[go: up one dir, main page]

RU2555212C2 - Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом - Google Patents

Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом Download PDF

Info

Publication number
RU2555212C2
RU2555212C2 RU2012129993/28A RU2012129993A RU2555212C2 RU 2555212 C2 RU2555212 C2 RU 2555212C2 RU 2012129993/28 A RU2012129993/28 A RU 2012129993/28A RU 2012129993 A RU2012129993 A RU 2012129993A RU 2555212 C2 RU2555212 C2 RU 2555212C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
layer
amorphous silicon
metallized zone
hydrogenated amorphous
Prior art date
Application number
RU2012129993/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012129993A (ru
Inventor
И КАБАРРОКАС Пер РОКА
Мартен ЛЯБРЮН
Original Assignee
Тоталь Маркетинг Сервисиз
Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьентифик
Эколь Политекник
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тоталь Маркетинг Сервисиз, Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьентифик, Эколь Политекник filed Critical Тоталь Маркетинг Сервисиз
Publication of RU2012129993A publication Critical patent/RU2012129993A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2555212C2 publication Critical patent/RU2555212C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/128—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/129—Passivating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
    • H10F77/164—Polycrystalline semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
    • H10F77/166—Amorphous semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)

Abstract

Фотогальванический элемент содержит кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b); передний пассивирующий слой (3), нанесенный на переднюю сторону (1а) подложки (1); задний пассивирующий слой (2), нанесенный на заднюю сторону (1b) подложки (1); первую металлизированную зону, выполненную на заднем пассивирующем слое (2) и предназначенную для сбора электронов; вторую металлизированную зону, предназначенную для сбора дырок и содержащую: поверхностную часть, расположенную на заднем пассивирующем слое (2); и внутреннюю часть, проходящую через задний пассивирующий слой (2) и образующую в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1), при этом кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или р-легированного кристаллического кремния, передний пассивирующий слой (3) содержит: слой (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и расположенный на нем слой (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием р-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью р-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или задний пассивирующий слой (2) содержит: слой (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и расположенный на нем слой (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием n-типа. также согласно изобретению предложены модуль фотогальванических элементов, способ изготовления фотогальванических элементов и способ изготовления модуля фотогальванических элементов. Изобретение обеспечивает возможность создания фотогальванического элемента, который можно изготовить при помощи более простого способа с меньшим числом этапов, который можно применять в промышленном масштабе. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

