Hintergrund der Erfindung
Gebiet der Erfindung
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Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren für das
Wachstum eines Haibleiter-Einkristalis durch die
Verursachung der Berührung eines Impfkristalls mit einem
geschmolzenen Halbleiter in einem Quarz-Schmelztiegel und ein
Hochziehen eines Stabes aus einem Halbleiter-Einkristall.
Insbesondere bezieht sich diese Erfindung auf ein Verfahren
für das Wachstum eines Halbleiter-Einkristalls,
gekennzeichnet durch die Aufgabe einer vorgeschriebenen Verteilung der
Sauerstoffkonzentration des Halbleiter-Einkristalls in der
Längsrichtung seines Hochziehens durch die Einstellung der
Intensität eines Magnetfeldes, das an den geschmolzenen
Halbleiter angelegt ist.
Beschreibung des Standes der Technik
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Bei dem Wachstum eines Silizium-Einkristalls durch das
Czochralski-Verfahren wird ein Quarz (SiO&sub2;)-Schmelztiegel
als ein Behälter zum Halten von geschmolzenem Silizium
verwendet. Es ist bekannt, daß wegen der chemischen
Aktivität von Silizium bei seinem Schmelzpunkt das geschmolzene
Silizium mit dem Quarz des Schmelztiegels reagiert und den
Quarz in sich selbst löst, sodaß als ein Ergebnis der
gewachsene Silizium-Einkristall eine nennenswerte
Sauerstoffmenge enthält. Gleichzeitig mit der Lösung des Quarzglases
des Schmelztiegels in das geschmolzene Silizium werden die
Spuren der Verunreinigungen, die in der Schale des
Schmelztiegels vorhanden sind, gelöst und werden allmählich in den
gewachsenen Silizium-Einkristall eingegliedert.
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Der Sauerstoff des Silizium-Einkristalls wird wegen der
sog. eigenen Getterung-Wirkung begrüßt. Die Techniken für
eine gleichmäßige Verteilung von Sauerstoff in einem
relativ hohen Ausmaß, einem Ausmaß bspw. von 15 bis 20 ppma,
über die gesamte Lange des Silizium-Einkristalls sind
entwickelt worden. Die Japanische Patentveröffentlichung
SHO 60(1985)-6,911 und die Japanische Patentveroffentlichung
SHO 57 (1982)-135,796 beschreiben bspw. solche Techniken.
Als Folge des Fortschritts der Technologie bei der
Herstellung von gedruckten Schaltungen ist die Forderung nach der
eigenen Getterung-Wirkung verschwunden und gleichzeitig ist
die Forderung nach einem Silizium-Einkristall gestiegen,
der Verunreinigungen mit der Ausnahme von Sauerstoff mit
der kleinstmöglichen Konzentration enthält. Der Trend hat
die Entwicklung eines Verfahrens zur Herstellung eines
Kristalls hoher Reinheit durch das Anlegen eines
Magnetfeldes an das geschmolzene Silizium verursacht, um dadurch
die Schmelze des Rohmaterials für den Kristall daran zu
hindern, eine Konvektion zu erfahren, und als Folge davon
die Lösung von dem Quarzglas des Schmelztiegels zu
unterdrücken. Eine Technik zur Verkörperung des Verfahrens ist
bspw in der Veröffentlichung der Japanischen
Patentanmeldung SHO 56(1981)-104,791 beschrieben.
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Die Japanische Patentveröffentlichung SHO 60(1985)-6,911
beschreibt ein Verfahren, welches bei dem Prozeß des
Hochziehens eines Stabes eines Einkristalls aus der Schmelze
des Rohmaterials für einen Halbleiter, der in einem
Quarzglas-Schmelztiegel enthalten ist, in Übereinstimmung mit
dem Czochralski-Verfahren den Gradienten der Drehzahl des
Schmelztiegels derart steuert, daß er reziprok zu dem
Gradienten des Profils der Sauerstoffkonzentration ist, die
entlang der Richtung des Hochziehens gemessen wird.
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Die Veröffentlichung der Japanischen Patentanmeldung
SHO 57(1982)-135,796 beschreibt ein Verfahren, welches das
Hochziehen eines gewachsenen Silizium-Impfkristalls während
seiner Drehung in einer Richtung entgegengesetzt zu der
Drehung des Schmelztiegels für die Schmelze mit einer
großen anfänglichen Drehzahl umfaßt und eine weitere
Erhöhung der Drehzahl proportional zu der Abnahme der Menge
der Schmelze in dem Schmelztiegel.
