３の液晶装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、前記第２基板の前記液晶層側に設けられておりラビングが施された配向膜と、前記第１基板及び前記第２基板の平面領域内に配列された複数のサブ画素と、前記第１基板の液晶層側に設けられており電界を形成する第１電極及び第２電極とを有し、前記第２電極は間隙を有して平行に配列した複数の電極線状部を備え、個々の前記サブ画素内には、光反射膜が設けられた反射表示領域と、光反射膜が設けられていない透過表示領域が設けられ、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚と前記透過表示領域における前記液晶層の層厚とを異ならせる層厚調整膜が前記第２基板と前記配向膜との間に設けられ、前記層厚調整膜は、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界近傍に当該層厚調整膜の層厚方向に段差を有する段差面を備えた液晶装置である。この液晶装置において、前記液晶層の液晶分子は前記配向膜の面に対して所定角度のプレチルトを有した状態に初期配向され、前記段差面は、前記第１電極と前記第２電極との間で電界を生じさせたときに、前記透過表示領域において、前記プレチルトを有した前記液晶分子の両端部のうち前記配向膜の面から離れた側の端部が動く側に配設されていることを特徴とする。

前記第1の液晶装置はラビングの方向に着目して本発明を規定した。また、前記第２の液晶装置は層厚調整膜の段差面の配置位置に着目して本発明を規定した。本第３の液晶装置はラビングに対応して液晶分子に生じるプレチルトに着目して本発明を規定している。

この第３の液晶装置においては、プレチルトにより基板面から離れた側の液晶分子の端部が動く方向に段差面があるので、液晶分子の配向方向、段差面の延在方向及び電極線状部の延在方向を上記の通りに設定すれば、段差面近傍に在る液晶分子の動きを段差面によって規制できる。これにより、共通電極と画素電極の間に電界を生じさせたときに、液晶分子の動きを小さくすることができる。その結果、電界を印加しない状態に戻したときに、段差面近傍の液晶分子が元の配向状態（すなわち、初期配向の状態）に戻りやすくなり、段差面の配向力が弱いことに起因して表示のコントラストが低下することを防止できる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶装置は、液晶分子の配向方向、層厚調整膜の段差面の延在方向及び画素電極の電極線状部の延在方向を所定の角度範囲内に設定することにより、段差面近傍の液晶分子の動きを規制し、段差面の配向力が弱いことに起因して表示のコントラストが低下することを防止できる。従って、この液晶装置を用いて構成される本発明に係る電子機器においても表示のコントラストが低下することを防止できる。

（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、半透過反射型でカラー表示が可能なアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。また、本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のポリシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた液晶装置に本発明を適用する。また、本実施形態における液晶装置では、動作モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを採用するものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場合がある。

図１は本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。図１において、液晶装置１は、液晶パネル２と照明装置３とを有する。この液晶装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）４と、透光性の樹脂によって形成された導光体５とを有する。ＬＥＤ４から出射した光は導光体５の光入射面５ａから導光体５の内部へ取り込まれ、光出射面５ｂから面状の光となって液晶パネル２へ供給される。照明装置３は、ＬＥＤ４のような点状光源を用いたものでなく、冷陰極管のような線状光源を用いたものでも良い。

液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状（すなわち枠状）のシール材７によって互いに貼り合わされた基板８及び基板９を有する。基板８はスイッチング素子が形成される素子基板である。基板９はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板９が配置され、観察側から見て背面に素子基板８が配置される。シール材７は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性の樹脂、例えばエポキシ系樹脂によって形成されており、例えばスクリーン印刷によって所望の環状に形成されている。

液晶パネル２の内部であってシール材７に囲まれた領域内において、複数の互いに平行な走査線１１が行方向Ｘへ延びて設けられている。また、複数の互いに平行な信号線１２が列方向Ｙへ延びて設けられている。複数の走査線１１と複数の信号線１２とによって囲まれる複数のドット状（すなわち島状）の領域が矢印Ａ方向から見て行列状（いわゆるマトリクス状）に並んでいる。そして、これらの各領域内にサブ画素Ｐが設けられる。これらのサブ画素Ｐが行列状に並ぶことによって表示領域Ｖが形成されている。なお、図１ではサブ画素Ｐを実際のものよりも拡大して模式的に示している。また、表示が観察されるのは液晶パネル２の最も外側の面であり、表示領域Ｖはその平面内に形成された領域である。行方向Ｘ及び列方向Ｙは、それぞれ、観察者が液晶パネル２の画像表示を見たときに横方向及び縦方向となる方向である。

サブ画素Ｐは明表示（白表示）及び暗表示（黒表示）のスイッチングの単位となる領域であり、このサブ画素Ｐが複数集まって表示の単位となる１画素が形成される。例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各１色に対応してサブ画素Ｐが形成され、Ｒ、Ｇ、Ｂ３色の個々に対応する３つのサブ画素Ｐが集まって１画素が形成される。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に他の１色（例えば、青緑）を加えた４色のサブ画素Ｐが集まって１画素が形成されることもある。本実施形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素によって１画素が形成されるものとする。

素子基板８はカラーフィルタ基板９の外側に張り出した張出し部を有しており、その張出し部上に駆動用ＩＣ１３がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって実装されている。駆動用ＩＣ１３は外部の制御回路から制御信号を入力し、走査線１１へ走査信号を供給し、信号線１２へデータ信号を供給する。駆動用ＩＣ１３はＣＯＧ技術によって液晶パネル２に接続されることに限られず、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性配線）基板を介して液晶パネル２へ接続することもできる。

図２は、図１の素子基板８上の１画素近傍の平面構造を液晶層側の基板法線方向から見た状態を示している。図３は、図１に示すカラーフィルタ基板９の１画素近傍の平面構造を観察側（すなわち液晶層と反対側）の基板法線方向から見た状態を示している。つまり、図３は図２と同じ側からカラーフィルタ基板９を見た状態を示している。図４は、図２におけるＺ_Ｄ−Ｚ_Ｄ線に従った１つのサブ画素Ｐの行方向Ｙに沿った断面構造を示している。図５は、図２におけるＺ_Ｅ−Ｚ_Ｅ線に従った１つのサブ画素Ｐの行方向Ｘに沿った断面構造を示している。

図１において、素子基板８とカラーフィルタ基板９との間には所定厚さの間隙、いわゆるセルギャップが形成されている。このセルギャップの厚さは、シール材７の中に含まれているギャップ材と、素子基板８又はカラーフィルタ基板９の表面に置かれたスペーサ１０（図２参照）とによって維持される。本実施形態において、スペーサ１０はフォトリソグラフィ処理によって基板８又は基板９上に、例えば柱状に形成されている。なお、スペーサは球状部材を基板８又は基板９上に分散して形成しても良い。このようにして形成されるセルギャップが図４において符号Ｇで示されている。このセルギャップＧの中に液晶が注入されて液晶層１４が形成されている。

本実施形態では、液晶として正の誘電率異方性（Δε＞０）を持つネマティック液晶（いわゆる、ポジ液晶）を用いるものとする。符号１９は液晶内に含まれる液晶分子を模式的に示している。本実施形態では、液晶分子１９の初期配向はラビングによりホモジニアス配向、すなわち素子基板８及びカラーフィルタ基板９に対して平行配向に設定されている。なお、ここでいう平行配向とは、液晶分子が基板に対して所定のプレチルト角を持っている場合を含む意味である。液晶層厚は５μｍとする。