Область техники
Настоящее изобретение относится к гетеропереходному фотогальваническому элементу с задним контактом, а также к способу его изготовления.
Уровень техники
Как известно, фотогальванический модуль содержит множество соединенных последовательно и/или параллельно фотогальванических элементов (или солнечных элементов). Фотогальванический элемент является полупроводниковым диодом, выполненным с возможностью поглощения световой энергии и ее преобразования в электрическую энергию. Этот полупроводниковый диод содержит так называемый p-n переход между двумя слоями P и N соответственно p-легированного и n-легированного кремния. Во время образования перехода появляется разность потенциалов (и, следовательно, электрическое поле) вследствие избытка свободных электронов в слое N и нехватки свободных электронов в слое Р.
Когда полупроводник поглощает фотоны, они отдают свою энергию с образованием свободных электронов и дырок. Учитывая разность потенциалов, существующую на уровне перехода, свободные электроны проявляют тенденцию к скапливанию в зоне N, а дырки - к скапливанию в зоне Р. Собирающие электроды, находящиеся в контакте соответственно с зоной N и с зоной P, позволяют отбирать ток, выдаваемый фотогальваническим элементом.
Солнечные элементы на основе монокристаллического или поликристаллического кремния обычно получают с выполнением положительных и отрицательных контактов на каждой из сторон элемента. Как правило, заднюю сторону полностью покрывают металлом, так как для нее главным фактором является проводимость (поскольку через заднюю сторону не должен проходить свет), тогда как передняя сторона, то есть освещаемая сторона, входит в контакт с металлической сеткой, обеспечивающей пропускание практически всего падающего света.
Недавно было предложено располагать электрические контакты только на задней стороне (“Rear Contacted Cells”). Это предполагает выполнение селективных контактов только на одной стороне. Преимуществом этой технологии является отсутствие какого-либо затенения на передней стороне и одновременное обеспечение снижения омических потерь, связанных с металлическими контактами, так как они перекрывают намного более значительную площадь элемента. К этому следует добавить, что на передней стороне нет необходимости использовать прозрачный проводящий оксид (в электрической проводимости нет необходимости), а скорее аморфный кремний и/или диэлектрик, который не обладает таким свойством поглощения света, как прозрачный проводящий оксид (который к тому же часто получают из дорогих и/или редких материалов). Таким образом, можно изначально производить элементы с более сильными токами короткого замыкания, то есть отличающиеся более высокой производительностью.
Для выполнения селективных контактов только на одной стороне существуют два возможных типа перехода: так называемый гомопереходный контакт (контакт кристалл/кристалл), который можно получить, например, посредством диффузии легирующих примесей под действием высокой температуры (в печи); и так называемый гетеропереходный контакт (контакт кристалл/аморфное вещество), который можно получить, например, путем осаждения легированного гидрированного (a-Si:H) аморфного кремния.
В документе US 2008/0035198 представлен пример заднеконтактного гомопереходного фотогальванического элемента. В документе US2007/0137692 представлен другой пример, в котором предусмотрены наложенные друг на друга металлические слои для сбора соответствующих носителей заряда, отделенные друг от друга и отделенные от подложки изолятором, при этом контакт каждого металлического слоя с подложкой обеспечивают посредством лазерного отжига металлического слоя в точечных местах.
Преимуществом контактов гетеропереходного типа является более высокое напряжение разомкнутой цепи (и меньшее снижение производительности при высокой температуре), чем у контактов гомопереходного типа. Кроме того, контакты гетеропереходного типа позволяют одновременно осуществлять пассивацию и обеспечивать установление контакта.
Однако изготовление фотогальванических элементов с задним контактом гетеропереходного типа пока остается относительно сложным в осуществлении, поскольку предлагаемые до настоящего времени способы содержат слишком большое число этапов, например большое число этапов фотолитографии, то есть технологии, известной своей точностью, но в то же время с трудом поддающейся промышленному внедрению. Точно так же другие известные методы выполнения двух контактов гетеропереходного типа на задней стороне (маскирование, обратная литография) тоже требуют слишком большого числа этапов и являются малопрактичными в применении.
Например, в документах WO 03/083955, WO 2006/077343, WO 2007/085072, US 2007/0256728, ЕР 1873840 описаны гетеропереходные полупроводниковые устройства, содержащие подложку из кристаллического кремния, покрытую на одной и той же стороне соответствующими зонами из n-легированного аморфного кремния и p-легированного аморфного кремния, которые отделены друг от друга изолирующими участками и которые покрыты соответствующими зонами металлического покрытия, предназначенными для сбора носителей заряда.
Недостатком всех этих устройств является то, что их изготовление требует двух отдельных этапов нанесения аморфного кремния, например, с использованием трафарета на каждом этапе или посредством нанесения сначала одного аморфного кремния, затем его травления перед нанесением другого аморфного кремния.
Следовательно, существует реальная потребность в разработке полупроводникового устройства, предназначенного для использования в качестве фотогальванического элемента, которое можно изготовить при помощи более простого способа с меньшим числом этапов, который можно применять в промышленном масштабе.
Сущность изобретения
Первым объектом изобретения является полупроводниковое устройство, содержащее:
- кристаллическую полупроводниковую подложку, содержащую переднюю сторону и заднюю сторону;
- передний пассивирующий слой, нанесенный на переднюю сторону подложки;
- задний пассивирующий слой, нанесенный на заднюю сторону подложки;
- первую металлизированную зону, выполненную на заднем пассивирующем слое и предназначенную для сбора электронов;
- вторую металлизированную зону, предназначенную для сбора дырок и содержащую:
- поверхностную часть, расположенную на заднем пассивирующем слое; и
- внутреннюю часть, проходящую через задний пассивирующий слой и образующую в подложке область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки.
Согласно варианту выполнения кристаллическая полупроводниковая подложка является подложкой из n-легированного или p-легированного кристаллического кремния.
