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TWI383411B - Electronic parts and manufacturing methods thereof - Google Patents

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TWI383411B
TWI383411B TW099139315A TW99139315A TWI383411B TW I383411 B TWI383411 B TW I383411B TW 099139315 A TW099139315 A TW 099139315A TW 99139315 A TW99139315 A TW 99139315A TW I383411 B TWI383411 B TW I383411B
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insulator layer
insulator
electronic component
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TW099139315A
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Inventor
Yoichiro Ito
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
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Publication date
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Publication of TW201145324A publication Critical patent/TW201145324A/zh
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Description

電子零件及其製造方法
本發明係關於一種電子零件及其製造方法，尤其是關於一種內設有線圈之電子零件及其製造方法。
習知此種電子零件，例如已知有專利文獻1記載之開磁路型積層線圈零件。圖9係專利文獻1記載之開磁路型積層線圈零件500的剖面構造圖。
開磁路型積層線圈零件500，如圖9所示，具備積層體502及線圈L。積層體502係藉由積層複數個磁性體層而構成。線圈L為螺旋狀，係藉由連接複數個線圈導體506而構成。再者，開磁路型積層線圈零件500具備非磁性體層504。非磁性體層504係以橫越線圈L之方式設於積層體502。
上述開磁路型積層線圈零件500中，在複數個線圈導體506周圍旋轉之磁通Φ 510通過非磁性體層504。其結果，可抑制在積層體502內磁通過度集中而產生磁氣飽和。其結果，開磁路型積層線圈零件500具有優異之直流重疊特性。
然而，開磁路型積層線圈零件500中，除了在複數個線圈導體506周圍旋轉之磁通Φ 510之外，亦存在有在各線圈導體506周圍旋轉之磁通Φ 512。此種磁通Φ 512亦成為在開磁路型積層線圈零件500產生磁氣飽和之原因。
專利文獻1：日本特開2005-259774號公報
因此，本發明之目的在於提供一種可抑制在各線圈導體周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生之電子零件及其製造方法。
為了解決上述問題，本發明之電子零件之製造方法，具備形成內設有由複數個線圈導體構成之螺旋狀線圈之積層體之步驟、及將該積層體燒成之步驟，其特徵在於：形成該積層體之步驟，具備：形成第1單位層之步驟；以及積層該第1單位層之步驟；該形成第1單位層之步驟，具有：準備具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層之過程；在該第1絕緣體層上設置構成該螺旋狀線圈之線圈導體之過程；以及在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分，設置具有第1之Bi含有率且具有高於該第1之Ni含有率之第2之Ni含有率之第2絕緣體層之過程。
再者，形成該積層體之步驟進一步包含形成第2單位層之步驟；該形成第2單位層之步驟，具有：準備具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層之過程；在該第1絕緣體層上設置構成該螺旋狀線圈之線圈導體之過程；以及在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分，設置具有低於該第1之Bi含有率之第2之Bi含有率且具有高於該第1之Ni含有率之第3之Ni含有率之第3絕緣體層之過程；具備積層該第1單位層與該第2單位層之步驟。
或者，形成該積層體之步驟進一步包含形成第3單位層之步驟；該形成第3單位層之步驟，具有：準備具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層之過程；在該第1絕緣體層上設置構成該螺旋狀線圈之線圈導體之過程；以及在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分，設置該第2絕緣體層及具有低於該第1之Bi含有率之第2之Bi含有率且具有高於該第1之Ni含有率之第3之Ni含有率之第3絕緣體層之過程；具備積層該第1單位層與該第3單位層之步驟。
又，該第1絕緣體層之厚度較該第2絕緣體層及該第3絕緣體層之厚度薄；較佳為，該第1絕緣體層之厚度為5μm以上35μm以下。
再者，較佳為，該第1絕緣體層係Ni含有率為零之非磁性體層。
又，較佳為，設由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側挾持之部分為第1部分、由該第2絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第2部分之情形，在燒成該積層體之步驟之後，在該第1部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率，在該第2部分之Ni含有率低於在該第2絕緣體層之Ni含有率。
又，較佳為，設由該第1絕緣體層之該第3絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第3部分之情形，在燒成該積層體之步驟之後，在該第3部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率且低於在該第3絕緣體層之Ni含有率。
