TWI273541B - Circuit and method for driving active matrix OLED pixel with threshold voltage compensation - Google Patents

Description

1273541 五、發明說明（1) 一、發明所屬之技術領域 本發明是有關於一種主私邮 動電路，且特別是有關於一；2有機發光二極體像素驅 有機發光二極體像素驅動電限電壓補償之主動陣列 勒私路及其驅動方法。 一、先前技術 、夜曰:: = ·㈣f;*身不能發光、且需要背景光源的 /夜日日顯不幕（Liquid Crystal Γι; Ί 發光二極體(〇r_lcLg ΕLCD)而言，有機 幕具有製程簡單、視角；^二1ng Dl°de，°LED)顯示 圍廣及可自身發光等㈣m :度薄、操作溫度範 即可為作為主動陣列電激發二極： v, , T 貝不幕 CActiveMatrix

Uectron Luminescent Display)中之# 去 * a P。女 逐漸取代LCD顯示幕之趨勢。 ”並已左有 驅動=照匕一二所繪示為習知有機發光二極體的像素 由發光二極體的每個像素驅動電路係 田一们寬日日體一個電容器（2T1C)組人 體Ml閘極輕接至掃描線路Un 口 °二端’ ^曰曰

Mi:;;:ir(Data M2源極耦接至電源（Vdd)，汲極耦接至 (〇则p極端。有機發光：極體⑽_極=^接—至極接體地· 壓（GND)。電容器Cs耗接於電晶體M2源極與問極之間。兒

第5頁 1273541 五、發明說明（2) --

當掃描線路1 〇動作時，電晶體Μ 1開啟（〇n )，此時驅動 電壓可由資料線路2 0輸入並且快速地儲存於電容器Cs中。 在驅動電壓輸入電容器C s的同時，此驅動電壓可對電晶體 M2產生偏壓（Bias)，因此固定電流1(1即可通過有機發光二 極體，使得有機發光二極體發光。 X 由上述可知，第一圖之有機發光二極體像素驅動電路 係以驅動電壓來使得電晶體Μ 2產生偏壓，並使有機發光二 極體（OLED)發光。由於為了將周邊電路整合於顯示幕中， 所以大部分的有機發光二極體（0LED)顯示幕的像素驅動電 路中之電晶體皆是利用低溫多晶矽（L〇w Temperature Poly-Silicon，LTPS)製程所完成的薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT)。然而，此種薄膜電晶體由於製 程的問題，每一個薄膜電晶體之臨限電壓（Thresh〇ld Voltage)與遷移率（Mobility)會有一定程度的變動。而導 致輸入電容為、C s的驅動電壓雖然相同卻由於臨限電壓的變 動而產生不同大小的電流（Id)。因此，流經有機發光二極 體（0LED)的電流不同，發光強度也會不同。 三、發明内容 發明目的 本發明的目的係提供一種具臨限電壓補償之主動陣列 有機發光二極體像素驅動電路及其驅動方法，使得流經有 機發光二極體的電流得到精確地控制，不受電晶體臨限電

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壓之影響。 發明特徵 本發明提出一種具臨限 二極體像素驅動電路，其由 動電路包括：相互争接的有 電容，包括第一端及第二 閘極；以及第二電容器，包 輕接至第二端，第四端耦接 狀態時’第一電容器可儲存 態時’第二電容器可儲存驅 一電容器以及第二電容器串 極，並且利用電晶體來控制 本發明又提出一種具臨 光二極體像素驅動電路之驅 一狀態時，記錄臨限電壓； 壓；在第三狀態時，將相加 於電晶體之閘極，以控制傳 為了使貴審查委員能 術内容，請參閱以下有關本 所附圖式僅提供參考與說明 制0 電壓補償之主動陣列有機發光 一貧料線路輪入驅動電壓，此驅 機發光二極體與電晶體；第一 端’且第—端耦接至電晶體之 括第三端及第四端，且第三端 至一接地電壓；其中，在第一 電晶體之臨限電壓，在第二狀 動電壓，在第三狀態時，將第 聯後的電壓偏壓於電晶體之閘 流經有機發光二極體之電流。 限電壓補償之主動陣列有機發 動方法，包括下列步驟：在第 在第二狀態時，記錄驅動電 後的臨限電壓與驅動電壓偏壓 輸至有機發光二極體之電流。 更進一步暸解本發明特徵及技 發明之詳細說明與附圖，然而 用’並非用來對本發明加以限

