TWI280818B

TWI280818B - Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor

Info

Publication number: TWI280818B
Application number: TW091136405A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki; Toshiji Hamatani; Toru Takayama
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2001-12-28
Filing date: 2002-12-17
Publication date: 2007-05-01
Also published as: US6815723B2; CN100375290C; JP2013048108A; US10497755B2; KR20080007208A; JP5564529B2; JP2012169659A; US7420210B2; US7057209B2; JP5577393B2; US20050045917A1; US20110266548A1; US20060208263A1; CN101232042A; KR20030057377A; US20090008643A1; US7982206B2; US20030122140A1; TW200301669A; CN101232042B

Description

1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（1 ) 發明所屬之技術領域本發明相關於半導體裝置’特別地，本發明相關於具有發光元件的有機發光裝置（OLED )，所述發光元件形成於具有絕緣表面的基底上。另外，本發明相關於有機發光模組，包括控制器的1C等在所述模組上面安裝到有機發光面板上。注意，在本說明書中術語有機發光面板和有機發光模組都稱作發光裝置。本發明另外還相關於製造發光裝置的設備。在本說明書中，半導體裝置係指使用半導體性能來實現其功能的一般裝置。因此，發光裝置、光電裝置、半導體電路和電子裝置都包括在半導體裝置的類別中。先前技術近年來在基底上形成TFT (薄膜電晶體）的技術已經取得了巨大進展，並且它們在主動矩陣顯示裝置上的應用也正在發展。特別是，使用多晶矽膜的TFT比使用習知非晶矽膜的TFT具有更高的電場效應遷移率（也稱作遷移率），因此高速運轉是可能的。因而對像素進行控制的發展正活躍著，所述控制是藉由在上面形成了像素的基底上形成由使用多晶矽膜的TFT構成的驅動器電路實現。可以預期，藉由使用其中像素和驅動器電路安裝在同一基底上的主動矩陣顯示裝置能得到諸如製造成本的降低、顯示裝置的小型化、産値的增加、和産量的增加這些多種優越性。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

I·裝· 訂 ·線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（2 ) 另外’對於使用有機發光元件作爲自發光元件的主動矩陣發光裝置（下文中簡單地稱作發光裝置）的硏究已經變得更加活躍。發光裝置還稱作有機EL顯示（OELD )和有機發光二極體（OLED)。主動矩陣發光裝置中爲每個像素形成TFT開關元件 (下文中稱作開關元件），利用開關TFT (下文中稱作電流控制TFT)用於實施電流控制的驅動器元件被運行，這樣使EL層（嚴格的說，發光層）發光。例如，jp 1 〇 — 1 89252A中公開的發光裝置是習知的。有機發光元件是自發光，因而具有高的可見度。液晶顯示裝置（LCD)所必需的背光源對於有機發光元件是不需要的，這對於使顯示裝置更薄並沒有視角的限制是最佳的。使用有機發光元件的發光裝置因此集中在作爲CRT 和LCD的替代品。注意，EL元件具有包含其中藉由電場的施加而産生發光的（電致發光）有機化合物的層（下文中稱作EL層 )、陽極和陰極。當有機化合物層中從三重激發態回到基態時就有發光（磷光），當從單重激發態回到基態時就有發光（螢光），將這兩種類型的發光應用於藉由本發明的製造設備和膜形成方法製造的發光裝置是可能的。 EL元件具有其中EL層夾在一對電極之間的結構， EL層通常具有疊層結構。由Eastman Kodak公司的Tang 等提出的“電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層”的疊層結構可作爲典型的例子給出。這種結構具有非常高的發光效率一裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ·線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6 - 1280818 A7 B7 五、發明説明（3 ) ’目則正在進行硏究和發展的幾乎所有發光裝置都採用這種結構。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，^可以使用一種結構，其中··電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層按順序疊加在陽極上；或可利用電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、和電子注入層按順序疊加在陽極上。螢光顔料等也可摻雜到發光層中。另外，所有的層可以用低分子量材料形成，所有的層可以用高分子量材料形成。這些層還可以包括諸如矽的無機材料。注意，本說明書中形成於陽極和陰極之間的所有層通常稱作EL層。前面提到的電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層因而都包括在EL層的類別中。低分子量有機化合物材料和高分子量（聚合物）有機化合物材料作爲用於被認爲是主要EL元件的EL層（嚴格地說發光層）的有機化合物材料正在進行硏究著。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製噴墨法、蒸發、和旋塗法作爲形成這些有機材料膜的方法是已知的。然而’用這些方法膜形成精度不是很高。當考慮用紅、綠、和藍色的發光製造全色、平板顯示器時，在不同像素之間設計寬的間隙，並且在像素之間形成稱作圍堤（ bank)的絕緣體。另外，對於使用紅、綠、藍色發光的全色平板顯示器來說’對高淸晰度、高孔徑比、和高可靠性的需求提高了本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇><297公釐） 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（4 ) 。然而，這些需求在使發光裝置淸晰度更高（增加像素數量）並減小發光裝置尺寸時像素間距變得更精細時變成了大問題。另外，成品率提高和成本減少的需求也提高了。發明內容本發明的目的是藉由有意地使相鄰發光元件的不同有機化合物的部分互相重疊，在使用紅、綠和藍色發光的全色平板顯示器中實現高淸晰度和高孔徑比，而不依賴於有機化合物層膜形成方法或膜形成精度。注意，儘管在其中不同有機化合物層的部分互相重疊的部分中發光的亮度落到其正常値的大約0.1 %，流經這裏的電流量也降到其正常値的0.1 %，假若施加高壓（等於或高於大約9V )，有可能具有能夠充分被識別的狀態的發光。根據本說明書中公開的本發明的結構1，提供了包括多個發光元件的發光裝置，每個具有陰極、接觸陰極的有機化合物層、和接觸有機化合物層的陽極，其中一個發光元件具有：由陰極、接觸陰極的有機化合物層、和接觸有機化合物層的陽極構造的第一發光區；由陰極、接觸陰極的層疊有機化合物層、和接觸層疊的有機化合物層的陽極構造的第二發光區。在上述結構1中，疊層有機化合物層是以下各層的疊層：第一發光區中的有機化合物層；與所述一個發光元件相鄰並具有與其不同發光顔色的發光元件的有機化合物層 I紙張尺度適用中國國家標準（CNSO A4規格（210X 297公釐） — -8 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7五、發明説明（5 ) 〇另外，對於全色RGB三類發光元件適當的排列，根據本說明書中公開的本發明的結構2，提供有包括多個發光元件的發光裝置，每個具有陰極、接觸陰極的有機化合物層、和接觸有機化合物層的陽極，其中，安排了具有第一有機化合物層的第一發光元件、具有第二有機化合物層的第二發光元件、和具有第三有機化合物層的第三發光元件，並且第一有機化合物層的一部分和第二有機化合物層的一部分在第一發光元件中互相重疊。