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WO2011121828A1 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

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WO2011121828A1
WO2011121828A1 PCT/JP2010/068280 JP2010068280W WO2011121828A1 WO 2011121828 A1 WO2011121828 A1 WO 2011121828A1 JP 2010068280 W JP2010068280 W JP 2010068280W WO 2011121828 A1 WO2011121828 A1 WO 2011121828A1
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WO
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content
insulator layer
layer
insulator
electronic component
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/068280
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
陽一郎 伊藤
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2012508017A priority Critical patent/JP5644852B2/ja
Priority to CN201080065948.5A priority patent/CN102822917B/zh
Priority to KR1020127025628A priority patent/KR101381016B1/ko
Publication of WO2011121828A1 publication Critical patent/WO2011121828A1/ja
Priority to US13/631,107 priority patent/US8633794B2/en

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
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    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H01F41/042—Printed circuit coils by thin film techniques
    • H—ELECTRICITY
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    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0033—Printed inductances with the coil helically wound around a magnetic core

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component and a manufacturing method thereof, and more specifically to an electronic component having a built-in coil and a manufacturing method thereof.
  • FIG. 9 is a cross-sectional structure diagram of an open magnetic circuit type multilayer coil component 500 described in Patent Document 1.
  • the open magnetic circuit type laminated coil component 500 includes a laminated body 502 and a coil L as shown in FIG.
  • the laminated body 502 is configured by laminating a plurality of magnetic layers.
  • the coil L has a spiral shape and is configured by connecting a plurality of coil conductors 506.
  • the open magnetic circuit type laminated coil component 500 includes a nonmagnetic layer 504.
  • the nonmagnetic layer 504 is provided on the multilayer body 502 so as to cross the coil L.
  • the magnetic flux ⁇ 510 that circulates around the plurality of coil conductors 506 passes through the nonmagnetic layer 504.
  • the magnetic saturation is prevented from occurring due to excessive concentration of magnetic flux in the stacked body 502.
  • the open magnetic circuit type multilayer coil component 500 has excellent direct current superposition characteristics.
  • a magnetic flux ⁇ 512 that circulates around each coil conductor 506 also exists in the open magnetic circuit type laminated coil component 500.
  • Such a magnetic flux ⁇ 512 also causes magnetic saturation in the open magnetic circuit type multilayer coil component 500.
  • an object of the present invention is to provide an electronic component that can suppress the occurrence of magnetic saturation due to a magnetic flux that circulates around each coil conductor, and a manufacturing method thereof.
  • a method of manufacturing an electronic component according to the present invention includes a step of forming a multilayer body including a spiral coil composed of a plurality of coil conductors, and a step of firing the multilayer body.
  • the step of forming the laminated body includes the steps of preparing a first insulator layer having a first Ni content, and on the first insulator layer.
  • the step of forming the laminate includes a step of preparing a first insulator layer having a first Ni content, and a coil conductor that constitutes the spiral coil on the first insulator layer. And in a portion other than the coil conductor on the first insulator layer, the second Bi content is lower than the first Bi content and is higher than the first Ni content.
  • a step of forming a second unit layer as a step of providing a third insulator layer having a high third Ni content, and further comprising the step of forming the first unit layer and the second unit layer. And a step of stacking.
  • the step of forming the laminated body includes a step of preparing a first insulator layer having a first Ni content, and a coil conductor that constitutes the spiral coil on the first insulator layer. And a portion other than the coil conductor on the first insulator layer, the second insulator layer and the second Bi content rate lower than the first Bi content rate, A step of forming a third unit layer having a third insulator layer having a third Ni content higher than the first Ni content, and further comprising the step of forming a third unit layer; And laminating the third unit layer.
  • the thickness of the first insulator layer is thinner than the thickness of the second insulator layer and the third insulator layer, and the thickness of the first insulator layer is It is preferably 5 ⁇ m or more and 35 ⁇ m or less.
  • the first insulator layer is a nonmagnetic layer having a Ni content of zero.
  • a portion of the first insulator layer sandwiched between the coil conductors from both sides in the stacking direction is a first portion
  • a portion of the first insulator layer sandwiched from both sides of the stacking direction is the first portion.
  • the Ni content in the first part is lower than the Ni content in the second part
  • the Ni content in the portion 2 is preferably lower than the Ni content in the second insulator layer.
  • the Ni content in the portion 3 is lower than the Ni content in the second portion, and preferably lower than the Ni content in the third insulator layer.
  • An electronic component according to the present invention includes a sheet-like first insulator layer, a coil conductor provided on the first insulator layer, and a coil conductor other than the coil conductor on the first insulator layer.
  • An electronic component comprising a first unit layer comprising a second insulator layer provided in a portion, wherein the plurality of first unit layers are stacked and the plurality of coil conductors are connected.
  • a helical coil is configured, and a portion sandwiched from both sides in the stacking direction by the coil conductor in the first insulator layer is defined as a first portion, and the second insulator layer is formed in the second insulator layer.
  • the Ni content in the first portion is lower than the Ni content in the second portion
  • the Ni content in part 2 is lower than the Ni content in the second insulator layer. That it is Tsu, and said.
  • the sheet-like first insulator layer, the coil conductor provided on the first insulator layer, and the portions other than the coil conductor on the first insulator layer are provided.
  • the coil conductor provided on the first insulator layer, and the coil conductor on the first insulator layer.
  • An electronic component further comprising a third unit layer comprising the second insulator layer and the third insulator layer, wherein the first unit layer and the third unit layer are stacked and The coil conductor is connected to form a spiral coil, and a portion of the first insulator layer sandwiched by the third insulator layer from both sides in the stacking direction is the third.
  • the Ni content in the third part is lower than the Ni content in the second part and lower than the Ni content in the third insulator layer. It is characterized by that.
  • the electronic component of the present invention it is possible to suppress the occurrence of magnetic saturation due to the magnetic flux that circulates around each coil conductor, and it is possible to suppress a decrease in inductance value when current is applied.
  • the nonmagnetic layer sandwiched between the coil conductors from both sides in the stacking direction can be formed with high accuracy.
  • FIG. 2 is a cross-sectional structure diagram of the electronic component taken along AA in FIG. It is the graph which showed the simulation result in the 1st model and the 2nd model. It is a cross-section figure of the electronic component which concerns on a 1st modification. It is the graph which showed the simulation result in the 3rd model and the 4th model. It is sectional structure drawing of the electronic component which concerns on a 2nd modification. It is sectional structure drawing of the electronic component which concerns on a 3rd modification. 2 is a cross-sectional structure diagram of an open magnetic circuit type multilayer coil component described in Patent Document 1.
  • FIG. 1 is the graph which showed the simulation result in the 1st model and the 2nd model.
  • FIG. 2 is a cross-section figure of the electronic component which concerns on a 1st modification. It is the graph which showed the simulation result in the 3rd model and the 4th model.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of electronic components 10a to 10d according to the embodiment.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the multilayer body 12a of the electronic component 10a according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a sectional structural view of the electronic component 10a in AA of FIG.
  • the laminated body 12a shown in FIG. 2 has shown the state before baking.
  • the electronic component 10a shown in FIG. 3 shows a state after firing.
  • the stacking direction of the electronic component 10a is defined as the z-axis direction
  • the direction along the long side of the electronic component 10a is defined as the x-axis direction
  • the direction along the short side of the electronic component 10a is defined as the y-axis direction.
  • the x axis, the y axis, and the z axis are orthogonal to each other.
  • the electronic component 10a includes a laminate 12a and external electrodes 14a and 14b as shown in FIG.
  • the laminated body 12a has a rectangular parallelepiped shape and includes a coil L therein.
  • the external electrodes 14a and 14b are electrically connected to the coil L and are provided on the side surfaces of the laminated body 12a facing each other.
  • the external electrodes 14a and 14b are provided so as to cover two side surfaces located at both ends in the x-axis direction.
  • the laminated body 12a includes exterior insulator layers 15a to 15e, first insulator layers 19a to 19f, second insulator layers 16a to 16f, coil conductors 18a to 18f, and via-hole conductor b1. To b5.
  • Each of the exterior insulator layers 15a to 15e has a rectangular shape, and has the same first Bi content as the second insulator layers 16a to 16f described later, and is higher than the first Ni content. It is an insulator layer having a second Ni content. That is, it is a single sheet-like magnetic layer made of Ni—Cu—Zn-based ferrite containing Bi.
  • the exterior insulator layers 15c, 15b, and 15a are laminated in this order on the positive side in the z-axis direction from the region where the coil conductors 18a to 18f are provided, and constitute an outer layer. Further, the exterior insulator layers 15d and 15e are laminated in this order on the negative side in the z-axis direction from the region where the coil conductors 18a to 18f are provided, and constitute an outer layer.
  • the first insulator layers 19a to 19f have a rectangular shape and are insulator layers having a first Ni content.
  • the first insulator layers 19a to 19f are nonmagnetic layers made of Cu—Zn-based ferrite having a Ni content of zero.
  • the first insulator layers 19a to 19f are nonmagnetic layers before firing, but are partially magnetic layers after firing. This point will be described later.
  • the coil conductors 18a to 18f are made of a conductive material made of Ag, have a length of 7/8 turns, and constitute the coil L together with the via-hole conductors b1 to b5.
  • the coil conductors 18a to 18f are provided on the first insulator layers 19a to 19f, respectively. Further, one end of the coil conductor 18a is drawn out to the side on the negative direction side in the x-axis direction on the first insulator layer 19a, and constitutes a lead conductor. One end of the coil conductor 18a is connected to the external electrode 14a of FIG.
  • One end of the coil conductor 18f is drawn to the side on the positive direction side in the x-axis direction on the first insulator layer 19f, and constitutes a lead conductor.
  • One end of the coil conductor 18f is connected to the external electrode 14b of FIG. Further, the coil conductors 18a to 18f overlap each other to form one rectangular ring when viewed in plan from the z-axis direction.
  • the via-hole conductors b1 to b5 penetrate the first insulator layers 19a to 19e in the z-axis direction, and connect the coil conductors 18a to 18f adjacent in the z-axis direction.