Согласно варианту выполнения вторая металлизированная зона содержит алюминий, и предпочтительно первая металлизированная зона тоже содержит алюминий. Согласно варианту выполнения передний пассивирующий слой содержит:
- слой гидрированного аморфного кремния без примеси, входящий в контакт с подложкой; и
- расположенный на нем слой легированного гидрированного аморфного кремния, отличающийся легированием р-типа, если подложка является подложкой типа Р, или легированием n-типа, если подложка является подложкой типа N; и/или
задний пассивирующий слой содержит:
- слой гидрированного аморфного кремния без примеси, входящий в контакт с подложкой; и
- расположенный на нем слой легированного гидрированного аморфного кремния, отличающийся легированием n-типа.
Согласно варианту выполнения первая металлизированная зона и вторая металлизированная зона образуют взаимопроникающую структуру.
Согласно варианту выполнения полупроводниковое устройство содержит антибликовый слой, нанесенный на передний пассивирующий слой и предпочтительно содержащий гидрированный аморфный нитрид кремния.
Согласно варианту выполнения это полупроводниковое устройство является фотогальваническим элементом.
Объектом изобретения является также модуль фотогальванических элементов, содержащий описанные выше фотогальванические элементы, соединенные последовательно и/или параллельно.
Объектом изобретения является также способ изготовления полупроводникового устройства, содержащий следующие этапы:
- готовят кристаллическую полупроводниковую подложку, содержащую переднюю сторону и заднюю сторону;
- на передней стороне подложки формируют передний пассивирующий слой;
- на задней стороне подложки формируют задний пассивирующий слой;
- на заднем пассивирующем слое формируют первую металлизированную зону, предназначенную для сбора электронов;
- формируют вторую металлизированную зону, в том числе:
- формируют поверхностную часть второй металлизированной зоны на заднем пассивирующем слое, предназначенную для сбора дырок;
- формируют внутреннюю часть второй металлизированной зоны, которая проходит через задний пассивирующий слой и образует в подложке область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки, посредством лазерного отжига поверхностной части второй металлизированной зоны.
Согласно варианту выполнения кристаллическая полупроводниковая подложка является подложкой из n-легированного или p-легированного кристаллического кремния.
Согласно варианту выполнения:
- формирование переднего пассивирующего слоя на передней стороне подложки включает в себя формирование слоя простого гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой; и формирование на нем слоя легированного гидрированного аморфного кремния, отличающегося легированием p-типа, если подложка является подложкой типа P, или легированием n-типа, если подложка является подложкой типа N; и/или
- формирование заднего пассивирующего слоя включает в себя формирование слоя простого гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой; и формирование на нем слоя легированного гидрированного аморфного кремния, отличающегося легированием n-типа.
Согласно варианту выполнения вторая металлизированная зона содержит алюминий, и предпочтительно первая металлизированная зона тоже содержит алюминий.
Согласно варианту выполнения формирование первой металлизированной зоны и формирование поверхностной части второй металлизированной зоны осуществляют посредством литографии, или испарения через трафарет, или напыления через трафарет, или трафаретной печати, причем предпочтительно одновременно; и в котором первая металлизированная зона и вторая металлизированная зона образуют взаимопроникающую структуру.
Согласно варианту выполнения способ содержит формирование антибликового слоя, нанесенного на передний пассивирующий слой, при этом указанный антибликовый слой предпочтительно содержит гидрированный аморфный нитрид кремния.
Согласно варианту выполнения полупроводниковое устройство является фотогальваническим элементом.
Объектом изобретения является также способ изготовления модуля фотогальванических элементов, содержащий последовательное или параллельное соединение нескольких описанных выше фотогальванических элементов.
Настоящее изобретение позволяет преодолеть недостатки известных технических решений. В частности, оно позволяет получить полупроводниковое устройство, которое выполнено с возможностью работы в качестве фотогальванического элемента и которое можно изготовить при помощи простого способа с небольшим числом этапов, который можно применять в промышленном масштабе.
Это становится возможным благодаря разработке описанного выше полупроводникового устройства с задним контактом.
Действительно, это полупроводниковое устройство можно получить в ходе одного этапа нанесения легированного аморфного кремния на заднюю сторону и одного этапа нанесения металлического материала для сбора носителей заряда на заднюю сторону.
Согласно некоторым частным вариантам выполнения изобретение содержит один или предпочтительно несколько из нижеперечисленных отличительных признаков:
- Изобретение позволяет получить фотогальванические элементы с задним контактом, то есть без затенения передней стороны, отличающиеся минимальными омическими потерями, связанными с металлическими контактами; кроме того, изобретение позволяет отказаться от применения любого прозрачного проводящего оксида на передней стороне, что обеспечивает ток короткого замыкания и, следовательно, повышенную производительность.
- Полупроводниковые устройства согласно изобретению содержат контакт N гетеропереходного типа (то есть контакт с областью аморфного кремния), что обеспечивает очень хорошую пассивацию; и контакт P гомопереходного типа, который в комбинации с первым контактом позволяет применять намного более простой способ изготовления без чрезмерного ухудшения общей пассивации.
- Использование технологии лазерного отжига для выполнения контактов типа P приводит лишь к очень ограниченному повреждению пассивирующего слоя на задней стороне (то есть на уровне самих контактов типа P), так как нагрев лазером является очень локализованным на поверхности. Пассивирующий слой остается нетронутым на уровне контактов типа N и между контактами типа N и контактами типа Р.
Краткое описание фигур
Фиг.1 - схематичный (и частичный) вид в разрезе варианта выполнения полупроводникового устройства (в частности, фотогальванического элемента) в соответствии с изобретением в ходе изготовления. На фигуре различные слои материала показаны не в масштабе.
Фиг.2 - частичный вид в разрезе этого полупроводникового устройства в конце его изготовления.