並且，根據本說明書中公開的本發明的結構3，提供有包括多個發光元件的發光裝置，每個具有陰極、接觸陰極的有機化合物層、和接觸有機化合物層的陽極，其中：安排了具有第一發光層的第一發光元件、具有第二發光層的第二發光元件、和具有第三發光層的第三發光元件；第一有機化合物層的一部分和第二有機化合物層的一部分在第一發光元件中互相重疊，並且第二有機化合物層的一部分和第三有機化合物層的一部分在第二發光元件中互相重疊。並且，在上述結構2或3中，第一發光元件發出選自包括紅、綠、藍的組中的一種顔色。並且，第一發光元件、第二發光元件和第三發光元件的每個發出具有互不相同顔色的光。另外，較佳的是在結構1、2和3密封時用密封基底緊緊地密封整個發光元件，例如，玻璃基底或塑膠基底。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -9- 1280818 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ___B7_ 五、發明説明（6 ) 發光裝置有一個問題在於入射到不發光的像素上的外部光（來自發光裝置外部的光）被陰極的背面（接觸發光層的表面）反射，陰極的背面作爲反射鏡的作用，以觀察表面中（向著觀察者的表面）反射外部景物。另外，雖然將圓偏振膜接合到發光裝置的觀察表面上以避免這個問題 ’但是圓偏振膜具有非常高的成本，由於引入製造成本增加，這又是一個問題。本發明的目的因而是防止將發光裝置變成反射鏡面，而不使用圓偏振膜，提供低成本發光裝置，其中發光裝置的製造成本因此就降低了。本發明使用了低成本濾色器作爲圓偏振膜的替代物。較佳的是在對應於每個像素的每個結構1、2和3的發光裝置中提供濾色器以提高色純度。另外，還可以形成黑色濾色器部分（黑色有機樹脂），與位於發光區之間的部分重疊。此外，黑色濾色器部分還可以與其中部分不同有機化合物層互相重疊的部分重疊。注意，濾色器在所發出光的發射方向形成，它在發光元件和觀察者之間。例如，對於光不穿過其上形成了發光元件的基底的情形，濾色器可以接合到密封基底上。此外，如果光穿過發光元件基底，濾色器可以形成在發光元件基底上。這樣，圓偏振膜變得不必要了。另外，讓EL元件實用化的最大問題是元件的壽命不夠。由於EL層的退化在隨著長時間光發射而擴展的黑點出現時發生，元件的退化也變成了大問題。爲了解決這個問題，本發明採用由氮化矽膜（silicon (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（7 ) nitride film)和氮氧化砂膜（silicon oxynitride film)構成的保護膜覆蓋的結構，其中氧化矽膜或氮氧化矽膜作爲緩衝層被形成以釋放保護膜中的應力。根據本發明的結構4，提供有包括多個發光元件的發光裝置，每個有陰極、接觸陰極的有機化合物層、和接觸有機化合物層的陽極，其中：陽極由透明導電膜構成；陽極被保護膜和緩衝層的疊層覆蓋。在上述結構4中，緩衝層可以是以藉由濺射（RF濺射或DC濺射）或藉由遠距（remote )電漿法形成的氧化矽或氮氧化矽作爲其主要成分的絕緣膜，保護膜可以是以藉由濺射形成的氮化矽或氮氧化矽作爲其主要成分的絕緣膜。此外，上述結構4在透明導電膜（典型地ITO )用作陰極或陽極並且保護膜形成於其上面的情形中非常有用。注意，如果氮化矽膜藉由濺射形成，雖然有包含在透明導電膜中的雜質（諸如In、Sn和Zn )會混入到接觸透明導電膜的氮化矽膜中的危險，可以藉由在兩層膜之間形成本發明的緩衝層來阻止雜質混入氮化矽膜。雜質（諸如In 和Sn )自透明導電膜中的混入可以根據結構4藉由形成緩衝層來阻止，並可以形成沒有雜質的上好的保護膜。另外，在實現結構4的製造方法中，較佳的是對緩衝層和保護膜使用不同的艙室。相關於本發明製造方法的結構是製造具有多個發光元件的發光裝置的方法，每個發光元件具有陰極、接觸陰極的有機化合物層、和接觸有機化 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7五、發明説明（8 ) 合物層的陽極。在用同樣的艙室由透明導電膜形成陽極和覆蓋陽極的緩衝層之後，保護膜用不同的艙室形成於緩衝層上。另外，具有兩個不同發光方向的結構可以考慮作爲主動矩陣發光裝置。一種是其中發自EL元件的光穿過對面基底並出來進入觀察者眼睛的結構。這個情形中觀察者可以從對面基底側來識別影像。另一種結構是其中發自EL 元件的光穿過元件基底並出來進入觀察者的眼睛。該情形中，觀察者可識別來自元件基底側的影像。本發明提供能夠製造這兩種結構的製造設備。根據本發明的本發明的結構5相關於製造設備，包括 :裝載艙室；與裝載艙室耦合的第一輸送器艙室；與第一輸送器艙室耦合的有機化合物層形成艙室；與第一輸送器艙室連接的第二輸送器艙室；與第二輸送器艙室耦合的金屬層膜形成艙室；透明導電膜形成艙室；保護膜形成艙室 :與第二輸送器艙室耦合的第三輸送器艙室；與第三輸送器艙室耦合的配料（dispenser)艙室；密封基底裝載艙室 ;和密封艙室。在上述結構5中，透明導電膜形成艙室配備了多個靶，包括至少一個由透明導電材料製成的靶和由矽製成的耙。並且，在上述結構5中，透明導電膜形成艙室配備了藉由遠距電漿方法形成膜的設備。另外，在結構5中上面接合了乾燥劑的基底放在密封基底裝載艙室中。此外，在密封基底裝載艙室中有抽真空 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 1280818 A7 B7 五、發明説明（9 ) 系統。另外，在第一輸送器艙室、第二輸送器艙室、第三輸送器艙室和密封艙室中也有抽真空系統。另外，其中形成緩衝層和保護膜的結構4可以用結構 5中所示的製造設備以高生産量製造出來。實施方式本發明的實施例樣式在下面說明。實施例樣式1 本發明藉由從像素部分中許多有規律排列的像素中選出的3X3像素部分的實例在下面給予說明。圖1A是俯視圖。圖1A中，發光區10R是紅色發光區，發光區10G是綠色發光區，發光區10B是藍色發光區。全色發光裝置藉由這三種顔色的發光區來實現。另外，圖1B是圖1A沿著虛線段A-A’剖開的截面圖。本發明中，紅色發光EL層17的部分（例如，其中紅色發光顔料Nile紅加入到Alq3中的EL層）與綠色發光元件18的部分（例如，其中DMQd (二甲基吖（二）酮， dimethyl quinacridone )加入到 Alq3 中的 EL 層）重疊，形成疊層部分21，如圖1B所示。另外，綠色發光EL層18 的部分與藍色發光EL層19(例如，其中二萘嵌苯（ perylene )加入到BAlq中的EL層）的部分相重疊，形成疊層部分22。注意，雖然圖1A — 1C中示出了其中只有發本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） r~-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 1280818 A7 B7 五、發明説明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光區的一側（右側邊緣部分）重疊的實例，但是倘若四周部分的一部分重疊，對於哪一部分要重疊並沒有限制。兩個邊緣，上側邊緣或下側邊緣都可以重疊。 EL層部分可以互相重疊的結構被使用，因此可以由使用紅、綠和藍色發光的全色平板顯示器實現高淸晰度和高孔徑比，而不依賴於形成有機化合物層所採用的方法（諸如噴墨印刷，或旋塗）或者膜形成的精度。另外，圖1B中TFT1是控制紅色發光EL層17中流過的電流量的元件（p通道TFT或η通道TFT)，參考編號 4指源極和汲極中的一個，參考編號7指它們中的另一個。另外’ TFT 12是控制綠色發光EL層18中流過的電流量的元件，參考編號5指源極和汲極中的一個，參考編號 8指它們中的另一個。TFT 3是控制藍色發光EL層19中流過的電流量的元件，參考編號6指源極和汲極中的一個，參考編號9指它們中的另一個。參考編號15和16指由有機絕緣材料或無機絕緣材料製成的夾層絕緣膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另外，參考編號11 - 13指有機發光元件陰極（或陽極），參考編號20指有機發光元件陽極（或陰極）。較佳的是如果電極11 - 1 3是陽極，則使用p通道TFT，較佳的是如果電極11 - 1 3是陰極，則使用η通道TFT。如果電極11 - 1 3是陰極，可以用具有較小功函數的材料（ Al、Ag、Li、Ca、或它們的合金 MgAg、Mgln、AlLi、