  • the via-hole conductor b1 connects the other end of the coil conductor 18a and one end of the coil conductor 18b.
  • the via-hole conductor b2 connects the other end of the coil conductor 18b and one end of the coil conductor 18c.
  • the via-hole conductor b3 connects the other end of the coil conductor 18c and one end of the coil conductor 18d.
  • the via-hole conductor b4 connects the other end of the coil conductor 18d and one end of the coil conductor 18e.
  • the via-hole conductor b5 connects the other end of the coil conductor 18e and the other end of the coil conductor 18f (as described above, one end of the coil conductor 18f is a lead conductor).
  • the coil conductors 18a to 18f and the via hole conductors b1 to b5 constitute a spiral coil L having a coil axis extending in the z-axis direction.
  • the second insulator layers 16a to 16f are provided on portions other than the coil conductors 18a to 18f on the first insulator layers 19a to 19f, respectively. Therefore, the main surfaces of the first insulator layers 19a to 19f are covered with the second insulator layers 16a to 16f and the coil conductors 18a to 18f. Further, the main surfaces of the second insulator layers 16a to 16f and the coil conductors 18a to 18f each constitute one plane and are flush with each other.
  • the second insulator layers 16a to 16f are insulator layers having a first Bi content and a second Ni content higher than the first Ni content. That is, in the present embodiment, the second insulator layers 16a to 16f are magnetic layers made of Ni—Cu—Zn based ferrite containing Bi.
  • the thickness of the first insulator layers 19a to 19f is thinner than the thickness of the second insulator layers 16a to 16f. Specifically, the thickness of the first insulator layers 19a to 19f is not less than 5 ⁇ m and not more than 35 ⁇ m.
  • the first insulator layers 19a to 19f, the second insulator layers 16a to 16f, and the coil conductors 18a to 18f configured as described above constitute first unit layers 17a to 17f, respectively.
  • the first unit layers 17a to 17f are successively laminated in this order between the exterior insulator layers 15a to 15c and the exterior insulator layers 15d and 15e. Thereby, the laminated body 12a is comprised.
  • the electronic component 10a When the laminated body 12a as described above is fired to form the external electrodes 14a and 14b, the electronic component 10a has a cross-sectional structure shown in FIG. Specifically, when the laminate 12a is fired, the Ni content in a part of the first insulator layers 19a to 19f is higher than the first Ni content. That is, a part of the first insulator layers 19a to 19f changes from the nonmagnetic layer to the magnetic layer.
  • the first insulator layers 19a to 19f include first portions 20a to 20e and second portions 22a to 22f.
  • the first portions 20a to 20e are portions sandwiched between the coil conductors 18a to 18f from both sides in the z-axis direction in the first insulator layers 19a to 19e.
  • the first portion 20a is a portion sandwiched between the coil conductor 18a and the coil conductor 18b in the first insulator layer 19a.
  • the first portion 20b is a portion sandwiched between the coil conductor 18b and the coil conductor 18c in the first insulator layer 19b.
  • the first portion 20c is a portion sandwiched between the coil conductor 18c and the coil conductor 18d in the first insulator layer 19c.
  • the first portion 20d is a portion sandwiched between the coil conductor 18d and the coil conductor 18e in the first insulator layer 19d.
  • the first portion 20e is a portion sandwiched between the coil conductor 18e and the coil conductor 18f in the first insulator layer 19e.
  • the second portions 22a to 22f are portions other than the first portions 20a to 20e in the first insulator layers 19a to 19f. However, in the first insulator layer 19f, the first portion 20f does not exist, and only the second portion 22f exists. This is because the first insulator layer 19f is located closer to the negative direction side in the z-axis direction than the coil conductor 18f located closest to the negative direction side in the z-axis direction.
  • the Ni content in the first portions 20a to 20e is lower than the Ni content in the second portions 22a to 22f.
  • the first portions 20a to 20e do not contain Ni. Therefore, the first portions 20a to 20e are nonmagnetic layers.
  • the second portions 22a to 22f contain Ni. Therefore, the second portions 22a to 22f are magnetic layers.
  • the Ni content in the second portions 22a to 22f is lower than the Ni content in the second insulator layers 16a to 16f.
  • ceramic green sheets to be the first insulator layers 19a to 19f in FIG. 2 are prepared. Specifically, each material obtained by weighing ferric oxide (Fe 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO) and copper oxide (CuO) at a predetermined ratio is put into a ball mill as a raw material, and wet blending is performed. The obtained mixture is dried and pulverized, and the obtained powder is calcined at 800 ° C. for 1 hour. The obtained calcined powder is wet pulverized by a ball mill, dried and then crushed to obtain a ferrite ceramic powder.
  • ferric oxide Fe 2 O 3
  • ZnO zinc oxide
  • CuO copper oxide
  • a water-based binder (vinyl acetate, water-soluble acrylic, etc.), an organic bander (polyvinyl butyral, etc.), a dispersant, and a defoaming agent are added to the ferrite ceramic powder and mixed with a ball mill, and then defoamed under reduced pressure.
  • a ceramic slurry is obtained. This ceramic slurry is formed into a sheet shape on a carrier sheet by a doctor blade method and dried to produce ceramic green sheets to be the first insulator layers 19a to 19f.
  • ceramic green sheets to be the exterior insulator layers 15a to 15e in FIG. 2 are prepared. Specifically, ferric oxide (Fe 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), nickel oxide (NiO), copper oxide (CuO), and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) were weighed at predetermined ratios, respectively. This material is used as a raw material in a ball mill and wet blended. The obtained mixture is dried and pulverized, and the obtained powder is calcined at 800 ° C. for 1 hour. The obtained calcined powder is wet pulverized by a ball mill, dried and then crushed to obtain a ferrite ceramic powder.
  • ferric oxide Fe 2 O 3
  • zinc oxide ZnO
  • NiO nickel oxide
  • CuO copper oxide
  • Bi 2 O 3 bismuth oxide
  • a water-based binder (vinyl acetate, water-soluble acrylic, etc.), an organic bander (polyvinyl butyral, etc.), a dispersant, and a defoaming agent are added to the ferrite ceramic powder and mixed with a ball mill, and then defoamed under reduced pressure.
  • a ceramic slurry is obtained.
  • the ratio of bismuth oxide in the ceramic slurry was set to 1.5% by weight as a raw material ratio.
  • This ceramic slurry is formed into a sheet form on a carrier sheet by a doctor blade method and dried to produce ceramic green sheets to be the exterior insulator layers 15a to 15e.
  • a ceramic paste of a ceramic paste layer to be the second insulator layers 16a to 16f in FIG. 2 is prepared. Specifically, ferric oxide (Fe 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), nickel oxide (NiO), copper oxide (CuO), and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) were weighed at predetermined ratios, respectively. This material is used as a raw material in a ball mill and wet blended. The obtained mixture is dried and pulverized, and the obtained powder is calcined at 800 ° C. for 1 hour. The obtained calcined powder is wet pulverized by a ball mill, dried and then crushed to obtain a ferrite ceramic powder.
  • ferric oxide Fe 2 O 3
  • zinc oxide ZnO
  • NiO nickel oxide
  • CuO copper oxide
  • Bi 2 O 3 bismuth oxide
  • This ferrite ceramic powder is mixed with a binder (ethyl cellulose, PVB, methyl cellulose, acrylic resin, etc.), terpinel, a dispersant, and a plasticizer, and kneaded to form second insulator layers 16a to 16f.
  • a binder ethyl cellulose, PVB, methyl cellulose, acrylic resin, etc.
  • terpinel ethyl cellulose, PVB, methyl cellulose, acrylic resin, etc.
  • via-hole conductors b1 to b5 are formed in the ceramic green sheets to be the first insulator layers 19a to 19e, respectively. Specifically, via holes are formed by irradiating a ceramic green sheet to be the first insulator layers 19a to 19e with a laser beam. Next, the via hole is filled with a conductive paste such as Ag, Pd, Cu, Au or an alloy thereof by a method such as printing.
  • a conductive paste such as Ag, Pd, Cu, Au or an alloy thereof by a method such as printing.
  • coil conductors 18a to 18f are formed on the ceramic green sheets to be the first insulator layers 19a to 19f.
  • a conductive paste mainly composed of Ag, Pd, Cu, Au, or an alloy thereof is applied on the ceramic green sheets to be the first insulator layers 19a to 19f by a method such as screen printing.
  • the coil conductors 18a to 18f are formed by applying the above.
  • the step of forming the coil conductors 18a to 18f and the step of filling the via hole with the conductive paste may be performed in the same step.
  • a ceramic paste layer to be the second insulator layers 16a to 16f is formed on the ceramic green sheets other than the coil conductors 18a to 18f on the ceramic green sheets to be the first insulator layers 19a to 19f.
  • the ceramic paste layer to be the second insulator layers 16a to 16f is formed by applying this ceramic paste by a method such as screen printing.
  • the ceramic green layers to be the first unit layers 17a to 17f shown in FIG. 2 are formed.
  • the ceramic green sheet to be the exterior insulator layers 15a to 15c, the ceramic green layer to be the first unit layers 17a to 17f, and the exterior insulator layers 15d and 15e are laminated and pressure-bonded in this order to obtain an unfired mother laminate.
  • the ceramic green sheets to be the exterior insulator layers 15a to 15c, the ceramic green layers to be the first unit layers 17a to 17f, and the ceramic green sheets to be the exterior insulator layers 15d and 15e are stacked and pressed. After laminating one by one and pre-pressing, the unfired mother laminate is pressed by a hydrostatic press or the like to perform main press-bonding.
  • the coil L is formed by laminating
  • the coil conductors 18a to 18f and the first insulator layers 19a to 19f are alternately arranged in the z-axis direction.
  • the mother laminated body is cut into a laminated body 12a having a predetermined size with a cutting blade. Thereby, the unsintered laminated body 12a is obtained.
  • This unfired laminate 12a is subjected to binder removal processing and firing.
  • the binder removal treatment is performed, for example, in a low oxygen atmosphere at 500 ° C. for 2 hours. Firing is performed, for example, at 870 ° C. to 900 ° C. for 2.5 hours.