本發明之電子零件，具備第1單位層，該第1單位層係由片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第2絕緣體層構成，其特徵在於：藉由積層該複數個第1單位層而連接複數個該線圈導體以構成螺旋狀線圈；設由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側挾持之部分為第1部分、由該第2絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第2部分之情形，在該第1部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率，在該第2部分之Ni含有率低於在該第2絕緣體層之Ni含有率。
再者，進一步具備第2單位層，該第2單位層係由片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第3絕緣體層構成；藉由積層該第1單位層及該第2單位層而連接複數個該線圈導體以構成螺旋狀線圈；設由該第1絕緣體層之該第3絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第3部分之情形，在該第3部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率且低於在該第3絕緣體層之Ni含有率。
或者，進一步具備第3單位層，該第3單位層係由片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之該第2絕緣體層及第3絕緣體層構成；藉由積層該第1單位層及該第3單位層而連接複數個該線圈導體以構成螺旋狀線圈；設由該第1絕緣體層之該第3絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第3部分之情形，在該第3部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率且低於在該第3絕緣體層之Ni含有率。
根據本發明之電子零件，可抑制在各線圈導體周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生，抑制電流通電時之電感值降低。
又，根據本發明之電子零件之製造方法，可高精度形成由線圈導體從積層方向之兩側挾持之非磁性體層。
以下，說明本發明實施形態之電子零件及其製造方法。
(電子零件之構成)
以下，參照圖式說明本發明之電子零件。圖1係顯示實施形態之電子零件10a～10d之外觀的立體圖。圖2係一實施形態之電子零件10a之積層體12a的分解立體圖。圖3係圖1之A-A線之電子零件10a的剖面構造圖。圖2所示之積層體12a顯示燒成前之狀態。另一方面，圖3所示之電子零件10a顯示燒成後之狀態。以下，將電子零件10a之積層方向定義為z軸方向，將沿著電子零件10a之長邊之方向定義為x軸方向，將沿著電子零件10a之短邊之方向定義為y軸方向。x軸、y軸、z軸彼此正交。
電子零件10a，如圖1所示，具備積層體12a及外部電極14a,14b。積層體12a為長方體狀，內設有線圈L。
外部電極14a,14b分別電氣連接於線圈L，設於彼此對向之積層體12a之側面。本實施形態中，外部電極14a,14b係設成覆蓋位於x軸方向兩端之二個側面。
積層體12a，如圖2所示，係由外裝用絕緣體層15a～15e、第1絕緣體層19a～19f、第2絕緣體層16a～16f、線圈導體18a～18f及導通孔導體b1～b5構成。
外裝用絕緣體層15a～15e分別為長方形，與後述第2絕緣體層16a～16f相同，係具有第1之Bi含有率且具有高於第1之Ni含有率之第2之Ni含有率之絕緣體層。亦即，係由含有Bi之Ni-Cu-Zn系肥粒鐵構成之一片片狀之磁性體層。外裝用絕緣體層15c,15b,15a係以此順序積層於較設有線圈導體18a～18f之區域更偏z軸方向之正方向側，構成外層。又，外裝用絕緣體層15d,15e係以此順序積層於較設有線圈導體18a～18f之區域更偏z軸方向之負方向側，構成外層。
第1絕緣體層19a～19f，如圖2所示為長方形，為具有第1之Ni含有率之絕緣體層。本實施形態中，第1絕緣體層19a～19f，係由Ni含有率為零之Cu-Zn系肥粒鐵構成之非磁性體層。然而，第1絕緣體層19a～19f在燒成前雖為非磁性體層，但在燒成後部分成為磁性體層。此點將於後述。
線圈導體18a～18f，如圖2所示，係由Ag所構成之導電性材料構成，具有7/8匝數之長度，與導通孔導體b1～b5一起構成線圈L。線圈導體18a～18f係分別設於第1絕緣體層19a～19f上。又，線圈導體18a之一端，在第1絕緣體層19a上係引出至x軸方向之負方向側之邊，構成引出導體。線圈導體18a之一端係連接於圖1之外部電極14a。線圈導體18f之一端，在第1絕緣體層19f上係引出至x軸方向之正方向側之邊，構成引出導體。線圈導體18f之一端係連接於圖1之外部電極14b。又，線圈導體18a～18f，從z軸方向俯視時，彼此重疊形成一個長方形之環。
導通孔導體b1～b5，如圖2所示，在z軸方向貫通第1絕緣體層19a～19e，連接在z軸方向相鄰之線圈導體18a～18f。具體而言，導通孔導體b1連接線圈導體18a之另一端與線圈導體18b之一端。導通孔導體b2連接線圈導體18b之另一端與線圈導體18c之一端。導通孔導體b3連接線圈導體18c之另一端與線圈導體18d之一端。導通孔導體b4連接線圈導體18d之另一端與線圈導體18e之一端。導通孔導體b5連接線圈導體18e之另一端與線圈導體18f之另一端(此外，如上述線圈導體18f之一端係引出導體)。以上述方式，線圈導體18a～18f及導通孔導體b1～b5構成具有在z軸方向延伸之線圈軸之螺旋狀線圈L。
第2絕緣體層16a～16f，如圖2所示，係分別設於第1絕緣體層19a～19f上線圈導體18a～18f以外之部分。因此，第1絕緣體層19a～19f之主面被第2絕緣體層16a～16f及線圈導體18a～18f覆蓋。再者，第2絕緣體層16a～16f及線圈導體18a～18f之主面分別構成一個平面，成為面高相同。又，第2絕緣體層16a～16f係具有第1之Bi含有率且具有高於第1之Ni含有率之第2之Ni含有率之絕緣體層。亦即，本實施形態中，第2絕緣體層16a～16f係由含有Bi之Ni-Cu-Zn系肥粒鐵構成之磁性體層。
此處，第1絕緣體層19a～19f之厚度薄於第2絕緣體層16a～16f之厚度。具體而言，第1絕緣體層19a～19f之厚度為5μm以上35μm以下，以上述方式構成之第1絕緣體層19a～16f、第2絕緣體層16a～16f及線圈導體18a～18f分別構成第1單位層17a～17f。此外，第1單位層17a～17f係以此順序連續積層於外裝用絕緣體層15a～15c與外裝用絕緣體層15d,15e之間。藉此，構成積層體12a。
將上述積層體12a燒成，形成外部電極14a,14b，則電子零件10a具有圖3所示之剖面構造。具體而言，在積層體12a之燒成時，第1絕緣體層19a～19f之一部分中之Ni含有率高於第1之Ni含有率。亦即，第1絕緣體層19a～19f之一部分從非磁性體層變化成磁性體層。
更詳細而言，如圖3所示，電子零件10a中，第1絕緣體層19a～19f包含第1部分20a～20e及第2部分22a～22f。第1部分20a～20e係在第1絕緣體層19a～19e由線圈導體18a～18f從z軸方向之兩側挾持之部分。具體而言，第1部分20a係在第1絕緣體層19a由線圈導體18a與線圈導體18b挾持之部分。第1部分20b係在第1絕緣體層19b由線圈導體18b與線圈導體18c挾持之部分。第1部分20c係在第1絕緣體層19c由線圈導體18c與線圈導體18d挾持之部分。第1部分20d係在第1絕緣體層19d由線圈導體18d與線圈導體18e挾持之部分。第1部分20e係在第1絕緣體層19e由線圈導體18e與線圈導體18f挾持之部分。