CaF2、或CaN)。另外，如果電極11 一 13是陽極，可以使用選自包含 Ti、TiN、TiSixNy、Ni、W、WSix、WNX、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（11) WSixNy、NbN、Mo、Cr、Pt、Zn、Sn、和 In 的組中的材料 ’以上述材料之一作爲其主要成分的合金材料，具有以這些材料作爲其主要成分的化合物的膜，或者這類膜的疊層膜。電極11 - 13的兩邊緣部分和邊緣部分之間的部分用無機絕緣體14覆蓋。這裏，電極11 一 π用Cr形成作爲陰極。電極20用具有高功率函數的透明導電膜（IT〇（氧化銦錫合金）、氧化銦和氧化鋅的合金（Ιη2〇3_Ζη〇）、氧化鋅（ΖηΟ )等）形成作爲陽極。發自每個發光元件的光穿過陽極20。另外，如果電極11 - 13是陽極，電極20 是陰極，還可以用光透過的金屬膜（諸如MgAg、Mgln、或AlLi )和透明導電膜的疊層膜。然後用密封材料（圖中沒有示出）接合密封基底以便保留大約ΙΟμιη的間隙，這樣就密封了所有發光元件。此外，濾色器形成於密封基底30上，對應於每個像素，以提高色純度。紅色發光區10R對面形成紅色化層31b，綠色發光區10G對面形成綠色化層31c，藍色發光區10B對面形成藍色化層3 1 d。另外，發光區之外的區域用濾色器的黑色部分遮擋，即遮擋部分31a。注意，遮擋部分31a 由金屬膜（鉻等）或包含黑色染料的有機材料構成。因爲形成濾色器，所以本發明中圓偏振片是不必要的〇圖1C是圖1A沿著虛線段B-B’切割的情形中的橫截面示圖。以參考編號11 a - 11 c表示的邊緣部分和邊緣部分之間的部分也用圖1C中的無機絕緣體14覆蓋。這裏示本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 ·線 -15- 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明（12) 出一個實例，其中紅色發光EL層17是共同的，但是本發明不限於此，EL層還可以爲發射同樣顔色光的每個像素來形成。進行了比較加在發光區10R、10G和10B上的電壓和這些發光區發射光的亮度之間關係、以及加在疊層部分 21 - 23上的電壓和這些部分發射光的亮度之間關係的實驗。實驗結果示於圖2D中。圖2D是示出橫軸上電壓（V)和縱軸上亮度（cd/m2 )之間關係的圖。圖2D中圓圏記號所示的資料表示由三層，陰極、有機發光層、和陽極構造的發光元件的亮度和電壓之間的關係。另外，三角記號所示的資料表示由四層，陽極、第一有機發光層、第二有機發光層、和陰極構造的發光元件的亮度和電壓之間的關係。有機發光層由發光層、電洞傳輸層（HTL )和電洞注入層（HIL )旳疊層構成。換言之，圖2D中三角記號所示的資料是具有圖2A 所示疊層結構的發光元件的亮度和電壓之間關係的圖。這就是，陽極、第一有機發光層（第一發光層、第一電洞傳輸層、和第一電洞注入層）、第二有機發光層（第二發光層、第二電洞傳輸層、和第二電洞注入層）、以及陰極的疊層。如圖2D所示，發自具有陽極、兩層有機發光層、和陰極的四層結構的發光元件的光的亮度與發自具有陽極、有機發光層、和陰極的三層結構的發光元件的光的亮度相比降低了大約4個數量級。可以預期這是因爲當兩個有機本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -16 - 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（13 ) 發光層互相疊加時形成的反向二極體，在其中電流流動變得更困難了。另外，膜厚度變得更厚，因而可以預期電阻變大，電流流動變得更困難。考慮一下這些結果怎樣對應於圖1A-1C，發自發光區 10R、10G、和10B的光的亮度可以被認爲是圖2C所示疊層結構的亮度，發自疊層部分21- 23的光的亮度可以被認爲是圖2A所示疊層結構的亮度。發自疊層部分21 - 23 的光的亮度因而大約是發自發光區10R、10G和10B的光的亮度的千分之一。另外，在有機發光層中，至少一層是公用的，例如，電洞注入層，第一有機發光層的部分和第二有機發光層的部分可以在電洞注入層上彼此重疊。類似於圖2A所示疊層結構的結果還可以從圖2B所示的疊層結構中得到，其中電洞注入層是公用的，那就是具有陽極、第一有機發光層（第一發光層和第一電洞傳輸層）、第二有機發光層（第二發光層、第二電洞傳輸層、和第一電洞注入層）、和陰極的疊層結構的發光元件的亮度和電壓的關係。另外，具有部分不同於圖1A_1C的結構的實例示於圖3A — 3C中。注意，爲簡單起見，圖3A-3C中與圖1A - 1 C中相同的部分用相同的參考編號。如圖3A所不，這是一個實例，其中有機樹脂製成的圍堤25形成於發光區10R和發光區10G之間、以及發光區1 0G和發光區10B之間。雖然依賴於圖形化精度，但是如果形成了圍堤25，使發光區10G和發光區10B之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（14) 間的距離更窄就不可避免地變得困難了。許多情形中，圍堤形成於每個像素周圍，但是圖3A-3C採用了一種結構，其中圍堤形成於每個像素列。圖1A— 1C中沒有形成圍堤，因而每個發光區之間的間隙可以做得很窄，可以實現高淸晰度發光裝置。另外，形成保護膜33以提高圖1A-1C和圖3A-3C中的可靠性。保護膜33是以氮化矽或氮氧化矽作爲其主要成分的絕緣膜。緩衝層32在形成保護膜之前形成以釋放保護膜33之中的應力。緩衝層32可以藉由使用DC濺射設備、RF濺射設備、或使用遠距電漿方法的設備由以氧化矽或氮氧化矽作爲其主要成分的絕緣膜形成。另外，發出的光穿過圖1A-1C和圖3A-3C中的保護膜，因而較佳的是保護膜的厚度盡可能的薄。如果透明導電膜（典型地ITO )用作圖1 A — 1 C和圖 3A - 3C中的陽極或陰極，並且形成保護膜33使其接觸透明導電膜，就有包含在透明導電膜中的雜質（In、Sn、Ζη 等）會混入保護膜33中的危險。在透明導電膜和保護膜之間形成緩衝層32還可以防止雜質混入保護膜。另外，雖然圖1A-1C和3A-3C中示出一種結構，其中光在向著密封基底的方向從EL層中發射，穿過保護膜，當然本發明不限於這種結構。例如，光還可以在穿過夾層絕緣膜這樣的方向上從EL層中發射。該情形中，濾色器可以適當地形成於上面形成了 TFT的基底上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（15 ) 實施例樣式2 迨裏用圖5A和5B說明緩衝層和保護膜。圖5A是示出光在圖中箭頭方向發射的情形中疊層結構實例的示意圖。圖5A中，參考編號2〇〇指陰極（陽極 )，參考編號201指EL層，參考編號2〇2指陽極（陰極 )’參考編號203指應力釋放層（緩衝層），參考編號 2 04指保護膜。當光在圖5A箭頭方向發射時，具有透光性質的材料、非常薄的金屬膜、或其疊層因而被用作電極 202 ° 保護膜204使用由濺射得到的並以氮化砂或氮氧化石夕作爲其主要成分的絕緣膜。倘若用砂祀在含氮和鐘i的氣體環境中形成，就可以得到氮化矽膜。另外，還可以用氮化矽靶。形成保護膜之前形成緩衝層203以釋放保護膜204 中的內部膜應力。緩衝層203可以由以氧化矽和氮氧化矽爲其主要成分的絕緣膜並用DC濺射設備、RF濺射設備或使用遠距電漿方法的設備來形成。當使用濺射設備時，緩衝層可以用矽靶在含氧和氬的氣體環境中，或在含氮、氧和氬的氣體環境中形成。另外，光穿過保護膜，因而較佳的是保護膜的厚度盡可能的薄。發光元件可以用這類結構保護，因而可以得到高的可靠性。圖5B是示出光在圖中箭頭方向發射的情形中疊層結構實例的示意圖。圖4，參考編號300指陰極（或陽極），參考編號301指EL層，參考編號302指陽極（或陰極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（16) )，參考編號303指應力釋放層（緩衝層）’參考編號 304指保護膜。發光元件可以用這種結構保護，類似於圖5A的結構，因而能得到高的可靠性。. 另外，能夠單獨的製造圖5A的疊層結構和圖5B的疊層結構的製造設備（多艙室法）的實例示於圖4。圖4中，參考編號100a- 100k和100m— lOOu指門 (gate)，參考編號101和119指轉移艙室，參考編號102、 104a、107、108、111、和114指輸送器艙室，參考編號 105、106R、106B、106G、109、110、112 和 113 指膜形成艙室，參考編號103指預處理艙室，參考編號117a和 117b指密封基底裝載艙室，參考編號115指配料艙室，參考編號116指密封艙室，參考編號118指紫外光照射艙室。將上面事先已經形成了 TFT和陰極的基底輸送到製造設備中並形成圖5A所示疊層結構的過程示於圖4中。上面形成了 TFT和陰極200的基底首先置於轉移艙室101。基底然後輸送到輸送器艙室102，其與轉移艙室 101耦合。抽真空後較佳的是惰性氣體引入輸送器艙室到大氣壓從而盡可能少的濕氣和氧氣存在於輸送器艙室中。另外，用於抽取輸送器艙室內真空的抽真空處理艙室與輸送器艙室1 02連接。在抽真空處理艙室中提供磁懸浮渦輪分子泵、低溫泵或乾法泵（dry pump )。這樣就可能將輸送器艙室中達到的真空度設爲1(Γ5— 10—6Pa，另外 ·'裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20· 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（17) ，可以控制雜質從泵一側和抽氣系統中的背擴散。諸如氮氣或稀有氣體的惰性氣體用作引入氣體以防止雜質引入到設備中。