TWI401638B

TWI401638B - 顯示裝置和電子裝置

Info

Publication number: TWI401638B
Application number: TW094116354A
Authority: TW
Inventors: Hajime Kimura; Jun Koyama; Masahiko Hayakawa; Yu Yamazaki; Yukari Ando; Keisuke Miyagawa; Shunpei Yamazaki
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2004-05-22
Filing date: 2005-05-19
Publication date: 2013-07-11
Also published as: US20050285823A1; CN100565639C; KR20060046131A; KR20110105756A; CN1703121A; US7245297B2; US8111215B2; TW200606782A; KR101168907B1; KR101123092B1; EP1598804B1; US20080012801A1; EP1598804A3; EP1598804A2

Description

顯示裝置和電子裝置

本發明係關於一種電子顯示裝置以及一種具有發光元件的電視裝置。

最近，以EL(電致發光)元件為代表的具有發光元件的顯示裝置已經得以發展並且期望採用作為自發光型裝置的優點，諸如高影像品質，寬視角，薄設計，和重量輕而得以廣泛使用。發光元件具有它的亮度與電流值成正比的特性。因此，存在一種採用恒定電流驅動的顯示裝置，其中為了獲得精確的灰度級將恒定電流施加到發光元件上(例如，參見專利文件1)。

[專利文件1]日本專利公開案第2003－323159號。

發光元件具有電阻值(內電阻)依據周圍溫度(以下稱為環境溫度)變化的特性。尤其是，將室內溫度設置為常溫，當溫度變得高於常溫時，電阻值下降，而當溫度變得低於常溫時電阻值增加。因此，當溫度升高時，隨著電流值的增加，獲得高於所期望的亮度。因而，在較低溫度下施加相同的電壓時，隨著電流值的降低，獲得低於所期望的亮度。在發光元件的電壓－電流特性(以下稱為V－I)與溫度之間的關係的曲線圖中顯示這種發光元件的特性(參見圖17A)。此外發光元件具有它的電流值隨著時間下降的特性。特別的，當累計發光和非發光時間時，依據發光元件的退化，電阻值增加。因此，在累計發光和非發光時間後施加相同電壓的情況，隨著電流值下降獲得低於所期望的亮度。在發光元件的電壓－電流特性(以下稱為V－I)與時間之間的關係的曲線圖中顯這種發光元件的特性(參見圖17B)。

由於前述的發光元件的特性，當環境溫度變化和出現時間變化時其亮度變化。鑒於前述，本發明可抑制由於環境溫度和時間變化導致的電流值變化的影響。

本發明提供一種顯示裝置，該顯示裝置對於環境溫度的變化提供有補償功能，並且對於隨著時間的變化提供有補償功能(以下共同稱為補償功能)。

本發明提供一種具有第一電晶體和第二電晶體的顯示裝置。第一電晶體的汲極和第二電晶體的汲極電連接。第一電晶體的源極和為第一發光元件提供電流的第一電極電連接。第二電晶體的源極和為第二發光元件提供電流的第一電極電連接。為第二發光元件提供電流的其他電極和放大器電路的輸入端電連接。為第二發光元件提供電流的第二電極和電流源電路電連接。為第一發光元件提供電流的第二電極和放大器電路的輸出端電連接。

本發明提供一種具有第一電晶體和第二電晶體的顯示裝置。第一電晶體的源極和為第一發光元件提供電流的第一電極電連接。第二電晶體的源極和為第二發光元件提供電流的第一電極電連接。第二電晶體的閘極和第二電晶體的汲極電連接。第二電晶體的汲極和放大器電路的輸入端電連接。第二電晶體的汲極和電流源電路電連接。為第一發光元件提供電流的第二電極和為第二發光元件提供電流的第二電極電連接。第一電晶體的閘極和視頻訊號產生電路的輸出端電連接。放大器電路的輸出端與視頻訊號產生電路的輸入端電連接。

本發明提供一種具有第一電晶體和第二電晶體的顯示裝置。第一電晶體的源極和為第一發光元件提供電流的第一電極電連接。第二電晶體的源極和為第二發光元件提供電流的第一電極電連接。第二電晶體的汲極和放大器電路的輸入端電連接。第二電晶體的汲極和電流源電路電連接。為第一發光元件提供電流的第二電極和為第二發光元件提供電流的第二電極電連接。放大器電路的輸出端與第一電晶體的汲極電連接。

本發明提供一種具有第一電晶體，第二電晶體，第一發光元件和第二發光元件的顯示裝置。第一電晶體的汲極和第二電晶體的汲極電連接。第一電晶體的源極和第一發光元件的一個電極電連接。第二電晶體的源極和第二發光元件的一個電極電連接。第二發光元件的其他電極與電壓跟隨器電路的輸入端電連接。第二發光元件的其他電極與電流源電路電連接。第一發光元件的其他電極和電壓跟隨器電路的輸出端電連接。

本發明提供一種具有第一電晶體，第二電晶體，第一發光元件和第二發光元件的顯示裝置。第一電晶體的源極和第一發光元件的一個電極電連接。第二電晶體的源極和第二發光元件的一個電極電連接。第二電晶體的閘極和第二電晶體的汲極電連接。第二電晶體的汲極和電壓跟隨器的輸入端電連接。第二電晶體的汲極和電流源電路電連接。第一發光元件的其他電極和第二發光元件的其他電極電連接。第一電晶體的閘極和視頻訊號產生電路的輸出端電連接。電壓跟隨器電路的輸出端和視頻訊號產生電路的輸入端電連接。

本發明提供一種具有第一電晶體，第二電晶體，第一發光元件和第二發光元件的顯示裝置。第一電晶體的源極和第一發光元件的一個電極電連接。第二電晶體的源極和第二發光元件的一個電極電連接。第二電晶體的汲極和電壓跟隨器電路的輸入端電連接。第二電晶體的汲極和電流源電路電連接。第一發光元件的其他電極和第二發光元件的其他電極電連接。電壓跟隨器電路的輸出端和第一電晶體的汲極電連接。

在上述結構中，每個電晶體的通道形成區域可以由非晶半導體或半非晶半導體形成。即，可以使用由非晶半導體薄膜或半非晶半導體薄膜形成的薄膜電晶體(以下稱為TFT)。

本發明提供一種設置有任何一種前述結構的電視裝置。該電視裝置是一種薄裝置，它的圖素是使用電致發光材料形成的。

本發明可以提供一種顯示裝置，它抑制了由環境溫度變化和時間變化導致的發光元件的電流值變化的影響。

儘管將要參考附圖藉由實例說明本發明，但本領域的技術人員可以理解各種變化和改變是顯而易見的。因此，除非這種變化和改變超出了本發明的範圍，應該將其解釋為包含在其中。因此，實施例模式和實施例不能作為本發明的限制。

[實施例模式1]圖1表示電路結構。圖素包括選擇電晶體3001，驅動電晶體3002，和發光元件3006。輸入視頻訊號的源極訊號線3003和驅動電晶體3002的閘極藉由選擇電晶體3001連接。選擇電晶體3001的閘極連接到閘極訊號線3007。驅動電晶體3002和發光元件3006連接在第一電源線3004和第二電源線3005之間。電流從第一電源線3004流到第二電源線3005。發光元件3006依據提供給它的電流的大小發光。

使用移位暫存器3008控制設置在輸入視頻訊號的視頻線3010利源極訊號線3003之間的類比開關3009。提供給源極訊號線3003的視頻訊號輸入到驅動電晶體3002的閘極電極。依照視頻訊號，電流流到驅動電晶體3002和發光元件3006。

值得注意，為了保持輸入到驅動電晶體3002的閘極的視頻訊號可以設置電容器。如果那樣的話，可以將電容器設置在驅動電晶體3002的閘極和驅動電晶體3002的汲極之間。可選擇的，可以將電容器設置在驅動電晶體3002的閘極和驅動電晶體3002的源極之間。另外，可以將電容器設置在驅動電晶體3002的閘極和其他引線(專用引線，前級圖素的閘極訊號線等)之間。當驅動電晶體3002的閘極電容足夠大時，不必要設置電容器。值得注意，驅動電晶體3002和選擇電晶體3001是N通道電晶體，但是本發明並不局限於此。

在這種圖素結構中，當第一電源線3004和第二電源線3005的電位固定時，電流持續流到發光元件3006和驅動電晶體3002，由此它的特性退化。發光元件3006和驅動電晶體3002根據溫度改變它們的特性。特別的，當電流持續流向發光元件3006時，V－I特性移動。就是說，發光元件3006的電阻值增加，因此，即使施加相同的電壓，向其提供電流值變小。此外，即使提供相同的電流，發光率降低並且亮度降低。隨著溫度狀態，當溫度下降時，發光元件3006的V－I特性移動，由此發光元件3006的電阻值變高。

類似的，當電流持續流到驅動電晶體3002時，它的臨界值電壓變高。因此，即使施加相同的閘極電壓，電流也變小。此外，依據溫度，流過它的電流值也變化。

考慮到這個，為了校正前述退化和變化的影響，使用監控電路。在此實施例模式中，藉由控制第二電源線3005的電位，校正了發光元件3006的退化和溫度變化，以及由於退化導致的驅動電晶體3002的電流值的變化。

以下說明監控電路的結構。在第一電源線3004和第三電源線3012之間連接監控驅動電晶體3014，監控發光元件3011，和監控電流源3013。電壓跟隨器電路3015的輸入端連接在監控發光元件3011和監控電流源3013的接合處。電壓跟隨器電路3015的輸出端連接到第二電源線3005。因此，第二電源線3005的電位由電壓跟隨器電路3015的輸出控制。

接下來，將說明監控電路的操作。首先，監控電流源3013為發光元件3006提供發光元件3006所需的電流以便在最高灰度級發光。此時的電流值稱為Imax。當發光元件3006在最高灰度級發光時，將電位Vb施加到監控驅動電晶體3014的閘極，該電位Vb與輸入到圖素(驅動電晶體3006的閘極)的視頻訊號的電位相同。

接下來，將提供具有Imax大小的電流的足夠高的電壓施加作為在監控驅動電晶體3014的閘極和源極(以下稱為閘極－源極電壓)之間的電壓。就是說，監控驅動電晶體3014的源極電位變成足夠高以提供具有Imax大小的電流。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控驅動電晶體3014的臨界值電壓變化，閘極－源極電壓(源極電位)相應的變化，因此變成一個最佳電位。因此，能校正臨界值電壓變化(退化，溫度變化以及類似)的影響。

類似的，將提供具有Imax大小的電流的足夠高的電壓施加在監控發光元件3011的兩端。即使由於退化，溫度以及類似原因導致的監控發光元件3011的V－I特性變化，監控發光元件3011的兩端的電壓相應的變化，因此變成一個最佳電位。因此，能校正監控發光元件3011的變化(退化，溫度變化以及類似)的影響。

將施加在監控驅動電晶體3014的電壓和施加到監控發光元件3011的電壓的總和輸入到電壓跟隨器電路3015的輸入端。因此，電壓跟隨器電路3015的輸出端的電位，也是第二電源線3005由監控電路校正。因此，由於退化和溫度導致的發光元件3006和驅動電晶體3002的變化也能得以校正。

值得注意，電壓跟隨器電路不局限於此。即，只要它依據輸入電流輸出電壓，任何電路都能應用。電壓跟隨器電路是放大器電路的一種，但是，本發明不局限於此。電略可以配置為使用任意一個或多個運算放大器，雙極電晶體，和MOS電晶體的結合。

較佳的，根據相同的製造方法將監控發光元件3011和監控驅動電晶體3014與發光元件3006和驅動電晶體3002同時形成在相同的基底上。這是因為如果設置在圖素內的監控元件和電晶體之間的特性不同，就不能執行同樣的校正。

以下之說明是基於這種情況，即將在發光元件3006在最高灰度級發光時與輸入到圖素(驅動電晶體3002的閘極)的視頻訊號一樣高的電位施加到監控驅動電晶體3014的閘極上，並且當發射時，把發光元件3006在最高灰度級發光所需的電流提供給監控電流源3013。但是，本發明不局限於此。

如果施加基於最高灰度級的電位，則監控發光元件3011和監控驅動電晶體3014比設置在一個圖素內的發光元件3006和驅動電晶體3002退化的更多。因此，更多地校正從電壓跟隨器電路3015輸出的電位。因此，可以設置監控電路，以便以與實際的圖素相同的速度退化。例如，當整個螢幕的發光率是30%時，監控電略可以在對應於30%的亮度的灰度級下作用。

特別的，當發光元件3006在對應於30%的亮度的灰度級發光時，可以把與輸入到圖素(驅動電晶體3002的閘極)的視頻訊號一樣高的電位施加在監控驅動電晶體3014的閘極。當發光元件3006在對應於30%的亮度的灰度級發光時，可以將具有提供給發光元件3006的大小的電流提供給監控電流源3013。

值得注意，當發光元件在飽和區域驅動時，如圖1B所示，為了增加發光元件的灰度級，將增加視頻訊號的電壓。在該實施例模式，校正第二電源線3005的電位，第二電源線3005連接到發光元件3006的一個電極。因此，不需要校正用於增加發光元件的灰度級的視頻訊號的電壓(視頻電壓)。

值得注意，當監控電路依據最高灰度級作用時，輸出被更多校正的電位。但是因為影像持續性(由於圖素中退化率的變化導致的亮度變化)變得不太明顯，因此，較佳的，監控電路依據最高的灰度級作用。

值得注意，驅動電晶體3002可僅在飽和區域，也可以既在飽和區域又在線性區域，或者僅在線性區域作用。

當驅動電晶體3002僅在線性區域作用的情況下，驅動電晶體3002主要是作為開關作用的。因此，由於驅動電晶體3002的退化、溫度變化和類似的原因導致的特性變化影響不大。但是，校正由於退化、溫度變化和類似的原因導致的發光元件3006的特性變化的影響。在驅動電晶體3002僅在線性區域作用的情況下，經常數位地控制是否將電流提供給發光元件3006。在這種情況下，為了執行多灰度級顯示，經常結合使用定時灰度級方法，區域灰度級方法以及類似的方法。

[實施例模式2]在本質施例模式中，將說明使用視頻訊號執行校正的情況。

圖2A表示電路結構。圖素包括選擇電晶體3001，驅動電晶體3002，和發光元件3006。輸入視頻訊號的源極訊號線3003和驅動電晶體3002的閘極藉由選擇電晶體3001連接。選擇電晶體3001的閘極連接到閘極訊號線3007。驅動電晶體3002和發光元件3006連接在第一電源線3004和第二電源線4005之間。電流從第一電源線3004流到第二電源線4005。發光元件3006依據提供給它的電流發光。

