CN100565639C - 显示装置和电子装置 - Google Patents

Abstract

当由于环境温度变化和时间变化导致的发光元件的特性变化时，发光元件的亮度变化。本发明的一个目的是抑制由于环境温度变化和时间变化导致的发光元件的电流值的影响。本发明提供一种显示装置，它提供有对环境温度的变化的补偿功能和对时间变化的补偿功能。本发明的显示装置包括发光元件，与发光元件连接的驱动晶体管，以及监控发光元件。通过使用监控发光元件，由于环境温度变化和时间变化导致的发光元件的电流值变化的影响可以得以抑制。

Description

显示装置和电子装置

技术领域

本发明涉及一种电子显示装置以及一种具有发光元件的电视装置。

背景技术

最近，以EL(电致发光)元件为代表的具有发光元件的显示装置已经得以发展并且期望采用作为自发光型装置的优点，诸如高图像质量，宽视角，薄设计，和重量轻而得以广泛使用。发光元件具有它的亮度与电流值成正比的特性。因此，存在一种采用恒定电流驱动的显示装置，其中为了获得精确的灰度级将恒定电流施加到发光元件上(例如，参见专利文件1)。

【专利文件1】

日本专利公开第2003-323159。

发明内容

发光元件具有电阻值(内电阻)依据周围温度(以下称为环境温度)变化的特性。尤其是，将室内温度设置为常温，当温度变得高于常温时，电阻值下降，而当温度变得低于常温时电阻值增加。因此，当温度升高时，随着电流值的增加，获得高于所期望的亮度。因而，在较低温度下施加相同的电压时，随着电流值的降低，获得低于所期望的亮度。在发光元件的电压-电流特性(以下称为V-I)与温度之间的关系的曲线图中示出这种发光元件的特性(参见图17A)。此外发光元件具有它的电流值随着时间下降的特性。特别的当累计发光和非发光时间时，依据发光元件的退化，电阻值增加。因此，在累计发光和非发光时间后施加相同电压的情况，随着电流值下降获得低于所期望的亮度。在发光元件的电压-电流特性(以下称为V-I)与时间之间的关系的曲线图中示出这种发光元件的特性(参见图17B)。

由于前述的发光元件的特性，当环境温度变化和出现时间变化时其亮度变化。鉴于前述，本发明抑制由于环境温度和时间变化导致的电流值变化的影响。

本发明提供一种显示装置，该显示装置对于环境温度的变化提供有补偿功能，并且对于随着时间的变化提供有补偿功能(以下共同称为补偿功能)。

本发明提供一种具有第一晶体管和第二晶体管的显示装置。第一晶体管的漏极端和第二晶体管的漏极端电连接。第一晶体管的源极端和为第一发光元件提供电流的第一电极电连接。第二晶体管的源极端和为第二发光元件提供电流的第一电极电连接。为第二发光元件提供电流的其它电极和放大器电路的输入端电连接。为第二发光元件提供电流的第二电极和电流源电路电连接。为第一发光元件提供电流的第二电极和放大器电路的输出端电连接。

本发明提供一种具有第一晶体管和第二晶体管的显示装置。第一晶体管的源极端和为第一发光元件提供电流的第一电极电连接。第二晶体管的源极端和为第二发光元件提供电流的第一电极电连接。第二晶体管的栅极端和第二晶体管的漏极端电连接。第二晶体管的漏极端和放大器电路的输入端电连接。第二晶体管的漏极端和电流源电路电连接。为第一发光元件提供电流的第二电极和为第二发光元件提供电流的第二电极电连接。第一晶体管的栅极端和视频信号产生电路的输出端电连接。放大器电路的输出端与视频信号产生电路的输入端电连接。

本发明提供一种具有第一晶体管和第二晶体管的显示装置。第一晶体管的源极端和为第一发光元件提供电流的第一电极电连接。第二晶体管的源极端和为第二发光元件提供电流的第一电极电连接。第二晶体管的漏极端和放大器电路的输入端电连接。第二晶体管的漏极端和电流源电路电连接。为第一发光元件提供电流的第二电极和为第二发光元件提供电流的第二电极电连接。放大器电路的输出端与第一晶体管的漏极端电连接。

本发明提供一种具有第一晶体管，第二晶体管，第一发光元件和第二发光元件的显示装置。第一晶体管的漏极端和第二晶体管的漏极端电连接。第一晶体管的源极端和第一发光元件的一个电极电连接。第二晶体管的源极端和第二发光元件的一个电极电连接。第二发光元件的其它电极与电压跟随器电路的输入端电连接。第二发光元件的其它电极与电流源电路电连接。第一发光元件的其它电极和电压跟随器电路的输出端电连接。

本发明提供一种具有第一晶体管，第二晶体管，第一发光元件和第二发光元件的显示装置。第一晶体管的源极端和第一发光元件的一个电极电连接。第二晶体管的源极端和第二发光元件的一个电极电连接。第二晶体管的栅极端和第二晶体管的漏极端电连接。第二晶体管的漏极端和电压跟随器的输入端电连接。第二晶体管的漏极端和电流源电路电连接。第一发光元件的其它电极和第二发光元件的其它电极电连接。第一晶体管的栅极端和视频信号产生电路的输出端电连接。电压跟随器电路的输出端和视频信号产生电路的输入端电连接。

本发明提供一种具有第一晶体管，第二晶体管，第一发光元件和第二发光元件的显示装置。第一晶体管的源极端和第一发光元件的一个电极电连接。第二晶体管的源极端和第二发光元件的一个电极电连接。第二晶体管的漏极端和电压跟随器电路的输入端电连接。第二晶体管的漏极端和电流源电路电连接。第一发光元件的其它电极和第二发光元件的其它电极电连接。电压跟随器电路的输出端和第一晶体管的漏极端电连接。

在上述结构中，每个晶体管的沟道形成区域可以由非晶体半导体或半非晶体半导体形成。即，可以使用由非晶体半导体薄膜或半非晶体半导体薄膜形成的薄膜晶体管(以下称为TFT)。

本发明提供一种设置有任何一种前述结构的电视装置。该电视装置是一种薄装置，它的象素是使用电致发光材料形成的。

本发明可以提供一种显示装置，它抑制了由环境温度变化和时间变化导致的发光元件的电流值变化的影响。

附图说明

图1A和1B是表示依据一个实施方式的显示装置的结构的电路图。

图2A和2B是表示依据一个实施方式的显示装置的结构的电路图。

图3是表示依据一个实施方式的显示装置的结构的电路图。

图4A和4B是表示依据一个实施方式的显示装置的结构的电路图。

图5A和5B是表示依据一个实施方式的显示装置的结构的电路图。

图6是一个表示校正输入到驱动象素部分的信号驱动电路的视频信号的范例视图。

图7是一个表示校正输入到驱动象素部分的信号驱动电路的视频信号的范例视图。

图8A至8E是表示依据一个实施方式的EL显示面板的制造步骤的剖面图。

图9A至9D是表示依据一个实施方式的EL显示面板的制造步骤的剖面图。

图10是依据一个实施方式的EL显示面板的顶视图。

图11是表示依据一个实施方式的EL显示模块视图。

图12是表示依据一个实施方式的EL显示模块视图。

图13是表示激光束提取装置的结构视图。

图14A至14C是表示依据一个实施方式的EL显示面板结构的剖面图。

图15是微滴放出装置的透视图。

图16A至16D是电子装置的范例视图。

图17A和17B是分别表示发光元件的V-I特性和温度之间的关系图。

图18是表示依据一个实施方式的显示装置的结构的电路图。

具体实施方式

尽管将要参考附图通过实例描述本发明，但本领域的技术人员可以理解各种变化和改变是显而易见的。因此，除非这种变化和改变超出了本发明的范围，应该将其解释为包含在其中。因此，实施方式和实施例不能作为本发明的限制。

【实施方式1】

图1表示电路结构。象素包括选择晶体管3001，驱动晶体管3002，和发光元件3006。输入视频信号的源信号线3003和驱动晶体管3002的栅极端通过选择晶体管3001连接。选择晶体管3001的栅极端连接到栅极信号线3007。驱动晶体管3002和发光元件3006连接在第一电源线3004和第二电源线3005之间。电流从第一电源线3004流到第二电源线3005。发光元件3006依据提供给它的电流的大小发光。

使用移位寄存器3008控制设置在输入视频信号的视频线3010和源信号线3003之间的模拟开关3009。提供给源信号线3003的视频信号输入到驱动晶体管3002的栅极电极。依照视频信号，电流流到驱动晶体管3002和发光元件3006。

值得注意，为了保持输入到驱动晶体管3002的栅极端的视频信号可以设置电容器。如果那样的话，可以将电容器设置在驱动晶体管3002的栅极端和驱动晶体管3002的漏极端之间。可选择的，可以将电容器设置在驱动晶体管3002的栅极端和驱动晶体管3002的源极端之间。另外，可以将电容器设置在驱动晶体管3002的栅极端和其它引线(专用引线，前级象素的栅极信号线等)之间。当驱动晶体管3002的栅极电容足够大时，不必要设置电容器。值得注意，驱动晶体管3002和选择晶体管3001是N沟道晶体管，但是本发明并不局限于此。

在这种象素结构中，当第一电源线3004和第二电源线3005的电势固定时，电流持续流到发光元件3006和驱动晶体管3002，由此它的特性退化。发光元件3006和驱动晶体管3002根据温度改变它们的特性。特别的，当电流持续流向发光元件3006时，V-I特性移动。就是说，发光元件3006的电阻值增加，因此，即使施加相同的电压，向其提供电流值变小。此外，即使提供相同的电流，发光率降低并且亮度降低。随着温度状态，当温度下降时，发光元件3006的V-I特性移动，由此发光元件3006的电阻值变高。

类似的，当电流持续流到驱动晶体管3002时，它的阈值电压变高。因此，即使施加相同的栅极电压，电流也变小。此外，依据温度，流过它的电流值也变化。

考虑到这个，为了校正前述退化和变化的影响，使用监控电路。在该实施方式中，通过控制第二电源线3005的电势，校正了发光元件3006的退化和温度变化以及由于退化导致的驱动晶体管3002的电流值的变化。

将描述监控电路的结构。在第一电源线3004和第三电源线3012之间连接监控驱动晶体管3014，监控发光元件3011，和监控电流源3013。电压跟随器电路3015的输入端连接在监控发光元件3011和监控电流源3013的接合处。电压跟随器电路3015的输出端连接到第二电源线3005。因此，第二电源线3005的电势由电压跟随器电路3015的输出控制。

接下来，将描述监控电路的操作。首先，监控电流源3013为发光元件3006提供发光元件3006所需的电流以便在最高灰度级发光。此时的电流值称为Imax。当发光元件3006在最高灰度级发光时，将电势Vb施加到监控驱动晶体管3014的栅极端，该电势Vb与输入到象素(驱动晶体管3006的栅极端)的视频信号的电势相同。

接下来，将提供具有Imax大小的电流的足够高的电压施加作为在监控驱动晶体管3014的栅极和源极(以下称为栅-源电压)之间的电压。就是说，监控驱动晶体管3014的源极电势变成足够高以提供具有Imax大小的电流。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控驱动晶体管3014的阈值电压变化，栅-源电压(源极电势)相应的变化，因此变成一个最佳电平。因此，能校正阈值电压变化(退化，温度变化以及类似)的影响。

类似的，将提供具有Imax大小的电流的足够高的电压施加在监控发光元件3011的两端。即使由于退化，温度以及类似原因导致的监控发光元件3011的V-I特性变化，监控发光元件3011的两端的电压相应的变化，因此变成一个最佳电平。因此，能校正监控发光元件3011的变化(退化，温度变化以及类似)的影响。

将施加在监控驱动晶体管3014的电压和施加到监控发光元件3011的电压的总和输入到电压跟随器电路3015的输入端。因此，电压跟随器电路3015的输出端的电势，也是第二电源线3005由监控电路校正。因此，由于退化和温度导致的发光元件3006和驱动晶体管3002的变化也能得以校正。

值得注意，电压跟随器电路不局限于此。即，只要它依据输入电流输出电压，任何电路都能应用。电压跟随器电路是放大器电路的一种，但是，本发明不局限于此。电路可以配置为使用任意一个或多个运算放大器，双极晶体管，和MOS晶体管的结合。

优选的，根据相同的制造方法将监控发光元件3011和监控驱动晶体管3014与发光元件3006和驱动晶体管3002同时形成在相同的衬底上。这是因为如果设置在象素内的监控元件和晶体管之间的特性不同，就不能执行同样的校正。