又，第2部分22a～22f係在第1絕緣體層19a～19f上第1部分20a～20e以外之部分。然而，在第1絕緣體層19f不存在第1部分20f，僅存在第2部分22f。其原因在於，第1絕緣體層19f較位於z軸方向之最負方向側之線圈導體18f更位於z軸方向之負方向側。
在第1部分20a～20e之Ni含有率低於在第2部分22a～22f之Ni含有率。本實施形態中，在第1部分20a～20e不含Ni。因此，第1部分20a～20e係非磁性體層。另一方面，在第2部分22a～22f含有Ni。因此，第2部分22a～22f係磁性體層。又，在第2部分22a～22f之Ni含有率低於在第2絕緣體層16a～16f之Ni含有率。
(電子零件之製造方法)
以下，參照圖式說明電子零件10a的製造方法。又，以下說明同時作成複數個電子零件10a時之電子零件10a的製造方法。
首先，準備應成為圖2之第1絕緣體層19a～19f的陶瓷坯片。具體而言，將以既定比例稱量後的氧化鐵(Fe2 O3 )、氧化鋅(ZnO)、及氧化銅(CuO)等各材料作為原材料投入球磨機，進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎，將得到的粉末在800℃下預燒1小時。將得到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後，乾燥後粉碎，得到肥粒鐵陶瓷粉末。
對該肥粒鐵陶瓷粉末添加水系結合劑(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)與有機結合劑(聚乙烯醇縮丁醛等)、分散劑、消泡材，用球磨機進行混合，之後藉由減壓進行脫泡，得到陶瓷漿料。將此陶瓷漿料使用刮刀法在載體片上形成為片狀，並使其乾燥，製作出應成為第1絕緣體層19a～19f的陶瓷坯片。
接著，準備應成為圖2之外裝用絕緣體層15a～15e的陶瓷坯片。具體而言，將以既定比例稱量後的氧化鐵(Fe2 O3 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)及氧化銅(CuO)、氧化鉍(Bi2 O3 )等各材料作為原材料投入球磨機，進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎，將得到的粉末在800℃下預燒1小時。將得到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後，乾燥後粉碎，得到肥粒鐵陶瓷粉末。
對該肥粒鐵陶瓷粉末添加水系結合劑(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)與有機結合劑(聚乙烯醇縮丁醛等)、分散劑、消泡材，用球磨機進行混合，之後藉由減壓進行脫泡，得到陶瓷漿料。使此陶瓷漿料之氧化鉍之比例為原料比1.5重量%。將此陶瓷漿料使用刮刀法在載體片上形成為片狀，並使其乾燥，製作出應成為外裝用絕緣體層15a～15e的陶瓷坯片。
接著，準備應成為圖2之第2絕緣體層16a～16f的陶瓷糊層的陶瓷糊。具體而言，將以既定比例稱量後的氧化鐵(Fe2 O3 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)及氧化銅(CuO)、氧化鉍(Bi2 O3 )等各材料作為原材料投入球磨機，進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎，將得到的粉末在800℃下預燒1小時。將得到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後，乾燥後粉碎，得到肥粒鐵陶瓷粉末。
對該肥粒鐵陶瓷粉末配合結合劑(乙基纖維素、PVB、甲基纖維素、丙烯酸樹脂等)與萜品醇與分散劑、可塑劑混合而成者並混練，製得應成為第2絕緣體層16a～16f的陶瓷糊層的陶瓷糊。此處，使此陶瓷糊之氧化鉍之比例為原料比1.5重量%。
接著，如圖2所示，在應成為第1絕緣體層19a～19e的陶瓷坯片分別形成導通孔導體b1～b5。具體而言，對應成為第1絕緣體層19a～19e的陶瓷坯片照射雷射光束形成導通孔。接下來，使用印刷塗布等方法在該導通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導電性糊。
接著，如圖2所示，在應成為第1絕緣體層19a～19f的陶瓷坯片上形成線圈導體18a～18f。具體而言，在應成為第1絕緣體層19a～19f的陶瓷坯片上用網版印刷法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等作為主要成分的導電性糊，以形成線圈導體18a～18f。此外，形成線圈導體18a～18f之步驟與對導通孔填充導電性糊之步驟，在相同步驟進行亦可。
接著，如圖2所示，在應成為第1絕緣體層19a～19f的陶瓷坯片上之線圈導體18a～18f以外之部分形成應成為第2絕緣體層16a～16f的陶瓷糊層。具體而言，用網版印刷法等方法塗布陶瓷糊，形成應成為第2絕緣體層16a～16f的陶瓷糊層。藉由以上步驟，形成應成為圖2所示之第1單位層17a～17f的陶瓷坯片層。
接著，如圖2所示，依照應成為外裝用絕緣體層15a～15c的陶瓷坯片、應成為第1單位層17a～17f的陶瓷坯片層及應成為外裝用絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排之方式積層、壓接，以獲得未燒成之母積層體。應成為外裝用絕緣體層15a～15c的陶瓷坯片、應成為第1單位層17a～17f的陶瓷坯片層及應成為外裝用絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之積層、壓接，在逐一積層進行預壓接後，藉由靜水壓加壓對未燒成之母積層體進行加壓以進行正式壓接。
此外，在積層時，在z軸方向連續積層應成為第1單位層17a～17f的陶瓷坯片層，藉此形成線圈L。藉此，如圖2所示，在未燒成之母積層體，線圈導體18a～18f與第1絕緣體層19a～19f在z軸方向交互排列。
接著，藉由切刀將母積層體切割成既定尺寸之積層體12a。藉此獲得未燒成之積層體12a。對該未燒成之積層體12a進行脫結合劑處理及燒成。脫結合劑處理，例如在低氧環境氣氛中以500℃2小時之條件進行。燒成，例如以870℃～900℃2.5小時之條件進行。
在燒成時，產生Ni從外裝用絕緣體層15d、第2絕緣體層16a～16f至第1絕緣體層19a～19f之擴散。更詳細而言，如圖3所示，第1絕緣體層19a～19f之第2部分22a～22f與含有Ni之外裝用絕緣體層15d、第2絕緣體層16a～16f接觸，因此在第2部分22a～22f，Ni從外裝用絕緣體層15d、第2絕緣體層16a～16f擴散而來。因此，第2部分22a～22f成為磁性體層。然而，在第2部分22a～22f之Ni含有率低於在外裝用絕緣體層15d、第2絕緣體層16a～16f之第2之Ni含有率。