引入到設備中的氣體在被引入到設備中以前用氣體純化設備提純到很高的純度。因而有必要提供氣體純化設備以便氣體提純以後再引入到膜形成設備中。這樣，氣體所含的氧、水和其他雜質可以事先被除去，隨後可以防止這些雜質引入到設備中。另外，較佳的是進行用於脫氣的退火以除去基底中所含的濕氣和其他氣體。基底輸送到與輸送器艙室102連接的預處理艙室103中，可以在此進行退火。另外，如果有必要淸潔陰極表面，基底可以輸送到與輸送器艙室102連接的預處理艙室103中，可以在此進行淸潔。基底104c接下來從輸送器艙室102中輸送到輸送器艙室104中而不暴露於大氣中，然後用輸送器機構104b 輸送到膜形成艙室106R。然後紅色發光EL層適當地形成於陰極200上。這裏示出紅色發光EL層藉由蒸發形成的實例。上面要形成膜的基底表面朝下放置於膜形成艙室 106R中。注意，較佳的是膜形成艙室在輸送基底到此之前被抽成真空。例如，真空抽到等於或小於5xl(T3托（Torr)( 0.665Pa)，較佳的介於1(Γ4 — l〇-6pa的真空度之後在膜形成艙室106R中進行蒸發。蒸發過程中有機化合物事先藉由電阻加熱氣化，在蒸發過程中擋板（圖中沒有示出）打開時向著基底散射。氣化的有機化合物向上散射，穿過 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 !·線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ _B7__五、發明説明（18 ) 金屬掩模（圖中面有示出）中形成的開口部分，澱積到基底上。注意，基底的溫度（T!)在蒸發過程中藉由加熱裝置設爲50-200°C，較佳的在65- 1 50°C之間。對於其中形成三類EL層以提供全色的情形中，可以在膜形成艙室106R中完成膜形成以後在膜形成艙室106G 和1 06B中連續地按順序進行膜形成。接下來，在預定的EL層201形成於陰極200上以後，基底從輸送器艙室104輸送到輸送器艙室107而不暴露於大氣中。另外，基底然後從輸送器艙室107中輸送到輸送器艙室108中而不暴露於大氣中。接下來，基底用放置於輸送器艙室108中的輸送器機構輸送到膜形成艙室109中，由透明導電膜製成的陽極 202適當地形成於EL層201上。這裏多個靶置於膜形成艙室109中，使用至少具有由透明導電材料製成的靶和矽製成的靶的濺射設備。陽極202和應力釋放層203因而可以在同一艙室中形成。注意，用來形成應力釋放層203的專用膜形成艙室也可以單獨地提供。該情形中也可以採用濺射設備（RF濺射或DC濺射）或者採用使用了遠距電漿方法的設備。接下來，基底從輸送器艙室108輸送到膜形成艙室 113而不暴露於大氣中，保護膜204形成於應力釋放層 203上。這裏，配備了矽製成的靶或者氮化矽製成的靶的濺射設備提供在膜形成艙室113之中。氮化矽膜可以藉由使膜形成艙室中的氣體環境變成氮氣體環境或含氮和氬的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -22 - 1280818 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（19 ) 氣體環境來形成。這樣，被保護膜和應力釋放層覆蓋的發光元件藉由上述製程形成於基底上。接下來，基底從輸送器艙室108輸送到輸送器艙室 111中而不暴露於大氣中，又從輸送器艙室111輸送到輸送器艙室114中。接下來，上面形成了發光元件的基底從輸送器艙室 114輸送到密封艙室116。注意，較佳的是在密封艙室 11 6中提供上面形成了密封材料的密封基底。密封基底從外面放入密封基底裝載艙室117a和117b 中。注意，較佳的是事先在真空中進行退火以除去諸如濕氣的雜質。例如，退火可以在密封基底裝載艙室i i 7a和 117b中進行。對於密封材料形成於密封基底上的情形，在輸送器艙室108達到大氣壓之後，密封基底從密封基底裝載艙室輸送到配料艙室11 5中。然後形成密封材料用來接合到上面形成發光元件的基底上，具有所形成的密封材料的密封基底輸送到密封艙室116中。然後具有所形成的密封材料的密封基底和上面形成發光元件的基底在真空中或在惰性氣體氣體環境中互相接合在一起。注意’雖然這裏示出了密封材料形成於密封基底上的實例，本發明不特別地局限於這個實例，密封材料還可以形成於具有已形成的發光元件的基底上。接下來，接合的一對基底從輸送器艙室H4輸送到紫外光照射艙室Π8中。UV光在紫外光照射艙室118中照 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ----- -23 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（20) 射，這樣硬化密封材料。注意，雖然紫外凝固樹脂在這裏用作密封材料，但倘若是密封材料，在密封材料上沒有設置特別的限制。然後基底對從輸送器艙室Π 4輸送到轉移艙室11 9中，並取出來。這樣就藉由使用圖4所示的製造設備完成了直到將發光元件完全密封到密閉空間中的製程過程，而不暴露於大氣中’因而製造具有高可靠性的發光裝置變成可能。注意’還可以使用串聯（inline )膜形成設備。下面示出形成圖5B所示疊層結構的過程。上面事先形成了 TFT和陽極的基底輸送到圖4所示的製造設備中〇首先，上面形成了 TFT和陽極300的基底放置在轉移艙室101中。然後基底輸送到與轉移艙室101連接的輸送器艙室102中。較佳的是進行真空蒸發之後在大氣壓下向輸送器艙室中引入惰性氣體使得盡可能少的濕氣和氧氣存在於輸送器艙室內。透明導電材料用作形成陽極300的材料’可以用銦錫化合物、氧化鋅等。然後基底輸送到與輸送器艙室102連接的預處理艙室103中。淸潔、氧化製程、熱處理製程等可以在預處理艙室中的陽極表面上進行。作爲淸潔陽極表面的方法，進行真空紫外光照射或氧電漿處理。另外，作爲氧化製程，也可以在加熱到100-120°C的溫度下在含氧的氣體環境中進行紫外光的照射，這對於陽極是諸如ITO的氧化物的情形中是有效的。另 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7_五、發明説明（21 ) 外，作爲熱處理製程，熱處理可以在基底能夠承受的大於或等於50°C，較佳的是65°C和150°C之間這樣的熱處理溫度下在真空中進行。這樣吸附在基底上諸如氧和濕氣這樣的雜質和形成於基底上的膜內諸如氧和濕氣這樣的雜質可以被除去。特別是，EL材料容易由於諸如氧和水這樣的雜質退化，因而在蒸發前進行真空中熱處理是有效的。然後基底104c從輸送器艙室102中輸送到輸送器艙室104中而不暴露於大氣中，然後用輸送器機構l〇4b輸送到膜形成艙室105中。然後EL層的一層，諸如電洞注入層或電洞傳輸層，適當地形成於陽極300上。這裏示出藉由蒸發形成EL層的實例。上面要形成膜的基底表面朝下放在膜形成艙室105中。注意，較佳的是在基底輸送進來之前在膜形成艙室中進行抽真空。然後基底用輸送器機構104b輸送到膜形成艙室106R 中而不暴露於大氣中，紅色發光EL層適當地形成於電洞注入層或電洞傳輸層上。對於其中形成三類EL層以提供全色的情形，可以在膜形成艙室106R中完成了膜形成之後在膜形成艙室106G 和106B中按順序進行膜形成。然後在預定的EL層301形成於陽極300上之後，基底從輸送器艙室104中輸送到輸送器艙室107中而不暴露於大氣中。此外，基底然後從輸送器艙室107中輸送到輸送器艙室108中而不暴露於大氣中。然後基底用配備在輸送器艙室108中的輸送器機構輸本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7____五、發明説明（22 ) 送到膜形成艙室110或112中，由金屬材料製成的陰極 3 02適當地形成於EL層301上。這裏膜形成艙室HI是蒸發設備或濺射設備。然後基底從輸送器艙室108輸送到膜形成設備Π3中而不暴露於大氣中，形成應力釋放層303和保護膜304。這裏，膜形成艙室11 3中提供了配備有矽製成的靶、氮化矽製成的靶、或氧化矽製成的靶的濺射設備。氧化矽膜、氮氧化矽膜、或氮化矽膜可以藉由使膜形成艙室中的氣體環境變成氮氣氣體環境、含氮和氬的氣體環境、或含氧、氮和氬的氣體環境來形成。這樣藉由上述製程，被保護膜和應力釋放層覆蓋的發光層就形成於基底上。接下來的製程步驟與形成圖5A所示疊層結構的過程相同，因而其說明在這裏就省略了。追樣圖5 A所75的疊層結構和圖5 B所不的疊層結構藉由圖4所示的製造設備都可以形成了。另外，實施例樣式2可以與實施例樣式1自由地組合〇具有上述結構的本發明藉由下面所示實施例更詳細地說明。實施例1 本實施例中，將說明在絕緣膜上製造的主動矩陣型發光裝置。圖6是主動矩陣型發光裝置的截面圖。作爲主動本紙張尺度適财關家縣（CNS ) A4規格（21GX297公釐)—"' -- -26 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____ B7____五、發明説明（23 ) 元件，這裏使用薄膜電晶體（下文中稱作TFT )，也可以使用MOS電晶體。頂部閘TFT (特別是平面TFT )作爲實例示出，也可以使用底部聞TFT (典型地是反向交錯的TFT，inversely staggered TFT )。本實施例中使用由硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃製成的基底800，可以使用表面上形成了絕緣膜的不銹鋼基底、金屬基底、矽基底、石英基底。還可以使用具有能承受本實施方法中熱處理溫度的熱阻性的塑膠基底，另外可以使用撓性基底。