  • the second portions 22a to 22f of the first insulator layers 19a to 19f are made of an exterior insulator layer 15d containing Ni, and the second insulator layers 16a to 16f. Since it is in contact with 16f, Ni diffuses from the exterior insulator layer 15d and the second insulator layers 16a to 16f into the second portions 22a to 22f. Therefore, the second portions 22a to 22f are magnetic layers. However, the Ni content in the second portions 22a to 22f is lower than the second Ni content in the exterior insulator layer 15d and the second insulator layers 16a to 16f.
  • the exterior insulator layer 15d and the second insulator layers 16a to 16f When Ni contained in the exterior insulator layer 15d and the second insulator layers 16a to 16f diffuses into the first insulator layers 19a to 19f, the Ni diffusion increases as the amount of Bi increases. That is, Bi contained in the exterior insulator layer 15d and the second insulator layers 16a to 16f plays a role of promoting Ni diffusion. Therefore, in the present invention, the exterior insulator layer 15d and the second insulator layers 16a to 16f must always contain Bi.
  • the first portions 20a to 20e of the first insulator layers 19a to 19e are not in contact with the exterior insulator layer 15d and the second insulator layers 16a to 16f. Ni does not diffuse into the outer insulating layer 15d and the second insulating layers 16a to 16f in 20e. Therefore, the first portions 20a to 20e remain as non-magnetic layers not containing Ni.
  • the first portions 20a to 20e do not contain Ni in principle, but may contain Ni diffused through the second portions 22a to 22e. Therefore, the first portions 20a to 20e may contain a slight amount of Ni that is not magnetized. Even in this case, the Ni content in the first portions 20a to 20e is lower than the Ni content in the second portion.
  • the fired laminated body 12a is obtained through the above steps. Barrel processing is performed to the laminated body 12a, and chamfering is performed. Thereafter, an electrode paste whose main component is silver is applied and baked on the surface of the laminate 12a by, for example, a dipping method or the like, thereby forming silver electrodes to be the external electrodes 14a and 14b. The silver electrode is baked at 800 ° C. for 60 minutes.
  • the external electrodes 14a and 14b are formed by performing Ni plating / Sn plating on the surface of the silver electrode.
  • an electronic component 10a as shown in FIG. 1 is completed.
  • effect In the electronic component 10a and the manufacturing method thereof, as described below, it is possible to suppress the occurrence of magnetic saturation due to the magnetic flux that circulates around the coil conductors 18a to 18f. More specifically, when a current flows through the coil L of the electronic component 10a, a magnetic flux ⁇ 1 having a relatively long magnetic path that circulates around the entire coil conductors 18a to 18f as shown in FIG. 3 is generated.
  • magnetic flux (phi) 2 can cause a magnetic saturation in the electronic component 10a similarly to the magnetic flux (phi) 1.
  • the first portions 20a to 20e sandwiched from both sides in the z-axis direction by the coil conductors 18a to 18f in the first insulator layers 19a to 19f are: It is a non-magnetic layer. Therefore, the magnetic flux ⁇ 2 that circulates around the coil conductors 18a to 18f passes through the first portions 20a to 20e that are nonmagnetic layers. Therefore, it is suppressed that the magnetic flux density of the magnetic flux ⁇ 2 becomes too high and magnetic saturation occurs in the electronic component 10a. As a result, the direct current superimposition characteristic of the electronic component 10a is improved.
  • FIG. 4 is a graph showing simulation results.
  • the horizontal axis shows the current value given to each model.
  • the vertical axis represents the rate of change in inductance when the inductance value when the current value is almost zero (0.001 A) is used as a reference.
  • the first model has a smaller inductance change rate even when the current value is larger than the second model. That is, it can be seen that the first model has superior direct current superposition characteristics compared to the second model. This means that in the second model, magnetic saturation is more likely to occur due to the magnetic flux circulating around each coil conductor than in the first model. From the above, it can be seen that the electronic component 10a and the manufacturing method thereof can suppress the occurrence of magnetic saturation due to the magnetic flux ⁇ 2 that circulates around the coil conductors 18a to 18f.
  • the first portions 20a to 20e which are nonmagnetic layers, can be formed with high accuracy. More specifically, in a general electronic component, as a method for forming a nonmagnetic layer on a portion sandwiched between coil conductors, for example, a nonmagnetic paste is printed on a portion sandwiched between coil conductors. Can be considered.
  • the first portions 20a to 20e which are non-magnetic layers, are formed during firing. Therefore, the first portions 20a to 20e do not protrude from the portion sandwiched between the coil conductors 18a to 18f due to printing misalignment or stacking misalignment. As a result, in the electronic component 10a and the manufacturing method thereof, the first portions 20a to 20e, which are nonmagnetic layers, can be formed with high accuracy. As a result, the magnetic flux ⁇ 1 other than the desired magnetic flux ⁇ 2 is suppressed from passing through the nonmagnetic layer.
  • the first unit layers 17a to 17f are successively laminated in this order between the exterior insulator layers 15a to 15c and the exterior insulator layers 15d and 15e.
  • the nonmagnetic material layer is provided only in the first portions 20a to 20e sandwiched between the coil conductors 18a to 18f. And the nonmagnetic material layer which crosses the coil L does not exist.
  • the thickness of the first insulator layers 19a to 19f is preferably 5 ⁇ m or more and 35 ⁇ m or less.
  • the thickness of the first insulator layers 19a to 19f is smaller than 5 ⁇ m, it becomes difficult to produce a ceramic green sheet to be the first insulator layers 19a to 19f.
  • the thickness of the first insulator layers 19a to 19f is larger than 35 ⁇ m, Ni is not sufficiently diffused, making it difficult to make the second portions 22a to 22f magnetic layers.
  • FIG. 5 is a cross-sectional structure diagram of an electronic component 10b according to a first modification.
  • FIG. 5 in order to avoid complication of the drawing, some reference numerals having the same configuration as in FIG. 3 are omitted.
  • the difference between the electronic component 10a and the electronic component 10b is that, in the electronic component 10b, a second Bi content that is lower than the first Bi content is used instead of the second insulator layers 16c and 16d, which are magnetic layers. And the third insulator layers 26c and 26d having the third Ni content higher than the first Ni content are used.
  • the third insulator layers 26c and 26d are provided on portions of the first insulator layers 19c and 19d other than the coil conductors 18c and 18d, respectively. Therefore, the main surfaces of the first insulator layers 19c and 19d are covered with the third insulator layers 26c and 26d and the coil conductors 18c and 18d. Furthermore, the main surfaces of the third insulator layers 26c and 26d and the coil conductors 18c and 18d each constitute a single plane and are flush with each other. The thickness of the first insulator layers 19c and 19d is smaller than the thickness of the third insulator layers 26c and 26d.
  • Ni is diffused from the third insulator layers 26c and 26d to the first insulator layer 19c during firing.
  • the third portion 24c of the first insulator layer 19c (that is, the portion sandwiched between the coil conductor 18c and the coil conductor 18d in the first insulator layer 19c). Is in contact with the third insulator layers 26c and 26d, so that Ni diffuses from the third insulator layers 26c and 26d into the third portion 24c. Come on.
  • the amount of diffusion is reduced compared to the diffusion of Ni from the second insulator layers 16a, 16b, 16e, 16f and the exterior insulator layer 15d to the first insulator layers 19a, 19b, 19d, 19e. .
  • the role of Bi is very important for Ni diffusion, and Bi plays a role of promoting Ni diffusion.
  • the Bi content of the third insulator layers 26c and 26d is lower than the Bi content of the second insulator layers 16a, 16b, 16e, and 16f. For this reason, the amount of diffusion of Ni into the third portion 24c of the first insulator layer 19c is reduced.
  • the third portion 24c has Ni only in a non-magnetic layer containing a slight amount of Ni that is not magnetized or only in the extreme surface layer portion that is in contact with the third insulator layers 26c and 26d. It becomes the nonmagnetic material layer to contain.
  • the Ni content in the third portion 24c is lower than the Ni content in the second portions 22a, 22b, 22d, and 22e, and is lower than the Ni content in the third insulator layers 26c and 26d. It is low.
  • the third portion 24c which is a nonmagnetic layer, is provided inside and outside the coil L.
  • the magnetic flux ⁇ 1 passes through the third portion 24c, which is a nonmagnetic layer, and as a result, the occurrence of magnetic saturation due to the magnetic flux ⁇ 1 is suppressed in the electronic component 10b.
  • the ceramic paste of the ceramic paste layer to be the third insulator layers 26c and 26d was prepared as follows.
  • ferric oxide (Fe 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), nickel oxide (NiO), copper oxide (CuO), and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) were weighed at predetermined ratios, respectively.
  • This material is used as a raw material in a ball mill and wet blended.
  • the obtained mixture is dried and pulverized, and the obtained powder is calcined at 800 ° C. for 1 hour.
  • the obtained calcined powder is wet pulverized by a ball mill, dried and then crushed to obtain a ferrite ceramic powder.
  • This ferrite ceramic powder is blended with a binder (ethyl cellulose, PVB, methyl cellulose, acrylic resin, etc.), terpineol, a dispersant, and a plasticizer and kneaded to form third insulator layers 26c and 26d.
  • a binder ethyl cellulose, PVB, methyl cellulose, acrylic resin, etc.
  • terpineol ethyl cellulose, PVB, methyl cellulose, acrylic resin, etc.
  • via-hole conductors b3 and b4 are formed on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d. Since the method for forming the via-hole conductors b3 and b4 has already been described, a description thereof will be omitted.
  • the coil conductors 18c and 18d are formed on the ceramic green sheets to be the first insulator layers 19c and 19d. Since the method of forming the coil conductors 18c and 18d has already been described, a description thereof will be omitted.
  • a ceramic paste layer to be the third insulator layers 26c and 26d is formed on portions other than the coil conductors 18c and 18c on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d.
  • the ceramic paste layer to be the third insulator layers 26c and 26d is formed by applying this ceramic paste by a method such as screen printing.
  • a ceramic green layer to be the second unit layers 27c and 27d is formed.