Фиг.3 - вид задней стороны этого полупроводникового устройства в конце его изготовления.
Фиг.4 - частичный вид этого устройства в продольном разрезе по линии А-А фиг.3. Описание вариантов выполнения изобретения
Далее следует более подробное описание изобретения в неограничительном применении для фотогальванического элемента.
Показанное на фиг.1 заявленное полупроводниковое устройство можно изготовить следующим образом.
Прежде всего берут кристаллическую полупроводниковую подложку 1, содержащую переднюю сторону 1а и заднюю сторону lb. Предпочтительно кристаллическая полупроводниковая подложка 1 является подложкой (или “wafer”) из кристаллического, в частности монокристаллического или поликристаллического (предпочтительно монокристаллического) кремния и имеет вид пластины.
Эта подложка может быть легирована по типу N или Р. Использование n-легированной подложки представляет особый интерес, поскольку она имеет более продолжительный срок службы. В дальнейшем в качестве примера будет рассмотрена n-легированная подложка. Предпочтительно подложка 1 не содержит никакого материала в виде оксида.
Предпочтительно подложка 1 является достаточно легированной, чтобы иметь удельное сопротивление примерно от 0,1 до 1 Ом·см.
С двух сторон подложки 1, то есть на ее переднюю сторону 1а и на ее заднюю сторону 1b наносят соответственно передний пассивирующий слой 2 и задний пассивирующий слой 2.
Предпочтительно передний пассивирующий слой 3 содержит слой 6 простого гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой 1, и нанесенный на него слой 7 легированного гидрированного аморфного кремния. Слой 7 легированного гидрированного аморфного кремния является n-легированным, если подложка 1 является подложкой типа N; или он является p-легированным, если подложка 1 является подложкой типа Р.
Симметрично задний пассивирующий слой 2 предпочтительно содержит слой 4 простого гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой 1, и нанесенный на него слой 5 легированного гидрированного аморфного кремния. Предпочтительно слой 5 легированного гидрированного аморфного кремния является n-легированным, независимо от типа легирования подложки 1.
Передний 3 и задний 2 пассивирующие слои выполняют пассивирующую роль двумя взаимодополняющими способами: с одной стороны, присутствие аморфного кремния на каждой стороне 1a, 1b кристаллической подложки позволяет сделать неактивными поверхностные дефекты подложки, избегать сквозных соединений с поверхностью, что позволяет избежать рекомбинации носителей заряда до их сбора; с другой стороны, присутствие слоев 5, 7 легированного гидрированного аморфного кремния позволяет создавать переднее поверхностное поле, соответственно заднее поверхностное поле, которые также улучшают сбор носителей заряда.
Нанесение двух слоев 4, 6 простого гидрированного аморфного кремния и двух слоев 5, 7 легированного гидрированного аморфного кремния можно осуществлять, например, при помощи технологии осаждения из паровой фазы, активированной плазмой (PECVD), или технологии осаждения из паровой фазы низкого давления (LPCVD). Каждый из слоев может покрывать всю поверхность подложки 1.
Предпочтительно на передний пассивирующий слой 3 наносят антибликовый слой 8. Он содержит диэлектрический материал, предпочтительно гидрированный аморфный нитрид кремния. Предпочтительно он расположен на всей поверхности переднего пассивирующего слоя 3. Его можно наносить, например, при помощи технологии PECVD или LPCVD. Основной функцией антибликового слоя является максимальное устранение отражения света, попадающего на устройство с передней стороны. Показатель преломления антибликового слоя может быть, например, близким к 2. Для улучшения сбора света можно использовать текстурированный кремний.
На задний пассивирующий слой 2 наносят металлический слой 9. Можно, например, применять технологию испарения, напыления или электрохимического осаждения. Предпочтительно металлический слой 9 выполняют на основе алюминия. Согласно варианту выполнения, представленному на фиг.1, металлический слой 9 первоначально покрывает всю поверхность заднего пассивирующего слоя 2; затем селективно снимают часть металлического слоя 9 (посредством травления или другим способом), чтобы получить первую металлизированную зону 10 и вторую металлизированную зону 11, отделенную от первой металлизированной зоны 10.
Предпочтительно первая металлизированная зона 10 и вторая металлизированная зона 11 образуют взаимопроникающую структуру, показанную на фиг.3, то есть структуру, в которой две металлизированные зоны 10, 11 образуют противоположные и взаимопроникающие гребенки. Металлизированные зоны 10, 11 предназначены для сбора соответствующих носителей заряда. Взаимопроникающая структура обеспечивает исключительно простое электрическое соединение устройства.
В альтернативном варианте можно также селективно наносить металлизированные зоны 10, 11 непосредственно на поверхность заднего пассивирующего слоя 2, чтобы напрямую получить требуемый (например, взаимопроникающий) рисунок. Для этого можно использовать трафаретную печать при помощи металлической пасты через трафарет соответствующей формы или испарение или напыление через трафарет.
Согласно описанному выше основному варианту выполнения металлизированные зоны 10, 11 выполняют из одного и того же материала (предпочтительно на основе алюминия): действительно этот вариант является наиболее простым в осуществлении. Вместе с тем можно выполнять металлизированные зоны 10, 11, отличающиеся по составу. В этом случае, по меньшей мере, вторую металлизированную зону 11 предпочтительно выполняют на основе алюминия.
После этого осуществляют этап лазерного отжига (или “laser firing”) второй металлизированной зоны 11. Лазерный отжиг состоит в воздействии лазерными импульсами на вторую металлизированную зону 11 таким образом, чтобы в течение очень короткого времени получить цикл плавления / отверждения на второй металлизированной зоне 11, а также на определенной толщине нижележащего кремния. Во время фазы плавления металл (в частности, алюминий) быстро диффундирует в жидкий кремний. Во время фазы отверждения кремний опять эпитаксиально нарастает из нижележащего твердого кремния; атомы (легирующие) металла (в частности, алюминия), которые диффундировали во время цикла плавления, оказываются при этом в вакантных узлах при рекристаллизации кристалла.
Таким образом, как показано на фиг.2, после лазерного отжига вторая металлизированная зона содержит, с одной стороны, поверхностную часть 11, расположенную на заднем пассивирующем слое 3, которая в основном соответствует второй металлизированной зоне перед лазерным отжигом; и, с другой стороны, внутреннюю часть 12, проходящую через задний пассивирующий слой 2 и проникающую в подложку 1, причем эту внутреннюю часть 12 получают за счет диффузии атомов (в частности, алюминия) во время лазерного отжига.
