TWI252592B - EL display device - Google Patents

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1252592 A7 ______B7 五、發明説明（1) 發明背景 1 .發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明關於顯示系統及電子裝備明亮度的控制是基於 週遭的資訊。 2 .相關技藝之敘述： 近代’使用電致（E L )元件（以下提及爲e L顯示 設備）之顯示設備的發展更進一步。E L元件是自我發光 型且由有機的E L材質中經由電致（包含螢光及磷光）的 現象而發生。既然E L顯示設備是一自我發光型，故不需 要發照光於液晶顯示設備及具有較大的視覺角度。因此， E L顯示設備被視爲有前述的顯示部份，於戶外爲可攜帶 式設備。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 現有兩種類型的E L顯示設備：一爲被動型（簡易矩 陣型），一爲主動型（主動矩陣型）。任一型的El顯示 設備之發展已被獎勵。特別是主動矩陣E L顯示設備近來 受到許多關注。組成E L元件的光亮度層的有機材質是由 低分子（單分子’有機E L材質與高分子（聚合體）組合 而成。此種類的材質已被廣泛的硏究中。 E L顯示設備及發光設備皆不包括半導體二極體，迄 今’具有控制發光亮度元件的發光設備是基於發光設備所 在環境的資訊而得。 發明節要 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1252592 A7 B7 五、發明説明（2)

本發明已做到上述所及，本發明的目的是提供一個可 亮度控制的發光設備之顯示統，例如，基於周遭環境的資 訊而得E L顯示設備其中e L顯示設備被使用或使用E L 顯示設備的人其活體資訊，及提供使用顯示系統的電子裝 備。 E L顯示設備提供解決上述的問題，e L元件的發光 形成陰極，E L層及陽極可經由控制烴E L元件的電流而 得到控制，同時流經E L元件的電流亦可由改變於E L元 件上的電壓而得到控制。 根據本發明，下列所述的顯示系統正被使用。 首先，E L顯示設備使所用的環境資訊是由至少有一 感應器的資訊信號而得，其中包含光接收元件，例如光二 極體與CdS光導室，電荷對設備（CCD)，及 C Μ〇S感應器。當感應器接收資訊信號如同電子信號至 中央處理單元（CPU) ，CPU轉換電子信號成可控制 電壓於E L元件上以調整E L元件亮度之信號。在此一敘 述中，經由C P U轉換發出的信號可視爲校正信號。此校 正信號輸入於電壓改變器以便控制施用於E L元件相反的 連接於T F T那邊的電壓。此種控制電壓可視爲校正電壓 且是被注意的。 E L顯示或電子裝備於上述顯示系統是用來控制流經 E L元件的電流基於環境資訊而調整売度是被提供的。環 境於此敘述中，週遭資訊包含E L顯不設備使用的周遭環 境資訊及使用E L顯示設備的人其活動資訊。更進一步’ 夺纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .〇 Γ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A7 __B7 五、發明説明（3) 環境資訊包含亮度（可見光與紅外光）、溫度、濕度等資 訊’而活體資訊包含使用者眼睛、脈膊、血壓、體温及虹 膜片的開啓其擁擠程度的資訊。 根據本發明，假設數位驅動系統，連接於E L元件的 電壓改變器基於周遭的資訊而使用一校正電壓以控制穿越 E L元件的不同電壓，因而獲得所需亮度。另一方面，假 設類比驅動系統，連接於E L元件的電壓改變器基於周遭 的資訊而使用一校正電壓以控制穿越E L元件的不同電壓 ，類比信號的電壓是控制電壓差別，因而獲得所需亮度。 本發明已經由使用數位或類比系統的方式在實行。 上述的感應器或許完整的形成於E L顯示設備。 爲了能使E L元件發光，控制電流流經E L元件的電 流控制T F T與控制電流控制T F T驅動之開關T F T的 比較下具有較大的電流流經本身。當T F T驅動被控制時 ，施用於T F T閘電極的電壓是控制T F T的開與關。根 據本發明，當基於環境的資訊而需要減低亮度時，較小的 電流產生而流經電流控制T F T。 EL (電致）顯示設備關於此一敘述包含三元基發光 設備及/或單元基發光設備。 圖形之簡要敘述： 於附圖中： 附圖1爲展示E L顯示系統資訊回應的結構圖； 附圖2 A與2 B爲展示E L顯示設備的結構圖； 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公着） 广 - 6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A7 _____B7_____ 五、發明説明（4) 附圖3爲展示分時灰階顯示方法的操作圖； 附圖4爲E L顯示設備結構之部面圖； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 附圖5爲展不E L顯不系統環境資訊回應的結構圖； 附圖6爲展不E L顯示系統環境資訊回應的外觀圖； 附圖7爲展示E L顯示系統環境資訊回應的操作流程 附圖8爲E L顯示設備像素部份的剖面圖； 附圖9 A與9 B分別爲E L顯示設備的面板之正視圖 與電路圖； 附圖1 Ο A至1 〇 E爲E L顯示設備製造過程圖； 附圖1 1 A至1 1 D爲E L顯示設備製造過程圖； 附圖1 2A至1 2 C爲EL顯示設備製造過程圖； 附圖1 3爲展示E L顯示設備的樣品電路之結構圖； 附圖1 4爲E L顯示設備的透視圖； 附圖1 5 A與1 5 B分別爲E L顯示設備部份正切面 圖及附圖1 5 A E L顯示設備的剖面圖； 附圖1 6爲展示E L顯示系統活體資訊回應結構圖； 附圖1 7爲E L顯示系統活體資訊回應的透視圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 附圖1 8爲E L顯示系統活體資訊回應的操作流程； 附圖1 9 A至1 9 C爲E L顯示設備的像素部份之結 構剖面圖， 附圖2 Ο A至2 Ο E爲展示電子設備的樣品圖； 附圖2 1 A與2 1 B爲展示電子設備的樣品圖； 冬紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇X：W公釐） 1252592 A7 B7 五、發明説明（5) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主 要 元 件對照表 2 〇 〇 1 薄 膜 電 晶 體 2 0 0 2 薄 膜 電 晶 體 2 〇 〇 3 E L 元 件 2 〇 0 4 雷 容 器 2 〇 〇 5 閘 線 2 0 〇 6 源 線 2 〇 1 〇 電 壓 改 變 器 2 〇 〇 9 E L 驅 動 電源 2 〇 1 5 開 關 2 〇 1 1 感 "Ca、 器 2 〇 1 2 類 比 至 數 位轉 換 器 2 〇 1 3 中 央 處 理 單元 2 0 1 4 數 位 至 類 比轉 換 器 2 0 0 7 電 力 供 應 線 1 0 1 像 素 部 份 1 0 2 資 料 信 號 驅動 電 路 1 〇 3 閘 門 信 號 驅動 電 路 1 1 3 分 時 灰 階 資料 信 號產生器電路 1 〇 4 像 素 1 〇 5 開 關 T F 丁 1 〇 8 電 流 控 制 T F Τ 1 〇 I-T ( 資 料 配 線 1 1 〇 電 力 供 iffi λ/匕、 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1252592 A7 B7 五、發明説明（6) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇 9 E L 元件 1 1 1 陰 極 1 1 2 電 容 器 1 0 2 a 移 位 暫存 器 1 0 2 b 閂 鎖 1 1 〇 2 c 門 鎖 2 1 〇 6 閘 配 線 1 1 基 底 1 2 基 礎 膜 2 〇 1 開 關 丁 F T 2 〇 2 電 流 控制 T F 丁 1 3 來 源 區 1 4 汲 極 區 1 5 a — 15 d 淡 滲 雜領 域 1 6 局 密 度雜 質 區 1 7 a、 1 7 b 通 道 形成 1 8 閘 絕 緣膜 1 9 a、 19 b 閘 電 極 2 〇 第 — 中介 層 絕 緣膜 2 1 源 線 2 2 汲 極 線 2 6 源 丨品‘ 2 7 汲 極 1¾ 2 9 通 道 形成 區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. Μ 务紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1252592 A7 B7 五、發明説明（” 3 0 閘電極 較佳實施例之詳細敘述： 附圖1爲根據本發明展示資訊回應E L顯示設備的顯 示系統結構圖，將描述關於分時灰階顯示之數位驅動。如 附圖1所示，顯示系統具有一個薄膜電晶體（T F T ) 2 0 0 1其功能如同開關設備，（以下敘述爲開關T F T )’ T F T 2 0 0 2其功能爲一設備（電流控制設備）以 便控制供應至E L元件2 0 0 3 (以下敘述爲電流控制 TFT或EL驅動TFT)的電流，電容器2004(稱 爲儲存電容器或補充電容器）。開關TFT2 00 1連接 至閘線2 0 0 5及源線（資料線）2 0 0 6。電流控制 TFT 2 0 0 2的汲極連接至EL元件2 0 0 3其來源連 接至電力供應線2 0 0 7。 當閘門線路2 0 0 5被選定後，開關T F T 2 0 0 1 由供給至閘門的電壓而打開，電容器2 0 0 4由來源線路 2 0 0 6的資料信號而充電，同時電流控制T F T 2 0 0 2經由供給至閘的電壓而開啓。在關閉開關T F 丁 2 0 0 1之後，電流控制τ F T 2 0 〇 2是經由位於電容 器2 0 0 4累積充電而維持其開啓的狀態。E L元件 2 0 0 3當電流控制τ F T 2 0 0 2是維持於開啓的狀態 的發光。自E L元件2 0 0 3發射出光的總量是經由流經 E L元件2 0 〇 3的電流而決定。 流經E L元件2 0 〇 3的電流是經由控制介於供給電 …务紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1252592 A7 B7 五、發明説明（夺 力供應線的電壓（於此敘述爲E L驅動電壓）及雜ϊ λ ®壓 改變器2 0 1 0 (於此敘述爲校正電壓）的校正信號之電 壓控制之間的差異而得到控制。於此實施例中’ E L驅動 電壓維持於一個固定的位準。 電壓改變器2 0 1 0可自E L驅動電源2 0 0 9改變 介於正與負値電壓供應以便控制校正電壓。 