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Die Veröffentlichung der Japanischen Patentanmeldung
SHO 56(1981)-104,791 beschreibt ein Verfahren zur
Herstellung eines Kristalls hoher Reinheit durch das Anlegen eines
Magnetfeldes an das Rohmaterial für den Kristall, um dadurch
die Schmelze daran zu hindern, eine Konvektion zu erfahren,
und um als Folge davon die Lösung von dem Quarzglas des
Schmelztiegels zu unterdrücken.
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Keine der vorstehend beschriebenen Techniken verwirklicht
jedoch eine Unterdrückung der Sauerstoffkonzentration in
dem gewachsenen Einkristall auf ein niedriges Niveau von
bspw. selbst weniger als 10 ppma über das gesamte Volumen
des Einkristallstabes, um die Verteilung der
Sauerstoffkonzentration von dem Kopf zu dem Schwanz des Kristallstabes
zu vergleichmäßigen oder die Verteilung willkürlich zu
steuern.
Zusammenfassung der Erfindung
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Die im Hinblick auf den vorstehend beschriebenen wahren
Status des Standes der Technik inituerte Erfindung zielt
auf die Bereitstellung eines Verfahrens für eine prazise
Steuerung der Sauerstoffkonzentration eines
Silizium-Einkristallstabes mit einer Genauigkeit von ± 5 bis 10 % ab,
wo der gewachsene Einkristall eine niedrige
Sauerstoffkonzentration im wesentlichen von nicht mehr als 10 ppma über
seine gesamte Länge aufweist, eine Verteilung der
Sauerstoffkonzentration in der Richtung der Länge wie vorgeschrieben
gesteuert wird und diese Verteilung der
Sauerstoffkonzentration vergleichmäßigt wird.
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Gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zum Ziehen eines
Einkristallstabes von einer in einem Quarzglas-Schmelztiegel
enthaltenen Halbleiterschmelze unter der Anwendung eines
horizontalen Magnetfeldes bereitgestellt, während der
Schmelztiegel mit einer festen Drehzahl von 3 U/min oder
weniger gedreht wird (wie bekannt aus Solid State
Technology; Band 33, No. 4, Seiten 163-167, April 1990),
gekennzeichnet durch eine Veränderung der Stärke des horizontalen
Magnetfeldes innerhalb des Bereichs von 500 bis 5.000 Gauss
während des Ziehens des Kristallstabes, um so die
Konzentration von Sauerstoff in dem Kristallstab entlang der
axialen Richtung zu steuern, wobei die Veränderung der
Stärke in Übereinstimmung mit vorbestimmten Messungen der
Sauerstoffkonzentration und der Stärke des Magnetfeldes
vorgenommen wird.
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Die Stärke des Magnetfeldes wird vorzugsweise derart
verändert, daß die Konzentration von Sauerstoff in dem
Kristallstab entlang der axialen Richtung im wesentlichen konstant
ist.
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Die Konzentration in den Zwischenräumen in einem
Kristallstab wird ebenfalls bevorzugt gesteuert durch eine
Veränderung des horizontalen Magnetfeldes, während sich die Länge
des Kristallstabes beim Ziehen vergrößert.
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Die Stärke des Magnetfeldes wird ebenfalls bevorzugt derart
verändert, daß sich die Konzentration von Sauerstoff in dem
Kristallstab entlang der axialen Richtung in einer
vorbestimmten Art und Weise verändert.
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Ebenfalls bevorzugt wird die Stärke des Magnetfeldes während
des Ziehens des Einkristallstabes verringert.
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Ebenfalls bevorzugt wird die Stärke des Magnetfeldes im
umgekehrten Verhältnis zu der Länge des Hochziehens des
Kristalls verändert.
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Ebenfalls bevorzugt wird der Quarzkristall-Schmelztiegel
mit einer solchen Drehzahl gedreht, daß die Anwendung des
horizontalen Magnetfeldes nicht die Reibung zwischen der
Innenwand des Quarzglas-Schmelztiegels und der
Halbleiterschmelze vergrößert, wodurch die Menge des gelösten
Sauerstoffs nicht erhöht wird.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Fig. 1 ist ein teilweiser axialer Querschnitt zur
Darstellung einer angegebenen Ausbildung einer Vorrichtung,
die für eine Ausübung des Verfahrens dieser
Erfindung verwendet wird.
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Fig. 2 ist eine Vorderansicht zur Darstellung eines
Silizium-Einkristallstabes, der durch die Vorrichtung
der Fig. 1 geformt wird.