  • the ceramic green sheets to be the exterior insulator layers 15a to 15c, the first unit layers 17a to 17b, the second unit layers 27c and 27d, and the ceramic green layers to be the first unit layers 17e to 17f are laminated and pressure-bonded so as to be arranged in this order to obtain an unfired mother laminated body.
  • the other steps in the method for manufacturing the electronic component 10b are the same as the other steps in the method for manufacturing the electronic component 10a, and a description thereof will be omitted.
  • FIG. 6 is a graph showing simulation results.
  • the horizontal axis shows the current value given to each model.
  • the vertical axis represents the rate of change in inductance when the inductance value when the current value is almost zero (0.001 A) is used as a reference.
  • the third model has a smaller inductance change rate even when the current value is larger than that of the fourth model. That is, it can be seen that the third model has superior DC superimposition characteristics compared to the fourth model. This means that in the fourth model, magnetic saturation is more likely to occur due to the magnetic flux circulating around each coil conductor than in the third model. From the above, it can be seen that the electronic component 10b and the manufacturing method thereof can suppress the occurrence of magnetic saturation due to the magnetic flux ⁇ 2 that circulates around the coil conductors 18a to 18f. (Second modification)
  • FIG. 7 is a cross-sectional structure diagram of an electronic component 10c according to a second modification. In FIG. 7, in order to avoid complication of the drawing, some of the reference numerals having the same configuration as in FIG. 3 are omitted.
  • the difference between the electronic component 10a and the electronic component 10c is that, in the electronic component 10c, the second insulator layers 36c and 36d and the first Bi are used instead of the second insulator layers 16c and 16d, which are magnetic layers.
  • the third insulator layers 46c and 46d having the second Bi content ratio lower than the content ratio and the third Ni content ratio higher than the first Ni content ratio are used.
  • the second insulator layers 36c and 36d and the third insulator layers 46c and 46d are provided on portions of the first insulator layers 19c and 19d other than the coil conductors 18c and 18d, respectively.
  • the third insulator layers 46c and 46d are provided on the outer side of the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d, and the first insulator layers 19c and 19d are provided.
  • Second insulator layers 36c and 36d are provided on the inner side of the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheet to be the insulator layers 19c and 19d.
  • the main surfaces of the first insulator layers 19c and 19d are covered with the second insulator layers 36c and 36d, the third insulator layers 46c and 46d, and the coil conductors 18c and 18d. Further, the main surfaces of the second insulator layers 36c and 36d, the third insulator layers 46c and 46d, and the coil conductors 18c and 18d each constitute a single plane and are flush with each other.
  • the thickness of the first insulator layers 19c and 19d is smaller than the thickness of the second insulator layers 36c and 36d and the third insulator layers 46c and 46d.
  • Ni is diffused from the third insulator layers 46c and 46d to the first insulator layer 19c during firing.
  • the third portion 34c of the first insulator layer 19c (that is, the third insulator layer 46c and the third insulator in the first insulator layer 19c). Since the portion sandwiched between the layers 46d is in contact with the third insulator layers 46c and 46d, Ni diffuses from the third insulator layers 46c and 46d into the third portion 34c. come.
  • the amount of diffusion is smaller than the diffusion of Ni from the second insulator layers 36c, 36d to the first insulator layer 19c.
  • the role of Bi is very important for Ni diffusion, and Bi plays a role of promoting Ni diffusion.
  • the Bi content of the third insulator layers 46c and 46d is lower than the Bi content of the second insulator layers 36c and 36d. For this reason, the amount of diffusion of Ni into the third portion 34c of the first insulator layer 19c is reduced.
  • the third portion 34c has Ni only in a non-magnetic layer containing a slight amount of Ni that is not magnetized, or only in the extreme surface layer portion that is in contact with the third insulator layers 46c and 46d. It becomes the nonmagnetic material layer to contain.
  • the Ni content in the third portion 34c is lower than the Ni content in the second portions 22a, 22b, 22d, 22e, and 32c, and the Ni content in the third insulator layers 46c and 46d. Is lower than.
  • the third portion 34c which is a nonmagnetic layer, is provided outside the coil L.
  • the magnetic flux ⁇ 1 passes through the third portion 34c, which is a nonmagnetic layer, and as a result, the occurrence of magnetic saturation due to the magnetic flux ⁇ 1 is suppressed in the electronic component 10c.
  • a ceramic paste of a ceramic paste layer to be the second insulator layers 36c and 36d and the third insulator layers 46c and 46d is prepared. Specifically, since it is the same as the ceramic paste and the manufacturing method of the second insulator layers 16c and 16d and the third insulator layers 26c and 26d, they are omitted.
  • via-hole conductors b3 and b4 are formed on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d. Since the method for forming the via-hole conductors b3 and b4 has already been described, a description thereof will be omitted.
  • the coil conductors 18c and 18d are formed on the ceramic green sheets to be the first insulator layers 19c and 19d. Since the method of forming the coil conductors 18c and 18d has already been described, a description thereof will be omitted.
  • the ceramic paste layer and the third insulator layer to be the second insulator layers 36c and 36d are formed on the portions other than the coil conductors 18c and 19d on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d. Ceramic paste layers to be 46c and 46d are formed.
  • the third insulator layers 46c and 46d are formed on the outer side of the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d.
  • Second insulator layers 36c and 36d are formed on the inner side of the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheet to be the insulator layers 19c and 19d.
  • a ceramic paste layer to be the second insulator layers 36c, 36d and the third insulator layers 46c, 46d is formed.
  • a ceramic green layer to be the third unit layers 37c and 37d is formed.
  • FIG. 8 is a cross-sectional structure diagram of an electronic component 10d according to a third modification.
  • FIG. 8 in order to avoid complication of the drawing, some reference numerals having the same configuration as in FIG. 3 are omitted.
  • the difference between the electronic component 10a and the electronic component 10d is that, in the electronic component 10d, the second insulator layers 56c and 56d and the first Bi are used instead of the second insulator layers 16c and 16d, which are magnetic layers.
  • the third insulator layers 66c and 66d having a second Bi content ratio lower than the content ratio and a third Ni content ratio higher than the first Ni content ratio are used.
  • the second insulator layers 56c and 56d and the third insulator layers 66c and 66d are provided on portions of the first insulator layers 19c and 19d other than the coil conductors 18c and 18d, respectively.
  • third insulator layers 66c and 66d are provided on the inner side of the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d, and the first insulator layers 19c and 19d are provided.
  • Second insulator layers 56c and 56d are provided on portions outside the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheets to be the insulator layers 19c and 19d.
  • the main surfaces of the first insulator layers 19c and 19d are covered with the second insulator layers 56c and 56d, the third insulator layers 66c and 66d, and the coil conductors 18c and 18d. Further, the main surfaces of the second insulator layers 56c and 56d, the third insulator layers 66c and 66d, and the coil conductors 18c and 18d each constitute one plane and are flush with each other.
  • the thickness of the first insulator layers 19c and 19d is thinner than the thickness of the second insulator layers 56c and 56d and the third insulator layers 66c and 66d.
  • Ni is diffused from the third insulator layers 66c and 66d to the first insulator layer 19c during firing.
  • the third portion 44c of the first insulator layer 19c (that is, the third insulator layer 66c and the third insulator in the first insulator layer 19c). Since the portion sandwiched between the layers 66d is in contact with the third insulator layers 66c and 66d, Ni diffuses from the third insulator layers 66c and 66d into the third portion 44c. come.
  • the amount of diffusion is smaller than the diffusion of Ni from the second insulator layers 56c and 56d to the first insulator layer 19c.
  • the role of Bi is very important for Ni diffusion, and Bi plays a role of promoting Ni diffusion.
  • the Bi content of the third insulator layers 66c and 66d is lower than the Bi content of the second insulator layers 56c and 56d. For this reason, the amount of diffusion of Ni into the third portion 44c of the first insulator layer 19c is reduced.
  • the third portion 44c has Ni only in a non-magnetic layer containing a slight amount of Ni that is not magnetized, or only in the extreme surface layer portion that is in contact with the third insulator layers 66c and 66d. It becomes the nonmagnetic material layer to contain.
  • the Ni content in the third portion 434c is lower than the Ni content in the second portions 22a, 22b, 22d, 22e, and 42c, and the Ni content in the third insulator layers 66c and 66d. Is lower than.
  • the third portion 44c which is a nonmagnetic layer, is provided inside the coil L.
  • the magnetic flux ⁇ 1 passes through the third portion 44c, which is a nonmagnetic layer, and as a result, the occurrence of magnetic saturation due to the magnetic flux ⁇ 1 is suppressed in the electronic component 10d.
  • a ceramic paste of a ceramic paste layer to be the second insulator layers 56c and 56d and the third insulator layers 66c and 66d is prepared. Specifically, since it is the same as the ceramic paste and the manufacturing method of the second insulator layers 16c and 16d and the third insulator layers 26c and 26d, they are omitted.
  • via-hole conductors b3 and b4 are formed on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d. Since the method for forming the via-hole conductors b3 and b4 has already been described, a description thereof will be omitted.
  • the coil conductors 18c and 18d are formed on the ceramic green sheets to be the first insulator layers 19c and 19d. Since the method of forming the coil conductors 18c and 18d has already been described, a description thereof will be omitted.
  • the ceramic paste layer and the third insulator layer that become the second insulator layers 56c and 56d are formed on the portions other than the coil conductors 18c and 19d on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d. Ceramic paste layers to be 66c and 66d are formed.
  • the third insulator layers 66c and 66d are formed on the inner side of the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheet to be the first insulator layers 19c and 19d, and the first insulator layers 19c and 19d are formed.
  • Second insulator layers 56c and 56d are formed on portions outside the coil conductors 18c and 18d on the ceramic green sheet to be the insulator layers 19c and 19d.
  • ceramic paste layers to be the second insulator layers 56c and 56d and the third insulator layers 66c and 66d are formed.
  • a ceramic green layer to be the third unit layers 47c and 47d is formed.
  • the ceramic green sheets to be the exterior insulating layers 15a to 15c, the first unit layers 17a to 17b, the third unit layers 47c and 47d, and the ceramic green layers to be the first unit layers 17e to 17f are laminated and pressure-bonded so as to be arranged in this order to obtain an unfired mother laminated body.