描述是基于这种情况，即将在发光元件3006在最高灰度级发光时与输入到象素(驱动晶体管3002的栅极端)的视频信号一样高的电势施加到监控驱动晶体管3014的栅极端上，并且当发射时，把发光元件3006在最高灰度级发光所需的电流提供给监控电流源3013。但是，本发明不局限于此。

如果施加基于最高灰度级的电势，则监控发光元件3011和监控驱动晶体管3014比设置在一个象素内的发光元件3006和驱动晶体管3002退化的更多。因此，更多地校正从电压跟随器电路3015输出的电势。因此，可以设置监控电路，以便以与实际的象素相同的速度退化。例如，当整个屏幕的发光率是30％时，监控电路可以在对应于30％的亮度的灰度级下工作。

特别的，当发光元件3006在对应于30％的亮度的灰度级发光时，可以把与输入到象素(驱动晶体管3002的栅极端)的视频信号一样高的电势施加在监控驱动晶体管3014的栅极端。当发光元件3006在对应于30％的亮度的灰度级发光时，可以将具有提供给发光元件3006的大小的电流提供给监控电流源3013。

值得注意，当发光元件驱动在饱和区域时，如图1B所示，为了增加发光元件的灰度级，将增加视频信号的电压。在该实施方式，校正第二电源线3005的电势，第二电源线3005连接到发光元件3006的一个电极。因此，不需要校正用于增加发光元件的灰度级的视频信号的电压(视频电压)。

值得注意当监控电路依据最高灰度级工作时，输出被更多校正的电势。但是因为图像持续性(由于象素中退化率的变化导致的亮度变化)变得不太明显，优选的监控电路依据最高的灰度级工作。因此，优选的监控电路依据最高的灰度级工作。

值得注意，驱动晶体管3002可仅在饱和区域，也可以既在饱和区域又在线性区域，或者仅在线性区域工作。

当驱动晶体管3002仅在线性区域工作的情况下，驱动晶体管3002主要是作为开关工作的。因此，由于驱动晶体管3002的退化、温度变化和类似的原因导致的特性变化影响不大。但是，校正由于退化、温度变化和类似的原因导致的发光元件3006的特性变化的影响。在驱动晶体管3002仅在线性区域工作的情况下，经常数字地控制是否将电流提供给发光元件3006。在这种情况下，为了执行多灰度级显示，经常结合使用定时灰度级方法，区域灰度级方法以及类似的方法。

【实施方式2】

在该实施方式中，将描述使用视频信号执行校正的情况。

图2A表示电路结构。象素包括选择晶体管3001，驱动晶体管3002，和发光元件3006。输入视频信号的源信号线3003和驱动晶体管3002的栅极端通过选择晶体管3001连接。选择晶体管3001的栅极端连接到栅极信号线3007。驱动晶体管3002和发光元件3006连接在第一电源线3004和第二电源线4005之间。电流从第一电源线3004流到第二电源线4005。发光元件3006依据提供给它的电流发光。

使用移位寄存器3008控制设置在视频线3010和源信号线3003之间的模拟开关3009，对视频线3010输入视频信号。提供给源信号线3003的视频信号输入到驱动晶体管3002的栅极电极。电流根据视频信号流到驱动晶体管3002和发光元件3006。

视频信号产生电路4031连接为给视频线3010提供视频信号的电路。视频信号产生电路4031具有处理视频信号的功能，该视频信号用于校正由于退化、温度变化以及类似的原因导致的驱动晶体管3002和发光元件3006的变化。

在这种象素结构中，当第一电源线3004和第二电源线4005的电势固定时，电流持续流到发光元件3006和驱动晶体管3002，由此它的特性退化。发光元件3006和驱动晶体管3002依据温度改变它们的特性。

特别的，当电流持续流向发光元件3006时，V-I特性移动。就是说，发光元件3006的电阻值增加，因此，即使施加相同的电压，对其提供的电流值变小。此外，即使提供相同的电流，发光率降低并且亮度降低。作为温度特性，当温度下降时，发光元件3006的V-I特性移动，由此发光元件3006的电阻值变高。

类似的，当电流持续流到驱动晶体管3002时，它的阈值电压变高。因此，即使施加相同的栅极电压，电流也变小。依据温度，流过它的电流值同样也变化。

考虑到这个，为了校正前述退化和变化的影响，使用监控电路。在该实施方式中，通过控制视频信号的电压，校正了由于退化和温度导致的发光元件3006和驱动晶体管3002的变化。

首先，将描述监控电路的结构。在第一电源线4012和第二电源线4005之间连接监控电流源4013，监控驱动晶体管4014，监控发光元件4011。电压跟随器电路4015的输入端连接在监控电流源4013和监控发光元件4011的接合处。电压跟随器电路4015的输出端连接到视频信号产生电路4031。因此，视频信号的电压由电压跟随器电路4015的输出控制。

接下来，将描述监控电路的工作。首先，监控电流源4013为发光元件3006提供发光元件3006所需的电流以便在最高灰度级发光。此时的电流值称为Imax。将监控驱动晶体管4014的栅极端连接到监控驱动晶体管4014的漏极端。

然后，将施加提供具有Imax的大小的电流的足够高的电压，作为监控驱动晶体管4014的栅-源电压。就是说，监控驱动晶体管4014的源极电势变成足够高以提供具有Imax的大小的电流。当漏极端连接到栅极端时，漏极电势变为足够高以提供具有Imax的大小的电流。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控驱动晶体管4014的阈值电压变化，栅-源电压(源极电势和漏极电势)相应的变化，因此变成一个最佳电平。因此，能校正阈值电压变化(退化，温度变化以及类似)的影响。

类似的，将提供具有Imax的大小的电流的足够高电压施加在监控发光元件4011的两端。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控发光元件4011的阈值电压变化，监控发光元件4011的两端的电压也相应的变化，因此成为一个最佳电平。因此，能校正监控发光元件4011的变化(退化，温度变化以及类似)的影响。

将施加在监控驱动晶体管4014的电压和施加到监控发光元件4011的电压的总和输入到电压跟随器电路4015的输入端。因此，电压跟随器电路4015的输出端的电势，也就是从视频信号产生电路4031输出的视频信号的电势由监控电路校正。因此，由于退化和温度变化导致的发光元件3006和驱动晶体管3002的变化也能得以校正。

值得注意电压跟随器电路不局限于此。即，只要它依据输入电流输出电压，任何电路都能应用。电压跟随器电路是放大器电路的一种，但是，本发明并不局限于此。电路可以配置为使用任意一个或多个运算放大器、双极晶体管和MOS晶体管的结合。

优选的，通过同样的制造方法将监控发光元件4011和监控驱动晶体管4014与发光元件和驱动晶体管3002同时形成在相同的衬底上。这是因为如果设置在象素内的监控元件和晶体管之间的特性不同，不能执行同样的校正。

已经对这种情况进行了描述，即当发光元件3006在最高灰度级发光时，将与输入到象素(驱动晶体管3002的栅极端)的视频信号一样高的电势施加到监控驱动晶体管4014的栅极端上，并且把发光元件3006在最高灰度级发光所需的电流提供给监控电流源4013。但是，本发明并不局限于此。

如果施加基于最高灰度级的电势，则监控发光元件4011和监控驱动晶体管4014比设置在一个象素内的发光元件3006和驱动晶体管3002退化的更多。因此，更多地校正从电压跟随器电路4015输出的电势。因此，可以设置监控电路以与实际的象素相同的速度退化。例如，当整个屏幕的发光率是30％时，监控电路可以在对应于30％的亮度的灰度级工作。

值得注意，当发光元件在饱和区域驱动时，如图2B所示为了增加发光元件的灰度级，将增加视频信号的电压。在该实施方式，校正驱动晶体管3002的栅极端的电势。因此，依据发光元件3006的特性的变化，如图2B所示通过校正视频信号的电压(视频电压)，可以显示发光元件的理想的亮度。

特别的，当发光元件3006在对应于30％的亮度的灰度级发光时，可以将提供给发光元件3006的期望大小的电流提供给监控电流源4013。视频信号产生电路4031可以相应的输出视频信号。

值得注意，当监控电路依据最高的灰度级工作时，输出被更多校正的电势。但是因为图像持续性(由于象素中退化率的变化导致的亮度变化)变得不太明显，优选的监控电路依据最高的灰度级工作。因此，优选的是监控电路依据最高的灰度级工作。

值得注意，驱动晶体管3002可以仅在饱和区域，或者在饱和区域和线性区域工作。

【实施方式3】

在该实施方式中，将描述使用第一电源线的电势执行校正的情况。

图3A表示电路结构。象素包括选择晶体管3001，驱动晶体管3002，和发光元件3006。输入视频信号的源信号线3003和驱动晶体管3002的栅极端通过选择晶体管3001连接。选择晶体管3001的栅极端连接到栅极信号线3007。驱动晶体管3002和发光元件3006连接在第一电源线5004和第二电源线5005之间。电流从第一电源线5004流到第二电源线5005。发光元件3006依据提供给它的电流的大小发光。

使用移位寄存器3008控制设置在视频线3010和源信号线3003之间的模拟开关3009，对视频线3010输入视频信号。将提供给源信号线3003的视频信号输入到驱动晶体管3002的栅极电极。依据视频信号大小，电流流到驱动晶体管3002和发光元件3006。

在这种象素结构中，当第一电源线5004和第二电源线5005的电势固定时，发光元件3006和驱动晶体管3002的特性在电流持续流过它们时退化。发光元件3006和驱动晶体管3002依据温度改变它们的特性。

特别的，当电流持续流向发光元件3006时，V-I特性移动。就是说，发光元件3006的电阻值增加，因此，即使施加相同的电压，对其提供的电流值变小。此外，即使提供相同的电流，发光率降低并且亮度降低。作为温度特性，当温度下降时，发光元件3006的V-I特性移动，由此发光元件3006的电阻值变高。

类似的，当电流持续流到驱动晶体管3002时，它的阈值电压变高。因此，即使施加相同的栅极电压，电流也变小。依据温度，流过它的电流值也变化。

考虑到这个，为了校正前述退化和变化的影响，使用监控电路。在该实施方式中，通过控制第一电源线5004的电势，校正由于退化和温度导致的发光元件3006和驱动晶体管3002的变化。

将描述监控电路的结构。在第一电源线5012和第二电源线5005之间连接监控电流源5013、监控驱动晶体管5014和监控发光元件5011。电压跟随器电路5015的输入端连接在监控电流源5013和监控发光元件5011的接合处。电压跟随器电路5015的输出端连接到第一电源线5004。因此，第一电源线5004的电势由电压跟随器电路5015的输出控制。

接下来，将描述监控电路的工作。首先，监控电流源5013为发光元件3006提供发光元件3006所需的电流以便在最高灰度级发光。此时的电流值称为Imax。当发光元件3006在最高灰度级发光时，将与输入到象素(驱动晶体管3002的栅极端)的视频信号的电势一样高的电势Vc施加到监控驱动晶体管5014的栅极端。

然后，施加提供具有Imax的大小的电流的足够高的电压作为栅-源电压或者监控驱动晶体管5014的漏极和源极(以下简称漏-源)之间的电压。就是说，监控驱动晶体管5014的源极电势和漏极电势变成足够高以提供具有Imax的大小的电流。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控驱动晶体管5014的阈值电压变化，栅-源电压(源极电势)和漏-源电压(漏极电势)相应地变化，从而变成一个最佳电平。因此，能校正阈值电压变化(退化，温度变化以及类似原因)的影响。

类似的，将提供具有Imax的大小的电流的足够高的电压施加在监控发光元件5011的两端。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控发光元件5011的V-I特性变化，监控发光元件5011的两端的电压相应的变化，由此变成一个最佳电平。因此，能校正监控发光元件5011的变化(退化，温度变化以及类似原因)的影响。

将施加在监控驱动晶体管5014的电压和施加到监控发光元件5011的电压的总和输入到电压跟随器电路5015的输入端。因此，电压跟随器电路5015的输出端的电势，也就是第一电源线5004的电势由监控电路校正。因此，由于退化和温度变化导致的发光元件3006和驱动晶体管3002的变化也能得以校正。

值得注意，电压跟随器电路并不局限于此。即，只要它依据输入电流输出电压，任何电路都能应用。电压跟随器电路是放大器电路的一种，但是，本发明并不局限于此。电路可以配置为使用任意一个或多个运算放大器，双极晶体管，和MOS晶体管的结合。

优选的，通过同样的制造方法将监控发光元件5011和监控驱动晶体管5014与发光元件3006和驱动晶体管3002同时形成在相同衬底上。这是因为如果设置在象素内的监控元件和晶体管之间的特性不同，不能执行同样的校正。