此處，關於Ni之擴散，外裝用絕緣體層15d與第2絕緣體層16a～16f所含之Bi之功能非常重要。
外裝用絕緣體層15d與第2絕緣體層16a～16f所含之Ni往第1絕緣體層19a～19f擴散時，Bi之量愈多愈促進Ni擴散。亦即，外裝用絕緣體層15d與第2絕緣體層16a～16f所含之Bi具有幫助Ni擴散之功能。是以，本發明中，外裝用絕緣體層15d與第2絕緣體層16a～16f必須要含有Bi。
另一方面，第1絕緣體層19a～19e之第1部分20a～20e與外裝用絕緣體層15d、第2絕緣體層16a～16f不接觸，因此在第1部分20a～20e，Ni不會從外裝用絕緣體層15d、第2絕緣體層16a～16f擴散而來。因此，第1部分20a～20e仍為不含Ni之非磁性體層。此外，第1部分20a～20e原則上不含Ni，但有可能含有透過第2部分22a～22e擴散而來之Ni。因此，第1部分20a～20e含有不帶磁性程度之稀少量之Ni亦可。此情形，第1部分20a～20e之Ni含有率低於第2部分之Ni含有率。
藉由以上步驟，獲得燒成後之積層體12a。對積層體12a施加筒式加工，進行去角。之後，在積層體12a的表面上，例如使用浸漬法等方法塗布及燒接主要成分為銀的電極糊，形成應成為外部電極14a,14b之銀電極。銀電極之燒接在800℃下進行60分鐘。
最後，在銀電極的表面實施鍍鎳(Ni)/鍍錫(Sn)，形成外部電極14a,14b。經過以上的步驟，完成圖1所示的電子零件10a。
(效果)
電子零件10a及其製造方法中，如以下說明，可抑制在各線圈導體18a～18f周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生。更詳細而言，電流流過電子零件10a之線圈L後，產生圖3所示之在線圈導體18a～18f整體周圍旋轉之具有相對較長磁路之磁通Φ 1，且產生在各線圈導體18a～18f周圍旋轉之具有相對較短磁路之磁通Φ 2(圖3中，僅記載在線圈導體18d周圍產生之磁通Φ 2)。此外，磁通Φ 2與磁通Φ 1相同地，成為在電子零件10a產生磁氣飽和之原因。
因此，以上述製造方法製作之電子零件10a中，在第1絕緣體層19a～19f，由線圈導體18a～18f從z軸方向之兩側挾持之第1部分20a～20e成為非磁性體層。因此，在各線圈導體18a～18f周圍旋轉之磁通Φ 2，通過非磁性體層之第1部分20a～20e。因此，可抑制磁通Φ 2之磁通密度過高在電子零件10a產生磁氣飽和。其結果，可提升電子零件10a之直流重疊特性。
本申請發明人為了使電子零件10a及其製造方法所達成之效果更明確，進行以下說明之電腦模擬。具體而言，製作與電子零件10a相當之第1模型，且製作以電子零件10a之第1絕緣體層19a～19f為磁性體層之第2模型。模擬條件如下。
線圈L之匝數：8.5匝數
電子零件之尺寸：2.5mm×2.0mm×1.0mm
第1絕緣體層19a～19f之厚度：10μm
圖4係顯示模擬結果的圖表。橫軸表示賦予各模型之電流值。縱軸表示以電流值大致為零(0.001A)時之電感值為基準時之電感變化率。
根據圖4，即使第1模型之電流值大於第2模型，電感變化率亦少。亦即，可知第1模型具有優於第2模型之直流重疊特性。此意味著第2模型較第1模型易於產生在各線圈導體旋轉之磁通導致之磁氣飽和。根據上述，可知電子零件10a及其製造方法可抑制在各線圈導體18a～18f周圍旋轉之磁通Φ 2導致之磁氣飽和之產生。
再者，電子零件10a及其製造方法中，可高精度形成非磁性體層之第1部分20a～20e。更詳細而言，在一般電子零件中，作為在由線圈導體挾持之部分形成非磁性體層之方法，例如可考慮在由線圈導體挾持之部分印刷非磁性體之糊。
然而，印刷非磁性體之糊之方法之情形，由於印刷偏移或積層偏移，會有非磁性體層從由線圈導體挾持之部分露出之虞。如上述，若非磁性體層從由線圈導體挾持之部分露出，則會有妨礙在線圈導體整體旋轉之具有較長磁路之磁通之虞。亦即，所欲磁通以外之磁通亦通過非磁性體層。
另一方面，上述電子零件10a及其製造方法中，製作積層體12a後，在燒成時形成非磁性體層之第1部分20a～20e。因此，不會因印刷偏移或積層偏移，第1部分20a～20e從由線圈導體18a～18f挾持之部分露出。其結果，電子零件10a及其製造方法中，可高精度形成非磁性體層之第1部分20a～20e。其結果，可抑制所欲磁通Φ 2以外之磁通Φ 1通過非磁性體層。
又，電子零件10a中，第1單位層17a～17f以此順序連續積層於外裝用絕緣體層15a～15c與外裝用絕緣體層15d,15e之間。藉此，非磁性體層僅設於由線圈導體18a～18f挾持之第1部分20a～20e。此外，不存在橫越線圈L之非磁性體層。
又，電子零件10a及其製造方法中，較佳為第1絕緣體層19a～19f之厚度為5μm以上35μm以下。
第1絕緣體層19a～19f之厚度小於5μm時，不易製作應成為第1絕緣體層19a～19f之陶瓷坯片。另一方面，第1絕緣體層19a～19f之厚度大於35μm時，Ni不會充分擴散，不易使第2部分22a～22f成為磁性體層。
此外，電子零件10a中，不存在橫越線圈L之非磁性體層。然而，電子零件10a中，在第1部分20a～20e以外之部分存在非磁性體層亦可。藉此，可調整電子零件之直流重疊特性，或調整電感值。以下，針對在第1部分20a～20e以外之部分設置非磁性體層之變形例之電子零件進行說明。
(第1變形例)
以下，參照圖式說明第1變形例之電子零件10b及其製造方法。圖5係第1變形例之電子零件10b的剖面構造圖。圖5中，為了避免圖式複雜，省略一部分與圖3相同構成之參照符號。
電子零件10a與電子零件10b之不同點在於，電子零件10b中，替代磁性體層之第2絕緣體層16c,16d，使用具有低於第1之Bi含有率之第2之Bi含有率且具有高於第1之Ni含有率之第3之Ni含有率之第3絕緣體層26c,26d之點。
此處，第3絕緣體層26c,26d分別設於第1絕緣體層19c,19d上線圈導體18c,18d以外之部分。因此，第1絕緣體層19c,19d之主面被第3絕緣體層26c,26d及線圈導體18c,18d覆蓋。再者，第3絕緣體層26c,26d及線圈導體18c,18d之主面分別構成一個平面，成為面高相同。又，第1絕緣體層19c,19d之厚度，較第3絕緣體層26c,26d之厚度薄。
第1變形例之電子零件10b，在燒成時，Ni從第3絕緣體層26c,26d往第1絕緣體層19c擴散。
更詳細而言，如圖6所示，第1絕緣體層19c之第3部分24c(亦即，在第1絕緣體層19c，被線圈導體18c及線圈導體18d挾持之部分即第1部分20c以外之部分)與第3絕緣體層26c,26d接觸，因此在第3部分24c，Ni從第3絕緣體層26c,26d擴散而來。
然而，與Ni從第2絕緣體層16a,16b,16e,16f及外裝用絕緣體層15d往第1絕緣體層19a,19b,19d,19e之擴散相較擴散量變少。
其原因如上述，對Ni之擴散而言，Bi之功能非常重要，Bi具有幫助Ni擴散之功能。另一方面，第3絕緣體層26c,26d之Bi含有率低於第2絕緣體層16a,16b,16e,16f之Bi含有率。因此，Ni往第1絕緣體層19c之第3部分24c之擴散量變少。
