JP2001274447A

JP2001274447A - 集積型薄膜太陽電池の製造方法

Info

Publication number: JP2001274447A
Application number: JP2000082387A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Nakajima; 昭彦中島; Toshinobu Nakada; 年信中田
Original assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 2000-03-23
Filing date: 2000-03-23
Publication date: 2001-10-05
Anticipated expiration: 2020-03-23
Also published as: JP4441048B2

Abstract

(57)【要約】【課題】結晶質光電変換ユニット層を含む集積型薄膜
太陽電池の高い出力特性を実現し得る製造方法を提供す
る。【解決手段】絶縁基板１上に積層された裏面電極層
２、少なくとも１の結晶質半導体光電変換ユニット層
３、および透明電極層４が複数のセルを形成するように
複数の分離溝２ａ，４ｃによって分類されていて、かつ
それらのセルが導電性接続部材によって電気的に直列接
続される集積型薄膜太陽電池の製造方法は、透明電極層
４を複数の透明電極に分類するための透明電極分離溝４
ｃの形成において、透明電極層４の自由表面側からスク
ライブ用レーザビームを照射することによって少なくと
も透明電極層４の厚さを貫通する透明電極分離溝４ｃを
形成し、その後に、少なくとも、透明電極層４に隣接し
ている導電型半導体層を透明電極分離溝４ｃ内でドライ
エッチングによって完全に分離する工程を含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は集積型薄膜太陽電池
の製造方法に関し、特に、高い光電変換効率を有する結
晶質シリコン系光電変換ユニット層を含む集積型薄膜太
陽電池の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体薄膜太陽電池は、一般に、少なく
とも表面が絶縁性の基板上に順次積層された第１電極、
１以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極
を含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットは、ｐ
型層とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでい
る。光電変換ユニットの厚さの大部分を占めるｉ型層は
実質的に真性の半導体層であって、光電変換作用は主と
してこのｉ型層内で生じる。

【０００３】したがって、光電変換ユニットは、それに
含まれるｐ型とｎ型の導電型層が非晶質か結晶質かにか
かわらず、ｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質ユ
ニットと称され、ｉ型層が結晶質のものは結晶質ユニッ
トと称される。なお、本願明細書内で、「結晶質」の用
語は、薄膜太陽電池の技術分野で一般に用いられている
ように、部分的に非晶質状態を含むものをも意味するも
のとする。

【０００４】他方、ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユ
ニット内に拡散電位を生じさせる役割を果たし、その拡
散電位の大きさによって薄膜太陽電池の重要な特性の１
つである開放端電圧の値も左右される。しかし、これら
の導電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であ
り、導電型層にドープされた不純物によって吸収される
光は発電に寄与しない損失となる。したがって、導電型
層は、必要な拡散電位を生じさせることを前提として、
できるだけ薄くすることが望まれる。

【０００５】ここで、結晶質ｉ型層は非晶質ｉ型層に比
べて長波長の光まで吸収することができ、結晶質薄膜光
電変換ユニットは非晶質薄膜光電変換ユニットに比べて
長波長の光をも光電変換に利用し得るという利点を有し
ている。

【０００６】しかし、非晶質薄膜光電変換ユニットに含
まれる非晶質ｉ型光電変換層の厚さは一般に約０．２５
μｍ以下でも十分であるのに対して、結晶質シリコンの
光吸収係数を考えれば、結晶質薄膜光電変換ユニットに
含まれる結晶質ｉ型光電変換層は一般に約２．５μｍ以
上の厚さが必要とされる。すなわち、結晶質薄膜光電変
換ユニットに含まれる結晶質ｉ型光電変換層は、非晶質
薄膜光電変換ユニットに含まれる非晶質ｉ型光電変換層
の約１０倍程度以上の厚さが必要とされる。

【０００７】そこで、特開平１１−１４５４９９は、従
来１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下の圧力下で行なわれて
いたプラズマＣＶＤによる結晶質ｉ型光電変換層の堆積
を４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）以上の高い圧力下でシラン
系ガスに対する水素ガスの流量比を５０倍以上に大きく
した状態で行なうことによって、高品質の結晶質ｉ型光
電変換層が高速度で堆積され得ることを開示している。