素子基板８は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１基板としての第１の透光性基板１５を有する。この第１透光性基板１５は、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。第１透光性基板１５の外側表面には第１偏光板１６が貼り付けられている。一方、カラーフィルタ基板９は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２基板としての第２の透光性基板１７を有する。この第２透光性基板１７は、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。第２透光性基板１７の外側表面には第２偏光板１８が貼り付けられている。

（素子基板８上の構成）
図４において第１透光性基板１５の内側表面（すなわち液晶側表面）に、ゲート線２０及び共通線２１が設けられている。ゲート線２０は、図２に示すように、複数本が互いに平行に行方向Ｘに延びて形成されている。共通線２１は、複数本がゲート線２０と平行に行方向Ｘに延びて形成されている。ゲート線２０は、図１の走査線１１として機能する。

図４において、ゲート線２０及び共通線２１の上に、これらを被覆する面状の樹脂膜であるゲート絶縁膜２３が形成され、その上にソース線２４が列方向Ｙに延びて形成されている。ソース線２４は、図１の信号線１２として機能する。図２において、ゲート線２０とソース線２４とによって囲まれる長方形状の領域がサブ画素Ｐの領域である。本実施形態ではＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色によってカラー表示を行うものとしており、サブ画素Ｐは個々の色に対応した単位画素であり、行方向に並ぶそれら３つの色に対応する３つのサブ画素Ｐの集まりによって表示の単位である１画素Ｐｘが構成される。符号（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）はそれぞれ赤色のサブ画素Ｐ（Ｒ）、緑色のサブ画素Ｐ（Ｇ）、青色のサブ画素Ｐ（Ｂ）が列方向に一列に並べられることを示している。

ゲート線２０とソース線２４との交差部分の近傍に、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子２５が設けられている。ＴＦＴ素子２５は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のポリシリコンＴＦＴとして形成されている。このＴＦＴ素子２５は、図４において、ゲート線２０の一部分であるゲート電極２０ａと、ゲート絶縁膜２３と、ポリシリコンを用いて形成された半導体膜２６と、ソース電極２７と、そしてドレイン電極２８とを有する。ソース電極２７及びドレイン電極２８は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子２５の電極端子である。ソース電極２７は、図２に示すように、ソース線２４から分岐して形成されている。本実施形態のＴＦＴ素子２５はボトムゲート構造であるが、これをトップゲート構造とすることもできる。

図４において、ＴＦＴ素子２５及びソース線２４を被覆するための面状の樹脂膜であるパッシベーション膜（保護膜）２９がゲート絶縁膜２３の上に設けられている。パッシベーション膜２９の上にはオーバーレイヤ３０が設けられ、その上に光反射膜３６が設けられ、その上に第１電極としての共通電極２２が設けられている。共通線２１の上部領域においてゲート絶縁膜２３、パッシベーション膜２９及びオーバーレイヤ３０を貫通するスルーホール３３ａが形成され、このスルーホール３３ａを介して共通電極２２と共通線２１とが導電接続されている。

光反射膜３６の表面には、必要に応じて、光を散乱させるための凹凸形状パターンが形成される。この凹凸形状パターンは、例えば、オーバーレイヤ３０の表面をフォトリソグラフィ法によって凹凸形状パターンに形成し、その上に光反射膜３６を形成することによって作ることができる。

光反射膜３６はサブ画素Ｐのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図２に示すようにサブ画素Ｐ内の一部の領域である。一方、領域Ｔはサブ画素Ｐ内の領域Ｒ以外の領域であり、本実施形態では領域Ｒと領域Ｔとがサブ画素Ｐの長手方向Ｙに並べて設けられている。個々のサブ画素Ｐの中で光反射膜３６が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜３６が存在しない領域が透過表示領域Ｔである。図４において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ_０は反射表示領域Ｒにおいて光反射膜３６で反射する。一方、図１の照明装置３から出射した図４の光Ｌ_１は、透過表示領域Ｔを透過する。

共通電極２２の上には容量絶縁膜３４が設けられ、その上に第２電極としての画素電極３１が設けられている。容量絶縁膜３４は、共通電極２２と画素電極３１との間に介在する絶縁膜である。画素電極３１及び容量絶縁膜３４の上には素子基板８の面内全域にわたって配向膜３２が設けられている。配向膜３２の表面には配向処理、例えばラビングが施される。図２では配向膜３２の図示を省略している。図４において、ＴＦＴ素子２５のドレイン電極２８の上部領域においてパッシベーション膜２９、オーバーレイヤ３０及び容量絶縁膜３４を貫通するスルーホール３３ｂが形成され、このスルーホール３３ｂを介して画素電極３１とドレイン電極２８とが導電接続されている。

本実施形態では、図２においてソース線２４が信号線であってその信号線からＴＦＴ素子２５のソース電極２７が延びており、ＴＦＴ素子２５のドレイン電極２８が画素電極３１に接続される構成となっている。これに代えて、信号線２４につながる電極がドレイン電極２８であり、画素電極３１につながる電極がソース電極２９であるとすることもできる。

図４において、共通電極２２及び画素電極３１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）等といった透光性の金属酸化物によって形成されている。また、ゲート絶縁膜２３、パッシベーション膜２９、オーバーレイヤ３０及び容量絶縁膜３４は、例えばアクリル系樹脂、ＳｉＮ（窒化シリコン）、又はＳｉＯ_２（酸化シリコン）によって形成されている。配向膜３２は、例えばポリイミドによって形成されている。光反射膜３６は光反射性の金属、例えばＡｌ又はＡｌを主成分とする金属（以下、Ａｌ合金とする）を用いてサブ画素Ｐの一部に設けられている。この光反射膜３６は、例えばスパッタ処理等によって成膜された材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることにより形成される。本実施形態において光反射膜３６は、図２に示すように、サブ画素Ｐの長手方向（列方向Ｙ）の下側に、平面的に見て島状に設けられている。

画素電極３１は、サブ画素Ｐに対応して長方形状の平面形状に形成されており、その内部に複数のスリット、すなわち間隙３５を有している。間隙３５は画素電極３１を貫通する溝状の開口であり、当該間隙３５を通して画素電極３１の下層である容量絶縁膜３４を見ることができる。また、複数の間隙３５は、サブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に平行に延在し、長手方向（列方向Ｙ）に沿って互いに間隔を空けて設けられている。これらの間隙３５の間に帯状の電極線状部３１ａが形成されている。なお、本明細書の図面に示す間隙３５及び電極線状部３１ａは模式的に描かれており、それらの実際の数は図示のものと異なることもある。

本実施形態では間隙３５の両短辺が閉じた状態となっているが、間隙３５の両短辺の一方は開放状態とすることができる。この開放状態の場合には、複数の電極線状部３１ａのそれぞれは片持ち梁の状態となり、全体的には櫛歯形状となる。また、間隙３５の両短辺を開放状態とすることもできる。以上のように本実施形態では、サブ画素Ｐにおいて１つの基板である素子基板８上に一対の電極である共通電極２２及び画素電極３１の両電極が設けられており、両電極間に所定の電圧を印加することにより素子基板８の表面に略平行な電界、いわゆる横電界が形成され、この横電界によって液晶層１４内の液晶分子１９の配向が基板８と略平行な面内で制御される。