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Fig. 3 ist eine Graphik zur Darstellung der Beziehung
zwischen der Hochziehlänge des
Silizium-Einkristallstabes und der Sauerstoffkonzentration, wobei die
Stärke des Magnetfeldes als ein Parameter
berücksichtigt ist.
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Fig. 4 ist eine Graphik zur Darstellung der Beziehung
zwischen dem Einkristallstab und der Stärke des
Magnetfeldes, wie erhalten aus der Graphik der Fig. 3.
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Fig. 5 ist eine Graphik zur Darstellung der Beziehung
zwischen der Hochziehlänge des
Silizium-Einkristallstabes und der Sauerstoffkonzentration der
Zwischenraume, wie erhalten bei einem Ausführungsbeispiel,
wobei die Stärke des Magnetfeldes einen Parameter
ergibt.
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Fig. 6 ist eine Graphik zur Darstellung der Beziehung
zwischen der Stärke des Magnetfeldes, das für die
bei der Fig. 5 erhaltene Sauerstoffkonzentration
benötigt wird, um in den Bereich von 8 bis 9 ppma
zu fallen, und der Hochziehlänge des
Einkristallstabes.
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Fig. 7 ist eine Graphik zur Darstellung der Beziehung
zwischen der Hochziehlänge des Einkristallstabes,
der hochgezogen wird bei einer Veränderung der
Stärke des Magnetfeldes in Übereinstimmung mit der
Hochziehlänge entsprechend der Fig. 6, und der
Sauerstoffkonzentration der Zwischenraume.
Detaillierte Beschreibung der Erfindung
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Diese Erfindung ist auf ein Verfahren zum Hochziehen eines
Halbleiter-Einkristallstabes aus einer Halbleiterschmelze
ausgerichtet, die in einem Quarzglas-Schmelztiegel enthalten
ist, unter der Anwendung eines Magnetfeldes, wobei das
Verfahren gekennzeichnet ist durch eine Festlegung der
Drehzahl des Quarzglas-Schmelztiegels und eine Veränderung
der Stärke des Magnetfeldes, das an die Schmelze angelegt
ist, in Übereinstimmung mit der Hochziehlänge des
Einkristallstabes.
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Die Erfindung wird nun im Detail unter Bezugnahme auf die
beigefügten Zeichnungen nachfolgend beschrieben.
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Fig. 1 zeigt eine Umrißausbildung einer Vorrichtung, die
für das Wachstum eines Halbleiter-Einkristallstabes 1
dieser Erfindung verwendet wird.
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Argongas aus einer Argongas-Lieferquelle 6 wird mit einer
vorgeschriebenen Fließrate in einen hermetisch geschlossenen
Ofen 5 angeliefert. Das Argongas wird über einen nicht
gezeigten Freigabe-Auslaß entlassen und ist begleitet von
dem gasförmigen SiO, welches innerhalb des hermetisch
verschlossenen Ofens 5 erzeugt wird. Ein Quarzschmelztiegel 2,
der eine nach oben offene Form aufweist, ist im
wesentlichen in der Mitte des hermetisch verschlossenen Ofens 5
angeordnet. In dem Quarzschmelztiegel 2 ist Silizium,
welches durch eine um den Quarzschmelztiegel 2 herum
angeordnete Heizeinrichtung 7 thermisch geschmolzen ist, als
eine Schmelze 3 enthalten. Ein Silizium-Impfkristall 4 ist
für eine Berührung mit der Oberfläche der Siliziumschmelze 3
angeordnet. Der Impfkristall 4 ist mit einer durch einen
Motor 10 gedrehten Drehwelle 9 mittels eines
Hochziehgreifers 8 verbunden. Die Drehwelle 9 wird durch den Motor 10
gedreht und gleichzeitig mit einer festen langsamen
Geschwindigkeit v durch eine nicht gezeigte Hebeeinrichtung
hochgezogen. Der Quarz-Schmelztiegel 2 wird an der
Bodenfläche des hermetisch verschlossenen Ofens 2 drehbar
abgestützt und mit einer festen niedrigen Drehzahl (dargestellt
als "CR") durch einen Motor 11 gedreht. Der Schmelztiegel 2
wird mit einer konstanten Drehzahl von 3 U/min oder weniger
gedreht.