使用移位暫存器3008控制設置在視頻線3010和源極訊號線3003之間的類比開關3009，對視頻線3010輸入視頻訊號。提供給源極訊號線3003的視頻訊號輸入到驅動電晶體3002的閘極電極。電流根據視頻訊號流到驅動電晶體3002和發光元件3006。

視頻訊號產生電路4031連接為對視頻線3010提供視頻訊號的電路。視頻訊號產生電路4031具有處理視頻訊號的功能，該視頻訊號用於校正由於退化、溫度變化以及類似的原因導致的驅動電晶體3002和發光元件3006的變化。

在這種圖素結構中，當第一電源線3004和第二電源線4005的電位固定時，電流持續流到發光元件3006和驅動電晶體3002，由此它的特性退化。發光元件3006和驅動電晶體3002依據溫度改變它們的特性。

特別的，當電流持續流向發光元件3006時，V－I特性移動。就是說，發光元件3006的電阻值增加，因此，即使施加相同的電壓，對其提供的電流值變小。此外，即使提供相同的電流，發光率降低並且亮度降低。作為溫度特性，當溫度下降時，發光元件3006的V－I特性移動，由此發光元件3006的電阻值變高。

類似的，當電流持續流到驅動電晶體3002時，它的臨界值電壓變高。因此，即使施加相同的閘極電壓，電流也變小。依據溫度，流過它的電流值同樣也變化。

考慮到這個，為了校正前述退化和變化的影響，使用監控電路。在本實施例模式中，藉由控制視頻訊號的電壓，校正了由於退化和溫度導致的發光元件3006和驅動電晶體3002的變化。

首先，說明監控電路的結構。在第一電源線4012和第二電源線4005之間連接監控電流源4013，監控驅動電晶體4014，監控發光元件4011。電壓跟隨器電路4015的輸入端連接在監控電流源4013和監控發光元件4011的接合處。電壓跟隨器電路4015的輸出端連接到視頻訊號產生電路4031。因此，視頻訊號的電壓由電壓跟隨器電路4015的輸出控制。

接下來，說明監控電路的作用。首先，監控電流源4013為發光元件3006提供發光元件3006所需的電流以便在最高灰度級發光。此時的電流值稱為Imax。將監控驅動電晶體4014的閘極連接到監控驅動電晶體4014的汲極。

然後，將施加提供具有Imax的大小的電流的足夠高的電壓，作為監控驅動電晶體4014的閘極－源極電壓。就是說，監控驅動電晶體4014的源極電位變成足夠高以提供具有Imax的大小的電流。當汲極連接到閘極時，汲極電位變為足夠高以提供具有Imax的大小的電流。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控驅動電晶體4014的臨界值電壓變化，閘極－源極電壓(源極電位和汲極電位)相應的變化，因此變成一個最佳電位。因此，能校正臨界值電壓變化(退化，溫度變化以及類似)的影響。

類似的，將提供具有Imax的大小的電流的足夠高電壓施加在監控發光元件4011的兩端。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控發光元件4011的臨界值電壓變化，監控發光元件4011的兩端的電壓也相應的變化，因此成為一個最佳電位。因此，能校正監控發光元件4011的變化(退化，溫度變化以及類似)的影響。

將施加在監控驅動電晶體4014的電壓和施加到監控發光元件4011的電壓的總和輸入到電壓跟隨器電路4015的輸入端。因此，電壓跟隨器電路4015的輸出端的電位，也就是從視頻訊號產生電路4031輸出的視頻訊號的電位由監控電路校正。因此，由於退化和溫度變化導致的發光元件3006和驅動電晶體3002的變化也能得以校正。

值得注意電壓跟隨器電路不局限於此。即，只要它依據輸入電流輸出電壓，任何電路都能應用。電壓跟隨器電路是放大器電路的一種，但是，本發明並不局限於此。電路可以配置為使用任意一個或多個運算放大器、雙極電晶體和MOS電晶體的結合。

較佳的，藉由同樣的製造方法將監控發光元件4011和監控驅動電晶體4014與發光元件和驅動電晶體3002同時形成在相同的基底上。這是因為如果設置在圖素內的監控元件和電晶體之間的特性不同，不能執行同樣的校正。

已經對這種情況進行了說明，即當發光元件3006在最高灰度級發光時，將與輸入到圖素(驅動電晶體3002的閘極)的視頻訊號一樣高的電位施加到監控驅動電晶體4014的閘極上，並且把發光元件3006在最高灰度級發光所需的電流提供給監控電流源4013。但是，本發明並不局限於此。

如果施加基於最高灰度級的電位，則監控發光元件4011和監控驅動電晶體4014比設置在一個圖素內的發光元件3006和驅動電晶體3002退化的更多。因此，更多地校正從電壓跟隨器電路3015輸出的電位。因此，可以設置監控電路以與實際的圖素相同的速度退化。例如，當整個螢幕的發光率是30%時，監控電略可以在對應於30%的亮度的灰度級作用。

值得注意，當發光元件在飽和區域驅動時，如圖2B所示為了增加發光元件的灰度級，將增加視頻訊號的電壓。在該實施例模式，校正驅動電晶體3002的閘極的電位。因此，依據發光元件3006的特性的變化，如圖2B所示藉由校正視頻訊號的電壓(視頻電壓)，可以顯示發光元件的理想的亮度。

特別的，當發光元件3006在對應於30%的亮度的灰度級發光時，可以將提供給發光元件3006的期望大小的電流提供給監控電流源4013。視頻訊號產生電路4031可以相應的輸出視頻訊號。

值得注意，當監控電路依據最高的灰度級作用時，輸出被更多校正的電位。但是因為影像持續性(由於圖素中退化率的變化導致的亮度變化)變得不太明顯，較佳的，監控電路依據最高的灰度級作用。因此，較佳的是監控電路依據最高的灰度級作用。

值得注意，驅動電晶體3002可以僅在飽和區域，或者在飽和區域和線性區域作用。

[實施例模式3]在本實施例模式中，將說明使用第一電源線的電位執行校正的情況。

圖3A表示電路結構。圖素包括選擇電晶體3001，驅動電晶體3002，和發光元件3006。輸入視頻訊號的源極訊號線3003和驅動電晶體3002的閘極藉由選擇電晶體3001連接。選擇電晶體3001的閘極連接到閘極訊號線3007。驅動電晶體3002和發光元件3006連接在第一電源線5004和第二電源線5005之間。電流從第一電源線5004流到第二電源線5005。發光元件3006依據提供給它的電流的大小發光。

使用移位暫存器3008控制設置在視頻線3010利源極訊號線3003之間的類比開關3009，對視頻線3010輸入視頻訊號。將提供給源極訊號線3003的視頻訊號輸入到驅動電晶體3002的閘極電極。依據視頻訊號大小，電流流到驅動電晶體3002和發光元件3006。

在這種圖素結構中，當第一電源線5004和第二電源線5005的電位固定時，發光元件3006和驅動電晶體3002的特性在電流持續流過它們時退化。發光元件3006和驅動電晶體3002依據溫度改變它們的特性。

類似的，當電流持續流到驅動電晶體3002時，它的臨界值電壓變高。因此，即使施加相同的閘極電壓，電流也變小。依據溫度，流過它的電流值也變化。

考慮到這個，為了校正前述退化和變化的影響，使用監控電路。在該實施例模式中，藉由控制第一電源線5004的電位，校正由於退化和溫度導致的發光元件3006和驅動電晶體3002的變化。

以下說明監控電路的結構。在第一電源線5012和第二電源線5005之間連接監控電流源5013、監控驅動電晶體5014、和監控發光元件5011。電壓跟隨器電路5015的輸入端連接在監控電流源5013和監控發光元件5011的接合處。電壓跟隨器電路5015的輸出端連接到第一電源線5004。因此，第一電源線5004的電位由電壓跟隨器電路5015的輸出控制。

接下來，說明監控電路的作用。首先，監控電流源5013為發光元件3006提供發光元件3006所需的電流以便在最高灰度級發光。此時的電流值稱為Imax。當發光元件3006在最高灰度級發光時，將與輸入到圖素(驅動電晶體3002的閘極)的視頻訊號的電位一樣高的電位Vc施加到監控驅動電晶體5014的閘極。

然後，施加提供具有Imax的大小的電流的足夠高的電壓作為閘極－源極電壓或者監控驅動電晶體5014的汲極和源極(以下簡稱汲極－源極)之間的電壓。就是說，監控驅動電晶體5014的源極電位和汲極電位變成足夠高以提供具有Imax的大小的電流。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控驅動電晶體5014的臨界值電壓變化，閘極－源極電壓(源極電位)和汲極－源極電壓(汲極電位)相應地變化，從而變成一個最佳電位。因此，能校正臨界值電壓變化(退化，溫度變化以及類似原因)的影響。

類似的，將提供具有Imax的大小的電流的足夠高的電壓施加在監控發光元件5011的兩端。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控發光元件5011的V－I特性變化，監控發光元件5011的兩端的電壓相應的變化，由此變成一個最佳電位。因此，能校正監控發光元件5011的變化(退化，溫度變化以及類似原因)的影響。

將施加在監控驅動電晶體5014的電壓和施加到監控發光元件5011的電壓的總和輸入到電壓跟隨器電路5015的輸入端。因此，電壓跟隨器電路5015的輸出端的電位，也就是第一電源線5004的電位由監控電路校正。因此，由於退化和溫度變化導致的發光元件3006和驅動電晶體3002的變化也能得以校正。

值得注意，電壓跟隨器電路並不局限於此。即，只要它依據輸入電流輸出電壓，任何電路都能應用。電壓跟隨器電路是放大器電路的一種，但是，本發明並不局限於此。電路可以配置為使用任意一個或多個運算放大器，雙極電晶體，和MOS電晶體的結合。

較佳的，藉由同樣的製造方法將監控發光元件5011和監控驅動電晶體5014與發光元件3006和驅動電晶體3002同時形成在相同基底上。這是因為如果設置在圖素內的監控元件和電晶體之間的特性不同，不能執行同樣的校正。

常常存在一個周期，此時沒有將電流提供給設置在一個圖素內的發光元件3006和驅動電晶體3002上。因此，當電流持續流到監控發光元件5011和監控驅動電晶體5014時，它們的退化多於發光元件3006和驅動電晶體3002。因此，從電壓跟隨器電路5015輸出的電位被更多校正。因此，可以將監控電路設置為以與實際圖素相同的速度退化。例如，當整個螢幕的發光率是30%時，僅在對應於30%的亮度的周期內，可以將電流設置為流到監控發光元件5011和監控驅動電晶體5014。此時，存在一個沒有將電流提供給監控發光元件5011和監控驅動電晶體5014上的周期，但是，需要從電壓跟隨器電路5015的輸出端沒有變化地提供電壓。為了實現這個目的，在電壓跟隨器電路5015的輸入端設置一個電容器，用於保持當將電流提供給監控發光元件5011和監控驅動電晶體5014時的電位。

值得注意，當監控電路依據最高灰度級作用時，輸出被更多校正的電位，但是因為影像持續性(由於圖素中退化的變化導致的亮度變化)變得不太明顯，較佳的，監控電路依據最高灰度級作用。因此，較佳的是監控電路依據最高灰度級作用。

較佳的，驅動電晶體3002在線性區域作用。這是因為，在該實施例模式中為了校正第一電源線5004的電位，驅動電晶體3002的汲極電位變化。當驅動電晶體3002在飽和區域作用時，即使它的汲極電位變化時，流過驅動電晶體3002的電流也變化不大。另一方面，當驅動電晶體3002在線性區域作用時，當汲極電位變化時電流值改變，因此校正具有較大的影響。因此，較佳的驅動電晶體3002在線性區域作用。

當驅動電晶體3002僅在飽和區域作用的情況下，它主要是作為開關作用的。此外，由於退化、溫度和類似的原因導致的驅動電晶體3002的特性變化沒有大的影響。但是，校正由於退化、溫度和類似的原因導致的發光元件3006的特性變化的影響。在驅動電晶體3002僅在線性區域作用的情況下，經常數位地控制是否將電流提供給發光元件3006。在這種情況下，為了執行多灰度級顯示，經常結合使用定時灰度級方法，區域灰度級方法等。

[實施例模式4]圖4A表示一電路結構。圖素包括選擇電晶體6001，驅動電晶體6002，保持電晶體6009，電容器6010，和發光元件6006。輸入視頻訊號的源極訊號線6003和驅動電晶體6002的源極藉由選擇電晶體6001連接。選擇電晶體6001的閘極連接到閘極訊號線6007。驅動電晶體6002和發光元件6006連接在第一電源線6004和第二電源線6005之間。電流從第一電源線6004流到第二電源線6005。發光元件6006依據提供給它的電流的大小發光。當將保持電晶體6009連接在驅動電晶體6002的汲極利源極之間時，在驅動電晶體6002的閘極和源極之間設置電容器6010。保持電晶體6009的閘極連接到閘極訊號線6007。

訊號驅動電路包括視頻電流源電路6008。視頻電流源電路6008為圖素提供對應視頻訊號的大小的電流。當選擇閘極訊號線6007時，將視頻訊號提供到源極訊號線6003並且輸入到驅動電晶體6002。此時，隨著第一電源線6004的電位的變化，由於第二電源線6005的電位，電流不流到發光元件6006。依據視頻訊號的幅度，驅動電晶體6002的一個理想電位的閘極－源極電壓聚集在電容器6010上。此後，閘極訊號線6007變成非選擇狀態，由此保持聚集在電容器6010上的電荷。因此，即使當驅動電晶體6002的汲極電位利源極電位變化時，驅動電晶體6002的閘極－源極電壓也不變化。接著，第一電源線6004的電位返回並且對應視頻訊號的大小的電流流到驅動電晶體6002，並且接著流到發光元件6006。

圖4B表示閘極訊號線6007和第一電源線6004的電位的時序圖。首先，從第i的閘極訊號線Vp(i)輸入用於接通選擇電晶體6001和保持電晶體6009的訊號。同時，將電位是閘極訊號線Vp(i)的反相的訊號輸入到第i的第一電源線Vg(i)。因此，閘極－源極電壓足夠高以流到驅動電晶體6002，對應視頻訊號的幅度的電流聚焦在電容器6010上。同時，藉由與第二電源線6005的電位的關聯，可以控制由驅動電晶體6002提供的電流不被施加到發光元件6006上。此時，藉由使得第二電源線6005的電位變高，可以控制電流不被提供到發光元件6006。在這種情況下，為流到驅動電晶體6002的閘極－源極電壓，對應視頻電流源電路6008的視頻訊號的幅度的電流在一個定址周期(寫周期)內聚集在所有圖素的電容器6010上，由此在維持周期(發光周期)內所有的圖素都可以立即發光。在第(i＋1)的閘極訊號線Vp(i＋1)，第(i＋1)的第一電源線Vg(i＋1)，和第(i＋2)的閘極訊號線Vp(i＋2)，以及第(i＋2)的第一電源線Vg(i＋2)中可以執行類似的操作。