Таким образом, внутренняя часть 12 второй металлизированной зоны содержит область подложки 1, находящуюся под поверхностной частью 11 второй металлизированной зоны, которая легирована по типу +P (то есть отличается высокой концентрацией легирующих примесей типа P, в частности, атомов алюминия). Иначе говоря, внутренняя часть 12 второй металлизированной зоны образует в подложке 1 область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки 1, причем независимо от того, является ли она подложкой типа N или типа P. Если подложка 1 является подложкой типа N, получают р-n переход между областью подложки 1, модифицированной при лазерном отжиге, и остальной частью подложки 1; и если подложка 1 является подложкой типа P, получают p-p+ переход.
Исключительная скорость фронта кристаллизации во время лазерного отжига способствует образованию квадратных профилей и позволяет достичь степени активации, превышающей степень активации, получаемую при применении классических технологий. Согласно этой технологии энергия лазера определяет толщину легированной таким образом области подложки 1. После лазерной обработки легирующие примеси являются электрически активными, профиль легирования является почти квадратным с отвесными боковыми сторонами.
Примеры технологии лазерного отжига представлены в следующих документах:
- Laser fired back contact for silicon cells, Tucci et al., Thin solid films 516:6767-6770 (2008);
- Laser fired contacts on amorphous silicon deposited by hot-wire CVD on crystalline silicon, Blanque et al., 23rd European photovoltaic solar energy conference, 1-5 сентября 2008 года, Валенсия (Испания), с.1393-1396;
- Bragg reflector and laser fired back contact in a-Si:H/c-Si heterostructure, Tucci et al., Materials Science and Engineering В 159-160:48-52 (2009).
Обычно можно использовать импульсный Nd-YAG-лазер или импульсный эксимерный ультрафиолетовый лазер с длиной волны 1064 нм в режиме моды ТЕМ00 мощностью от 300 до 900 мВт и с продолжительностью импульса 100 мс при частоте повторения 1 кГц.
Как правило, мощность лазера и продолжительность импульса регулируют в зависимости от требуемой глубины отжига и наводимого легирования. Скорость движения лазера и частоту регулируют для регулирования расстояния между точками падения лазерного луча.
Когда поверхностная часть 11 второй металлизированной зоны имеет рисунок в виде полос, как в случае взаимопроникающей структуры, расстояние между точками падения лазерного луча вдоль полос рисунка (см. фиг.4) должно быть достаточно малым, чтобы ограничивать омические потери и оптимизировать сбор зарядов.
После лазерного отжига:
- Первая металлизированная зона 10 остается только над задним пассивирующим слоем 2 и, в частности, над слоем 5 n-легированного гидрированного аморфного кремния. Следовательно, эта первая металлизированная зона 10 обеспечивает контакт типа N, то есть предназначена для сбора электронов.
- Вторая металлизированная зона трансформирована в контакт типа P, то есть предназначена для сбора дырок.
Например, полученное таким образом полупроводниковое устройство может иметь следующую геометрию:
- Подложка 1: толщина от 150 до 300 мкм.
- Слои 4, 6 простого гидрированного аморфного кремния: толщина от 1 до 10 нм, в частности от 3 до 5 нм.
- Слои 5, 7 легированного гидрированного аморфного кремния: толщина от 5 до 30 нм, в частности от 5 до 15 нм.
- Антибликовый слой 8: толщина от 50 до 100 нм.
- Первая металлизированная зона 10 и поверхностная часть 11 второй металлизированной зоны: толщина от 2 до 30 мкм, в частности от 2 до 10 мкм.
Если обе металлизированные зоны имеют взаимопроникающую форму, как в данном примере, эти металлизированные зоны содержат параллельные полосы, расположенные с чередованием. Каждая полоса может иметь ширину от 50 до 400 мкм и, в частности, от 50 до 200 мкм (например, приблизительно 100 мкм), и две полосы могут быть разделены расстоянием от 50 до 200 мкм (например, приблизительно 100 мкм).
Длина диффузии носителей заряда в заднем пассивирующем слое 2 равна примерно 20 нм с учетом присутствия легированного аморфного кремния. Следовательно, носители заряда могут проходить через задний пассивирующий слой 2 по его толщине, но по существу не могут проходить через него в направлении, параллельном задней стороне 1а подложки 1. Следовательно, между двумя соответствующими металлизированными зонами практически не возникает короткого замыкания.
Настоящее описание было представлено для полупроводниковых устройств, которые, как правило, применяют в качестве фотогальванических элементов. Одно или несколько из этих устройств могут быть включены в модуль фотогальванических элементов. Например, определенное число фотогальванических элементов можно соединить электрически последовательно или параллельно для образования модуля.
Модуль можно изготовить различными способами. Например, можно расположить фотогальванические элементы между стеклянными пластинами или между стеклянной пластиной и пластиной из прозрачной смолы, например из этиленвинилацетата. Если передняя сторона всех фотогальванических элементов обращена в одном направлении, можно также использовать непрозрачную пластину (металлическую, керамическую или другую) с задней стороны. Можно также изготавливать модули, на которые свет попадает с двух противоположных сторон (см., например, документ US 6,667,434). Можно предусмотреть герметизирующую смолу для закрывания сторон модуля и для его защиты от атмосферной влаги. Можно также предусмотреть различные слои смолы для предупреждения нежелательной диффузии натрия из стеклянных пластин.
Как правило, модуль дополнительно содержит средства статического преобразования на контактах фотогальванических элементов. В зависимости от применения речь может идти о средствах преобразования постоянного тока в переменный (DC/AC) и/или о средствах преобразования постоянного тока в постоянный (DC/DC). Средства статического преобразования выполнены с возможностью передачи электрической мощности от фотогальванических элементов к внешней нагрузке: батарее, электросети и т.д. Эти средства статического преобразования выполнены с возможностью понижения передаваемого тока или повышения передаваемого напряжения. Средства статического преобразования могут быть связаны с управляющей электроникой.
Детали, применяемые для изготовления солнечного модуля (опорные элементы, элементы рамы, электрические соединения, оболочка...), хорошо известны специалисту.