図６（ａ）及び図６（ｂ）は図４に示した画素電極３１及び共通電極２２から成る電極構造の変形例を示している。図４に示す本実施形態では共通電極２２が面状電極として形成されているが、図６（ａ）及び図６（ｂ）では共通電極２２が画素電極３１と同様に電極線状部２２ａと間隙３５との組み合わせによって紙面垂直方向（すなわち行方向Ｘ）に延びるストライプ状に構成されている。図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す変形例では共に、共通電極２２の電極線状部２２ａが矢印Ａ方向から平面視で画素電極３１の電極線状部３１ａの間に設けられており、特に、図６（ａ）では両電極線状部３１ａ，２２ａが間隔Ｄ_０だけ隔たって設けられており、図６（ｂ）では両電極線状部３１ａ，２２ａの間隔Ｄ_０がＤ_０＝０（ゼロ）となっている。図４に示す本実施形態の場合は、共通電極２２が面状電極であって画素電極３１に平面視でオーバーラップして（すなわち、重なって）いるので、結果的に電極間隔Ｄ_０＝０（ゼロ）となっている。

横電界型の動作モードとしてＩＰＳ及びＦＦＳの各モードがあることは知られているが、本実施形態ではＦＦＳモードを採用している。ＦＦＳモードを実現するには、共通電極２２と画素電極３１との間で横斜め電界（すなわち放物線状電界）を形成する必要がある。この横斜め電界を形成するには、図６（ｂ）に示すように、
Ｄ_０＝０（ゼロ）
になるように共通電極２２と画素電極３１とを配置する。これは、矢印Ａ方向から平面的に見て、共通電極２２と画素電極３１が接しているか又は重なっている状態である。本実施形態では、図４に示すように共通電極２２が基板１５上のサブ画素Ｐ領域内に面状（いわゆるベタ状）に設けられており、それ故、共通電極２２と画素電極３１が平面視で重なっている状態、すなわちＤ_０＝０の状態となっている。

なお、図６（ａ）に示すように、電極間隔Ｄ_０を、
Ｄ_０＞０
に設定すれば、ＦＦＳモードに代えてＩＰＳモードを実現できる。

（カラーフィルタ基板９上の構成）
図４において第２透光性基板１７の内側表面（すなわち液晶側表面）には、カラーフィルタを構成する着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成されている。個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て図３に示すように、サブ画素Ｐに対応する長方形又は正方形のドット状（すなわち島状）に形成されている。また、着色膜４１は複数個が行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。

着色膜４１の個々はＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜４１がストライプ配列で並べられている。本明細書において符号４１に添えられた（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の符号は、それぞれ、着色膜の色が赤色、緑色、青色であることを示している。ストライプ配列は、列方向ＹにＲ，Ｇ，Ｂの同色が並び、行方向ＸにＲ，Ｇ，Ｂが１色ずつ順々に交互に並ぶ配列である。ストライプ配列に代えてその他の配列、例えばモザイク配列、デルタ配列で各色の着色膜４１を並べることもできる。なお、着色膜４１の光学的特性は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色とすることもでき、あるいは、その他の４色以上とすることもできる。遮光膜４２は、遮光性を有した樹脂、例えばカーボン等を含んだ黒色の樹脂によって形成されている。なお、遮光膜４２は異なる色の着色膜４１を２色又は３色重ねることによって樹脂膜として形成することもできる。また、遮光膜４２はＣｒ（クロム）等といった金属膜によって形成することもできる。

なお、Ｒ，Ｇ，Ｂの着色領域は、波長に応じて色相が変化する可視光領域（３８０〜７８０ｎｍ）のうち、赤系の色相の着色領域、緑系の色相の着色領域、青系の色相の着色領域から成る領域である。例えば、「Ｂ」は波長のピークが４１５〜５００ｎｍ、「Ｇ」は波長のピークが４８５〜５３５ｎｍ、「Ｒ」は波長のピークが６００ｎｍ以上、のそれぞれの領域にある着色領域である。もちろん、本発明は着色領域を限定するものではないので、必要に応じて、その他の任意の波長領域を選定できる。

図４及び図５において、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に層厚調整膜４５が形成され、その上に配向膜４４が形成されている。オーバーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜４２を覆って面状（ベタ状）に設けられる層である。着色膜４１は、例えば、感光性樹脂材料に顔料や染料を混合することによって形成されている。オーバーコート層４３は、例えばアクリル系樹脂によって形成されている。このオーバーコート層４３は、カラーフィルタの構成材料が液晶に混入することを防止する保護膜及びカラーフィルタの表面を平坦化する平坦化膜として機能する。また、配向膜４４はポリイミドによって形成されてその表面にラビング、すなわち配向処理が施される。

層厚調整膜４５は、例えば、液晶高分子を厚さ２〜３μｍで一様に形成した後にフォトリソグラフィ法に基づいたパターニング手法によって反射表示領域Ｒに対応した部分が残るように形成する。層厚調整膜４５の両端は段差面４５ａであり、この段差面４５ａはフォトリソグラフィ法に基づいたパターニング処理の際に傾斜面となって形成される。以下、段差面４５ａのことを傾斜面と呼ぶことがある。段差面４５ａはオーバーコート層４３の面から９０°以下の角度で行方向Ｘ（紙面垂直方向）に帯状に延びている。つまり、段差面４５ａは、層厚調整膜４５の層厚が連続的に変化する傾斜面となっている。

層厚調整膜４５は、図４に示すように、オーバーコート層４３上であって、素子基板８上の光反射膜３６に対向した位置に設けられている。また、層厚調整膜４５は、図３に示すように、行方向Ｘに延びる帯状に形成されており、複数のサブ画素Ｐにわたって連続して設けられている。なお、層厚調整膜４５は、素子基板８の光反射膜３６に対応した領域に島状に設けることもできる。この層厚調整膜４５のリタデーション（Δｎｄ）は２分の１波長に設定されている。図２では段差面４５ａと光反射膜３６の端辺とがわずかにずれて描かれているが、実際には、段差面４５ａと光反射膜３６の端辺は略重なっている。

層厚調整膜は、一般に、半透過反射型液晶装置において反射表示領域と透過表示領域とで液晶層の層厚を異ならせる構造、いわゆるマルチギャップ構造を形成するための膜である。このマルチギャップ構造では、層厚調整膜を用いて液晶層厚を調整することによって反射表示領域と透過表示領域とで異なる最適リタデーション値を実現するために用いられる。

具体的には、図４において、層厚調整膜４５は反射表示領域Ｒに対応して設けられており、透過表示領域Ｔに対応する領域には設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１４の層厚ｄ_０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１４の層厚ｄ_１よりも薄くなっている。このように液晶層１４の層厚の調整をすることにより、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ_０が液晶層１４を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ_１が液晶層１４を１回しか通過しない透過表示の場合とで、各々を最適なリタデーション（Δｎｄ）にすることができる。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。

また、本実施形態の液晶装置では、反射表示領域Ｒに対応する領域に設けられた層厚調整膜４５を位相差膜を用いて形成している。このとき位相差膜４５のリタデーション(Δｎｄ)は２分の１波長に、反射領域Ｒの液晶層のリタデーション(Δｎｄ)は４分の１波長に設定されている。このことにより反射表示領域Ｒにおいて位相差膜４６と液晶層により反射表示領域Ｒのリタデーション(Δｎｄ)を反射表示に最適な広帯域の４分の１波長とすることができる。