值得注意，驅動電晶體6002和選擇電晶體6001是N－通道電晶體。但是本發明並不局限於此。

在這種圖素結構中，當電流持續流到發光元件6006時，它的特性退化。此外，由於發光元件的溫度或者發光元件周圍的溫度導致發光元件6006的特性變化。

特別的，當電流持續流向發光元件6006時，即使施加同樣的電流，發光率降低並且亮度降低。

考慮到這個問題，藉由使用監控電路校正前述退化和變化的影響。在該本施例模式中，藉由控制視頻訊號的電流大小，校正了由於退化和溫度導致的發光元件6006的變化。

以下說明監控電路的結構。在第一電源線6012和第二電源線6005之間連接監控電流源6013，監控驅動電晶體6014，和監控發光元件6011。電壓跟隨器電路6015的輸入端連接在監控電流源6013和監控驅動電晶體6014的接合處。電壓跟隨器電路6015的輸出端連接到視頻訊號產生電路6031的輸入端，該視頻訊號產生電路6031控制藉由視頻電流源電路6008輸出的電流的大小。因此，視頻電流源電路6008輸出的電流大小白電壓跟隨器電路6015的輸出控制。

接下來，說明監控電路的作用。首先，監控電流源6013為發光元件6006提供發光元件6006所需的電流以便在最高灰度級發光。此時的電流值稱為Imax。

接下來，施加提供具有Imax的大小的電流的足夠高的電壓作為監控驅動電晶體6014的閘極－源極電壓，而監控驅動電晶體6014的閘極和汲極連接。就是說，監控驅動電晶體6014的源極電位和汲極電位變成足夠高以提供具有Imax的大小的電流。

類似的，將提供具有Imax的大小的電流的足夠高的電壓施加在監控發光元件6011的兩端。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控發光元件6011的V－I特性變化，監控發光元件6011兩端的電壓相應地變化，由此變成一個最佳電位。因此，能校正監控發光元件6011的變化(退化，溫度變化以及類似原因)的影響。

將施加在監控驅動電晶體6014的電壓和施加到監控發光元件6011的電壓的總和輸入到電壓跟隨器電路6015的輸入端。因此，由電壓跟隨器電路6015的輸出端輸出的電流，也就是視頻電流源電路6008輸出的電流的大小白監控電路校正。因此，由於退化和溫度變化導致的發光元件6006的變化也能得以校正。

較佳的，按照同樣的製造方法將監控發光元件6011和監控驅動電晶體6014與發光元件6006和驅動電晶體6002同時形成在相同的基底上。這是因為如果設置在圖素內的監控元件和電晶體之間的特性不同，不能執行同樣的校正。

已經說明了對監控電流源6013提供有發光元件6006在最高灰度級發光所需的電流的情況。但是，本發明並不局限於此。

依據最高灰度級，監控發光元件6011比設置在一個圖素內的發光元件6006退化的更多。因此，更多校正從電壓跟隨器電路6015輸出的電位。因此。可以設置監控電路以與實際的圖素相同的速度降低。例如，當整個螢幕的平均發光率是30%時，監控電路可以在對應30%的亮度的灰度級運行。特別的，當發光元件6006在對應30%的亮度的灰度級發光時，可以將具有提供給發光元件6006的期望大小的電流提供給監控電流源6013。視頻訊號發生電路6031可以相應輸出視頻訊號。

值得注意，當監控電路依據最高灰度級作用時，輸出被更多校正的電位，但是，因為影像持續性(由於圖素中退化的變化導致的亮度變化)變得不太明顯，較佳的檢測監控電路依據最高灰度級作用。因此，較佳的監控電路依據最高灰度級作用。

值得注意，驅動電晶體6002可僅在飽和區域，可以在飽和區域和線性區域，或者僅在線性區域作用。

值得注意，圖素結構並不局限於圖4。在圖4中，將具有按照視頻訊號的大小的電流提供給圖素。即使當驅動電晶體6002的電流特性變化時，可以將具有按照視頻訊號的大小的電流提供給發光元件6006。即，驅動電晶體6002的電流特性的變化被校正了。圖18表示作為示例的另一個圖素結構，其中驅動電晶體的電流特性變化是藉由為圖素提供具有按照視頻訊號的大小的電流來校正的。

圖素包括選擇電晶體1801，驅動電晶體1802，轉換電晶體1811，保持電晶體1809，電容器1810，和發光元件1806。輸入視頻訊號的源極訊號線1803和驅動電晶體1802的閘極藉由選擇電晶體1801和保持電晶體1809連接。選擇電晶體1801設置在源極訊號線1803和轉換電晶體1811的汲極之間。選擇電晶體1801的閘極和保持電晶體1809連接到閘極訊號線1807。驅動電晶體1802和發光元件1806連接在第一電源線1804與第二電源線1805之間。電流從第一電源線1804流到第二電源線1805。依據流過第一電源線1804與第二電源線1805之間的電流，發光元件1806發光。電容器1810連接在驅動電晶體1802的閘極並保持它的閘極電位。電容器1810連接在驅動電晶體1802的閘極和引線1812之間，但是，本發明並不局限於此。電容器1810可以連接在驅動電晶體1802的閘極和源極之間。保持電晶體1809連接在轉換電晶體1811的汲極和閘極之間。驅動電晶體1802和轉換電晶體1811形成電流鏡，其中它們的閘極互相連接並且它們的源極互相連接。

對訊號線驅動電路提供有視頻電流源電路1808。視頻電流源電路1808為圖素提供具有依據視頻訊號的大小的電流。當選擇閘極訊號線1807時提供給源極訊號線1803的視頻訊號輸入到轉換電晶體1811。具有期望電位的轉換電晶體1811的閘極電位聚集在電容器1810上。此後，閘極訊號線1807變成非選擇狀態，由此儲存聚集在電容器1810上的電荷。由於驅動電晶體1802和轉換電晶體1811形成電流鏡，具有依據提供給轉換電晶體1811的電流的小大的電流流到驅動電晶體1802。結果，具有依據視頻訊號的大小的電流流到驅動電晶體1802並且接著流到發光元件1806。在此，藉由設計使驅動電晶體1802的電流容量(通道寬度W與通道長度L的比W/L)小於轉換電晶體1811的電流容量，可以對轉換電晶體1811提供更大的電流。結果，可以從視頻電流源電路1808向圖素提供更大的電流。結果可以提高訊號寫入到圖素的速度。

[實施例模式5]圖5A表示一電路結構。圖素包括選擇電晶體7001，驅動電晶體7002，保持電晶體7009，電容器7010，和發光元件7006。輸入視頻訊號的源極訊號線7003和驅動電晶體7002的閘極藉由選擇電晶體7001連接。選擇電晶體7001的閘極連接到閘極訊號線7007。驅動電晶體7002和發光元件7006連接在第一電源線7004和第二電源線7005之間。電流從第一電源線7004流到第二電源線7005。發光元件7006依據提供給它的電流的大小發光。當將保持電晶體7009連接在驅動電晶體7002的汲極和源極之間時，在驅動電晶體7002的閘極利源極之間設置電容器7010。保持電晶體7009的閘極連接到第二閘極訊號線7016。

在圖5A所示的電路結構中，依據從第二閘極訊號線7016輸入的訊號接通保持電晶體7009。根據驅動電晶體7002的臨界值電壓的驅動電晶體7002的閘極－源極電壓聚集在電容器7010上。此外，預先校正每個驅動電晶體的臨界值電壓中的變化。值得注意，藉由使得第二電源線的電位僅在某個片刻較高，高於臨界值電壓的電荷可以預先聚集在電容器上。

藉由使用移位暫存器7008，控制設置在輸入視頻訊號的視頻線7040利源極訊號線7003之間的類比開關3009。將輸入到源極訊號線7003的視頻訊號輸入到驅動電晶體7002的閘極電極。依據視頻訊號的幅度，電流流到驅動電晶體7002，並且提供到發光元件7006。

值得注意，驅動電晶體7002和選擇電晶體7001是N通道電晶體。但是本發明並不局限於此。

視頻訊號產生電路7031作為提供視頻訊號的電路被連接到視頻線7040。視頻訊號產生電路7031具有處理視頻訊號的功能，該視頻訊號用於校正由於退化、溫度以及類似的原因導致的驅動電晶體7002和發光元件7006的變化。

在這種圖素結構中，當在發光元件7006發光的情況下，第一電源線7004和第二電源線7005的電位固定時，電流持續流到發光元件7006和驅動電晶體7002，由此使它的特性退化。發光元件7006和驅動電晶體7002依據溫度改變它們的特性。

特別的，當電流持續流向發光元件7006時，V－I特性移動。就是說，發光元件7006的電阻值增加，因此，即使施加相同的電壓，對其提供的電流變小。此外，即使提供相同的電流，發光率降低並且亮度降低。作為溫度特性，當溫度下降時，發光元件7006的V－I特性移動，由此發光元件7006的電阻值變高。

類似的，當電流持續流到驅動電晶體7002時，它的臨界值電壓變高。因此，即使施加相同的閘極電壓，對其流過電流也變小。依據溫度，流過它的電流值也變化。

考慮到這個問題，為了校正前述退化和變化的影響，使用監控電路。在本實施例模式中，藉由控制視頻訊號的電位，校正由於退化和溫度導致的發光元件7006和驅動電晶體7002的變化。

以下說明監控電路的結構。在第一電源線7004和第二電源線7012之間連接監控電流源7013，監控驅動電晶體7014，和監控發光元件7011。電壓跟隨器電路7015的輸入端連接在監控電流源7013和監控驅動電晶體7014的接合處。電壓跟隨器電路7015的輸出端連接到視頻訊號產生電路7031。因此，視頻訊號的電壓由電壓跟隨器電路7015的輸出控制。

然後，說明監控電路的作用。首先，監控電流源7013為發光元件7006提供發光元件7006在最高灰度級發光所需的電流。此時的電流值稱為Imax。

然後，將提供具有Imax的大小的電流的足夠高電壓施加作為監控驅動電晶體7014的閘極－源極電壓，其中監控驅動電晶體7014的閘極和汲極連接。就是說，監控驅動電晶體7014的源極電位和汲極電位變成足夠高以提供具有Imax的大小的電流。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控驅動電晶體7014的臨界值電壓變化，閘極－源極電壓(源極電位和汲極電位)也相應的變化，因此成為一個最佳電位。因此，能校正臨界值電壓變化(退化，溫度變化以及類似)的影響。

類似的，將提供具有Imax的大小的電流的足夠高的電壓施加在監控發光元件7011的兩端。即使由於退化、溫度以及類似原因導致的監控發光元件7011的V－I特性變化，監控發光元件7011兩端的電壓也相應的變化，因此成為一個最佳電位。因此，能校正監控發光元件7011的變化(退化，溫度變化以及類似)的影響。

將施加在監控驅動電晶體7014的電壓和施加到監控發光元件7011的電壓的總和輸入到電壓跟隨器電路7015的輸入端。因此，電壓跟隨器電路7015的輸出端的電位，也就是視頻訊號的電位由監控電路校正。因此，由於退化和溫度變化導致的發光元件7006和驅動電晶體7002的變化也能得以校正。

值得注意，電壓輸出器電路並不局限於此。即，只要它依據輸入電流輸出電壓，任何電路都能應用。電壓跟隨器電路是放大器電路的一種，但是，本發明並不局限於此。電路可以配置為使用任意一個或多個運算放大器，雙極電晶體，和MOS電晶體的結合。

較佳的，監控發光元件7011和監控驅動電晶體7014與發光元件7006和驅動電晶體7002以同樣的製造方法同時形成在相同基底上。這是因為如果設置在圖素內的監控元件和電晶體之間的特性不同，則不能執行同樣的校正。

於此已說明監控電流源7013為發光元件7006提供發光元件7006在最高灰度級發光所需的電流的情況。但是，本發明並不局限於此。

依據最高灰度級，監控發光元件7011和監控驅動電晶體7014比設置在一個圖素內的發光元件7006和驅動電晶體7002退化的更多。因此需要更多地校正從電壓跟隨器電路7015輸出的電位。因此，監控電路可以設置以與一個實際的圖素同樣的速度退化。例如，當整個顯示器的平均發光率是30%時，監控電路可以依據對應30%的亮度的灰度級作用。

特別的，當發光元件7006在對應30%的亮度的灰度級發光時，可以將具有提供給發光元件7006的期望大小的電流提供給監控電流源7013。視頻訊號產生電路7031可以相應的輸出視頻訊號。

為了提高發光元件的灰度級，當發光元件在飽和區域作用時，如圖5B所示將增加視頻訊號的電壓。在該實施例模式中，校正驅動電晶體7002的閘極的電位。此外，依據發光元件7006的特性的變化，藉由校正視頻訊號的電壓(視頻電壓)，可以獲得理想的亮度。

值得注意，當監控電路依據最高的灰度級作用時，輸出被更多校正的電位，但是因為影像持續性(由於圖素中退化的變化導致的亮度變化)變得不太明顯，較佳的，監控電路依據最高的灰度級作用。因此，較佳的是監控電路依據最高的灰度級作用。

值得注意，驅動電晶體7002可以僅在飽和區域，或者可以在飽和區域和線性區域，或者僅在線性區域作用。

當驅動電晶體7002僅在飽和區域作用的情況下，它主要是作為開關作用的。此外，不太可能受到由於退化、溫度和類似的原因導致的驅動電晶體7002的特性變化的影響。但是，校正由於退化、溫度和類似原因的導致的發光元件7006的特性變化的影響。在驅動電晶體7002僅在線性區域作用的情況下，經常數位地控制是否將電流提供給發光元件7006。在這種情況下，為了執行多灰度級顯示，經常結合使用定時灰度級方法，區域灰度級方法以及類似的方法。

[實施例模式6]圖6表示校正驅動圖素部分的輸入到訊號驅動電路的視頻訊號的示例。圖6所示的示例包括源極訊號驅動電路9901，閘極訊號驅動電路9902，圖素部分9903，和加法器電路9904，視頻輸入端9905，差分放大器9906，參考電源9907，緩衝放大器9908，電流源9909，監控TFT9910，監控發光元件9911，以及電極9912。

下面將說明它的操作。將電流從電流源9909提供給監控TFT9910和監控發光元件9911。此外，在監控TFT9910和監控發光元件9911中產生依據電流的電壓。藉由緩衝放大器9908將電壓輸入到差分放大器9906的第一輸入端，同時將參考電源9907的電壓輸入到差分放大器9906的第二輸入端。將緩衝放大器9908的輸出電壓和參考電源9907的輸出電壓之間的電壓差在被差分放大器9906放大之後輸入到加法器電路9904。將差分放大器9906的輸出電壓和從視頻訊號輸入端9905輸入的視頻訊號在加法器電路9904中相加，並接著輸入到源極訊號驅動電路9901。依據相加之後的視頻訊號，源極訊號驅動電路9901和閘極訊號驅動電路9902可以將視頻訊號寫入圖素部分9903。