Claims (10)

1. Фотогальванический элемент, содержащий:
кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b);
передний пассивирующий слой (3), нанесенный на переднюю сторону (1а) подложки (1);
задний пассивирующий слой (2), нанесенный на заднюю сторону (1b) подложки (1);
первую металлизированную зону (10), выполненную на заднем пассивирующем слое (2) и предназначенную для сбора электронов;
вторую металлизированную зону, предназначенную для сбора дырок и содержащую:
поверхностную часть (11), расположенную на заднем пассивирующем слое (2); и
внутреннюю часть (12), проходящую через задний пассивирующий слой (2) и образующую в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1),
при этом кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или р-легированного кристаллического кремния,
передний пассивирующий слой (3) содержит:
слой (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и
расположенный на нем слой (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием р-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью р-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или
задний пассивирующий слой (2) содержит:
слой (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и
расположенный на нем слой (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием n-типа.
2. Фотогальванический элемент по п. 1, в котором вторая металлизированная зона (11, 12) содержит алюминий и предпочтительно первая металлизированная зона (10) тоже содержит алюминий.
3. Фотогальванический элемент по п. 1 или 2, в котором первая металлизированная зона (10) и вторая металлизированная зона (11, 12) образуют взаимопроникающую структуру.
4. Фотогальванический элемент по п. 1, дополнительно содержащий антибликовый слой (8), нанесенный на передний пассивирующий слой (3) и предпочтительно содержащий гидрированный аморфный нитрид кремния.
5. Модуль фотогальванических элементов, содержащий множество фотогальванических элементов по любому из пп. 1-4, соединенных последовательно и/или параллельно.
6. Способ изготовления фотогальванического элемента, содержащий этапы, на которых:
изготавливают кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b);
на передней стороне (1а) подложки (1) формируют передний пассивирующий слой (3);
на задней стороне (1b) подложки (1) формируют задний пассивирующий слой (2);
на заднем пассивирующем слое (2) формируют первую металлизированную зону (10), предназначенную для сбора электронов;
формируют вторую металлизированную зону, при этом:
формируют поверхностную часть (11) второй металлизированной зоны (10) на заднем пассивирующем слое (2), предназначенную для сбора дырок;
формируют внутреннюю часть (12) второй металлизированной зоны, которая проходит через задний пассивирующий слой (2) и образует в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1), посредством лазерного отжига поверхностной части (11) второй металлизированной зоны,
при этом кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или р-легированного кристаллического кремния,
причем формирование переднего пассивирующего слоя (3) на передней стороне (1а) подложки (1) включает в себя формирование слоя (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой (1); и формирование на нем слоя (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующегося легированием р-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью р-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или
формирование заднего пассивирующего слоя (2) на задней стороне (1b) подложки (1) включает в себя формирование слоя (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой (1); и формирование на нем слоя (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующегося легированием n-типа.
7. Способ по п. 6, в котором вторая металлизированная зона (11, 12) содержит алюминий и предпочтительно первая металлизированная зона (10) тоже содержит алюминий.
8. Способ по п. 6 или 7, в котором формирование первой металлизированной зоны (10) и формирование поверхностной части (11) второй металлизированной зоны осуществляют посредством литографии, или испарения через трафарет, или напыления через трафарет, или трафаретной печати, причем предпочтительно одновременно; при этом первая металлизированная зона (10) и вторая металлизированная зона (11, 12) предпочтительно образуют взаимопроникающую структуру.
9. Способ по п. 6, в котором формируют антибликовый слой (8) на переднем пассивирующем слое (3), при этом указанный антибликовый слой (8) предпочтительно содержит гидрированный аморфный нитрид кремния.
10. Способ изготовления модуля фотогальванических элементов, характеризующийся тем, что выполняет последовательное или параллельное соединение нескольких фотогальванических элементов по одному из пп. 1-4.
RU2012129993/28A 2009-12-14 2010-12-10 Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом RU2555212C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0958922A FR2953999B1 (fr) 2009-12-14 2009-12-14 Cellule photovoltaique heterojonction a contact arriere
FR09/58922 2009-12-14
PCT/IB2010/055725 WO2011073868A2 (fr) 2009-12-14 2010-12-10 Cellule photovoltaïque heterojonction a contact arriere