  • the other steps in the method for manufacturing the electronic component 10d are the same as the other steps in the method for manufacturing the electronic component 10d, and thus description thereof is omitted.
  • the electronic components 10a to 10d are manufactured by the sequential crimping method, for example, they may be manufactured by the printing method.
  • the first to third modifications of the present invention show a modification in which a non-magnetic layer is provided in the first insulator layer 19c, but using the same means,
  • the first insulator layers 19a, 19b, 19d, 19e, and 19f other than the first insulator layer 19c may be provided, and further, the first to third modifications are combined to form the first insulator layer 19a.
  • Electronic components in which a plurality of layers 19 to 19f are provided with nonmagnetic layers may be used.
  • the present invention is useful for an electronic component and a method for manufacturing the same, and is particularly excellent in that the occurrence of magnetic saturation due to a magnetic flux circulating around each coil conductor can be suppressed.

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Abstract

　各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。　第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層１９を準備する。第１の絶縁体層１９上にコイル導体１８と第１のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する第２の絶縁体層１６を形成する。第１の絶縁体層１９、コイル導体１８及び第２の絶縁体層１６は、第１の単位層１７を構成している。第１の単位層１７及び外装用絶縁体層１５を積層して積層体１２を得る。この後、積層体１２を焼成する。積層体１２を焼成する工程の後には、第１の絶縁体層１９におけるコイル導体１８にｚ軸方向の両側から挟まれている第１の部分でのＮｉ含有率は、第１の絶縁体層１９における第１の部分以外の第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっている。

Description

電子部品及びその製造方法
　本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、コイルを内蔵している電子部品及びその製造方法に関する。
　従来のこの種の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の開磁路型積層コイル部品が知られている。図９は、特許文献１に記載の開磁路型積層コイル部品５００の断面構造図である。
　開磁路型積層コイル部品５００は、図９に示すように、積層体５０２及びコイルＬを備えている。積層体５０２は、複数の磁性体層が積層されることにより構成されている。コイルＬは、螺旋状をなし、複数のコイル導体５０６が接続されることにより構成されている。更に、開磁路型積層コイル部品５００は、非磁性体層５０４を備えている。非磁性体層５０４は、コイルＬを横切るように積層体５０２に設けられている。
　以上のような開磁路型積層コイル部品５００では、複数のコイル導体５０６の周囲を周回する磁束φ５１０が、非磁性体層５０４を通過するようになる。その結果、積層体５０２内において磁束が集中しすぎて磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。その結果、開磁路型積層コイル部品５００は、優れた直流重畳特性を有するようになる。
　ところで、開磁路型積層コイル部品５００では、複数のコイル導体５０６の周囲を周回する磁束φ５１０の他に、各コイル導体５０６の周囲を周回する磁束φ５１２も存在する。このような磁束φ５１２も、開磁路型積層コイル部品５００において磁気飽和を発生させる原因となっている。
特開２００５－２５９７７４号公報
　そこで、本発明の目的は、各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
　上記問題点を解決するために本発明に係る電子部品の製造方法は、複数のコイル導体からなる螺旋状のコイルを内蔵している積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、第１のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する第２の絶縁体層を設ける過程とでもって、第1の単位層を形成する工程と、前記第１の単位層を積層する工程と、を備えることを特徴とする。
　更に、前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第２の単位層を形成する工程を更に含み、前記第１の単位層と前記第２の単位層とを積層する工程と、を備えることを特徴とする。
　あるいは、前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第２の絶縁体層および前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第３の単位層を形成する工程を更に含み、前記第１の単位層と前記第３の単位層とを積層する工程と、を備えることを特徴とする。
　また、前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層および前記第３の絶縁体層の厚みよりも薄いこと、を特徴とし、前記第１の絶縁体層の厚みは、５μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。
　更に、前記第１の絶縁体層は、Ｎｉ含有率が零の非磁性体層であることが好ましい。
　また、前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、前記積層体を焼成する工程の後には、前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていることが好ましい。
　また、前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、前記積層体を焼成する工程の後には、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていることが好ましい。
　本発明に係る電子部品は、シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第２の絶縁体層と、からなる第１の単位層を備えた電子部品であって、前記複数の第１の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする。
　更に、シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第３の絶縁体層と、からなる第２の単位層を更に備えた電子部品であって、前記第１の単位層及び前記第２の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする。
　あるいは、シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている前記第２の絶縁体層および第３の絶縁体層と、からなる第３の単位層を更に備えた電子部品であって、前記第１の単位層及び前記第３の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする。
　本発明の電子部品によれば、各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制でき、電流通電時のインダクタンス値の低下を抑えることができる。
　また、本発明の電子部品の製造方法によれば、コイル導体に積層方向の両側から挟まれている非磁性体層を精度よく形成することができる。
本発明に係わる電子部品の実施形態の外観を示す斜視図である。 一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。 図１のＡ－Ａにおける電子部品の断面構造図である。 第１のモデルと第２のモデルにおけるシミュレーション結果を示したグラフである。 第１の変形例に係る電子部品の断面構造図である。 第３のモデルと第４のモデルにおけるシミュレーション結果を示したグラフである。 第２の変形例に係る電子部品の断面構造図である。 第３の変形例に係る電子部品の断面構造図である。 特許文献１に記載の開磁路型積層コイル部品の断面構造図である。
　以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
（電子部品の構成）
　以下に、本発明に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る電子部品１０ａ～１０ｄの外観を示す斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０ａの積層体１２ａの分解斜視図である。図３は、図１のＡ－Ａにおける電子部品１０ａの断面構造図である。図２に示す積層体１２ａは、焼成前の状態を示している。一方、図３に示す電子部品１０ａは、焼成後の状態を示している。以下、電子部品１０ａの積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０ａの長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０ａの短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
　電子部品１０ａは、図１に示すように、積層体１２ａ及び外部電極１４ａ，１４ｂを備えている。積層体１２ａは、直方体状をなしており、コイルＬを内蔵している。
　外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、コイルＬに電気的に接続されており、互いに対向している積層体１２ａの側面に設けられている。本実施形態では、外部電極１４ａ，１４ｂは、ｘ軸方向の両端に位置する２つの側面を覆うように設けられている。
　積層体１２ａは、図２に示すように、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｅ，第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆ、コイル導体１８ａ～１８ｆ及びビアホール導体ｂ１～ｂ５により構成されている。
　外装用絶縁体層１５ａ～１５ｅはそれぞれ、長方形状をなしており、後述の第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆと同じ、第１のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する絶縁体層である。すなわち、Ｂｉを含有するＮｉ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライトからなる１枚のシート状の磁性体層である。外装用絶縁体層１５ｃ、１５ｂ、１５ａは、コイル導体１８ａ～１８ｆが設けられている領域よりもｚ軸方向の正方向側においてこの順に積層され、外層を構成している。また、外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅは、コイル導体１８ａ～１８ｆが設けられている領域よりもｚ軸方向の負方向側にこの順に積層され、外層を構成している。
　第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆは、図２に示すように、長方形状をなしており、第１のＮｉ含有率を有する絶縁体層である。本実施形態では、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆは、Ｎｉ含有率が零のＣｕ－Ｚｎ系フェライトからなる非磁性体層である。ただし、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆは、焼成前には非磁性体層であるが、焼成後には部分的に磁性体層となっている。この点については、後述する。
　コイル導体１８ａ～１８ｆは、図２に示すように、Ａｇからなる導電性材料からなり、７／８ターンの長さを有しており、ビアホール導体ｂ１～ｂ５と共にコイルＬを構成している。コイル導体１８ａ～１８ｆはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆ上に設けられている。また、コイル導体１８ａの一端は、第１の絶縁体層１９ａ上においてｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されており、引き出し導体を構成している。コイル導体１８ａの一端は、図１の外部電極１４ａに接続されている。コイル導体１８ｆの一端は、第１の絶縁体層１９ｆ上においてｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されており、引き出し導体を構成している。コイル導体１８ｆの一端は、図１の外部電極１４ｂに接続されている。また、コイル導体１８ａ～１８ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って一つの長方形状の環を形成している。
　ビアホール導体ｂ１～ｂ５は、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｅをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８ａ～１８ｆを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、コイル導体１８ａの他端とコイル導体１８ｂの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル導体１８ｂの他端とコイル導体１８ｃの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル導体１８ｃの他端とコイル導体１８ｄの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ４は、コイル導体１８ｄの他端とコイル導体１８ｅの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル導体１８ｅの他端とコイル導体１８ｆの他端（なお、前記の通りコイル導体１８ｆの一端は引き出し導体）とを接続している。以上のように、コイル導体１８ａ～１８ｆ及びビアホール導体ｂ１～ｂ５は、ｚ軸方向に延在するコイル軸を有する螺旋状のコイルＬを構成している。
　第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆはそれぞれ、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆ上においてコイル導体１８ａ～１８ｆ以外の部分に設けられている。よって、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの主面は、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆ及びコイル導体１８ａ～１８ｆにより覆い隠されている。更に、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆ及びコイル導体１８ａ～１８ｆの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆは、第１のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する絶縁体層である。すなわち、本実施形態では、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆは、Ｂｉを含有するＮｉ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライトからなる磁性体層である。
　ここで、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの厚みは、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆの厚みよりも薄い。具体的には、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの厚みは、５μｍ以上３５μｍ以下である。
　以上のように構成された第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆ及びコイル導体１８ａ～１８ｆはそれぞれ、第１の単位層１７ａ～１７ｆを構成している。そして、第１の単位層１７ａ～１７ｆは、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｃと外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとの間においてこの順に連続して積層されている。これにより、積層体１２ａが構成されている。
　以上のような積層体１２ａが焼成され、外部電極１４ａ，１４ｂが形成されると、電子部品１０ａは、図３に示す断面構造を有するようになる。具体的には、積層体１２ａの焼成時に、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの一部におけるＮｉ含有率が、第１のＮｉ含有率よりも高くなる。すなわち、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの一部が、非磁性体層から磁性体層へと変化する。