在開始階段，緩衝放大器9908的輸出電壓和參考電源9907的輸出電壓設置為幾乎彼此相等。因此，在開始階段，實際上將從視頻訊號輸入端9905輸入的視頻訊號寫入圖素部分9903。當監控TFT9910和監控發光元件9911隨著時間退化時，它的電壓也改變。當將電壓藉由緩衝放大器9908輸入到差分放大器9906時，緩衝放大器9908和參考電源9907的輸出電壓之間的電壓差由差分放大器9906放大並輸入到加法器電路9904。在加法器電路9904，將差分放大器9906的輸出電壓和視頻訊號相加，由此加法器電路9904的輸出電壓變成校正退化後的電壓。藉由由源極訊號驅動電路9901將加法器電路9904的輸出電壓寫入到圖素部分9903，校正被顯示的資料。如此，TFT和發光元件的退化可以得以校正。

圖7表示校正驅動圖素部分的輸入到訊號驅動電路的視頻訊號的示例。圖7所示的示例包括源極訊號驅動電路9801，閘極訊號驅動電路9802，圖素部分9803，和加法器電路9804，視頻輸入端9805，差分放大器9806，緩衝放大器9807和9908，電流源9809和9813，監控TFT9810和9814，監控發光元件9811和9815，以及電極9812。

下面將說明它的操作。將電流從電流源9809提供給監控TFT9810和監控發光元件9811。因此，在監控發光元件9811和監控TFT9810中產生依據電流的電壓。藉由緩衝放大器9808將電壓輸入到差分放大器9806的第一輸入端。將電流從電流源9813提供給監控TFT9814和發光元件9815。因此，在監控發光元件9815和監控TFT9814中產生依據電流的電壓。藉由緩衝放大器9807將電壓輸入到差分放大器9806的第二輸入端。此時，電流源9809的電流設定為大於電流源9813的電流。由於電流的差，差分放大器9806的第一輸入端的電壓不同於它的第二輸入端的電壓。在差分放大器9806中補償該電位差以使得差分放大器9806的第一和第二端的電壓彼此相等。

將差分放大器9806的輸出電壓輸入到加法器電路9804。在加法器電路9804中，將差分放大器9806的輸出電壓和從視頻訊號輸入端9805輸入的視頻訊號相加，並輸入到源極訊號驅動電路。依據相加之後的視頻訊號，源極訊號驅動電路和閘極訊號驅動電路可以將視頻訊號寫入圖素部分9803。

在開始階段，緩衝放大器9808的輸出電壓和緩衝放大器9807的輸出電壓不同，但是，由於如上所述的差分放大器9806的補償，差分放大器9808輸出零訊號。因此，實際上將從視頻訊號輸入端9805輸入的視頻訊號寫入圖素部分9803。

當監控TFT9810和9814，以及監控發光元件9911和9815隨著時間退化時，它的電壓也改變。被提供較多電流的監控TFT9810和監控發光元件9811退化較多，而被提供給較少電流的監控TFT9814和監控發光元件9815退化較少。因此，儘管從開始階段緩衝放大器9808的輸出電壓變化不大，但是緩衝放大器9807的輸出電壓變化相當大。差分放大器9806可以依據其間的電壓差，對監控TFT9810和監控發光元件9811的退化輸出電壓。對退化的電壓由差分放大器9806放大並輸入到加法器電路9804。在加法器電路9804中，將差分放大器9806的輸出電壓和視頻訊號相加，由此加法器電路9804的輸出電壓對應校正退化後的電壓。藉由由源極訊號驅動電路將加法器電路9804的輸出電壓寫入到圖素部分9803，校正了被顯示的資料。如此，TFT和發光元件的退化可以得以校正。

[實施例模式7]在本實施例模式，將參考附圖說明製造具有作為開關元件的通道蝕刻型TFT的主動矩陣顯示裝置的示例。

如圖8A所示，為了提高基底110和藉由微滴放出方法後來形成在其上的材料層的粘附，形成底層111。底層111形成為十分薄的，因此，它不需要具有疊層結構。藉由噴射或濺射方法，藉由在整個表面上形成光催化物質(鈦氧化物(TiO_x ),鈦酸鍶(SrTiO₃ ),硒化鎘(CdSe),鉭酸鉀(KtaO₃ ),硫化鎘(CdS),氧化鋯(ZrO₂ ),氧化鈮(Nb₂ O₅ ),氧化鋅(ZnO),氧化鐵(Fe₂ O₃ ),氧化鎢(WO₃ ))而形成底層111。可選擇的，可以藉由墨水噴射或溶膠凝膠方法選擇性地形成有機材料(藉由使用具有聚醯亞胺，丙烯酸，或矽氧結合物的骨架結構的材料形成的塗覆絕緣膜，聚醯亞胺，丙烯酸，或矽氧結合物具有氫，氟化物，烷基族，或作為替代的芳香烴碳氫化物中的至少其中之一)。這也可以認為是底層的預處理。

在此已經說明了為了提高放出的導電材料和基底之間的粘附，對底層實施預處理的示例。在形成材料層(例如，有機層，無機層，或金屬層)，或藉由微滴放出方法在放出的導電層上進一步形成材料層(例如，有機層，無機層，或金屬層)的情況下，為了提高材料層之間的粘附，可以執行TiOx沈積處理。就是說，當藉由微滴放出方法引出放出導電材料時，為了提高它的粘附，較佳的，對導電材料層的上部和下部介面設置底層的預處理。

底層111不限於由光催化材料形成，而且可以由3d過渡金屬元素(Sc,Ti,Cr,Ni,V,Mn,Fe,Co,Cu,Zn以及類似的元素)，或氧化物，氮化物，和其氮氧化物形成。

注意基底100可以是由熔融法或浮動法形成的非鹼性玻璃基底，諸如鋇硼矽酸鹽玻璃，鋁硼矽酸鹽玻璃，以及鋁矽酸鹽玻璃，和塑膠基底以及具有抗這種製造步驟的處理溫度的熱阻的類似物。

接著，使用以噴墨方法為代表的微滴放出方法，藉由放出液體導電材料而形成導電層圖案112(見圖8A)。作為在液體導電材料中包含的導電材料，可以使用金(Au)，銀(Ag)，銅(Cu)，鉑(Pt)，鈀(Pd)，鎢(W)，鎳(Ni)，鉭(Ta)，鉍(Bi)，鉛(Pb)，銦(In)，錫(Sn)，鋅(Zn)，鈦(Ti)，鋁(Al)，或者其合金，這些的分散的毫微微粒(nanoparticle)，或者鹵化銀的微粒。特別的，較佳的是閘極線具有低電阻，因此，考慮到特殊的電阻值最好使用溶解或在溶劑中分散的金，銀或銅。更佳的，使用低阻的銀或銅。但是，在使用銀或銅的情況下，為了防止由於雜質分散，較佳的結合設置阻擋膜。對於溶劑，使用酯諸如乙酸丁酯，醇諸如異丙醇，有機溶劑諸如丙酮以及類似的。藉由控制溶劑的濃度，添加表面活性劑，或類似的來任意控制表面張力和粘度。

圖15表示微滴放出設備的一個示例。在圖15中，參考標記1500表示大的基底，1504表示影像拾取裝置，1507表示台，1511標記，1503表示一個面板的區域。設置噴頭1505a，1505b，以及1505c，每個具有與一個面板的寬度相同的寬度，當移動台時，它Z字型或來回掃描以適當地形成材料層的圖案。也可以使用具有與大的基底寬度相同的噴頭，但是，圖15中所示的面板大小的噴頭易於操作。為了提高生產量，較佳的當台移動時，放出材料。

此外，較佳的，噴頭1505a，1505b，以及1505c和台1507每個具有溫度控制功能。注意噴頭(噴管的尖端)和大的基底之間的距離大約是1mm。距離越短，放出精度越高。

在圖15中，在掃描方向排列成3列的噴頭1505a，1505b，以及1505c的每個可以分別形成不同的材料層，或可以放出相同材料。藉由使用三個噴頭來放出相同材料，對中間層絕緣膜128構圖，提高生產量。當由圖15所示的設備掃描時，基底1500可以隨著固定的噴頭部分移動或噴頭部分可以隨著固定的基底1500移動。

藉由使用電腦將微滴放出設備的每個噴頭1505a，1505b，以及1505c與控制裝置連接，控制裝置能事先繪製可編程的圖案。放出量由將被施加的脈衝電壓控制。繪製時序是例如基於形成在基底上的標記。此外，參考點可以基於基底的框架來確定。這是由影像拾取裝置，諸如CCD來檢測的，接著電腦處理由影像處理裝置轉換的數位訊號以產生傳送到控制裝置的控制訊號。無庸贅言，關於形成在基底上的圖案的資料是儲存在儲存媒體中的。基於這些資料，將控制訊號傳送到控制裝置以獨立控制微滴放出設備的噴頭的每一個。

接下來，藉由選擇雷射照射來曝光導電膜圖案的一部分(參見圖8B)。在將放出的液體導電膜材料中事先包含光敏材料，使得它能與雷射發生化學反應。在此的光敏材料是負性的，與雷射發生化學反應的部分保留下來。藉由雷射照射，能形成精確圖案，尤其是能獲得細寬度的引線。

在此，已經參考圖13的作了關於雷射光束繪圖設備的說明。雷射光束繪圖設備401包括個人電腦(下面稱為PC)402，它執行在雷射光束發射中的各種控制，雷射振盪器403，它輸出雷射光束，雷射振盪器403的電源404，光學系統(ND濾波器)405，用於衰減雷射光束，用於調制雷射光束強度的聲光調制器(AOM)406，用於放大或變窄雷射光束截面的透鏡，藉由鏡子或類似的裝置形成的用於改變光路的光學系統407，具有X台和Y台的基底移動裝置409，D/A轉換器410，它用於在數位和類比之間轉換從PC輸出的控制資料，驅動器411，它用於依據從D/A轉換器410輸出的類比電壓控制聲光調制器(AOM)406，以及驅動器412，用於輸出用於驅動基底移動裝置409的驅動訊號。

對於雷射振盪器403，可以使用能夠振盪紫外線、可見光或紅外線的雷射振盪器。作為這種振盪器，可以使用準分子雷射振盪器諸如KrF,ArF,XeCl以及Xe，氣體雷射振盪器，諸如He,He－Cd,Ar,He－Ne以及HF，使用藉由摻雜Cr,Nd,Er,Ho,Ce,Co,Ti或Tm至YAG GdVO₄ ,YVO₄ ,YLF,以及YAlO₃ 獲得的晶體的固態雷射振盪器，半導體雷射振盪器諸如GaN,GaAs,GaAlAs以及InGaAsP。注意，較佳的，對固態雷射振盪器使用基波的一次至五次諧波。

下面將說明使用雷射光束定向繪圖設備的光敏材料的曝光方法。注意的是，此處的光敏材料是成為導電膜圖案的導電膜材料(包括光敏材料)。

在將基底408安裝在基底移動裝置409之後，PC402藉由使用在圖中未示出的相機檢測基底上標記的位置。接著，基於標記的檢測位置資料和事先輸入的繪製圖案資料，PC402產生用來移動基底移動裝置409的移動資料。此後，PC402藉由驅動器411控制來自聲光調制器406的輸出光量，由此從雷射振盪器403輸出的雷射光束經過光學系統405衰減並且經過聲光調制器406控制從而到達預定量。另一方面，從聲光調制器406輸出的雷射光束經過光學系統407改變光路和光束形狀，並且經過透鏡聚光。接著，用雷射光束照射形成在基底上的光敏材料以使其曝光。此時，基於PC402產生的移動資料，控制基底移動裝置409在X和Y方向移動。結果，用雷射光束照射預定位置，藉此曝光光敏材料。

注意的是照射到光敏材料的雷射的一部分能量轉換成熱量，它使得一部分光敏材料反應。因此，圖案寬度變得略寬於雷射光束的寬度。因為雷射直徑可以被壓縮變小，較佳的使用較短波長的雷射光束以形成精細寬度的圖案。

藉由光學系統處理光敏材料表面上的雷射光束的光點形狀為圓點形狀，圓形形狀，橢圓形形狀，矩形形狀，或者線性形狀(特別的長方形形狀)。注意的是光點形狀可以是圓形形狀，但是要獲得均勻寬度圖案更較佳的是線性形狀。

依據圖13所示的設備，藉由雷射照射曝光基底表面，但是可以藉由適當改變光學系統和基底移動裝置，使得由雷射來曝光基底的背側。注意的是藉由移動基底選擇性的照射雷射光束，但是本發明並不局限於此。可以在X－Y方向掃描雷射光束以被照射。在這種情況下，較佳的對光學系統407使用多邊形鏡或電流計鏡。

接下來，藉由使用蝕刻劑(或顯影劑)進行顯影以去除不必要的部分，然後進行主要烘烤以形成成為閘極電極的金屬線115或閘極線(參見圖8C)。

與金屬線115類似，形成延伸到終端的引線140。儘管在此沒有示出，也可以形成為發光元件提供電流的電源線。此外，按要求形成用來形成電容器的電容器電極或電容器引線。當使用負性光敏材料時，對被去除的部分進行雷射照射以完成其中的化學反應。接著，藉由蝕刻劑溶解那部分。此外，在放出液體導電膜材料後，在進行室溫烘乾或選擇性的烘烤後，可以照射雷射。

接下來，藉由電漿CVD方法或濺射方法順序沈積閘極絕緣膜118，半導體膜，以及N型半導體膜。對閘極絕緣膜118，使用藉由PCVD方法獲得的包含氧化矽，氮化矽，或氮氧化矽的材料作為主要成分。此外，在藉由使用矽氧烷基聚合物經過微滴放出方法放出和烘烤之後，對閘極絕緣膜118可以使用包含烷基的SiO_x 膜。

半導體膜是由非晶半導體膜、或半非晶膜、或半非晶半導體膜形成，其中半非晶膜由藉由氣相磊晶方法，濺射方法，使用以矽烷和鍺烷為代表的半導體材料氣體的熱CVD方法形成。對非晶半導體膜，可以使用藉由使用SiH₄ 或SiH₄ 和H₂ 的混合氣體的PCVD方法形成的非晶矽膜。此外，對於半非晶(也稱為微晶)半導體膜，藉由使用由3至1000倍的H₂ 稀釋SiH₄ 獲得的混合氣體，在20－40：0.9(Si₂ H₆ ：G₃ F₄ )的氣體流率下用GeF₄ 稀釋Si₂ H₆ 獲得的混合氣體，Si₂ H₆ 和F₂ 的混合氣體，或者SiH₄ 和F₂ 的混合氣體的PCVD方法獲得半非晶矽膜。注意的是，最好使用半非晶矽膜，因為能將更多的結晶度提供給具有底層的介面上。