次に、配向膜に施されるラビングについて説明する。ラビングは、一般に、回転する円筒形のローラに巻き付けたラビング布（例えば、植毛布）で配向膜の表面を擦ることにより行われる。具体的には、ラビング布を巻き付けたローラを配向膜の表面に接触させた状態で回転させながら配向膜面に沿って一定方向に移動させることにより、所定の方向にラビングがなされる。液晶分子は、このラビングの方向に配向する。以下の説明では、このラビングにおいてローラが配向膜面に入ってくる側を「ラビング後方側」といい、ローラが配向膜面から出て行く側を「ラビング先方側」ということがある。

図４において、カラーフィルタ基板９側の配向膜４４及び素子基板８側の配向膜３２に施されるラビングの方向は、行方向Ｘに平行な逆平行（すなわちアンチパラレル）方向である。また、素子基板８側（観察背面側）の第１偏光板１６及びカラーフィルタ基板９側（観察側）の第２偏光板１８の各透過軸は互いに直角であり、観察側の第２偏光板１８の透過軸は、配向膜４４，３２のラビング方向と平行であり、観察背面側の第１偏光板１６の透過軸はラビング方向と直交している。このラビング方向に関しては後に詳しく説明する。

以上のように構成された液晶装置１によれば、図１の液晶装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記反射型表示を行う場合、図４において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板９を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ_０は、液晶層１４を通過して素子基板８へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜３６で反射して再び液晶層１４へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３のＬＥＤ４が点灯し、それからの光が導光体５の光入射面５ａから導光体５へ導入され、さらに、光出射面５ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ_１で示すように、透過表示領域Ｔにおいて光反射膜３６が存在しない領域を通って液晶層１４へ供給される。

図４において、画素電極３１と面状の共通電極２２とが容量絶縁膜３４を挟んで積層されている。共通電極２２の形状は面状であるので、共通電極２２と画素電極３１の電極線状部３１ａとの間の基板面に沿った（すなわち、列方向Ｙに沿った）距離はゼロである。この状態で両電極間に所定の電圧が印加されると、間隙３５の近傍で両電極間に横斜め電界Ｅが発生する。この横斜め電界Ｅは、液晶層１４の厚さ方向と横方向（すなわち、列方向Ｙ）の両方向にわたって斜めに進む電界、換言すれば放物線状の電界である。この横斜め電界Ｅによって、液晶層１４内の液晶分子１９の配向が基板水平面内で制御される。

この結果、液晶層１４内に供給された光Ｌ_０又はＬ_１が液晶分子１９の水平面内での配向に従ってサブ画素Ｐごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板９の第２偏光板１８を通過するとき、その第２偏光板１８の偏光特性によりサブ画素Ｐごとに通過を規制され、カラーフィルタ基板９の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが矢印Ａ方向から視認される。この場合、液晶分子の配向の制御は縦方向（基板に対して直角方向）の面内で行われるのではなく、横方向（基板に対して平行方向）の面内で行われるので、観察者が液晶パネル２の表示面を見る角度が斜めに傾いても、液晶分子を見る角度に変化はない。このため、本実施形態のＦＦＳモードは広い視角特性を達成できる。

（ラビング方向、電極線状部の延在方向、層厚調整膜の段差面の延在方向等の関係）
以下、ラビング方向（すなわち配向処理方向）と、電極線状部の延在方向（すなわち電界と垂直な方向）と、層厚調整膜の段差面の延在方向の各方向の相対的な関係について、図２の左部の方位関係図、図３の左部の方位関係図、図７（ａ）、及び図７（ｂ）を参照して説明する。

図２の方位関係図において、Ｄ_Ｒは素子基板８上におけるラビング方向、Ｄ_Ｓは電極線状部３１ａの延在方向、Ｄ_Ｑはカラーフィルタ基板９上の層厚調整膜４５の段差面４５ａの延在方向をそれぞれ示している。図３の方位関係図において、Ｄ_Ｒはカラーフィルタ基板９上におけるラビング方向、Ｄ_Ｓは素子基板８上の電極線状部３１ａの延在方向、Ｄ_Ｑは層厚調整膜４５の段差面４５ａの延在方向をそれぞれ示している。

図７（ａ）は、図４において矢印Ｚ_Ｇで示す部分、すなわち層厚調整膜４５の段差面４５ａの部分、すなわち透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界部分を拡大して示している。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）を矢印Ａ方向から平面的に見た図であり、図２の段差面４５ａ近傍をカラーフィルタ基板９を介して基板法線方向から示す図である。なお、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、図４の画素電極３１と共通電極２２の間に電界が生じていない状態、すなわち初期配向の状態を示している。

まず、ラビング方向と液晶分子の初期配向について説明する。既述のように、図４の配向膜３２及び４４にはラビング、すなわち配向処理が施されている。液晶分子１９はこのラビングの方向に従って初期配向される。図２において、液晶分子１９は初期配向の状態で、基板法線方向からの平面視でサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対して少しだけ傾いた方向に配向されている。また、図５の断面図において、液晶分子１９は、カラーフィルタ基板９側の配向膜４４の膜面に対して略平行であるが、配向膜４４の法線方向に所定角度傾いた状態、すなわちプレチルトの状態に配向されている。

図２及び図５に示す液晶分子１９の傾きはラビング方向に依存する。ラビング方向は図２の方位関係図における素子側ラビング方向Ｄ_Ｒと図３の方位関係図におけるカラーフィルタ側ラビング方向Ｄ_Ｒとで逆平行（アンチパラレル）である。すなわち、図５において、素子基板８の配向膜３２は図５の左側から右側の方向Ｄ_Ｒにラビングが施され、カラーフィルタ基板９の配向膜４４は図５の右側から左側の方向Ｄ_Ｒにラビングが施されている。図２において、液晶分子１９はその長軸の方向（いわゆる液晶のダイレクタ）が素子側ラビング方向Ｄ_Ｒに沿っている。従って、平面視での液晶分子１９の傾きはラビング方向Ｄ_Ｒの傾きということになる。一方、図５において、液晶分子１９は、素子基板側及びカラーフィルタ基板側の両方において、ラビング方向Ｄ_Ｒの先方側に位置する端部が配向膜３２，４４の表面から離れており、ラビング方向Ｄ_Ｒの後方側に位置する端部が配向膜３２，４４の表面に接しているか、わずかに離れている。この状態がプレチルトの状態である。

次に、図４において層厚調整膜４５の段差面４５ａの近傍、すなわち反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界に着目すれば、図７（ａ）に示すように、初期配向でプレチルト状態の液晶分子１９は、紙面手前側（塗り潰した側）の端部１９ａが、配向膜面４４ａから離れている。一方、液晶分子１９の紙面奥側（塗り潰されていない側）の端部１９ｂは配向膜面４４ａに接している。つまり、配向膜４４のラビング方向は、図７（ｂ）において矢印Ｄ_Ｒで示すように右側から左側へ向かう方向、すなわち図７（ａ）の紙面奥側から手前側へ向かう方向である。

以上のプレチルトを含んだ初期配向の状態から、図４の画素電極３１と共通電極２２とに電圧を印加してそれらの間に電界Ｅを生じさせると、液晶分子１９は第２基板１７の面に平行な面内で所定角度だけ回転する。このように液晶分子１９が回転することにより、暗表示（黒表示）と明表示（白表示）とを切り換えている。この液晶分子１９の回転移動は、配向膜面に接した側（すなわち、ラビングの後方側）に比べて、配向膜面から離れた側（すなわち、ラビングの先方側）の方が大きい。