常常存在一个周期，此时没有将电流提供给设置在一个象素内的发光元件3006和驱动晶体管3002上。因此，当电流持续流到监控发光元件5011和监控驱动晶体管5014时，它们的退化多于发光元件3006和驱动晶体管3002。因此，从电压跟随器电路5015输出的电势被更多校正。因此，可以将监控电路设置为以与实际象素相同的速度退化。例如，当整个屏幕的发光率是30％时，仅在对应于30％的亮度的周期内，可以将电流设置为流到监控发光元件5011和监控驱动晶体管5014。此时，存在一个没有将电流提供给监控发光元件5011和监控驱动晶体管5014上的周期，但是，需要从电压跟随器电路5015的输出端没有变化地提供电压。为了实现这个目的，在电压跟随器电路5015的输入端设置一个电容器，用于保持当将电流提供给监控发光元件5011和监控驱动晶体管5014时的电势。

值得注意，当监控电路依据最高灰度级工作时，输出被更多校正的电势，但是因为图像持续性(由于象素中退化的变化导致的亮度变化)变得不太明显，优选的监控电路依据最高灰度级工作。因此，优选的是监控电路依据最高灰度级工作。

优选的，驱动晶体管3002在线性区域工作。这是因为，在该实施方式中为了校正第一电源线5004的电势，驱动晶体管3002的漏极电势变化。当驱动晶体管3002在饱和区域工作时，即使它的漏极电势变化时，流过驱动晶体管3002的电流也变化不大。另一方面，当驱动晶体管3002在线性区域工作时，当漏极电势变化时电流值改变，因此校正具有较大的影响。因此，优选的驱动晶体管3002在线性区域工作。

当驱动晶体管3002仅在饱和区域工作的情况下，它主要是作为开关工作的。此外，由于退化、温度和类似的原因导致的驱动晶体管3002的特性变化没有大的影响。但是，校正由于退化、温度和类似的原因导致的发光元件3006的特性变化的影响。在驱动晶体管3002仅在线性区域工作的情况下，经常数字地控制是否将电流提供给发光元件3006。在这种情况下，为了执行多灰度级显示，经常结合使用定时灰度级方法，区域灰度级方法等。

【实施方式4】

图4A表示电路结构。象素包括选择晶体管6001，驱动晶体管6002，保持晶体管6009，电容器6010，和发光元件6006。输入视频信号的源信号线6003和驱动晶体管6002的源极端通过选择晶体管6001连接。选择晶体管6001的栅极端连接到栅极信号线6007。驱动晶体管6002和发光元件6006连接在第一电源线6004和第二电源线6005之间。电流从第一电源线6004流到第二电源线6005。发光元件6006依据提供给它的电流的大小发光。当将保持晶体管6009连接在驱动晶体管6002的漏极和源极之间时，在驱动晶体管6002的栅极和源极之间设置电容器6010。保持晶体管6009的栅极端连接到栅极信号线6007。

信号驱动电路包括视频电流源电路6008。视频电流源电路6008为象素提供对应视频信号的大小的电流。当选择栅极信号线6007时，将视频信号提供到源信号线6003并且输入到驱动晶体管6002。此时，随着第一电源线6004的电势的变化，由于第二电源线6005的电势，电流不流到发光元件6006。依据视频信号的幅度，驱动晶体管6002的一个理想电平的栅-源电压聚集在电容器6010上。此后，栅极信号线6007变成非选择状态，由此保持聚集在电容器6010上的电荷。因此，即使当驱动晶体管6002的漏极电势和源极电势变化时，驱动晶体管6002的栅-源电压也不变化。接着，第一电源线6004的电势返回并且对应视频信号的大小的电流流到驱动晶体管6002，并且接着流到发光元件6006。

图4B表示栅极信号线6007和第一电源线6004的电势的时序图。首先，从第i的栅极信号线Vp(i)输入用于接通选择晶体管6001和保持晶体管6009的信号。同时，将电势是栅极信号线Vp(i)的反相的信号输入到第i的第一电源线Vg(i)。因此，栅-源电压足够高以流到驱动晶体管6002，对应视频信号的幅度的电流聚焦在电容器6010上。同时，通过与第二电源线6005的电势的关联，可以控制由驱动晶体管6002提供的电流不被施加到发光元件6006上。此时，通过使得第二电源线6005的电势变高，可以控制电流不被提供到发光元件6006。在这种情况下，为流到驱动晶体管6002的栅-源电压，对应视频电流源电路6008的视频信号的幅度的电流在一个寻址周期(写周期)内聚集在所有象素的电容器6010上，由此在维持周期(发光周期)内所有的象素都可以立即发光。在第(i+1)的栅极信号线Vp(i+1)，第(i+1)的第一电源线Vg(i+1)，和第(i+2)的栅极信号线Vp(i+2)，以及第(i+2)的第一电源线Vg(i+2)中可以执行类似的操作。

值得注意，驱动晶体管6002和选择晶体管6001是N-沟道晶体管。但是本发明并不局限于此。

在这种象素结构中，当电流持续流到发光元件6006时，它的特性退化。此外，由于发光元件的温度或者发光元件周围的温度导致发光元件6006的特性变化。

特别的，当电流持续流向发光元件6006时，即使施加同样的电流，发光率降低并且亮度降低。

考虑到这个，通过使用监控电路校正前述退化和变化的影响。在该实施方式中，通过控制视频信号的电流大小，校正了由于退化和温度导致的发光元件6006的变化。

将描述监控电路的结构。在第一电源线6012和第二电源线6005之间连接监控电流源6013，监控驱动晶体管6014，和监控发光元件6011。电压跟随器电路6015的输入端连接在监控电流源6013和监控驱动晶体管6014的接合处。电压跟随器电路6015的输出端连接到视频信号产生电路6031的输入端，该视频信号产生电路6031控制通过视频电流源电路6008输出的电流的大小。因此，视频电流源电路6008输出的电流大小由电压跟随器电路6015的输出控制。

接下来，将描述监控电路的工作。首先，监控电流源6013为发光元件6006提供发光元件6006所需的电流以便在最高灰度级发光。此时的电流值称为Imax。

接下来，将提供具有Imax的大小的电流的足够高的电压作为监控驱动晶体管6014的栅-源电压施加，监控驱动晶体管6014的栅极端和漏极端连接。就是说，监控驱动晶体管6014的源极电势和漏极电势变成足够高以提供具有Imax的大小的电流。

类似的，将提供具有Imax的大小的电流的足够高的电压施加在监控发光元件6011的两端。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控发光元件6011的V-I特性变化，监控发光元件6011两端的电压相应地变化，由此变成一个最佳电平。因此，能校正监控发光元件6011的变化(退化，温度变化以及类似原因)的影响。

将施加在监控驱动晶体管6014的电压和施加到监控发光元件6011的电压的总和输入到电压跟随器电路6015的输入端。因此，由电压跟随器电路6015的输出端输出的电流，也就是视频电流源电路6008输出的电流的大小由监控电路校正。因此，由于退化和温度变化导致的发光元件6006的变化也能得以校正。

值得注意，电压跟随器电路并不局限于此。即，只要它依据输入电流输出电压，任何电路都能应用。电压跟随器电路是放大器电路的一种，但是，本发明并不局限于此。电路可以配置为使用任意一个或多个运算放大器，双极晶体管，和MOS晶体管的结合。

优选的。按照同样的制造方法将监控发光元件6011和监控驱动晶体管6014与发光元件6006和驱动晶体管6002同时形成在相同的衬底上。这是因为如果设置在象素内的监控元件和晶体管之间的特性不同，不能执行同样的校正。

已经描述了对监控电流源6013提供有发光元件6006在最高灰度级发光所需的电流的情况。但是，本发明并不局限于此。

依据最高灰度级，监控发光元件6011比设置在一个象素内的发光元件6006退化的更多。因此，更多校正从电压跟随器电路6015输出的电势。因此。可以设置监控电路以与实际的象素相同的速度降低。例如，当整个屏幕的平均发光率是30％时，监控电路可以在对应30％的亮度的灰度级运行。特别的，当发光元件6006在对应30％的亮度的灰度级发光时，可以将具有提供给发光元件6006的期望大小的电流提供给监控电流源6013。视频信号发生电路6031可以相应输出视频信号。

值得注意，当监控电路依据最高灰度级工作时，输出被更多校正的电势，但是，因为图像持续性(由于象素中退化的变化导致的亮度变化)变得不太明显，优选的检测监控电路依据最高灰度级工作。因此，优选的监控电路依据最高灰度级工作。

值得注意，驱动晶体管6002可仅在饱和区域，可以在饱和区域和线性区域，或者仅在线性区域工作。

值得注意，象素结构并不局限于图4。在图4中，将具有按照视频信号的大小的电流提供给象素。即使当驱动晶体管6002的电流特性变化时，可以将具有按照视频信号的大小的电流提供给发光元件6006。即，驱动晶体管6002的电流特性的变化被校正了。图18表示作为示例的另一个象素结构，其中驱动晶体管的电流特性变化是通过为象素提供具有按照视频信号的大小的电流来校正的。

象素包括选择晶体管1801，驱动晶体管1802，转换晶体管1811，保持晶体管1809，电容器1810，和发光元件1806。输入视频信号的源信号线1803和驱动晶体管1802的栅极端通过选择晶体管1801和保持晶体管1809连接。选择晶体管1801设置在源极信号线1803和转换晶体管1811的漏极端之间。选择晶体管1801的栅极端和保持晶体管1809连接到栅极信号线1807。驱动晶体管1802和发光元件1806连接在第一电源线1804与第二电源线1805之间。电流从第一电源线1804流到第二电源线1805。依据流过第一电源线1804与第二电源线1805之间的电流，发光元件1806发光。电容器1810连接在驱动晶体管1802的栅极端并保持它的栅极电势。电容器1810连接在驱动晶体管1802的栅极端和引线1812之间，但是，本发明并不局限于此。电容器1810可以连接在驱动晶体管1802的栅极和源极之间。保持晶体管1809连接在转换晶体管1811的漏极和栅极之间。驱动晶体管1802和转换晶体管1811形成电流镜，其中它们的栅极端互相连接并且它们的源极端互相连接。

对信号线驱动电路提供有视频电流源电路1808。视频电流源电路1808为象素提供具有依据视频信号的大小的电流。当选择栅极信号线1807时提供给源信号线1803的视频信号输入到转换晶体管1811。具有期望电平的转换晶体管1811的栅极电势聚集在电容器1810上。此后，栅极信号线1807变成非选择状态，由此存储聚集在电容器1810上的电荷。由于驱动晶体管1802和转换晶体管1811形成电流镜，具有依据提供给转换晶体管1811的电流的小大的电流流到驱动晶体管1802。结果，具有依据视频信号的大小的电流流到驱动晶体管1802并且接着流到发光元件1806。在此，通过设计使驱动晶体管1802的电流容量(沟道宽度W与沟道长度L的比W/L)小于转换晶体管1811的电流容量，可以给转换晶体管1811提供更大的电流。结果，可以从视频电流源电路1808向象素提供更大的电流。结果可以提高信号写入到象素的速度。

【实施方式5】

图5A表示电路结构。象素包括选择晶体管7001，驱动晶体管7002，保持晶体管7009，电容器7010，和发光元件7006。输入视频信号的源信号线7003和驱动晶体管7002的栅极端通过选择晶体管7001连接。选择晶体管7001的栅极端连接到栅极信号线7007。驱动晶体管7002和发光元件7006连接在第一电源线7004和第二电源线7005之间。电流从第一电源线7004流到第二电源线7005。发光元件7006依据提供给它的电流的大小发光。当将保持晶体管7009连接在驱动晶体管7002的漏极和源极之间时，在驱动晶体管7002的栅极和源极之间设置电容器7010。保持晶体管7009的栅极端连接到第二栅极信号线7016。

在图5A所示的电路结构中，依据从第二栅极信号线7016输入的信号接通保持晶体管7009。根据驱动晶体管7002的阈值电压的驱动晶体管7002的栅-源电压聚集在电容器7010上。此外，预先校正每个驱动晶体管的阈值电压中的变化。值得注意，通过使得第二电源线的电势仅在某个片刻较高，高于阈值电压的电荷可以预先聚集在电容器上。

通过使用移位寄存器7008，控制设置在输入视频信号的视频线7040和源信号线7003之间的模拟开关3009。将输入到源信号线7003的视频信号输入到驱动晶体管7002的栅电极。依据视频信号的幅度，电流流到驱动晶体管7002，并且提供到发光元件7006。

值得注意，驱动晶体管7002和选择晶体管7001是N沟道晶体管。但是本发明并不局限于此。

视频信号产生电路7031作为提供视频信号的电路被连接到视频线7040。视频信号产生电路7031具有处理视频信号的功能，该视频信号用于校正由于退化、温度以及类似的原因导致的驱动晶体管7002和发光元件7006的变化。