此外，藉由用雷射照射半非晶矽膜可以提高結晶度，半非晶矽膜是藉由使用SiH₄ 和F₂ 的混合氣體的PCVD方法獲得的。

N型半導體膜可以是使用矽烷氣體和磷化氫氣體的PCVD方法形成的非晶半導體膜或半非晶半導體膜。當提供N型半導體膜120時，較佳的，要求半導體膜和電極(後來形成的電極)之間的接觸電阻為低。

接著，設置掩膜121，並且選擇性的蝕刻半導體膜和N型半導體膜以獲得島狀的半導體膜119和N型半導體膜120(參見圖8D)。藉由微滴放出方法和印刷方法(凸版印刷板，平板，銅板，絲網印刷等)形成掩膜121。藉由微滴放出方法或者印刷方法可以直接形成所需要的掩膜圖案，但是，藉由微滴放出方法和印刷方法可以形成粗糙的抗蝕圖形，接著藉由雷射選擇性的曝光以精確獲得精細抗蝕圖形。

藉由使用圖13所示的雷射光束繪圖設備，可以進行抗蝕劑的曝光。在這種情況下，藉由用光敏材料作為抗蝕劑，利用雷射曝光將形成抗蝕劑掩膜121。

接下來，在去除掩膜121後，設置一個掩膜(末示出)以選擇性地蝕刻閘極絕緣膜，由此形成接觸孔。在終端除去閘極絕緣膜。依據典型的光微影技術，藉由依據微滴放出方法形成抗蝕圖形，或藉由在整個表面上施加正性抗蝕劑利用雷射執行曝光並且顯影而形成抗蝕圖形，可以形成掩膜。在主動矩陣發光裝置中，在一個圖素內形成多個TFT，多個TFT藉由閘極電極和閘極絕緣膜連接到上層的引線。

接下來，藉由微滴放出方法選擇性放出包含導電材料(Ag(銀)，Au(金)，Cu(銅)，W(鎢)，Al(鋁)以及類似物)的化合物以形成源極或汲極(稱為源/汲)引線122和123，或引導電極117。類似的，在終端形成為發光元件和連接線提供電流的電源線。

接著，使用源/汲引線122和123作為掩膜來蝕刻N型半導體膜和半導體膜的頂層以獲得圖9A的狀態。在該階段，完成具有作為主動層的通道形成區域124，源區126，和汲區125的通道蝕刻型TFT。

接著，為了保護通道形成區域124不受雜質的污染，形成保護膜127(參見圖9B)。對保護膜127，使用主要包含藉由濺射方法或PCVD方法獲得的氮化矽或氮氧化矽的材料。在此保護膜127是作為示例形成的，然而它不是必須形成的。

接著，藉由微滴放出方法選擇性地形成中間層絕緣膜128，中間層絕緣膜128由樹脂材料諸如環氧樹脂，丙烯酸樹脂，酚樹脂，酚醛清漆樹脂，三聚氰胺樹脂，以及氨基甲酸乙酯樹脂形成。此外，使用有機材料諸如苯環丁烯，聚對二甲苯基，閃光或光透射的聚醯亞胺；由聚合物諸如矽氧烷聚合物組成的複合材料；包含水溶性的均聚物和水溶性的共聚物的合成材料；以及類似的材料，藉由微滴放出方法形成中間層絕緣膜128。中間層絕緣膜128並不局限於藉由微滴放出方法形成，而是可以藉由塗覆方法，PVCD方法以及類似的方法在整個表面上形成。

接著，使用中間層絕緣膜128作為掩膜來蝕刻保護膜127以形成在源/汲引線122和123的一部分上的由導電材料形成的突出部分(柱狀物)129。藉由重復放出或烘烤合成物，突出部分(柱狀物)129可以以疊層形成，其中合成物包含導電材料(Ag(銀)，Au(金)，Cu(銅)，W(鎢)，Al(鋁)以及類似材料)。

在中間層絕緣膜128上形成與突出部分(柱狀物)129接觸的第一電極130(參見圖9C)。注意，與引線140接觸的終端電極141採用類似的方法形成。在此，作為一個例子驅動TFT是N通道TFT，因此，較佳的第一電極130作用當成陰極。在光透射類型的情況，藉由微滴放出方法或者印刷方法，使用預定圖案形成第一電極130，預定圖案由包含氧化銦錫(ITO)，包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)，氧化鋅(ZnO)，氧化錫(SnO₂ )以及類似物質的合成物形成，然後烘烤以形成第一電極130和終端電極141。此外，在第一電極130上反射光的情況，藉由微滴放出方法，使用包含主要金屬顆粒諸如Ag(銀)，Au(金)，Cu(銅)，W(鎢)，Al(鋁)的合成物形成預定圖案，然後烘烤以形成電極130和終端電極141。可選擇地，可以依據濺射方法藉由形成光透射的導電薄膜或光反射的導電薄膜，依據微滴放出方法形成掩膜圖案，並且組合執行蝕刻來形成第一電極130。

圖10是圖9C的圖素的頂視圖的示例。圖9C的圖素部分的右側的剖面圖對應在圖10中沿連線A－A’的剖面圖，而它的左側對應沿連線B－B’的剖面圖。在圖10中，相同的參考數字用作與圖8A至9D相同的部件。在圖10中，後來形成的隔牆134的邊緣用點劃線表示。

儘管在此提供了分別作為保護膜127形成的中間層絕緣膜128和突出部分(柱狀物)129，當不提供保護膜127時，可以藉由微滴放出方法使用相同的設備形成它們。

接著，形成用來覆蓋第一電極130的周圍部分的隔牆134。隔牆(也稱為堤)134是由包含矽的材料，有機材料，以及複合材料形成。此外，也可以使用多孔膜。藉由使用光敏材料或非光敏材料諸如丙烯酸和聚醯亞胺，較佳的是它的側邊具有連續變化的曲率半徑，由此可以形成沒有中斷的上部薄膜。

在上述方式中，完成用於發光顯示面板的TFT基底，在該發光顯示面板中，底閘(也稱為倒置交錯型)TFT和第一電極130形成在基底100上。

接著，形成作為電致發光層(也稱為EL層)的層，即是包含有機化合物的層136。包含有機化合物的層136具有疊層結構，它們中的每個層藉由蒸發沈積方法或塗覆方法形成。例如，在陰極上順序層疊電子傳輸層(電子注入層)，發光層，電洞傳輸層，以及電洞注入層。

電子傳輸層包含電荷注入傳輸物質。作為具有高電子傳輸特性的電荷注入傳輸材料，可以使用金屬複合物或具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的類似物，諸如三(8－羥基噻啉)鋁(Alq₃ )(tris(8－quinolinolate)aluminum)，三(5－甲基－8－羥基喹啉)鋁(Almq₃ )(tris(5－methyl－8－quinolinolate)aluminum)，二(10－羥基苯並[h]－喹啉)鈹(BeBq₂ )(bis(10－hydroxybenzo[h]－quinolinato)beryllium)，以及二(2甲基－8－羥基喹啉)－4－苯基苯酚－鋁(BAlq)(bis(2－methyl－8－quinolinolate)－4－phenylphenolato－aluminum)。作為具有高電洞傳輸特性的材料，可以使用芳香胺基化合物(即，具有苯環氮鍵)，諸如4,4’－二[N－(1－萘基)－N－苯基－氨基]－聯苯(a－NPD),4,4’－二[N－(3－甲基苯基)－N－苯基－氨基]－聯苯(TPD),4,4’－三[N,N－聯苯－氨基]－三苯基胺(TDATA)，以及4,4’－三[N－(3－甲基苯基)－N－苯基－氨基]－三苯基胺(MTDATA)。

在電荷注入傳輸材料中，可以使用作為尤其具有高電子注入特性的材料，鹼金屬或鹼土金屬諸如氟化鋰(LiF)，氟化銫(CsF)，氟化鈣(CaF₂ )的化合物。除此，可以使用具有高電子傳輸特性的材料諸如Alq₃ 和鹼土金屬諸如鎂(Mg)的化合物。

用電荷注入傳輸材料和發光材料形成發光層，其中每個包括有機化合物或無機化合物。發光層可以包括由一個或多個基於從低分子量有機化合物，中分子量有機化合物(可以將其定義為不具備昇華特性，並且具有20或更少的分子數，或10μm或更少的分子鏈長度的化合物)，和高分子量有機化合物(也稱為聚合物)的分子數選擇的層形成的層。也可以組合使用具有電子注入傳輸特性或電洞注入傳輸特性的無機化合物。

作為發光層的材料，可以使用各種材料。作為低分子量的有機發光材料，可以使用4－氰基亞甲基－2－甲基－6－[2－(1,1,7,7－四甲基－julolidylyl－9)乙烯基]－4H－吡喃(4－dicyanomethylene－2－methyl－6－[2－(1,1,7,7－tetramethyl－julolidylyl－9)ethenyl]－4H－pyran)(CJT)，4－氰基亞甲基－2－t－丁基－6－[2－(1,1,7,7－四甲基－久洛尼定－9－基)乙烯基]－4H－吡喃(4－dicyanomethylene－2－t－butyl－6－[2－(1,1,7,7－tetramethyl－julolidine－9－yl)ethenyl]－4H－pyran)(DCJTB)，periflanthene，2,5－二氰基－1,4－二[2－(10－甲氧基－1,1,7,7－四甲基－久洛尼定－9－yl)乙烯基]苯(2,5－dicyano－1,4－bis[2－(10－methoxy－1,1,7,7－tetramethyljulolidine－9－yl)ethenyl]benzene),N,N’－二甲基]喹吖啶酮(N,N’－dimethyl quinacridon)(DMQd)，香豆素6,香豆素545T,三(8－羥基喹啉)鋁(tris(8－quinolinolate)aluminum(Alq₃ ))，9,9－二蒽基，9,10－二苯基蒽(DPA)，9,9－二(2－萘基)蒽(DNA)以及類似物。也可以使用其他的材料。

高分子量有機發光材料物理上比低分子量有機發光材料強。由高分子量有機發光材料形成的發光元件的耐用性很高。使用高分子量有機發光材料的發光元件可以更容易製造，這是因為發光層可以藉由塗覆形成。使用高分子量有機發光材料的發光元件的結構基本上與使用低分子量有機發光材料的結構相同，即，陰極，有機發光層，和陽極順序層疊。但是，在發光層由高分子量有機發光材料形成的情況下，難以形成如使用低分子量有機發光材料情況的疊層結構。因此，在很多情況使用具有高分子量有機發光材料的發光元件形成為具有兩層結構。特別的，陰極，發光層，電洞傳輸層，和陽極順序層疊。

發射色彩是由發光層的材料確定的。因此，呈現需要的發射色彩的發光元件可以藉由選擇用於發光層的材料形成。作為形成發光層的基於高分子量的電致發光材料，可以使用聚對苯撐1,2－亞乙烯基(polyparaphenylene vinylene－based)材料，聚對苯撐(polyparaphenylene－based)材料，聚噻吩(polythiophene－based)材料，以及聚芴(polyfluorene－based)材料。

作為聚對苯撐1,2－亞乙烯基材料，可以使用聚對苯撐(PPV)，聚(2,5－二烷氧基－1,4－苯撐1,2－亞乙烯基(poly(2,5－dialkoxy－1,4－phenylen vinylene)(Ro－PPV)，聚(2－(2’－乙基－六氧)－5－甲氧基－1,4－苯撐1,2－亞乙烯基(poly(2－(2’－ethyl－hexoxy)－5－methoxy－1,4－phenylene vinylene))(MEH－PPV)，聚(2－二烷氧基苯基)－1,4－苯撐1,2－亞乙烯基(poly(2－dialkoxyphenyl)－1,4－phenylene vinylene)(RoPh－PPV)以及類似物的衍生物。作為聚對苯撐材料，可以使用聚對苯撐(PPP)，聚(2,5－二烷氧基－1,4－苯撐(poly(2,5－dialkoxy－1,4－phenylene)(RO－PPP)，聚(2,5－雙環六氧－1,4－苯撐(poly(2,5－dihexoxy－1,4－phenylene))以及類似物的衍生物。作為聚噻吩材料，可以使用聚噻吩PT)，聚(3－烷基噻吩)(poly(3－alkylthiophene))(PAT)，聚(3－己基噻吩)(poly(3－hexylthiophene)(PHT)，聚(3－環己基噻吩(poly(3－cyclohexylthiophene))(PCHT)，聚(3－環己基－4－甲基噻吩)(poly(3－cyclohexy－4－methylthiophene))(PCHMT)，聚(3,4－雙環己基噻吩)(poly(3,4－dicyclohexylthiophene))(PDCHT)，聚[3－(4－辛基苯基)－噻吩](poly[3－(4－octylphenyl)－thiophene])(POPT)，聚[3－(4－辛基苯基)－2,2－並噻吩(poly[3－(4－octylphenyl)－2,2－bithiophene)(PTOPT)以及類似物的衍生物。作為聚芴材料，可以使用聚芴(PF)，聚(9,9－二烴基芴)(poly(9,9－dialkylfluorene))(PDAF)，和(9,9－二辛基芴)(poly(9,9－dioctylfluorene))(PDOF)，以及類似物的衍生物。

來自陽極的電洞注入特性可以藉由在陽極和具有發光特性的高分子量的有機發光材料之間插入具有電洞傳輸特性的高分子量基有機發光材料。一般而言，藉由旋轉塗覆，共同塗覆具有電洞傳輸特性的高分子量有機發光材料和溶解在水中的接受體材料。具有電洞傳輸特性的高分子量有機發光材料在有機溶劑中是不能溶解的，因此，具有發光特性的有機發光材料可以層疊在材料上。作為具有電洞傳輸特性的高分子量有機發光材料，可以使用作為接受體材料的PEDOT和樟腦磺酸(CSA)的混合物，作為接受體材料的聚苯胺(PANI)和聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物，以及類似物。

除了單態激發發光材料，對發光層可以使用包含金屬複合物或類似物的三態激發材料。例如，在紅色發光圖素，綠色發光圖素，以及藍色發光圖素中；使用三態激發發光材料形成紅色發光圖素，紅色發光圖素的亮度在相對短的時間內減到一半亮度，並且使用單態激發發光材料形成其他的發光圖素。三態雷射發光材料具有為獲得特定亮度而比單態激發發光材料功耗更少的性能，這是因為三態激發發光材料具有高發光率。在使用三態激發發光材料形成紅色發光圖素的情況下，因為發光元件需要少量的電流，因而可以提高可靠性。為了降低能耗，可以使用三態激發發光材料形成紅色發光圖素和綠色發光圖素，而使用單態激發發光材料形成藍色發光圖素。藉由使用三態激發發光材料可以減少對於人眼是高度可見的綠色發光元件的功耗。