其次，藉由電漿CVD在400°C的溫度下用SiH4、NH3 、和N2〇作爲原料氣體在耐熱玻璃基底（基底800 )上形成0.7mm厚度的氮氧化矽膜作爲基絕緣膜的下層801 (氮氧化矽膜的組分比：Si = 32%，0 = 27%，N = 24%，H=17% ) 。氮氧化矽膜具有50nm (較佳的10-200nm)的厚度。膜表面用臭氧水淸洗，然後表面上的氧化物膜用稀氟酸（稀釋至1/100)除去。其次，藉由電漿CVD在400°C的溫度下用SiHU和N2〇作爲原料氣體形成氮氧化矽膜作爲基絕緣膜的上層802 (氮氧化矽膜的組分比：Si = 32%，0 = 59% ，N = 7%，H = 2%)。氮氧化砂膜具有l〇〇nm (較佳的50-200nm )的厚度，放在下層上面以形成疊層。不要將疊層暴露於空氣中，藉由電漿CVD在300°C的溫度下用SiH4 作爲原料氣體在疊層上形成具有非晶結構的半導體膜（這裏是非晶矽膜）。半導體膜（這裏使用非晶矽膜）在厚度 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -27- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（24) 上是54nm (較佳的是25-200nm)。本實施例中基絕緣膜具有兩層結構。然而，基絕緣膜可以是主要含矽的兩層以上絕緣膜或是單層絕緣膜。半導體膜的材料不受限制，但是較佳的是用矽或鍺矽合金（ SixGen ( Χ = 〇·〇〇〇ΐ-〇.〇2 ))藉由已知的方法（濺射、 LPCVD、電漿CVD等）形成半導體膜。所用的電漿CVD 設備可以是一個晶片一個晶片處理的設備，或者是整批次處理的設備。基絕緣膜和半導體膜可以在同一個艙室中連續形成以避免與空氣接觸。淸洗具有非晶結構的半導體膜表面，然後大約2nm 厚度的非常薄的氧化物膜用臭氧水形成於表面上。其次，半導體膜用微量雜質元素（硼或磷）摻雜以控制TFT的起始値。這裏，非晶矽膜藉由離子摻雜用硼摻雜，其中硼烷（B2H6)用電漿激發而不發生質量分離。摻雜條件包括將加速電壓設定到1 5kV，用氫稀釋硼烷到1 %所得到氣體的流速設定到30sccm，劑量設定到2xl012原子/cm2。其次，含lOppm重量的鎳的醋酸鎳溶液用旋轉器塗覆。鎳元素可以藉由濺射噴射到整個表面上來代替塗覆。半導體膜受到熱處理以使它晶化，得到具有晶體結構的半導體膜。熱處理在電爐中實現或藉由強光照射實現。當採用在電爐中熱處理時，溫度設爲500-650°C，處理持續4-24小時。這裏，在用於脫氫的熱處理（500°C，1小時）之後藉由用於晶化的熱處理（在550°C，4小時）得到具有晶體結構的矽膜。雖然這裏藉由使用電爐的熱處理 I-------------—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ·線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） -28- 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明（25 ) 來晶化半導體膜，但是還可以藉由能夠在短時間內實現氫化的燈退火設備來晶化。在具有晶體結構的矽膜表面上的氧化物膜用稀釋的氟酸等除去之後，晶化非晶半導體膜時，採用連續振盪固體鐳射和基波的二到四次諧波以得到大晶粒尺寸。由於鐳射照射在空氣或在氧氣氣體環境中進行，結果是在表面上形成氧化物膜。典型地，採用Nd: YV〇4鐳射（基波： 1064nm)的二次諧波（ 532nm)或三次諧波（ 35 5nm)。當使用連續波雷射器時，發射10W功率連續波YV〇4雷射器的鐳射用非線性光學元件轉變成諧波。另外，諧波還可以藉由將YV〇4晶體和非線性元件放在諧振艙室中得到。諧波較佳的用光學系統在照射面上成形爲長形或橢圓形鐳射，然後照射目標。這點所需要的能量密度大約是0.01-100MW/cm2 (較佳的是0.1-10MW/cm2)。照射的時候，半導體膜以10-2000cm/s的速度相對於鐳射行動。當然，儘管在連續振盪YV〇4鐳射的二次諧波照射在其上面之前，TFT可以用具有晶體結構的矽膜形成，因爲上面照射了鐳射的矽膜具有改善了的結晶性並且TFT 的電性能提高了，所以較佳的是使用鐳射照射在上面之後具有結晶結構的矽膜以形成TFT。例如，儘管，當使用鐳射照射在其上面之前就具有結晶結構的矽膜形成TFT時，遷移率幾乎是300cm2/Vs，當TFT藉由使用鐳射照射在其上面之後具有結晶結構的矽膜形成時，遷移率極端地提高到大約 500-600cm2/Vs。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29- 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 B7五、發明説明（26 ) 在用鎳作爲提高矽結晶性的金屬元素進行晶化之後，連續振盪YV〇4鐳射照射在其上面，雖然不限於此，在形成具有非晶結構的矽膜並進行用於脫氫的熱處理之後，具有結晶結構的矽膜可以藉由照射連續振盪YV〇4鐳射的二次諧波得到。脈衝振盪鐳射可以用作連續振盪鐳射的替代物。在使用脈衝振盪的準分子鐳射的情形中，較佳的是頻率設爲 3 00Hz，鐳射能量密度設爲10(M000mJ/cm2 (典型地是 200-800mJ/cm2)。這裏，鐳射可以重疊（overlap ) 50-98 %。鐳射照射形成的氧化物膜用稀氟酸除去，然後表面用臭氧水處理120秒以形成由l-5nm總厚度的氧化物膜構成的阻擋層。這裏阻擋層用臭氧水形成，但是還可以藉由在氧氣體環境中紫外光照射氧化具有晶體結構的半導體膜表面形成，或者藉由氧電漿處理氧化具有晶體結構的半導體膜表面或使用電漿CVD、濺射或蒸發形成大約l-10nm厚氧化物膜。藉由鐳射照射形成的氧化物膜可以在阻擋層形成之前被除去。其次，藉由電漿CVD或濺射在阻擋層上形成包含氬的非晶矽膜以作爲吸取位。非晶矽膜的厚度是50 - 400nm ，這裏是150nm。藉由使用矽靶的濺射以達到〇.3Pa的形成壓力在氬氣體環境中形成非晶矽膜。之後，熱處理在650°C於電爐中進行3分鐘，用於吸取以減少具有晶體結構的半導體膜中的鎳含量。可以使用本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -30 - 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（27 ) 燈退火設備代替電爐。用阻擋層作爲蝕刻阻擋物，吸取位，也就是含氬的非晶矽膜被選擇性的除去。然後，阻擋層用稀氟酸被選擇性的除去。在吸取過程中鎳趨向於向具有高氧濃度的區域運動，因而在吸取之後除去爲氧化物膜的阻擋層是理想的。其次，利用臭氧水薄的氧化物膜在所得到的包含晶體結構的矽膜（還稱作多晶矽膜）表面上形成。然後形成抗蝕劑掩模，蝕刻矽膜以形成彼此之間互相分離並具有所需形狀的島狀半導體層。半導體膜形成之後，除去抗蝕劑掩模。氧化物膜用含氟酸的腐蝕劑除去，同時，淸洗矽膜表面。然後，形成主要含矽的絕緣膜來作爲閘絕緣膜803。這裏閘絕緣膜是藉由電漿CVD形成的氮氧矽膜（組成比 ·· Si = 3 2%、0 = 59%、N = 7%、H = 2% )，具有 115nm 的厚度 ο 其次，具有20- 100nm厚度的第一導電膜和具有100-400nm厚度的第二導電膜的疊層形成於閘絕緣膜上。本實施例中，具有50nm厚度的氮化钽膜形成於閘絕緣膜803 上，然後具有370nm的鎢膜放置在上面。導電膜藉由下面所示的過程圖形化以形成閘電極和線路。第一導電膜和第二導電膜的導電材料是選自包含Ta 、W、Ti、Mo、A1、和Cu的組中的元素，或合金或者主要包含上面這些元素的化合物。第一導電膜和第二導電膜可以是半導體膜，典型地是多晶矽膜，以磷或其他雜質元 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -31 - 1280818 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _ B7五、發明説明（28 ) 素摻雜，或可以是Ag-Pd-Cu合金膜。本發明不限於兩層結構的導電膜。例如，可以採用包含50nm厚鎢膜、 500nm厚錦—砂合金（Al-Si )膜、和30nm厚氮化駄膜依次分層的三層結構。當採用三層結構時，第一導電膜的鎢可以用氮化鎢代替，第二導電膜的鋁-矽合金（Al-Si) 膜可以用鋁-鈦合金（Al-Ti)膜代替，第三導電膜的氮化鈦膜可以用鈦膜代替。另外，可以使用單層導電膜。 ICP (誘導耦合電漿）蝕刻較佳的用於第一導電膜和第二導電膜的鈾刻（第一鈾刻處理和第二蝕刻處理）。藉由使用ICP鈾刻和調整鈾刻條件（加到線圈狀電極上的電功率量的多少，加到基底側電極上的電功率量的多少，基底側電極的溫度等），膜可以被蝕刻並如所需要的那樣形成錐形。第一蝕刻處理在抗蝕劑製成的掩模形成之後進行。第一蝕刻條件包括在IPa壓力下向線圏型電極上施加 7 00W 的 RF ( 13·56ΜΗζ)功率，採用 CF4、Cl2、和〇2 作爲鈾刻氣體，並設定氣流速率比爲25 : 25 : 10 ( seem) 。基底側（樣品台）還接受150W的RF ( 13·56ΜΗζ )功率以施加基本上負的自偏壓。基底側電極的面積（尺寸）是12_5cmX12.5cm，線圈型電極是直徑25cm的圓盤（這裏是上面配備有線圏的石英盤）。W膜在這些第一鈾刻條件下蝕刻以在邊緣周圍成爲錐形。之後，不除去抗蝕劑構成的掩模將第一蝕刻條件轉變成第二蝕刻條件。第二鈾刻條件包括使用CF4和Ch作爲蝕刻氣體，設定其氣流速率比爲30 : 30 ( seem )，並在ipa的壓力下給予線圏型電本紙張尺度適财關家鮮（CNS ) A4規格（2l()X297公釐) "一 -32- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-

