CN101014850B

CN101014850B - 利用反射和荧光图像检查电路的系统和方法

Info

Publication number: CN101014850B
Application number: CN2005800063917A
Authority: CN
Inventors: 埃米尔·诺伊; 吉拉德·达瓦拉
Original assignee: OVBOTECH Ltd
Current assignee: OVBOTECH Ltd
Priority date: 2004-03-05
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2012-06-20
Anticipated expiration: 2025-01-27
Also published as: JP4879881B2; TWI247123B; TW200530609A; IL163136A; US20050195389A1; US7355692B2; CN101014850A; JP2007528490A; WO2005084121A2; WO2005084121A3

Abstract

一种用于检查电路的方法，包括：在第一时间间隔期间，通过在第一图像中检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分；根据在第二时间间隔期间获取的第二图像中的荧光，光学地检查从该电路的至少一部分发射的光；以及基于几何面一致指示而指示电路中的缺陷，其中这些几何一致指示来自通过检测从中反射的光而对电路至少一部分的光学检查、以及通过荧光对从该电路至少一部分发出的光的光学检查。

Description

利用反射和荧光图像检查电路的系统和方法

技术领域

本发明通常涉及在制造期间的电路检查，尤其涉及在印刷电路板的检查期间减少对非缺陷的误测。

背景技术

市场上可买到各种自动化光学检查(AOI)系统来在制造期间检查诸如印刷电路板之类的电路以检测缺陷。一些AOI系统利用反射的单色或者多色光获取要检查的电路的图像。反射光AOI系统包括可从以色列Yavne的Orbotech有限公司获得的Inspire^TM、Spiron^TM、和InFinex^TM AOI系统。其它AOI系统从对扫描激光束的荧光响应中获取要检查的电路的图像。扫描激光器AOI系统包括也可从以色列Yavne的Orbotech有限公司获得的Vision^TM AOI系统。

为了确保检测到电路上的所有缺陷，对AOI系统进行调整以便产生足够灵敏以检测出全部真实缺陷的检测结果。这样的敏感级别还导致一些非缺陷的位置被错误地标识为包括缺陷。因此，在检查之后，在下游的验证操作中验证在AOI期间标识的缺陷，以确认该缺陷的确是真实的缺陷还是误报。

发明内容

本发明寻求提供改进的、用于检查电路缺陷的系统和方法。

本发明还寻求提供改进的AOI系统，该系统可进行操作来检查电路的反射和荧光图像，所述反射和荧光图像在不同的时间间隔期间获取。

因此，根据本发明的优选实施例，提供了一种用于检查电路的方法，包括：在第一时间间隔期间，通过在第一图像中检测从中反射的光来光学地检查电路的至少一部分；通过在第二时间间隔期间获取的第二图像中的荧光，光学地检查从该电路的至少一部分发出的光；以及基于几何一致指示而指示电路中的缺陷，其中这些几何一致指示来自通过检测从中反射的光而对电路至少一部分的光学检查、以及通过荧光对从该电路至少一部分发出的光的光学检查。

还根据本发明的另一优选实施例提供了用于检查电路的设备，该设备包括：反射检查功能单元，进行操作以通过检测从中反射的光来光学地检查电路的至少一部分；荧光检查功能单元，进行操作以通过荧光来光学地检查从该电路的至少一部分发出的光；以及缺陷指示器，进行操作来基于来自反射检查功能单元和荧光检查功能单元的几何一致指示、指示电路中的缺陷。

本发明的其他实施例包括一个或多个下述的附加特征和功能。

使用反射光扫描和检查电路以获得候选缺陷。

通常仅仅在由反射检查指示为可能包含缺陷的区域处，利用荧光图像检查该电路。

荧光检查包括用波长小于420nm、优选大约为410nm的光照射该电路的一部分。

该检查包括将与第一图像上的潜在缺陷的位置相对应的第二图像中的一部分与参考图像进行比较。该比较可包括从第二图像中提取第一轮廓(contours)，并且将该第一轮廓与从参考图像获得的第二轮廓进行比较。