作為三態激發發光材料的一個例子，使用包含作為主要金屬的第三過渡元素的鉑作為摻雜劑的金屬複合物，或者包含作為主要金屬的銥的金屬複合物的材料是公知的。三態激發發光材料不局限於上述化合物。可以使用具有前述結構和具有屬於周期表的第8至10族的元素作為主要金屬的化合物。

電洞傳輸層包括電荷注入傳輸物質。作為具有高電洞注入特性的材料，例如，可以使用金屬氧化物諸如氧化鉬(MoOx)，氧化釩(VOx)，氧化釕(RuOx)，氧化鎢(WOx)，以及氧化錳(MnOx)。除此之外，可以使用酞菁染料化合物諸如酞菁(H₂ Pc)或銅酞菁(CuPc)。

在形成包含有機化合物的層136之前，較佳的在氧氣環境進行電漿處理或者在真空環境進行熱處理。在採用蒸發沈積的情況中，事先使用電阻加熱來氣化有機化合物，並且在沈積有機化合物中藉由打開活門向基底散射。氣化的有機化合物向上散射並藉由設置在金屬掩膜上的開口部分沈積在基底上。為了實現全色顯示，每發光顏色(R,G和B)執行校準掩膜。

發光層可以具有這樣的結構，其中為了實現全色顯示，對每個圖素分別設置具有不同發射波長波段的發光層。典型的，形成對應色彩R(紅)，G(綠)和B(藍)的發光層。在這種情況，可以提高色彩純度並且藉由設置濾色器(彩色層)可以防止圖素部分成為鏡表面(閃光)，其中濾色器透射每個發送波長波段的光到圖素的發光側。藉由設置濾色器(彩色層)，不再需要習知所需的圓偏振器或類似物。此外，可以從發光層沒有任何丟失地發射光。此外，可以進一步減少當傾斜地看圖素部分(顯示幕)時發生的色調變化。

可選擇的，藉由使用呈現單色發射的材料作為包含有機化合物的層136，結合沒有單獨沈積的濾色器或色彩轉換層可以實現全色顯示。例如，在形成呈現白色或橙色發射的電致發光層的情況，藉由在圖素的發光側上分別設置濾色器，色彩轉換層，或濾色器和色彩轉換層的組合可以實現全色顯示。例如可以在第二基底(密封基底)形成濾色器或彩轉換層，其連接到基底100上。此外，如上所述，所有呈現單色發射的材料，濾色器，和色彩轉換層可以藉由微滴放出方法形成。

為了形成呈現白光發射的發光層，例如，藉由蒸發沈積順序沈積Alq₃ ,部分摻雜有奈耳紅(Nile red)的Alq₃ ，p－EtTAZ，TPD(芳香族二氨)。在藉由旋轉塗覆形成EL層的情況，在塗覆後較佳的藉由真空加熱來烘烤塗覆層。例如可以將作為電洞注入層的聚(乙烯二羥噻吩)/聚(苯乙烯磺酸鹽)溶液(PEDOT/PSS)塗覆在整個表面上並被烘烤。接著，可以將摻雜發射中心顏料(1,1,4,4,－四苯基－1,3－丁二烯(TPB)，4－二氰基亞甲基－2－甲基－6－(p－二甲基氨基－苯乙烯基)－4H－吡喃(DCM1)，奈耳紅，香豆素6以及類似物)的聚乙烯基哢唑(PVK)作為發光層塗敷在整個表面並被烘烤。

發光層也可以由單層形成。如此，發光層可以由分散有具有電子傳輸特性的1,3,4,－惡二唑衍生物(PBD)的電洞傳輸特性的聚乙烯基哢唑(PVK)組成。此外，可以藉由按30 wt%分散作為電子傳輸材料的PBD，並且分散四種顏料(TPB,香豆素6,以及奈耳紅)的適當的量而獲得白光發射。

前述用來形成包含有機化合物的層的材料僅是示例。發光元件可以藉由相應的層疊功能層諸如電洞注入傳輸層，電洞傳輸層，電子注入傳輸層，電子傳輸層，發光層，電子阻擋層，以及電洞阻擋層而形成。也可以形成混合層或混合前述層的混合結合。發光層的層結構可以變化。代替於設置特定電子注入區域或發光區域，諸如為了用於電子注入區域或發光區域設置電極，或設置分散的發光材料的結構改變是允許的，除非這種改變脫離本發明的範圍。

無須說明，可以執行單色發光顯示。例如，藉由使用單色發光，可以形成區域彩色型發光顯示裝置。被動矩陣型顯示部分適合於區域色彩型顯示裝置。該顯示裝置可以主要顯示文字或符號。

接下來，形成第二電極137。作為發光元件的陽極的第二電極137是由光透射導電膜形成，例如，光透射導電膜諸如ITO，ITSO，或按2至20%混合氧化銦與氧化鋅(ZnO)獲得的膜。發光元件具有一種結構，其中包含有機化合物的層136插入在第一電極130和第二電極137之間。用於第一電極130和第二電極137的材料需要考慮功函數而選擇。依據圖素結構第一電極130或第二電極137可以是陽極或陰極。

由前述材料形成的發光元件在正向偏壓下發光。藉由使用發光元件形成的顯示裝置的圖素可以藉由被動矩陣(也稱為簡單矩陣)驅動方法或主動矩陣驅動方法來驅動。無論如何，藉由在特定時序施加正向偏壓使每個圖素發光。此外，對於特定周期各個圖素是非發光狀態。在非發光狀態藉由施加反向偏壓可以提高發光元件的可靠性。發光元件可能處於在特定驅動情況下其中發射強度降低的退化模式，或處於由於圖素內的非發光區域的擴展導致其亮度明顯降低的退化模式。藉由交流(AC)驅動以施加正向偏壓和反向偏壓能夠延遲退化，這導致提高發光裝置的可靠性。

為了降低第二電極137的電阻，可以在第二電極137上設置輔助電極，它不作為發光區域。也可以形成用來保護第二電極137的保護膜。例如，在氮氣或包含氮和氬的氣體的沈積室中，藉由使用由矽組成的圓盤狀的靶形成由矽氮化物組成的保護膜。此外，包含碳作為主要成分的薄膜(DLC膜，CN膜或不定形碳膜)可以形成為保護膜，並且可以附加地設置使用化學氣化沈積(以下稱為CVD)方法的其他沈積室。藉由電漿CVD方法(典型的，RF電漿CVD方法，微波CVD方法，電子回旋共振(ECR)CVD方法，加熱細絲CVD方法，或者類似方法)，燃燒火焰方法，濺射方法，離子束沈積方法，雷射沈積方法等可以形成金剛石類碳膜(也稱為DLC膜)。氫氣和烴氣(CH₄ ,C₂ H₂ ,C₆ H₆ ,或類似物)被用作沈積的反應氣體。藉由輝光放電電離反應氣體，並且加速該離子以碰撞施加有負自偏壓的陰極，然後沈積DLC膜。此外，可以藉由使用氣體C₂ H₄ 和氣體N₂ 作為反應氣體形成碳氮化物膜(也稱為CN膜)。此外，DLC膜和CN膜對於可見光是透明或半透明的絕緣膜。術語“對可見光透明”意思是對可見光具有80至100%的透射率。術語“對可見光半透明”意思是對可見光具有50至80%的透射率。保護膜不是必須提供的。

接著，使用密封劑(未示)粘附密封基底135以密封發光元件。密封劑圍繞的空間用光透射充填劑138填充。充填劑138沒有特定限制，只要它能傳輸光即可。典型的，可以使用紫外線固化或熱固化環氧樹脂。在此，使用具有1.50折射率，500cps粘性，90肖氏(shore)D硬度，3000psi的抗張強度，150℃的Tg點，1×10¹ ⁵ O.cm體積電阻率，450V/mil耐電壓的高熱阻性UV環氧樹脂(由Electrolyte公司製造：2500透明)。藉由在一對基底之間填充濾光器138，整體透射率可以得以提高。

最後，用公知的方法藉由各向異性導電膜145將FPC146粘附到終端電極141(參見圖9D)。在這種模式，可以製造主動矩陣發光裝置。

圖11是表示EL顯示面板的結構的示例的頂視圖。圖11表示發光顯示面板的結構，它藉由外部驅動電路控制輸入到掃描線和訊號線的訊號。在具有絕緣表面的基底200上形成圖素部分201，掃描線輸入端203，以及訊號線輸入端204，在圖素部分201中圖素202排列成矩陣。圖素的數量可以依據各種規格設置，例如，對XGA是1024×768×3(RGB)，對UXGA是1600×1200×3(RGB)，或者在全部高視角規格的情況下是1920×1080×3(RGB)。

圖素202排列成矩陣，具有從掃描線輸入端203延伸的掃描線和從訊號線輸入端204延伸的訊號線相互交叉。圖素202的每個設置有開關元件和與其連接的圖素電極。開關元件的典型例子是TFT，藉由外部輸入的訊號獨立控制每個圖素，此時TFT的閘極電極連接到掃描線而源極或汲極電極連接到訊號線。

在使用光透射材料形成圖9A至9D中所示的第一電極130和使用金屬材料形成第二電極137的情況，形成穿過基底100的光發射結構，即底部發射型。可選擇的，在使用金屬材料形成第一電極130和使用光透射材料形成第二電極137的情況，形成穿過密封基底135的光發射結構，即頂部發射型。此外，在使用光透射材料形成第一電極130和第二電極137的情況，可以形成穿過基底100和密封基底135的光發射結構。本發明可以適當的採用前述任意結構。進一步的，可以在EL顯示面板上安裝驅動電路。它的一種模式將參考圖12說明。

首先，參考圖12說明採用COG方法的顯示裝置。用於顯示諸如文字和影像的資料的圖素部分301和掃描驅動電路302設置在基底300上。將設置有多個驅動電路的基底分成長方形，並且將分開的驅動電路(以下稱為驅動IC)305a和305b安裝在基底300上。圖12表示安裝多個驅動IC 305a和305b以及在驅動IC 305a和305b的末端處安裝帶子304a和304b的模式。此外，分割尺寸基本上與在訊號線側上的圖素部分側的長度相同，並且將帶子安裝在單個驅動IC的末端。

可以採用TAB方法，其中可以粘附多個帶子，其上可以安裝驅動IC。類似於COG方法，可以將單個驅動IC安裝在單個帶子上，其中依據強度問題粘附用於固定驅動IC的金屬片或類似物質。

考慮到提高生產率，較佳的在長方形基底上形成安裝在EL顯示面板上的多個驅動IC，長方形基底具有300至1000mm或更長的邊。換句話說，包括驅動電路部分和輸入/輸出端作為一個單元的多個電路圖案形成在基底上，和可以最後分開並提取。考慮到圖素部分的側面長度和圖素間距，驅動IC可以形成為矩形，該矩形具有15至80mm的長邊和1至6mm的短邊。可選擇的，驅動IC可以形成為具有一個側邊長度，即將圖素區域或圖素部分的側邊長度加上每個驅動電路的側邊長度。

鑒於外部尺寸，在長邊的長度上驅動IC更優於IC晶片。當使用具有15至80mm長邊的驅動IC時，與使用IC晶片的情況相比，依據圖素部分需要安裝的驅動IC的數量更少。因此，製造產量可以提高。當在玻璃基底上形成驅動IC時，由於母基底的形狀不受限制，因此生產率不會下降。與從圓形矽晶片中取出IC晶片的情況比較，這是它最大的優點。

在圖12，每個設置有驅動電路的驅動IC 305a和305b安裝在圖素部分301外部的區域。驅動IC 305a和305b是訊號線側的驅動電路。為了形成對應RGB全色的圖素部分，對XGA需要3072條訊號線而對UXGA需要4800條訊號線。將以這種數量形成的訊號線在圖素部分301的邊緣上分成多個塊並且設置有引線。引線關於驅動IC 305a和305b的輸出端的間距集中。

驅動IC較佳的是由形成在基底上的結晶半導體形成。較佳的藉由連續波的雷射照射形成結晶半導體。因此，使用連續波固態雷射器或氣態雷射器作為產生雷射的振盪器。當使用連續波的雷射時，幾乎不存在結晶缺陷，結果是，可以使用具有大晶粒尺寸的多晶半導體層形成電晶體。此外，由於遷移率和回應是良好的，因此有可能高速驅動，並且比習知元件可以進一步提高元件的作用頻率。因此，由於幾乎不存在特性變化，所以可以獲得高可靠性。注意的是，較佳的電晶體的通道長度方向和雷射的掃描方向可以是相同的，以進一步提高作用頻率。這是因為當在雷射結晶步驟使用連續波雷射，電晶體的通道長度方向和雷射的掃描方向關於基底是幾乎平行的(較佳的，從－30°至30°)，所以能夠獲得最高的遷移率。通道長度方向與電流的流動方向一致，換句話說，是電流在通道形成區中移動的方向。以該模式製造的電晶體具有包括多晶半導體層的主動層，在多晶半導體層中結晶晶粒在通道方向延伸，並且這意味者結晶晶粒邊界基本上沿通道方向形成。

為了執行雷射結晶，較佳的，較大地縮小雷射，而且較佳的，它的束點具有與驅動IC的短邊相同的寬度，大概從1至3mm。此外，為了對照射物件獲得足夠和有效的能量密度，較佳的，雷射的照射區域是線性形狀。在此線性形狀不是指嚴格意義上的一條直線，而是指矩形或者具有大縱橫比的長方形形狀，例如，2或更高(較佳的從10至10000)的縱橫比。因此，藉由使得雷射的束點的寬度與驅動IC的短邊的寬度相同，可以提供生產率得以提高的顯示裝置的製造方法。

圖12表示掃描線驅動電路與圖素部分結合並且驅動IC安裝作為訊號線驅動電路的模式。但是本發明並不局限於此，並且驅動IC可以安裝作為掃描線驅動電路和訊號線驅動電路。如此，較佳的用在掃描線側和訊號線側的驅動IC的規格是不同的。

在圖素部分301中，訊號線和掃描線交叉形成矩陣，並且電晶體排列在每個交叉點。在本發明中，具有作為通道部分的非晶半導體或半非晶半導體的TFT用作排列在圖素部分301中的電晶體。藉由電漿CVD方法，濺射方法以及類似的方法形成非晶半導體。藉由電漿CVD方法，可以在300°或更低的溫度下形成半非晶半導體。即使在例如550×650mm的外部尺寸的非鹼性玻璃基底的情況下，在短時間內形成對於形成電晶體所需要的膜厚度。這種製造技術的特徵在製造大面積顯示裝置中是有效的。此外，藉由形成SAS的通道形成區，半非晶TFT能獲得2至10cm² /Vsec的場效應遷移率。因此，該TFT可以用作圖素的開關元件並作為構成掃描線側的驅動電路的元件。因此，可以製造能實現面板上系統(system－on－panel)的EL顯示面板。