在这种象素结构中，当在发光元件7006发光的情况下，第一电源线7004和第二电源线7005的电势固定时，电流持续流到发光元件7006和驱动晶体管7002，由此使它的特性退化。发光元件7006和驱动晶体管7002依据温度改变它们的特性。

特别的，当电流持续流向发光元件7006时，V-I特性移动。就是说，发光元件7006的电阻值增加，因此，即使施加相同的电压，对其提供的电流变小。此外，即使提供相同的电流，发光率降低并且亮度降低。作为温度特性，当温度下降时，发光元件7006的V-I特性移动，由此发光元件7006的电阻值变高。

类似的，当电流持续流到驱动晶体管7002时，它的阈值电压变高。因此，即使施加相同的栅极电压，对其流过电流也变小。依据温度，流过它的电流值也变化。

考虑到这个，为了校正前述退化和变化的影响，使用监控电路。在该实施方式中，通过控制视频信号的电势，校正由于退化和温度导致的发光元件7006和驱动晶体管7002的变化。

将描述监控电路的结构。在第一电源线7004和第二电源线7012之间连接监控电流源7013，监控驱动晶体管7014，和监控发光元件7011。电压跟随器电路7015的输入端连接在监控电流源7013和监控驱动晶体管7014的接合处。电压跟随器电路7015的输出端连接到视频信号产生电路7031。因此，视频信号的电压由电压跟随器电路7015的输出控制。

然后，将描述监控电路的工作。首先，监控电流源7013为发光元件7006提供发光元件7006在最高灰度级发光所需的电流。此时的电流值称为Imax。

然后，将提供具有Imax的大小的电流的足够高电压施加作为监控驱动晶体管7014的栅-源电压，其中监控驱动晶体管7014的栅极端和漏极端连接。就是说，监控驱动晶体管7014的源极电势和漏极电势变成足够高以提供具有Imax的大小的电流。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控驱动晶体管7014的阈值电压变化，栅-源电压(源极电势和漏极电势)也相应的变化，因此成为一个最佳电平。因此，能校正阈值电压变化(退化，温度变化以及类似)的影响。

类似的，将提供具有Imax的大小的电流的足够高的电压施加在监控发光元件7011的两端。即使由于退化、温度以及类似原因导致的监控发光元件7011的V-I特性变化，监控发光元件7011两端的电压也相应的变化，因此成为一个最佳电平。因此，能校正监控发光元件7011的变化(退化，温度变化以及类似)的影响。

将施加在监控驱动晶体管7014的电压和施加到监控发光元件7011的电压的总和输入到电压跟随器电路7015的输入端。因此，电压跟随器电路7015的输出端的电势，也就是视频信号的电势由监控电路校正。因此，由于退化和温度变化导致的发光元件7006和驱动晶体管7002的变化也能得以校正。

值得注意，电压输出器电路并不局限于此。即，只要它依据输入电流输出电压，任何电路都能应用。电压跟随器电路是放大器电路的一种，但是，本发明并不局限于此。电路可以配置为使用任意一个或多个运算放大器，双极晶体管，和MOS晶体管的结合。

优选的监控发光元件7011和监控驱动晶体管7014与发光元件7006和驱动晶体管7002以同样的制造方法同时形成在相同衬底上。这是因为如果设置在象素内的监控元件和晶体管之间的特性不同，则不能执行同样的校正。

已经作了监控电流源7013为发光元件7006提供发光元件7006在在最高灰度级发光所需的电流的情况下的描述。但是，本发明并不局限于此。

依据最高灰度级，监控发光元件7011和监控驱动晶体管7014比设置在一个象素内的发光元件7006和驱动晶体管7002退化的更多。因此更多地校正从电压跟随器电路7015输出的电势。因此，监控电路可以设置以与一个实际的象素同样的速度退化。例如，当整个显示器的平均发光率是30％时，监控电路可以依据对应30％的亮度的灰度级工作。

特别的，当发光元件7006在对应30％的亮度的灰度级发光时，可以将具有提供给发光元件7006的期望大小的电流提供给监控电流源7013。视频信号产生电路7031可以相应的输出视频信号。

为了提高发光元件的灰度级，当发光元件在饱和区域工作时，如图5B所示将增加视频信号的电压。在该实施方式中，校正驱动晶体管7002的栅极端的电势。此外，依据发光元件7006的特性的变化，通过校正视频信号的电压(视频电压)，可以获得理想的亮度。

值得注意，当监控电路依据最高的灰度级工作时，输出被更多校正的电势，但是因为图像持续性(由于象素中退化的变化导致的亮度变化)变得不太明显，优选的监控电路依据最高的灰度级工作。因此，优选的是监控电路依据最高的灰度级工作。

值得注意，驱动晶体管7002可以仅在饱和区域，或者可以在饱和区域和线性区域，或者仅在线性区域工作。

当驱动晶体管7002仅在饱和区域工作的情况下，它主要是作为开关工作的。此外，不太可能受到由于退化、温度和类似的原因导致的驱动晶体管7002的特性变化的影响。但是，校正由于退化、温度和类似原因的导致的发光元件7006的特性变化的影响。在驱动晶体管7002仅在线性区域工作的情况下，经常数字地控制是否将电流提供给发光元件7006。在这种情况下，为了执行多灰度级显示，经常结合使用定时灰度级方法，区域灰度级方法以及类似的方法。

【实施方式6】

图6表示校正驱动像素部分的输入到信号驱动电路的视频信号的示例。图6所示的示例包括源极信号驱动电路9901，栅极信号驱动电路9902，像素部分9903，和加法器电路9904，视频输入端9905，差分放大器9906，参考电源9907，缓冲放大器9908，电流源9909，监控TFT9910，监控发光元件9911，以及电极9912。

下面将描述它的操作。将电流从电流源9909提供给监控TFT9910和监控发光元件9911。此外，在监控TFT9910和监控发光元件9911中产生依据电流的电压。通过缓冲放大器9908将电压输入到差分放大器9906的第一输入端，同时将参考电源9907的电压输入到差分放大器9906的第二输入端。将缓冲放大器9908的输出电压和参考电源9907的输出电压之间的电压差在被差分放大器9906放大之后输入到加法器电路9904。将差分放大器9906的输出电压和从视频信号输入端9905输入的视频信号在加法器电路9904中相加，并接着输入到源极信号驱动电路9901。依据相加之后的视频信号，源极信号驱动电路9901和栅极信号驱动电路9902可以将视频信号写入像素部分9903。

在开始阶段，缓冲放大器9908的输出电压和参考电源9907的输出电压设置为几乎彼此相等。因此，在开始阶段，实际上将从视频信号输入端9905输入的视频信号写入像素部分9903。当监控TFT9910和监控发光元件9911随着时间退化时，它的电压也改变。当将电压通过缓冲放大器9908输入到差分放大器9906时，缓冲放大器9908和参考电源9907的输出电压之间的电压差由差分放大器9906放大并输入到加法器电路9904。在加法器电路9904，将差分放大器9906的输出电压和视频信号相加，由此加法器电路9904的输出电压变成校正退化后的电压。通过由源极信号驱动电路9901将加法器电路9904的输出电压写入到像素部分9903，校正被显示的数据。如此，TFT和发光元件的退化可以得以校正。

图7表示校正驱动像素部分的输入到信号驱动电路的视频信号的示例。图7所示的示例包括源极信号驱动电路9801，栅极信号驱动电路9802，像素部分9803，和加法器电路9804，视频输入端9805，差分放大器9806，缓冲放大器9807和9908，电流源9809和9813，监控TFT9810和9814，监控发光元件9811和9815，以及电极9812。

下面将描述它的操作。将电流从电流源9809提供给监控TFT9810和监控发光元件9811。因此，在监控发光元件9811和监控TFT9810中产生依据电流的电压。通过缓冲放大器9808将电压输入到差分放大器9806的第一输入端。将电流从电流源9813提供给监控TFT9814和发光元件9815。因此，在监控发光元件9815和监控TFT9814中产生依据电流的电压。通过缓冲放大器9807将电压输入到差分放大器9806的第二输入端。此时，电流源9809的电流设定为大于电流源9813的电流。由于电流的差，差分放大器9806的第一输入端的电压不同于它的第二输入端的电压。在差分放大器9806中补偿该电势差以使得差分放大器9806的第一和第二端的电压彼此相等。

将差分放大器9806的输出电压输入到加法器电路9804。在加法器电路9804中，将差分放大器9806的输出电压和从视频信号输入端9805输入的视频信号相加，并输入到源极信号驱动电路。依据相加之后的视频信号，源极信号驱动电路和栅极信号驱动电路可以将视频信号写入像素部分9803。

在开始阶段，缓冲放大器9808的输出电压和缓冲放大器9807的输出电压不同，但是，由于如上所述的差分放大器9806的补偿，差分放大器9808输出零信号。因此，实际上将从视频信号输入端9805输入的视频信号写入像素部分9803。

当监控TFT9810和9814，以及监控发光元件9911和9815随着时间退化时，它的电压也改变。被提供较多电流的监控TFT9810和监控发光元件9811退化较多，而被提供给较少电流的监控TFT9814和监控发光元件9815退化较少。因此，尽管从开始阶段缓冲放大器9808的输出电压变化不大，但是缓冲放大器9807的输出电压变化相当大。差分放大器9806可以依据其间的电压差，对监控TFT9810和监控发光元件9811的退化输出电压。对退化的电压由差分放大器9806放大并输入到加法器电路9804。在加法器电路9804中，将差分放大器9806的输出电压和视频信号相加，由此加法器电路9804的输出电压对应校正退化后的电压。通过由源极信号驱动电路将加法器电路9804的输出电压写入到像素部分9803，校正了被显示的数据。如此，TFT和发光元件的退化可以得以校正。

[实施方式7]

在该实施方式，将参考附图描述制造具有作为开关元件的沟道蚀刻型TFT的有源矩阵显示装置的示例。

如图8A所示，为了提高衬底110和通过微滴放出方法后来形成在其上的材料层的粘附，形成基层111。基层111形成为十分薄的，因此，它不需要具有叠层结构。通过喷射或溅射方法，通过在整个表面上形成光催化物质(钛氧化物(TiO_X)，钛酸锶(SrTiO₃)，硒化镉(CdSe)，钽酸钾(KtaO₃)，硫化镉(CdS)，氧化锆(ZrO₂)，氧化铌(Nb₂O₅)，氧化锌(ZnO)，氧化铁(Fe₂O₃)，氧化钨(WO₃))而形成基层111。可选择的，可以通过墨水喷射或溶胶凝胶方法选择性地形成有机材料(通过使用具有聚酰亚胺，丙烯酸，或硅氧结合物的骨架结构的材料形成的涂覆绝缘膜，聚酰亚胺，丙烯酸，或硅氧结合物具有氢，氟化物，烷基族，或作为替代的芳香烃碳氢化物中的至少其中之一)。这也可以认为是基层的预处理。

在此已经描述了为了提高放出的导电材料和衬底之间的粘附，对基层实施预处理的示例。在形成材料层(例如，有机层，无机层，或金属层)，或通过微滴放出方法在放出的导电层上进一步形成材料层(例如，有机层，无机层，或金属层)的情况下，为了提高材料层之间的粘附可以执行TiOx沉积处理。就是说，当通过微滴放出方法引出放出导电材料时，为了提高它的粘附，优选的对导电材料层的上部和下部界面设置基层的预处理。

基层111不限于由光催化材料形成，而且可以由3d过渡金属元素(Sc，Ti，CrNi，V，Mn，Fe，Co，Cu，Zn以及类似的元素)，或氧化物，氮化物，和其氧氮化物形成。

注意基底100可以是由熔融法或浮动法形成的非碱性玻璃衬底，诸如钡硼硅酸盐玻璃，铝硼硅酸盐玻璃，以及铝硅酸盐玻璃，和塑料衬底以及具有抗这种制造步骤的处理温度的热阻的类似物。

接着，使用以喷墨方法为代表的微滴放出方法，通过放出液体导电材料而形成导电层图案112(见图8A)。作为在液体导电材料中包含的导电材料，可以使用金(Au)，银(Ag)，铜(Cu)，铂(Pt)，钯(Pd)，钨(W)，镍(Ni)，钽(Ta)，铋(Bi)，铅(Pb)，铟(In)，锡(Sn)，锌(Zn)，钛(Ti)，铝(Al)，或者其合金，这些的分散的毫微微粒(nanoparticle)，或者卤化银的微粒。特别的，优选的是栅极线具有低电阻，因此，考虑到特殊的电阻值最好使用溶解或在溶剂中分散的金，银或铜。更优选的，使用低阻的银或铜。在使用银或铜的情况下，但是，为了防止由于杂质分散，优选的结合设置阻挡膜。对于溶剂，使用酯诸如乙酸丁酯，醇诸如异丙醇，有机溶剂诸如丙酮以及类似的。通过控制溶剂的浓度，添加表面活性剂，或类似的来任意控制表面张力和粘度。