　より詳細には、図３に示すように、電子部品１０ａでは、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆは、第１の部分２０ａ～２０ｅ及び第２の部分２２ａ～２２ｆを含んでいる。第１の部分２０ａ～２０ｅは、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｅにおいて、コイル導体１８ａ～１８ｆにｚ軸方向の両側から挟まれている部分である。具体的には、第１の部分２０ａは、第１の絶縁体層１９ａにおいて、コイル導体１８ａとコイル導体１８ｂとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｂは、第１の絶縁体層１９ｂにおいて、コイル導体１８ｂとコイル導体１８ｃとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｃは、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、コイル導体１８ｃとコイル導体１８ｄとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｄは、第１の絶縁体層１９ｄにおいて、コイル導体１８ｄとコイル導体１８ｅとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｅは、第１の絶縁体層１９ｅにおいて、コイル導体１８ｅとコイル導体１８ｆとに挟まれた部分である。
　また、第２の部分２２ａ～２２ｆは、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆにおいて、第１の部分２０ａ～２０ｅ以外の部分である。ただし、第１の絶縁体層１９ｆには、第１の部分２０ｆは存在せず、第２の部分２２ｆのみ存在する。これは、第１の絶縁体層１９ｆは、ｚ軸方向の最も負方向側に位置するコイル導体１８ｆよりもｚ軸方向の負方向側に位置しているためである。
　第１の部分２０ａ～２０ｅでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ～２２ｆでのＮｉ含有率よりも低くなっている。本実施形態では、第１の部分２０ａ～２０ｅには、Ｎｉが含まれていない。よって、第１の部分２０ａ～２０ｅは、非磁性体層である。一方、第２の部分２２ａ～２２ｆには、Ｎｉが含まれている。よって、第２の部分２２ａ～２２ｆは磁性体層である。また、第２の部分２２ａ～２２ｆでのＮｉ含有率は、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
（電子部品の製造方法）
　以下に、電子部品１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下では、複数の電子部品１０ａを同時に作成する際の電子部品１０ａの製造方法について説明する。
　まず、図２の第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
　このフェライトセラミック粉末に対して水系バインダー（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と有機バンダー（ポリビニルブチラールなど）、分散剤、消泡材を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行い、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。
　次に、図２の外装用絶縁体層１５ａ～１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
　このフェライトセラミック粉末に対して水系バインダー（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と有機バンダー（ポリビニルブチラールなど）、分散剤、消泡材を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行い、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーの酸化ビスマスの割合は、原料比で１．５重量％となるようにした。このセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。
　次に、図２の第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
　このフェライトセラミック粉末に対して、バンダー（エチルセルロース、ＰＶＢ，メチルセルロースやアクリル樹脂等）とテレピネールと分散剤、可塑剤を混合したものを配合して混練し、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを得た。ここで、このセラミックペーストの酸化ビスマスの割合は、原料比で１．５重量％となるようにした。
　次に、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｅとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１～ｂ５を形成する。具体的には、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｅとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
　次に、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ａ～１８ｆを形成する。具体的には、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、コイル導体１８ａ～１８ｆを形成する。なお、コイル導体１８ａ～１８ｆを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
　次に、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ａ～１８ｆ以外の部分に第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆとなるセラミックペースト層を形成する。具体的には、このセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆとなるべきセラミックペースト層を形成する。以上の工程により、図２に示す第１の単位層１７ａ～１７ｆとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
　次に、図２に示すように、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ～１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。外装用絶縁体層１５ａ～１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ～１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートの積層・圧着は、１枚ずつ積層して仮圧着した後、未焼成のマザー積層体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。
　なお、積層の際、第１の単位層１７ａ～１７ｆとなるべきセラミックグリーン層をｚ軸方向に連続して積層することにより、コイルＬを形成している。これにより、未焼成のマザー積層体では、図２に示すように、コイル導体１８ａ～１８ｆと第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆが、ｚ軸方向に交互に並ぶようになる。
　次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２ａにカットする。これにより未焼成の積層体１２ａが得られる。この未焼成の積層体１２ａには、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行われる。焼成は、例えば、８７０℃～９００℃で２．５時間の条件で行われる。
　焼成の際に、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆから第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆへとＮｉの拡散が発生する。より詳細には、図３に示すように、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの第２の部分２２ａ～２２ｆが、Ｎｉを含有する外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆと接触しているので、第２の部分２２ａ～２２ｆには、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆからＮｉが拡散してくる。そのため、第２の部分２２ａ～２２ｆは磁性体層となる。ただし、第２の部分２２ａ～２２ｆでのＮｉ含有率は、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆでの第２のＮｉ含有率よりも低くなっている。
　ここで、Ｎｉの拡散に関しては、外装用絶縁体層１５ｄと第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆに含まれるＢｉの役割が非常に重要となる。
　外装用絶縁体層１５ｄおよび第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆに含まれるＮｉが第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆへ拡散する際、Ｂｉの量が多いほど、Ｎｉ拡散が促進される。つまり、外装用絶縁体層１５ｄと第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆに含有されているＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。したがって、本発明においては、外装用絶縁体層１５ｄおよび第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆには必ずＢｉが含有されている必要がある。
　一方、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｅの第１の部分２０ａ～２０ｅは、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆと接触していないので、第１の部分２０ａ～２０ｅには、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ～１６ｆからＮｉが拡散してこない。そのため、第１の部分２０ａ～２０ｅは、Ｎｉを含有しない非磁性体層のままである。なお、第１の部分２０ａ～２０ｅは、原則としてＮｉを含有していないものとしているが、第２の部分２２ａ～２２ｅを介して拡散してきたＮｉを含有しうる。よって、第１の部分２０ａ～２０ｅは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有していてもよい。この場合でも、第１の部分２０ａ～２０ｅにＮｉ含有率は、第２の部分のＮｉ含有率よりは低くなっている。
　以上の工程により、焼成された積層体１２ａが得られる。積層体１２ａにバレル加工を施して、面取りを行う。その後、積層体１２ａの表面に、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき銀電極を形成する。銀電極の焼き付けは、８００℃で６０分間行われる。
　最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０ａが完成する。
（効果）
　電子部品１０ａ及びその製造方法では、以下に説明するように、各コイル導体１８ａ～１８ｆの周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる。より詳細には、電子部品１０ａのコイルＬに電流が流れると、図３に示すようなコイル導体１８ａ～１８ｆの全体の周囲を周回する相対的に長い磁路を有する磁束φ１が発生すると共に、各コイル導体１８ａ～１８ｆの周囲を周回する相対的に短い磁束を有する磁束φ２（図３では、コイル導体１８ｄの周囲に発生する磁束φ２のみ記載）が発生する。そして、磁束φ２は、磁束φ１と同様に、電子部品１０ａにおいて磁気飽和を発生させる原因となりうる。
　そこで、上記製造方法により作製された電子部品１０ａでは、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆにおいて、コイル導体１８ａ～１８ｆによりｚ軸方向の両側から挟まれている第１の部分２０ａ～２０ｅは、非磁性体層となっている。そのため、各コイル導体１８ａ～１８ｆの周囲を周回する磁束φ２は、非磁性体層である第１の部分２０ａ～２０ｅを通過するようになる。よって、磁束φ２の磁束密度が高くなりすぎて電子部品１０ａにおいて磁気飽和が発生することが抑制される。その結果、電子部品１０ａの直流重畳特性が向上する。
　本願発明者は、電子部品１０ａ及びその製造方法が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、電子部品１０ａに相当する第１のモデルを作製すると共に、電子部品１０ａの第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆを磁性体層とした第２のモデルを作製した。シミュレーション条件は、以下の通りである。
コイルＬのターン数：８．５ターン
電子部品のサイズ：２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍ
第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの厚み：１０μｍ
　図４は、シミュレーション結果を示したグラフである。横軸はそれぞれのモデルに与える電流値を示している。縦軸は電流値がほぼゼロ（０．００１Ａ）の時のインダクタンス値を基準とした場合のインダクタンス変化率を示す。
　図４によれば、第１のモデルは、第２のモデルに比べて、電流値が大きくなっても、インダクタンス変化率が少ない。すなわち、第１のモデルは、第２のモデルに比べて優れた直流重畳特性を有していることが分かる。これは、第２のモデルでは、第１のモデルよりも、各コイル導体を周回する磁束によって磁気飽和が発生し易くなっていることを意味している。以上より、電子部品１０ａ及びその製造方法では、各コイル導体１８ａ～１８ｆの周囲を周回する磁束φ２による磁気飽和の発生を抑制できていることが分かる。
　更に、電子部品１０ａ及びその製造方法では、非磁性体層である第１の部分２０ａ～２０ｅを精度よく形成することができる。より詳細には、一般的な電子部品において、コイル導体に挟まれている部分に非磁性体層を形成する方法としては、例えば、コイル導体に挟まれる部分に非磁性体のペーストを印刷することが考えられる。
　しかしながら、非磁性体のペーストを印刷する方法の場合には、印刷ずれや積層ずれによって、非磁性体層がコイル導体に挟まれている部分からはみ出してしまうおそれがある。このように、非磁性体層がコイル導体に挟まれている部分からはみ出すと、コイル導体全体を周回する長い磁路を有する磁束を妨げてしまうおそれがある。すなわち、所望の磁束以外の磁束も非磁性体層を通過するようになってしまう。
　一方、上記電子部品１０ａ及びその製造方法では、積層体１２ａが作製された後、焼成時に非磁性体層である第１の部分２０ａ～２０ｅが形成される。よって、印刷ずれや積層ずれによって、第１の部分２０ａ～２０ｅが、コイル導体１８ａ～１８ｆにより挟まれた部分からはみ出すことがない。その結果、電子部品１０ａ及びその製造方法では、非磁性体層である第１の部分２０ａ～２０ｅを精度よく形成することができる。その結果、所望の磁束φ２以外の磁束φ１が非磁性体層を通過することが抑制される。
　また、電子部品１０ａでは、第１の単位層１７ａ～１７ｆは、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｃと外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとの間においてこの順に連続して積層されている。これにより、非磁性体層は、コイル導体１８ａ～１８ｆに挟まれている第１の部分２０ａ～２０ｅにのみ設けられるようになる。そして、コイルＬを横切るような非磁性体層は存在しなくなる。
　また、電子部品１０ａ及びその製造方法では、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの厚さは５μｍ以上３５μｍ以下であることが望ましい。
　第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの厚さが５μｍより小さい場合には、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆとなるべきセラミックグリーンシートの作製が困難となる。一方、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの厚さが３５μｍより大きい場合には、Ｎｉが十分に拡散せず、第２の部分２２ａ～２２ｆを磁性体層とすることが困難となる。
　なお、電子部品１０ａでは、コイルＬを横切るような非磁性体層は存在しない。しかしながら、電子部品１０ａにおいて第１の部分２０ａ～２０ｅ以外の部分にも非磁性体層が存在していていもよい。これによって、電子部品の直流重畳特性を調整したり、インダクタンス値を調整したりできるからである。以下に、第１の部分２０ａ～２０ｅ以外の部分に非磁性体層が設けられた変形例に係る電子部品について説明を行う。
（第１の変形例）
　以下に、第１の変形例に係る電子部品１０ｂ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図５は、第１の変形例に係る電子部品１０ｂの断面構造図である。図５では、図面が煩雑になることを避けるために、図３と同じ構成の参照符号については一部省略してある。
　電子部品１０ａと電子部品１０ｂとの相違点は、電子部品１０ｂでは、磁性体層である第２の絶縁体層１６ｃ、１６ｄの代わりに第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄを用いている点である。