ところで、傾斜面として形成された段差面４５ａは、層厚調整膜４５の厚みが連続して変化する段差部分であり、他の領域に比べて液晶分子の配向力が弱い部分である。そのため、液晶層１４に電界を印加した状態（電圧印加状態）から電界を印加しない状態に戻した場合に、液晶分子１９が初期配向の状態に戻り難くなるときがある。こうなると、段差面４５ａ近傍、すなわち反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界で配向不良が発生し、表示のコントラストが低下するおそれがある。

そこで、本実施形態では、電極線状部の延在方向（すなわち電界と垂直な方向）、層厚調整膜の段差面の延在方向、液晶分子の配向方向等の相対関係を規定することにより、段差面近傍での配向不良の発生を防止することにした。具体的には、以下の条件を設定した。

（１）図２において、カラーフィルタ基板９側の層厚調整膜４５の段差面４５ａが基板法線方向からの平面視で光反射膜３６の端辺に重なっている。
（２）図２において、画素電極３１の電極線状部３１ａの延在方向がサブ画素Ｐの短手方向に平行である。
（３）図２の方位関係図において、電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとが平行である。上記（２）で電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓはサブ画素Ｐの短手方向に平行であるから、結局は、段差面４５ａはサブ画素Ｐの短手方向に平行である。
（４）図３の方位関係図において、段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｄ_Ｒとの成す角度αがα＝５°である。
（５）図３の方位関係図において、ラビング方向Ｄ_Ｒは段差面４５ａに対向する方向から当該段差面４５ａに向かう方向である。
（６）図２の方位関係図の素子基板８側ラビング方向Ｄ_Ｒと図３の方位関係図のカラーフィルタ基板９側ラビング方向Ｄ_Ｒは逆平行（アンチパラレル）である。
（７）図２の方位関係図において、電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓとラビング方向Ｄ_Ｒとの成す角度βはβ＝５°である。

以上の条件設定により、段差面４５ａ近傍に在る液晶分子１９の電圧印加時における面内での動きを段差面４５ａによって規制できた。具体的には、図７（ｂ）において、液晶層に電界を印加すると、液晶分子１９のうちのプレチルトで基板から離れる側の端部（すなわち、ラビング方向先方側の液晶分子端）１９ａが反対側の端部１９ｂよりも大きな角度で回転移動又は旋回移動して動くのであるが、その端部１９ａが動く先方位置に段差面４５ａが在るので当該端部１９ａは段差面４５ａに当接することによってその動きを止められる。従って、電界印加時に段差面４５ａの近傍で配向変化する液晶分子１９の移動量を小さく抑制できる。こうすれば、電圧印加状態を電圧を印加しない状態に戻したときに液晶分子１９が初期配向の状態に戻りやすくなる。その結果、段差面４５ａの近傍、すなわち反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界における配向不良の発生を防止でき、表示のコントラストが低下することを防止できる。

本発明者は、図３において、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａとの成す角度αを、５°を除く０°≦α≦２０°の範囲内で変化させ、同時に電極線状部３１ａとラビング方向Ｄ_Ｒとの成す角度βを、５°を除く５°≦β≦２０°の範囲内で変化させて、特に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界部分における表示のコントラストを観察した。α≠０°の（ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａが平行でない）場合、ラビング方向Ｄ_Ｒは段差面４５ａに対向する方向から段差面４５ａに向かって行った。そして、α＝０°の（ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａが平行である）場合は、ラビング方向Ｄ_Ｒは図７（ｂ）の左方向及び右方向の両方で行った。以上の観察の結果、角度α及び角度βがそれぞれ上記の角度範囲内にあれば、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界部分において高いコントラストが得られることが分かった。

本実施形態では、図２に示すように、画素電極３１の電極線状部３１ａと間隙３５をサブ画素Ｐの短手方向Ｘと平行方向（δ＝０°）に延在させている。このような画素電極の構造は、一般に、横スリット構造いわれている。この横スリット構造は、電極線状部３１ａの延在方向がサブ画素Ｐの短手方向Ｘと平行方向の場合に限られず、電極線状部３１ａの延在方向を、サブ画素Ｐの短手方向Ｘに対して液晶層側から見て正時計方向で０°〜４５°の範囲内及び反時計方向で０°〜４５°の範囲内で変化させる場合も横スリット構造と呼ばれている。本発明者は、この広い角度範囲の横スリット構造に対して、特に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界部分における表示のコントラストを観察した。その結果、電極線状部３１ａの延在方向が上記の角度範囲内にあれば、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界部分において高いコントラストが得られることが分かった。

（液晶装置の第２実施形態）
図８は、本発明に係る液晶装置の第２の実施形態で用いる素子基板８の要部を示している。カラーフィルタ基板９の図示は省略することとし、その代わりに、カラーフィルタ基板９上に設けられた層厚調整膜５５を鎖線で示している。また、方位関係図に示されたラビング方向Ｄ_Ｒは、説明の便宜上、素子基板８側のラビング方向と逆平行（アンチパラレル）の関係にある、カラーフィルタ基板９側のラビング方向を図示している。

本第２実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図１に示した第１実施形態の場合と同じである。また、図８におけるＺ_Ｄ−Ｚ_Ｄ線に従った１つのサブ画素Ｐの列方向Ｙに沿った断面構造は、第１実施形態において図４に示した断面構造と同じである。また、図８におけるＺ_Ｅ−Ｚ_Ｅ線に従った１つのサブ画素の行方向Ｘに沿った断面構造は、第１実施形態において図５に示した断面構造と同じである。

本実施形態が第１実施形態と異なる点は次の点である。第１実施形態では、図３に示したように、カラーフィルタ基板９上の層厚調整膜４５の段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑをサブ画素Ｐの短手方向Ｘと平行としている。これに対して本実施形態では、図８に示すように、層厚調整膜５５の傾斜面である段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑを、各サブ画素Ｐ毎に、短手方向Ｘに対して傾けた構成としている。以下、本実施形態の液晶装置について詳しく説明する。なお、図２に示す要素と図８に示す要素とが同じものである場合はそれらを同じ符号によって示すものとする。

図８の層厚調整膜５５は、図４に示すように、カラーフィルタ基板９のオーバーコート層４３上であって、素子基板８の光反射膜３６に対向した位置に設けられている。この層厚調整膜５５は、図８に示すように、行方向Ｘに延びる帯状に形成されており、複数のサブ画素Ｐにわたって連続して設けられている。また、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部分に対応する層厚調整膜５５の端部には段差面５５ａが形成されている。

本実施形態では、以下の条件を設定した。なお、図１２（ａ）を適宜に参照する。図１２（ａ）は、図８の段差面５５ａ近傍をカラーフィルタ基板９を介して基板法線方向から拡大して示す図である。

（１）図８において、画素電極３１の電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓがサブ画素Ｐの短手方向Ｘに平行である。すなわち、電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓとサブ画素Ｐの短手方向Ｘとが成す角度δはδ＝０°である。
（２）図８の方位関係図において、電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓと段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑとの成す角度εはε＝５°である。
（３）図８の方位関係図において、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑは平行である。すなわち、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑとが成す角度αはα＝０°である。
（４）図８の方位関係図のカラーフィルタ基板９側ラビング方向Ｄ_Ｒと、図示しない素子基板８側ラビング方向は逆平行（アンチパラレル）である。
（５）図１２（ａ）において、段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑはサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対して傾いている。特に、段差面５５ａは図の左下がりの方向に延在して形成されている。図８の方位関係図において、段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑのサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対する角度γはγ＝５°である。この段差面５５ａは、個々のサブ画素Ｐのそれぞれに対して傾いた方向に延在している。従って、段差面５５ａは、平面的に見て、例えば鋸刃形状、あるいは楔形状に形成されている。
（６）図１２（ａ）において、ラビング方向Ｄ_Ｒと電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓとが成す角度βはβ＝５°である。