为缺陷和未被肯定地确定为误测的候选缺陷中的至少一个获取该电路的高质量反射图像，并且评估该高质量反射图像以进行进一步的缺陷确定。

在例如使用获取二维图像的扫描相机来扫描要检查的电路期间，相继获取反射和荧光图像，在图像获取期间用适当的闪光照射来照射该电路。

附图说明

根据以下结合附图的详细说明，本发明将得到更充分的理解，在附图中：

图1是根据本发明的实施例、用于检查电路的设备和功能单元的简化图示；

图2是利用图1中的设备和功能单元检查电路的方法的简化流程；

图3A和3B是说明图2中的方法的、从检查电路中获得的检查结果的示意图；以及

图4是在图1的系统和功能单元中采用的、用于获取荧光图像的光学头的简化图示。

具体实施方式

参见图1，其是根据本发明的实施例、用于检查电路的设备和功能单元的简化图示。根据本发明的实施例，AOI系统100至少包括第一检查台110，其获取包括要检查的第一电路(由参考数字114所示)的一个或多个反射图像112在内的图像。

反射图像112通过，例如扫描第一电路114获取。可选地，反射图像112可以是电路114的多个二维图像帧的合成。可以在相同或者不同照射配置下获取不同的反射图像。根据本发明的实施例，AOI系统100是可从Orbotech有限公司买到的Spiron^TMAOI系统，其适用于执行反射图像的自动光学检查，然后通过光学地检查从荧光中获得的检查验证图像来验证候选缺陷。

如图1所示，将反射图像112提供给缺陷分析器120，其进行操作以另外从计算机文件参考124获得与第一电路114相对应的、预备的参考图像122。适当的计算机文件参考可以从CAM文件或者从已知没有缺陷的印刷电路板获取的图像中导出。根据本发明的实施例，计算机文件参考124包含二进制图像。可选地，计算机文件参考124包含与要检查的电路相对应的轮廓图，即在导体和基板之间的边缘图。

缺陷分析器120进行操作以自动地光学检查反射图像112，并且输出在电路114上的候选缺陷126的指示。当完成了光学检查时，将电路向下游传送到验证台130。根据图1，注意到：正经受自动光学检查的第一电路114位于检查台110处，而第二先前检查的电路115位于验证台130处。早已在检查台110处对先前检查过的电路115进行了自动光学检查，并且已经由缺陷分析器120标识出其上的至少一个候选缺陷。电路115上的候选缺陷的位置一般不同于在同时检查的其它电路上发现的那些缺陷的位置，但是一些候选缺陷可能是相似的、并且可能在相同类型的连续电路上的位置处重复出现。

由与验证台130进行操作通信的验证控制器134接收候选缺陷126(与在先前已检查的电路115上所标识的候选缺陷相对应)的指示。如图1所示，验证台130可以在与第一检查台110相同的底盘上整体地形成。整体地组合检查台110和验证台130的系统是可从Orbotech有限公司买到的Spiron^TM AOI系统。可选地，验证台130可以是独立验证台(例如也可以从以色列Yavne的Orbotech有限公司买到的VRS-5^TM验证和修理台)，其可在独立自动光学检查台(例如也可以从Orbotech有限公司买到的Inspire^TM AOI系统)的下游进行操作。根据本发明的又一个实施例，在用区域相机扫描电路的期间，顺序地获得反射图像和荧光图像。例如，在扫描区域相机时顺序地改变闪光照射的配置。用这样的方式，获取了图像的多个集合。每个集合都覆盖了整个电路，但是，用在图像获取期间使用的至少两个不同照射配置之一进行照射。

根据本发明的实施例，验证台130包括照相机140和定位器142，该定位器142可进行操作以根据验证控制器134的输出148顺序地定位相机140，以顺序地观看候选缺陷146的位置。输出148提供了由缺陷分析器120所标识的、候选缺陷的几何位置。在图1所示的实施例中，定位器142进行操作以独立地控制相机140的X-Y定位。

在所检查电路115上的每个被顺序观看的候选缺陷位置146处，以适于提供适用于附加自动计算机化缺陷分析的图像的光来照射该位置146。根据本发明的实施例，用导致基板部分因此发荧光的波长的光照射候选缺陷位置146。可选地，可以采用其它适当形式的照射，如以掠射角提供的多色光。