图15表示微滴放出设备的一个示例。在图15中，参考标记1500表示大的衬底，1504表示图像拾取装置，1507表示台，1511标记，1503表示一个面板的区域。设置喷头1505a，1505b，以及1505c，每个具有与一个面板的宽度相同的宽度，当移动台时，它Z字型或来回扫描以适当地形成材料层的图案。也可以使用具有与大的衬底宽度相同的喷头，但是，图15中所示的面板大小的喷头易于操作。为了提高生产量，优选的当台移动时，放出材料。

此外，优选的，喷头1505a，1505b，以及1505c和台1507每个具有温度控制功能。注意喷头(喷管的尖端)和大的衬底之间的距离大约是1mm。距离越短，放出精度越高。

在图15中，在扫描方向排列成3列的喷头1505a，1505b，以及1505c的每个可以分别形成不同的材料层，或可以放出相同材料。通过使用三个喷头来放出相同材料，对层间绝缘膜128构图，提高生产量。当由图15所示的设备扫描时，衬底1500可以随着固定的喷头部分移动或喷头部分可以随着固定的衬底1500移动。

通过使用计算机将微滴放出设备的每个喷头1505a，1505b，以及1505c与控制装置连接，控制装置能事先绘制可编程的图案。放出量由将被施加的脉冲电压控制。绘制时序是例如基于形成在基底上的标记。此外，参考点可以基于基底的框架来确定。这是由图像拾取装置，诸如CCD来检测的，接着计算机处理由图像处理装置转换的数字信号以产生传送到控制装置的控制信号。无需说，关于形成在基底上的图案的数据是存储在存储介质中的。基于这些数据，将控制信号传送到控制装置以独立控制微滴放出设备的喷头的每一个。

接下来，通过选择激光照射来曝光导电膜图案的一部分(参见图8B)。在将放出的液体导电膜材料中事先包含光敏材料，使得它能与激光发生化学反应。在此的光敏材料是负性的，与激光发生化学反应的部分保留下来。通过激光照射，能形成精确图案，尤其是能获得细宽度的引线。

在此，已经参考图13的作了关于激光束绘图设备的描述。激光束绘图设备401包括个人计算机(下面称为PC)402，它执行在激光束发射中的各种控制，激光振荡器403，它输出激光束，激光振荡器403的电源404，光学系统(ND滤波器)405，用于衰减激光束，用于调制激光束强度的声光调制器(AOM)406，用于放大或变窄激光束截面的透镜，通过镜子或类似的装置形成的用于改变光路的光学系统407，具有X台和Y台的衬底移动装置409，D/A转换器410，它用于在数字和模拟之间转换从PC输出的控制数据，驱动器411，它用于依据从D/A转换器410输出的模拟电压控制声光调制器(AOM)406，以及驱动器412，用于输出用于驱动衬底移动装置409的驱动信号。

对于激光振荡器403，可以使用能够振荡紫外线光、可见光或红外光的激光振荡器。作为这种振荡器，可以使用准分子激光振荡器诸如KrF，ArF，XeCl以及Xe，气体激光振荡器，诸如He，He-Cd，Ar，He-Ne以及HF，使用通过掺杂Cr，Nd，Er，Ho，Ce，Co，Ti或Tm至YAG GdVO₄，YVO₄，YLF，以及YAlO₃获得的晶体的固态激光振荡器，半导体激光振荡器诸如GaN，GaAs，GaAlAs以及InGaAsP。注意，优选的对固态激光振荡器使用基波的一次至五次谐波。

下面将描述使用激光束定向绘图设备的光敏材料的曝光方法。注意的是，此处的光敏材料是成为导电膜图案的导电膜材料(包括光敏材料)。

在将衬底408安装在衬底移动装置409之后，PC402通过使用在图中未示出的照相机检测衬底上标记的位置。接着，基于标记的检测位置数据和事先输入的绘制图案数据，PC402产生用来移动衬底移动装置409的移动数据。此后，PC402通过驱动器411控制来自声光调制器406的输出光量，由此从激光振荡器403输出的激光束经过光学系统405衰减并且经过声光调制器406控制从而到达预定量。另一方面，从声光调制器406输出的激光束经过光学系统407改变光路和光束形状，并且经过透镜聚光。接着，用激光束照射形成在衬底上的光敏材料以使其曝光。此时，基于PC402产生的移动数据，控制衬底移动装置409在X和Y方向移动。结果，用激光束照射预定位置，由此曝光光敏材料。

注意的是照射到光敏材料的激光的一部分能量转换成热量，它使得一部分光敏材料反应。因此，图案宽度变得略宽于激光束的宽度。因为激光直径可以被压缩变小，优选的使用较短波长的激光束以形成精细宽度的图案。

通过光学系统处理光敏材料表面上的激光束的光点形状为圆点形状，圆形形状，椭圆形形状，矩形形状，或者线性形状(特别的长方形形状)。注意的是光点形状可以是圆形形状，但是要获得均匀宽度图案更优选的是线性形状。

依据图13所示的设备，通过激光照射曝光衬底表面，但是可以通过适当改变光学系统和衬底移动装置，使得由激光来曝光衬底的背侧。注意的是通过移动衬底选择性的照射激光束，但是本发明并不局限于此。可以在X-Y方向扫描激光束以被照射。在这种情况下，优选的对光学系统407使用多边形镜子或电流计镜子。

接下来，通过使用蚀刻剂(或显影剂)进行显影以去除不必要的部分，然后进行主要烘烤以形成成为栅极电极的金属线115或栅极线(参见图8C)。

与金属线115类似，形成延伸到终端的引线140。尽管在此没有示出，也可以形成为发光元件提供电流的电源线。此外，按要求形成用来形成电容器的电容器电极或电容器引线。当使用负性光敏材料时，对被去除的部分进行激光照射以完成其中的化学反应。接着，通过蚀刻剂溶解那部分。此外，在放出液体导电膜材料后，在进行室温烘干或选择性的烘烤后，可以照射激光。

接下来，通过等离子体CVD方法或溅射方法顺序沉积栅极绝缘膜118，半导体膜，以及N型半导体膜。对栅极绝缘膜118，使用通过PCVD方法获得的包含氧化硅，氮化硅，或氮氧化硅的材料作为主要成分。此外，在通过使用硅氧烷基聚合物经过微滴放出方法放出和烘烤之后，对栅极绝缘膜118可以使用包含烷基的SiO_x膜。

半导体膜是由非晶体半导体膜、或半非晶体膜、或半非晶体半导体膜形成，其中半非晶体膜由通过气相外延方法，溅射方法，使用以硅烷和锗烷为代表的半导体材料气体的热CVD方法形成。对非晶体半导体膜，可以使用通过使用SiH₄或SiH₄和H₂的混合气体的PCVD方法形成的非晶体硅膜。此外，对于半非晶体(也称为微晶)半导体膜，通过使用由3至1000倍的H₂稀释SiH₄获得的混合气体，在20-40∶0.9(Si₂H₆∶G₃F₄)的气体流率下用GeF₄稀释Si₂H₆获得的混合气体，Si₂H₆和F₂的混合气体，或者SiH₄和F₂的混合气体的PCVD方法获得半非晶体硅膜。注意的是，最好使用半非晶体硅膜，因为能将更多的结晶度提供给具有基层的界面上。

此外，通过用激光照射半非晶硅膜可以提高结晶度，半非晶硅膜是通过使用SiH₄和F₂的混合气体的PCVD方法获得的。

N型半导体膜可以是使用硅烷气体和磷化氢气体的PCVD方法形成的非晶体半导体膜或半非晶体半导体膜。当提供N型半导体膜120时，优选要求半导体膜和电极(后来形成的电极)之间的接触电阻为低。

接着，设置掩膜121，并且选择性的蚀刻半导体膜和N型半导体膜以获得岛状的半导体膜119和N型半导体膜120(参见图8D)。通过微滴放出方法和印刷方法(凸版印刷板，平板，铜板，丝网印刷等)形成掩膜121。通过微滴放出方法或者印刷方法可以直接形成所需要的掩膜图案，但是，通过微滴放出方法和印刷方法可以形成粗糙的抗蚀图形，接着通过激光选择性的曝光以精确获得精细抗蚀图形。

通过使用图13所示的激光束绘图设备，可以进行抗蚀剂的曝光。在这种情况下，通过用光敏材料作为抗蚀剂，利用激光曝光将形成抗蚀剂掩膜121。

接下来，在去除掩膜121后，设置一个掩膜(未示出)以选择性地蚀刻栅极绝缘膜，由此形成接触孔。在终端除去栅极绝缘膜。依据典型的光刻技术，通过依据微滴放出方法形成抗蚀图形，或通过在整个表面上施加正性抗蚀剂和用激光执行曝光并且显影而形成抗蚀图形，可以形成掩膜。在有源矩阵发光装置中，在一个象素内形成多个TFT，多个TFT通过栅极电极和栅极绝缘膜连接到上层的引线。

接下来，通过微滴放出方法选择性放出包含导电材料(Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)，Al(铝)以及类似物)的化合物以形成源极或漏极(称为源/漏)引线122和123，或引导电极117。类似的，在终端形成为发光元件和连接线提供电流的电源线。

接着，使用源/漏引线122和123作为掩膜来蚀刻N型半导体膜和半导体膜的顶层以获得图9A的状态。在该阶段，完成具有作为有源层的沟道形成区域124，源区126，和漏区125的沟道蚀刻型TFT。

接着，为了保护沟道形成区域124不受杂质的污染，形成保护膜127(参见图9B)。对保护膜127，使用主要包含通过溅射方法或PCVD方法获得的氮化硅或氮氧化硅的材料。在此保护膜127是作为示例形成的，然而它不是必须形成的。

接着，通过微滴放出方法选择性地形成层间绝缘膜128，层间绝缘膜128由树脂材料诸如环氧树脂，丙烯酸树脂，酚树脂，酚醛清漆树脂，三聚氰胺树脂，以及氨基甲酸乙酯树脂形成。此外，使用有机材料诸如苯环丁烯，聚对二甲苯基，闪光或光透射的聚酰亚胺；由聚合物诸如硅氧烷聚合物组成的复合材料；包含水溶性的均聚物和水溶性的共聚物的合成材料；以及类似的材料，通过微滴放出方法形成夹层绝缘膜128。层间绝缘膜128并不局限于通过微滴放出方法形成，而是可以通过涂覆方法，PVCD方法以及类似的方法在整个表面上形成。

接着，使用层间绝缘膜128作为掩膜来蚀刻保护膜127以形成在源/漏引线122和123的一部分上的由导电材料形成的突出部分(柱状物)129。通过重复放出或烘烤合成物，突出部分(柱状物)129可以以叠层形成，其中合成物包含导电材料(Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)，Al(铝)以及类似材料)。

在层间绝缘膜128上形成与突出部分(柱状物)129接触的第一电极130(参见图9C)。注意，与引线140接触的终端电极141采用类似的方法形成。在此，作为一个例子驱动TFT是N沟道TFT，因此，优选的第一电极130起阴极的作用。在光透射类型的情况，通过微滴放出方法或者印刷方法，使用预定图案形成第一电极130，预定图案由包含氧化铟锡(ITO)，包含氧化硅的氧化铟锡(ITSO)，氧化锌(ZnO)，氧化锡(SnO₂)以及类似物质的合成物形成，然后烘烤以形成第一电极130和终端电极141。此外，在第一电极130上反射光的情况，通过微滴放出方法，使用包含主要金属颗粒诸如Ag(银)，Au(金)，Cu(铜)，W(钨)，Al(铝)的合成物形成预定图案，然后烘烤以形成电极130和终端电极141。可选择地，可以依据溅射方法通过形成光透射的导电薄膜或光反射的导电薄膜，依据微滴放出方法形成掩膜图案，并且组合执行蚀刻来形成第一电极130。

图10是图9C的象素的顶视图的示例。图9C的象素部分的右侧的剖面图对应在图10中沿连线A-A’的剖面图，而它的左侧对应沿连线B-B’的剖面图。在图10中，相同的参考数字被用作与图8A至9D相同的部件。在图10中，后来形成的隔墙134的边缘用点划线表示。