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012129993A RU2012129993A (ru) 2014-01-27
RU2555212C2 true RU2555212C2 (ru) 2015-07-10

Family

ID=42713403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012129993/28A RU2555212C2 (ru) 2009-12-14 2010-12-10 Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20120247539A1 (ru)
EP (1) EP2513978B1 (ru)
JP (1) JP2013513964A (ru)
KR (2) KR20170029652A (ru)
CN (1) CN102792455A (ru)
AU (1) AU2010331900B2 (ru)
BR (1) BR112012014143A8 (ru)
CA (1) CA2784491C (ru)
FR (1) FR2953999B1 (ru)
RU (1) RU2555212C2 (ru)
WO (1) WO2011073868A2 (ru)
ZA (1) ZA201204008B (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2690668A4 (en) * 2011-03-25 2014-09-03 Sanyo Electric Co METHOD FOR PRODUCING A PHOTOELECTRIC CONVERTER ELEMENT
EP2690666A4 (en) * 2011-03-25 2014-09-03 Sanyo Electric Co METHOD FOR PRODUCING A PHOTOELECTRIC CONVERTER ELEMENT
FI20116217L (fi) * 2011-12-02 2013-06-03 Beneq Oy Piitä sisältävä n-tyypin aurinkokennopari
US9202959B2 (en) 2012-09-25 2015-12-01 International Business Machines Corporation Embedded junction in hetero-structured back-surface field for photovoltaic devices
CN103050553B (zh) * 2012-12-29 2015-06-24 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法
US9640699B2 (en) 2013-02-08 2017-05-02 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device
US9859455B2 (en) 2013-02-08 2018-01-02 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device with a floating junction front surface field
CN103178135B (zh) * 2013-02-26 2015-10-14 友达光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
CN103746005B (zh) * 2014-01-17 2016-08-17 宁波富星太阳能有限公司 双层氮化硅减反射膜
FR3040822B1 (fr) * 2015-09-07 2018-02-23 Ecole Polytechnique Procede de fabrication d'un dispositif a jonction electronique et dispositif associe
EP3770975B1 (en) * 2019-07-26 2021-11-24 Meyer Burger (Germany) GmbH Photovoltaic device and method for manufacturing the same
KR102480841B1 (ko) 2021-01-21 2022-12-23 경북대학교 산학협력단 광전기화학 셀 및 그의 제조방법
CN113963836A (zh) * 2021-08-29 2022-01-21 东华理工大学 一种基于碳化硅PN结型β辐射伏特效应核电池

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4703553A (en) * 1986-06-16 1987-11-03 Spectrolab, Inc. Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells
US5571339A (en) * 1995-04-17 1996-11-05 The Ohio State Univ. Research Found Hydrogen passivated heteroepitaxial III-V photovoltaic devices grown on lattice-mismatched substrates, and process
US5641362A (en) * 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
US6262359B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-17 Ebara Solar, Inc. Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof
DE102006046726A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIOx und SINx sowie Verfahren zur Herstellung
RU2331139C1 (ru) * 2007-02-28 2008-08-10 Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты)
WO2008137174A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Georgia Tech Research Corporation Formation of high quality back contact with screen-printed local back surface field
JP2009520369A (ja) * 2005-12-16 2009-05-21 ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド バックコンタクト太陽電池