根据本发明的实施例，相机140获取荧光响应的荧光图像150。在与获取反射图像112的时间间隔期间分离的时间间隔期间获取荧光图像150。因此，例如根据本发明的实施例，虽然不必是这样的情况，但是仅仅在扫描了整个电路115并且在为所有电路115获取了至少一个反射图像之后才获取荧光图像150。在图1所示的实施例中，当获取了荧光图像150之后，将相机140重新定位到由输出148提供其位置的下一个候选缺陷处，并且在那个位置获取荧光图像。将每个候选缺陷位置的至少一个图像的荧光图像150提供给缺陷分析器120，该缺陷分析器120自动地分析每个荧光图像以验证候选缺陷是实际的缺陷还是非缺陷的误测，这有时也称为误报。可选地，AOI系统100进行操作以在扫描期间的多个分离时间间隔中获取反射图像112和荧光图像150，例如作为利用所选择的不同照射类型之一获取的多个时间偏移的图像。

在图1所示的实施例中，可看出缺陷分析器120进行操作以便为在初始检查期间获取的反射图像、以及在自动验证期间获取的诸如荧光图像之类的其他图像而提供图像分析功能。可以使用如图1所示的相同计算机中的相同处理器、或使用相同计算机中的不同处理器、或使用不同计算机中的不同处理器来提供这些功能。用于初始检查和后续自动验证的图像分析功能可以利用至少一些相同的图像处理算法，或者它们可以利用不同的图像处理算法。

根据本发明的实施例，当进一步分析了每个荧光图像150之后，缺陷分析器输出指示在电路上的实际缺陷的缺陷报告160，该电路已被使用反射光至少部分地进行了初始光学检查，并且已经利用荧光成像为该电路进一步光学检查了候选缺陷以验证这些候选缺陷是否为实际缺陷。实际缺陷的每个指示都基于通过至少光学检查反射图像、以及进一步光学检查与相同位置相对应的荧光图像而确定的候选缺陷位置的几何一致性。

现在参见图2，其是利用图1中的设备和功能单元检查电路方法的简化流程200，并且参见图3A和3B，它们是用于说明图2中的方法用于两种不同类型候选缺陷的、从检查电路获得的检查结果的示意图。

根据本发明的实施例，例如在图1的检查台110处，获取要检查的电路的反射图像。例如在缺陷分析器120处，自动地光学检查和分析该反射图像，以检测在要检查的电路中的候选缺陷。在这个阶段，已经标识出各种缺陷，但是仍然需要验证这些缺陷是实际的缺陷还是错误检测或者误报。

图3A和3B中分别说明了用于两种不同类型可能缺陷的、使用反射图像的自动光学检查操作。图3A中的图像帧300说明了与电路一部分相对应的反射图像，该电路在候选缺陷位置304处具有诸如由氧化物302之类而引起的污点(discoloration)。氧化物与周围的金属导体306不同地反射光。在采用反射光的系统中，部分氧化的导体可能被自动光学检查误解为畸形和有缺陷。在使用反射光的自动光学检查之后，将位置304标识为候选缺陷。

图3B中的图像帧310说明了在位置314处具有不同类型缺陷的电路一部分的反射图像，该缺陷即难以检测的短路，如表面(shallow)短路312。表面短路包含连接在相邻导体(所指示的导体316和317)之间的金属的小型沉积。虽然表面短路312中的金属量可足以电连接导体316和317，但是因为金属量小且浅，所以表面短路经常难以在反射光下可见。在使用反射光的自动光学检测之后，将在位置314处的表面短路312指示为候选缺陷。

要注意到，AOI系统需要在多个参数之间相当大的平衡，以便检测出基本上全部缺陷，而同时避免过多的误报。例如，使AOI系统灵敏化到便于检测出表面短路和其它难以检测的缺陷的级别可能导致过多类似于在基板表面的伪亮斑那样、各种非缺陷的误测。相反，将AOI系统灵敏化到导致可接受的少量错误检测报告的级别可能导致至少错过一些表面短路或者其它难以检测的缺陷。类似地，使检查不敏感以便避免氧化物(其不是缺陷)的错误检测可能导致，例如错过对导体上诸如小划痕缺陷之类的一些真正缺陷的检测。相反，增加检查灵敏度以拾取导体中的小划痕缺陷可能导致不合需要地、过多地将氧化物误测为缺陷。