、1T 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（29 ) 極500W的RF ( 13·56ΜΗζ)功率以産生電漿用來蝕刻大約30秒。基底側（樣品台）還接受20W的RF功率（ 13.5 6MHz)以施加基本上負的自偏壓。在其中使用CF4和 Cl2的混合物的第二蝕刻條件下，W膜和TaN膜被鈾刻到幾乎同樣的程度。第一蝕刻條件和第二鈾刻條件組成第一蝕刻處理。其次是在抗蝕劑掩模保留不動時接著第二蝕刻處理。第三鈾刻條件包括使用CF4和Ch作爲蝕刻氣體，設定其氣流速率比爲30 : 30 ( seem )，在IPa的壓力下給予線圈型電極500W的RF ( 13.56MHz )功率以産生電漿用於鈾刻60秒。基底側（樣品台）還接受20W的RF功率（ 13·56ΜΗζ)以施加基本上負的自偏壓。然後，不除去抗鈾劑掩模將第三鈾刻條件轉變爲第四蝕刻條件。第四蝕刻條件包括使用CF4、Cl2、和〇2作爲蝕刻氣體，設定其氣流速率比爲20 : 20 : 20 ( seem )，在IPa的壓力下給予線圈型電極500W的RF ( 13·56ΜΗζ )功率以産生電漿用於蝕刻大約20秒。基底側（樣品台）還接受20W的RF功率（13.56 MHz)以施加基本上負的自偏壓。第三鈾刻條件和第四蝕刻條件組成了第二蝕刻處理。在這個階段，形成具有第一導電層804a作爲下層和第二導電層804b作爲上層的閘電極804和線路805-807。其次，爲了第一摻雜處理除去抗蝕劑構成的掩模以便用閘電極804-807作爲掩模來摻雜整個表面。第一摻雜處理採用離子摻雜或離子注入。這裏，離子摻雜條件是劑量 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 卜裝· 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 1280818 A7 B7 五、發明説明（30) 設定爲1.5X1014原子/cm2，加速電壓設定爲60- 100keV。作爲給出η型導電性的雜質元素，典型地使用磷（p )或砷（As)。第一雜質區（ιΓ區）822-825以自對準的方式形成。重新形成由抗蝕劑構成的掩模。這時，由於開關TFT 903的關電流値降低了，所以形成掩模以便與半導體層的通道形成區重疊，所述導體層形成像素部分901的開關 TFT 903和其一部分。形成掩模以保護半導體層的通道形成區，所述導體層形成驅動器電路的p通道TFT 906和其週邊。另外，形成掩模以便與形成像素部分901的電流控制TFT 904和其週邊的半導體層的通道形成區重疊。與閘電極的部分重疊的雜質區（ιΓ區）藉由用抗蝕劑構成的掩模選擇性地進行第二摻雜處理來形成。第二摻雜處理採用離子摻雜或離子注入。這裏使用離子摻雜，用氫稀釋磷化氫（ΡΗ3)到5%得到的氣體流速設爲30sccm，劑量設爲1.5X1014原子/cm2，加速電壓設爲90keV。該情形中由抗鈾劑構成的掩模和第二導電層作爲阻止給出η型導電性的雜質元素的掩模，並形成雜質區3 11和3 1 2。第二雜質區用給出η型導電性的雜質元素在1X101δ — 1X1 〇17 原子/cm3的濃度範圍內摻雜。這裏，與第二雜質區相同濃度範圍被稱作ιΓ區。不除去抗蝕劑構成的掩模進行第三摻雜處理。第三摻雜處理採用離子摻雜或離子注入。作爲給出η型導電性的雜質元素，典型地使用磷（Ρ )和砷（As)。這裏，使用本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（31 ) 離子摻雜，用氫稀釋磷化氫（PH3)到5%得到的氣體流速設爲40sccm，劑量設爲2X1015原子/cm2，加速電壓設爲 8OkeV。該情形中，抗蝕劑構成的掩模、第一導電層和第二導電層作爲阻止給出η型導電性的雜質元素的掩模，並形成第三雜質區813、814、826-828。第三雜質區用給出 η型導電性的雜質元素在lXl〇2°-lXl〇21原子/cm3的濃度範圍內摻雜。這裏，與第三雜質區同樣濃度的範圍被稱作 n +區。除去抗蝕劑掩模並形成新的抗鈾劑掩模之後，進行第四摻雜處理。形成第四雜質區818、819、832、833和第五雜質區816、817、8 30、831，其中給出p型導電性的雜質元素藉由第四摻雜處理添加到形成p通道TFT的半導體層中。給出P型導電性的雜質元素的濃度設爲1X1 02°-1X1 021 原子/cm3以添加到第四雜質區818、819、832和83 3中。作爲區（11_區）的第四雜質區818、819、832和833在前面的步驟中已經用磷（P)摻雜，但以濃度是磷濃度1.5-3 倍的給出P型導電性的雜質元素摻雜以得到p型導電性。這裏，具有與第四雜質區相同濃度範圍的區也稱作P +區〇第五雜質區816、817、830和831形成於與第二導電層錐形部分重疊的區域中。給出P型導電性的雜質元素在 IX1018 — 1X102()原子/cm3的濃度範圍添加於此。這裏，具有與第五雜質同樣濃度範圍的區被稱作區。 I--------受-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r * Γ ---^ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 1280818 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（32 ) 藉由上述步驟，具有η型或p型導電性的雜質區形成於各半導體層中。導電層804-807變成TFT的閘電極。形成絕緣以覆蓋幾乎整個表面（沒有示出）。本實施例中，具有50nm厚度的氧化矽膜用電漿CVD法形成。當然，絕緣膜不限於氧化矽膜，可以用含矽的其他絕緣膜的疊層或單層。下一個步驟是用於摻雜各個半導體層的雜質元素的啓動處理。啓動步驟採用使用燈光源的快速熱退火（RTA ) 、鐳射照射、使用爐子的熱處理、或這些方法的組合。本實施例示出絕緣膜在上述啓動之前形成的實例。但是，絕緣膜可以在啓動之前形成。形成由氮化砂膜構成的第一夾層絕緣膜8 0 8。然後，半導體受到熱處理（在300-550°C處理1-12小時）以氫化半導體層。這個步驟是用第一夾層絕緣膜808中所含的氫來終止半導體層中懸挂鍵。無論是否存在氧化矽膜構成的絕緣膜，半導體層都會被氫化。其他可採用的氫化方法包括電漿氫化（使用電漿激發的氫）。其次，第二夾層絕緣膜809a由有機絕緣材料形成於第一夾層絕緣膜808上面。本實施例中，形成丙烯酸樹脂膜809a以具有1.6μιη的厚度。接下來形成的是到達作爲閘電極或閘線路的導電層的接觸孔和到達各個雜質區的接觸孔。本實施例中，蝕刻處理連續進行幾次。並且，在本實施例中’第一夾層絕緣膜用作鈾刻阻擋物以蝕刻第二夾層絕緣膜，然後再鈾刻第一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -36- 1280818 A7 B7 五、發明説明（33 ) 夾層絕緣膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，電極83 5-841，具體地，源線路、電源供給線、引出電極、連接電極等用Al、Ti、Mo、W等形成。這裏，電極和線路藉由圖形化Ti膜（lOOnm厚度）、含矽的A1膜（350nm厚度）和另一層Ti膜（50nm厚度）的疊層得到。這樣源極、源線路、連接電極、引出電極、電源供給線等如所需要的那樣形成。用來與被夾層絕緣膜覆蓋的閘線路接觸的引出電極配備在閘線路的末端，其他線路在其末端也有輸入/輸出端子部分，具有多個電極用來連接到外部電路和外部電源極上。具有其中η通道TFT 905和p通道TFT 906互補組合的CMOS電路的驅動器電路902和具有其每個都有η通道 TFT 903或ρ通道TFT 904的多個像素的像素部分901以上述方式形成。其次，無機絕緣材料構成的第三夾層絕緣膜809b形成於第二夾層絕緣膜809a上面。這裏用濺射形成200nm 厚度的氮化矽膜809b。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次，形成接觸孔以便於到達與P通道TFT構成的電流控制TFT 904的汲極區接觸形成的連接電極841。形成像素電極834以便於與連接電極841重疊和接觸。本實施例中，像素電極834作爲有機發光元件的陽極起作用，像素電極834作爲透明導電膜以便於將發自有機發光元件的光發射傳送到像素電極和基底上。無機絕緣體842形成於像素電極834的每個末端以便本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37 - 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（34 ) 於覆蓋像素電極834的每個末端。較佳的是無機絕緣體 842藉由濺射用含矽的絕緣膜形成然後再圖形化。另外，可以形成有機絕緣體形成的圍堤用來作爲無機絕緣體842 的替代物。其次’有機發光元件的陰極844和EL層843形成於其末端被無機絕緣體842覆蓋的像素電極834上面。本實施例中，EL層843可以用噴墨法、蒸發、旋塗法等形成〇 EL層843 (用來發光和用來行動載子以引起發光的層）可以藉由自由地組合發光層、電荷傳輸層和電荷注入層來形成。例如，用低分子量有機EL材料或高分子量有機EL材料形成EL層。EL層可以是藉由單重態激發（螢光）（單重態化合物）發光的發光材料形成的薄膜或者是藉由三重態激發（磷光）（三重態化合物）發光的發光材料形成的薄膜。諸如碳化砂的無機材料可以用作電荷傳輸層和電荷注入層。可以採用已知的有機EL材料和無機材料。據稱陰極844的較佳材料是具有低功函數的金屬（典型地，周期表中屬於1族或2族的金屬元素）或這類金屬的合金。功函數變低時發光效率會提高。因而，含鹼金屬之一的Li (鋰）的合金材料作爲陰極材料是特別理想的〇其次，形成覆蓋陰極844的保護膜846。作爲保護膜 846，可以形成以氮化矽或氮氧化矽爲其主要成分的絕緣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1280818 A7 _ B7五、發明説明（35) 膜。較佳的是形成緩衝層845以便於釋放保護膜846中的膜壓力。保護膜846防止諸如濕氣和氧的物質的侵入，由於EL層從外面氧化，這些物質加速了退化。作爲緩衝層 8 4 5，可以形成以氧化矽或氮氧化矽作爲其主要成分的絕緣膜。緩衝層845可以在膜澱積時防止來自陰極844的雜質元素的入侵。但是，沒有必要在以後FPC需要與之連接的輸入/輸出端子部分提供保護膜等。完成了到目前爲止的這些步驟的階段示於圖6。儘管有機發光元件的電流供給TFT (電流控制TFT 904 )和開關TFT 903示於圖6，不用說不限制於此，多個TFT形成的各種電路可以配備在TFT閘電極的末端。其次，至少具有陰極、有機化合物層、和陽極的有機發光元件較佳的用密封基底或密封罐密封以將有機發光元件完全與外部切斷，防止諸如濕氣和氧的物質的滲入，其由於EL層的氧化會加速退化。 FPC (撓性印刷電路）用各向異性導電材料附連到輸入/輸出端子部分的電極上。