根據本發明，在數位驅動的灰階顯示中，電流控制 T F T 2 0 0 2經由來自源線2 0 0 6供應至電流控制 T F T 2 0 0 2閘的資料信號而決定開啓或關閉。 於此敘述中，E L元件的兩個電極，一端連接至所謂 的像素電極而另一端即所謂的反向電極。當開關2 0 1 5 開啓時，校正電壓經由供應於反向電極的電壓改變器 2 0 1 0而得到控制。既然E L驅動電壓供給於像素電極 是定値，根據校正電壓而流經E L元件的電流。接下來， 校正電壓是控制E L元件2 0 0 3發光之所需亮度。 經由電壓改變器2 0 1 0提供的校正電壓的決定是由 下列敘述而決定。 首先，包含代表周遭資訊的數位信號之感應器 2 0 1 1及類比至數位（A / D )轉換器2 0 1 2轉換類 比信號成數位信號其輸入至中央處理單元（C P U ) 2 0 1 3。C P U 2 0 1 3基於事先比較資料組而轉換輸 入數位信號至校正信號爲了校正E L元件的亮度。校正信 號經由C P U 2 0 1 3轉換是輸入至數位至類比（D / A )轉換器2 0 1 4而再度成爲類比形態。電壓改變器 ，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A7 B7 五、發明説明（穹 2 0 1 〇供給因此成形的校正信號同時根據校正信號適用 於事先決定校正電壓的E L元件。 本發明最基本的用途存在於E L元件度的調整是經由 附上感應器2 0 1 1於主動矩陣e L顯示設備如上述方式 及經由改變電壓改變器2 0 1 〇的校正電壓於經由感應器 2 0 1 1感應代表周遭資訊的基本信號。因此，使用上述 顯示系統的E L顯示器中E L顯示設備的亮度可由周遭的 資訊來控制。 附圖2 A是展示主動矩陣E l顯示設備根據本發明的 結構方塊圖。主動矩陣E L顯示設備於附圖2 A具有 T F T s形成的基底如同元件，像素部份1 〇 1 ，資料信 號驅動電路1 0 2及閘信號驅動電路1 〇 3。資料信號驅 動電路1 0 2與閘信號驅動電路1 〇 3形成於像素部份 1 0 1的周圍。主動矩陣E L顯示設備亦具有一分時灰階 資料信號產生器電路1 1 3爲形成數位資料信號輸入於像 素部份1 0 1。 多數的像素1 〇 4被定義於像素部份1 〇 1中形成矩 陣。附圖2B是每個像素〇4的放大圖。開關TFT 1 〇 5及電流控制τ F T 1 〇 8被提供於每個像素。開關 T F T 1 〇 5的源區連接至資料配線（源配線）1 〇 7以 便輸入數位資料信號。 電流控制T F Τ 1 〇 8的閘電極是連接至開關T F Τ 1 〇 5的汲極。電流控制τ F Τ 1 〇 8的源區是連接至電 力供應線1 1 〇 ，電流控T F Τ 1 〇 8的汲極是連接至Ε _本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（2ωχ297公釐） ! -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（φ L元件1 0 9。E L元件1 〇 9其正極（像素電極）連接 至電流控制TFT 1 0 8同時負極（反向電極）1 1 1提 供E L層相反於陽極的另一邊。陰極連接至電壓改變器。 開關TFT 1 〇 5可能是η通道TFT或是p通道 T F T。於此實施例中，如果電流控制T F T 1 0 8是η 通道T F Τ，電流控制T F Τ 1 0 8的汲極爲連接至E L 元件1 0 9的陰極是較佳的連接結構。如果電流控制 TFT1 08是Ρ通道TFT，電流控制TFT1 08的 汲極爲連接至E L元件1 0 9的陽極是較佳的連接結構。 然而，如果電流控制T F T 1 0 8是η通道τ F T，結構 可改變至電流控制T F Τ 1 0 8的來源是連接至E L元件 1 0 9的陽極。同理，如果電流控制T F Τ 1 〇 8是Ρ通 道T F Τ，結構可改變至電流控制T F Τ 1 〇 8的來源是 連接至E L元件1 〇 9的陰極。 更進一步，電阻體（不在附圖中）可供給介於電流控 制T F Τ的汲極與E L元件1 〇 9的陽極像素電極之間。 如果此電阻存在，可能避免電流控制T F Τ的特性而影響 多變性經由控制自電流控制T F Τ至E L元件的電流供應 。具有與電流控制T F Τ 1 〇 8開啓狀態下的電阻比較下 8充分地較大電阻之電阻元件如上述電阻是足夠的，因此 ，電阻元件的結構及相似的結構不會受特別的限制只要電 阻値是充分的足夠。 電容器1 1 2的提供是維持電流控制T F 丁 1 〇 8的 閘電壓當開關T F Τ 1 〇 5是位於無法選擇狀態（關閉狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） II-------in----Ί—,訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13 1252592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（邛 ^~~' 龍）。電谷器1 1 2是連接介於開關τρτί 〇 5的汲極 區與電力供應線之間。 貝料L藏驅動電路1 〇 2基本上有〜個移位暫存器 102a ，閂鎖 1 (i〇2b)與閂鎖 2 (1〇2c)。 時鐘脈波（c k )與起始脈波（s p )輸入於移位暫存器 1 0 2 a ，數位資料信號輸入於閂鎖1 ( 1 〇 2 b )，閃 鎖信號輸入於閂鎖2 ( 1 〇 2 c )。雖然只有一個資料信 號驅動電路1 0 2使用於附圖2 A中，根據本發明或許可 能會有兩個資料信號驅動電路被使用。 每一個閘信號驅動電路1 〇 3具有一個移位暫存器（ 不在圖中）’一個緩衝器（不在圖中）。雖然個閘信號驅 動電路1 0 3使用於附圖2 A中，根據本發明可能會只有 一個閘信號驅動電路被使用。 於分時灰階資料信號產生器電路113 (SPC:序 列至平行轉換電路）中，一個類比或數位影像信號（一個 包含圖像資訊的信號）被轉換成分時灰階顯示之數位資料 信號。同時’時差脈波與其相似需要分時灰階顯示被產生 而輸入至像素部份。 分時灰階資料信號產生器電路1 1 3包含區分一個畫 面段落成許多子晝面對應至灰階位準的數目對應至η位元 (η:等於或大於2的整數之均値），選取一位址段落與 持續段落於多數子畫面之均値，及設定持續段落T s 1至 Ts η 之均値如同丁 s 1 : Ts 2 : Ts 3 :...... T s ( η - 1 ) ： T s (η) = 2°: 2 一 丄：2 ' 2 :...... 纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ϋ -14- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1252592 A7 B7 五、發明説明（咋 2 ~ ( η - 2 ) ·· 分時灰階資料信號產生器電路1 1 3或許使用於本發 明的E L顯示設備之外或者可能與；g l顯示設備完整的成 形。如果分時灰階資料信號產生器電路1 1 3使用於E L 顯示設備之外’成形於E L顯示設備之外的數位資料信號 於本發明輸入至E L顯示設備。 如果本發明的E L顯示設備使用於電子裝置中的顯示 ’根據本發明’ E L顯示設備與分時灰階資料信號產生器 電路是電子裝備中包含的不同構件。 分時灰階資料信號產生器電路1 1 3亦可使用於I c 晶片的形成而置於E L顯示設備上於本發明。如此例，於 本發明’數位資料信號形成於I c晶片上輸入至E L顯示 設備。本發明的E L顯示設備具有一個I c晶片其包含分 時灰階資料信號產生器電路或許爲電子裝備的一個構件。 最後，分時灰階資料信號產生器電路1 1 3可能經由 在像素部份的基底上之T F T s形成，資料信號驅動電路 1 0 2及閘丨g遗驅動電路1 〇 3而成形。如此例，如果只 有包含圖像資訊的影像信號輸入至E L顯示設備，大體上 的信號可於基底上執行。更不消說，分時灰階資料信號產 生器電路應形成於T F T s而本發明使用聚晶矽膜組成的 主動層。本發明的E L顯示設備具有分時灰階資料信號產 生器電路形成於一種或許可提供爲顯示於電子裝備中。於 此例，電子裝備可設計爲較小的形狀因爲分時灰階資料信 號產生器電路被并入E L顯示設備中。 麥紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - -15- -------- i请先聞讀背¢之法意事項#填寫本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

1252592 Α7 Β7 五、發明説明（咋 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 分時灰階顯示器於下列會與附圖2 A、2 B及3敘述 。2 n灰階位準全彩顯示器是基於η元位數位驅動法會用範 例來敘述。 首先，如附圖3所示，一個畫面段落被分成許多子畫 面段落（S F 1 to S F η )。在像素部份中所有像 素形成一個圖像的時間段落被稱爲一個畫面段落。在一般 的E L顯示器中，振動頻率等於或高於6 0赫茲，也就是 說，6 0或大於6 0的晝面段落設定爲一秒，即6 0或大 於6 0的圖像晝面於一秒內顯示。如果於一秒內圖像畫面 的顯示數少於6 0，則圖像晃動的視覺可觀察度也顯然增 加。每一個多數段落其定義爲一個畫面的分枝稱爲子晝面 段落。如果灰階位準的數量增加，一個畫面段落被分割的 數量也增加且驅動電路操作於較高頻率是必需的。 一個子畫面段落被分成位址段落（T a )及持續段落 (τ s )。位址段落是於子畫面段落中，所需輸入資料至 所有像素的一個時間段落。而持續段落是時間段落（亦稱 發光段落）於E L元件中發光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 位址段落η個子畫面段落（S F 1至S F η )的各別 長度爲相等。持續段落（T s )分別屬於子畫面段落 SF 1至S F η是由TS 1至TSn所代表。 持續段T s 1至T s η的長度是設定爲T s 1 : 丁 s 2 : T s 3 ……T s ( η - 1 ) : T s ( η ) = 2 0 :