是以，第3部分24c成為含有不帶磁性程度之些微量之Ni之非磁性體層或僅在與第3絕緣體層26c,26d接觸之極表層部分含有Ni之非磁性體層。
此處，在第3部分24c之Ni含有率低於在第2部分22a,22b,22d,22e之Ni含有率，且低於在第3絕緣體層26c,26d之Ni含有率。
其結果，在電子零件10b，在線圈L之內側及外側設置非磁性體層即第3部分24c。藉此，磁通Φ 1通過非磁性體層即第3部分24c，其結果，電子零件10b中，可抑制磁通Φ 1導致之磁氣飽和之產生。
此外，作為電子零件10b之製造方法，首先以下述方式準備應成為第3絕緣體層26c,26d之陶瓷糊層之陶瓷糊。
具體而言，將以既定比例稱量後的氧化鐵(Fe2 O3 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)及氧化銅(CuO)、氧化鉍(Bi2 O3 )等各材料作為原材料投入球磨機，進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎，將得到的粉末在800℃下預燒1小時。將得到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後，乾燥後粉碎，得到肥粒鐵陶瓷粉末。
對該肥粒鐵陶瓷粉末配合結合劑(乙基纖維素、PVB、甲基纖維素、丙烯酸樹脂等)與萜品醇與分散劑、可塑劑混合而成者並混練，製得應成為第3絕緣體層26c,26d的陶瓷糊層的陶瓷糊。此處，使此陶瓷糊之氧化鉍之比例為原料比0.2重量%。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片形成導通孔導體b3,b4。導通孔導體b3,b4之形成方法已進行說明，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上形成線圈導體18c,18d。線圈導體18c,18d之形成方法已進行說明，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d的陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d以外之部分形成應成為第3絕緣體層26c,26d的陶瓷糊層。
具體而言，用網版印刷法等方法塗布此陶瓷糊，形成應成為第3絕緣體層26c,26d的陶瓷糊層。
藉由以上步驟，形成應成為第2單位層27c,27d的陶瓷坯片層。
接著，依照應成為外裝用絕緣體層15a～15c的陶瓷坯片、應成為第1單位層17a～17b、第2單位層27c,27d、第1單位層17e～17f的陶瓷坯片層及應成為外裝用絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排之方式積層、壓接，以獲得未燒成之母積層體。電子零件10b之製造方法中其他步驟與電子零件10a之製造方法中其他步驟相同，因此省略說明。
為了使電子零件10b及其製造方法所達成之效果更明確，進行以下說明之電腦模擬。具體而言，製作與電子零件10b相當之第3模型，且製作以電子零件10b之第1絕緣體層19a,19b,19d,19e,19f為磁性體層、以第1絕緣體層19c為非磁性體層之第4模型。模擬條件如下。
線圈L之匝數：8.5匝數
電子零件之尺寸：2.5mm×2.0mm×1.0mm
第1絕緣體層19a～19f之厚度：10μm
圖6係顯示模擬結果的圖表。橫軸表示賦予各模型之電流值。縱軸表示以電流值大致為零(0.001A)時之電感值為基準時之電感變化率。
根據圖6，即使第3模型之電流值大於第4模型，電感變化率亦少。亦即，可知第3模型具有優於第4模型之直流重疊特性。此意味著第4模型較第3模型易於產生在各線圈導體旋轉之磁通導致之磁氣飽和。根據上述，可知電子零件10b及其製造方法可抑制在各線圈導體18a～18f周圍旋轉之磁通Φ 2導致之磁氣飽和之產生。
(第2變形例)
以下，參照圖式說明第2變形例之電子零件10c及其製造方法。圖7係第2變形例之電子零件10c的剖面構造圖。圖7中，為了避免圖式複雜，省略一部分與圖3相同構成之參照符號。
電子零件10a與電子零件10c之不同點在於，電子零件10c中，替代磁性體層之第2絕緣體層16c,16d，使用第2絕緣體層36c,36d及具有低於第1之Bi含有率之第2之Bi含有率且具有高於第1之Ni含有率之第3之Ni含有率之第3絕緣體層46c,46d之點。
此處，第2絕緣體層36c,36d及第3絕緣體層46c,46d分別設於第1絕緣體層19c,19d上線圈導體18c,18d以外之部分。
具體而言，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之外側部分設置第3絕緣體層46c,46d，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之內側部分設置第2絕緣體層36c,36d。
又，第1絕緣體層19c,19d之主面被第2絕緣體層36c,36d及第3絕緣體層46c,46d及線圈導體18c,18d覆蓋。再者，第2絕緣體層36c,36d及第3絕緣體層46c,46d及線圈導體18c,18d之主面分別構成一個平面，成為面高相同。又，第1絕緣體層19c,19d之厚度，較第2絕緣體層36c,36d及第3絕緣體層46c,46d之厚度薄。
第2變形例之電子零件10c，在燒成時，Ni從第3絕緣體層46c,46d往第1絕緣體層19c擴散。
更詳細而言，如圖7所示，第1絕緣體層19c之第3部分34c(亦即，在第1絕緣體層19c，被第3絕緣體層46c及第3絕緣體層46d挾持之部分)與第3絕緣體層46c,46d接觸，因此在第3部分34c，Ni從第3絕緣體層46c,46d擴散而來。
然而，與Ni從第2絕緣體層36c,36d往第1絕緣體層19c之擴散相較擴散量變少。
其原因如上述，對Ni之擴散而言，Bi之功能非常重要，Bi具有幫助Ni擴散之功能。另一方面，第3絕緣體層46c,46d之Bi含有率低於第2絕緣體層36c,36d之Bi含有率。因此，Ni往第1絕緣體層19c之第3部分34c之擴散量變少。
是以，第3部分34c成為含有不帶磁性程度之些微量之Ni之非磁性體層或僅在與第3絕緣體層46c,46d接觸之極表層部分含有Ni之非磁性體層。
此處，在第3部分34c之Ni含有率低於在第2部分22a,22b,22d,22e,32c之Ni含有率，且低於在第3絕緣體層46c,46d之Ni含有率。
其結果，在電子零件10c，在線圈L之外側設置非磁性體層即第3部分34c。藉此，磁通Φ 1通過非磁性體層即第3部分34c，其結果，電子零件10c中，可抑制磁通Φ 1導致之磁氣飽和之產生。