　ここで、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄ上においてコイル導体１８ｃ,１８ｄ以外の部分に設けられている。よって、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの主面は、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄ及びコイル導体１８ｃ，１８ｄにより覆い隠されている。更に、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄ及びコイル導体１８ｃ,１８ｄの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの厚みは、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄの厚みよりも薄くなっている。
　第１の変形例に係る電子部品１０ｂは、焼成の際に、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへとＮｉが拡散してくる。
　より詳細には、図６に示すように、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分２４ｃ（すなわち、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、コイル導体１８ｃとコイル導体１８ｄとに挟まれた部分である第１の部分２０ｃ以外の部分）が、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄと接触しているので、第３の部分２４ｃには、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄからＮｉが拡散してくる。
　しかしながら、第２の絶縁体層１６ａ,１６ｂ,１６ｅ,１６ｆおよび外装用絶縁体層１５ｄから第１の絶縁体層１９ａ，１９ｂ，１９ｄ，１９ｅへのＮｉの拡散と比較して拡散量が少なくなる。
　これは、前述したように、Ｎｉの拡散には、Ｂｉの役割が非常に重要であり、ＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。一方で、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄのＢｉ含有率が第２の絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１６ｅ，１６ｆのＢｉ含有率よりも低い。このため、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分２４ｃへのＮｉの拡散量が少なくなる。
　したがって、第３の部分２４ｃは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有する非磁性体層あるいは、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄと接触している極表層部分にのみＮｉを含有する非磁性体層となる。
　ここで、第３の部分２４ｃでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ，２２ｂ，２２ｄ，２２ｅのＮｉ含有率よりも低く、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
　この結果、電子部品１０ｂでは、コイルＬの内側および外側に非磁性体層である第３の部分２４ｃが設けられる。これにより、磁束φ１が、非磁性体層である第３の部分２４ｃを通過するようになり、その結果、電子部品１０ｂにおいて、磁束φ１による磁気飽和の発生が抑制されるようになる。
　なお、電子部品１０ｂの製造方法としては、まず、第３の絶縁体層２６ｃ,２６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストは以下のように準備した。
　具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
　このフェライトセラミック粉末に対して、バンダー（エチルセルロース、ＰＶＢ，メチルセルロースやアクリル樹脂等）とテレピネールと分散剤、可塑剤を混合したものを配合して混練し、第３の絶縁体層２６ｃ、２６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを得た。ここで、このセラミックスラリーの酸化ビスマスの割合は、原料比で０．２重量％となるようにした。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシートに、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を形成する。ビアホール導体ｂ３，ｂ４の形成方法については既に説明を行ったので省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ｃ，１８ｄを形成する。コイル導体１８ｃ，１８ｄの形成方法については既に説明を行ったので省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｃ以外の部分に第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄとなるセラミックペースト層を形成する。
　具体的には、このセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄとなるべきセラミックペースト層を形成する。
　以上の工程により、第２の単位層２７ｃ，２７ｄとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
　次に、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ～１７ｂ，第２の単位層２７ｃ，２７ｄ、第１の単位層１７ｅ～１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。電子部品１０ｂの製造方法におけるその他の工程は、電子部品１０ａの製造方法におけるその他の工程と同じであるので説明を省略する。
　電子部品１０ｂ及びその製造方法が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、電子部品１０ｂに相当する第３のモデルを作製すると共に、電子部品１０ｂの第１の絶縁体層１９ａ、１９ｂ、１９ｄ、１９ｅ、１９ｆを磁性体層とし、第１の絶縁体層１９ｃを非磁性体層とした第４のモデルを作製した。シミュレーション条件は、以下の通りである。
コイルＬのターン数：８．５ターン
電子部品のサイズ：２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍ
第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの厚み：１０μｍ
　図６は、シミュレーション結果を示したグラフである。横軸はそれぞれのモデルに与える電流値を示している。縦軸は電流値がほぼゼロ（０．００１Ａ）の時のインダクタンス値を基準とした場合のインダクタンス変化率を示す。
　図６によれば、第３のモデルは、第４のモデルに比べて、電流値が大きくなっても、インダクタンス変化率が少ない。すなわち、第３のモデルは、第４のモデルに比べて優れた直流重畳特性を有していることが分かる。これは、第４のモデルでは、第３のモデルよりも、各コイル導体を周回する磁束によって磁気飽和が発生し易くなっていることを意味している。以上より、電子部品１０ｂ及びその製造方法では、各コイル導体１８ａ～１８ｆの周囲を周回する磁束φ２による磁気飽和の発生を抑制できていることが分かる。
（第２の変形例）
　以下に、第２の変形例に係る電子部品１０ｃ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図７は、第２の変形例に係る電子部品１０ｃの断面構造図である。図７では、図面が煩雑になることを避けるために、図３と同じ構成の参照符号については一部省略してある。
　電子部品１０ａと電子部品１０ｃとの相違点は、電子部品１０ｃでは、磁性体層である第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄの代わりに、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄを用いている点である。
　ここで、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄ上においてコイル導体１８ｃ,１８ｄ以外の部分に設けられている。
　具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄが設けられ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄが設けられている。
　また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの主面は、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄ及びコイル導体１８ｃ，１８ｄにより覆い隠されている。更に、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄ及びコイル導体１８ｃ,１８ｄの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの厚みは、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄの厚みよりも薄くなっている。
　第２の変形例に係る電子部品１０ｃは、焼成の際に、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへとＮｉが拡散してくる。
　より詳細には、図７に示すように、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分３４ｃ（すなわち、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、第３の絶縁体層４６ｃと第３の絶縁体層４６ｄとに挟まれた部分）が、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄと接触しているので、第３の部分３４ｃには、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄからＮｉが拡散してくる。
　しかしながら、第２の絶縁体層３６ｃ,３６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへのＮｉの拡散と比較して拡散量が少なくなる。
　これは、前述したように、Ｎｉの拡散には、Ｂｉの役割が非常に重要であり、ＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。一方で、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄのＢｉ含有率が第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄのＢｉ含有率よりも低い。このため、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分３４ｃへのＮｉの拡散量が少なくなる。
　したがって、第３の部分３４ｃは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有する非磁性体層あるいは、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄと接触している極表層部分にのみＮｉを含有する非磁性体層となる。
　ここで、第３の部分３４ｃでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ，２２ｂ，２２ｄ，２２ｅ,３２ｃのＮｉ含有率よりも低く、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
　この結果、電子部品１０ｃでは、コイルＬの外側に非磁性体層である第３の部分３４ｃが設けられる。これにより、磁束φ１が、非磁性体層である第３の部分３４ｃを通過するようになり、その結果、電子部品１０ｃにおいて、磁束φ１による磁気飽和の発生が抑制されるようになる。
　なお、電子部品１０ｃの製造方法としては、まず、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを準備する。具体的には、それぞれ第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄおよび第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄのセラミックペーストと製造方法と同じであるため省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシートに、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を形成する。ビアホール導体ｂ３，ｂ４の形成方法については既に説明を行ったので省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ｃ，１８ｄを形成する。コイル導体１８ｃ，１８ｄの形成方法については既に説明を行ったので省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１９ｄ以外の部分に第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄとなるセラミックペースト層と第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄとなるセラミックペースト層を形成する。
　具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄを形成し、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄを形成する。
　そして、これらのセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄと第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄとなるべきセラミックペースト層を形成する。
　以上の工程により、第３の単位層３７ｃ，３７ｄとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
　次に、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ～１７ｂ，第３の単位層３７ｃ，３７ｄ、第１の単位層１７ｅ～１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。電子部品１０ｃの製造方法におけるその他の工程は、電子部品１０ａの製造方法におけるその他の工程と同じであるので説明を省略する。
（第３の変形例）
　以下に、第３の変形例に係る電子部品１０ｄ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図８は、第３の変形例に係る電子部品１０ｄの断面構造図である。図８では、図面が煩雑になることを避けるために、図３と同じ構成の参照符号については一部省略してある。
　電子部品１０ａと電子部品１０ｄとの相違点は、電子部品１０ｄでは、磁性体層である第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄの代わりに、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄを用いている点である。
　ここで、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄ上においてコイル導体１８ｃ,１８ｄ以外の部分に設けられている。
　具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄが設けられ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄが設けられている。
　また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの主面は、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄ及びコイル導体１８ｃ，１８ｄにより覆い隠されている。更に、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄ及びコイル導体１８ｃ,１８ｄの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの厚みは、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄの厚みよりも薄くなっている。
　第３の変形例に係る電子部品１０ｄは、焼成の際に、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへとＮｉが拡散してくる。
　より詳細には、図８に示すように、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分４４ｃ（すなわち、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、第３の絶縁体層６６ｃと第３の絶縁体層６６ｄとに挟まれた部分）が、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄと接触しているので、第３の部分４４ｃには、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄからＮｉが拡散してくる。
　しかしながら、第２の絶縁体層５６ｃ,５６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへのＮｉの拡散と比較して拡散量が少なくなる。
　これは、前述したように、Ｎｉの拡散には、Ｂｉの役割が非常に重要であり、ＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。一方で、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄのＢｉ含有率が第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄのＢｉ含有率よりも低い。このため、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分４４ｃへのＮｉの拡散量が少なくなる。
　したがって、第３の部分４４ｃは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有する非磁性体層あるいは、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄと接触している極表層部分にのみＮｉを含有する非磁性体層となる。