2 — 1 : 2 — 2 :……2 一〔 η 一 2 ) : 2 一（ η — 1 )。然而，S F 1至S F η可出現其它排序。顯示器位任一 2 η灰階位準可 ，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） ❾ -16 - 1252592 A7 B7 五、發明説明（中 ^^" ~ 經由5¾擇此持繪段洛的組合而執行。 流經每一 E L元件的電流是經由介於校正電壓及E乙 校正電壓之間差異而決定。也就是說，校正電壓可能被控 制以便控制E L元件的亮度。 根據此貫施例的E L顯示設備會更加詳細的敘述。 首先’電力供應線1 1 〇維持於一定E L驅動電壓。 然後閘號導入至閘配線1 〇 6以便開啓所有連接至閘配 線1 0 6的開關T F T s 1 〇 5 。 在開關T F T s 1 〇 5被開啓之後或開關 TFT s 1 0 5同時被開啓時，具有資訊數値、'〇〃或、、 1 "的數位資料信號輸入至每一像素開關T F T 1 〇 5的 源區。 當數位資料信號輸入至開關T f T 1 0 5的源區時， 數位資料信號是輸入且被留置於連接至電流控制T F T 1 0 8的閘電極的電容器丨丨2。位址段落是數位資料信 號輸入至所有像素的時間段落。 當位址段落結束，開關TFT 1 〇 5被關上且被電容 器1 1 2留置的數位資料信號導入至電流控制τ ρ τ 1 0 8的閘電極。 供應至E L元件陽極的電壓較高於供應至陰極是必需 的。於此實施例中，陽極如同像素電極連接至電力供應線 而陰極連接至電壓改變器。因此，E L驅動電壓高於校正 電壓是必需的。 相反的’如果陰極如同像素電極連接至電力供應線且 纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A7 B7 五、發明説明（1戶 陽極連接至電壓改變器時，E L驅動電壓低於校正電壓是 必需的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於本發明中’校正電壓基於代表環境情況的信號被感 應器感應而控制經過電壓改變器。例如，環繞E L顯示設 備的明亮是經由光二極體而感應。當代表被感應的明亮信 號是經由C P U轉換成爲了控制E L元件的亮度之校正信 號時，此信號是輸入至電壓改變器且校正電壓會依信號而 改變。介於E L驅動電壓與校正電壓的不同是關於改變， 因而改變E L元件的亮度。 於此實施例中’當輸入至像素的數位資料信號具有資 訊値爲a 0 〃時，電流控制T F T 1 〇 8是設定於關閉狀 態且使用於電力供應線1 1 0的E L驅動電壓不使用於E L元件1 〇 9的陽極（像素電極）。 相反的，當數位資料信號具有資訊値爲★ 1 〃時，電 流控制T F T 1 0 8是設定於開啓狀態且使用於電力供應 線1 1 0的E L驅動電壓是使用於E L元件1 〇 9的陽極 (像素電極）。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印¾ 因此，E L元件1 0 9於像素上具有資訊値爲、、〇 " 的數位資料信號的輸入不會發光但E L元件1 0 9於像素 上具有資訊値爲 1 的數位資料信號之輸入會發光。當 E L元件發光時，持續段落是時間段落。 每個E L元件於從T s 1至T s η的段落間發光（點 亮像素）。此假設於T s η的段落間，事先決定的像素被 點亮。 奢紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- ^252592 A7 ϋ 五、發明説明（咋 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，另一個位址段落開始，資料信號輸入至所有像 素’且另一持續段落開始。此持續段落是T s 1至 T s ( η - 1 )的其中一個。此處假設於段落 T s ( η 一 1 )中間，事先決定的像素被點亮。 關於剩下（η - 2 )子畫面段落重覆著同樣的操作。 _時亦假設持續段落T s ( η — 2 ) ，T s ( η — 3 )… …T s 1是連續不斷的組合，且於每一子晝面段落’先前 決定的像素被點亮。 隨著η個子畫面段落的通行，一個畫面段落結束。此 時’一個像素的灰階位準的決定是經由疊加持續段落於像 素被點亮期間，也就是說，在具有資訊値' 1 〃的數位資 料信號之後的於每一像素被點亮的時間段落飮長度被輸入 S相對的像素。舉例，如果η = 8且當像素於所有持續段 落被點亮的亮度是1 0 0%，7 5%的亮度可經由選擇 T s 1及T s 2段落及於此段落點亮影像而得，而1 6 % 的亮度可經由選擇T s 3、T s 5及T s 8段落而獲得。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明中，附圖1的開關2 0 1 5於每一位址段落 爲關閉而於每一持續段落爲開啓。 接下來，附圖4展示現今發明的主動矩陣E L顯示設 備結構剖面部份的槪要圖。 參考附圖4 ，基底被定爲1 1而絕緣膜爲1 2。絕緣 膜1 2是製造E L顯示設備的構件之基部（以後稱之爲基 部膜）。基底1 1是一個透明的基底，典型的玻璃基底、 石英基底、玻璃陶瓷基底或是晶化玻璃基底可被使用。然 …本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） νί ϊ μ -19- 1252592 A7 _____ B7___

五、發明説明（V 而，於製造過程中，基底必需具有抵抗最高處理溫度的條 件。 基礎膜1 2特別使用於當基底包含移動離子或是導電 基底被使用時。如果使用石英基底則不需基礎膜1 2。基 礎膜1 2亦可能包含矽的絕緣膜。於此規格中， ''包含砂 的絕緣膜〃表示絕緣膜由矽的材質組合而成且事先決定氧 氣及/或氮氣的比例之矽量，例如，氧化矽膜、氮化矽膜 或矽氮化氧膜（S i〇X N y，其中X與y爲任意的整數） 〇 20 1所指的開關TFT是η -通道TFT。然而， 開關TFT可替換爲p —通道TFT。2 0 2所指電流控 制T F T於附圖4所示的結構爲ρ —通道T F T。於是， 電流控制T F T的汲極是連接至E L元件的陽極。 於本發明中，不需限制開關T F 丁是η -通道T F T 而電流控制TFT是ρ —通道TFT。介於開關TFT與 電流控制T F T之間的關係關於n -通道與ρ -通道形可 能是倒轉或開關T F Τ與電流控制T F Τ可能同時是η -通道或同時是ρ -通道的。 開關TFT20 1由主動層組成，包含一個源區1 3 ，一個汲極區14，淡滲雜領域（LDDs) 15a至 1 5 d，一個高密度雜質區1 6及通道形成區1 7 a及 1 7 b，聞絕緣膜1 8，閘電極1 9 a及1 9 b，一個第 一中介層絕緣膜2 0，一個源線2 1及一個汲極線2 2。 閘絕緣膜1 8或第一中介層絕緣膜2 0可能正常出現於所 夺紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A44見格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. .•教 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1252592 A7 B7 五、發明説明（1癸 有T F 丁的基底上或可能因電路或設備而有所差異。 附圖4所示開關T F T 2 0 1的結構是閘電極1 9 a 與1 9 b是電子連接，此稱爲雙閘結構。更不需說，開關 T F T 2 0 1的結構可稱爲多閘結構（包括二或多通道形 成區序列之活動層），如三閘結構，不同於雙閘結構。 多閘結構於減少切斷電流是非常有效的。如果開關 T F T的切斷電流被限制到相當小的量，附圖2 B中電容 器1 1 2的容量可相對減少。也就是說，被電容器1 1 2 佔據的空間亦可被減少。因此，多閘結構於增加；E L元件 1 〇 9有效發光區亦相當有效。 更進一步，於開關T F T 2 0 1中，在閘絕緣膜1 8 介於其中，任一 1 5 a至1 5 d的LDD s的形成是沒有 L D D區與閘電極1 9 a或1 9 b相對立。如此的結構於 減低切斷電流是非常有效的。LDD區1 5 a至1 5 d的 長度（寬度）可設爲0 · 5至3 . 5//m，通常爲2 · 0 至 2 · 5 // m。 提供介於通道形成區與L D D區之間的調整區（半導 體層的形成具有與通道形成區相同的組合，同時閘電流並 未供應）是更被歡迎的，因爲此調整區能有效的降低電流 。如果多聞結構具有兩或多個閘電極，分離區1 6提供介 於路徑成型區（一個包含相同雜質要件的相同內容之區如 源區或汲極區）之間能有效的降低切斷電流）。 電流控制TFT2 0 2由一個源區2 6，一個汲極區 2 7，一個通道形成區2 9，閘絕緣膜1 8，閘電極3 0 Λ λ夯紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） P i' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·

*1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A7 B7 五、發明説明（1)9 ’第一中介層絕緣膜2 0，一個源線3 1及一個汲極線 3 2。閘電極3 0 ，如附圖中單閘結構，可交替形成爲多 閘結構。 附圖2 B所示，開關T F T的汲極連接至電流控制T F T的閘。特別的是，附圖4所示電流控制T F T 2 0 2 的閘電極是經由汲極配線2 2 (亦稱爲連接配線）電子連 接至開關T F T 2 0 1的汲極區1 4。而且，附圖2 B所 示，源配線3 1連接至電力供應線1 1 〇。 同時，從增加電流可導致流經電流控制T F T 2 0 2 的觀點來看，有效的方法是增加電流控制T F T 2 0 2的 活動曾之膜厚度（特別是通道形成區）（較佳爲5 0至 lOOnm且更佳的是60至80nm)。相反的，減少 開關T F T 2 0 1的切斷電流，有效的方法是減少活動層 的膜厚度（特別是通道形成區）（較佳爲2 0至5 0 n m ，且更佳的是25至40nm)。 T F T —個像素的結構已經敘述過。驅動電路亦與 T F T結構的組織同時形成。附圖4所示爲互補形金屬氧 化物半導體（CM〇S )電路其形成驅動電路的基本單元 〇 參考附圖4 ，T F T的組成如熱載波射入減少當操作 速度並沒有減少那麼多時是用來於C Μ〇S電路中的η通 道T F Τ 2 0 4。驅動電路於此敘述提及與附圖2所示資 料信號驅動電路1 0 2與閘信號驅動電路1 〇 3有相開連