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Eine ein Magnetfeld erzeugende Einrichtung 12 ist mit einem
Elektromagneten ausgebildet und zu einer Veränderung der
Stärke eines Magnetfeldes bei einem Gleichstrom 1 angepaßt
und ist außerhalb des hermetisch verschlossenen Ofens 5
angeordnet. Eine elektrische Stromquelle zur Lieferung des
elektrischen Stromes 1 für die das Magnetfeld erzeugende
Einrichtung 12 ist mit der Bezugsziffer 13 angegeben.
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Der in Fig. 2 gezeigte Silizium-Einkristallstab 1 wird
durch die Beibehaltung einer Drehung des
Quarz-Schmelztiegels 2 und des Impfkristalls 4 bei einer festen niedrigen
Drehzahl und ein Hochziehen des mit der Oberfläche der
Schmelze 3 in Berührung gehaltenen Impfkristalls 4 mit
einer niedrigen Geschwindigkeit v in der Hochziehrichtung
ausgebildet. Da der Quarz-Schmelztiegel 2 und die Schmelze 3
miteinander in Berührung gehalten sind entlang der
Innenwand des Quarz-Schmelztiegels, wie gezeigt in Fig. 1, findet
eine Reibung in dem Bereich ihrer Berührung statt, wodurch
der Quarz-Schmelztiegel 2 abgerieben wird und sich
Sauerstoff aus dem Quarz-Schmelztiegel 2 in die Schmelze 3 löst.
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Der in die Schmelze 3 gelöste Sauerstoff wird mit Si
vereinigt, um flüchtiges SiO zu bilden, welches von der
Schmelze 3 freigesetzt und entfernt wird, indem es von dem
Argongas mitgerissen wird. Da der Anteil des Sauerstoffs,
der freigesetzt wurde und in der Form von SiO entfernt
wird, in der Schmelze 3 verbleibt, ist der
Silizium-Einkristallstab 1 nicht vollkommen gereinigt, und er leidet
darunter, daß er Sauerstoff enthält. Da der Sauerstoff, der
in dem Silizium-Einkristallstab 1 enthalten ist,
hauptsächlich aus Sauerstoff in den Zwischenräumen besteht, kann die
Sauerstoffkonzentration in dem Silizium-Einkristall
hauptsächlich erfaßt werden durch die Bestimmung der
Sauerstoffkonzentration (Oi) in den Zwischenräumen. Da die Menge des
Sauerstoffs, der sich in dei Schmelze 3 vermischt,
proportional zu dem Ausmaß ist, mit welchem die Schmelze die
Innenwand des Quarz-Schmelztiegels 2 reibt, wird diese
Menge verringert durch eine Verringerung der Menge der
Siliziumschmelze.
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Wenn ein Silizium-Einkristallstab 1 unter einer festen
Bedingung wie gezeigt in Fig. 2 hochgezogen wird, besteht
daher nach diesem Konzept eine Beziehung wie gezeigt in
Fig. 3 zwischen der Länge Li des Silizium-Einkristallstabes
1, gemessen in der Hochziehrichtung, und der
Sauerstoffkonzentration Oi der Zwischenräume. Durch eine Wiedergabe von
Li auf der horizontalen Achse und von Oi auf der vertikalen
Achse zeigt sich speziell, daß sich Oi im wesentlichen
linear verringert in Übereinstimmung mit einer Erhöhung von
Li, wie gezeigt durch die geradlinigen Linien A&sub1; bis A&sub4;.
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Die ein Magnetfeld erzeugende Einrichtung 12 ist um den
Quarzschmelztiegel 2 herum angeordnet, um auf die Schmelze 3
eine Magnetkraft auszuüben. Wenn die Drehzahl CR des Quarz-
Schmelztiegels 2 klein ist, dann unterdrückt eine
Vergrößerung der Stärke des Magnetfeldes die Konvektion 14, die in
der Schmelze 3 auftritt, und es verringert sich die Lösung
von Sauerstoff von der Seite des Quarz-Schmelztiegels 2.
Wenn die Drehzahl CR eine bestimmte Höhe überschreitet,
dann vergrößert eine Erhöhung der Stärke des Magnetfeldes
die augenscheinliche Viskosität als Folge des angelegten
Magnetfeldes und vergrößert folglich die Reibung zwischen
der Innenwand des Quarz-Schmelztiegels 2 und der Schmelze 3,
obwohl damit die Konvektion unterdrückt wird, während
umgekehrt die Menge des gelösten Sauerstoffs erhöht wird.