以上の条件設定により、段差面５５ａ近傍に在る液晶分子１９の電界印加時における面内での動きを段差面５５ａによって規制できる。具体的には、液晶層１４に電界を印加すると、液晶分子１９のうちのプレチルトで基板から離れる側の端部１９ａが面内で回転移動又は旋回移動して動くのであるが、その動く先方位置に段差面５５ａが在るので端部１９ａは段差面５５ａによってその動きを規制される。従って、電界印加時における液晶分子１９の移動量を小さくすることができる。こうすれば、電圧印加状態を電圧を印加しない状態に戻したときに液晶分子１９が初期配向の状態に戻りやすくなる。その結果、段差面５５ａの近傍、すなわち反射表示領域と透過表示領域の境界における配向不良の発生を防止し、表示のコントラストが低下することを防止できる。

また、本実施形態では、上記の条件（３）のようにラビング方向Ｄ_Ｒと段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑとを平行（α＝０°）にした。こうすれば、段差面５５ａの延在方向Ｄ_Ｑに対して所定角度の方向にラビングする場合（例えば、図２に示した実施形態１の場合）に比べて段差面５５ａ上の配向膜４４の配向処理を確実に行うことができる。その結果、段差面５５ａにおける配向力を、段差面５５ａに対して所定角度の方向にラビングをした場合に比べて強くすることができるので、段差面５５ａの近傍において配向不良が発生することをより確実に防止できる。

図８において、層厚調整膜５５は素子基板８に対向するカラーフィルタ基板９上に設けられるものであるが、この層厚調整膜５５の段差面５５ａは、基板法線方向からの平面視で、素子基板８上に設けた光反射膜３６の端辺の外側に張り出している。この構成に限られず、本発明は、光反射膜３６の端辺が段差面５５ａと重なり合う鋸刃形状あるいは楔形状であっても良い。

（液晶装置の第３実施形態）
図９は、本発明に係る液晶装置の第３の実施形態で用いる素子基板８の要部を示している。カラーフィルタ基板９の図示は省略することとし、その代わりに、カラーフィルタ基板９上に設けられた層厚調整膜４５を鎖線で示している。また、図９の左部に示された方位関係図上のラビング方向Ｄ_Ｒは、説明の便宜上、素子基板８側のラビング方向と逆平行（アンチパラレル）の関係にある、カラーフィルタ基板９側のラビング方向を図示している。

本第３実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図１に示した第１実施形態の場合と同じである。また、図９におけるＺ_Ｄ−Ｚ_Ｄ線に従った１つのサブ画素Ｐの列方向Ｙに沿った断面構造は、第１実施形態において図４に示した断面構造と同じである。また、図９におけるＺ_Ｅ−Ｚ_Ｅ線に従った１つのサブ画素の行方向Ｘに沿った断面構造は、第１実施形態において図５に示した断面構造と同じである。

図２に示した第１実施形態では、画素電極３１の電極線状部３１ａの延在方向（すなわち、間隙３５の延在方向）をサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）と平行とした。これに対して本実施形態では、サブ画素Ｐの短手方向に対する電極線状部の角度に変更を加えている。以下、本実施形態の液晶装置について詳しく説明する。

本実施形態では、以下の条件を設定した。なお、図１２（ｂ）を適宜に参照する。図１２（ｂ）は、図９の傾斜面である段差面４５ａ近傍をカラーフィルタ基板９を介して基板法線方向から拡大して示す図である。

（１）図９において、画素電極６１はいわゆる横スリット構造であるが、画素電極６１の電極線状部６１ａの延在方向のサブ画素Ｐの短手方向に対する角度δはδ＝５°である。電極線状部６１ａは図の右下がりの方向に延在して形成されている。
（２）図９の方位関係図において、電極線状部６１ａの延在方向Ｄ_Ｓと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとの成す角度εはε＝５°である。従って、段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑはサブ画素Ｐの短手方向Ｘと平行である。
（３）図９の方位関係図において、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑは平行である。すなわち、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとが成す角度αはα＝０°である。
（４）図９の方位関係図のカラーフィルタ基板９側ラビング方向Ｄ_Ｒと、図示しない素子基板８側ラビング方向は逆平行（アンチパラレル）である。
（５）図１２（ｂ）において、ラビング方向Ｄ_Ｒと電極線状部６１ａの延在方向Ｄ_Ｓとが成す角度βはβ＝５°である。

以上の条件設定により、上記の第１実施形態及び第２実施形態と同様の作用により、段差面４５ａ近傍に在る液晶分子１９の電界印加時における面内での回転移動又は旋回移動の動きを段差面４５ａによって規制できる。こうすれば、電圧印加状態を電圧を印加しない状態に戻したときに液晶分子１９が初期配向の状態に戻りやすくなる。その結果、段差面４５ａの近傍、すなわち反射表示領域と透過表示領域の境界における配向不良の発生を防止し、表示のコントラストが低下することを防止できる。

また、本実施形態では、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとを平行（両者の成す角度αをα＝０°）にした。こうすれば、段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑに対して所定角度の方向にラビングする場合（例えば、実施形態１の場合）に比べて段差面４５ａ上における配向処理を確実に行うことができる。その結果、段差面４５ａにおける配向力を強くすることができるので、段差面４５ａの近傍において配向不良が発生することをより確実に防止できる。

（液晶装置の第４実施形態）
図１０は、本発明に係る液晶装置の第４の実施形態で用いる素子基板８の要部を示している。カラーフィルタ基板９の図示は省略することとし、その代わりに、カラーフィルタ基板９上に設けられた層厚調整膜４５を鎖線で示している。また、図１０の左部に示された方位関係図上のラビング方向Ｄ_Ｒは、説明の便宜上、素子基板８側のラビング方向と逆平行（アンチパラレル）の関係にある、カラーフィルタ基板９側のラビング方向を図示している。

本第４実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図１に示した第１実施形態の場合と同じである。また、図１０におけるＺ_Ｄ−Ｚ_Ｄ線に従った１つのサブ画素Ｐの列方向Ｙに沿った断面構造は、第１実施形態において図４に示した断面構造と同じである。また、図１０におけるＺ_Ｅ−Ｚ_Ｅ線に従った１つのサブ画素の行方向Ｘに沿った断面構造は、第１実施形態において図５に示した断面構造と同じである。

図２に示した第１実施形態では、画素電極３１の電極線状部３１ａの延在方向（すなわち、間隙３５の延在方向）Ｄ_Ｓをサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）と平行とし、その電極線状部３１ａはサブ画素Ｐ内において全て同じ方向となっている。これに対して本実施形態では、画素電極内に設ける電極線状部の延在方向に変更を加えることにより、電極線状部の延在方向が異なっている２つのドメインを画素電極内に設けている。以下、本実施形態の液晶装置について詳しく説明する。

本実施形態では、以下の条件を設定した。なお、図１２（ｂ）を適宜に参照する。図１２（ｂ）は、図１０の傾斜面である段差面４５ａ近傍をカラーフィルタ基板９を介して基板法線方向から拡大して示す図であり、図９の実施形態の場合と同じ図である。