第7頁 1273541 五、發明說明（4) 四、發明實施方式 為了改進習知主動陣列有機發光二極 中臨限電壓變動的問題，本發明提出籀且s象素動笔路 之主翻瞌^ Θ k出一種具^限電壓補償 之主2陣列有機發光二極體像素驅動電路。 主動圖，其所繪示為本發明具臨限電壓補償之 有有f發光二極體像素驅動電路之第-實施例。此 = 所組合而成。其中’電晶體_搞 料線路（D I田線路（SCan ^13〇，另二端則分別耦接至資 第二掃Llne)15〇與節點'，a,，。電晶體M2閘極耦接至 M4 ;極：電2: 3 V另二端則分別耦接至電晶體 二電阳體Μ4閘極。電晶體0源極耦接至電晶體Μ4汲 有播耦接至第三掃描線路（Scan 3)140，汲極耦接至 =機發光二極體（〇LED)p極端。電晶體“源極端耦接至電 :有機發光二極體（〇LED)N極端接至接地電壓 々第一電容器C 1耦接於電晶體M4閘極與節點” a，，之 第=電谷器C2耦接於節點” a”與接地電壓（GND)之間。 nn此電路^吉構可分成四個狀態，分別由第一掃描線路 、第二掃描線路135與地三掃描線路140來控制。分別 又重置（R e s e t)狀態、補償狀態（◦ 〇 m p e n s a η 〇 η)、資料寫 a j a W r i t e I η)狀恕、以及發射（ε m i s s i 〇 η)狀態。 清參照第三圖，其所繪示為本發明第一實施例之訊號 不意圖。請同時參考第二圖以及第三圖。首先，在重 1273541 五、發明說明（5) __ 置狀態時，第一掃描線路丨3 〇、 三掃描線路U0動作，而資料= 2線路135、以及第 C1、第二電容哭。2二=電晶翻3開啟’第一電容器 中的儲存電荷一併被清除。 一才體（〇LED)寄生電容 在補償狀態時，第一掃插绫 動作，第三掃描線路14。不動作， 電壓（Vdd)。此時，雷曰辦…a 貝抖線路上具有電源 μ pWf λ丄 體祕1與電晶體M2開啟，雷a i t S VC1 ^ ^ t a(ydd) B： ^ ,b (Threshold voltage)，亦為包日日肽M4的臨限電壓 ^、貝料寫入狀悲時，第一掃描線路1 3 0動作，第二尸 描線路135與第三掃描線路14〇不動#，一^ 驅動電壓（Vdrv)。此時，電晶體们 千貝枓線路上具有 M3 ^ 〇 ^"a'^ t μ ^ι|§ ^ f 為C2所跨接的電壓即為驅動電 N ^ 極電壓％ = (vdrv_IVth_M4丨）土（Vdrv)此時，電晶細閉 不動掃描線路13°與第二掃描線路135 =作’第二^線路14G動作，而f料線路上 電壓（Vdd)。此時，電晶體M1與電晶體 2电"、 广此時’電晶體M4閘極與源極f才’ 晶細 ；；^ 第9頁 1273541