【０００８】ところで、薄膜太陽電池の製造において
は、ＣＶＤ法やスパッタリングなどによる薄膜の堆積ス
テップとレーザスクライブ法などによるパターニングス
テップの適宜の繰返しや組合せを含む製造プロセスによ
って所望の構造が形成される。すなわち、通常は１枚の
絶縁基板上に複数の光電変換セルが電気的に直列接続さ
れた集積型構造が採用され、屋外用途のための電力用太
陽電池では、たとえば４５ｃｍ×９０ｃｍのような大面
積の基板が用いられ、高い出力電圧を生じ得る装置にさ
れる。

【０００９】図８は、集積型薄膜太陽電池の典型的な一
例の構造を模式的な断面図で示している。なお本願の各
図において、厚さや長さなどの寸法関係は図面の明瞭化
と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関
係を表わしてはいない。特に、半導体層などの種々の層
の厚さは誇張されて示されているが、それらの実際の厚
さはいずれも数μｍ以下の非常に薄いものである。この
図８の集積型薄膜太陽電池においては、絶縁基板１１上
に第１電極層１２、シリコンなどからなる半導体光電変
換ユニット層１３、および第２電極層１４が順次積層さ
れており、パターニングによって半導体層１３に設けら
れた接続用開口溝１３ａを介して、互いに左右に隣接し
合う光電変換セルが電気的に直列接続されている。

【００１０】ところで、薄膜光電変換ユニット層１３に
おいては、ｉ型光電変換層内へできるだけ多くの光を導
入するために、比較的広いエネルギバンドギャップのｐ
型層、ｉ型光電変換層、および比較的狭いバンドギャッ
プのｎ型層が光入射側からこの順に積層されることが多
い。すなわち、光電変換ユニット層１３が基板側から順
に積層されたｐ型層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を
含むｐｉｎ型の場合、絶縁基板１１としてガラスなどの
透明基板、第１電極層１２として透明導電性酸化物（Ｔ
ＣＯ）電極層、そして第２電極層１４として金属層を含
む裏面電極層が用いられる。逆に、光電変換ユニット層
１３がｎｉｐ型の場合、第１電極層１３として金属層を
含む裏面電極が用いられ、第２電極層１４としてＴＣＯ
透明電極層が用いられる。なお、ＴＣＯとしては酸化
錫、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛などが用
いられ、金属層としては銀、アルミ、チタン、クロムな
どが用いられ得る。

【００１１】ｐｉｎ型の薄膜太陽電池では、ガラス基板
１１が表面保護カバーとして作用し得る利点がある。他
方、ｎｉｐ型の薄膜太陽電池では厚いガラス基板１１に
よる光吸収ロスを回避することができるという利点があ
り、また、金属電極に比べて低い導電率の透明電極１４
上に櫛型金属電極を形成することができ、透明電極によ
る抵抗ロスを低減できるという利点がある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ｐｉｎ型の光電変換層
を含む集積型薄膜太陽電池を形成する場合、特開平１１
−１８６５８３にも述べられているように、透明電極分
離溝１２ａ、半導体層１３を貫通する接続用溝１３ａ、
および裏面電極分離溝１４ａのいずれもが、ガラス基板
１１側からレーザビームを照射するレーザスクライブに
よって好ましく形成され得る。

【００１３】他方、ｎｉｐ型の集積型薄膜太陽電池で
は、透明なガラス基板１１を用いたとしても、金属層を
含む裏面電極層１２を切断することなくガラス基板１１
側からのレーザスクライブによって接続用溝１３ａや透
明電極分離溝１４ａを形成することできない。すなわ
ち、これらの溝１３ａ，１４ａをレーザスクライブで形
成するためには、レーザビームを膜の自由表面側から照
射しなければならない。

【００１４】特開平１１−１８６５８３においても述べ
られているように、一般に、膜面側からのレーザスクラ
イブを利用して形成された集積型薄膜太陽電池では、ガ
ラス基板側からのレーザスクライブを利用して形成され
たものに比べて高い出力性能が得られにくいという事実
がある。この傾向は、特に、結晶質光電変換ユニット層
を含む集積型薄膜太陽電池において、非晶質ユニット層
のみを含むものに比べて、より顕著になる。このこと
は、結晶質光電変換ユニットが非晶質ユニット比べて約
１０倍程度も厚いこと、結晶質シリコンのレーザ吸収係
数が非晶質のそれに比べて小さいこと、それに伴って高
エネルギ密度のレーザビームが求められることなどと関
係しているものと考えられる。