。更不需說’其它的理論電路（一個位準移動器，一個A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X 297公釐） --------批衣— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明（夺 / D轉換器，信號區分電路或相似的）亦可被形成。 η通道TFT204的活動層包含一個源區35 ，一 個汲極區3 6，一個LDD區3 7，及一個通道形成區 3 8。L D D區3 7與閘電極3 9是相對的其中插入閘絕 緣膜。於此規格，此L D D區3 7亦可稱爲L〇V區。 LDD區3 7只形成於η通道TFT2 0 4的汲極區 是因爲考慮到給予維持所需的操作速度。不需特別考慮η 通道T F Τ 2 0 4的切斷電路。更重要的應該是設定操作 速度。因此，整個L D D區3 7相對於閘電極以減少阻抗 構件是必要的。也就是說，所謂的調整不應被設定。 於CMOS迴路中ρ通道TFT2 0 5的退化因爲熱 載波輸入並不列入考慮，且不需要特別提供給P通道 TFT205的LDD區。因此，p通道TFT2 0 5的 結構的活動層包含一個源區4 0，一個汲極區4 1 ，一個 通道形成區4 2 ，一個閘門絕緣膜1 8及閘電極4 3皆形 成於活動層。更不需說，經由提供相同的L D D於η通道 T F Τ 2 0 4中提供裝備以保護熱載波是可行的。 η通道TFT204與Ρ通道TFT2 0 5被第一交 接層絕緣膜2 0所覆蓋，同時，源配線4 4及4 5皆成型 。η通道丁 FT 2 04與Ρ —通道TFT2 0 5經由汲極 配線4 6而相互連接。 第一被動膜形成如4 7。被動膜4 7的厚度可設定由 l〇nm至l//m (更佳的是200至500nm)。被 動膜4 7的材質，爲包含矽（特別佳的是矽氮化氧膜或氣 —本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐） -23- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 1252592 A7 B7 五、發明説明（夺 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 化矽膜）可形成。被動膜4 7具有保護形成的T F T遠離 鹼金屬與水的功能。鹼金屬，如鹽，包含於E L層最後形 成於T F T s上。也就是說，第一被動膜4 7成爲一保護 層阻止鹼金屬（易動的離子）移動至T F T s。 第二中介層絕緣膜4 8的形成爲平均膜由T F T s的 組合中取平均差異。較佳的是，第二中介層絕緣膜4 8是 有機樹脂的膜，可能是聚醯亞胺、聚醯胺、壓克力樹脂、 苯環丁烯（B C B )或相類似的。像有機樹脂膜具有輕易 形成一個平均表面的好處且具有較小相關的介電常數。既 然E L層會輕易地被不平常所影響，第二中介層絕緣膜應 該全然吸收不平整因爲T F T s的原因是必需的。成型一 較厚層材料具有較小相關介電常數的第二中介層絕緣膜是 必要的，並能有效的降低介於閘，資料配線及E L元件的 陰極之間的寄生電容。因此，膜的厚度，較佳爲0 · 5至 5//m (更佳的是 1 · 5 至 2 . 5//m)。 像素電極4 9 ( E L元件的陽極）提供透明導體膜的 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 形成。接觸孔是經由第二中介層絕緣膜4 8及第一被動膜 4 7而形成，同時像素電極4 9成形於接觸孔中，連接於 電流控制T F T 2 0 2的汲極配線3 2而成型。如果像素 電極4 9與汲極區2 7並不直接連接如附圖4所示，於 E L層的鹼金屬可被阻止經由像素電極4 9而進入主動層 〇 第三中介層絕緣膜5 0的組成是一個氧化矽膜’一個 矽氮化氧膜或一個具有0 . 3至l//m厚度提供於像素電 -24- ,.务纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公羡7 1252592 A7 _____B7 五、發明説明（夺 極4 9的有機樹脂膜。開口是成型於像素電極4 9上的第 三中介層絕緣膜5 0經由腐蝕使得開口的邊緣爲錐狀。此 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 錐狀角度較佳爲1 0至6 0度（更佳的是3 0至5 0度） 〇 以上提到E L層爲5 1是提供於第三中介層絕緣膜 5 0之上。EL層5 1可提供單層或多層結構。如果EL 層5 1是多層結構的話，發光效率也相對提高。平常的， 一個孔射入層，一個孔傳輸層，一個發光層，及一個電子 傳輸層於像素電極上依序排列而組成。然而，結構可替換 爲一個孔傳輸層，一個發光層，一個電子傳輸層或一個孑L 輸入層，一個孔傳輸層，一個發光層，一個電子傳輸層， 及一個電子輸入層所形成。於本發明，任一個熟知的結構 可被使用同時E L層可能塗上螢光色素或相似的東西。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機E L材質與使用於現今發明，可能自下列說明美 國專利及日本公開特許申請案，美國專利案號 4，356，429 ;4，539，507; 4，720，432;4，769，292; 4，885，211;4，950，950; 5，059，861;5，047，687; 5，073，446;5，059，862; 5，061，617; 5，151，629; 5，2 9 4，8 7 0 ;及日本公開特許申請案，案號·· H e 1 10- 189525，8 - 241048 及 8 — 7 8 1 5 9 。 25- >紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A7 B7 五、發明説明（年 E L顯示設備的多彩顯示方法通常由4種方法來代表 :E L元件的三種形態之組成方法對應至紅（r )、綠（ G )及藍（B );使用E L元件的組合以發白光及顏色濾 過器的方法；使用E L元件的組合以發藍或藍綠光及螢光 劑（螢光色轉換材質層：C C Μ ) ; E L元件符合R G Β 的重疊，經由使用透明電極爲陰極（反向電極）的方法。 附圖4的結構是根據E L元件的三種形態之組成方法 符合於R G Β的例子。雖然只有一個像素圖形於附圖4， 相同結構的像素可形成並分別應至紅、綠、藍，因而能多 彩顯示。 本發明不管發光的方法皆能執行，同時上述的任一種 方法亦可使用於本發明。然而，螢光劑與E L元件比較不 具較低的反應速度及尾聲留下問題。因此不使用螢光劑的 方法是較佳的。亦可說爲避免使用顏色濾過去其造成亮度 的減低是必要的。 EL元件的陰極52形成於EL層51上。爲了形成 陰極5 2，使用包含鎂（M g )，鋰（L i )或鈣（C a )的小工作功能之材質。較佳的是，使用M g A g (—種 包含鎂與銀的混合且鎂與銀的比例爲1 〇比1的材質）製 成的電極。陰極5 2其它例子爲M g A g A 1電極，及 LiAl電極及LiFAl電極。 在E L層5 1組成之後陰極5 2應立刻形成而不曝露 E L層於大氣中是必要的。這是因爲介於陰極5 2及E L 元層5 1之間的介面的狀況可影響E L元件的發光效率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 矣纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 1252592 A7 B7 五、發明説明（夺 於此規格中，發光元件組成像素電極（陽極），E L層及 陰極是說爲E L元件。 多層結構包含E L層5 1及陰極5 2必須分別的形成 於任一像素。然而，E L層5 1的品質可輕易經由水而變 化，同時一般照相石版印刷術無法使用形成多層結構。因 此，較佳的方法爲選擇性的組成多層結構經由真空蒸氣沉 積，濺鍍而蒸氣沉積，如同電漿化學蒸氣沉積（電漿 C V D )，及實體掩罩如同金屬掩罩。 附帶說明，陰極由沉積，濺鍍或蒸氣沉積所組成，如 同電漿C V D在E L層經由使用墨水噴射法，螢幕印刷法 ，旋轉塗覆或相似的方法而分別形成是可行的。 保護電極5 3用來保護陰極5 2遠離水或類似的東西 存在於E L顯示設備外圍同時使用爲像素連接的電極。爲 了組成保護電極5 3，包含鋁（A 1 )，銅（C u )或銀 (A g )的低阻抗材質爲較佳的選用。保護電極5 3亦可 用來驅散來自E L層的熱度。組成保護電極5 3立刻在 EL層5 1的組成且陰極5 2沒有曝露形成層於大氣中之 後是較優的。 第二被動膜5 4的組成。第二被動膜5 4的厚度最好 設定10//m至l//m (更佳的是200至500nm) 。第二被動膜5 4的主要目的是保護EL層5 1遠離水。 同時使用第二被動膜5 4爲散熱亦有效的。然而，既然E L層的受熱度並不高如上提及，較佳的方式是形成第二被 動膜5 4於相對的低溫（較佳的是從室溫至1 2 0度C的 +紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 1252592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（邛 範圍）。因此，電發C V D ’濺鍍’真空蒸氣沉積，離子 電鍍或溶劑塗覆（旋轉塗覆）是較佳的方法形成第二被動 膜5 4。 本發明的要點如下。於主動矩陣E L顯示設備中，環 境的改變可經由感應器察覺，任一 E L元件的亮度可經由 控制電流流經E L元件基於環境資訊的樊更而得到控制。 因此，現今發明不再侷限於附圖4所示的E l顯示結構。 附圖4所示的結構僅包含在於現今發明中一個較佳的實施 例。 〔實施例〕 此實施例關於E L顯示具有顯示系統其中環境的光由 光接收元件察覺，如同光電極’ C d S光導室（錦硫化物 的光導室），電荷對設備（CCD)，或CMOS感應器 ，以便獲得環境資訊信號’及E L元件的亮度是基於環境 資訊信號而被控制的。附圖5展示系統的結構圖。光反應 E L顯示5 0 1 ，具有一固定在顯示部份如圖之筆記型電 腦的E L顯示設備5 0 2。光二極體5 0 3偵測環境的光 以便獲得環境光資訊信號。環境資料信號的獲得是經由光 二極體5 0 3而所類比電子信號同時輸入至A/D轉換器 電路5 0 4。數位環境資訊信號轉換自類比資訊信號經由 A/D轉換器電路5 0 4輸入至中央處理單元5 〇 5。於 中央處理單元5 0 5，輸入環境資訊信號被轉換成獲得所 光線的校正電路。校正信號輸入至D / A轉換器電路 杳紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 _ -----------Ί—、玎----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1252592 A7 B7 五、發明説明（2尹 5 0 6被轉換成類比校正信號。當類比校正信號輸入至電 壓改變器5 0 7時，決定校正信號的基本校正電壓是供應 給E L元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此實施例的光，反應E L顯示可包含接受光元件，如 同CdS光導室，CCD或CMOS感應器，其它如光二 極體，一個爲了獲得活體資訊於使用者的感應器，及轉換 資訊爲活體資訊信號，擴音器及耳機爲了輸出演說或音藥 ，影像帶存錄器以便提供一個圖像信號及電腦。 附圖6所示是此實施例的光反應E L顯示的外側圖， 圖示爲光反應E L顯示設備7 0 1，包含一個顯示部份 702，一個光二極體703，一個電壓改變器704， 一個鍵盤7 0 5或類似的東西。於此實施例中，E L顯示 設備是使用如顯示部份7 0 2。 固定數量的光兩極體7 0 3爲了監視環境的光線，不 特別限制，或許固定於E L顯示器的適合部份雖然只有一 個光兩極體7 0 3於特別的部份於附圖6中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此實施例光反應E L顯示器的操作與功能會於下敘述 對照附圖5。