尽管在此提供了分别作为保护膜127形成的层间绝缘膜128和突出部分(柱状物)129，当不提供保护膜127时，可以通过微滴放出方法使用相同的设备形成它们。

接着，形成用来覆盖第一电极130的周围部分的隔墙134。隔墙(也称为堤)134是由包含硅的材料，有机材料，以及复合材料形成。此外，也可以使用多孔膜。通过使用光敏材料或非光敏材料诸如丙烯酸和聚酰亚胺，优选的是它的侧边具有连续变化的曲率半径，由此可以形成没有中断的上部薄膜。

在上述方式中，完成用于发光显示面板的TFT衬底，在该发光显示面板中，底栅(也称为倒置交错型)TFT和第一电极130形成在衬底100上。

接着，形成作为电致发光层(也称为EL层)的层，即是包含有机混合物的层136。包含有机混合物的层136具有叠层结构，它们中的每个层通过蒸发沉积方法或涂覆方法形成。例如，在阴极上顺序层叠电子传输层(电子注入层)，发光层，空穴传输层，以及空穴注入层。

电子传输层包含电荷注入传输物质。作为具有高电子传输特性的电荷注入传输材料，可以推荐金属络合物或具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的类似物，诸如三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)(tris(8-quinolinolate)aluminum)，三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝(Almq₃)(tris(5-methyl-8-quinolinolate)aluminum)，二(10-羟基苯并[h]-喹啉)铍(BeBq₂)(bis(10-hydroxybenzo[h]-quinolinato)beryllium)，以及二(2甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(BAlq)(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-phenylphenolato-aluminum)。

作为具有高空穴传输特性的材料，可以使用芳香胺基化合物(即，具有苯环氮键)，诸如4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(a-NPD)，4，4’-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-联苯(TPD)，4，4’-三[N，N-联苯-氨基]-三苯基胺(TDATA)，以及4，4’-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯基胺(MTDATA)。

在电荷注入传输材料中，可以使用作为尤其具有高电子注入特性的材料，碱金属或碱土金属诸如氟化锂(LiF)，氟化铯(CsF)，氟化钙(CaF₂)的化合物。除此，可以使用具有高电子传输特性的材料诸如Alq₃和碱土金属诸如镁(Mg)的化合物。

用电荷注入传输材料和发光材料形成发光层，其中每个包括有机化合物或无机化合物。发光层可以包括由一个或多个基于从从低分子量有机化合物，中分子量有机化合物(可以将其定义为不具备升华特性，并且具有20或更少的分子数，或10μm或更少的分子链长度的化合物)，和高分子量有机化合物(也称为聚合物)的分子数选择的层形成的层。也可以组合使用具有电子注入传输特性或空穴注入传输特性的无机化合物。

作为发光层的材料，可以使用各种材料。作为低分子量的有机发光材料，可以使用4-氰基亚甲基-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-julolidylyl-9)乙烯基]-4H-吡喃(4-dicyanomethylene-2-methyl-6-[2-(1，1，7，7-tetramethyl-julolidylyl-9)ethenyl]-4H-pyran)(DCJT)，4-氰基亚甲基-2-t-丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(4-dicyanomethylene-2-t-butyl-6-[2-(1，1，7，7-tetramethyl-julolidine-9-yl)ethenyl]-4H-pyran)(DCJTB)，periflanthene，2，5-二氰基-1，4-二[2-(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-yl)乙烯基]苯(2，5-dicyano-1，4-bis[2-(10-methoxy-1，1，7，7-tetramethyljulolidine-9-yl)ethenyl]benzene)，N，N’-二甲基]喹吖啶酮(N，N’-dimethyl quinacridon)(DMQd)，香豆素6，香豆素545T，三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolinolate)aluminum(Alq₃))，9，9-二蒽基，9，10-二苯基蒽(DPA)，9，9-二(2-萘基)蒽(DNA)以及类似物。也可以使用其它的材料。

高分子量有机发光材料物理上比低分子量有机发光材料强。由高分子量有机发光材料形成的发光元件的耐用性很高。使用高分子量有机发光材料的发光元件可以更容易制造，这是因为发光层可以通过涂覆形成。使用高分子量有机发光材料的发光元件的结构基本上与使用低分子量有机发光材料的结构相同，即，阴极，有机发光层，和阳极顺序层叠。但是，在发光层由高分子量有机发光材料形成的情况下，难以形成像使用低分子量有机发光材料情况的叠层结构。因此，在很多情况使用具有高分子量有机发光材料的发光元件形成为具有两层结构。特别的，阴极，发光层，空穴传输层，和阳极顺序层叠。

发射色彩是由发光层的材料确定的。因此，呈现需要的发射色彩的发光元件可以通过选择用于发光层的材料形成。作为形成发光层的基于高分子量的电致发光材料，可以使用聚对苯撑1，2-亚乙烯基(polyparaphenylene vinylene-based)材料，聚对苯撑(polyparaphenylene-based)材料，聚噻吩(polythiophene-based)材料，以及聚芴(polyfluorene-based)材料。

作为聚对苯撑1，2-亚乙烯基材料，可以使用聚对苯撑(PPV)，聚(2，5-二烷氧基-1，4-苯撑1，2-亚乙烯基(poly(2，5-dialkoxy-1，4-phenylen vinylene)(RO-PPV)，聚(2-(2’-乙基-六氧)-5-甲氧基-1，4-苯撑1，2-亚乙烯基(poly(2-(2’-ethyl-hexoxy)-5-methoxy-1，4-phenylene vinylene))(MEH-PPV)，聚(2-二烷氧基苯基)-1，4-苯撑1，2-亚乙烯基(poly(2-dialkoxyphenyl)-1，4-phenylene vinylene)(ROPh-PPV)以及类似物的衍生物。作为聚对苯撑材料，可以使用聚对苯撑(PPP)，聚(2，5-二烷氧基-1，4-苯撑(poly(2，5-dialkoxy-1，4-phenylene)(RO-PPP)，聚(2，5-双环六氧-1，4-苯撑(poly(2，5-dihexoxy-1，4-phenylene))以及类似物的衍生物。作为聚噻吩材料，可以使用聚噻吩PT)，聚(3-烷基噻吩)(poly(3-alkylthiophene))(PAT)，聚(3-己基噻吩)(poly(3-hexylthiophene)(PHT)，聚(3-环己基噻吩(poly(3-cyclohexylthiophene))(PCHT)，聚(3-环己基-4-甲基噻吩)(poly(3-cyclohexy-4-methylthiophene))(PCHMT)，聚(3，4-双环己基噻吩)(poly(3，4-dicyclohexylthiophene))(PDCHT)，聚[3-(4-辛基苯基)-噻吩](poly[3-(4-octylphenyl)-thiophene])(POPT)，聚[3-(4-辛基苯基)-2-，2-并噻吩(poly[3-(4-octylphenyl)-2，2-bithiophene)(PTOPT)以及类似物的衍生物。作为聚芴材料，可以使用聚芴(PF)，聚(9，9-二烃基芴)(poly(9，9-dialkylfluorene))(PDAF)，和(9，9-二辛基芴)(poly(9，9-dioctylfluorene))(PDOF)，以及类似物的衍生物。

来自阳极的空穴注入特性可以通过在阳极和具有发光特性的高分子量的有机发光材料之间插入具有空穴传输特性的高分子量基有机发光材料。一般，通过旋转涂覆，共同涂覆具有空穴传输特性的高分子量有机发光材料和溶解在水中的接受体材料。具有空穴传输特性的高分子量有机发光材料在有机溶剂中是不能溶解的，因此，具有发光特性的有机发光材料可以层叠在材料上。作为具有空穴传输特性的高分子量有机发光材料，可以使用作为接受体材料的PEDOT和樟脑磺酸(CSA)的混合物，作为接受体材料的聚苯胺(PANI)和聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物，以及类似物。

除了单态激发发光材料，对发光层可以使用包含金属络合物或类似物的三态激发材料。例如，在红色发光象素，绿色发光象素，以及蓝色发光象素中；使用三态激发发光材料形成红色发光象素，红色发光象素的亮度在相对短的时间内减到一半亮度，并且使用单态激发发光材料形成其它的发光像素。三态激光发光材料具有为获得特定亮度而比单态激发发光材料功耗更少的性能，这是因为三态激发发光材料具有高发光率。在使用三态激发发光材料形成红色发光象素的情况下，因为发光元件需要少量的电流，因而可以提高可靠性。为了降低能耗，可以使用三态激发发光材料形成红色发光象素和绿色发光象素，而使用单态激发发光材料形成蓝色发光象素。通过使用三态激发发光材料可以减少对于人眼是高度可见的绿色发光元件的功耗。

作为三态激发发光材料的一个例子，使用包含作为主要金属的第三过渡元素的铂作为掺杂剂的金属络合物，或者包含作为主要金属的铱的金属络合物的材料是公知的。三态激发发光材料不局限于上述化合物。可以使用具有前述结构和具有属于周期表的族8至10的元素作为主要金属的化合物。

空穴传输层包括电荷注入传输物质。作为具有高空穴注入特性的材料，例如，可以推荐金属氧化物诸如氧化钼(MoOx)，氧化钒(VOx)，氧化钌(RuOx)，氧化钨(WOx)，以及氧化锰(MnOx)。除此之外，可以使用酞菁染料化合物诸如酞菁(H₂Pc)或铜酞菁(CuPc)。

在形成包含有机化合物的层136之前，优选的在氧气环境进行等离子体处理或者在真空环境进行热处理。在采用蒸发沉积的情况中，事先使用电阻加热来汽化有机化合物，并且在沉积有机化合物中通过打开活门(shutter)向衬底散射。汽化的有机化合物向上散射并通过设置在金属掩膜上的开口部分沉积在衬底上。为了实现全色显示，每发光颜色(R，G和B)执行校准掩膜。

发光层可以具有这样的结构，其中为了实现全色显示，对每个象素分别设置具有不同发射波长波段的发光层。典型的，形成对应色彩R(红)，G(绿)和B(蓝)的发光层。在这种情况，可以提高色彩纯度并且通过设置滤色器(彩色层)可以防止象素部分成为镜子表面(闪光)，其中滤色器透射每个发送波长波段的光到象素的发光侧。通过设置滤色器(彩色层)，不再需要常规所需的圆偏振器或类似物。此外，可以从发光层没有任何丢失地发射光。此外，可以进一步减少当倾斜地看象素部分(显示屏)时发生的色调变化。

可选择的，通过使用呈现单色发射的材料作为包含有机化合物的层136，结合没有单独沉积的滤色器或色彩转换层可以实现全色显示。例如，在形成呈现白色或橙色发射的电致发光层的情况，通过在象素的发光侧上分别设置滤色器，色彩转换层，或滤色器和色彩转换层的组合可以实现全色显示。例如可以在第二衬底(密封衬底)形成滤色器或彩转换层，其连接到衬底100上。此外，如上所述，所有呈现单色发射的材料，滤色器，和色彩转换层可以通过微滴放出方法形成。

为了形成呈现白光发射的发光层，例如，通过蒸发沉积顺序沉积Alq₃，部分掺杂有奈耳红(Nile red)的Alq₃，p-EtTAZ，TPD(芳香族二氨)。在通过旋转涂覆形成EL层的情况，在涂覆后优选的通过真空加热来烘烤涂覆层。例如可以将作为空穴注入层的聚(乙烯二羟噻吩)/聚(苯乙烯磺酸盐)溶液(PEDOT/PSS)涂覆在整个表面上并被烘烤。接着，可以将掺杂发射中心颜料(1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)，4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM1)，奈耳红，香豆素6以及类似物)的聚乙烯基咔唑(PVK)作为发光层涂敷在整个表面并被烘烤。

发光层也可以由单层形成。如此，发光层可以由分散有具有电子传输特性的1，3，4，-恶二唑衍生物(PBD)的空穴传输特性的聚乙烯基咔唑(PVK)组成。此外，可以通过按30wt％分散作为电子传输材料的PBD，并且分散四种颜料(TPB，香豆素6，以及奈耳红)的适当的量而获得白光发射。

前述用来形成包含有机化合物的层的材料仅是示例。发光元件可以通过相应的层叠功能层诸如空穴注入传输层，空穴传输层，电子注入传输层，电子传输层，发光层，电子阻挡层，以及空穴阻挡层而形成。也可以形成混合层或混合前述层的混合结合。发光层的层结构可以变化。代替于设置特定电子注入区域或发光区域，诸如为了用于电子注入区域或发光区域设置电极，或设置分散的发光材料的结构改变是允许的，除非这种改变脱离本发明的范围。

无须说明，可以执行单色发光显示。例如，通过使用单色发光，可以形成区域彩色型发光显示装置。无源矩阵型显示部分适合于区域色彩型显示装置。该显示装置可以主要显示文字或符号。