根据本发明的实施例，可选对指示在要检查的电路上的每个候选缺陷的输出进行处理，以滤出重复的候选缺陷。这些缺陷包括，例如在一系列类似电路上重复出现的几何候选缺陷。尽管存在重复出现的几何畸形，但是如果已经确定在一系列类似电路面板中的各个面板的相同位置处重复出现的重现候选缺陷不构成实际缺陷，则可以过滤掉它们。在当前申请人同时提交的发明名称为“Verification of Non-Recurring Defects in Pattern Inspection”的临时专利申请60/550,061中更详细地描述了滤出重现几何候选缺陷的方法，该临时专利申请通过引用全部并入在此。

将指示需要验证的每个候选缺陷的输出提供给验证台，例如图1中的验证台130。返回参见图2，例如在验证台130(图1)处，对每个候选缺陷位置获取至少一个荧光图像。优选为，该荧光图像包括该候选缺陷以及在该候选缺陷周围的小部分区域。还标识了诸如从CAM文件中导出的参考图之类的参考图的相应部分。

根据本发明的实施例，分别从荧光图像和相应的参考文件中提取轮廓，即代表在导体部分和基板之间的边缘的线。根据本发明的实施例，在离线处理中提取来自参考的轮廓，并且存储该轮廓。还可以例如在初始检测期间使用该参考轮廓。将来自荧光图像的轮廓与来自计算机参考文件的轮廓进行比较。在与通过反射图像的光学检查获得的候选缺陷的指示大致一致的位置处，在相应荧光图像和参考的轮廓之间的差别指示在正被检查的电路中的实际缺陷。

在以下的专利和专利申请文档中，即美国专利5,774,772、美国专利5,774,573、待决美国专利申请公开2003/0174877、待决美国专利申请09/633,756(对应于WO0111565)和待决美国专利申请10/363,982(对应于WO0221105)中特别描述了提取轮廓并且比较该轮廓以检测缺陷的方法，这些专利和专利申请都转让给当前受让人Orbotech有限公司，并且通过引用全部在此并入。

返回参见图3A，帧320示出了用于在根据反射图像(帧300)的光学检查所确定的候选缺陷位置302周围区域的CAM图像的一部分。缺陷302是例如由氧化物引起的污点。帧322中示出了来自帧320中的CAM图像的轮廓。

帧330示出了为通常与帧300所示区域一致的区域而获取的荧光图像。根据本发明的实施例，帧330大约为500×700像素，并且分辨率是从中确定候选缺陷的图像的分辨率的大约1.5倍。优选为，使用大约350×350像素的子区域用于光学检查。注意到，对所检查电路的恰当照射导致基板而不是导体发荧光，由此使荧光成像不受诸如氧化物之类的污点的影响。因此荧光图像起用于消除氧化物误报的优异工具的作用。因此，在荧光图像330中，与反射图像300中的位置304相对应的、与候选缺陷位置332相关联的污点是看不见的。

因为荧光图像对诸如氧化物之类的导体的污点不敏感，所以帧334中所示的、来自荧光图像的轮廓也对导体污点不敏感。帧340中示出了来自参考图像(帧322)的轮廓和来自荧光图像(帧334)的轮廓的比较。注意到，在通常与候选缺陷位置302一致的位置342处，轮廓的比较指示出不存在缺陷。

关于图3B所示的缺陷，帧350示出了用于在根据反射图像(帧310)的光学检查所确定的候选缺陷312周围区域的CAM图像的一部分。帧352中示出了来自帧350中的CAM图像的轮廓。

帧360示出了为通常与帧310所示区域一致的区域而获取的荧光图像。根据本发明的实施例，帧360大约为500×700像素，并且分辨率是从中确定候选缺陷的图像的分辨率的大约1.5倍。优选为，使用大约350×350像素的子区域用于光学检查。注意到：对所检查电路的恰当照射导致基板而不是导体发荧光，由此因为不存在荧光而使难以检测的短路相对可见。因此，在与帧310中的候选缺陷位置314大致一致的荧光图像中的候选缺陷位置364处，可清楚地看见表面短路312。帧366中示出了与帧360中的荧光图像相对应的轮廓。

因为荧光图像相对于表面短路312的周围基板清楚地反衬出该浅短路312，所以可以容易地验证该缺陷。帧370中示出了来自CAM图像(帧352)的轮廓和来自荧光图像(帧366)的轮廓的比较。注意到，在与位置314大致一致的位置374处，轮廓的比较清楚地指示出实际缺陷的存在。