【００１５】このような先行技術の状況に鑑み、本発明
は、結晶質光電変換ユニット層を含む集積型薄膜太陽電
池の製造において、膜面側からのレーザスクライブを利
用してもその太陽電池の高い出力性能を実現し得る方法
を提供することを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基
板上に順に積層された裏面電極層、少なくとも１の結晶
質半導体光電変換ユニット層、および透明電極層が複数
の光電変換セルを形成するように複数の分離溝によって
分離されていて、かつそれらの複数のセルが導電性接続
部材によって電気的に直列接続される集積型薄膜太陽電
池の製造方法は、透明電極層を複数の透明電極に分離す
るための透明電極分離溝の形成において、透明電極層の
自由表面側からスクライブ用レーザビームを照射するこ
とによって少なくともその透明電極層の厚さを貫通する
透明電極分離溝を形成し、その後に、少なくとも、前記
透明電極層に隣接している導電型半導体層を透明電極分
離溝内でドライエッチングによって完全に分離する工程
を含むことを特徴としている。

【００１７】透明電極分離溝は、ドライエッチング後に
おいて、半導体層内の１００ｎｍ以上の深さに至るよう
に形成されることが好ましい。

【００１８】本発明の製造方法は、光電変換ユニット層
が基板側から順に積層されたｎ型層、ｉ型光電変換層、
およびｐ型層を含み、透明電極層にはｐ型層が隣接して
いる集積型薄膜太陽電池に、より好ましく適用され得
る。

【００１９】本発明による製造方法においては、セル間
の電気的直列接続が半導体層の厚さを貫通する接続用溝
を介して行なわれるように、半導体層上に所定厚さの第
１透明導電層を堆積し、少なくとも第１透明導電層の厚
さを貫通する接続用溝をレーザスクライブによって形成
し、この接続用溝の深さが裏面電極に至るまでドライエ
ッチングし、その後に、接続用溝を埋めながら第１透明
導電層上に所定厚さの第２透明導電層を堆積し、透明電
極層はこれらの第１と第２の透明導電層を含むものとし
て形成され得る。

【００２０】本発明による製造方法においては、セル間
の電気的直列接続が接続用溝を介して行なわれるよう
に、少なくとも透明電極層の厚さを貫通する接続用溝を
レーザスクライブによって形成し、その接続用溝を埋め
る金属コンタクト部を形成し、金属コンタクト部から金
属原子を熱処理によって拡散させて裏面電極層との間に
電気的接続を形成することができる。その場合には、裏
面電極は基板側から順に積層された金属層と、透明導電
性酸化物からなる拡散防止層とを含み、この拡散防止層
は金属層から金属原子が半導体層内に拡散することを防
止するように作用し得る。

【００２１】本発明による製造方法において、基板が透
明の場合には、裏面電極層を複数の裏面電極に分離する
ための裏面電極分離溝は、基板側からスクライブ用レー
ザビームを照射して、裏面電極層、半導体層、および透
明電極層を含む全積層膜を貫通する溝を形成することに
よって得ることができる。

【００２２】本発明による製造方法では、各セルにおい
て、透明電極上には櫛型金属電極が印刷法によって形成
され、櫛型電極と金属コンタクト部との間、および櫛型
電極と全積層膜を貫通する裏面電極分離溝との間には、
透明電極分離溝が形成され得る。そして、各セルの櫛型
電極はそのセルに隣接するセルのコンタクト部にボンデ
ィングワイヤによって電気的に接続され得る。

【００２３】他方、各セルにおいて、全積層膜を貫通す
る裏面電極分離溝、これと櫛型電極との間の透明電極分
離溝、およびこれらの溝の間の透明電極層を覆うように
印刷法によって絶縁膜を形成し、各セルの櫛型電極はそ
のセルに隣接するセルのコンタクト部へ印刷法による導
電膜によって電気的に接続されてもよく、この導電膜は
絶縁膜の上面を横切るように覆って形成され得る。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下において、いくつかの実験例
を説明することによって、本発明による効果を得ること
ができる実施の形態を明らかにする。