Id=l/2n*(YGS_M4+ I Vth_M4 I )2 = l/2*k*(Vdrv- I Vth_M4 I -Vdd+ I ythM4 I )2 = l/2*k*(Vdrv-Vdd)2 其中，k為元件參數（Dev^ce paramete]r) 由上式可知，流經有機發光二體（0LED)的電流Id =限電壓之函數，亦即，此電流(Id)與電晶·4的： :毛堅無關。也就是說，在補償狀態時，第一電容器C =存電晶體Μ4的臨限電壓。因此，'在發射狀態時了第— 2谷器ci上儲存的臨限電壓即可與電晶體Μ4的臨限電壓 ^使得流經有機發光二體(〇LED)的電流(W#為驅動電 ^函數。所以，流經有機發光二體（0LED)的電流 極體Ξ二Ϊ ΐ臨限電壓的變動而改變。如Λ，流經發光二 柽體極的電流可以獲得精確的控制。 - 四圖(a)與第四圖⑻，其所繪示為本發明第 體Cm:示意圖。其中如第四圖⑷之緣示，電晶 =日日體Μ、以及電晶體M3皆可視為開（Switc 二第四之缘示’在重置狀態時，第， 料線路上接一:? W2)、與第三開關(SW3)開啟(0n)，資 (swt)、第:源電屋（Vdd)。在補償狀態時，第-開關 (Off),次，（SW2)開啟（0n)，而第三開關（SW3)關閉 時，第一貝門mi提供電源電壓（vdd)。在資料寫入狀態

^(SW3)W；；(〇J 貝枓線路上k供驅動電壓（)。在發

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1273541 五、發明說明（8) =圖實^電工，亦可_電晶體來完成。請參,昭 機= 二極體像素驅動電路之第二實施： 描線路係用以控制第—開關（SW1)，第-帚描、/ 一知 (SW3卜第一開關（SW1)二端則分別轉接用/控制線^開關 Li ne) 25 0與節點”b"。第二*主貝科線路（Data 晶體M5汲極與電晶體M5 / )—端則分別耦接至電 接至電晶體M5汲極：有光第：工:⑽)二物 ▲ 、 4 ”有钱發先一極體（OLED)N極端。雷曰 體M5源極端耦接至接地電壓（GND)。有機發光二極體曰曰 (a〇t! = P極端接至電源電壓（Vdd)。第三電容器C3耦接於電 曰曰體M5閘極與節點” b"之間。第四電容器以耦接於節、 點b與接地電壓（g N D )之間。 而經過重置狀態、補償狀態、資料寫入狀態、以及發 射狀態之後，流經有機發光二極體之 ^ M5臨限電壓的影響。 个曰又^曰曰體 由上述s兒明中吾人可清楚得知，本發明的優點係提供 :種具臨限電壓補償之主動陣列有機發光二極體像素驅動 電路及其驅動方法。使得偏壓電晶體並產生電流時，電晶 體的臨限電壓已經被補償，因此，驅動電壓即可精確地控 制流經有機發光二極體的電流。因此本案之技術手段，除 了有機發光二極體（0LED)外，尚可被廣泛應用於各類利用 電流大小來控制發光強度之電流控制發光元件之上。 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然

第12頁 1273541 五、發明說明（9) 其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者， 發明之精神和範圍内，當可作各種之更動與潤 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界 【圖式簡單說明】 第一圖繪示為習知有機發光二極 苐一圖所繪示為本發明具臨限電 機發光二極體像素驅動電路之第一實 第二圖所纷不為本發明第一實於 W· ' ^ 第四圖（a)與第四圖（b)所繪示 動作示意圖； … 第五圖所繪示為本發明第一實於 壓變化與閘極電壓之間的關係；、也 第六圖所繪示為本發明第一 電壓變化與電流之間的關係；以及也 第七圖所繪示為本發明具臨限略 认發光二極體像素驅動電路之第二^ 【圖號說明】 1 〇掃描線路 2(3、150、25〇資料線路 1 3 0第一掃描線路 1 3 5第二掃描線路 i不脫離本 :去因此本 义者為準。 體的像素 壓補償之 施例； 例之訊號 本發明第 例中電晶 例中電晶 壓補償之 施例。 驅動電路； 主動陣列有 動作示意 一實施例的 體M4臨限電 體M4臨限 主動陣列有

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第14頁 1273541 圖式簡單說明 第一圖繪示為習知有機發光二極體的像素驅動電路； 第二圖所繪示為本發明具臨限電壓補償之主動陣列有 機發光二極體像素驅動電路之第一實施例； 第三圖所繪示為本發明第一實施例之訊號動作示意 圖； 第四圖（a)與第四圖（b)所繪示為本發明第一實施例的 動作示意圖； 第五圖所繪示為本發明第一實施例中電晶體M4臨限電 壓變化與閘極電壓之間的關係；