正常使用此實施例的光反應E L顯示器，一 個圖像信號供給自外置設備至E L顯不設備。外置設備是 ，例如，個人電腦，可攜式資訊終端，或影像帶存錄器。 使用者於E L顯示設備上觀看圖像顯示。 此實施例的光反應E L顯示器5 0 1具有光兩極體 5 0 3以偵測環境的光如環境資訊信號，及轉換環境資訊 信號成電子信號。經由光二極體5 0 3獲得的電子信號是 -29- 沒德紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1252592 A7 _ B7 五、發明説明（？7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由A / D轉換器5 0 4轉換成數位環境資訊信號。經轉 換的數位資訊信號是輸入於中央處理單元5 〇 5。中央處 理單元5 0 5轉換輸入的環境資訊信號成校正信號以便事 先校正於基本比較資料上E L元件的亮度。經由中央處理 單元5 0 5獲得的校正信號輸入至d/A轉換器5 0 6而 將被轉換成類比校正信號。當此類比校正信號輸入至電壓 改變器5 0 7，電壓改變器5 0 7供應一個事先決定的校 正電壓至E L元件。 因此’介於E L驅動電壓與校正電壓之間的電壓差異 是被控制的所以E L元件的亮度的改變是基於環境的光。 更進一步，E L元件的亮度當環境明亮時而增加，因環境 黑暗時而減少。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附圖7展示此實施例的光反效E L顯示器之操作流程 圖。在此實施例的光反應E L顯示器，一個圖像信號來自 外置設備（例如，個人電腦或影像帶存錄器）正常是供應 至E L顯示設備。更進一步，於此實施例中，光二極體偵 測環境的光同時輸出環境資訊信號如同電子信號至A / D 轉換器，且A/D轉換器輸入被轉換的數位電子信號至中 央處理單元。更進一步，CPU轉換輸入信號成矯正信號 其反應環境的光，同時D / A轉換器轉換校正信號成類比 校正信號。當電壓改變器供應此校正信號，亦提供所需的 校正電壓給E L元件，因而控制E L顯示設備的亮度。 上述的過程是重覆著執行。 此實施例可實行如上述使得基於環境光的資訊而控制 -30- .秦纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1252592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7五、發明説明（努 E L顯示器的亮度。因此，避免過多E L元件的亮度及限 制E L元件的降低因爲較大電流流經E L元件是可行的。 附圖8是此實施例E L顯示器的像素部份之橫斷面圖 ，附圖9 A是關於正視圖而附圖9 B爲迴路圖。實際上， 多數的像素是被用來組成矩陣以便組成像素部份（圖像顯 示部份）。附圖8相當於延著線條A - A /於附圖9 A之 剖面圖。參考特質是正常的使用於附圖8、9 A及9 B是 交插參考。兩個像素於附圖9 A正視圖於結構上是一模一 樣。 參照附圖8，基底是1 1而絕緣膜是1 2。絕緣膜 1 2是一*個基本（以下稱爲基礎膜）當EL顯不器的兀件 被製造時。如基底11 ，玻璃基底，陶製玻璃基底，石英 基底，矽基底，陶瓷基底，金屬基底或塑膠基底（包含塑 膠膜）可被使用。 基礎膜1 2特別有用的情況是在基底包含移動離子或 電子導體基底被使用時。如果使用石英基底則不需基礎膜 1 2。基礎膜1 2亦可能包含矽的絕緣膜。於此規格中， 〜包含矽的絕緣膜"表示絕緣膜由矽的材質組合而成且事 先決定氧氣及/或氮氣的比例之矽量，例如，氧化矽膜， 氮化矽膜或矽氮化氧膜（以S i 0 x N y爲代表）。 基礎膜1 2的形成可使得由τ F T s發展出的熱有效 的釋放出。這是有效的限制T F T s或E L元件的降級。 爲了達成此熱釋放效果，任何熟知的材質皆可使用上。 於此實施例中，兩個T F T s組成一個像素。也就是 ^紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ·.?:!· Ο Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 、11 .麟 1252592 A7 B7___ 五、發明説明（年 說，開關T F T 2 0 1形成η通道T F T，及電流控制 TFT202形成Ρ通道TFT。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於本發明，不一定需要限制開關T F T是η通道 T F 丁，及電流控制T F Τ是ρ通道T F Τ。也可能組成 開關TFT是ρ通道TFT且電流控制TFT是η通道 丁 F Τ或組成開關T F Τ及電流控制T F Τ皆爲η通道 TFTs 或 ρ 通道 TFTs。 開關TFT 2 0 1由主動層組成，包含一個源區1 3 ，一個汲極區1 4，LDDs區1 5 a至1 5 d，一個高 密度雜質區1 6及通道形成區1 7 a及1 7 b，閘絕緣膜 1 8，鬧電極1 9 a及1 9 b，一個第一中介層絕緣膜 2 0，一個源配線2 1及一個汲極配線2 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如附圖9 A及9 B所示，閘電極1 9 a與1 9 b經由 閘配線2 1 1而電子連接而組成不同的材質（一個具有比 閘電極1 9 a及1 9 b的物質爲低阻抗的物質）。也就是 說所謂雙閘結構的形成。更不需說，所謂多閘結構（包含 兩至多個通道組成區串聯之主動層），如三閘結構，不同 於雙閘結構的形成。多閘結構於減少切斷電流是非常有效 的。根據本發明，像素開關設備2 0 1經由多閘結構組成 的小切斷電流開關設備。 主動層的組成是半導體膜包含結晶結構。也就是說， 主動層可能由單一結晶半導體膜，聚合結晶半導體膜或細 微結晶半導體膜而組成。_絕緣膜1 8可能由包含砂的絕 緣膜而組成。亦然’任何導電膜可用來組成閘電極，源配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）' ' •32- 1252592 Α7 Β7 五、發明説明（芩 線或汲極配線。 ---------Mw·^ — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 更進一步’於開關τ F T 2 0 1中，在閘絕緣膜1 8 介於其中’任一 1 5 a至1 5 d的LDD s的形成是沒有 L D D區與閘電極1 9 a或1 9 b相對立。如此的結構於 減低切斷電流是非常有效的。 提供介於通道形成區與L D D區之間的調整區（半導 體層的形成具有與通道成形區相同的組合，同時閘電流並 未供應）是更被歡迎的，因爲調整區能有效的降低電流。 如果多閘結構具有兩或多個閘電極，高密度雜質區提供介 於通道形成區之間能有效的降低切斷電流。 如上述’多閘結構的T F T是使用同像素開關設備 2 0 1 ’但需了解開關設備具有適當少量的切斷電流。因 M. 此’給電流控制T F T的閘電壓可維持充足的長時間（從 像素被選定的時刻到下一之像素被選定的時刻）而不需要 電容如附圖2所示日本公開特許申請案，案號H e i 1〇- 1 8 9 2 5 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電流控制T F Τ 2 0 2的組成是主動層，包含一個源 區2 7，一個汲極區2 6及一個通道成形區2 9 ，一個閘 絕緣膜1 8，一個閘電極3 5 ，第一中介層絕緣膜2 0， 源配線3 1及汲極配線3 2。閘電極3 0，如附圖中單一 閘結構，可交替成型爲多閘結構。 如附圖8所示，開關T F Τ 2 0 1的汲極配線2 2經 由閘配線3 5連接至電流控制T F Τ 2 0 2的閘電極3 0 。更進一步的，電流控制T F Τ 2 0 2的閘電極3 0經由 马^夺紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 1252592 A7 B7__ 五、發明説明（$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 汲極配線2 2 (亦可稱爲連接配線）電子連接至開關 T F T 2 0 1的汲極區1 4。同時，源配線3 1連接至電 力供應線2 1 2。 電流控制T F T 2 0 2是控制流經E L元件2 0 3的 設備。如果將E L元件的退化列入考慮，引發大量電流流 經E L元件是不需要的。因此，較佳的方法爲設計通道長 度（L )更長的設備因而避免過多的電流流經電流控制 T F T 2 0 2。較佳的是，電流最好限制在〇 · 5至2 μΑ (更佳的是1至1 · 5//A)於每一像素。 成型於開關TFT2 0 1 LDD區的長度（寬度）可 設定爲0 . 5至3 · 5//m，通常來說2 . 0至2 · 5 μ m 。 同時，從增加電流可導致流經電流控制T F T 2 0 2 的觀點來看，有效的方法是增加電流控制T F T 2 0 2的 活動層之膜厚度（特別是通道形成區）（較佳爲5 0至 lOOnm且更佳的是60至8〇nm)。相反的，減少 開關T F T 2 0 1的切斷電流，有效的方法是減少活動層 的膜厚度（特別是通道形成區）較佳爲2 0至5 0 n m ’ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更佳的是25至40nm)。 第一被動膜成型如4 7。被動膜4 7的厚度可設定由 10nm至l"m(更佳的是200至500nm)。被 動膜4 7的材質，爲包含矽（特別佳的是矽氮化氧膜或氮 化矽膜）而成型。 第二中介層絕緣膜（亦稱爲平均膜）4 8是成型於桌 -34- :冬紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210、Χ 297公釐） 1252592 A7 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 五、發明説明（麥 一被動膜47延伸至TFTs ，由TFTs的組合 差異。較佳的是，第二中介層絕緣膜4 8是有機樹 ，可能是聚醯亞胺，聚醯胺，壓克力樹脂，苯環丁烯 B C B )，或相類似的。不消說，如果充足高平均 以達成，則非有機膜可交替使用。 平均差異是非常重要的因爲丁 F T s的組合是 用第二中介層絕緣膜4 8。E L層因此成型太薄以 平均的差異導致亮度失敗的可能性。因此，像素電 面之成型應適合平均E L層最大的平坦度是必須的。 像素電極4 9 (相當於E L元件的陽極）提供 體膜的形成。接觸孔是經由第二中介層絕緣膜4 8 被動膜4 7而形成。同時像素電極4 9於形成接觸 連接於電流控制T F T 2 0 2的汲極配線3 2而形成 於此實施例中，氧化銦與氧化錫所合成的導電 來組成像素電極。