【００２５】（実験例１）ガラス基板上に銀電極層、厚
さ２．５μｍのｎｉｐ型結晶質シリコン光電変換ユニッ
ト層、および厚さ８０ｎｍのＩＴＯ透明電極層をこの順
に積層して薄膜太陽電池を形成した。この薄膜太陽電池
は透明電極側からのレーザスクライブによって複数の正
方形セルに分割され、各セルは１．２ｃｍ×１．２ｃｍ
の面積を有していた。

【００２６】このときのレーザスクライブ条件として
は、ＹＡＧレーザのＳＨＧ（第２高調波）が用いられ、
パルス周期が３ｋＨｚ、出力パワーが０．１Ｗ、そして
デフォーカス量が−３ｍｍであった。なお、ここでのデ
フォーカス量の−３ｍｍとは、レーザビームの焦点位置
が膜の位置からビーム源側へ３ｍｍだけ後退させられて
いることを意味する。もちろん、デフォーカス量の絶対
値が小さい方がビームのエネルギ密度は大きくなるが、
スクライブ溝の幅は小さくなる。

【００２７】得られた複数のセルの各々に対して暗状態
で外部電圧を印加して電流電圧（Ｉ−Ｖ）カーブを測定
したが、各セルはｎｉｐ接合に基づくダイオード特性を
示さず、ダイオードが短絡しているようなＩ−Ｖ特性を
示した。

【００２８】そこで、触針式段差計を用いてスクライブ
ラインを横断する方向に凹凸状態を測定したところ、図
１に示されているような凹凸曲線が得られた。なお、図
１中において、水平方向と垂直方向のスケールバーから
わかるように、凹凸の高低差のスケールは水平方向のス
ケールに比べて大きく拡大されて示されている。

【００２９】図１から明らかなように、１つのスクライ
ブラインの幅内において１本のきれいな溝が形成されて
いるのではなく、多くの急激な凹凸が入り混じっている
ことがわかる。このようなスクライブライン幅内におい
ては、ＩＴＯ、ｐ型シリコン、およびｉ型シリコンが入
り混じっていると考えられ、電気的に短絡状態にあると
考えられる。

【００３０】そこで、図１に示されているようなスクラ
イブラインに対して、ドライエッチングとしてＣＦ₄と
酸素を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が施さ
れた。具体的なエッチング条件としては、ＣＦ₄の流量
が８５ｓｃｃｍ、酸素の流量が２０ｓｃｃｍ、エッチン
グチャンバ内圧力が０．５Ｐａ、そして高周波パワーが
０．１Ｗの下で１０分間のプラズマエッチングが行なわ
れた。こうしてドライエッチングされたスクライブライ
ンに対して、図１の場合と同様に触針式段差計を用いて
測定したところ、図２に示されているような凹凸形状が
得られた。

【００３１】図２から明らかなように、ＩＴＯ電極層は
ドライエッチングに対するマスクとして作用し、そのエ
ッチング後の１つのスクライブライン幅内において、横
断面形状がほぼ矩形で１本のきれいな溝が形成されてい
ることがわかる。そして、この溝はシリコン層内の約
０．３μｍの深さまで至っており、ここで、ＩＴＯ電極
層に隣接するｐ型導電層が約２０ｎｍであるので、ＩＴ
Ｏ電極層のみならずｐ型導電層もドライエッチング後の
スクライブ溝によって完全に分離されていると考えられ
る。実際に、ドライエッチング後の各セルについて暗状
態でＩ−Ｖ特性を測定したところ、すべてのセルがダイ
オード特性を示し、短絡しているような電流は消失して
いた。なお、光電変換ユニット層に含まれるｐ型とｎ型
の導電型層は通常はいずれも３０ｎｍ以下の厚さである
ので、透明電極分離溝の半導体層内への深さは１００ｎ
ｍ以上であれば十分と考えられる。