第六圖所繪示為本發明第一實施例中電晶體M4臨限 電壓變化與電流之間的關係；以及 第七圖所繪示為本發明具臨限電壓補償之主動陣列有 機發光二極體像素驅動電路之第二實施例。

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Claims (1)

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六、申請專利範圍 1 · 一種具臨限電 ^，償之主動陣列有機發光二極體像素驅 辟線路輪入一驅動電壓，該驅動電路至少 動電路， 包括： 一電 一有 一第 一端耦接 一第 二^ά 接 由一資 晶體， 機發光 一電容 至該閘 二電容 至該第 其中，在一 體之一臨 該驅動電 二電容器 用該電晶 2·如申請 開關在該 至該第二 3·如申請 一狀態時 資料線路 一電容器 4· 一種具 限電壓 壓；在 串聯後 體來控 專利範 第二狀 電容器 專利範 ，將該 提供至 可儲存 臨限電 動電路之驅動方 具有一閘極； =極體’電連接至該電晶體； 器，具有一第一端及一第二端，其中該第 極，以及 二1具有一第三端及一第四端，其中該第 ^端，該第四端耦接至一接地電壓； 第一狀態時，該第一電容器可儲存該電晶 二在=第，狀態時，該第二電容器可儲存 一第三狀態時，將該第一電容器以及該第 的電壓偏壓於該電晶體之該閘極，並且 制流經該有機發光二極體之電流。 圍第1項所述之驅動電路，更包含一第一 態時可將該資料線路上之該驅動電壓傳輪 圍第1項所述之驅動電路，其中，在該第 電晶體源極所耦接之一電壓，同時於/由 該第一電容器之該第二端，用以;J g 該臨限電壓。 呎伃这第 ^補償之主動陣列有機發光二極 法，至少包括下列步驟 1冢素驅 在第一狀恶時，記錄一臨限電壓；

第16頁 1273541 六、申請專利範圍 在一第二狀態時，記錄/驅動電壓； 在一第三狀態時，將該臨限電壓與該驅動電壓相加後 偏壓於一電晶體之一閘極，炎利用该電晶體來控制流經該 有機發光二極體之電流。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之驅動方法’其中，該臨限 電壓係為該電晶體之臨限電麈。 6 ·如申請專利範圍第4項所述之驅動方法，其中，該臨限 電壓係記錄於一第一電容器。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之驅動方法，其中， 該第一電容器之一第一端耦接至該電晶體之一閘極，並將 該電晶體之一源極所耦接之一電壓，同時提供至該第一電 容器之一第二端，用以使得該第一電容器可記錄該臨限電 壓。 8·如申請專利範圍第4項所述之驅動方法，其中，該驅動 電壓係§己錄於一第二電容器。 9.如申請專利範圍第8項所述之驅動方法，更包含一第一 開關在該第二狀態時可將一資料線路上之該驅動電壓傳輸 至該第二電容器。 1 0 · —種具臨限電壓補償之主動陣列電流控制發光元件像 素驅動電路，由一資料線路輸入一驅動電壓，該驅動電路 至少包括： 電晶體，具有一閘極； 體 電流控制發光元件，電連接至該電 第一電谷器’具有一第一端及一第二端，其中該第

第17頁 1273541 六、申請專利範圍 一端耦接至該閘極；以及 一第二電容器，具有一第三端及一第四端，其中該第 三端耦接至該第二端，該第四端耦接至一接地電壓； 其中，在一第一狀態時，該第一電容器可儲存該電晶 體之一臨限電壓；在一第二狀態時，該第二電容器可儲存 該驅動電壓；在一第三狀態時，將該第一電容器以及該第 二電容器串聯後的電壓偏壓於該電晶體之該閘極，並且利 用該電晶體來控制流經該電流控制發光元件之電流。

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