Der Schwellwert der Drehzahl des Quarz-Schmelztiegels ist
3 U/min oder weniger. Dieser Schwellwert nimmt ab, wenn
sich der Durchmesser des Quarz-Schmelztiegels vergrößert,
und er verändert sich auch mit dem Zustand des Magnetfeldes.
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Fig. 3 zeigt einen Anwendungsfall, bei welchem die Drehzahl
CR kleiner ist als der vorerwähnte Schwellwert. In dem
Diagramm bezeichnet A&sub1; den Anwendungsfall, bei welchem die
Stärke des Magnetfeldes 3.000 Gauss (G) ist, A&sub2; den Fall
mit 2.000 Gauss (G), A&sub3; den Fall mit 1.000 Gauss (G) und A&sub4;
den Fall mit 500 Gauss (G). Die Linien A&sub4; bis A&sub1; nehmen
nacheinander niedrigere Positionen in der erwähnten
Reihenfolge ein. Wenn die Stärke des Magnetfeldes wächst, dann
wird speziell die geradlinige Beziehung zwischen Li und Oi
in der Richtung bewegt, in welcher sich die
Sauerstoffkonzentration Oi erniedrigt, obwohl der Gradient unverändert
beibehalten wird.
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Die Beibehaltung der Sauerstoffkonzentration Oi bei einem
festen Wert wird wie in Fig. 3 gezeigt bspw. realisiert
durch eine Veränderung der Größe der Stärke Gi des
Magnetfeldes umgekehrt proportional zu der Veränderung von Li. Die
Sauerstoffkonzentration Oi kann speziell bei einem festen
Wert Oio beibehalten werden durch die Verwendung der Stärke
des Magnetfeldes von 3.000 Gauss bei der Schnittstelle B&sub1;,
wenn Li Lo ist, und durch eine Veränderung der Stärke des
Magnetfeldes auf 2.000 Gauss, 1.000 Gauss und 500 Gauss an
den betreffenden Schnittstellen B&sub2; bis B&sub4; in Übereinstimmung
mit der Vergrößerung von Li.
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Bei dieser Erfindung wird ein horizontales Magnetfeld als
die ein Magnetfeld erzeugende Einrichtung 12 verwendet und
die Stärke des Magnetfeldes wird in dem Bereich von 500
Gauss (G) bis 5.000 Gauss (G) verändert. Die Anwendung des
horizontalen Magnetfeldes erlaubt eine direkte Unterdrückung
der Konvektion 14 und erlaubt als solches eine sichere und
rasche Einstellung.
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Die Konvektion der Schmelze kann nicht wirksam unterdrückt
werden, wenn die Stärke niedriger als 500 Gauss ist. Wenn
diese Stärke hoher ist als 5.000 Gauss, dann leidet der
erzeugte Kristall unter einer geringen Qualität,
insbesondere wegen einer extremen Konkavität an der Oberfläche des
Wachstums des Kristalls relativ zu der Schmelze, weil die
Schmelze eine sehr hohe scheinbare Viskosität erhält und in
einem im wesentlichen ruhenden Zustand verbleibt und ihre
Eigenbewegung durch eine Konvektion behindert.
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Die Graphik der Fig. 4 wird durch das Ziehen einer Linie
Oio auf der Basis der aus Fig. 3 abgeleiteten Daten erhalten
und durch ein Abtragen von Veränderungen der Stärke des
Magnetfeldes, welche die gezogene Linie kreuzen, relativ zu
der Hochziehlänge des Einkristallstabes. Wenn der
Einkristallstab in Übereinstimmung mit dem Muster der Fig. 4
hochgezogen wird, dann wird dem erzeugten Einkristallstab
erlaubt, eine feste Sauerstoffkonzentration von dem Kopf
bis zu seinem Schwanz anzunehmen.
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Der bis jetzt beschriebene Betrieb zielt darauf ab, die
Sauerstoffkonzentration zu vergleichmäßigen. Selbst wenn
dieser Betrieb derart verallgemeinert wird, daß die Größe
von Oi eine Funktion von Li wird, wie dargestellt durch die
Gleichung Oi = f(Li), dann kann ein Einkristall mit einer
gewünschten Verteilung der Sauerstoffkonzentration erhalten
werden durch das Ziehen einer Linie von Oi = f(Li) in Fig. 3
in derselben Art und Weise wie vorbeschrieben, wodurch
Schnittpunkte gefunden werden, durch ein Abtragen der Werte
der Stärke des Magnetfeldes an diesen Schnittpunkten relativ
zu den Hochziehlängen des Einkristallstabes während einer
Veränderung der Stärke des Magnetfeldes umgekehrt
proportional zu der Hochziehlänge in Übereinstimmung mit dem Muster
der Graphik.