现在返回到图2，为候选缺陷的期望集合中的每一个完成验证。在完成了验证时，传送该电路以便进行进一步处理。例如，可以将其中全部缺陷已经被确认为是错误缺陷检测的电路传送到例如经由微细加工的进一步电路制造操作。

其中一些候选缺陷已经被验证为是实际缺陷的电路，或者其中自动验证无法确定的电路可能需要另外的缺陷验证或者修复操作。根据本发明的实施例，相机140被配置来以例如大于在初始检查期间所获取图像的分辨率的分辨率，另外获取已验证缺陷的高质量反射图像。该高质量图像的分辨率优选为至少是初始检查所利用的图像，如检查台110处获取的图像的分辨率的1.5倍。可选地，使用为选定缺陷的验证而优化的各种不同的照射配置，来获取高质量的反射图像。例如，当利用掠射角照射进行照射时，可以对一些缺陷进行最好的处理。

根据本发明的实施例，为每个确定为实际缺陷或者验证无法确定的候选缺陷获取高质量的图像。利用该高质量的图像用于另外的自动图像处理和光学检查，或者由操作者使用该高质量图像以进行该缺陷是否是实际缺陷的最终确定。可选地，修复电路。例如，可以将其中已经检测出表面短路的电路提供给修复操作者，该修复操作者采用柳叶刀或者其它等效的设备刮落或相反除去导致短路的过多的导体材料。

现在参见图4，其是在图1的系统和功能单元中采用的、用于获取荧光图像的光学头400的简化图示。光学头400通常包括照射器402、成像和缩放光学器件404、以及布置为获取在要被光学检查的电路上的缺陷位置412的图像的相机406。根据本发明的实施例，由照射控制器410驱动照射器402，其被配置来生成短时间照射脉冲，以在图像获取期间用短时间(在大约10-300毫秒之间的范围内)脉冲照射来照射位置412。

根据本发明的实施例，照射器402包括环状光照射器，该环状光照射器包含多个布置成至少一个同心环的LED 414，以照射在要检查的电路415(例如，对应于图1中的电路115)上的位置412。LED 414发射主辐射在蓝、紫或者紫外光谱中的光，优选为具有小于410nm的波长。适当的LED包括可以从加利福尼亚(California)的ETG公司中获得的型号为ETG-3UV400-30的LED。

如图4所示，来自LED 414的光通过低通滤波器416，该低通滤波器416进行操作以通过低于选定波长如低于420nm的光，但是阻挡高于这个波长的光谱中的光。这确保来自LED 414的410nm的光的通过。低通滤波器416被配置为具有开口418，其允许由相机406查看位置412而没有经低通滤波器416的滤波。

来自LED 414的光在位置412处照射到要检查的电路，并且导致电路的基板部分发荧光，发射具有较长波长的光，该较长波长取决于制造基板所用的材料类型而一般在480-600nm的范围内。

由基板发射的荧光通过开口418，并且由成像和缩放光学器件404成像在相机406的传感器上。允许高于选定波长、例如高于475nm的光通过并且阻止波长低于该值的光通过的高通滤波器420定位在相机406的上游。这确保由相机406获取的图像不会被散射照射或者从电路415反射的、来自LED414的照射所破坏。

根据本发明的实施例，相机406是可从Sony公司获得的型号FCB-IX47，其提供了板载自动聚焦功能，可进行操作来对位置412的图像自动聚焦。根据本发明的实施例，成像和缩放光学器件404和相机406的布置通常遵循现在已放弃的美国专利申请09/570,972(对应于PCT专利申请公开WO0188592)的示教，该申请的公开通过引用全部并入在此。

根据本发明的实施例，照射器402另外包括第二多个LED 430，它们被布置成环形，以从低通滤波器416的外部来照射位置412，并具有比LED 414所提供的照射更长的波长。例如，来自LED 430的照射通常为多色照射，其适于获取位置412的高质量可视图像。例如，该高质量可视图像适于在其他适当的行式(line)图像处理中使用，或者适于由人类操作员在评估位置412处的候选缺陷中使用。根据本发明的实施例，自动聚焦相机进行操作来获取一个或多个图像，以不同的照射配置来照射每个图像。