注意圖12所示的是以藉由使用具有由半非晶半導體(SAS)形成的半導體層的TFT，掃描驅動電路也整合在基底上為前提的。在藉由使用具有由半非晶半導體形成的半導體層的TFT的情況下，驅動IC既可以作為掃描線驅動電路又可以作為訊號線驅動電路安裝。

如此，較佳使用在掃描線側和訊號線側的驅動IC的規格是不同的。例如，構成掃描線驅動IC的電晶體需要承受一個接近30V的電壓，但是，驅動頻率是100kHz或更小，因此不太需要高速作用。因此，較佳的設置包含在掃描線驅動器中的電晶體的通道長度(L)足夠長。另一方面，訊號線驅動IC的電晶體需要承受住接近12V的電壓，但是，在3V時的驅動頻率大約是65 MHz，因此需要高速作用。因此，最好基於微米標準設置包含在驅動器中的電晶體的通道長度或其他的長度。

安裝驅動IC的方法沒有特別限制並且可以採用公知的方法，諸如COG方法，引線結合方法，或TAB方法。藉由使得驅動IC形成為具有與相對基底同樣的厚度，驅動IC與相對基底之間的高度可以幾乎相同，這用於整體上形成一個較薄的顯示裝置。當兩個基底由相同的材料形成時，不產生熱壓，並且即使當顯示裝置中的溫度變化時，包含TFT的電路的特性不受到損害。此外，藉由安裝比在該實施例模式說明的IC晶片更長的驅動IC作為驅動電路，可以減少安裝在一個圖素區域上的驅動IC的數量。

如上所述，藉由用雷射曝光由微滴放出方法形成的導電圖案並對其顯影，可以形成精細圖案。此外，藉由使用微滴放出方法在基底上直接形成各種圖案，即使使用具有1000mm或更長的側邊的第五代或以後的玻璃基底，也能很容易地形成EL顯示面板。

此外，在本實施例模式中，顯示出一個步驟，其中不執行旋轉塗覆並且盡可能不執行使用光掩膜的曝光步驟，但是本發明並不局限於此。也可以執行曝光步驟，其中將光掩膜用作構圖的一部分。

藉由使用如上說明製造的EL顯示板可以形成各種電子裝置。電子裝置的例子包括電視裝置，視頻相機，數位相機，護目鏡型顯示器，導航系統，以及音頻再生裝置(汽車音響裝置，聲頻元件系統等)，個人電腦，遊戲機，攜帶型資訊終端(移動電腦，行動電話，攜帶型遊戲機，電子書等)，設置有記錄媒體的影像再生裝置(特別的，再生諸如數位化視頻光碟(DVD)的記錄媒體以及提供有能夠顯示再生影像的顯示器的裝置)等。特別的，最好將本發明用於具有大螢幕的大電視裝置中。這些電子裝置的具體示例在圖16A至16D中示出。

圖16A顯示具有22至50英寸大螢幕的大電視裝置，它包括外殼2001，支撐底座2002，顯示部分2003，和視頻輸入端2005等。該顯示裝置包括所有用來顯示資訊諸如用來接收電視廣播的顯示裝置，和互動式電視。依據本發明，即使藉由使用具有1000mm或更長的第五代或以後的玻璃基底，也能實現相對便宜的大顯示裝置。

圖16B顯示個人電腦，包括主體2201，外殼2202，顯示部分2203，鍵盤2204，以及外部連接埠2205，和指示滑鼠2206等。依據本發明能實現相對便宜的膝上型個人電腦。

圖16C顯示具有記錄媒體的攜帶型影像再生裝置(特別的，DVD再生裝置)，包括主體2401，外殼2402，顯示部分A 2403，顯示部分B 2404，記錄媒體(DVD等)讀取部分2405，操作鍵2406，和揚聲器部分2407等。顯示部分A2403主要顯示影像資料，而顯示部分B2404主要顯示文字部分。注意，具有記錄媒體的影像再生裝置包括家用遊戲機等。依據本發明，可以實現相對便宜的影像再生裝置。

圖16D顯示具有攜帶型和無線顯示器的電視裝置。外殼2602包括電池和訊號接收器。電池驅動顯示部分2603和揚聲器部分2607。電池是藉由充電器2600可再充電的。此外，充電器2600可以發送和接收視頻訊號並將其傳送到顯示器的訊號接收器。外殼2602是由操作鍵2606控制。圖16D所示的裝置可以用於視頻/音頻交互通信裝置，這是因為藉由操作操作鍵2606可以將訊號從外殼2606傳送到充電器2600。藉由操作操作鍵2606，可以將訊號從外殼2602傳送到充電器2600並接著由另一個電子裝置接收充電器2600能傳送的訊號，由此能控制另一個電子裝置的通信。因此，它也可以用作一般的遠端控制裝置。依據本發明，使用便宜的製造方法可以提供相對大(22至50英寸)的攜帶型電視。

如上所述，依據本發明的發光裝置可以用於各種電子裝置的顯示部分。注意，在該實施模式中，TFT是由非晶矽或半非晶矽形成的，但是本發明並不局限於此。藉由使用通道形成區由多矽材料形成的TFT也能獲得類似的作用效果。

[實施例模式8]在本實施例模式中，將參考圖14A至14C說明具有薄膜電晶體的發光顯示裝置。

如圖14A所示，在驅動電路部分1310和圖素部分1311中設置具有由半非晶矽膜形成的主動層的頂閘N通道TFT。

在本實施例模式中，連接到形成在圖素部分1311中的發光元件的N通道TFT稱為驅動TFT1301。稱作堤或隔牆的絕緣膜1302形成為覆蓋驅動TFT1301的電極(稱為第一電極)的末端。對絕緣膜1302而言，可以使用無機材料(氧化矽，氮化矽，氧氮化矽等)，光敏或非光敏有機材料(聚醯亞胺，丙烯酸，聚醯胺，聚醯亞胺醯胺，抗蝕劑，或苯並環丁基)，具有Si－O鍵的脊柱結構並且包含至少氫或氟化物，烷基，或芳香碳氫化物的至少一個作為取代基的材料。作為有機材料，可以使用正性光敏有機樹脂或者負性光敏有機樹脂。

在第一電極的絕緣膜1302上形成孔徑部分。在孔徑部分內形成電致發光層1303，設置發光元件的第二電極1304以覆蓋電致發光層和絕緣膜1302。注意，單態激發狀態和三態激發狀態可以作為在電致發光層產生的一種分子激發子。接地狀態一般是單態狀態；因此來自單態激發狀態的發光稱為熒光而來自三態激發狀態的發光稱為磷光。來自電致發光層的發光包括任一激發狀態起作用的情況。此外，熒光和磷光可以結合使用，而且可以依據每個RGB的發光特性(諸如亮度或壽命)進行選擇。

藉由從第一電極側邊順序地層疊HIL(電洞注入層)，HTL(電洞傳輸層)，EML(發射層)，ETL(電子傳輸層)，和EIL(電子注入層)而形成電致發光層1303。注意，電致發光層可以具有單層結構或混合結構以及疊層結構。

在全色顯示情況，藉由噴墨方法、對每個使蒸發掩膜的蒸發方法或其他的方法，形成呈現紅(R)，綠(G)，藍(B)光的材料作為電致發光層1303。特別的，將CuPc或PEDOT用作HIL；a－NPD用作HTL；BCP或Alq₃ 用作ETL；以及BCP：Li或CaF₂ 用作EIL。此外，例如也可以將依據R，G，和B各自色彩的摻雜劑(在R情況下是DCM或其他，在G情況下是DMQD以及其他)的Alq₃ 用作EML。注意，電致發光層不局限於具有前述疊層結構的材料。例如使用共氣化的氧化物諸如氧化鉬(MoO_x ：x＝2至3)和a－NPD或紅熒烯可以增強電洞注入特性。有機材料(包括低分子量材料或高分子量材料)或者有機材料和無機材料的混合材料也可以用作材料。

在形成發射白光的電致發光層的情況，藉由分別設置濾色器或者濾色器和色彩轉換層等可以執行全色顯示。在粘附之前將濾色器和色彩轉換層形成在第二基底(密封基底)上。濾色器或色彩轉換層可以藉由噴墨方法形成。無須說明，單色發光裝置可以藉由形成電致發光層而形成，電致發光層呈現除了白光之外的光發射。此外，可以形成執行單色顯示的區域色彩型顯示裝置。

需要根據功函數選擇形成第一電極和第二電極1304的材料。但是依據圖素結構，第一和第二電極可以是陽極或是陰極。在本實施例模式中，較佳的第一電極是陰極而第二電極是陽極，同時驅動TFT是N通道電晶體。在驅動TFT的極性為P－通道的情況下，第一電極最好為陽極而第二電極最好為陰極。

考慮到作為N通道電晶體的驅動TFT的電子移動方向，較佳的順序層疊第一電極作為陰極，EIL(電子注入層)，ETL(電子傳輸層)，EML(發光層)，HTL(電洞傳輸層)，HIL(電洞注入層)，和作為陽極的第二電極。

作為覆蓋第二電極的鈍化膜，絕緣膜較佳的藉由濺射或CVD方法由DLC等形成。結果是可以阻止濕氣或氧氣滲入。此外，藉由用第一電極，第二電極，或其他電極覆蓋顯示裝置的側邊可以防止濕氣或氧氣滲入。接著，粘附密封基底。由密封基底形成的空間可以用氮填充或進一步提供有乾燥劑。由密封基底形成的空間可以用具有發光特性和高濕氣吸收特性的樹脂填充。

為增加對比度，可以設置偏振器或圓偏振器。例如，可以將偏振器或圓偏振器設置在顯示器的一個表面或兩個表面上。

在具有上述形成的結構的發光裝置中，將具有光透射特性的材料(ITO或ITSO)用於第一電極和第二電極。因此從電致發光層以對應從訊號線輸入的視頻訊號的亮度發射光到兩個方向1305和1306。此外，圖14B表示部分不同於圖14A的結構示例。

在圖14B所示的發光裝置的結構中，在驅動電路部分1310和圖素部分1311中設置通道蝕刻N通道TFT。在實施例模式4中說明了通道蝕刻TFT的製造方法，因此，此處省略對其詳細的說明。

類似於圖14A，將連接到形成在圖素部分1311中的發光元件的N通道TFT表示為驅動TFT1301。圖14B所示的結構與圖14A所示的結構的不同在於第一電極是由具有非光透射特性的導電膜，較佳的是高反射膜形成，並且第二電極1304是由具有光透射特性的導電膜形成。因此，發光方向1305是僅向密封基底側的。圖14C示出部分地不同於圖14A的例子的結構。

在圖14C示出的發光裝置的結構中，對驅動電路部分1310和圖素部分1311設置通道停止N通道TFT。在實施例模式5中說明了通道停止N通道TFT的製造方法，因此，在此省略其詳細的說明。

類似於圖14A，將連接到形成在圖素部分1311中的發光元件的N通道TFT表示為驅動TFT1301。圖14C所示的結構與圖14A所示的結構的不同在於第一電極是由具有光透射特性的導電膜形成，並且第二電極1304是由具有非光透射特性的的導電膜，較佳的是高反射膜形成。因此，發光方向1305是僅向基底側的。