此微量的鎵加入至導體膜組合。 上述E L層爲5 1其組成在像素電極4 9上。 施例中，聚合有機材質經由旋轉塗覆的使用而形成 5 1。如此種聚合有機材質，任何有名的物質皆可 於此實施例中一個單一發光層組合成E L層5 1 ， 構可能由發光層的組合而形成，一個孔輸送層與一 輸送層而達成較高發光效率。然而，假如聚合有機 疊層，應該組合經由沉積而形成的低分子有機材質 的。如果執行旋轉塗覆，且基礎層包含有機材質’ 險的是有機材質溶解於有機溶劑其中有機材質組成 中平均 脂的膜 ( 效能可 經由使 致經由 極的表 透明導 及第一 孔中， 〇 膜是用 於此實 E L層 使用。 多層結 個電子 材質被 是必須 會有危 E L層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 .麵 _本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇乂297公慶） -35- 1252592 A7 ____B7 __ 五、發明説明（竽 是混合於成型的塗覆溶液。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 典型聚合有機材質的例子於此實施例中可被使用是高 分子物質，像聚對苯撐次亞乙烯（P P V )樹脂，聚次亞 乙烯咔唑（P V K )樹脂，及聚烯烴膜。爲了組合電子輸 送層，發光層，孔輸送層或孔輸入層經由許多像聚合有機 材質，物質的聚合體先驅可能適用且加熱（背面）於真空 狀態下而轉變成聚合物有機材質。 更詳細的，於光放射層，氰苯撐一次亞乙烯可被使用 爲發光紅色光層，聚苯撐一次亞乙烯可爲發綠色光層，且 聚苯撐一次亞乙烯或多烷基苯撐可爲發藍色光層。膜的厚 度應設定在3 0至1 50nm (較佳的是40至1 00 n m )。同時，聚十四烷基酯氫苯撐，爲聚合物的先驅， 或許可被使用於孔輸送層以組合聚苯撐一次亞乙烯被加熱 。此層的膜厚度應設定在3 0至1 0 0 n m (較佳的是 40 至 8〇nm)。 經由使用聚合有機材質可執行發白色光是可行的。像 如此效果的技術，於日本公開特許申請案，案號H e i 8 — 96959，7 — 220871 及 9 — 63770 都 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可引證。聚合有機材質可輕易控制顏色基於增加螢光色素 於溶劑且主要材質亦溶解。因此，此法特別有效的在發白 色光。 使用聚合有機材質而結合E L兀件的例子已敘述過了 。然而，低分子有機材質亦可被使用。更進一步’非有機 材質亦可使用於形成E L層。 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公董Γ 1252592 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（_ 根據本發明以有機材質做爲E L層材質的例子已敘述 過。於此實施例所使用的材質並不倜限。 較佳的是，於乾燥空氣下水的內容可減至最低當E L 層5 1成型時用的處理環境，較好的是形成E L層以不起 化學變化的氣體。E L層能輕易地退化於水或氧氣的出現 。因此有需要消除此原因愈多愈好。例如，乾燥氮氣環境 ，乾燥氬氣環境或相似爲較佳。較佳的是，於此環境下適 當的執行過程，適用箱與烤箱被置放於乾淨的攤子充滿了 不起化學變化的氣體及過程的執行於不起化變化的空氣環 境。 E L層5 1已照上述方法成型之後，陰極5 2組成一 個保護光導體薄膜，一個保護電極（並無展示於圖上）及 一個第二被動膜5 4。於此實施例中，MgAg的導電膜 用來組成陰極5 2。氮化矽膜的厚度爲1 0 n m至1 // m (較佳的是2 Ο 0至5 Ο 0 nm)其組成爲第二被動膜 5 4° 既然E L層的受熱度並不高如上提及，較佳的方式是 形成陰極及第二被動膜5 4於相對於低溫（較佳的是從室 溫至1 2 0度C的範圍）。因此，，電漿C V D，真空蒸 氣洎積或溶劑塗覆（旋轉塗覆）是較佳的方法形成陰極5 2及第二被動膜5 4。 上述所形成的基底稱爲活動矩陣基底。反向基底6 4 提供對立於活動矩陣基底。於此實施例中，玻璃基底用來 當做反向基底6 4。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 Μ 纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -37- 1252592 A7 ____B7 五、發明説明（孕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 活動矩陣基底與反向基底6 4經由一個密封物質（並 不在圖上出現）緊緊的結合其中定義爲包圍空間6 3。於 此實施例中’此包圍空間6 3充滿氬氣。不消說，像氧化 鋇的乾燥劑可供應至包圍空間6 3。 〔實施例2〕 現今發明的實施例使用附圖1 〇 A至1 2 C解說。在 此解說，一種同時製造一個像素部份及驅動電部份的 T F T s成型於像素部份的周圍之方法。爲了簡潔此解說 ，CMO S電路如圖所示爲一個基本電路於驅動電路。 首先，如附圖1 〇A所示，基礎膜3 0 1的厚度爲 3 0 0 nm形成於玻璃基底3 〇 〇之上。關於基礎膜 3 0 1，於此實施例爲具有厚度1 〇 〇 nm的矽氮化氧膜 製成薄片於具有厚度2 0 0 nm的矽氮化氧膜之上。較佳 的是設定氮氣濃度介於1 〇至2 5 w t %之間的膜接觸玻 璃基底3 0 〇 °不消說，元件可形成於石英基底上而不提 供基礎膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除此之外’基礎膜3 0 1的一部份，提供一個絕緣膜 其材質相似於附圖4所示的第一被動膜4 7是有效的。電 流控制T F T易於產生熱因爲大量的電流流過，提供具有 -射效能的絕緣膜於愈靠近的地方是有效的。 接下來’非結晶質矽膜（沒出現在圖上）的厚度爲 5 0 nm經由一種已知沉積方法而形成於基礎膜3 〇 1上 °其不P艮制於非結晶質矽膜，其它膜的形成提供包含非結 -38- ❹義纸張尺度適用中關家標準（CNS ) A4祕（21GX297公釐） 1252592 A7 B7 五、發明説明（芋 晶質結構的半導體膜（包含細微結晶半導體膜）。除此之 外，包含非結晶質結構的混合半導體膜，如非，結晶質;^ 夕鍺 膜亦，可被使用。更進一步，膜的厚度在2 0至1 〇 〇 n m ο 非結晶質矽膜經由一知名的方法而結晶，形成一結晶 石夕膜3 0 2 (亦可稱爲多結晶砍膜或聚合結晶砂膜）。 熱能結晶使用電子爐，電射韌化結晶使用電射，燈韋刃 化結晶使用紅外線燈爲知名結晶方法。於此實施例中，結 晶的形成是使用X e C 1氣體的激發電射光。 於此實施例中，脈膊放射形的激發電射光形成於線條 形狀，但成爲長方形狀亦可被使用，且連續放射氬電射光 與連續放射激發電射光亦可使用。 於此實施例中，僅管結晶矽膜是用來當T F T的活動 層，但也有可能使用非結晶質矽膜。更進一步，形成開關 T F T的活動曾，其中使用非結晶質矽膜以減少切斷電流 是需要的，同時經由結晶矽膜而形成電流控制T F T的主 動層是可能的。於非結晶質矽膜的電子電流的流動有困難 是因爲負載移動能力太低且切斷電流不容易流動。換言之 ’最可能的好處於非結晶矽膜，其電流不易流動，同時結 晶矽膜之電流易於流動。 附圖1 0B所示，保護膜3 〇 3是以厚度1 3 0 nm 的氧化矽膜成型於結晶矽膜3 〇 2上。厚度可選定範圍在 100至200nm(較佳的是13〇至l7〇nm)。 更進一步，其它如包含矽的絕緣膜亦可使用。保護膜 :餐紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公董） I----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39 - 1252592 A7 B7 五、發明説明（？ 3 0 3的形成使得結晶矽膜於雜質的增加時不會直接曝露 於電漿上，同時有可能精細的控制雜質濃度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 抵抗掩罩3〇4 a與3〇4 b形成於保護膜3 0 3之 上，同時分給η導電體的雜質元件（以下稱爲η形雜質元 件）是經由保護膜3 0 3而加入的。定期桌組1 5的存留 元件通常使用η形雜質要件，而典型的磷離子或砷離子可 被使用。電漿濃液處理的方法已使用過，其中磷化氫（ Ρ Η 3 )是電漿使活動而不需質量分離，而此實施例中加入 濃度爲1 0 1 8個原子於每立方公分的磷離子。離子輸入法 ，於質量分離的執行時可被使用。 用量的總數是固定的使得η形雜質元件包含在η形雜 質區3 0 5其濃度爲2 X 1 0 1 1 5至[ 5 X 1 0 1 9個原子於每 立方公分 (典型介於5 X 1 0 1， 7至E )X 1 0 1 8個原子於每 立方公分）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附圖10C所示，保護膜303，抵抗掩罩304a 與3 0 4 b皆移走，加入定期桌組1 5元件的催化是被執 的。一種熟知的催化技術被使用於催化工具，但是於此實 施例催化經由激發電射光的照射使得催化完成。當然，脈 膊放射形的激發電射與連續放射形激發電射皆可使用，亦 不需設定任何限制於使用激發電射光。目標是加入雜質元 件的催化，更佳的是照射執行的能量最好是結晶矽膜不會 溶解。同時電射照射亦可於保護膜3 0 3於此時執行。 熱處理的催化可執行與由電射光的雜質元件催化。當 催化的執行經由熱處理，保慮到基底的熱阻抗，執行熱處 •40- 参纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚) 1252592 A7 ____B7 五、發明説明（竽 理在4 5 0至5 0 0度C是良好的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 界限部份（連接部份）與η形雜質區3 0 5的尾端部 份，其中η形雜質元件並無加入，在η形雜質區3 0 5的 周圍亦無加入，經由此過程而描述。也就是說，當 T F T s完成的那點，相當好的連接能形成介於L D D區 及通道形成區。 結晶矽膜的不需要部份將移除，如附圖1 〇 D，同時 島形半導體膜（以下稱爲主動層）3 0 6至3 0 9成型。 如附圖1 Ο Ε所示，閘絕緣膜3 1 〇成型，被主動層 3 0 6至3 0 9所覆蓋。包含矽的絕緣膜的厚度爲1 〇至 2 0 n m，較佳的是5 0至1 5 0 n m，可使用爲閘絕緣 膜3 1 0。當一層結構或覆蓋結構皆可使用。1 1 〇 n m 厚的矽氮化氧膜使用於此實施例。 因此，具有厚度2 0 0至4 0 〇 nm的導電膜的成型 及模仿形成閘電極3 1 1至3 1 5。