根据本发明的实施例，由照射控制器410响应于要验证的候选缺陷的类型而自动地选择照射配置。例如，可以由检查台110(图1)提供这个信息，以便优化由摄像机406获取的、用于进一步的图像处理和自动验证、或者用于人工审查的图像。因此，例如用于自动验证氧化物或者表面短路的照射要求可能需要用紫或者紫外光照射的荧光图像。用于验证一些短路的自动验证的照射要求可能需要以掠射角提供反射光。验证向下变形缺陷(即其中导体的上表面相对于它的周围被压下的缺陷)的自动验证的照射要求可能需要高质量的反射图像。

本领域技术人员应当理解：本发明不局限于在上文中已经具体示出和描述的那些内容。例如，本发明的各种实施例可能包括不同的传感器和控制设备的组合。本发明的范围包括此处描述的各种特征以及本领域技术人员通过阅读上文描述自然地会想到且不属于先有技术的各种修改和变化的组合和子组合。

Claims

1.一种检查电路的方法，包括：

在第一时间间隔期间，通过在第一图像中检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分；

通过在第二时间间隔期间获取的第二图像中的荧光，光学地检查从所述电路的基板的至少一部分发射的光；以及

基于几何一致指示来指示所述电路中的缺陷，其中所述几何一致指示来自所述通过检测从中反射的光而对电路至少一部分的光学检查、以及所述通过荧光对从所述电路的基板的至少一部分发射的光的光学检查，

其中，所述通过第二图像中的荧光来光学检查从所述电路的基板的至少一部分发出的光，仅仅在由所述通过检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分而指示为可能包含缺陷的、所述电路上的区域处执行。

2.如权利要求1所述的检查电路的方法，其中，所述通过检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分包括：使用反射光来扫描所述电路。

3.如权利要求1所述的检查电路的方法，其中，所述通过荧光来光学检查从所述电路的基板的至少一部分发射的光包括：用波长小于420nm的光照射所述电路的一部分。

4.如权利要求3所述的检查电路的方法，其中，所述用波长小于420nm的光照射所述电路一部分包括：从环形布置的多个LED提供光，所述LED以下列光谱即蓝色、紫色和紫外线中的至少一种发射光。

5.如权利要求1所述检查电路的方法，还包括：

根据对所述第一图像的光学检查，确定候选缺陷的位置；以及

大致在所述位置处获取所述第二图像。

6.如权利要求1所述检查电路的方法，还包括：

将所述第二图像的一部分与参考图像的相应部分进行比较，其中所述第二图像的所述部分对应于候选缺陷的所述位置。

7.如权利要求6所述的检查电路的方法，其中所述将所述第二图像的一部分与参考图像的相应部分进行比较包括二

从所述第二图像中提取第一轮廓；以及

将所述第一轮廓与从所述参考图像获得的第二轮廓进行比较。

8.如权利要求1所述的检查电路的方法，还包括：

为缺陷或者未被明确确定为误测的候选缺陷中的至少一个获取所述电路的高质量反射图像；以及

评估所述高质量反射图像以进行进一步的缺陷确定。

9.如权利要求1所述的检查电路的方法，还包括：修复至少一个确定为实际缺陷的候选缺陷。

10.如权利要求1所述的检查电路的方法，其中，所述第二图像的分辨率大于所述第一图像的分辨率。

11.如权利要求1所述的检查电路的方法，其中，所述第二时间间隔和所述第一时间间隔时间上分离。

12.如权利要求11所述的检查电路的方法，其中，所述第二时间间隔在所述第一时间间隔之后。

13.如权利要求12所述的检查电路的方法，其中，所述通过检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分包括：扫描电路并获取反射图像，以及其中所述通过荧光来光学检查从所述电路的基板的至少一部分发出的光包括：在所述扫描之后获取至少一个荧光图像。

14.如权利要求1所述的检查电路的方法，其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔是不重合的时间间隔。

15.一种用于检查电路的设备，包括：

反射检查功能单元，进行操作来在第一时间间隔期间，通过在第一图像中检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分；

荧光检查功能单元，进行操作来通过在第二时间间隔期间获取的第二图像中的荧光来光学检查从所述电路的基板的至少一部分发射的光；以及

缺陷指示器，进行操作来基于来自所述反射检查功能单元和所述荧光检查功能单元的几何一致指示、指示所述电路中的缺陷，

其中，所述荧光检查功能单元仅仅在由所述反射检查功能单元指示为可能包含缺陷的、所述电路上的区域处进行操作。

16.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，其中，所述反射检查功能单元包括扫描器，该扫描器进行操作以使用反射光来扫描所述电路。