【００３２】（実験例２）実験例１の場合と同様に形成
された２つのセルＡとＢについて、ドライエッチング前
と後における電気抵抗率が測定された。その結果が表１
に示されている。なお、表１中において、電圧（Ｖ）は
暗状態においてダイオード特性を示すべきセルに対して
外部電圧源から印加された逆バイアス電圧を表わし、電
流（Ａ）におけるたとえばＥ−０５の表示は×１０^-5を
意味し、そして、抵抗率（ｋΩ／ｃｍ²）は逆バイアス
電圧（Ｖ）をそれによって流れる電流（Ａ）とセルの面
積（ｃｍ²）で割った値を表わしている。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１からわかるように、セルＡとＢのいず
れにおいても、レーザスクライブ後のドライエッチング
前では０．１Ｖ以下の逆バイアス電圧に対して０．５ｋ
Ω／ｃｍ²より小さな抵抗率を示しているが、エッチン
グ後では５０ｋΩ／ｃｍ²より大きな抵抗率を示してい
る。すなわち、セルＡとＢのいずれにおいても、レーザ
スクライブされたままの状態ではスクライブ溝部の漏れ
電流が大きくて正常なダイオード特性が測定され得ない
が、その後のドライエッチングによってスクライブ溝部
の漏れ電流が除去されて、逆バイアス電圧に対する正常
なダイオード特性による大きな抵抗率が観測されている
ことがわかる。このことは、ドライエッチング処理され
たレーザスクライブ溝がセル間の良好な分離溝として働
き得ることを意味している。

【００３５】（実験例３）実験例３として、模式的な断
面図である図３と図４で図解されているようなプロセス
によって、集積型薄膜太陽電池が作製された。

【００３６】まず図３を参照して、ガラス基板１上に裏
面銀電極層２が堆積され、ガラス基板側からのレーザス
クライブによって裏面電極分離溝２ａが形成された。な
お、裏面電極分離溝２ａは、レーザスクライブの代わり
にメカニカルスクライブで形成されてもよい。

【００３７】裏面電極層２上には、厚さ約３μｍの結晶
質シリコン光電変換ユニット層３と厚さ約８０ｎｍの第
１の酸化亜鉛膜４ａが堆積された。これらのシリコン層
３と第１酸化亜鉛膜４ａは、接続用溝３ａを形成するた
めに、まず酸化亜鉛膜側からレーザスクライブされた。
このときのレーザスクライブ条件としては、実験例１の
場合と同様に、ＹＡＧＳＨＧレーザが用いられ、パルス
周期が３ｋＨｚ、出力パワーが０．１Ｗ、そしてデフォ
ーカス量が−３ｍｍであった。

【００３８】その後、このレーザスクライブラインに対
してドライエッチングを施すことによって、厚さ３μｍ
のシリコン層３を貫通して裏面電極２まで至る深さを有
する接続用溝３ａが形成された。このときのエッチング
条件としては、ＣＦ₄の流量が８５ｓｃｃｍ、酸素の流
量が２０ｓｃｃｍ、エッチングチャンバ内圧力が０．５
Ｐａ、そして高周波パワーが１．０Ｗの下で５分間のプ
ラズマエッチングが行なわれた。すなわち、このエッチ
ング条件は、実験例１の場合に比べて、高周波パワーが
１０倍にされてエッチング時間が半分にされている。こ
のようなハイパワーの高周波電力の下でのプラズマエッ
チングによって、第１酸化亜鉛膜４ａをマスクとして用
いながら、レーザスクライブライン幅内において厚さ３
μｍのシリコン層３を貫通して裏面電極層２まで至る深
さを有する接続用溝３ａを完成させることができるので
ある。

【００３９】次に図４を参照して、接続用溝３ａを埋め
ながら、第１酸化亜鉛膜４ａ上に厚さ約６００ｎｍの第
２の酸化亜鉛膜４ｂが堆積された。そして、これらの第
１と第２の酸化亜鉛膜４ａと４ｂが、透明電極層４を構
成することになる。この透明電極層４は、透明電極分離
溝４ｃを形成するために、まずその自由表面側からレー
ザスクライブされた。このときのレーザスクライブ条件
は、レーザ出力パワーが０．１５Ｗに高められたことを
除けば、前述の第１酸化亜鉛膜４ａのスクライブ条件と
同様であった。