各向異性導電材料由樹脂和直徑幾十到幾百μιη表面鍍金等的導電顆粒組成。導電顆粒將輸入/輸出端子部分的各個電極與形成於FPC中的線路電連接在一起。另外，對應於各個像素的濾色器形成於基底上。形成了濾色器，就沒有必要形成圓偏振片了。如必要，可以提供其他光學膜，可以安裝1C晶片等。藉由上述步驟，完成了連接FPC的模組型發光裝置本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -39- 1280818 A7 B7 五、發明説明（36) 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施例可以與實施例樣式1或2自由的組合。實施例2 示出實施例1得到的模組型發光裝置（也稱作EL模組）的橫截面圖和上表面示圖。圖7A是EL模組的上表面示圖，圖7B是沿著圖7A 中A-A’線得到的橫截面圖。圖7A示出基絕緣膜401形成於基底400上（例如，諸如耐熱玻璃），像素部分402、源極側驅動器電路404、閘側驅動器電路403形成於其上。這些像素部分和驅動器電路部分可以根據上述實施例1 得到。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製參考編號419是保護膜。像素部分和驅動器電路部分用保護膜419覆蓋。此外，保護膜可以藉由使用接合元件的覆蓋材料420密封。密封基底（諸如玻璃基底和塑膠基底）可以用作覆蓋材料420，EL層和覆蓋材料420之間的間隙可以用惰性氣體塡充。另外，乾燥劑可以用雙面膠提供在覆蓋材料420上。此外，參考編號408表示用來傳輸要輸入到源極側驅動器電路404和闊側驅動器電路403中的信號的線路，從變成外部輸入端子的FPC (撓性印刷電路）409接收視頻信號和時脈信號。此外，這裏，圖中只示出了 FPC，但是，印刷線路板（PWB )可以附連到這個FPC上。假設本說明書中的發光裝置不僅包含發光裝置本身還包括FPC或 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -40 - 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（37 ) PWB附連於其中的狀態（state)。說明圖7B所示的橫截面結構。基絕緣膜401形成於基底400上。像素部分402和閘側驅動器電路403形成於絕緣膜401上面。像素部分402由電流控制TFT 411和包括電連接到電流控制TFT 411的漏的像素電極412的多個像素組成。此外，閘側驅動器電路403用與η通道TFT 413和p通道TFT 414結合的CMOS電路形成。 TFT (包括411、413和414)可以根據實施例1的η 通道TFT和實施例1的：ρ通道TFT製造。儘管只有有機發光元件的電流供給TFT (電流控制TFT 411)示於圖7 中，不用說，不限於此，多個TFT形成的各種電路可以提供在TFT閘電極的末端。像素部分402、源極側驅動器電路404、和閘側驅動器電路403形成於根據實施例1的同一基底上。像素電極412作爲發光元件（OLED)的陰極起作用。無機絕緣體415形成於像素電極412的兩個末端部分。發光元件的陽極417和有機化合物層416形成於像素電極 412 上。作爲有機化合物層4 1 6，應當理解有機化合物層（用來進行發光和因而載子運動的層）可以藉由自由組合發光層、電荷傳輸層或電荷注入層形成。陽極4 1 7作爲到所有像素的共用線路，並藉由連接線路408電連接到FPC 409上。另外，包含在像素部分402 和閘側驅動器電路403中的元件都用保護膜419覆蓋。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -- -41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（38 ) 保護膜可以形成於包括基底400背面的整個表面上。這種情形中，有必要仔細地形成保護膜以便於沒有保護膜形成於其中提供有外部輸入端子（FPC )的部分。可以用掩模來防止保護膜在這個位置的膜形成。外部輸入端子部分可以用諸如用作CVD設備中掩蓋帶的Teflon (注冊商標）構成的帶這樣的帶覆蓋以防止保護膜的膜形成。氮化矽膜、DLC膜、或AlNx〇y膜可以用作保護膜419。如上構造的發光元件用保護膜419封起來以便將發光元件與外界完全隔離，這樣防止諸如藉由氧化來加速有機化合物層退化的氧和濕氣這樣的材料從外面進入。這樣，得到具有改善了的可靠性的發光裝置。從EL層的澱積到密封的步驟可以用圖4所示的設備實施。另一種安排是可能的，其中像素電極用作陽極，有機化合物層和陰極作爲疊層以便在圖7中所示方向相反的方向發光。圖8示出這種安排的實例。其俯視圖與圖7所示的俯視圖一樣，因而在此省略了。將說明圖8的橫截面圖所示的結構。絕緣膜61 0形成於基底600上，像素部分602和閘側驅動電路603形成於絕緣膜610上面。像素部分602用包括電流控制TFT 611 和電連接到電流控制TFT 611的汲極的像素電極6 1 2的多個像素形成。閘側驅動器電路603用η通道TFT 613和p 通道TFT 614組合的CMOS電路形成。這些TFT (包括611、613和614)可以用與實施例1 的η通道TFT和實施例1的p通道TFT同樣的方式製作 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 9 1280818 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 ____ B7五、發明説明（39 ) 。雖然只有有機發光元件的電流供給TFT (電流控制TFT 611)示於圖8中，不用說，不限於此，多個TFT形成的各種電路可以提供在TFT閘電極的末端。像素電極612作爲有機發光元件（OLED )的陽極起作用。無機絕緣體615形成於像素電極612的相對末端，發光元件的有機化合物層616和陰極617形成於像素電極 6 1 2的上面。陰極617還作爲連接到所有像素公用的線路元件，並藉由連接線路608電連接到FPC 609上。包括在像素部分 602和閘側驅動器電路603中的所有元件用保護膜619覆蓋。儘管這裏圖中沒有示出，較佳的是如實施例樣式2所述在保護膜619的形成之前提供緩衝層。本實施例中，變成緩衝層的氧化矽膜和變成保護膜的氮化矽膜藉由濺射連續地形成於透明導電膜構成的陰極617上。覆蓋元件620用接合劑接合到元件層。另外，對應於各個像素的濾色器6 21提供在覆蓋元件6 2 0中以提高色純度。提供了濾色器621，就沒有必要提供圓偏振片。另外，可以在覆蓋元件620中放置乾燥劑。圖8中，像素電極用作陽極，而有機化合物層和陰極形成疊層，從而光發自圖8箭頭所示的方向。頂部閘TFT已經藉由實例的方式說明，本發明不管哪種TFT結構都可以應用。例如，本發明可應用於底部閘（反轉交錯結構）TFT和交錯結構TFT。本實施例可以與實施例樣式1 - 2中任何一個和實施本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ' -43 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· '·線 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（40 ) 例1自由組合。實施例3 實施本發明，就可完成EL模組（主動矩陣EL模組和被動EC模組）。即，藉由實施本發明，可完成其中構造各種模組的所有電子設備。下面可以給出這類設備：視頻相機；數位相機；頭戴式顯示器（護目鏡型顯示器）：汽車導航系統；汽車音響 :個人電腦；可攜式資訊終端機（行動電腦，行動電話，電子書等）等。它們的實例示於圖9A-9F和10A-10C。圖9A是個人電腦，包括：主體2001 ;影像輸入部分 2002 ;顯示部分2003 ;鍵盤2004等。圖9B是視頻相機，包括：主體2 1 0 1 ;顯示部分2 1 02 ;聲音輸入部分2103 ;操作開關2104 ;電池2105和影像接收部分2106等。圖9C是行動電腦，包括：主體2201 ;相機部分2202 ;影像接收部分2203 ;操作開關2204和顯示部分2205等〇圖9D是護目鏡式顯示器，包括：主體2301 ;顯示部分2302 ;和臂部分2303等。圖9E是使用其中記錄了節目的記錄介質（下文中稱作記錄介質）的播放器，包括：主體2401 ;顯示部分 2402 ;揚聲器部分2403 ;記錄介質2404 ;操作開關2405 等。這個設備用DVD (數位多功能碟片）、CD等做記錄 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝· 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 公釐） -44- 1280818 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（41) 介質，可進行音樂欣賞、電影欣賞、遊戲和用來上 Internet 〇圖9F是數位相機，包括：主體2501 ;顯示部分2502 ;取景器2503 ;操作開關2504 ;和影像接收部分（圖中沒有示出）等。圖10A是行動電話，包括：主體2901 ;聲音輸出部分29 02 ;聲音輸入部分2903 ;顯示部分2904 ;操作開關 2905 ;天線2906 ;和影像輸入部分（CCD ’影像感測器等 )2907 等。圖10B是可攜式圖書（電子書），包括··主體3001 :顯示部分3002和3003 ;記錄介質3004 ;操作開關3005 和天線3006等。圖10C是顯示器，包括：主體3101;支擦部分3102 ;和顯示部分3103等。此外，圖10C所示的顯示器有小的和中等尺寸或大尺寸螢幕，例如5- 20英寸的尺寸。另外’爲了製造這種尺寸的顯示部分，較佳的是藉由用1X1 m尺寸的基底完成多圖形進行大批生産。如上所述，本發明的應用範圍非常大’本發明可應用於各種領域的電子設備。注意，本實施例的電子設備可以藉由利用實施例樣式1 - 2和實施例1 - 2的構成的任何組合來實現。根據本發明，極高成本的圓偏振片變得不必要了，因而製造成本可以減少。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45- 1280818 A7 _B7 五、發明説明（42 ) 另外，對於使用紅、綠和藍色發光的全色平板顯示器可以實現高淸晰度、高孔徑比、和高可靠性。圖式簡單說明在所附的圖中：圖1 A — 1 C分別是像素（3X3 )的俯視圖和截面圖；圖2A - 2D是示出亮度和電壓之間關係的圖；圖3A — 3C分別是像素（3X3 )的俯視圖和截面圖；圖4是示出本發明（實施例樣式2)的製造設備的圖圖5A和5B是示出本發明（實施例樣式2)的疊層結構的圖； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ圖圖圖圖 6 8 是