接下来，形成第二电极137。作为发光元件的阳极的第二电极137是由光透射导电膜形成，例如，光透射导电膜诸如ITO，ITSO，或按2至20％混合氧化铟与氧化锌(ZnO)获得的膜。发光元件具有一种结构，其中包含有机化合物的层136插入在第一电极130和第二电极137之间。用于第一电极130和第二电极137的材料需要考虑功函数而选择。依据象素结构第一电极130或第二电极137可以是阳极或阴极。

由前述材料形成的发光元件在正向偏压下发光。通过使用发光元件形成的显示装置的象素可以通过无源矩阵(也称为简单矩阵)驱动方法或有源矩阵驱动方法来驱动。无论如何，通过在特定时序施加正向偏压使每个象素发光。此外，对于特定周期各个象素是非发光状态。在非发光状态通过施加反向偏压可以提高发光元件的可靠性。发光元件可能处于在特定驱动情况下其中发射强度降低的退化模式，或处于由于象素内的非发光区域的扩展导致其亮度明显降低的退化模式。通过交流(AC)驱动以施加正向偏压和反向偏压能够延迟退化，这导致提高发光装置的可靠性。

为了降低第二电极137的电阻，可以在第二电极137上设置辅助电极，它不作为发光区域。也可以形成用来保护第二电极137的保护膜。例如，在氮气或包含氮和氩的气体的沉积室中，通过使用由硅组成的圆盘状的靶形成由硅氮化物组成的保护膜。此外，包含碳作为主要成分的薄膜(DLC膜，CN膜或不定形碳膜)可以形成为保护膜，并且可以附加地设置使用化学汽化沉积(以下称为CVD)方法的其它沉积室。通过等离子体CVD方法(典型的，RF等离子体CVD方法，微波CVD方法，电子回漩共振(ECR)CVD方法，加热细丝CVD方法，或者类似方法)，燃烧火焰方法，溅射方法，离子束沉积方法，激光沉积方法等可以形成金刚石类碳膜(也称为DLC膜)。氢气和烃气(CH₄，C₂H₂，C₆H₆，或类似物)被用作沉积的反应气体。通过辉光放电电离反应气体，并且加速该离子以碰撞施加有负自偏压的阴极，然后沉积DLC膜。此外，可以通过使用气体C₂H₄和气体N₂作为反应气体形成碳氮化物膜(也称为CN膜)。此外，DLC膜和CN膜对于可见光是透明或半透明的绝缘膜。术语“对可见光透明”意思是对可见光具有80至100％的透射率。术语“对可见光半透明”意思是对可见光具有50至80％的透射率。保护膜不是必须提供的。

接着，使用密封剂(未示)粘附密封衬底135以密封发光元件。密封剂围绕的空间用光透射滤光器138填充。滤光器138没有特定限制，只要它能传输光即可。典型的，可以使用紫外线固化或热固化环氧树脂。在此，使用具有1.50折射率，500cps粘性，90肖氏D硬度，3000psi的抗张强度，150℃的Tg点，1×10¹⁵O.cm体积电阻率，450V/mil耐电压的高热阻性UV环氧树脂(由Electrolyte公司制造：2500透明)。通过在一对衬底之间填充滤光器138，整体透射率可以得以提高。

最后，用公知的方法通过各向异性导电膜145将FPC146粘附到终端电极141(参见图9D)。在这种模式，可以制造有源矩阵发光装置。

图11是表示EL显示面板的结构的示例的顶视图。图11表示发光显示面板的结构，它通过外部驱动电路控制输入到扫描线和信号线的信号。在具有绝缘表面的衬底200上形成象素部分201，扫描线输入端203，以及信号线输入端204，在象素部分201中象素202排列成矩阵。象素的数量可以依据各种规格设置，例如，对XGA是1024×768×3(RGB)，对UXGA是1600×1200×3(RGB)，或者在全部高视角规格的情况下是1920×1080×3(RGB)。

象素202排列成矩阵，具有从扫描线输入端203延伸的扫描线和从信号线输入端204延伸的信号线相互交叉。象素202的每个设置有开关元件和与其连接的象素电极。开关元件的典型例子是TFT，通过外部输入的信号独立控制每个象素，此时TFT的栅极电极连接到扫描线而源极或漏极电极连接到信号线。

在使用光透射材料形成图9A至9D中所示的第一电极130和使用金属材料形成第二电极137的情况，形成穿过衬底100的光发射结构，即底部发射型。可选择的，在使用金属材料形成第一电极130和使用光透射材料形成第二电极137的情况，形成穿过密封衬底135的光发射结构，即顶部发射型。此外，在使用光透射材料形成第一电极130和第二电极137的情况，可以形成穿过衬底100和密封衬底135的光发射结构。本发明可以适当的采用前述任意结构。进一步的，可以在EL显示面板上安装驱动电路。它的一种模式将参考图12描述。

首先，参考图12描述采用COG方法的显示装置。用于显示诸如文字和图像的数据的象素部分301和扫描驱动电路302设置在衬底300上。将设置有多个驱动电路的衬底分成长方形，并且将分开的驱动电路(以下称为驱动IC)305a和305b安装在衬底300上。图12表示安装多个驱动IC 305a和305b以及在驱动IC 305a和305b的末端处安装带子304a和304b的模式。此外，分割尺寸基本上与在信号线侧上的象素部分侧的长度相同，并且将带子安装在单个驱动IC的末端。

可以采用TAB方法，其中可以粘附多个带子，其上可以安装驱动IC。类似于COG方法，可以将单个驱动IC安装在单个带子上，其中依据强度问题粘附用于固定驱动IC的金属片或类似物质。

考虑到提高生产率，优选的在长方形衬底上形成安装在EL显示面板上的多个驱动IC，长方形衬底具有300至1000mm或更长的边。换句话说，包括驱动电路部分和输入/输出端作为一个单元的多个电路图案形成在衬底上，和可以最后分开并提取。考虑到象素部分的侧面长度和象素间距，驱动IC可以形成为矩形，该矩形具有15至80mm的长边和1至6mm的短边。可选择的，驱动IC可以形成为具有一个侧边长度，即将象素区域或象素部分的侧边长度加上每个驱动电路的侧边长度。

鉴于外部尺寸，在长边的长度上驱动IC更优于IC芯片。当使用具有15至80mm长边的驱动IC时，与使用IC芯片的情况相比，依据象素部分需要安装的驱动IC的数量更少。因此，制造产量可以提高。当在玻璃衬底上形成驱动IC时，由于母衬底的形状不受限制，因此生产率不会下降。与从圆形硅晶片中取出IC芯片的情况比较，这是它最大的优点。

在图12，每个设置有驱动电路的驱动IC 305a和305b安装在象素部分301外部的区域。驱动IC 305a和305b是信号线侧的驱动电路。为了形成对应RGB全色的象素部分，对XGA需要3072条信号线而对UXGA需要4800条信号线。将以这种数量形成的信号线在象素部分301的边缘上分成多个块并且设置有引导线。引导线关于驱动IC305a和305b的输出端的间距集中。

驱动IC优选的是由形成在衬底上的结晶半导体形成。优选的通过连续波的激光照射形成结晶半导体。因此，使用连续波固态激光器或气态激光器作为产生激光的振荡器。当使用连续波的激光时，几乎不存在结晶缺陷，结果是，可以使用具有大晶粒尺寸的多晶半导体层形成晶体管。此外，由于迁移率和响应是良好的，因此有可能高速驱动，并且比常规元件可以进一步提高元件的工作频率。因此，由于几乎不存在特性变化，所以可以获得高可靠性。注意的是，优选的晶体管的沟道长度方向和激光的扫描方向可以是相同的，以进一步提高工作频率。这是因为当在激光结晶步骤使用连续波激光，晶体管的沟道长度方向和激光的扫描方向关于衬底是几乎平行的(优选的，从-30°至30°)，所以能够获得最高的迁移率。沟道长度方向与电流的流动方向一致，换句话说，是电流在沟道形成区中移动的方向。以该模式制造的晶体管具有包括多晶半导体层的有源层，在多晶半导体层中结晶晶粒在沟道方向延伸，并且这意味者结晶晶粒边界基本上沿沟道方向形成。

为了执行激光结晶，优选较大地缩小激光，而且优选它的束点具有与驱动IC的短边相同的宽度，大概从1至3mm。此外，为了对照射对象获得足够和有效的能量密度，优选激光的照射区域是线性形状。在此线性形状不是指严格意义上的一条直线，而是指矩形或者具有大纵横比的长方形形状，例如，2或更高(优选的从10至10000)的纵横比。因此，通过使得激光的束点的宽度与驱动IC的短边的宽度相同，可以提供生产率得以提高的显示装置的制造方法。

图12表示扫描线驱动电路与象素部分结合并且驱动IC安装作为信号线驱动电路的模式。但是本发明并不局限于此，并且驱动IC可以安装作为扫描线驱动电路和信号线驱动电路。如此，优选的用在扫描线侧和信号线侧的驱动IC的规格是不同的。

在象素部分301中，信号线和扫描线交叉形成矩阵，并且晶体管排列在每个交叉点。在本发明中，具有作为沟道部分的非晶体半导体或半非晶体半导体的TFT用作排列在象素部分301中的晶体管。通过等离子体CVD方法，溅射方法以及类似的方法形成非晶体半导体。通过等离子体CVD方法，可以在300°或更低的温度下形成半非晶体半导体。即使在例如550×650mm的外部尺寸的非碱性玻璃衬底的情况下，在短时间内形成对于形成晶体管所需要的膜厚度。这种制造技术的特征在制造大面积显示装置中是有效的。此外，通过形成SAS的沟道形成区，半非晶体TFT能获得2至10cm²/Vsec的场效应迁移率。因此，该TFT可以用作象素的开关元件并作为构成扫描线侧的驱动电路的元件。因此，可以制造能实现面板上系统(system-on-panel)的EL显示面板。

注意图12所示的是以通过使用具有由半非晶半导体(SAS)形成的半导体层的TFT，扫描驱动电路也集成在衬底上为前提的。在通过使用具有由半非晶半导体形成的半导体层的TFT的情况下，驱动IC既可以作为扫描线驱动电路又可以作为信号线驱动电路安装。

如此，优选使用在扫描线侧和信号线侧的驱动IC的规格是不同的。例如，构成扫描线驱动IC的晶体管需要承受住一个接近30V的电压，但是，驱动频率是100kHz或更小，因此不太需要高速工作。因此，优选的设置包含在扫描线驱动器中的晶体管的沟道长度(L)足够长。另一方面，信号线驱动IC的晶体管需要承受住接近12V的电压，但是，在3V时的驱动频率大约是65MHz，因此需要高速工作。因此，最好基于微米标准设置包含在驱动器中的晶体管的沟道长度或其它的长度。

安装驱动IC的方法没有特别限制并且可以采用公知的方法，诸如COG方法，引线结合方法，或TAB方法。通过使得驱动IC形成为具有与相对衬底同样的厚度，驱动IC与相对衬底之间的高度可以几乎相同，这用于整体上形成一个较薄的显示装置。当两个衬底由相同的材料形成时，不产生热压，并且即使当显示装置中的温度变化时，包含TFT的电路的特性不受到损害。此外，通过安装比在该实施例模式描述的IC芯片更长的驱动IC作为驱动电路，可以减少安装在一个象素区域上的驱动IC的数量。

如上所述，通过用激光曝光由微滴放出方法形成的导电图案并对其显影，可以形成精细图案。此外，通过使用微滴放出方法在衬底上直接形成各种图案，即使使用具有1000mm或更长的侧边的第五代或以后的玻璃衬底，也能很容易地形成EL显示面板。

此外，在该实施例模式中，显示出一个步骤，其中不执行旋转涂覆并且尽可能不执行使用光掩膜的曝光步骤，但是本发明并不局限于此。也可以执行曝光步骤，其中将光掩膜用作构图的一部分。

通过使用如上描述制造的EL显示板可以形成各种电子装置。电子装置的例子包括电视装置，摄像机，数字照相机，护目镜型显示器，导航系统，以及音频再现装置(汽车音响装置，声频组件系统等)，个人计算机，游戏机，便携式信息终端(移动计算机，便携式电话，便携式游戏机，电子书等)，设置有记录介质的图像再现装置(特别的，再现诸如数字化视频光盘(DVD)的记录介质以及提供有能够显示再现图像的显示器的装置)以及类似的。特别的，最好将本发明用于具有大屏幕的大电视装置中。这些电子装置的具体示例在图16A至16D中示出。

图16A示出具有22至50英寸大屏幕的大电视装置，它包括外壳2001，支撑底座2002，显示部分2003，视频输入端2005以及其它。该显示装置包括所有用来显示信息诸如用来接收电视广播的显示装置，和交互式电视。依据本发明，即使通过使用具有1000mm或更长的第五代或以后的玻璃衬底，也能实现相对便宜的大显示装置。