17.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，其中，所述荧光检查功能单元包括照射器，该照射器进行操作以用波长小于420nm的光照射要被获取图像的所述电路的一部分。

18.如权利要求17所述的用于检查电路的设备，其中，所述照射器包括多个以环形布局布置的LED，这些LED照射要被获取图像的所述电路的照射部分。

19.如权利要求18所述的用于检查电路的设备，还包括：覆盖所述LED的低通滤波器；并且所述用于检查电路的设备还包括开口，以允许获取所述照射部分的图像，所述照射部分的图像未由所述低通滤波器滤波。

20.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，还包括：

缺陷位置确定器，进行操作以根据对所述第一图像的光学检查而确定候选缺陷的位置；以及

图像获取器，进行操作以大致在所述位置获取所述第二图像。

21.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，还包括：

图像比较器，进行操作来将所述第二图像的一部分与参考图像的相应部分进行比较，所述第二图像的所述部分对应于候选缺陷的所述位置。

22.如权利要求21所述的用于检查电路的设备，其中所述图像比较器包括：

轮廓提取器，进行操作以从所述第二图像中提取第一轮廓；以及

轮廓比较器，进行操作以将所述第一轮廓与从所述参考图像获得的第二轮廓进行比较。

23.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，还包括：

反射图像获取器，进行操作以便为缺陷或者未被明确确定为误测的候选缺陷中的至少一个获取所述电路的高质量反射图像；以及

图像评估器，进行操作以评估所述高质量反射图像，以及进行进一步的缺陷确定。

24.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，其中，所述第二图像包含分辨率大于所述第一图像的分辨率的图像。

25.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，其中，所述荧光检查功能单元在所述反射检查功能单元的操作之后进行操作。

26.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，其中，所述反射检查功能单元进行操作，以在扫描电路期间获取至少一个反射图像；以及所述荧光检查功能单元进行操作以在所述扫描之后获取至少一个荧光图像。

27.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，其中，所述反射检查功能单元进行操作，以在扫描电路期间获取至少一个反射图像；以及所述荧光检查功能单元进行操作以在所述扫描期间获取至少一个荧光图像。

28.如权利要求15所述的用于检查电路的设备，其中，在分离的时间间隔处获取至少一个反射图像和至少一个荧光图像。

29.一种用于制造电路的方法，包括：

在基板上形成电路；

在第一时间间隔期间，通过在第一图像中检测从中反射的光来光学检查所述电路的至少一部分；

通过在第二时间间隔期间获取的第二图像中的荧光，光学检查从所述电路的基板的至少一部分发出的光；以及

基于几何一致指示而指示所述电路中的缺陷，其中所述几何一致指示来自所述通过检测从中反射的光而对电路至少一部分的光学检查、以及所述通过荧光对从所述电路的基板的至少一部分发射的光的光学检查；

至少丢弃一些被指示为有缺陷的电路，

其中，所述通过第二图像中的荧光来光学检查从所述电路的基板的至少一部分发出的光，仅仅在由所述通过检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分而指示可能包含缺陷的、所述电路上的区域处执行。

30.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，其中，所述通过检测从中反射的光来光学检查电路的至少一部分包括：使用反射光来扫描所述电路。

31.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，其中，所述通过荧光来光学检查从所述电路的基板的至少一部分发射的光包括：用波长小于420nm的光照射所述电路的一部分。

32.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，还包括：

根据对所述第一图像的光学检查来确定候选缺陷的位置；以及

大致在所述位置处获取所述第二图像。

33.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，还包括：

34.如权利要求33所述的用于制造电路的方法，其中所述将所述第二图像的一部分与参考图像的相应部分进行比较包括：

从所述第二图像中提取第一轮廓；以及

35.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，还包括：

评估所述高质量反射图像以进行进一步的缺陷确定。

36.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，还包括：修复至少一个确定为实际缺陷的候选缺陷。

37.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，其中，所述第二图像的分辨率大于所述第一图像的分辨率。

38.如权利要求29所述用于制造电路的方法，其中，所述第二时间间隔在所述第一时间间隔之后。

39.如权利要求29所述的用于制造电路的方法，其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔是不重合的时间间隔。