　ここで、第３の部分４３４ｃでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ，２２ｂ，２２ｄ，２２ｅ,４２ｃのＮｉ含有率よりも低く、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
　この結果、電子部品１０ｄでは、コイルＬの内側に非磁性体層である第３の部分４４ｃが設けられる。これにより、磁束φ１が、非磁性体層である第３の部分４４ｃを通過するようになり、その結果、電子部品１０ｄにおいて、磁束φ１による磁気飽和の発生が抑制されるようになる。
　なお、電子部品１０ｄの製造方法としては、まず、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを準備する。具体的には、それぞれ第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄおよび第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄのセラミックペーストと製造方法と同じであるため省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシートに、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を形成する。ビアホール導体ｂ３，ｂ４の形成方法については既に説明を行ったので省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ｃ，１８ｄを形成する。コイル導体１８ｃ，１８ｄの形成方法については既に説明を行ったので省略する。
　次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１９ｄ以外の部分に第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄとなるセラミックペースト層と第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄとなるセラミックペースト層を形成する。
　具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄを形成し、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄを形成する。
　そして、これらのセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄと第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄとなるべきセラミックペースト層を形成する。
　以上の工程により、第３の単位層４７ｃ，４７ｄとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
　次に、外装用絶縁体層１５ａ～１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ～１７ｂ，第３の単位層４７ｃ，４７ｄ，第１の単位層１７ｅ～１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。電子部品１０ｄの製造方法におけるその他の工程は、電子部品１０ｄの製造方法におけるその他の工程と同じであるので説明を省略する。
　なお、電子部品１０ａ～１０ｄは、逐次圧着工法により作製されているが、例えば、印刷工法によって作製されてもよい。
　また、本発明の第１から第３の変形例は、第１の絶縁体層１９ｃの部分に非磁性体層が設けられた変形例を示したものであるが、同様の手段を用いて、第１の絶縁体層１９ｃ以外の第１の絶縁体層１９ａ，１９ｂ,１９ｄ,１９ｅ,１９ｆに設けてもよく、更に、第１から第３の変形例を組み合わせ、第１の絶縁体層１９ａ～１９ｆの複数層に非磁性体層が設けられた電子部品であってもよい。
　本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる点において優れている。
Ｌ・・・コイル
ｂ１～ｂ５・・・ビアホール導体
１０ａ～１０ｄ・・・電子部品
１２ａ～１０ｄ、５０２・・・積層体
１４ａ，１４ｂ・・・外部電極
１５ａ～１５ｅ・・・外装用絶縁体層
１８ａ～１８ｆ、５０６・・・コイル導体
１９ａ～１９ｆ・・・第１の絶縁体層
１６ａ～１６ｆ，３６ｃ，３６ｄ，５６ｃ，５６ｄ・・・第２の絶縁体層
２６ｃ，２６ｄ，４６ｃ，４６ｄ，６６ｃ，６６ｄ・・・第３の絶縁体層
１７ａ～１７ｆ・・・第１の単位層
２７ｃ，２７ｄ・・・第２の単位層
３７ｃ，３７ｄ，４７ｃ，４７ｄ・・・第３の単位層
２０ａ～２０ｅ・・・第１の部分
２２ａ～２２ｆ，３２ｃ，４２ｃ・・・第２の部分
２４ｃ，３４ｃ，４４ｃ・・・第３の部分
５００・・・開磁路型積層コイル部品
５０４・・・非磁性体層

Claims (11)

  1. 　複数のコイル導体からなる螺旋状のコイルを内蔵している積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、
    　前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、第１のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する第２の絶縁体層を設ける過程とでもって、第1の単位層を形成する工程と、
    前記第１の単位層を積層する工程と、
    を備えること特徴とする電子部品の製造方法。
  2. 　前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第２の単位層を形成する工程を更に含み、
    　前記第１の単位層と前記第２の単位層とを積層する工程と、
    を備えること特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
  3. 　前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第２の絶縁体層および前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第３の単位層を形成する工程を更に含み、
    　前記第１の単位層と前記第３の単位層とを積層する工程と、
    を備えること特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
  4. 　前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層および前記第３の絶縁体層の厚みよりも薄いこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
  5. 　前記第１の絶縁体層の厚みは、５μｍ以上３５μｍ以下であること、
    を特徴とする請求項４に記載の電子部品の製造方法。
  6. 　前記第１の絶縁体層は、Ｎｉ含有率が零の非磁性体層であること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
  7. 　前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、
    　前記積層体を焼成する工程の後には、
    　前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
  8. 　前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、
    　前記積層体を焼成する工程の後には、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
  9. 　シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第２の絶縁体層と、からなる第１の単位層を備えた電子部品であって、
    　前記複数の第１の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、
    　前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、
    　前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
    を特徴とする電子部品。
  10. 　シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第３の絶縁体層と、からなる第２の単位層を更に備えた電子部品であって、
    　前記第１の単位層及び前記第２の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、
    　前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、
    　前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
    を特徴とする請求項９に記載の電子部品。
  11. 　シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている前記第２の絶縁体層および第３の絶縁体層と、からなる第３の単位層を更に備えた電子部品であって、
    　前記第１の単位層及び前記第３の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、
    　前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、
    　前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
    を特徴とする請求項９に記載の電子部品。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102568778A (zh) * 2012-01-20 2012-07-11 深圳顺络电子股份有限公司 叠层功率型线圈类器件
US20140139308A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer coil component
US20140139309A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer coil component
JP2020107780A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 太陽誘電株式会社 積層コイル部品
JP7557592B2 (ja) 2019-10-23 2024-09-27 Tdk株式会社 コイル部品

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101983135B1 (ko) * 2012-12-27 2019-05-28 삼성전기주식회사 인덕터 및 그의 갭층 제조를 위한 조성물
US20140292460A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Inductor and method for manufacturing the same
JP6393457B2 (ja) * 2013-07-31 2018-09-19 新光電気工業株式会社 コイル基板及びその製造方法、インダクタ
JP6425375B2 (ja) * 2013-10-11 2018-11-21 新光電気工業株式会社 コイル基板及びその製造方法、インダクタ
KR20160000329A (ko) * 2014-06-24 2016-01-04 삼성전기주식회사 적층 인덕터, 적층 인덕터의 제조방법 및 적층 인덕터의 실장 기판
KR101832559B1 (ko) * 2015-05-29 2018-02-26 삼성전기주식회사 코일 전자부품
JP6569451B2 (ja) * 2015-10-08 2019-09-04 Tdk株式会社 積層コイル部品
JP6528636B2 (ja) * 2015-10-08 2019-06-12 Tdk株式会社 積層コイル部品
DE102018119331B4 (de) * 2018-08-08 2024-07-25 Endress+Hauser Flowtec Ag Herstellungsverfahren einer Spulenvorrichtung, Spulenvorrichtung, Messaufnehmer mit Spulenvorrichtung, Messgerät mit einem Messaufnehmer

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000030946A (ja) * 1998-07-13 2000-01-28 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
JP2000216024A (ja) * 2000-01-01 2000-08-04 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
JP2001068341A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ及び積層型インダクタのインピーダンス調整方法
JP2002175927A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Tokin Corp 積層インダクタンス素子及びその製造方法
JP2002175917A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Tokin Corp 積層インダクタおよびその製造方法
JP2003092214A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56155516A (en) 1980-05-06 1981-12-01 Tdk Corp Laminated coil of open magnetic circuit type
JPH09213530A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Alps Electric Co Ltd 平面トランス
JP2005259774A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Murata Mfg Co Ltd 開磁路型積層コイル部品
JP4367487B2 (ja) * 2004-07-20 2009-11-18 株式会社村田製作所 コイル部品
US7994889B2 (en) * 2006-06-01 2011-08-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multilayer inductor
JP2007324555A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Taiyo Yuden Co Ltd 積層インダクタ
KR101421453B1 (ko) * 2006-07-05 2014-07-22 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 적층 부품
JP2008130736A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Hitachi Metals Ltd 電子部品及びその製造方法
CN101652336B (zh) * 2007-04-17 2013-01-02 日立金属株式会社 低损耗铁氧体及使用它的电子部件
JP4973996B2 (ja) 2007-08-10 2012-07-11 日立金属株式会社 積層電子部品

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000030946A (ja) * 1998-07-13 2000-01-28 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
JP2001068341A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ及び積層型インダクタのインピーダンス調整方法
JP2000216024A (ja) * 2000-01-01 2000-08-04 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ
JP2002175927A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Tokin Corp 積層インダクタンス素子及びその製造方法
JP2002175917A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Tokin Corp 積層インダクタおよびその製造方法
JP2003092214A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Murata Mfg Co Ltd 積層型インダクタ

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102568778A (zh) * 2012-01-20 2012-07-11 深圳顺络电子股份有限公司 叠层功率型线圈类器件
CN102568778B (zh) * 2012-01-20 2015-07-22 深圳顺络电子股份有限公司 叠层功率型线圈类器件
US20140139308A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer coil component
US20140139309A1 (en) * 2012-11-20 2014-05-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer coil component
US9147517B2 (en) * 2012-11-20 2015-09-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer coil component
US9530554B2 (en) * 2012-11-20 2016-12-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer coil component
JP2020107780A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 太陽誘電株式会社 積層コイル部品
JP7373902B2 (ja) 2018-12-28 2023-11-06 太陽誘電株式会社 積層コイル部品
JP7557592B2 (ja) 2019-10-23 2024-09-27 Tdk株式会社 コイル部品

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