【００４０】その後、この透明電極層４上のレーザスク
ライブラインに対して、ドライエッチングが施された。
このときのエッチング条件としては、高周波パワーが
０．１Ｗに下げられてエッチング時間が１０分にされた
ことの除けば、前述の接続用溝３ａの形成の場合と同様
であった。すなわち、このときのエッチング条件は実験
例１の場合と同じであり、透明電極分離溝４ｃはシリコ
ン層３の深さ約０．３μｍまで至っていた。

【００４１】こうして形成されて２５ｃｍ²の受光面積
を有する実験例３の集積型薄膜太陽電池に対して、ソー
ラーシミュレータを用いてＡＭ１．５の擬似太陽光を１
００ｍＷ／ｃｍ²のエネルギ密度で照射したときの光電
変換特性として、０．５３Ｖの開放端電圧、２５ｍＡの
短絡電流、７５％の曲線因子、および１０．０％の変換
効率が得られた。そして、これらの特性値は、実用に対
して十分に満足し得るものである。

【００４２】（実験例４）実験例４として、模式的な断
面図である図５と図６に図解されているようなプロセス
によって、集積型薄膜太陽電池が作製された。

【００４３】まず図５を参照して、ガラス基板１上に、
裏面電極層２、厚さ約３μｍの結晶質シリコン光電変換
ユニット層３および厚さ約８０ｎｍのＩＴＯ透明電極層
４が順に堆積された。なお、この裏面電極層２は、光散
乱反射を生じさせる微細な表面凹凸構造を含む上面を有
する銀層と、その上に堆積された厚さ約１００ｎｍの酸
化亜鉛からなる拡散防止層を含んでいた。

【００４４】各セルが形成されるべき領域内において
は、接続用溝４ｄ、第１種類の透明電極分離溝４ｅ、お
よび第２種類の透明電極分離溝４ｆを形成するために、
透明電極層４の自由表面側からレーザスクライブが行な
われた。このときのレーザスクライブ条件としては、実
験例１の場合と同様に、ＹＡＧＳＨＧレーザが用いら
れ、パルス周期が３ｋＨｚ、出力パワーが０．１Ｗ、そ
してデフォーカス量が−３ｍｍであった。

【００４５】その後、この透明電極層４上のレーザスク
ライブラインに対してドライエッチングが施された。こ
のときのエッチング条件は、ＣＦ₄の流量が８５ｓｃｃ
ｍ、酸素の流量が２０ｓｃｃｍ、エッチングチャンバの
圧力が０．５Ｐａ、そして高周波パワーが０．１Ｗであ
り、１０分間のプラズマエッチングが行なわれた。すな
わち、このエッチング条件は実験例１の場合と同じであ
り、形成された溝４ｄ，４ｅ，４ｆは、いずれもシリコ
ン層３内の約０．３μｍの深さまで至っていた。

【００４６】次に図６を参照して、透明電極４上の櫛型
金属電極５と、接続用溝４ｄを埋める金属コンタクト部
６が、銀ペーストを用いたスクリーン印刷法によって形
成された。この金属コンタクト部６には、１５０℃で、
３０分の熱処理が施された。この熱処理によって、コン
タクト部６から金属原子が結晶質シリコン層３の粒界を
通じて裏面電極まで拡散し、その結果、金属コンタクト
部６が裏面電極層２へ電気的に接続された。他方、その
熱処理の間に、櫛型電極５からシリコン層３内への金属
原子の拡散はＩＴＯ層４によって防止され、裏面電極２
に含まれる金属層からシリコン層３内への金属原子の拡
散はそれらの層の間の酸化亜鉛からなる拡散防止層によ
って阻止された。

【００４７】その後、ガラス基板１を通してビーム照射
することによって、裏面電極分離溝２ｂを形成するレー
ザスクライブが行なわれた。このときのレーザスクライ
ブ条件としては、ＹＡＧＳＨＧレーザが用いられ、パル
ス周波数が３ｋＨｚ、出力パワーが０．４Ｗ、そしてデ
フォーカス量が０ｍｍであった。