這些閘電極3 1 1至 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 1 5的尾端部份可能分別變點。於現今實施例中，閘電 極及配線（以下稱爲閘配線）電子連接至閘電極以便提供 電線不同材質的組成。更進一步，閘配線是一種具有較閘 電極爲低阻抗性的材質所製成。因此，經過細微處理的材 質可用來做閘電極，但閘配線的形成物質能提供較小的配 線阻抗但不適合於細微處理。當然可能用相同的物質來形 成閘電極與閘配線。 雖然閘電極可由單一層導電膜組成，但較佳的是成型 一覆合膜具有二、三或多層的閘電極。任何知名的導電材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐j 1252592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（邛 質可被使用爲閘電極。然而，較佳的材質是可用細微處理 的，且更詳細的，一個可模仿的線條寬度在2 // m之下的 材質。 典型的，可能使用膜由選擇下列要件而製成：鉅（ T a )，鈦（T i )，鉬（Μ ◦)，鎢（W )，鉻（C r )及矽（S i )，上述要件的氮化物之膜（典型爲氮化鉅 膜，氮化鎢膜或氮化鈦膜），上述要件的組合而成之合金 膜（典型的是鉬鎢合金，鉬鉅合金），或是上述元件的矽 化物膜（典型的鎢矽化物膜或鈦矽化物膜）。當然，膜可 使用單一層或覆合層。 於此實施例中，氮化鉅（T a N )膜的覆合膜具有厚 度5 0 nm且鉅膜具有厚度3 5 0 nm可使用。此法可能 由濺鍍方法成型。當不活潑氣體如氙，氖或相似的加入如 濺鍍氣體，因爲壓力可避免故膜脫落。 閘電極312於此時成型是重疊及夾在η形雜質區 3 0 5及閘門絕緣膜3 1 0的部份。此重疊部份後來成爲 LDD區重疊予閘電極。進一步，閘電極3 1 3與3 1 4 似乎經由剖面圖的兩個電極，特別地，它們兩個由電子連 接在一起。 接下來，η形雜質元件（含磷的於此實施例）加入於 自我排列方式以閘電極3 1 1至3 1 5爲掩罩，如附圖 1 1 Α所示。額外的是有規則的使得含磷的被加入至雜質 區3 1 6至3 2 3因而形成濃度爲1/1 0至1/2的η 形雜質區3 0 5 (典型的是介於1 / 4至1 / 3 )。特別 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -42- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 Μ 1252592 A7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4P 的是，1 016至5χ 1 〇18個原子於每立方公分（典型的 爲3χ 1 017至3χ 1 〇18個原子於每立方公分）的濃度 是較佳的。 抵抗掩罩3 2 4 a至3 2 4 d是下一個成型’具有覆 蓋閘電極的形狀，如附圖1 1 B ’同時n形雜質元件（含 磷的使用於此實施例）的加入’形成包含高含磷濃度的雜 質區3 2 5至3 2 9。離子濃液使用磷化@ ( P Η 3 )亦執 行於此，且爲有規則使得這些區的含磷濃度從1 〇 2 ◦至 1 021個原子於每立方公分（典型爲介於2χ 1 02 ◦至5 X 1 021個原子於每立方公尺）。 η通道形T F Τ的源區或汲極經由此過程而成型’同 時於開關TFT中，η形雜質區3 1 9至3 2 1的部份經 由此過程附圖1 1 Α而成型還是存在的。此剩餘區符合附 圖4中開關TFT201的LDD區15a至15d。 接下來，如附圖1 1 C所示，抵抗掩罩3 2 4 a至 3 2 4 d被移除，而新抵抗掩罩3 3 2形成。然後P型雜 質元件（硼使用於此實施例）加入，包含高濃度硼的雜質 區3 3 3至3 3 6成型。硼加入此成型雜質區3 3 3至 3 3 6於濃度爲3χ 1 02〇至3χ 1 021個原子於每立方 公分（典型來說介於5χ 1 02()至1 〇21個原子於每立方 公分）經由使用乙硼烷（Β 2 Η 6 )的離子濃液。 含磷的已加入至雜質區3 3 3至3 3 6於濃度1 02Q 至1 0 2 1個原子於每立方公分，但硼加入於此的濃度至少 三倍於磷。因此，η種類雜質區已成形且完全轉換成P種 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- -訂 Μ 杰紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -43- 1252592 經濟部智慧財,/i局員工消費合作社印製 -44- A7 B7 五、發明説明（4) 類同時功能如P種類雜質區。 接下來，在移除抵抗掩罩3 3 2之後，η型與P型雜 質元件分別的濃度加入於活動層是被催化的。爐韌化，熱 治療執行於4小時5 5 0度C於電子爐的氮氣環境。 於此時，移除周遭環境的氧氣愈多愈好是危急的。這 是因爲即使有少量的氧氣存在，閘電極的曝露表面會氧化 ，結果造成阻抗增加同時也相當困難形成一歐姆接觸於_ 電極。氧氣濃度於周遭環境下的活動過程是訂定在等於或 少於1 p p m，較佳的是等於或少於0 · 1 p p m。 在活動過程完成之後，閘配線3 3 7具有一厚度 3 0 0 n m成型如附圖1 1 D。閘配線3 3 7的材質，包 含鋁（A 1 )或銅（Cu)像其主要成分（佔5 0至 1 0 0 %的比例）的金屬膜可被使用。閘配線3 3 7被安 排，閘配線2 1 1如附圖9所示，以便提供電子連接於開 關TFT的閘電極19 a及19b (相同於附圖10E的 閘電極3 1 3及3 1 4 )。 上述結構允許閘配線的配線阻抗明顯的降低’因此’ 影像顯示區（像素區）具有大區域是可成型的。更詳細的 ，根據現今實施例，像素結構的優點爲明瞭具有顯示螢幕 其對角線的長度是等於或大於1 〇英吋（或等於或大於 3 0英吋）的E L顯示設備。 第一中介層絕緣膜3 3 8成型如附圖1 2 A。包含矽 的單一層絕緣膜是用來當第一中介層絕緣膜3 3 8，而覆 合膜，爲包含二或多種矽的組合之絕緣膜，可以使用。更 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） !_裳| 訂：-----M. f請先閱讀背面之注意事^再填寫本頁} 1252592 Α7 Β7 五、發明説明（邛 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進一步，膜厚度介於4〇〇nm至1 . 5//m也可使用。 此實施例使用的是一個8 0 0 n m厚的氧化矽膜在2 0 0 n m厚的矽氮化氧膜上的覆合結構。 除此之外，熱治療的執行是在包含介於3至1 0 0 % 的氫於3 0 0至4 5 0 °C，1至1 2小時，執行加氫的動 作。此過程爲一種氫終了的追逐經由氫的半導體膜其中是 熱烈的活動。電漿加氫（經由電漿而使得氫活動）亦可被 執行爲另一種加氫的意義。 加氫的過程亦可於第一中介層絕緣膜3 3 8成型時加 入。加氫過程可執行於組成2 0 0 n m厚的矽氮化氧膜後 ’然後形成剩餘的8 0 0 n m厚的氧化矽膜。 下一個，接觸孔的形成是在第一中介層絕緣膜3 3 8 及閘絕緣膜3 1 0源配線3 3 9至3 4 2及汲極配線 3 4 3至3 4 5亦成型。於此實施例中，此電極是由三層 結構的覆合膜所組成，其中爲具有1 0 n m厚度的鈦膜， 包含鈦具有3 0 0 nm厚度的鋁膜，及具有厚度1 5 Ο η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 m且持續用濺鍍方式形成的鈦膜。當然，其它的導電膜也 可使用。 第一被動膜3 4 6形成的厚度爲5 0至5 0 0 nm ( 典型介於200至300nm之間）。於此實施例中， 3 0 0 nm厚的矽氮化氧膜是使用爲第一被動膜3 4 6。 此亦可由氮化矽膜取代。當然可使用與附圖4第一被動膜 4 7相同的材質。 使用包含氫如Η 2或N Η 3等的氣體以便執行電漿過程 务紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 1252592 A7 _ B7 五、發明説明（邛 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於砂氮化氧膜的組成之前是有效的。經由此種事先處理的 氫活動提供至第一中介層絕緣膜3 3 8 ，同時第一被動膜 3 4 6的品質經由熱治療的執行而變的更好。同時，加入 至第一中介層絕緣膜3 3 8的氫擴散至下層，故活動層能 有效的被氫化。 接下來如附圖1 2 B，第二中介層絕緣膜3 4 7由有 機樹脂組成而成型。如有機樹脂，可使用聚醯亞胺，聚醯 胺，壓克力，B C B (苯環丁烯）或相類似的。特別的， 既然第二中介層絕緣膜3 4 7是主要用來平整的，所以較 佳的是使用壓克力因其具有良好平整的功能。於此實施例 中，壓克力膜形成足夠的厚度以平整由T F T s形成的階 梯部份。適當的厚度爲1至5//m (較佳的是2至 )° 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 此後，接觸孔成型爲第二中介層絕緣膜3 4 7且第一 絕緣膜3 4 6及像素電極3 4 8電子連接至汲極配線 3 4 5亦成型。於此實施例中，銦氧化錫膜（I τ〇）的 組成如像素電極組成1 1 〇 n m厚及圖形。透明導電膜可 使用於2至2 0 %的氧化鋅（Ζ η〇）混合與銦氧化錫膜 亦可使用。此像素電極爲E L元件的陽極。數字3 4 9是 像素電極的末端部份且在像素電極3 4 8的隔壁。 接下來’ EL層350與陰極（MgAg電極） 3 5 1使用真空沈積法且無釋放空氣而形成。e L層 3 50的厚度爲80至200!1111(典型爲100至 120nm)，陰極 351 則爲 180 至 30〇nm (典 务紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -46 - 1252592 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 A7 _B7五、發明説明（邛型爲200至25〇nm)。 於此種程中，E L層與陰極連續組成於一個像素對應 至紅，一個像素對應至綠，一個像素對應至藍。然而，既 然E L層對於溶液的公差不大，每種顏色必須各別的成型 且沒有使用照相石版印刷術。因此，較佳的是除了經由使 用金屬掩罩的所需之外的掩罩像素，同時分別形成所需像 素的E L層與陰極。 具體上’掩罩首先是5又疋隱藏所有的像素除了 一*個像 素相當於紅，同時E L層及紅發光的陰極選擇性經由掩罩 組成。此後，掩罩是設定隱藏所有的像素除了一個像素相 當於綠，同時E L層及綠發光的陰極選擇性經由掩罩組成 。而後，掩罩是設定隱藏所有的像素除了一個像素相當於 藍，同時E L層及藍發光的陰極選擇性經由掩罩組成。於 此例，不同的掩罩使用於不同的顏色。取而代之的是相同 的掩罩也可使用。較佳的情形爲執行的過程並沒有切斷真 空直到E L層及陰極成型爲所有的像素。 一個熟知的材質可用於E L層3 5 0。較佳的是驅動 電壓的有機材質。例如，E L層3 5 0可由只包含上述發 光層的單一層結構而組成。當需要時，下列所敘之層可提 供，電子放射層，電子輸送層，正極孔輸送層，正極孔放 射層及電子阻隔層。於此實施例中，使用M g A g電極做 爲E L層3 5 1的陰極爲例子，但其它熟知的材質亦可被 使用。 如保護電極352，爲導電層，其中包含鋁爲主要構 毛紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