A 是

A 圖的 .·，構；圖結圖的置的構裝構結示結置顯置裝EL裝示 _ 示顯 δ 顯 L L Ε 動 Ε 陣主陣矩4矩 il示訪主是主出7B出示卩示禾

A

及以。 •’ 圖圖的的例例實實備備設設子子電電出出示示是是 C 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製主要元件對照表 17 紅色發光EL層 18 綠色發光EL層 19 藍色發光EL層 21,22,23 疊層部份 1,12,3 薄膜電晶體本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -46- 1280818 A7 B7 五、發明説明（43 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4,5,6,7,9 源極以 15,16 夾層絕 11 to 13 有機發 20 有機發 14 Μ 機絕 30 密封基 31b 紅色化 31c 綠色化 31d 藍色化 10R 紅色發 10G 綠色發 10B 藍色發 31a 遮擋部 11a to 丨11c 邊緣部 14 Μ 機絕 21 to 23 疊層部 25 圍堤 33 保護膜 32 緩衝層及汲極緣膜光元件陰極（或陽極）光元件陽極（或陰極）緣體底層層層光區光區光區分分緣體份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I-裝_ 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47-

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1280818 六、申請專利範圍 1 第9 1 1 36405號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國95年5月25日修正 1. 一種發光裝置，包含：至少一個發光元件，該發光元件包含：第一發光區，該第一發光區包含在陰極和陽極之間的第一有機化合物層；第二發光區，與該第一發光區相鄰，該第二發光區包含該第一有機化合物層以及一第二有機化合物層，該第二有機化合物層係與在該陰極和該陽極之間的第一有機化合物層重疊。 2·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中與至少一個發光元件相鄰的一發光元件具有該第二發光層，並且其中該第二發光層的發光顔色與該第一發光層的發光顔色不同。 3.—種發光裝置，包含：至少一個第一發光元件，該至少一個第一發光元件包含位在一第一電極和一第二電極之間的一第一有機化合物層；至少一個第二發光元件，該至少一個第二發光元件包含位在一第一電極和一第二電極之間的一第二有機化合物層；以及至少一個第三發光元件，該至少一個第三發光元件包含位在一第一電極和一第二電極之間的一第三有機化合物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲·«背面之注意事項再填寫本頁)

1280818 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 層， (請先閲#背面之注意事項再填寫本頁) 其中該第一有機化合物層與在該第一發光元件中之該第二有機化合物層的一部分重疊。 4. 一種發光裝置，包含：至少一個第一發光元件，該至少一個第一發光元件包含在一第一電極和一第二電極之間的一第一有機化合物層至少一個第二發光元件，該至少一個第二發光元件包含在一第一電極和一第二電極之間的一第二有機化合物層 ;以及至少一個第三發光元件，該至少一個第三發光元件包含在一第一電極和一第二電極之間的一第三有機化合物層，其中該第一有機化合物層與在該第一發光元件中之該第二有機化合物層的部分重疊，並且，其中該第二有機化合物層與在該第二發光元件中之該第三有機化合物層的部分重疊。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5·根據申請專利範圍第3項的發光裝置，其中：該第一發光元件發出選自包含紅、綠、和藍的組中的一顔色的光。 6·根據申請專利範圍第4項的發光裝置，其中：該第一發光元件發出選自包含紅、綠、和藍的組中的一顔色的光。 7.根據申請專利範圍第3項的發光裝置，其中：本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -2 - 1280818 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件的每一個發出互不相同顔色的光。 (請先閲部背面之注意事項再填寫本頁) 8. 根據申請專利範圍第4項的發光裝置，其中該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件的每一個發出互不相同顔色的光。 9. 根據申請專利範圍第1項的發光裝置，另外還包含對應於每個像素的濾色器。 10·根據申請專利範圍第3項的發光裝置，另外還包含對應於每個像素的濾色器。 1 ί·根據申請專利範圍第4項的發光裝置，另外還包含對應於每個像素的濾色器。 12. —種發光裝置，包含：多個發光元件，每個發光元件包含：陰極；接觸陰極的有機化合物層；以及接觸該有機化合物層的陽極，其中：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製該陽極由透明導電膜構成；並且該陽極被緩衝層和保護膜的疊層所覆蓋。 13·根據申請專利範圍第12項的發光裝置，其中該緩衝層是以氧化矽或氮氧化矽作爲其主要成分的絕緣膜。 14·根據申請專利範圍第12項的發光裝置，其中該保護膜是以氮化矽爲其主要成分的絕緣膜。 1 5 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中該發本紙張尺度適用中國國家禚準（CNS ) Α4規格（2】0Χ297公釐） -3 - 1280818 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 光裝置是選自包含視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的組中之 —* 〇 1 6.根據申請專利範圍第3項的發光裝置，其中發光裝置是選自包含視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的組中之一〇 1 7.根據申請專利範圍第4項的發光裝置，其中發光裝置是選自包含視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的組中之一〇 18.根據申請專利範圍第12項的發光裝置，其中發光裝置是選自包含視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的組中的之一。 19· 一種製造發光裝置的方法，該發光裝置包含多個發光元件，每個有一陰極、接觸該陰極的一有機化合物層、接觸該有機化合物層的一陽極，該方法包含：用同一個艙室形成用一透明導電膜構成的該陽極以及覆蓋該陽極的一緩衝層；以及用不同的艙室在緩衝層上形成一保護膜。 20·根據申請專利範圍第19項製造發光裝置的方法，其中：該緩衝層是以藉由濺射形成的氮氧化矽或氧化矽爲其本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閲·«背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 1280818 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 主要成分的絕緣膜。 21·根據申請專利範圍第19項製造發光裝置的方法，其中：該保護膜是以藉由機射形成的氮化砂爲其主要成分的絕緣膜。 22. —種製造設備，包含：裝載艙室；與裝載艙室耦合的第一輸送器艙室；與第一輸送器艙室親合的有機化合物層膜形成艙室；與第一輸送器艙室耦合的第二輸送器艙室；與第二輸送器艙室耦合的金屬膜形成艙室；透明導電膜形成艙室；保護膜形成艙室；與第二輸送器艙室耦合的第三輸送器艙室；與第三輸送器艙室耦合的配料艙室；密封基底裝載艙室；以及密封艙室。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23. 根據申請專利範圍第22項的製造設備，其中該透明導電膜形成艙室配備有包含至少一個由透明導電材料製成的靶和一個由矽製成的靶的多個靶。 24. 根據申請專利範圍第22項的製造設備，其中該透明導電膜形成艙室配備有藉由遠距電漿方法形成膜的設備〇 25. 根據申請專利範圍第22項的製造設備，其中該乾本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（：210X297公釐） -5- 1280818 A8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 6 燥劑應用於密封基底裝載艙室。 (請先閲·#背面之注意事項再填寫本頁) b, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 1280818 第91136405號專利申請案中文圖式修正本民齊9t年1月4日修正 747181 10R 一:二圖1A 21 I 22 B / /10B 23 / 1 s ^ S -----j— 卜 — :一 -----A r| i G 已 1-1- i -!— i R ί i G B -p- 厂 i Ri B*’ G B 圖IB 31a 31b

ΤΠΜ 一發光區（R) TFT 2 一發光區（G )_ TFT 3 一發光區（B)—

1280818 Μ 2A 圖2B

發光層:2層發光層:2層，2C 發光層:〗層 (比較例） __- . 驗電極陰極緩衝層陰極緩衝層 :發光層(與ETL結合）發光層(與ETL結合） m洞傳輸層(HTL) m洞傳輸層(Hu) 電洞注入層(HIU 發光層(與ETL結合）發光層(與ETL結合）電洞傳®層(HTL) 電洞傳瑜層(HTL) Ί 電洞注入層(HIL) 踅洞注入層(HIL) ^1 ITO ίτ〇 Glass Glass 電極 . 陰極緩衝層+ 發光層(與ETL結合ί 電洞傳輸層(Η7ΪΓ~ 電洞注入層(HJLj~ ITO ~ Glass

ο ο ο ο ο 1 ο 1 0. 0. «:發光層:1層 (比較例） □：發光層:2層 1280818 圖3A 圖3B ..Ί i 1 1 G --- i -j : i ： r i ! i ； 1 1 G ; —! i ? M Ri I B·’ 1 1 1 G 24 2b 26

圖3C

1280818

1280818 光射出方向

圖5A

304

\7 光射出方向

圖5B 1280818

1280818

圖7A

1280818 光射出方向 62〗

圖8

1280818 2001 2106

圖9C B9D

圖9E 圖9F

1280818

圖IOC 3101