此外，作為電子零件10c之製造方法，首先準備應成為第2絕緣體層36c,36d及第3絕緣體層46c,46d之陶瓷糊層之陶瓷糊。具體而言，分別與第2絕緣體層16c,16d及第3絕緣體層26c,26d之陶瓷糊之製造方法相同，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片形成導通孔導體b3,b4。導通孔導體b3,b4之形成方法已進行說明，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上形成線圈導體18c,18d。線圈導體18c,18d之形成方法已進行說明，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d的陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d以外之部分形成應成為第2絕緣體層36c,36d的陶瓷糊層與應成為第3絕緣體層46c,46d的陶瓷糊層。
具體而言，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之外側部分形成第3絕緣體層46c,46d，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之內側部分形成第2絕緣體層36c,36d。
接著，用網版印刷法等方法塗布此等陶瓷糊，形成應成為第2絕緣體層36c,36d及第3絕緣體層46c,46d的陶瓷糊層。
藉由以上步驟，形成應成為第3單位層37c,37d的陶瓷坯片層。
接著，依照應成為外裝用絕緣體層15a～15c的陶瓷坯片、應成為第1單位層17a～17b、第3單位層37c,37d、第1單位層17e～17f的陶瓷坯片層及應成為外裝用絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排之方式積層、壓接，以獲得未燒成之母積層體。電子零件10c之製造方法中其他步驟與電子零件10a之製造方法中其他步驟相同，因此省略說明。
(第3變形例)
以下，參照圖式說明第3變形例之電子零件10d及其製造方法。圖8係第3變形例之電子零件10d的剖面構造圖。圖8中，為了避免圖式複雜，省略一部分與圖3相同構成之參照符號。
電子零件10a與電子零件10d之不同點在於，電子零件10d中，替代磁性體層之第2絕緣體層16c,16d，使用第2絕緣體層56c,56d及具有低於第1之Bi含有率之第2之Bi含有率且具有高於第1之Ni含有率之第3之Ni含有率之第3絕緣體層66c,66d之點。
此處，第2絕緣體層56c,56d及第3絕緣體層66c,66d分別設於第1絕緣體層19c,19d上線圈導體18c,18d以外之部分。
具體而言，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之內側部分設置第3絕緣體層66c,66d，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之外側部分設置第2絕緣體層56c,56d。
又，第1絕緣體層19c,19d之主面被第2絕緣體層56c,56d及第3絕緣體層66c,66d及線圈導體18c,18d覆蓋。再者，第2絕緣體層56c,56d及第3絕緣體層66c,66d及線圈導體18c,18d之主面分別構成一個平面，成為面高相同。又，第1絕緣體層19c,19d之厚度，較第2絕緣體層56c,56d及第3絕緣體層66c,66d之厚度薄。
第3變形例之電子零件10d，在燒成時，Ni從第3絕緣體層66c,66d往第1絕緣體層19c擴散。
更詳細而言，如圖8所示，第1絕緣體層19c之第3部分44c(亦即，在第1絕緣體層19c，被第3絕緣體層66c及第3絕緣體層66d挾持之部分)與第3絕緣體層66c,66d接觸，因此在第3部分44c，Ni從第3絕緣體層66c,66d擴散而來。
然而，與Ni從第2絕緣體層56c,56d往第1絕緣體層19c之擴散相較擴散量變少。
其原因如上述，對Ni之擴散而言，Bi之功能非常重要，Bi具有幫助Ni擴散之功能。另一方面，第3絕緣體層66c,66d之Bi含有率低於第2絕緣體層56c,56d之Bi含有率。因此，Ni往第1絕緣體層19c之第3部分44c之擴散量變少。
是以，第3部分44c成為含有不帶磁性程度之些微量之Ni之非磁性體層或僅在與第3絕緣體層66c,66d接觸之極表層部分含有Ni之非磁性體層。
此處，在第3部分44c之Ni含有率低於在第2部分22a,22b,22d,22e,42c之Ni含有率，且低於在第3絕緣體層66c,66d之Ni含有率。
其結果，在電子零件10d，在線圈L之內側設置非磁性體層即第3部分44c。藉此，磁通Φ 1通過非磁性體層即第3部分44c，其結果，電子零件10d中，可抑制磁通Φ 1導致之磁氣飽和之產生。
此外，作為電子零件10d之製造方法，首先準備應成為第2絕緣體層56c,56d及第3絕緣體層66c,66d之陶瓷糊層之陶瓷糊。具體而言，分別與第2絕緣體層16c,16d及第3絕緣體層26c,26d之陶瓷糊之製造方法相同，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片形成導通孔導體b3,b4。導通孔導體b3,b4之形成方法已進行說明，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上形成線圈導體18c,18d。線圈導體18c,18d之形成方法已進行說明，因此省略。
接著，在應成為第1絕緣體層19c,19d的陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d以外之部分形成應成為第2絕緣體層56c,56d的陶瓷糊層與應成為第3絕緣體層66c,66d的陶瓷糊層。
具體而言，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之內側部分形成第3絕緣體層66c,66d，在應成為第1絕緣體層19c,19d之陶瓷坯片上之線圈導體18c,18d之外側部分形成第2絕緣體層56c,56d。
接著，用網版印刷法等方法塗布此等陶瓷糊，形成應成為第2絕緣體層56c,56d及第3絕緣體層66c,66d的陶瓷糊層。
藉由以上步驟，形成應成為第3單位層47c,47d的陶瓷坯片層。
接著，依照應成為外裝用絕緣體層15a～15c的陶瓷坯片、應成為第1單位層17a～17b、第3單位層47c,47d、第1單位層17e～17f的陶瓷坯片層及應成為外裝用絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排之方式積層、壓接，以獲得未燒成之母積層體。電子零件10d之製造方法中其他步驟與電子零件10a之製造方法中其他步驟相同，因此省略說明。
此外，電子零件10a～10d雖藉由逐次壓接工法製作，但例如藉由印刷工法製作亦可。
又，本發明之第1至第3變形例，為顯示在第1絕緣體層19c之部分設置非磁性體層之變形例，但使用相同手段在第1絕緣體層19c以外之第1絕緣體層19a,19b,19d,19e,19f設置亦可，再者，組合第1至第3變形例，在第1絕緣體層19a～19f之複數層設置非磁性體層之電子零件亦可。
本發明有用於電子零件及其製造方法，尤其是在可抑制在各線圈導體周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生之點優異。
L．．．線圈
b1～b5．．．導通孔導體
10a～10d．．．電子零件
12a～12d,502．．．積層體
14a,14b．．．外部電極
15a～15e．．．外裝用絕緣體層