於此已經說明了使用每個薄膜電晶體的發光元件的結構。薄膜電晶體的結構和發光元件的結構可以互相自由結合。

3001．．．選擇電晶體

3002．．．驅動電晶體

3003．．．源極訊號線

3004．．．第一電源線

3005．．．第二電源線

3006．．．發光元件

3007．．．閘極訊號線

3008．．．移位暫存器

3009．．．類比開關

3010．．．視頻線

3011．．．監控發光元件

3012．．．第三電源

3013．．．監控電流源

3014．．．監控驅動電晶體

3015．．．電壓追隨器電路

4005．．．第二電源線

4031．．．視頻訊號產生電路

4013．．．監控電流源

4014．．．監控驅動電晶體

4011．．．監控發光元件

4012．．．第一電源線

4015．．．電壓追隨器電路

5004．．．第一電源線

5005．．．第二電源線

5013．．．監控電流源

5014．．．監控驅動電晶體

5011．．．監控發光元件

5012．．．第一電源線

5015．．．電壓追隨器電路

6001．．．選擇電晶體

6002．．．驅動電晶體

6003．．．源極訊號線

6004．．．第一電源線

6005．．．第二電源線

6006．．．發光元件

6007．．．閘極訊號線

6008．．．視頻電流源電路

6009．．．保持電晶體

6010．．．電容器

6011．．．監控發光元件

6012．．．第一電源線

6013．．．監控電流源

6014．．．監控驅動電路

6015．．．電壓追隨器電路

1801．．．選擇電晶體

1802．．．驅動電晶體

1803．．．源極訊號

1804．．．第一電源線

1805．．．第二電源線

1806．．．發光元件

1807．．．閘極訊號線

1808．．．視頻電流源電路

1809．．．保持電晶體

1810．．．電容器

1811．．．轉換電晶體

7001．．．選擇電晶體

7002．．．驅動電晶體

7003．．．源極訊號線

7004．．．第一電源線

7005．．．第二電源線

7006．．．發光元件

7007．．．閘極訊號線

7008．．．移位暫存器

7009．．．保持電晶體

7010．．．電容器

7016．．．第二閘極訊號線

7031．．．視頻訊號產生電路

7040．．．視頻線

7011．．．監控發光元件

7012．．．第二電源線

7013．．．監控電流源

7014．．．監控驅動電晶體

7015．．．電壓追隨器電路

9901．．．源極訊號驅動電路

9902．．．閘極訊號驅動電路

9903．．．圖素部份

9904．．．加法器電路

9905．．．視頻輸入端

9906．．．差分放大器

9907．．．參考電源

9908．．．緩衝放大器

9909．．．電流源

9910．．．監控TFT

9911．．．監控發光元件

9912．．．電極

9801．．．源極訊號驅動電路

9802．．．閘極訊號驅動電路

9803．．．圖素部份

9804．．．加法器電路

9805．．．視頻輸入端

9806．．．差分放大器

9807．．．緩衝放大器

9808．．．緩衝放大器

9809．．．電流源

9810．．．監控TFT

9811．．．監控發光元件

9812．．．電極

9813．．．電流源

9814．．．監控TFT

9815．．．監控發光元件

110．．．基底

111．．．底層

112．．．導電層圖案

1500．．．大基底

1504．．．影像拾取器裝置

1507．．．台

1511．．．標記

1503．．．面板的區域

151a、1515b、1515c．．．噴頭

128．．．中間層絕緣膜

401．．．雷射光束繪圖設備

402．．．個人電腦

403．．．雷射振盪器

404．．．電源

405．．．光學系統

406．．．聲光調制器

407．．．光學系統

409．．．基底移動裝置

410．．．D/A轉換器

411．．．驅動器

412．．．驅動器

408．．．基底

115．．．金屬線

118．．．閘極絕緣膜

121．．．掩膜

119．．．島狀半導體膜

120．．．N型半導體膜

122．．．源/汲極引線

123．．．源/汲極引線

117．．．引導電極

124．．．通道形成區域

125．．．汲區

126．．．源區

127．．．保護膜

128．．．中間層絕緣膜

129．．．突出部份

130．．．第一電極

140．．．引線

141．．．終端電極

134．．．隔牆

136．．．含有機化合物層

137．．．第二電極

135．．．密封基底

138．．．充填劑

146．．．FPC

145．．．各向異性導電膜

201．．．圖素部份

202．．．圖素

203．．．掃描線輸入端

200．．．基底

2603．．．顯示部份

2607．．．揚聲器部份

2606．．．操作鍵

1311．．．圖素部份

1301．．．驅動TFT

1302．．．絕緣膜

1303．．．電致發光層

1304．．．第二電極

1310．．．驅動電路部份

1305．．．發光方向

204．．．訊號線輸入端

301．．．圖素部份

302．．．掃描驅動電路

300．．．基底

305a、305b．．．驅動IC

304a、304b．．．帶子

2001．．．外殼

2002．．．支撐底座

2003．．．顯示部份

2005．．．視頻輸入端

2201．．．主體

2202．．．外殼

2203．．．顯示部份

2204．．．鍵盤

2205．．．外部連接埠

2206．．．滑鼠

2401．．．主體

2402．．．外殼

2403．．．顯示部份A

2404．．．顯示部份B

2405．．．記錄媒體讀取部份

2406．．．操作鍵

2407．．．揚聲器部份

2600．．．充電器

2602．．．外殼

圖1A和1B是表示依據一個實施例模式的顯示裝置的結構的電路圖。

圖2A和2B是表示依據一個實施例模式的顯示裝置的結構的電路圖。

圖3是表示依據一個實施例模式的顯示裝置的結構的電路圖。

圖4A和4B是表示依據一個實施例模式的顯示裝置的結構的電路圖。

圖5A和5B是表示依據一個實施例模式的顯示裝置的結構的電路圖。

圖6是一個表示校正輸入到驅動圖素部分的訊號驅動電路的視頻訊號的範例視圖。

圖7是一個表示校正輸入到驅動圖素部分的訊號驅動電路的視頻訊號的範例視圖。

圖8A至8E是表示依據一個實施例模式的EL顯示面板的製造步驟的剖面圖。

圖9A至9D是表示依據一個實施例模式的EL顯示面板的製造步驟的剖面圖。

圖10是依據一個實施例模式的EL顯示面板的頂視圖。

圖11是表示依據一個實施例模式的EL顯示模組視圖。

圖12是表示依據一個實施例模式的EL顯示模組視圖。

圖13是表示雷射光束提取裝置的結構視圖。

圖14A至14C是表示依據一個實施例模式的EL顯示面板結構的剖面圖。

圖15是微滴放出裝置的透視圖。

圖16A至16D是電子裝置的範例視圖。

圖17A和17B是分別表示發光元件的V－I特性和溫度之間的關係圖。

圖18是表示依據一個實施例模式的顯示裝置的結構的電路圖。

3004‧‧‧第一電源線

3014‧‧‧監控驅動電晶體

3011‧‧‧監控發光元件

3015‧‧‧電壓追隨器電路

3013‧‧‧監控電流源

3012‧‧‧第三電源

3007‧‧‧閘極訊號線

3009‧‧‧類比開關

3008‧‧‧移位暫存器

3010‧‧‧視頻線

3002‧‧‧驅動電晶體

3003‧‧‧源極訊號線

3005‧‧‧第二電源線

Claims

一種顯示裝置，包含：包括一汲極端和一源極端的第一電晶體；包括一汲極端和一源極端的第二電晶體；包括一輸入端和一輸出端的放大器電路；和一電流源電路，其中第一電晶體的汲極端電連接到第二電晶體的汲極端，其中第一電晶體的源極端電連接到第一發光元件的第一電極，其中第二電晶體的源極端電連接到第二發光元件的第一電極，其中第二發光元件的第二電極電連接到放大器電路的輸入端，其中第二發光元件的第二電極電連接到電流源電路，以及其中第一發光元件的第二電極電連接到放大器電路的輸出端。
一種顯示裝置，包含：包括一源極端和一閘極端的第一電晶體；包括一源極端、一閘極端和一汲極端的第二電晶體；包括一輸入端和一輸出端的放大器電路；一電流源電路；和包括一輸出端和一輸入端的視頻訊號產生電路，其中第一電晶體的源極端電連接到第一發光元件的第一電極，其中第二電晶體的源極端電連接到第二發光元件的第一電極，其中第二電晶體的閘極端電連接到第二電晶體的汲極端，其中第二電晶體的汲極端電連接到放大器電路的輸入端，其中第二電晶體的汲極端電連接到電流源電路，其中第一發光元件的第二電極電連接到第二發光元件的第二電極，其中第一電晶體的閘極端電連接到視頻訊號產生電路的輸出端，其中放大器電路的輸出端電連接到視頻訊號產生電路的輸入端。
一種顯示裝置，包含：包括一汲極端和一源極端的第一電晶體；包括一汲極端和一源極端的第二電晶體；包括一輸入端和一輸出端的放大器電路；和一電流源電路，其中第一電晶體的源極端電連接到第一發光元件的第一電極，其中第二電晶體的源極端電連接到第二發光元件的第一電極，其中第二電晶體的汲極端電連接到放大器電路的輸入端，其中第二電晶體的汲極端電連接到電流源電路，其中第一發光元件的第二電極電連接到第二發光元件的第二電極，以及其中放大器電路的輸出端電連接到第一電晶體的汲極端。
一種顯示裝置，包含：包括一源極端和一汲極端的第一電晶體；包括一源極端和一汲極端的第二電晶體；包括第一電極和第二電極的第一發光元件；包括第一電極和第二電極的第二發光元件；包括一輸入端和一輸出端的放大器電路；和一電流源電路，其中第一電晶體的汲極端電連接到第二電晶體的汲極端，其中第一電晶體的源極端電連接到第一發光元件的第一電極，其中第二電晶體的源極端電連接到第二發光元件的第一電極，其中第二發光元件的第二電極電連接到放大器電路的輸入端，其中第二發光元件的第二電極電連接到電流源電路，其中第一發光元件的第二電極電連接到放大器電路的輸出端，以及其中放大器電路包含電壓追隨器電路。
一種顯示裝置，包含：包括一源極端和一閘極端的第一電晶體；包括一汲極端、一源極端和一閘極端的第二電晶體；包括第一電極和第二電極的第一發光元件；包括第一電極和第二電極的第二發光元件；包括一輸入端和一輸出端的放大器電路；一電流源電路；和包括一輸入端和一輸出端的視頻訊號產生電路，其中第一電晶體的源極端電連接到第一發光元件的第一電極，其中第二電晶體的源極端電連接到第二發光元件的第一電極，其中第二電晶體的閘極端電連接到第二電晶體的汲極端，其中第二電晶體的汲極端電連接到放大器電路的輸入端，其中第二電晶體的汲極端電連接到電流源電路，其中第一發光元件的第二電極電連接到第二發光元件的第二電極，其中第一電晶體的閘極端電連接到視頻訊號產生電路的輸出端，其中放大器電路的輸出端電連接到視頻訊號產生電路的輸入端，以及其中放大器電路包含電壓追隨器電路。
一種顯示裝置，包含：包括一源極端和一汲極端的第一電晶體；包括一源極端和一汲極端的第二電晶體；包括第一電極和第二電極的第一發光元件；包括第一電極和第二電極的第二發光元件；包括一輸入端和一輸出端的放大器電路；和一電流源電路，其中第一電晶體的源極端電連接到第一發光元件的第一電極，其中第二電晶體的源極端電連接到第二發光元件的第一電極，其中第二電晶體的汲極端電連接到放大器電路的輸入端，其中第二電晶體的汲極端電連接到電流源電路，其中第一發光元件的第二電極電連接到第二發光元件的第二電極，其中放大器電路的輸出端電連接到第一電晶體的汲極端，以及其中放大器電路包含電壓追隨器電路。
如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體是N通道電晶體。
如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體是N通道電晶體。
如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體是N通道電晶體。
如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體是N通道電晶體。
如申請專利範圍第5項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體是N通道電晶體。
如申請專利範圍第6項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體是N通道電晶體。
如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由半非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由半非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由半非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由半非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第5項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第5項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由半非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第6項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第6項的顯示裝置，其中第一電晶體和第二電晶體的每一個具有由半非晶半導體膜形成的通道形成區。
如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中第一發光元件和第二發光元件是EL元件。
如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中第一發光元件和第二發光元件是EL元件。
如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中第一發光元件和第二發光元件是EL元件。
如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中第一發光元件和第二發光元件是EL元件。
如申請專利範圍第5項的顯示裝置，其中第一發光元件和第二發光元件是EL元件。
如申請專利範圍第6項的顯示裝置，其中第一發光元件和第二發光元件是EL元件。
如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中顯示裝置包括在從由電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置構成的組中選擇的電子裝置中。
如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中顯示裝置包括在從由電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置構成的組中選擇的電子裝置中。
如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中顯示裝置包括在從由電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置構成的組中選擇的電子裝置中。
如申請專利範圍第4項的顯示裝置，其中顯示裝置包括在從由電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置構成的組中選擇的電子裝置中。
如申請專利範圍第5項的顯示裝置，其中顯示裝置包括在從由電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置構成的組中選擇的電子裝置中。
如申請專利範圍第6項的顯示裝置，其中顯示裝置包括在從由電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置構成的組中選擇的電子裝置中。
一種顯示裝置，包含：一像素部分，其包括一電晶體和一第一發光元件且位於基底上，一驅動IC，其位於基底上，用於修正該第一發光元件之劣化的機構，其中用於修正劣化的該機構包含一電路，其中該電路包含一第二發光元件、一電流源及一放大器電路，其中該第一發光元件包含一第一電極、一第二電極、及一電致發光層，其位於第一電極和第二電極之間，以及其中該電晶體的通道部分包含非晶半導體。
如申請專利範圍第37項的顯示裝置，另包含一掃描線驅動電路，其操作上連接到像素部分。
如申請專利範圍第37項的顯示裝置，該電致發光層包含一有機材料。
如申請專利範圍第37項的顯示裝置，其中該非晶半導體包含矽。
如申請專利範圍第37項的顯示裝置，其中該顯示裝置係整合在一電子裝置中，該電子裝置係選自電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置所構成的組。
一種顯示裝置，包含：一像素部分，其包括一電晶體和一第一發光元件且位於基底上，一驅動IC，其位於基底上，用於修正該第一發光元件之劣化的機構，其中用於修正劣化的該機構包含一電路，其中該電路包含一第二發光元件、一電流源及一放大器電路，其中該第一發光元件包含一第一電極、一第二電極、及一電致發光層，其位於第一電極和第二電極之間，以及其中該電晶體的通道部分包含半非晶半導體。
如申請專利範圍第42項的顯示裝置，另包含一掃描線驅動電路，其操作上連接到像素部分。
如申請專利範圍第42項的顯示裝置，該電致發光層包含一有機材料。
如申請專利範圍第42項的顯示裝置，其中該半非晶半導體包含矽。
如申請專利範圍第42項的顯示裝置，其中該顯示裝置係整合在一電子裝置中，該電子裝置係選自電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置所構成的組。
一種顯示裝置，包含：一像素部分，其包括一第一電晶體和一發光元件且位於基底上，一源極訊號線驅動電路，其操作上連接到該像素部分；以及一電路，包含：一第二電晶體；一電流源，配置以提供流過該第二電晶體的電流；一緩衝放大器，電連接到位於該第二電晶體和該電流源之間的節點；一差分放大器，包括一第一輸入端及一第二輸入端，其中該節點經由該緩衝放大器電連接到該第一輸入端，且其中該第二輸入端電連接到電源；以及一加法器電路，配置以相加輸出自該差分放大器的電壓與視頻訊號，其中該源極訊號線驅動電路配置以接收自該加法器電路之輸出視頻訊號，以及其中該發光元件包含一第一電極、一第二電極、及一電致發光層，其位於第一電極和第二電極之間。
如申請專利範圍第47項的顯示裝置，另包含一掃描線驅動電路，其操作上連接到像素部分。
如申請專利範圍第47項的顯示裝置，該電致發光層包含一有機材料。
如申請專利範圍第47項的顯示裝置，其中該第一電晶體包括包含非晶矽的通道部分。
如申請專利範圍第47項的顯示裝置，其中該顯示裝置係整合在一電子裝置中，該電子裝置係選自電視裝置，個人電腦，以及攜帶型影像再生裝置所構成的組。
如申請專利範圍第47項的顯示裝置，其中該第一電晶體包括半非晶矽的通道部分。
如申請專利範圍第47項的顯示裝置，另包含一發光元件，其經由該第二電晶體電連接到該電流源。
一種發光裝置，包含：一電晶體；一發光元件；一電流源，其中該發光元件經由該電晶體電連接到該電流源；一緩衝放大器，電連接到位於該電晶體與該電流源之間的節點；一差分放大器，包括一第一輸入端及一第二輸入端，其中該節點經由該緩衝放大器電連接到該第一輸入端，且其中該第二輸入端電連接到電源；一加法器電路，配置以相加輸出自該差分放大器的電壓與視頻訊號；以及一驅動電路，配置以接收自該加法器電路的輸出視頻訊號。
如申請專利範圍第54項之發光裝置，其中該電晶體的閘極連接到位於該電晶體與該電流源之間的該節點。
一種用於顯示裝置的電路，包含：一電晶體；一電流源，配置以提供流過該電晶體的電流；一緩衝放大器，電連接到位於該電晶體與該電流源之間的節點；一差分放大器，包括一第一輸入端及一第二輸入端，其中該節點經由該緩衝放大器電連接到該第一輸入端，且其中該第二輸入端電連接到電源；一加法器電路，配置以相加輸出自該差分放大器的電壓與視頻訊號；以及一源極訊號線驅動電路，配置以接收自該加法器電路的輸出視頻訊號。
如申請專利範圍第56項的電路，其中該電晶體的閘極連接到位於該電晶體與該電流源之間的該節點。