Beispiel
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Die Erfindung wird nun spezieller unter Bezugnahme auf ein
Ausführungsbeispiel nachfolgend beschrieben.
Beispiel 1
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Die Herstellung eines Silizium-Einkristalls in
Übereinstimmung mit dem Czochralski-Verfahren (CZ Hochziehverfahren)
wurde mit 60 kg Polysilizium durchgeführt, die in einem
Quarz-Schmelztiegel mit einem Durchmesser von 45.72 cm
(18 inches) angeordnet und darin geschmolzen wurden. Aus
der erhaltenen Schmelze des Polysiliziums wurde ein Silizium-
Einkristall mit einem Durchmesser von 15.24 cm (6 inches)
hochgezogen mit einer Orientierung von (100). In diesem
Fall wurde das sog. horizontale Magnetfeld-MCZ Verfahren
(HMCZ) verwendet, um ein Magnetfeld in einer Richtung
senkrecht zu der Richtung des Wachstums anzulegen. Die
Testergebnisse sind nachfolgend angegeben.
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Fig. 5 zeigt die Beziehung zwischen der Stärke des
Magnetfeldes und der Sauerstoffkonzentration der Zwischenräume in
dem erhaltenen Kristall bei einem Betrieb unter Verwendung
des Schmelztiegels mit einer Drehzahl von 0.5 U/min und des
Impfkristalls bei einer Drehzahl von 20 U/min. Die Stärke
des Magnetfeldes war zwischen 500 und 3.000 Gauss verändert
worden. Aus der Graphik ist klar erkennbar, daß die
Sauerstoffkonzentration abnahm in Übereinstimmung mit der
Vergrößerung der Hochziehlänge (Verhältnis der Befestigung)
und daß die Sauerstoffkonzentration ebenfalls abnahm im
umgekehrten Verhältnis zu der Erhöhung der Stärke des
Magnetfeldes. Als eine Maßnahme zur Erzeugung eines Silizium-
Einkristalls mit einer Sauerstoffkonzentration, die auf
einem festen Ausmaß in dem Bereich von 8 bis 9 ppma
gesteuert ist, ist bis jetzt das Verfahren bekannt, welches
in einer allmählichen Vergrößerung der Drehzahl des
Schmelztiegels besteht. Wie aus Fig. 5 ableitbar ist, kann dieselbe
Wirkung erreicht werden durch eine Veränderung der Stärke
des Magnetfeldes im umgekehrten Verhältnis zu der
Hochziehlänge (Verhältnis der Verfestigung), während die Drehzahl
des Schmelztiegels bei 0.5 U/min beibehalten wird.
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Aus der Fig. 5 wurde das Muster für eine Veränderung der
Stärke des Magnetfeldes im umgekehrten Verhältnis zu der
Hochziehlänge erhalten, um die Sauerstoffkonzentration in
dem Bereich von 8 bis 9 ppma zu fixieren. Dieses Muster ist
in Fig. 6 gezeigt. Bei dem tatsächlichen Hochziehbetrieb
wird die Stärke des Magnetfeldes im Verhältnis zu der
Hochziehlänge des Silizium-Einkristalls in Übereinstimmung
mit dem Muster der Fig. 6 verändert, das in einem Computer
gespeichert wird. Die Ergebnisse dieses Betriebs sind in
Fig. 7 gezeigt. Silizium-Einkristallstäbe, die durch diesen
Hochziehbetrieb hergestellt wurden, haben
Sauerstoffkonzentrationen besessen, die generell in den Bereich von 8 bis
9 ppma fallen.
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Wie aus der vorstehenden Beschreibung klar wird, ergibt die
Erfindung die folgenden Wirkungen.
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1. Ein Einkristallstab kann hochgezogen werden, wobei die
Verteilung der Sauerstoffkonzentration der Zwischenräume
frei gesteuert ist. Bspw. werden Einkristallstäbe, die
eine wechselnde Verteilung der Sauerstoffkonzentration
besitzen, erhalten, bspw. solche mit einer gleichförmigen
Sauerstoffkonzentration über die gesamte Länge des
Einkristallstabes und solche mit einem allmählichen
Konzentrationsgradienten im Vergleich zu einem
herkömmlichen Produkt.
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2. Ein Einkristallstab mit einer generell niedrigen
Sauerstoffkonzentration wird erhalten.