【００４８】このレーザスクライブによって形成された
裏面電極分離溝２ｂの側壁は、電極層からの導電物質の
付着などによって短絡状態になり得ると考えられる。し
かし、櫛型金属電極５は、この裏面電極分離溝２ｂの側
壁から第２種類の透明電極分離溝４ｆによって電気的に
分離され得るとともに、金属コンタクト部６からは第１
種類の透明電極分離溝４ｅによって電気的に分離されて
いる。

【００４９】このように分離された各セルの櫛型金属電
極５は、それに隣接するセルの金属コンタクト部６へボ
ンディングワイヤ７によって接続された。これによっ
て、左右に隣接する各セルが互いに電気的に直列接続さ
れたことになる。

【００５０】図６に示されているような実験例４による
集積型薄膜太陽電池に対して実験例３の場合と同じ条件
で光照射したときの光電変換特性として、０．５３Ｖの
開放端電圧、２７ｍＡの短絡電流、７５％の曲線因子、
そして１０．７％の変換効率が得られた。

【００５１】（実験例５）実験例５として、模式的な断
面図である図７に示されているような集積型薄膜太陽電
池が作製された。この実験例５の太陽電池の製造プロセ
スは、図６においてボンディングワイヤ７が接続される
前の状態までは実験例４と同じプロセスで作製された。

【００５２】しかし、その後においては、図７に示され
ているように、裏面電極分離溝２ｂ、第２種類の透明電
極分離溝４ｆ、およびこれらの溝の間の透明電極層４を
覆うように、シルクスクリーン印刷法によって絶縁膜８
が形成された。そして、各セルの櫛型金属電極５はその
セルに隣接するセルの金属コンタクト部６へスクリーン
印刷法による導電膜９によって電気的に接続された。す
なわち、この導電膜９は絶縁膜８の上面を横切るように
覆って形成された。これによって、左右に隣接する各セ
ルが互いに電気的に直列接続されたことになる。

【００５３】こうして得られた実験例５による図７に示
されているような集積型薄膜太陽電池に対して実験例３
の場合と同じ条件で光照射したときの光電変換特性とし
ては、０．５３Ｖの開放端電圧、２７ｍＡの短絡電流密
度、７２％の曲線因子、そして１０．３％の変換効率が
得られた。

【００５４】なお、以上の種々の実験においては、単一
の結晶質シリコン光電変換ユニット層のみを含む集積型
薄膜太陽電池について説明されたが、本発明の製造方法
は１つの結晶質光電変換ユニット層に積層された１以上
の非晶質または／および結晶質の光電変換層を含むタン
デム型薄膜太陽電池にも好ましく適用され得ることは言
うまでもない。

【００５５】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、少なく
とも１つの結晶質光電変換ユニット層を含む集積型薄膜
太陽電池の製造方法において、膜面側からのレーザスク
ライブを利用してもその太陽電池の高い出力性能を実現
し得る方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体光電変換ユニット層上の透明電極層を
その自由表面側からレーザスクライブした後の垂直断面
における表面凹凸状態を示す図である。