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4839312A (en) * 1978-03-16 1989-06-13 Energy Conversion Devices, Inc. Fluorinated precursors from which to fabricate amorphous semiconductor material
US5538564A (en) * 1994-03-18 1996-07-23 Regents Of The University Of California Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells
JP2001291881A (ja) 2000-01-31 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
JP2003298078A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Ebara Corp 光起電力素子
US7335835B2 (en) * 2002-11-08 2008-02-26 The Boeing Company Solar cell structure with by-pass diode and wrapped front-side diode interconnection
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
FR2880989B1 (fr) 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US20070169808A1 (en) 2006-01-26 2007-07-26 Kherani Nazir P Solar cell
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20080000522A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 General Electric Company Photovoltaic device which includes all-back-contact configuration; and related processes
FR2906403B1 (fr) * 2006-09-21 2008-12-19 Commissariat Energie Atomique Procede de recuit de cellules photovoltaiques
JP2009152222A (ja) * 2006-10-27 2009-07-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
US20090101202A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Industrial Technology Research Institute Method of fast hydrogen passivation to solar cells made of crystalline silicon
US20100218821A1 (en) * 2009-03-02 2010-09-02 Sunyoung Kim Solar cell and method for manufacturing the same
WO2011071937A2 (en) * 2009-12-07 2011-06-16 Applied Materials, Inc. Method of cleaning and forming a negatively charged passivation layer over a doped region

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4703553A (en) * 1986-06-16 1987-11-03 Spectrolab, Inc. Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells
US5571339A (en) * 1995-04-17 1996-11-05 The Ohio State Univ. Research Found Hydrogen passivated heteroepitaxial III-V photovoltaic devices grown on lattice-mismatched substrates, and process
US5641362A (en) * 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
US6262359B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-17 Ebara Solar, Inc. Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof
JP2009520369A (ja) * 2005-12-16 2009-05-21 ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド バックコンタクト太陽電池
DE102006046726A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIOx und SINx sowie Verfahren zur Herstellung
RU2331139C1 (ru) * 2007-02-28 2008-08-10 Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты)
WO2008137174A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Georgia Tech Research Corporation Formation of high quality back contact with screen-printed local back surface field

Also Published As

Publication number Publication date
CA2784491A1 (en) 2011-06-23
KR20120094131A (ko) 2012-08-23
BR112012014143A8 (pt) 2017-12-26
FR2953999A1 (fr) 2011-06-17
BR112012014143A2 (pt) 2016-08-16
KR20170029652A (ko) 2017-03-15
WO2011073868A2 (fr) 2011-06-23
EP2513978A2 (fr) 2012-10-24
FR2953999B1 (fr) 2012-01-20
AU2010331900A1 (en) 2012-07-19
WO2011073868A3 (fr) 2011-09-01
US20120247539A1 (en) 2012-10-04
EP2513978B1 (fr) 2015-03-25
CN102792455A (zh) 2012-11-21
ZA201204008B (en) 2020-11-25
CA2784491C (en) 2018-02-20
JP2013513964A (ja) 2013-04-22
RU2012129993A (ru) 2014-01-27
AU2010331900B2 (en) 2015-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2555212C2 (ru) Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом
JP5025184B2 (ja) 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法
JP5328363B2 (ja) 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子
US6825408B2 (en) Stacked photoelectric conversion device
CN102623517B (zh) 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN102157569A (zh) 背接触式光伏电池
GB2077038A (en) Fabrication of a solar battery using laserscribing
CN103875082B (zh) 光伏装置的制造方法及光伏装置
CN104995748A (zh) 光电转换元件
KR101159277B1 (ko) 강유전체를 이용한 태양전지의 제조방법
JP2001274447A (ja) 集積型薄膜太陽電池の製造方法
JP2010502002A (ja) 薄膜太陽モジュール
JP2015146335A (ja) 光起電力素子およびその製造方法
JP3721620B2 (ja) 並列型集積化太陽電池
JP2001257371A (ja) 太陽電池作製方法及び太陽電池並びに集光型太陽電池モジュール
JP5645734B2 (ja) 太陽電池素子
JP4467337B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP2001267613A (ja) 集積型薄膜太陽電池とその製造方法
KR20180127597A (ko) 후면접합 실리콘 태양전지 및 이를 제조하는 방법
Singh Fabrication of n+-poly-Si/p+-c-Si tunnel diode using low-pressure chemical vapor deposition for photovoltaic applications
RU2815034C1 (ru) Контактирующий задней стороной солнечный элемент и изготовление такого элемента
JP2000332268A (ja) 薄膜多結晶シリコン、それを用いた太陽電池及び薄膜多結晶シリコンの製造方法
JP2009071340A (ja) 太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant