JP2001209798A - 外観検査方法及び検査装置 - Google Patents
外観検査方法及び検査装置Info
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】繰り返しパターン部で発生する光の回折による
濃淡ムラによる影響を無くして、高精度で信頼性の高い
外観検査を実現する。 【解決手段】繰り返しパターン部を対象に、撮像画像を
平滑化して基準画像を生成し、撮像画像と基準画像を比
較することにより、濃淡ムラを排除した急峻な濃淡変化
部のみを取り出した画像を抽出し、その抽出画像の明度
値を2値化して不良部の有無を判定する。また、2値化
処理として、抽出画像から繰り返しパターン領域内の標
準偏差を計測し、標準偏差に応じたしきい値を求めて2
値化した後、その2値化で繰り返しパターンと判定され
た画素を真の繰り返しパターン部として、再度標準偏差
の計測としきい値を求めて2値化するという処理を採用
することで、適切な2値化しきい値を自動的に設定す
る。
濃淡ムラによる影響を無くして、高精度で信頼性の高い
外観検査を実現する。 【解決手段】繰り返しパターン部を対象に、撮像画像を
平滑化して基準画像を生成し、撮像画像と基準画像を比
較することにより、濃淡ムラを排除した急峻な濃淡変化
部のみを取り出した画像を抽出し、その抽出画像の明度
値を2値化して不良部の有無を判定する。また、2値化
処理として、抽出画像から繰り返しパターン領域内の標
準偏差を計測し、標準偏差に応じたしきい値を求めて2
値化した後、その2値化で繰り返しパターンと判定され
た画素を真の繰り返しパターン部として、再度標準偏差
の計測としきい値を求めて2値化するという処理を採用
することで、適切な2値化しきい値を自動的に設定す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ及び
液晶ディスプレイパネル等の繰り返しパターンを有する
パネル状の物体の傷等を検査する外観検査方法及び検査
装置に関する。
液晶ディスプレイパネル等の繰り返しパターンを有する
パネル状の物体の傷等を検査する外観検査方法及び検査
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハの表面傷を検査する外観検
査の例を以下に説明する。
査の例を以下に説明する。
【0003】まず、半導体ウエハの表面には、パターン
がサブミクロン単位の微細なルールで形成されており、
その微細な不良の検査には、百倍〜2百倍相当の倍率を
持つ顕微鏡を用いて微小な領域を観察・検査するという
方法(ミクロ検査)が採られている。また、半導体ウエ
ハの表面には、その製造・搬送過程で傷がつくことがあ
り、この検査には、ウエハ面全体を1度に観察・検査す
る巨視的な外観検査(マクロ検査)が適用されている。
がサブミクロン単位の微細なルールで形成されており、
その微細な不良の検査には、百倍〜2百倍相当の倍率を
持つ顕微鏡を用いて微小な領域を観察・検査するという
方法(ミクロ検査)が採られている。また、半導体ウエ
ハの表面には、その製造・搬送過程で傷がつくことがあ
り、この検査には、ウエハ面全体を1度に観察・検査す
る巨視的な外観検査(マクロ検査)が適用されている。
【0004】マクロ検査には、一般に、熟練した検査員
がウエハを複数の角度から見て傷の有無を目視で観察
し、その観察結果から検査員の経験に基づいて良否を判
定するという方法が採られている。
がウエハを複数の角度から見て傷の有無を目視で観察
し、その観察結果から検査員の経験に基づいて良否を判
定するという方法が採られている。
【0005】一方、マクロ検査の自動化を実現するもの
として、特開平10−144747号公報に自動ウエハ
マクロ検査装置が開示されている。この公報に記載の検
査装置では、半導体ウエハを斜めより照明し、半導体ウ
エハを鉛直方向から撮像用のカメラで観察・撮像し、そ
の被検査ウエハの撮像画像と、基準ウエハの撮像により
予め採取・記憶しておいた基準画像とを、画像処理にお
けるパターンマッチング手法で比較して一致度を計測
し、その一致度に応じて不良部の有無を判定している。
として、特開平10−144747号公報に自動ウエハ
マクロ検査装置が開示されている。この公報に記載の検
査装置では、半導体ウエハを斜めより照明し、半導体ウ
エハを鉛直方向から撮像用のカメラで観察・撮像し、そ
の被検査ウエハの撮像画像と、基準ウエハの撮像により
予め採取・記憶しておいた基準画像とを、画像処理にお
けるパターンマッチング手法で比較して一致度を計測
し、その一致度に応じて不良部の有無を判定している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、目視検査で
は、検査員の感覚的な判断が主体であるため、定量的な
検査が困難であり、熟練度や体調により判断基準が異な
るという問題がある。
は、検査員の感覚的な判断が主体であるため、定量的な
検査が困難であり、熟練度や体調により判断基準が異な
るという問題がある。
【0007】また、ウエハのパターンルールが緻密にな
ってきている昨今では、人間によるコンタミネーション
の影響が大きいため、完全なる工程の無人化が要求され
ており、自動検査化の必要性が増大しているが、目視検
査を実施している限り、それを実現することはできな
い。
ってきている昨今では、人間によるコンタミネーション
の影響が大きいため、完全なる工程の無人化が要求され
ており、自動検査化の必要性が増大しているが、目視検
査を実施している限り、それを実現することはできな
い。
【0008】一方、特開平10−144747号公報に
記載の自動ウエハマクロ検査装置によれば、半導体ウエ
ハに斜め方向から照明光を照射し、ウエハ面の上方より
観察しているが、ウエハ面に対して斜め方向から光を照
射すると、繰り返しパターン部では、パターンの上面に
て反射される反射光と各パターン間の溝面にて反射され
る照明光に光路差が生じるので、照明の照射角度に応じ
て回折光の強度が変動し、ウエハ面では照明からの距離
に応じて照射される光の角度が変化して回折光の強度が
変化する。このため、ウエハ上方に設置のカメラで撮像
すると、その撮像画像には繰り返しパターン面に紫〜赤
の虹状の濃淡ムラが発生する。以後、この撮像画像で観
察される濃淡ムラを回折による濃淡ムラと称する。
記載の自動ウエハマクロ検査装置によれば、半導体ウエ
ハに斜め方向から照明光を照射し、ウエハ面の上方より
観察しているが、ウエハ面に対して斜め方向から光を照
射すると、繰り返しパターン部では、パターンの上面に
て反射される反射光と各パターン間の溝面にて反射され
る照明光に光路差が生じるので、照明の照射角度に応じ
て回折光の強度が変動し、ウエハ面では照明からの距離
に応じて照射される光の角度が変化して回折光の強度が
変化する。このため、ウエハ上方に設置のカメラで撮像
すると、その撮像画像には繰り返しパターン面に紫〜赤
の虹状の濃淡ムラが発生する。以後、この撮像画像で観
察される濃淡ムラを回折による濃淡ムラと称する。
【0009】回折による濃淡ムラの発生は、ウエハを位
置決めする際の位置ずれ・そり・たわみ等によって、検
査の都度、回折による濃淡ムラの発生位置や幅等が微妙
に変動する。従って、特開平10−144747号公報
記載の技術のように、正常なウエハ面を基準とする画像
を計測しておき、被検査ウエハの撮像画像との比較を行
うだけでは、回折による濃淡ムラの変動による影響を除
去することができず、高精度で信頼性のある自動検査が
困難であるという問題点がある。
置決めする際の位置ずれ・そり・たわみ等によって、検
査の都度、回折による濃淡ムラの発生位置や幅等が微妙
に変動する。従って、特開平10−144747号公報
記載の技術のように、正常なウエハ面を基準とする画像
を計測しておき、被検査ウエハの撮像画像との比較を行
うだけでは、回折による濃淡ムラの変動による影響を除
去することができず、高精度で信頼性のある自動検査が
困難であるという問題点がある。
【0010】これを解消することを目的として、実験に
より、照明を斜めではなく、他の角度から照射して、回
折による濃淡ムラを回避することを検討した。その結果
を以下に説明する。
より、照明を斜めではなく、他の角度から照射して、回
折による濃淡ムラを回避することを検討した。その結果
を以下に説明する。
【0011】まず、落射照明によりウエハ面に対する仰
角が90度となるように照明光を照射すると、回折によ
る濃淡ムラはなくなるが、繰り返しパターン部の明度は
明るくなる場合と、暗くなる場合があるため、繰り返し
パターン部が暗くなるウエハの場合には、傷と繰り返し
パターンが分離できない状態になる。また、仰角0度で
水平方向から照明光を照射すると、回折による濃淡ムラ
は無くなるが、傷部及び繰り返しパターン部が暗くなっ
てしまい、同様に分離できなくなる。このような検討結
果から、傷と非傷部との濃淡差が最も多く得られるよう
にするには、照明をウエハ面に対し斜め方向から照射す
る必要があるが、照明を斜め方向から照射すると、回折
による濃淡ムラによる影響を回避することができないこ
とが判る。
角が90度となるように照明光を照射すると、回折によ
る濃淡ムラはなくなるが、繰り返しパターン部の明度は
明るくなる場合と、暗くなる場合があるため、繰り返し
パターン部が暗くなるウエハの場合には、傷と繰り返し
パターンが分離できない状態になる。また、仰角0度で
水平方向から照明光を照射すると、回折による濃淡ムラ
は無くなるが、傷部及び繰り返しパターン部が暗くなっ
てしまい、同様に分離できなくなる。このような検討結
果から、傷と非傷部との濃淡差が最も多く得られるよう
にするには、照明をウエハ面に対し斜め方向から照射す
る必要があるが、照明を斜め方向から照射すると、回折
による濃淡ムラによる影響を回避することができないこ
とが判る。
【0012】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、半導体ウエハや液晶ディスプレイパネル等の不
良を光学的手法を用いて巨視的に観察して傷・異物等を
検査するにあたり、繰り返しパターン領域で発生する光
の回折による濃淡ムラの影響をキャンセルし、もって不
良部の有無を高精度で検出することのできる外観検査方
法及び検査方法の提供を目的とする。
もので、半導体ウエハや液晶ディスプレイパネル等の不
良を光学的手法を用いて巨視的に観察して傷・異物等を
検査するにあたり、繰り返しパターン領域で発生する光
の回折による濃淡ムラの影響をキャンセルし、もって不
良部の有無を高精度で検出することのできる外観検査方
法及び検査方法の提供を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の外観検査方法
は、繰り返しパターン領域を有する物体の不良を光学的
に検査する方法であって、繰り返しパターン領域の撮像
画像から不良による濃淡変化を除外して基準画像を生成
する処理と、その基準画像と撮像画像とを比較演算する
ことにより急峻な濃淡変化量のみを抽出した画像を得る
処理と、その抽出画像の明度値を2値化して不良部の有
無を判定する処理を行うことによって特徴づけられる。
は、繰り返しパターン領域を有する物体の不良を光学的
に検査する方法であって、繰り返しパターン領域の撮像
画像から不良による濃淡変化を除外して基準画像を生成
する処理と、その基準画像と撮像画像とを比較演算する
ことにより急峻な濃淡変化量のみを抽出した画像を得る
処理と、その抽出画像の明度値を2値化して不良部の有
無を判定する処理を行うことによって特徴づけられる。
【0014】本発明の外観検査方法において、比較演算
に用いる基準画像は、撮像画像の平滑化処理によって生
成することが好ましく、その平滑化処理には、例えばメ
ディアンフィルタ、最小値フィルタ、平均化フィルタ、
または、抽出順位を任意に設定することが可能な順位抽
出フィルタを用いることが好ましい。
に用いる基準画像は、撮像画像の平滑化処理によって生
成することが好ましく、その平滑化処理には、例えばメ
ディアンフィルタ、最小値フィルタ、平均化フィルタ、
または、抽出順位を任意に設定することが可能な順位抽
出フィルタを用いることが好ましい。
【0015】本発明の外観検査方法において、急峻な濃
淡変化量のみを抽出した抽出画像から繰り返しパターン
領域内の標準偏差を求め、次いで所定の係数で補正した
しきい値で2値化した後、その2値化画像で低明度と判
定された部分を非不良部(真の繰り返しパターン部)と
して、繰り返しパターン領域内の非不良部の明度値の標
準偏差を所定の補正係数にて補正した値で再度2値化す
るという処理を行ってもよく、この場合、適切な2値化
しきい値を自動的に設定することができ、信頼性の高い
自動検査の実現が可能になる。
淡変化量のみを抽出した抽出画像から繰り返しパターン
領域内の標準偏差を求め、次いで所定の係数で補正した
しきい値で2値化した後、その2値化画像で低明度と判
定された部分を非不良部(真の繰り返しパターン部)と
して、繰り返しパターン領域内の非不良部の明度値の標
準偏差を所定の補正係数にて補正した値で再度2値化す
るという処理を行ってもよく、この場合、適切な2値化
しきい値を自動的に設定することができ、信頼性の高い
自動検査の実現が可能になる。
【0016】本発明の外観検査装置は、繰り返しパター
ンを有する物体を物体の被検査面に対し鉛直方向から観
察する撮像手段と、その物体に斜め方向から照明光を照
射する照明系と、撮像した画像から不良による濃淡変化
を除外して基準画像を生成し、その基準画像と撮像画像
とを比較演算して急峻な濃淡変化量のみを抽出した画像
を求め、その抽出画像の明度値を2値化処理する画像処
理手段を備えていることによって特徴づけられる。
ンを有する物体を物体の被検査面に対し鉛直方向から観
察する撮像手段と、その物体に斜め方向から照明光を照
射する照明系と、撮像した画像から不良による濃淡変化
を除外して基準画像を生成し、その基準画像と撮像画像
とを比較演算して急峻な濃淡変化量のみを抽出した画像
を求め、その抽出画像の明度値を2値化処理する画像処
理手段を備えていることによって特徴づけられる。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、以下、図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【0018】図2は本発明の外観検査装置の実施形態の
構成を模式的に示す図である。
構成を模式的に示す図である。
【0019】図2の外観検査装置は、検査用のウエハW
を保持するウエハテーブル1と、ライン型照明2と、ウ
エハテーブル1の上方(鉛直方向)に配置された撮像カ
メラ6を備えている。
を保持するウエハテーブル1と、ライン型照明2と、ウ
エハテーブル1の上方(鉛直方向)に配置された撮像カ
メラ6を備えている。
【0020】ライン型照明2は、ハロゲン光源3、光フ
ァイバ4及び照射部5からなり、ハロゲン光源3からの
光源光を光ファイバ4及び照射部5を介してウエハWの
表面に斜め上方から照射するように構成されている。な
お、照射部5は光ファイバ4をライン状に束ねてハロゲ
ン光源3からの光源光をライン状の光束にして出射する
構造となっている。
ァイバ4及び照射部5からなり、ハロゲン光源3からの
光源光を光ファイバ4及び照射部5を介してウエハWの
表面に斜め上方から照射するように構成されている。な
お、照射部5は光ファイバ4をライン状に束ねてハロゲ
ン光源3からの光源光をライン状の光束にして出射する
構造となっている。
【0021】撮像カメラ6には、光電変換素子としてC
CDセンサが用いられており、ウエハWの表面の白黒濃
淡画像を撮像する。この撮像カメラ6の撮像画像データ
は画像処理装置7にて処理された後、制御コンピュータ
8に採り込まれる。制御コンピュータ8は、装置全体の
動作制御と周辺工程装置のインターフェース及び作業員
とのインターフェースを行う。
CDセンサが用いられており、ウエハWの表面の白黒濃
淡画像を撮像する。この撮像カメラ6の撮像画像データ
は画像処理装置7にて処理された後、制御コンピュータ
8に採り込まれる。制御コンピュータ8は、装置全体の
動作制御と周辺工程装置のインターフェース及び作業員
とのインターフェースを行う。
【0022】次に、本実施形態をより具体的に説明す
る。
る。
【0023】まず、ウエハWは、図示しない外部の搬送
装置によりウエハテーブル1上に移載される。ウエハテ
ーブル1は、移載されたウエハWを水平状態で保持する
機能をもっており、このウエハテーブル1上に保持され
たウエハWの表面画像が撮像カメラ6にて撮像される。
その撮像画像データは画像処理装置7に入力され、後述
する画像処理が施される。
装置によりウエハテーブル1上に移載される。ウエハテ
ーブル1は、移載されたウエハWを水平状態で保持する
機能をもっており、このウエハテーブル1上に保持され
たウエハWの表面画像が撮像カメラ6にて撮像される。
その撮像画像データは画像処理装置7に入力され、後述
する画像処理が施される。
【0024】この実施形態において、撮像カメラ6及び
画像処理装置7にて扱う画像は、ともに横2048×縦
2048画素×8bit(256)階調の白黒濃淡画像
データであり、この例で使用する直径200mmのウエ
ハWの全面を1枚の画像で撮像することができる。さら
に、1画素のサイズは約100μm角であり、予想され
る傷の幅は200μm以内を想定している。
画像処理装置7にて扱う画像は、ともに横2048×縦
2048画素×8bit(256)階調の白黒濃淡画像
データであり、この例で使用する直径200mmのウエ
ハWの全面を1枚の画像で撮像することができる。さら
に、1画素のサイズは約100μm角であり、予想され
る傷の幅は200μm以内を想定している。
【0025】また、図2に示すように、ライン型照明2
にて照明光をウエハWの表面に対して斜め方向から照射
することにより、ウエハ面の明度を可能な限り暗くする
ことが可能であることから、ウエハ面から見た照明の仰
角を、傷の明度とウエハ面との明度の差が大きくなるよ
うな角度に設定している。具体的には、ウエハWの中央
付近でウエハ面に対する仰角が10度となるようにライ
ン型照明2を配置している。また、ライン型照明2の照
明部5とウエハWの端との水平距離を130mm、撮像
カメラ6とウエハ面との垂直距離を約300mmとして
いる。ただし、これらの距離はレンズの焦点距離、取り
込む画像の倍率によって適宜決定される。
にて照明光をウエハWの表面に対して斜め方向から照射
することにより、ウエハ面の明度を可能な限り暗くする
ことが可能であることから、ウエハ面から見た照明の仰
角を、傷の明度とウエハ面との明度の差が大きくなるよ
うな角度に設定している。具体的には、ウエハWの中央
付近でウエハ面に対する仰角が10度となるようにライ
ン型照明2を配置している。また、ライン型照明2の照
明部5とウエハWの端との水平距離を130mm、撮像
カメラ6とウエハ面との垂直距離を約300mmとして
いる。ただし、これらの距離はレンズの焦点距離、取り
込む画像の倍率によって適宜決定される。
【0026】さらに、ウエハWの非繰り返しパターン部
は、様々な水平形状のパターンが複雑に組み合わさって
形成されているため一様な明度ではなく、傷とパターン
部とを明確に分離することは困難である。そこで、本発
明では、繰り返しパターン部には一様なパターンが形成
されていることに着目し、安定した検査を実施するため
に、繰り返しパターン部の傷を対象に検出を行うものと
している。
は、様々な水平形状のパターンが複雑に組み合わさって
形成されているため一様な明度ではなく、傷とパターン
部とを明確に分離することは困難である。そこで、本発
明では、繰り返しパターン部には一様なパターンが形成
されていることに着目し、安定した検査を実施するため
に、繰り返しパターン部の傷を対象に検出を行うものと
している。
【0027】図3は、撮像カメラ6にて撮像した画像の
例である。ウエハWの表面には繰り返しパターン9・・9
が行列状に複数形成されている。ウエハWの表面に照射
されるライン型照明2の光線は、照明に近いウエハ面で
は仰角が大きく、照明から遠くなるに従って仰角が小さ
くなる。このため、照射角度の違いで回折による濃淡ム
ラが発生し、撮像カメラ6では、ウエハ面の明部領域部
11や暗部領域部12において繰り返しパターン9・・9
に無段階につながる虹状の濃淡ムラが観察される。ここ
で、撮像カメラ6にて撮像する画像は白黒濃淡画像であ
り、色を認識できないため、虹状の濃淡ムラは白黒の濃
淡ムラとして撮像画像に現れる。なお、図3ではウエハ
Wの中央付近の繰り返しパターン部に、やや斜めに延び
る縦の傷10が2本存在する例を示している。
例である。ウエハWの表面には繰り返しパターン9・・9
が行列状に複数形成されている。ウエハWの表面に照射
されるライン型照明2の光線は、照明に近いウエハ面で
は仰角が大きく、照明から遠くなるに従って仰角が小さ
くなる。このため、照射角度の違いで回折による濃淡ム
ラが発生し、撮像カメラ6では、ウエハ面の明部領域部
11や暗部領域部12において繰り返しパターン9・・9
に無段階につながる虹状の濃淡ムラが観察される。ここ
で、撮像カメラ6にて撮像する画像は白黒濃淡画像であ
り、色を認識できないため、虹状の濃淡ムラは白黒の濃
淡ムラとして撮像画像に現れる。なお、図3ではウエハ
Wの中央付近の繰り返しパターン部に、やや斜めに延び
る縦の傷10が2本存在する例を示している。
【0028】図4は、図3に示すウエハWを撮像カメラ
6で撮像した撮像画像から、傷10を含む繰り返しパタ
ーンの明度を横方向に計測した計測結果の例であり、図
3の傷10を横断する横矢印部を計測した結果(明度分
布)を実線で示している。明度分布13は濃淡ムラによ
る明度値の変化が全体的に大きく現れている状態であ
り、その中に傷10による明度値の高い部分が2箇所含
まれている。左側の傷は幅が太く明度差も高い傷であ
り、右側の傷は幅が狭く明度差が少ない傷である。ま
た、繰り返しパターン部は撮像時に混入するランダムノ
イズが混入しており、全体に微小な明度変化が存在して
いる。
6で撮像した撮像画像から、傷10を含む繰り返しパタ
ーンの明度を横方向に計測した計測結果の例であり、図
3の傷10を横断する横矢印部を計測した結果(明度分
布)を実線で示している。明度分布13は濃淡ムラによ
る明度値の変化が全体的に大きく現れている状態であ
り、その中に傷10による明度値の高い部分が2箇所含
まれている。左側の傷は幅が太く明度差も高い傷であ
り、右側の傷は幅が狭く明度差が少ない傷である。ま
た、繰り返しパターン部は撮像時に混入するランダムノ
イズが混入しており、全体に微小な明度変化が存在して
いる。
【0029】次に、画像処理装置7で実行する傷検出ア
ルゴリズムを、図1のフローチャートを参照しつつ以下
に説明する。なお、この例に用いる画像処理装置7は、
1枚の画像内に複数の処理対象領域を設けることが可能
であり、画像処理を行う際、対象の領域についてのみ処
理を行うことができるものとする。この処理対象領域は
一般に関心領域と呼ばれており、本説明でも関心領域と
称する。
ルゴリズムを、図1のフローチャートを参照しつつ以下
に説明する。なお、この例に用いる画像処理装置7は、
1枚の画像内に複数の処理対象領域を設けることが可能
であり、画像処理を行う際、対象の領域についてのみ処
理を行うことができるものとする。この処理対象領域は
一般に関心領域と呼ばれており、本説明でも関心領域と
称する。
【0030】図1の傷検出アルゴリズムの具体的な手順
は次の通りである。
は次の通りである。
【0031】ステップS1 :ウエハWを撮像した画像に
対して、繰り返しパターン部のみを処理対象にする関心
領域を設定する。具体的には、繰り返しパターンの1つ
の領域について、関心領域を1領域を設定していき、ウ
エハW内の全繰り返しパターン部について関心領域を設
定する。また、ウエハW内の繰り返しパターン部の領域
は、撮像画像の座標を操作員が画面を見ながら設定する
等の方法により予め登録しておく。なお、以後の傷検出
アルゴリズムでの画像処理は全て関心領域に対して行
う。
対して、繰り返しパターン部のみを処理対象にする関心
領域を設定する。具体的には、繰り返しパターンの1つ
の領域について、関心領域を1領域を設定していき、ウ
エハW内の全繰り返しパターン部について関心領域を設
定する。また、ウエハW内の繰り返しパターン部の領域
は、撮像画像の座標を操作員が画面を見ながら設定する
等の方法により予め登録しておく。なお、以後の傷検出
アルゴリズムでの画像処理は全て関心領域に対して行
う。
【0032】ステップS2 :撮像画像に対し、メディア
ンフィルタによる平滑化フィルタ処理を施す。以後、画
像の表記は画像名(x,y)とする。ただし、x=0〜
2047、y=0〜2047とする。なお、メディアン
フィルタとは、n×nサイズのメッシュ状のフィルタで
あり、メッシュ空間内の全画素データを対象に、数値の
順位が中央の値を出力結果とする平滑化フィルタであ
る。
ンフィルタによる平滑化フィルタ処理を施す。以後、画
像の表記は画像名(x,y)とする。ただし、x=0〜
2047、y=0〜2047とする。なお、メディアン
フィルタとは、n×nサイズのメッシュ状のフィルタで
あり、メッシュ空間内の全画素データを対象に、数値の
順位が中央の値を出力結果とする平滑化フィルタであ
る。
【0033】この例では傷10の幅が2画素以内の幅で
あることを考慮して、その傷幅よりも2倍以上(x,y
とも)の幅をもつn=5のメディアンフィルタを用い
る。なお、予想される傷幅の最大が1画素以下であれ
ば、n=3のメディアンフィルタを用いてもよい。ま
た、傷幅の最大が2画素以上になる可能性があれば、n
が5を超える奇数値にしてもよい。ただし、フィルタ空
間内での傷による明度の高い部分の画素数がフィルタ空
間の総画素数の1/2未満であることが重要である。
あることを考慮して、その傷幅よりも2倍以上(x,y
とも)の幅をもつn=5のメディアンフィルタを用い
る。なお、予想される傷幅の最大が1画素以下であれ
ば、n=3のメディアンフィルタを用いてもよい。ま
た、傷幅の最大が2画素以上になる可能性があれば、n
が5を超える奇数値にしてもよい。ただし、フィルタ空
間内での傷による明度の高い部分の画素数がフィルタ空
間の総画素数の1/2未満であることが重要である。
【0034】以上のような平滑化処理により得られる画
像の明度分布例を図4に示す。
像の明度分布例を図4に示す。
【0035】なお、メディアンフィルタは2次元フィル
タであるが、図4では説明を簡単にするために1次元デ
ータの処理結果を示している。
タであるが、図4では説明を簡単にするために1次元デ
ータの処理結果を示している。
【0036】図4の処理結果14から判るように、平滑
化処理の効果により傷10による高い明度値をキャンセ
ルすることができ、傷近傍の明度の平均的な値が得られ
る。
化処理の効果により傷10による高い明度値をキャンセ
ルすることができ、傷近傍の明度の平均的な値が得られ
る。
【0037】ここで、一般に用いられている平滑化方法
には、n×nのメッシュにおける平均化フィルタが多い
が、平均化では傷が存在する部分では出力値が高くなっ
てしまう。そこで、本発明では、適切な空間サイズのメ
ディアンフィルタを用いることにより、傷の影響を無く
すことを可能としている。
には、n×nのメッシュにおける平均化フィルタが多い
が、平均化では傷が存在する部分では出力値が高くなっ
てしまう。そこで、本発明では、適切な空間サイズのメ
ディアンフィルタを用いることにより、傷の影響を無く
すことを可能としている。
【0038】ステップS3 :撮像画像と平滑化画像の画
像比較を行う。
像比較を行う。
【0039】具体的には、撮像画像をI(x,y)、平
滑化画像をM(x,y)とし、画像比較の方法として次
式による処理により、比較画像D(x,y)を得る。
滑化画像をM(x,y)とし、画像比較の方法として次
式による処理により、比較画像D(x,y)を得る。
【0040】 D(x,y)=I(x,y)+O−M(x,y) 画像比較は画像間の差分処理により行うが、一般的な画
像処理装置のデジタル回路では正の整数にのみ対応して
おり、画像の明度値が負の値には対応していないため、
一律でオフセット値Oを加算している。オフセット値O
の値は、繰り返しパターンの明度分布を予め複数のウエ
ハにて計測しておき、分布の最大値よりも大きな値を設
定する。この例ではオフセット値O=10としている。
像処理装置のデジタル回路では正の整数にのみ対応して
おり、画像の明度値が負の値には対応していないため、
一律でオフセット値Oを加算している。オフセット値O
の値は、繰り返しパターンの明度分布を予め複数のウエ
ハにて計測しておき、分布の最大値よりも大きな値を設
定する。この例ではオフセット値O=10としている。
【0041】ステップS4 :関心領域内の繰り返しパタ
ーン部と非繰り返しパターン部とを分離する2値化しき
い値を求める。
ーン部と非繰り返しパターン部とを分離する2値化しき
い値を求める。
【0042】具体的には、比較画像D(x,y)に対
し、各関心領域ごとに標準偏差量3σaを求め、次いで
標準偏差量3σaに対して所定の定数を乗じて分離用2
値化しきい値Taを求める。
し、各関心領域ごとに標準偏差量3σaを求め、次いで
標準偏差量3σaに対して所定の定数を乗じて分離用2
値化しきい値Taを求める。
【0043】Ta=3σa×K+O ただし、定数Kは、繰り返しパターンの標準偏差量より
得られた分布幅よりも実際の明度分布幅の方が若干広い
ことを考慮して設定する。この例では、微小な明度差の
傷を検出する例を説明するためK=1と設定している。
得られた分布幅よりも実際の明度分布幅の方が若干広い
ことを考慮して設定する。この例では、微小な明度差の
傷を検出する例を説明するためK=1と設定している。
【0044】以上の処理により、各関心領域内の全画素
を対象に標準偏差値を計測することができ、傷の画素デ
ータを含んだ値が得られる。従って図5に示すように、
傷がある場合には、純粋な繰り返しパターン部の標準偏
差16によりも大きな標準偏値15が得られる。
を対象に標準偏差値を計測することができ、傷の画素デ
ータを含んだ値が得られる。従って図5に示すように、
傷がある場合には、純粋な繰り返しパターン部の標準偏
差16によりも大きな標準偏値15が得られる。
【0045】ステップS5 :分離用しきい値を用いて、
比較画像D(x,y)を2値化して分離画像S(x,
y)を求める。
比較画像D(x,y)を2値化して分離画像S(x,
y)を求める。
【0046】具体的には、しきい値以上の明度をもつ画
素は1、しきい値未満の明度をもつ画素は0として2値
化処理を行う。その結果として、分離画像S(x,y)
内では、真の繰り返しパターン部は0、非繰り返しパタ
ーン部は1となる。ただし、ステップS4 において計測
したしきい値は、傷による悪影響があるため、このステ
ップS5 における処理では、繰り返しパターン部と非繰
り返しパターン部を適切には分離できない。例えば図4
及び図5に示す例において、図中右側に存在する明度差
が少ない傷10は、図中左側に存在する明度差の大きな
傷10の影響を受けた分離用の2値化しきい値Taを用
いて正確に分離することはできない。そこで、ステップ
S6 以降で再度2値化を行い、傷を判定するという処理
を行う。
素は1、しきい値未満の明度をもつ画素は0として2値
化処理を行う。その結果として、分離画像S(x,y)
内では、真の繰り返しパターン部は0、非繰り返しパタ
ーン部は1となる。ただし、ステップS4 において計測
したしきい値は、傷による悪影響があるため、このステ
ップS5 における処理では、繰り返しパターン部と非繰
り返しパターン部を適切には分離できない。例えば図4
及び図5に示す例において、図中右側に存在する明度差
が少ない傷10は、図中左側に存在する明度差の大きな
傷10の影響を受けた分離用の2値化しきい値Taを用
いて正確に分離することはできない。そこで、ステップ
S6 以降で再度2値化を行い、傷を判定するという処理
を行う。
【0047】ステップS6 :傷判定用の2値化しきい値
を求める。比較画像D(x,y)に対し、各関心領域ご
とに標準偏差量3σbを求める。ただし、この処理で
は、ステップS4 とは異なり、分離画像S(x,y)が
1である画素は計測対象には加えない。これにより、標
準偏差3σaに対して悪影響を及ぼしていた図中左側の
明度差の大きな傷のデータを除外することができる。
を求める。比較画像D(x,y)に対し、各関心領域ご
とに標準偏差量3σbを求める。ただし、この処理で
は、ステップS4 とは異なり、分離画像S(x,y)が
1である画素は計測対象には加えない。これにより、標
準偏差3σaに対して悪影響を及ぼしていた図中左側の
明度差の大きな傷のデータを除外することができる。
【0048】傷判定用2値化しきい値TbをステップS
4 と同様に次式で求める。
4 と同様に次式で求める。
【0049】Tb=3σb×k+O ステップS7 :傷判定用しきい値Tbを用いて、比較画
像D(x,y)を2値化して、傷画像R(x,y)を求
める。
像D(x,y)を2値化して、傷画像R(x,y)を求
める。
【0050】具体的には、しきい値以上の明度をもつ画
素は1、しきい値未満の明度をもつ画素は0として2値
化処理を行う。その結果として傷画像R(x,y)内で
は1の値の画素には傷があることになる。
素は1、しきい値未満の明度をもつ画素は0として2値
化処理を行う。その結果として傷画像R(x,y)内で
は1の値の画素には傷があることになる。
【0051】ステップS8 :傷を検出した結果画像R
(x,y)から、各関心領域ごとに傷画素の面積を計算
し、その各領域ごとの傷の有無及び面積を、傷検査結果
として制御コンピュータ8に供給する。制御コンピュー
タ8はその傷検査結果を表示出力する。
(x,y)から、各関心領域ごとに傷画素の面積を計算
し、その各領域ごとの傷の有無及び面積を、傷検査結果
として制御コンピュータ8に供給する。制御コンピュー
タ8はその傷検査結果を表示出力する。
【0052】以上の傷検出アルゴリズムにより、光の回
折による濃淡ムラの悪影響をキャンセルした傷検査が可
能となる。
折による濃淡ムラの悪影響をキャンセルした傷検査が可
能となる。
【0053】ここで、以上の実施形態では、ステップS
2 の平滑化処理にメディアンフィルタを用いているが、
これに代えて、以下に説明する最小値フィルタ、平均値
フィルタ、または、順位を任意に設定することが可能な
順位抽出フィルタを使用してもよい。
2 の平滑化処理にメディアンフィルタを用いているが、
これに代えて、以下に説明する最小値フィルタ、平均値
フィルタ、または、順位を任意に設定することが可能な
順位抽出フィルタを使用してもよい。
【0054】最小値フィルタは、n×nサイズのメッシ
ュ状のフィルタで、そのメッシュ空間内の全画素データ
を対象に数値が最小の値を出力結果とするフィルタであ
り、本来は平滑化用のフィルタとして使用されることは
少ないが、明度値が高い急峻な傷状の変化を除去する意
味では、周囲よりも高い明度を除外できるため、平滑化
効果があるフィルタであり、傷画素を除去することがで
きる。また、最小値フィルタは、回折による濃淡ムラの
変化が激しく、フィルタサイズ内で大きな濃淡変化があ
る場合には、ステップS3 での画像比較時に濃淡ムラの
影響が一部残る可能性があるが、一般に画像処理装置で
は、最小値フィルタはメディアンフィルタよりも高速処
理が可能であり、回折による濃淡ムラが少なく、検査時
間に特別な制約がある製造工程で使用する場合には有効
な手段である。
ュ状のフィルタで、そのメッシュ空間内の全画素データ
を対象に数値が最小の値を出力結果とするフィルタであ
り、本来は平滑化用のフィルタとして使用されることは
少ないが、明度値が高い急峻な傷状の変化を除去する意
味では、周囲よりも高い明度を除外できるため、平滑化
効果があるフィルタであり、傷画素を除去することがで
きる。また、最小値フィルタは、回折による濃淡ムラの
変化が激しく、フィルタサイズ内で大きな濃淡変化があ
る場合には、ステップS3 での画像比較時に濃淡ムラの
影響が一部残る可能性があるが、一般に画像処理装置で
は、最小値フィルタはメディアンフィルタよりも高速処
理が可能であり、回折による濃淡ムラが少なく、検査時
間に特別な制約がある製造工程で使用する場合には有効
な手段である。
【0055】平均値フィルタは、n×nサイズのメッシ
ュ状のフィルタで、そのメッシュ空間内の全画素データ
を対象に数値の平均値を出力結果とする平滑化効果があ
るフィルタであり、傷画素を除去することができる。平
均値フィルタは、回折による濃淡ムラの変化が激しく、
フィルタサイズ内で大きな濃淡変化がある場合には、ス
テップS3 での画像比較時に濃淡ムラの影響が一部残る
可能性があるが、一般に画像処理装置では、平均値フィ
ルタはメディアンフィルタよりも高速処理が可能であ
り、回折による濃淡ムラが少なく、検査時間に特別な制
約がある製造工程で使用する場合には有効な手段であ
る。また、平均値フィルタは最小値フィルタよりも濃淡
ムラのキャンセル効果が高く、回折による濃淡ムラの効
果が多少多くても、高速検査が可能である。
ュ状のフィルタで、そのメッシュ空間内の全画素データ
を対象に数値の平均値を出力結果とする平滑化効果があ
るフィルタであり、傷画素を除去することができる。平
均値フィルタは、回折による濃淡ムラの変化が激しく、
フィルタサイズ内で大きな濃淡変化がある場合には、ス
テップS3 での画像比較時に濃淡ムラの影響が一部残る
可能性があるが、一般に画像処理装置では、平均値フィ
ルタはメディアンフィルタよりも高速処理が可能であ
り、回折による濃淡ムラが少なく、検査時間に特別な制
約がある製造工程で使用する場合には有効な手段であ
る。また、平均値フィルタは最小値フィルタよりも濃淡
ムラのキャンセル効果が高く、回折による濃淡ムラの効
果が多少多くても、高速検査が可能である。
【0056】順位抽出フィルタは、n×nサイズのメッ
シュ状のフィルタで、そのメッシュ空間内の全画素デー
タを対象に数値の順位が設定順位の値を出力結果とする
フィルタである。例えばn=5のフィルタで順位を10
とした場合、通常のメディアンフィルタであれば、最小
値から13番目の数値は最大値から数えても13番目で
あり中央順位の値となるが、このフィルタでは最小値か
ら10番目の数値が出力される。メディアンフィルタで
は予想される傷の幅が大きくなるとnを大きくする必要
があり、処理時間がnの2乗に比例して増加する。これ
に対し、順位抽出フィルタでは、フィルタサイズ内の総
画素数に占める傷画素数の割合を予め求めておけば、そ
の割合が1/2を超えたとしても、傷以外の画素が占め
る最小の画素数をフィルタの順位に設定することで対応
可能であり、nを少なくすることが可能である。ただ
し、画像処理装置として画像処理専用LSIを搭載した
処理デバイスを用いる場合には、LSIがこのような順
位抽出フィルタに対応していないことが多いため、順位
抽出フィルタは汎用のマイクロプロセッサにより画像処
理を行う画像処理装置に使用することが適している。そ
して、順位抽出フィルタを用いることにより、回折によ
る濃淡ムラの悪影響を極力少なくし、nが少ないことに
よる処理時間の短縮が可能な平滑化処理が可能になる。
シュ状のフィルタで、そのメッシュ空間内の全画素デー
タを対象に数値の順位が設定順位の値を出力結果とする
フィルタである。例えばn=5のフィルタで順位を10
とした場合、通常のメディアンフィルタであれば、最小
値から13番目の数値は最大値から数えても13番目で
あり中央順位の値となるが、このフィルタでは最小値か
ら10番目の数値が出力される。メディアンフィルタで
は予想される傷の幅が大きくなるとnを大きくする必要
があり、処理時間がnの2乗に比例して増加する。これ
に対し、順位抽出フィルタでは、フィルタサイズ内の総
画素数に占める傷画素数の割合を予め求めておけば、そ
の割合が1/2を超えたとしても、傷以外の画素が占め
る最小の画素数をフィルタの順位に設定することで対応
可能であり、nを少なくすることが可能である。ただ
し、画像処理装置として画像処理専用LSIを搭載した
処理デバイスを用いる場合には、LSIがこのような順
位抽出フィルタに対応していないことが多いため、順位
抽出フィルタは汎用のマイクロプロセッサにより画像処
理を行う画像処理装置に使用することが適している。そ
して、順位抽出フィルタを用いることにより、回折によ
る濃淡ムラの悪影響を極力少なくし、nが少ないことに
よる処理時間の短縮が可能な平滑化処理が可能になる。
【0057】以上の実施形態では、画像のサイズ、ウエ
ハのサイズ、あるいは検出アルゴリズム内での各種係数
の数値例を述べたが、本発明は、それらの数値に限定さ
れるものではなく、また、同様に、撮像画像の分解能、
撮像カメラの種類、ウエハサイズ等に限定されるもので
もない。
ハのサイズ、あるいは検出アルゴリズム内での各種係数
の数値例を述べたが、本発明は、それらの数値に限定さ
れるものではなく、また、同様に、撮像画像の分解能、
撮像カメラの種類、ウエハサイズ等に限定されるもので
もない。
【0058】また、以上の実施形態では、半導体ウエハ
面についた傷の検査例を示したが、これに限られること
なく、半導体ウエハ面の繰り返しパターン部に付着した
異物についても、繰り返しパターン部に対して明度値が
高くなるので、同じ方法で検出が可能である。さらに、
半導体ウエハに限られず、液晶パネル等、高低差のある
繰り返しパターンを有する物体の傷・異物も同様に検出
可能である。
面についた傷の検査例を示したが、これに限られること
なく、半導体ウエハ面の繰り返しパターン部に付着した
異物についても、繰り返しパターン部に対して明度値が
高くなるので、同じ方法で検出が可能である。さらに、
半導体ウエハに限られず、液晶パネル等、高低差のある
繰り返しパターンを有する物体の傷・異物も同様に検出
可能である。
【0059】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
繰り返しパターン領域の撮像画像から不良による濃淡変
化を除外して基準画像を生成し、その基準画像と撮像画
像とを比較演算することにより、濃淡ムラを排除した急
峻な濃淡変化量のみを抽出した画像を得た後、その抽出
画像の明度値を2値化して不良部の有無を判定するの
で、光の回折による濃淡ムラの影響をキャンセルするこ
とができる。その結果、高精度で信頼性の高いマクロ検
査を自動的に行うことが可能になる。しかも、光学的手
法によりマクロ検査を行うので、定量的で塵の発生を抑
えた検査が可能になる。
繰り返しパターン領域の撮像画像から不良による濃淡変
化を除外して基準画像を生成し、その基準画像と撮像画
像とを比較演算することにより、濃淡ムラを排除した急
峻な濃淡変化量のみを抽出した画像を得た後、その抽出
画像の明度値を2値化して不良部の有無を判定するの
で、光の回折による濃淡ムラの影響をキャンセルするこ
とができる。その結果、高精度で信頼性の高いマクロ検
査を自動的に行うことが可能になる。しかも、光学的手
法によりマクロ検査を行うので、定量的で塵の発生を抑
えた検査が可能になる。
【図1】本発明の実施形態における不良検出アルゴリズ
ムのフローチャートである。
ムのフローチャートである。
【図2】本発明の外観検査装置の実施形態の構成を模式
的に示す図である。
的に示す図である。
【図3】傷のあるウエハの撮像画像の例を示す図であ
る。
る。
【図4】撮像画像の傷部付近の明度値と平滑化処理後の
データ値の例を示すグラフである。
データ値の例を示すグラフである。
【図5】比較画像の傷部付近の明度値の例を示すグラフ
である。
である。
1 ウエハテーブル 2 ライン型照明 3 ハロゲン光源 4 光ファイバ 5 照射部 6 撮像カメラ 7 画像処理装置 8 制御コンピュータ 9 繰り返しパターン 10 傷 W ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01B 11/24 K Fターム(参考) 2F065 AA49 BB02 BB18 CC19 CC25 DD12 FF42 GG02 GG16 HH12 JJ03 JJ09 JJ26 LL03 PP11 QQ06 QQ08 QQ24 QQ25 QQ27 QQ33 QQ41 RR01 SS03 SS13 2G051 AA51 AA73 AB02 BA20 BB17 CA03 CA04 DA01 DA06 DA07 EA11 EB01 EB02 EC02 EC03 EC05 ED03 FA10 4M106 AA01 BA04 CA39 CA70 DB04 DB07 DB16 DB19 DJ14 DJ18 DJ20 5B057 AA03 BA02 CE05 CE06 CE12 DA03 DC22 DC33
Claims (5)
- 【請求項1】 繰り返しパターン領域を有する物体の不
良を光学的に検査する方法であって、繰り返しパターン
領域の撮像画像から不良による濃淡変化を除外して基準
画像を生成する処理と、その基準画像と撮像画像とを比
較演算することにより急峻な濃淡変化量のみを抽出した
画像を得る処理と、その抽出画像の明度値を2値化して
不良部の有無を判定する処理を行うことを特徴とする外
観検査方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の外観検査方法において、
基準画像を撮像画像の平滑化処理により生成することを
特徴とする外観検査方法。 - 【請求項3】 平滑化処理に、メディアンフィルタ、最
小値フィルタ、平均化フィルタ、または、抽出順位を任
意に設定することが可能な順位抽出フィルタのいずれか
を用いることを特徴とする請求項2記載の外観検査方
法。 - 【請求項4】 請求項1記載の外観検査方法において、
急峻な濃淡変化量のみを抽出した抽出画像から繰り返し
パターン領域内の標準偏差を求め、次いで所定の係数で
補正したしきい値で2値化した後、その2値化画像で低
明度と判定された部分を非不良部として、繰り返しパタ
ーン領域内の非不良部の明度値の標準偏差を所定の補正
係数にて補正した値で再度2値化することにより、不良
部の有無を判定することを特徴とする外観検査方法。 - 【請求項5】 繰り返しパターンを有する物体を物体の
被検査面に対し鉛直方向から観察する撮像手段と、その
物体に斜め方向から照明光を照射する照明系と、撮像し
た画像から不良による濃淡変化を除外して基準画像を生
成し、その基準画像と撮像画像とを比較演算して急峻な
濃淡変化量のみを抽出した画像を求め、その抽出画像の
明度値を2値化処理する画像処理手段を備えていること
を特徴とする外観検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000018990A JP2001209798A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 外観検査方法及び検査装置 |
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---|---|---|---|
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004093338A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nec Corp | 外観検査装置および外観検査方法 |
JP2009122046A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
WO2009139394A1 (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | 株式会社ニコン | 光学検査装置 |
WO2010013612A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置、および回路パターンの検査方法 |
JP2010025836A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 外観検査方法および外観検査装置、半導体検査装置ならびに半導体ウェハの断面検査装置 |
JP2011033392A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Kobe Steel Ltd | 凹凸形状を抽出するための画像処理方法及び画像処理装置 |
CN103674965A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 一种晶圆外观缺陷的分类以及检测方法 |
CN105205803A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-12-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板缺陷检测方法 |
JP2019039782A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | 花王株式会社 | 粉粒体担持シートの検査装置及び検査方法 |
WO2019058772A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
JP2019203707A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | キヤノンマシナリー株式会社 | 検査装置、検査方法、及び検査プログラム |
JP2020061608A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | 画像検査装置、画像検査方法及び画像検査プログラム |
CN112014410A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 泰克元有限公司 | 电子部件处理设备用检查装置 |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000018990A patent/JP2001209798A/ja active Pending
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004093338A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nec Corp | 外観検査装置および外観検査方法 |
JP2009122046A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
WO2009139394A1 (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | 株式会社ニコン | 光学検査装置 |
JP2010025836A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 外観検査方法および外観検査装置、半導体検査装置ならびに半導体ウェハの断面検査装置 |
WO2010013612A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置、および回路パターンの検査方法 |
JP2010032403A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターン検査装置、および回路パターンの検査方法 |
US8509516B2 (en) | 2008-07-30 | 2013-08-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Circuit pattern examining apparatus and circuit pattern examining method |
JP2011033392A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Kobe Steel Ltd | 凹凸形状を抽出するための画像処理方法及び画像処理装置 |
CN103674965A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-26 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | 一种晶圆外观缺陷的分类以及检测方法 |
CN105205803A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-12-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板缺陷检测方法 |
JP2019039782A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | 花王株式会社 | 粉粒体担持シートの検査装置及び検査方法 |
WO2019058772A1 (ja) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
JP2019053015A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
JP7021886B2 (ja) | 2017-09-19 | 2022-02-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
JP2019203707A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | キヤノンマシナリー株式会社 | 検査装置、検査方法、及び検査プログラム |
JP2020061608A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | コニカミノルタ株式会社 | 画像検査装置、画像検査方法及び画像検査プログラム |
US11074683B2 (en) | 2018-10-05 | 2021-07-27 | Konica Minolta, Inc. | Image inspection apparatus, image inspection method, and image inspection program |
JP7167615B2 (ja) | 2018-10-05 | 2022-11-09 | コニカミノルタ株式会社 | 画像検査装置、画像検査方法及び画像検査プログラム |
CN112014410A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 泰克元有限公司 | 电子部件处理设备用检查装置 |
CN112014410B (zh) * | 2019-05-31 | 2025-03-07 | 泰克元有限公司 | 电子部件处理设备用检查装置 |
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