（１）図１０において、画素電極７１内の上部領域には、電極線状部７１ａが左下がりの方向に延在して形成され、サブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対する角度δが反時計周りで５°に設定されている。また、画素電極７１内の下部領域には、電極線状部７１ｂが右下がりの方向に延在して形成され、サブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対する角度δが正時計回りで５°に設定されている。このように、２つの電極線状部７１ａと７１ｂの相互の傾き方向を異ならせることにより、液晶層に電界を印加した際のサブ画素Ｐ内における液晶分子１９の配向方向（すなわち、液晶分子１９が面内で動く方向）を２つの異なる方向に分けることができる。この配向方向の違いにより、サブ画素Ｐ内において２つのドメインにおけるそれぞれの視角特性の方位角依存性が相殺されて、視角特性を向上させることができる。
（２）図１０の方位関係図又は図１２（ｂ）において、電極線状部７１ｂの延在方向Ｄ_Ｓと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとの成す角度εはε＝５°である。
（３）図１２（ｂ）において、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑは平行である。すなわち、図１０の左部の方位関係図において、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとが成す角度αはα＝０°である。
（４）図１０の方位関係図のカラーフィルタ基板９側ラビング方向Ｄ_Ｒと、図示しない素子基板８側ラビング方向は逆平行（アンチパラレル）である。
（５）図１２（ｂ）において、ラビング方向Ｄ_Ｒと電極線状部７１ｂの延在方向Ｄ_Ｓとの成す角度βはβ＝５°である。

以上の条件設定により、上記の第１実施形態から第３実施形態と同様の作用により、段差面４５ａ近傍に在る液晶分子１９の電界印加時における面内の動きを段差面４５ａによって規制でき、その結果、段差面４５ａの近傍、すなわち反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界における配向不良の発生を防止し、表示のコントラストが低下することを防止できる。

また、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面４５ａの延在方向Ｄ_Ｑとを平行（両者間の角度αをα＝０°）にしたので、図９の第３実施形態と同じく、段差面４５ａ上における配向処理を確実に行うことができ、その結果、段差面４５ａにおける配向力を強くすることができるので、段差面４５ａの近傍において配向不良が発生することをより確実に防止できる。

（液晶装置の第５実施形態）
図１１は、本発明に係る液晶装置の第５の実施形態で用いる素子基板８の要部を示している。カラーフィルタ基板９の図示は省略することとし、その代わりに、カラーフィルタ基板９上に設けられた層厚調整膜８５を鎖線で示している。また、図１１の左部に示された方位関係図上のラビング方向Ｄ_Ｒは、説明の便宜上、素子基板８側のラビング方向と逆平行（アンチパラレル）の関係にある、カラーフィルタ基板９側のラビング方向を図示している。

本第５実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図１に示した第１実施形態の場合と同じである。既述の第１から第４の各実施形態では、個々のサブ画素に対して同一形状の層厚調整膜を配設している。これに対して本実施形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色のそれぞれに対応した３つのサブ画素から成る１つの表示画素Ｐｘに対してそれぞれ同一形状の層厚調整膜が配設される。すなわち、Ｒ，Ｇ，Ｂの各サブ画素間では層厚調整膜の形状が異なっている。

本実施形態では、以下の条件を設定した。なお、図１２（ａ）を適宜に参照する。図１２（ａ）は、図１１の傾斜面である段差面８５ａ近傍をカラーフィルタ基板９を介して基板法線方向から拡大して示す図であり、図８の実施形態の場合と同じ図である。

（１）図１１において、画素電極３１の電極線状部３１ａの延在方向はサブ画素Ｐの短手方向に平行である。すなわち、電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓとサブ画素Ｐの短手方向Ｘとが成す角度δはδ＝０°である。
（２）図１１の方位関係図において、電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓと段差面８５ａの延在方向Ｄ_Ｑとの成す角度εはε＝５°である。
（３）図１１の方位関係図において、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面８５ａの延在方向Ｄ_Ｑは平行である。すなわち、ラビング方向Ｄ_Ｒと段差面８５ａの延在方向Ｄ_Ｑとが成す角度αはα＝０°である。
（４）図１１の方位関係図のカラーフィルタ基板９側ラビング方向Ｄ_Ｒと、図示しない素子基板８側ラビング方向は逆平行（アンチパラレル）である。
（５）図１２（ａ）において、段差面８５ａの延在方向Ｄ_Ｑはサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対して傾いている。特に、段差面８５ａは図の左下がりの方向に延在して形成されている。図１１の方位関係図において、段差面８５ａの延在方向Ｄ_Ｑのサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対する角度γはγ＝５°である。
（６）図１２（ａ）において、ラビング方向Ｄ_Ｒと電極線状部３１ａの延在方向Ｄ_Ｓとの成す角度βはβ＝５°である。
（７）層厚調整膜８５は帯状に設けられており、３つのサブ画素Ｐから成る１つの表示画素Ｐｘ毎に同じ形状に形成されている。具体的には、層厚調整膜８５の段差面８５ａが赤色のサブ画素Ｐ（Ｒ）、緑色のサブ画素Ｐ（Ｇ）及び青色のサブ画素Ｐ（Ｂ）にわたって直線状に連続して設けられている。この段差面８５ａは、サブ画素Ｐの短手方向に対して、左下がりの方向に５°傾いた方向に延在している。このような段差面８５ａの形状に対応して、素子基板８上の光反射膜３６の面積が変化している。つまり、光反射膜３６によって規定される反射表示領域Ｒの大きさがサブ画素Ｐによって異なっている。具体的には、反射表示領域Ｒの大きさが、Ｐ（Ｒ）＜Ｐ（Ｇ）＜Ｐ（Ｂ）の関係になっている。

以上の条件設定により、既述の第１実施形態から第４実施形態と同様の作用により、段差面８５ａ近傍に在る液晶分子１９の電界印加時における面内の動きを段差面８５ａによって規制でき、その結果、段差面８５ａの近傍、すなわち反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界における配向不良の発生を防止し、表示のコントラストが低下することを防止できる。

また、本実施形態では、図１１に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色のサブ画素Ｐから成る１つの画素Ｐｘ毎に同一形状の層厚調整膜８５を設ける構成とした。こうすれば、図８の実施形態において層厚調整膜５５を平面視でサブ画素Ｐごとの鋸刃形状に形成した場合と異なり、全てのサブ画素Ｐの境界部分に層厚調整膜５５の端辺がサブ画素Ｐの長手方向Ｙに突出して段差が形成されるということがなくなる。仮に段差部分が形成されたとしても、３つのサブ画素Ｐの集まりである１つの画素Ｐｘ毎に形成されることになり、各サブ画素Ｐ毎に段差部分が形成される場合に比べて配向不良が発生することを抑制できる。

また、カラーフィルタ基板９上のラビング方向Ｄ_Ｒと段差面８５ａの延在方向Ｄ_Ｑとを平行（両者間の角度αをα＝０°）にしたので、図９の第３実施形態と同じく、段差面８５ａ上における配向処理を確実に行うことができる。その結果、段差面８５ａにおける配向力を強くすることができるので、段差面８５ａの近傍において配向不良が発生することをより確実に防止できる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、以上の各実施形態では、液晶パネルの動作モードとしてＦＦＳモードを例示したが、ＩＰＳモードを動作モードとすることもできる。ＩＰＳモードは共通電極の電極線状部と画素電極の電極線状部とが基板表面に沿って比較的広い間隔（例えば液晶層の層厚よりも広い間隔）で設けられていて、画素電極の直上領域には電界が形成され難い電極構造を有するモードである。これに対し、ＦＦＳモードは、画素電極の電極線状部が共通電極と平面視で重なり合うことにより、画素電極の直上領域にも電界が形成される電極構造を有するモードである。