【図２】図１に示されたスクライブラインに対してド
ライエッチングを施した後のスクライブ溝の断面形状を
示す図である。

【図３】本発明の一実施例による集積型薄膜太陽電池
の製造プロセスを説明するための模式的な断面図であ
る。

【図４】図３のプロセスを経て完成された集積型薄膜
太陽電池を示す模式的な断面図である。

【図５】本発明のもう１つの実施例による集積型薄膜
太陽電池の製造プロセスを説明するための模式的な断面
図である。

【図６】図５のプロセスを経て完成された集積型薄膜
太陽電池の一例を示す模式的な断面図である。

【図７】図５のプロセスを経て完成された集積型薄膜
太陽電池のもう１つの例を示す模式的な断面図である。

【図８】従来の典型的な集積型薄膜太陽電池の一例を
示す模式的な断面図である。

【符号の説明】

１絶縁基板、２裏面電極層、２ａ，２ｂ裏面電極
分離溝、３結晶質半導体光電変換ユニット層、３ａ
接続用溝、４透明電極層、４ａ第１透明導電層、４
ｂ第２透明導電層、４ｃ透明電極分離溝、４ｄ接
続用溝、４ｅ第１種類の透明電極分離溝、４ｆ第２種
類の透明電極分離溝、５櫛型金属電極、６金属コン
タクト部、７ボンディングワイヤ、８スクリーン印
刷法によって形成された絶縁膜、９スクリーン印刷法
によって形成された導電膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に順に積層された裏面電極
層、少なくとも１の結晶質半導体光電変換ユニット層、
および透明電極層が複数の光電変換セルを形成するよう
に複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの
複数のセルが導電性接続部材によって電気的に直列接続
される集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、前記透明電極層を複数の透明電極に分離するための透明
電極分離溝の形成において、前記透明電極層の自由表面側からスクライブ用レーザビ
ームを照射することによって少なくともその透明電極層
の厚さを貫通する透明電極分離溝を形成し、その後、少なくとも、前記透明電極層に隣接している導
電型半導体層を前記透明電極分離溝内でドライエッチン
グによって完全に分離する工程を含むことを特徴とする
集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】前記透明電極分離溝は、前記ドライエッ
チング後において、前記半導体層内の１００ｎｍ以上の
深さに至るように形成されることを特徴とする請求項１
に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】前記光電変換ユニット層は前記基板側か
ら順に積層されたｎ型層、結晶質ｉ型光電変換層、およ
びｐ型層を含み、前記透明電極層にはｐ型層が隣接して
いることを特徴とする請求項１または２に記載の集積型
薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】前記セル間の電気的直列接続が前記半導
体層の厚さを貫通する前記接続用溝を介して行なわれる
ように、前記半導体層上に所定厚さの第１の透明導電層を堆積
し、少なくとも前記第１透明導電層の厚さを貫通する接続用
溝をレーザスクライブによって形成し、この接続用溝の深さが前記裏面電極に至るまでドライエ
ッチングし、その後に、前記接続用溝を埋めながら前記第１透明導電
層上に所定厚さの第２の透明導電層を堆積し、前記透明電極層は前記第１と第２の透明導電層を含むこ
とを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の
集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】前記セル間の電気的直列接続は前記接続
用溝を介して行なわれるように、少なくとも前記透明電極層の厚さを貫通する接続用溝を
レーザスクライブによって形成し、前記接続用溝を埋める金属コンタクト部を形成し、前記金属コンタクト部から金属原子を熱処理によって拡
散させて前記裏面電極層との間に電気的接続を形成する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載
の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】前記裏面電極は前記基板側から順に積層
された金属層と、透明導電性酸化物からなる拡散防止層
とを含み、この拡散防止層は前記金属層から金属原子が
前記半導体層内に拡散することを防止するように作用し
得ることを特徴とする請求項５に記載の集積型薄膜太陽
電池の製造方法。
【請求項７】前記基板は透明基板であり、前記裏面電
極層を複数の裏面電極に分離するための裏面電極分離溝
は、前記基板側からスクライブ用レーザビームを照射し
て、前記裏面電極層、前記半導体層、および前記透明電
極層を貫通する溝を形成することによって得られること
を特徴とする請求項５または６に記載の集積型薄膜太陽
電池の製造方法。
【請求項８】各前記セルにおいて、前記透明電極上に
は櫛型金属電極が印刷法によって形成され、前記櫛型電
極と前記金属コンタクト部との間、および前記櫛型電極
と前記裏面電極分離溝との間には、前記透明電極分離溝
が形成されることを特徴とする請求項５から７のいずれ
かの項に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項９】各前記セルの前記櫛型電極はそのセルに
隣接するセルの前記コンタクト部にボンディングワイヤ
によって電気的に接続されることを特徴とする請求項８
に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１０】各前記セルにおいて、前記裏面電極分
離溝、これと前記櫛型電極との間の前記透明電極分離
溝、およびこれらの溝の間の透明電極層を覆うように印
刷法によって絶縁膜を形成し、各前記セルの前記櫛型電
極はそのセルに隣接するセルの前記コンタクト部へ印刷
法による導電膜によって電気的に接続され、この導電膜
は前記絶縁膜の上面を横切るように覆って形成されるこ
とを特徴とする請求項８に記載の集積型薄膜太陽電池の
製造方法。