18a～18f,506．．．線圈導體
19a～19f．．．第1絕緣體層
16a～16f,36c,36d,56c,56d．．．第2絕緣體層
26c,26d,46c,46d,66c,66d．．．第3絕緣體層
17a～17f．．．第1單位層
27c,27d．．．第2單位層
37c,37d,47c,47d．．．第3單位層
20a～20e．．．第1部分
22a～22f,32c,42c．．．第2部分
24c,34c,44c．．．第3部分
500．．．開磁路型積層線圈零件
504．．．非磁性體層
圖1係顯示本發明電子零件之實施形態之外觀的立體圖。
圖2係一實施形態之電子零件之積層體的分解立體圖。
圖3係圖1之A-A線之電子零件的剖面構造圖。
圖4係顯示第1模型與第2模型之模擬結果的圖表。
圖5係第1變形例之電子零件的剖面構造圖。
圖6係顯示第3模型與第4模型之模擬結果的圖表。
圖7係第2變形例之電子零件的剖面構造圖。
圖8係第3變形例之電子零件的剖面構造圖。
圖9係專利文獻1記載之開磁路型積層線圈零件的剖面構造圖。
L．．．線圈
b1～b5．．．導通孔導體
12a．．．積層體
15a～15e．．．外裝用絕緣體層
18a～18f．．．線圈導體
19a～19f．．．第1絕緣體層
16a～16f．．．第2絕緣體層
17a～17f．．．第1單位層

Claims (13)

  1. 一種電子零件之製造方法，具備形成內設有由複數個線圈導體構成之螺旋狀線圈之積層體之步驟、及將該積層體燒成之步驟，其特徵在於：形成該積層體之步驟，具備：形成第1單位層之步驟；以及積層該第1單位層之步驟；該形成第1單位層之步驟，具有：準備具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層之過程；在該第1絕緣體層上設置構成該螺旋狀線圈之線圈導體之過程；以及在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分，設置具有第1之Bi含有率且具有高於該第1之Ni含有率之第2之Ni含有率之第2絕緣體層之過程。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件之製造方法，其中，形成該積層體之步驟進一步包含形成第2單位層之步驟；該形成第2單位層之步驟，具有：準備具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層之過程；在該第1絕緣體層上設置構成該螺旋狀線圈之線圈導體之過程；以及在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分，設置具有低於該第1之Bi含有率之第2之Bi含有率且具有高於該第1之Ni含有率之第3之Ni含有率之第3絕緣體層之過程；具備積層該第1單位層與該第2單位層之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子零件之製造方法，其中，形成該積層體之步驟進一步包含形成第3單位層之步驟；該形成第3單位層之步驟，具有：準備具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層之過程；在該第1絕緣體層上設置構成該螺旋狀線圈之線圈導體之過程；以及在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分，設置該第2絕緣體層及具有低於該第1之Bi含有率之第2之Bi含有率且具有高於該第1之Ni含有率之第3之Ni含有率之第3絕緣體層之過程；具備積層該第1單位層與該第3單位層之步驟。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件之製造方法，其中，該第1絕緣體層之厚度較該第2絕緣體層及該第3絕緣體層之厚度薄。
  5. 如申請專利範圍第4項之電子零件之製造方法，其中，該第1絕緣體層之厚度為5μm以上35μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件之製造方法，其中，該第1絕緣體層係Ni含有率為零之非磁性體層。
  7. 如申請專利範圍第4項之電子零件之製造方法，其中，該第1絕緣體層係Ni含有率為零之非磁性體層。
  8. 如申請專利範圍第5項之電子零件之製造方法，其中，該第1絕緣體層係Ni含有率為零之非磁性體層。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件之製造方法，其中，設由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側挾持之部分為第1部分、由該第2絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第2部分之情形，在燒成該積層體之步驟之後，在該第1部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率，在該第2部分之Ni含有率低於在該第2絕緣體層之Ni含有率。
  10. 如申請專利範圍第2或3項之電子零件之製造方法，其中，設由該第1絕緣體層之該第3絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第3部分之情形，在燒成該積層體之步驟之後，在該第3部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率且低於在該第3絕緣體層之Ni含有率。
  11. 一種電子零件，具備第1單位層，該第1單位層係由片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第2絕緣體層構成，其特徵在於：藉由積層該複數個第1單位層而連接複數個該線圈導體以構成螺旋狀線圈；設由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側挾持之部分為第1部分、由該第2絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第2部分之情形，在該第1部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率，在該第2部分之Ni含有率低於在該第2絕緣體層之Ni含有率。
  12. 如申請專利範圍第11項之電子零件，其進一步具備第2單位層，該第2單位層係由片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第3絕緣體層構成；藉由積層該第1單位層及該第2單位層而連接複數個該線圈導體以構成螺旋狀線圈；設由該第1絕緣體層之該第3絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第3部分之情形，在該第3部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率且低於在該第3絕緣體層之Ni含有率。