また、図８又は図１１に示す実施形態において、段差面５５ａ，８５ａは図の左下がり方向に傾いて延在させている。しかしながら、この段差面５５ａ，８５ａは、図の右下がり方向に傾いて延在させることもできる。

また、図８に示す実施形態では、全てのサブ画素Ｐにおいて段差面を同じ方向に傾けて延在させているが、サブ画素Ｐ毎に延在方向を変えることもできる。例えば、互いに隣接するサブ画素Ｐにおいて、傾斜方向を逆にしたり、サブ画素Ｐ内をある一定の領域に区分し、その領域によって方向を変えることもできる。

これらの各実施形態においても、全てのサブ画素Ｐで反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界近傍に在る液晶分子１９の電圧印加時における面内での動きを段差面によって規制できることが必要であるのはもちろんである。

（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。また、制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶装置１０１は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、液晶分子の配向方向、液晶層厚調整膜の段差面の延在方向、画素電極の電極線状部の延在方向等を所定の角度範囲内に設定することにより、層厚調整膜としての層厚調整膜の段差面近傍の液晶分子の電圧印加時の動きを規制し、当該段差面における液晶分子の配向力が弱いことに起因して表示のコントラストが低下することを防止できる。従って、この液晶装置１を用いて構成された本実施形態の電子機器においても表示のコントラストが低下することを防止して、高品質の画像表示を行うことができる。

（電子機器の第２実施形態）
図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１４が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１５に表示される。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。本体部１１１には操作ボタン１１６及び送話部１１７が設けられる。

表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、液晶分子の配向方向、液晶層厚調整膜の段差面の延在方向及び画素電極の電極線状部の延在方向を所定の角度範囲内に設定することにより、段差面近傍の液晶分子の電圧印加時の動きを規制し、段差面における液晶分子の配向力が弱いことに起因して表示のコントラストが低下することを防止できる。従って、この液晶装置１を用いて構成された本実施形態の電子機器においても表示のコントラストが低下することを防止できる。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の電子機器を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。例えば、本発明は、携帯電話機に限られず、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話装置、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種の電子機器に適用できる。

本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す斜視図である。 図１の液晶装置を構成する１つの基板上の１画素近傍を示す平面図である。 図１の液晶装置を構成する他の基板上の１画素近傍を示す平面図である。 図２及び図３のＺＤ−ＺＤ線に従ったサブ画素内の列方向に沿った断面図である。 図２及び図３のＺＥ−ＺＥ線に従ったサブ画素内の行方向に沿った断面図である。 本発明に係る液晶装置の電極構造の変形例を示す断面図であり、（ａ）は電極間隔Ｄ０がゼロでない場合であり、（ｂ）は電極間隔Ｄ０がゼロの場合である。 図４の矢印Ｚ_Ｇで示す部分を拡大して示しており、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は矢印Ａ方向から見た平面図である。 本発明に係る液晶装置の他の実施形態の主要部を示す図であって、特に１つの基板上の１画素近傍を示す平面図である。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示す図であって、特に１つの基板上の１画素近傍を示す平面図である。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示す図であって、特に１つの基板上の１つの画素近傍を示す平面図である。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示す図であって、特に１つの基板上の１つの画素近傍を示す平面図である。 （ａ）は図８又は図１１の基板及びそれに対向する基板の段差面近傍を平面的に示しており、（ｂ）は図９又は図１０の基板及びそれに対向する基板の段差面近傍を平面的に示している。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。

符号の説明

１．液晶装置、 ２．液晶パネル、 ３．照明装置、 ４．ＬＥＤ、 ５．導光体、
５ａ．光入射面、 ５ｂ．光出射面、 ７．シール材、 ８．素子基板、
９．カラーフィルタ基板、 １０．スペーサ、 １１．走査線、 １２．信号線、
１４．液晶層、 １５．第１透光性基板（第１基板）、 １６，１８．偏光板、
１７．第２透光性基板（第２基板）、 １９．液晶分子、
１９ａ，１９ｂ．液晶分子の端部、 ２０．ゲート線、 ２１．共通線、
２２．共通電極（第１電極）、 ２３．ゲート絶縁膜、 ２４．ソース線、
２５．ＴＦＴ素子、 ２６．半導体膜、 ２７．ソース電極、 ２８．ドレイン電極、
２９．パシベーション膜、 ３０．オーバーレイヤ、
３１，６１，７１．画素電極（第２電極）、
２２ａ．３１ａ，６１ａ．７１ａ，７１ｂ．電極線状部、 ３２，４４．配向膜、
３３ａ，３３ｂ．スルーホール、 ３４．容量絶縁膜、 ３５．間隙、
３６．光反射膜、 ４１．着色膜、 ４２．遮光膜、 ４３．オーバーコート層、
４４．配向膜、 ４４ａ．配向膜面、 ４５，５５、８５．層厚調整膜（位相差膜）、
４５ａ，５５ａ，８５ａ．段差面（傾斜面）、 １０１．液晶装置、
１０２．制御回路、 １０３．液晶パネル、 １０４．駆動回路、
１１０．携帯電話機（電子機器）、 Ｄ０．電極間隔、 Ｇ．セルギャップ、
Ｐ．サブ画素、 Ｄ_Ｑ．段差面の延在方向、 Ｄ_Ｒ．ラビング方向、
Ｄ_Ｓ．電極線状部の延在方向、 Ｘ．行方向（サブ画素の短手方向）、 Ｙ．列方向（サブ画素の長手方向）、 Ｖ．表示領域

Claims (3)

1. 互いに対向する第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、
   前記第２基板の前記液晶層側に設けられておりラビングが施された配向膜と、
   前記第１基板及び前記第２基板の平面領域内に配列された複数のサブ画素と、
   前記第１基板の液晶層側に設けられており電界を形成する第１電極及び第２電極とを有し、
   前記第２電極は間隙を有して平行に配列した複数の電極線状部を備え、
   個々の前記サブ画素内には、光反射膜が設けられた反射表示領域と、光反射膜が設けられていない透過表示領域が設けられ、
   前記反射表示領域における前記液晶層の層厚と前記透過表示領域における前記液晶層の層厚とを異ならせる層厚調整膜が前記第２基板と前記配向膜との間に設けられ、
   前記層厚調整膜は、前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界近傍に当該層厚調整膜の膜厚方向に段差を有するとともに前記サブ画素の短手方向に対して傾いた方向に延在する段差面を備え、
   前記ラビングの方向と前記電極線状部の延在方向との成す角度をβとしたとき、
   ５°≦β≦２０°
   であり、
   前記ラビングの方向と前記段差面の延在方向とが成す角度をαとしたとき、
   α＝０°
   であり、
   前記電極線状部と前記サブ画素の短手方向とが成す角度δはδ＝０°であり、
   前記電極線状部の延在方向と前記段差面の延在方向とが成す角度εは５°≦ε≦２０°であり、
   前記透過表示領域において、前記第１電極と前記第２電極の間に電圧が印加されたときに、いずれかの液晶分子端が、前記段差面側に向かって配向することを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１記載の液晶装置において、
   複数色の着色膜を個々に有するサブ画素が当該サブ画素の短手方向に並べられて１画素が形成され、
   前記段差面は前記１画素内で直線状に延在していることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。

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