图16B示出个人计算机，包括主体2201，外壳2202，显示部分2203，键盘2204，以及外部连接端口2205，指示鼠标2206以及其它。依据本发明能实现相对便宜的膝上型个人计算机。

图16C示出具有记录介质的便携式图像再现装置(特别的，DVD再现装置)，包括主体2401，外壳2402，显示部分A 2403，显示部分B 2404，记录介质(DVD以及其它)读取部分2405，操作键2406，扬声器部分2407以及其它。显示部分A 2403主要显示图像数据而显示部分B 2404主要显示文字部分。注意，具有记录介质的图像再现装置包括家用游戏机以及其它。依据本发明，可以实现相对便宜的图像再现装置。

图16D示出具有便携式和无线显示器的电视装置。外壳2602包括电池和信号接收器。电池驱动显示部分2603和扬声器部分2607。电池是通过充电器2600可再充电的。此外，充电器2600可以发送和接收视频信号并将其传送到显示器的信号接收器。外壳2602是由操作键2606控制。图16D所示的装置可以用于视频/音频交互通信装置，这是因为通过操作操作键2606可以将信号从外壳2606传送到充电器2600。通过操作操作键2606，可以将信号从外壳2602传送到充电器2600并接着由另一个电子装置接收充电器2600能传送的信号，由此能控制另一个电子装置的通信。因此，它也可以用作一般的远程控制装置。依据本发明，使用便宜的制造方法可以提供相对大(22至50英寸)的便携式电视。

如上所述，依据本发明的发光装置可以用于各种电子装置的显示部分。注意，在该实施模式中，TFT是由非晶体硅或半非晶体硅形成的，但是本发明并不局限于此。通过使用沟道形成区由多硅材料形成的TFT也能获得类似的作用效果。

【实施方式8】

在该实施方式中，将参考图14A至14C描述具有薄膜晶体管的发光显示装置。

如图14A所示，在驱动电路部分1310和象素部分1311中设置具有由半非晶体硅膜形成的有源层的顶栅N沟道TFT。

在该实施方式中，连接到形成在象素部分1311中的发光元件的N沟道TFT称为驱动TFT1301。称作堤或隔墙的绝缘膜1302形成为覆盖驱动TFT1301的电极(称为第一电极)的末端。对绝缘膜1302，可以使用无机材料(氧化硅，氮化硅，氧氮化硅等)，光敏或非光敏有机材料(聚酰亚胺，丙烯酸，聚酰胺，聚酰亚胺酰胺，抗蚀剂，或苯并环丁基)，具有Si-O键的脊柱结构并且包含至少氢或氟化物，烷基，或芳香碳氢化物的至少一个作为取代基的材料。作为有机材料，可以使用正性光敏有机树脂或者负性光敏有机树脂。

在第一电极的绝缘膜1302上形成孔径部分。在孔径部分内形成电致发光层1303，设置发光元件的第二电极1304以覆盖电致发光层和绝缘膜1302。注意，单态激发状态和三态激发状态可以作为在电致发光层产生的一种分子激发子给出。接地状态一般是单态状态；因此来自单态激发状态的发光称为荧光而来自三态激发状态的发光称为磷光。来自电致发光层的发光包括任一激发状态起作用的情况。此外，荧光和磷光可以结合使用，而且可以依据每个RGB的发光特性(诸如亮度或寿命)进行选择。

通过从第一电极侧边顺序地层叠HIL(空穴注入层)，HTL(空穴传输层)，EML(发射层)，ETL(电子传输层)，和EIL(电子注入层)而形成电致发光层1303。注意，电致发光层可以具有单层结构或混合结构以及叠层结构。

在全色显示情况，通过喷墨方法、对每个使蒸发掩膜的蒸发方法或其它的方法，形成呈现红(R)，绿(G)，蓝(B)光的材料作为电致发光层1303。特别的，将CuPc或PEDOT用作HIL；a-NPD用作HTL；BCP或Alq₃用作ETL；以及BCP:Li或CaF₂用作EIL。此外，例如也可以将依据R，G，和B各自色彩的掺杂剂(在R情况下是DCM或其它，在G情况下是DMQD以及其它)的Alq₃用作EML。注意，电致发光层不局限于具有前述叠层结构的材料。例如使用共汽化的氧化物诸如氧化钼(MoO_x：x＝2至3)和a-NPD或红荧烯可以增强空穴注入特性。有机材料(包括低分子量材料或高分子量材料)或者有机材料和无机材料的混合材料也可以用作材料。

在形成发射白光的电致发光层的情况，通过分别设置滤色器或者滤色器和色彩转换层等可以执行全色显示。在粘附之前将滤色器和色彩转换层形成在第二衬底(密封衬底)上。滤色器或色彩转换层可以通过喷墨方法形成。无须说明，单色发光装置可以通过形成电致发光层而形成，电致发光层呈现除了白光之外的光发射。此外，可以形成执行单色显示的区域色彩型显示装置。

需要根据功函数选择形成第一电极和第二电极1304的材料。但是依据象素结构，第一和第二电极可以是阳极或是阴极。在该实施方式中，优选的第一电极是阴极而第二电极是阳极，同时驱动TFT是N沟道晶体管。在驱动TFT的极性为P-沟道的情况下，第一电极最好为阳极而第二电极最好为阴极。

考虑到作为N沟道晶体管的驱动TFT的电子移动方向，优选顺序层叠第一电极作为阴极，EIL(电子注入层)，ETL(电子传输层)，EML(发光层)，HTL(空穴传输层)，HIL(空穴注入层)，和作为阳极的第二电极。

作为覆盖第二电极的钝化膜，绝缘膜优选通过溅射或CVD方法由DLC等形成。结果是可以阻止湿气或氧气渗入。此外，通过用第一电极，第二电极，或其它电极覆盖显示装置的侧边可以防止湿气或氧气渗入。接着，粘附密封衬底。由密封衬底形成的空间可以用氮填充或进一步提供有干躁剂。由密封衬底形成的空间可以用具有发光特性和高湿气吸收特性的树脂填充。

为增加对比度，可以设置偏振器或圆偏振器。例如，可以将偏振器或圆偏振器设置在显示器的一个表面或两个表面上。

在具有上述形成的结构的发光装置中，将具有光透射特性的材料(ITO或ITSO)用于第一电极和第二电极。因此从电致发光层以对应从信号线输入的视频信号的亮度发射光到两个方向1305和1306。此外，图14B表示部分不同于图14A的结构示例。

在图14B所示的发光装置的结构中，在驱动电路部分1310和象素部分1311中设置沟道蚀刻N沟道TFT。在实施方式4中描述了沟道蚀刻TFT的制造方法，因此，此处省略对其详细的描述。

类似于图14A，将连接到形成在象素部分1311中的发光元件的N沟道TFT表示为驱动TFT1301。图14B所示的结构与图14A所示的结构的不同在于第一电极是由具有非光透射特性的导电膜，优选的是高反射膜形成，并且第二电极1304是由具有光透射特性的导电膜形成。因此，发光方向1305是仅向密封衬底侧的。图14C示出部分地不同于图14A的例子的结构。

在图14C示出的发光装置的结构中，对驱动电路部分1310和象素部分1311设置沟道停止N沟道TFT。在实施方式5中描述了沟道停止N沟道TFT的制造方法，因此，在此省略其详细的描述。

类似于图14A，将连接到形成在象素部分1311中的发光元件的N沟道TFT表示为驱动TFT1301。图14C所示的结构与图14A所示的结构的不同在于第一电极是由具有光透射特性的导电膜形成，并且第二电极1304是由具有非光透射特性的的导电膜，优选是高反射膜形成。因此，发光方向1306是仅向衬底侧的。

已经描述了使用每个薄膜晶体管的发光元件的结构。薄膜晶体管的结构和发光元件的结构可以互相自由结合。

本申请基于2004年5月22日在日本专利局公开的日本专利申请序列号第2004-180306，它的全部内容在此引用作参考。

Claims (11)

1、一种显示装置，包括：

包含漏极端和源极端的第一晶体管；

包含漏极端和源极端的第二晶体管；

包含输入端和输出端的放大器电路；和

电流源电路，

其中第一晶体管的漏极端电连接到第二晶体管的漏极端，

其中第一晶体管的源极端电连接到第一发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的源极端电连接到第二发光元件的第一电极，

其中第二发光元件的第二电极电连接到放大器电路的输入端，

其中第二发光元件的第二电极电连接到电流源电路，以及

其中第一发光元件的第二电极电连接到放大器电路的输出端。

2、一种显示装置，包括：

包含源极端和栅极端的第一晶体管；

包含源极端、栅极端和漏极端的第二晶体管；

包含输入端和输出端的放大器电路；

电流源电路；和

包含输出端和输入端的视频信号产生电路，

其中第一晶体管的源极端电连接到第一发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的源极端电连接到第二发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的栅极端电连接到第二晶体管的漏极端，

其中第二晶体管的漏极端电连接到放大器电路的输入端，

其中第二晶体管的漏极端电连接到电流源电路，

其中第一发光元件的第二电极电连接到第二发光元件的第二电极，

其中第一晶体管的栅极端电连接到视频信号产生电路的输出端，

其中放大器电路的输出端电连接到视频信号产生电路的输入端。

3、一种显示装置，包括：

包含漏极端和源极端的第一晶体管；

包含漏极端和源极端的第二晶体管；

包含输入端和输出端的放大器电路；和

电流源电路，

其中第一晶体管的源极端电连接到第一发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的源极端电连接到第二发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的漏极端电连接到放大器电路的输入端，

其中第二晶体管的漏极端电连接到电流源电路，

其中第一发光元件的第二电极电连接到第二发光元件的第二电极，以及

放大器电路的输出端电连接到第一晶体管的漏极端。

4、一种显示装置，包括：

包含源极端和漏极端的第一晶体管；

包含源极端和漏极端的第二晶体管；

包含第一电极和第二电极的第一发光元件；

包含第一电极和第二电极的第二发光元件；

包含输入端和输出端的放大器电路；和

电流源电路，

其中第一晶体管的漏极端电连接到第二晶体管的漏极端，

其中第一晶体管的源极端电连接到第一发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的源极端电连接到第二发光元件的第一电极，

其中第二发光元件的第二电极电连接到放大器电路的输入端，

其中第二发光元件的第二电极电连接到电流源电路，

其中第一发光元件的第二电极电连接到放大器电路的输出端，和

其中放大器电路是电压跟随器电路。

5、一种显示装置，包括：

包含源极端和栅极端的第一晶体管；

包含漏极端、源极端和栅极端的第二晶体管；

包含第一电极和第二电极的第一发光元件；

包含第一电极和第二电极的第二发光元件；

包含输入端和输出端的放大器电路；

电流源电路；和

包括输入端和输出端的视频信号产生电路，

其中第一晶体管的源极端电连接到第一发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的源极端电连接到第二发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的栅极端电连接到第二晶体管的漏极端，

其中第二晶体管的漏极端电连接到放大器电路的输入端，

其中第二晶体管的漏极端电连接到电流源电路，

其中第一发光元件的第二电极电连接到第二发光元件的第二电极，

其中第一晶体管的栅极端电连接到视频信号产生电路的输出端，

其中放大器电路的输出端电连接到视频信号产生电路的输入端，和

其中放大器电路是电压跟随器电路。

6、一种显示装置，包括：

包含源极端和漏极端的第一晶体管；

包含源极端和漏极端的第二晶体管；

包含第一电极和第二电极的第一发光元件；

包含第一电极和第二电极的第二发光元件；

包含输入端和输出端的放大器电路；和

电流源电路，

其中第一晶体管的源极端电连接到第一发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的源极端电连接到第二发光元件的第一电极，

其中第二晶体管的漏极端电连接到放大器电路的输入端，

其中第二晶体管的漏极端电连接到电流源电路，

其中第一发光元件的第二电极电连接到第二发光元件的第二电极，

其中放大器电路的输出端电连接到第一晶体管的漏极端，和

其中放大器电路是电压跟随器电路。

7、依据权利要求1-6中任一项的显示装置，其中第一晶体管和第二晶体管是N沟道晶体管。

8、依据权利要求1-6中任一项的显示装置，其中第一晶体管和第二晶体管的每一个具有由非晶体半导体膜形成的沟道形成区。

9、依据权利要求1-6中任一项的显示装置，其中第一晶体管和第二晶体管的每一个具有由半非晶体半导体膜形成的沟道形成区。

10、依据权利要求1-6中任一项的显示装置，其中第一发光元件和第二发光元件是EL元件。

11、依据权利要求1-6中任一项的显示装置，其中显示装置包含在从由电视装置，个人计算机，以及便携式图像再现装置构成的组中选择的电子装置中。

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