  13. 如申請專利範圍第11項之電子零件，其進一步具備第3單位層，該第3單位層係由片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之該第2絕緣體層及第3絕緣體層構成；藉由積層該第1單位層及該第3單位層而連接複數個該線圈導體以構成螺旋狀線圈；設由該第1絕緣體層之該第3絕緣體層從積層方向之兩側挾持之部分為第3部分之情形，在該第3部分之Ni含有率低於在該第2部分之Ni含有率且低於在該第3絕緣體層之Ni含有率。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102568778B (zh) * 2012-01-20 2015-07-22 深圳顺络电子股份有限公司 叠层功率型线圈类器件
KR101408525B1 (ko) * 2012-11-20 2014-06-17 삼성전기주식회사 적층형 코일 부품
KR101408617B1 (ko) * 2012-11-20 2014-06-17 삼성전기주식회사 적층형 코일 부품
KR101983135B1 (ko) * 2012-12-27 2019-05-28 삼성전기주식회사 인덕터 및 그의 갭층 제조를 위한 조성물
US20140292460A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Inductor and method for manufacturing the same
JP6393457B2 (ja) * 2013-07-31 2018-09-19 新光電気工業株式会社 コイル基板及びその製造方法、インダクタ
JP6425375B2 (ja) * 2013-10-11 2018-11-21 新光電気工業株式会社 コイル基板及びその製造方法、インダクタ
KR20160000329A (ko) * 2014-06-24 2016-01-04 삼성전기주식회사 적층 인덕터, 적층 인덕터의 제조방법 및 적층 인덕터의 실장 기판
KR101832559B1 (ko) * 2015-05-29 2018-02-26 삼성전기주식회사 코일 전자부품
JP6569451B2 (ja) * 2015-10-08 2019-09-04 Tdk株式会社 積層コイル部品
JP6528636B2 (ja) * 2015-10-08 2019-06-12 Tdk株式会社 積層コイル部品
DE102018119331B4 (de) * 2018-08-08 2024-07-25 Endress+Hauser Flowtec Ag Herstellungsverfahren einer Spulenvorrichtung, Spulenvorrichtung, Messaufnehmer mit Spulenvorrichtung, Messgerät mit einem Messaufnehmer
JP7373902B2 (ja) * 2018-12-28 2023-11-06 太陽誘電株式会社 積層コイル部品
JP7362416B2 (ja) 2019-10-23 2023-10-17 Tdk株式会社 コイル部品及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200609961A (en) * 2004-07-20 2006-03-16 Murata Manufacturing Co Coil component

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56155516A (en) 1980-05-06 1981-12-01 Tdk Corp Laminated coil of open magnetic circuit type
JPH09213530A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Alps Electric Co Ltd 平面トランス
JP3245835B2 (ja) * 1998-07-13 2002-01-15 株式会社村田製作所 積層型インダクタの製造方法
JP2001068341A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ及び積層型インダクタのインピーダンス調整方法
JP2000216024A (ja) * 2000-01-01 2000-08-04 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
JP2002175917A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Tokin Corp 積層インダクタおよびその製造方法
JP2002175927A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Tokin Corp 積層インダクタンス素子及びその製造方法
JP2003092214A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
JP2005259774A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Murata Mfg Co Ltd 開磁路型積層コイル部品
US7994889B2 (en) * 2006-06-01 2011-08-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multilayer inductor
JP2007324555A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Taiyo Yuden Co Ltd 積層インダクタ
KR101421453B1 (ko) * 2006-07-05 2014-07-22 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 적층 부품
JP2008130736A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Hitachi Metals Ltd 電子部品及びその製造方法
CN101652336B (zh) * 2007-04-17 2013-01-02 日立金属株式会社 低损耗铁氧体及使用它的电子部件
JP4973996B2 (ja) 2007-08-10 2012-07-11 日立金属株式会社 積層電子部品

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200609961A (en) * 2004-07-20 2006-03-16 Murata Manufacturing Co Coil component

Also Published As

Publication number Publication date
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