,tT Μ -47- 1252592 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（夺 件，可被使用。保護電極3 5 2使用真空沉積法與其它掩 罩當成型E L層與陰極而組成。更進一步，保護電極連續 的組成而不空氣釋放在形成E L層及陰極之後。 最後，第二被動膜3 5 3由氮化矽膜組成且形成 3 0 0 nm的厚度。理論上，保護電極3 5 2的角色爲保 護E L層遠離水。更進一步，E L元件的可靠性可經由第 二被動膜3 5 3的形成而增加。 活動矩陣E L顯示設備架構如附圖1 2 C所示爲完成 的。一般來說，較佳的是設備經由高度密閉保護膜（覆合 薄膜，紫外線治療樹脂膜等）或容納材質如陶製密封罐裝 (封閉）而成，爲了不要暴露在空氣中當如附圖1 2 C完 成時。在此狀況，E L層的可靠性（壽命）經由製作容納 材質的內部於不起作用的空氣或置放易潮濕的材質（例如 ，氧化鋇）而進步。 此方法之下，活動矩陣E L顯示設備具有結構如附圖 1 2 C所示已完成。於此實施例的活動矩陣E L顯示設備 中，具有最適宜結構的T F T曝露於不只在像素部份同時 亦在驅動電路部份，所以可獲得高可靠度且操作特質亦增 進。 首先，具有減低熱負載輸入結構如此盡可能不會降低 操作速度的T F T被使用爲一個C〇MS電路成型驅動電 路的η通道TFT205。這裏的驅動電路包含一個移位 暫存器，一個緩衝器，一個水平位移器一個樣本電路（樣 本及保持電路）及類似的東西。於數位驅動實行的例子中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） ：i_ Cj (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 Μ -48- 1252592 A7 經濟部智慧財凌局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（啤 ，信號轉換電路如D / A轉換器亦可包括。 此實施例中，如附圖12C，η通道TFT205的 活動層包含一個源區355，一個汲極區356，一個 LDD區3 5 7及一個通道形成區3 5 8，同時LDD區 3 5 7與閘電極3 1 2重疊，介於中間的是閘絕緣膜 3 11° 考慮不降低操作速度的原因是L D D區只形成於排流 區那邊。於此η通道TFT205，不需要太注意切斷電 流値，較重要的是操作速度。因此，LDD區3 5 7完全 與閘電極重疊以減低阻抗元件至最小値是必須的。也就是 說，移除所謂的支派是較佳的。 除此之外，因爲熱負載輸入的退化於C Μ〇S電路的 Ρ通道T F Τ 2 0 6幾乎不能辨認，所以L D D區不需特 別的供給。當然亦可能提供L D D區相似於η通道T F Τ 2 0 5以便採取熱負載對策。 於驅動電路中，樣本電路與其它樣本電路比較起來爲 獨特，大量電子電流以兩個方向流入通道形成區。源區與 汲極區的角色互換。除此之外，必須控制切斷電流的値愈 小愈好，記住，較佳的是使用具有於樣本電路中介於開關 丁 F 丁於電流控制T F Τ之間的中間水準功能的丁 F 丁。 根據上述，η通道形T F Τ形成樣本迴路安排具有如 附圖1 3的結構之T F Τ爲較佳的。如附圖1 3所示’ LDD區9 0 1 a與9 0 1 b的部份與閘電極9 0 3重疊 而中間夾著閘絕緣膜9 0 2。此結果與上述電流控制 夹紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -49 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 L0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A7 __B7五、發明説明（4J T F T的解釋一樣。通道形成區9 0 4於樣本電路的例子 是夾在中間的是不同點。 實際上，在完成附圖1 2 C的步驟之後，活動矩陣基 底與對立基底經由密封劑連結。在這個情況下，E L層的 可靠性（壽命）經由讓密閉空間的裏面夾在活動矩陣基底 與對立基底的不活潑空氣或置放一潮濕物質（如氧化鋇） 於其中而增進。 〔實施例3〕 此實施例的活動矩陣E L顯示設備的結構將會參考附 圖1 4的透視圖而敘述。此實施例的活動矩陣E L顯示設 備由一個像素部份6 0 2，一個閘驅動電路6 0 3及一個 源驅動画路6 0 4組合並形成於玻璃基底上6 0 1。開關 T F T 6 0 5於像素部份是η通道T F T且置放於閘配線 6 0 6連接至閘驅動電路6 0 3及源配線6 0 7連接至源 驅動電路6 0 4的交接點。開關丁 F Τ 6 0 5的汲極連接 至電流控制T F Τ 6 0 8的閘。 電流控制T F Τ 6 0 8的來源連接至電力供應線 6 0 9。電容6 1 5連接介於電流控制T F Τ 6 0 8的閘 區與電力供應線6 0 9之間。此實施例的結構中，E L驅 動電壓供給至電力供應線6 0 9。E L元件6 1 0連接至 電流控制T F Τ 6 0 8的汲極。相對於連接至電流控制 T F Τ的另一邊之E L元件6 1 0，電壓改變器（不在圖 上）連接以便提供正確電壓基於E L元件的環境資訊。 夫紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 二5〇 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1252592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（4? 易曲印刷電路（FPC) 611提供外置輸入/輸出 接頭具有輸入與輸出配線（連接配線）6 1 2及6 1 3以 便傳達信號至驅動電路，同時輸入/輸出配線6 1 4連接 至電力供應線6 0 9。 此實施例的E L顯示設備，包含一個容納構件，將會 敘述於附圖1 5 A及1 5 B。附圖1 4使用的參考字眼點 於需要時提及。 像素部份1501 ，一個資料信號驅動電路1502 及一個閘信號驅動電路1 5 0 3組成於基底1 5 0 0上。 自驅動電路的配線延伸至F P C 6 1 1經由輸入及輸出配 線6 1 2戋6 1 4連接至外置設備。 容納構件1 5 0 4至少圍繞在像素部份，較佳的是驅 動電路及像素部份。容納構件1 5 0 4的形狀爲有一凹處 具有E L元件的排列爲內部尺寸大於外部尺寸，或是有一 個像紙張般的形狀。容納構件1 5 0 4固定於基底 1 5 0 0是由黏著物1 5 0 5固定成一種方法形成密閉空 間與基底1 5 0 0。E L元件完全的限制於密閉空間其密 封方法完全阻斷外面的空氣。多數的容納構件1 5 0 4因 而形成。 較佳的，容納構件1 5 0 4的材質是絕緣材質如玻璃 成聚合體。例如，可選擇自非結晶玻璃（矽化硼玻璃，石 英及相類似的），結晶玻璃，陶瓷玻璃，有機樹脂（壓克 力樹脂’苯乙烯，聚碳酸酯樹脂，環氧基樹脂或相似的） & 5夕樹脂。同時，陶瓷材質亦可被使用。如果黏著物 ^|^張尺度適用中國國家標準（（：]^)八4規格（210/297公釐） _ 51 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、1T Μ 1252592 A7 ________B7_ 五、發明説明（4多 1 5 〇 5是絕緣材質，金屬性材質如不銹鋼亦可被使用。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如黏著物1 505，環氧基樹脂黏著物，壓克力黏著 物或類似可被使用。更進一步，定溫樹脂黏著物或定相樹 脂黏著物可使用爲黏著物1 5 0 5。然而，黏著物材質應 禁止浸透於氧或水愈少愈好是必須的。 較佳的’介於容納構件1 5 0 4與基底1 5 0 0之間 的in間1 5 0 6充滿不活潑氣體（氬，氦，氮或相類似的 )。同時’空間也可能充滿不活潑液體氟化碳代表的是全 氟烷，可使用於在日本公開特許申請案，案號：H e i 8 — 785 1 9的文章中。 加入乾燥劑於空間1 5 0 6中有好處的。乾燥劑可能 於曰本公開特許申請案，案號：H e i 9 -1 4 8 0 6 6中敘述。典型的爲氧化鋇可被使用。 如附圖1 5 B所示，具有不連續e L元件的多數像素 提供於像素部份，所有的都有保護電極爲共通電極。於此 實施例，較佳的是E L層，陰極（鎂銀電極）及保護電極 成功的形成而沒有曝露於空氣中。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 然而，如果E L層及陰極可能使用相同的容納構件而 形成’问時保護電極可用另一'容納構件形成。因此，附圖 1 5 B所示的結構可了解。 E L層及陰極可單獨形成於像素部份而不需形成於驅 動電路。即使它們形成於驅動電路也沒問題。然而，既然 E L層包含鹼金屬，避免E L層及陰極部份形成於驅動電 路是必須的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） r ~ 52 - 1252592 A7 B7 五、發明説明（邛 保護電極1 5 0 7連接’於1 5 0 8指定區’至輸入 /輸出配線1 5 0 9經由連接配線1 5 0 8形成使用與像 素部份相同的材質。輸入/輸出配線1 5 0 9是電力供應 線提供事先決定電壓（此實施例的地電壓爲0 V )至保護 電極1 5 0 7。輸入/輸出配線1 5 0 9電子連接經由各 向異性導體膜1 5 1 0至F P C 6 1 1 ° 上述所示於附圖1 5 ，FPC6 1 1連接至外置設備 的端點以便顯示影像於像素部份。於此敘述中，經由連接 F P C而影像顯示的物件，例如活動矩陣基底及對立基底 附著在一起的物件（與F P C附著）被定義爲E L顯不設 此實施例的排列可由實施例1或2自由的組合而得。 〔實施例4〕 此實施例是相關於具有一個顯示系統的E L顯示器偵 測使用者的活體資訊同時E L元件的亮度控制是基於使用 者的活體資訊。附圖1 6爲此系統的結構簡圖。護目鏡形 EL顯示器1 6 0 1具有一個EL顯示設備1 6 0 2 — L 與另一個EL顯不設備1 6 0 2 - R。於此敘述中，、、R 〃及v' L 〃於下列指定元件分別相符於右眼與左眼。

CCD — L 16〇3 — 乙與（：00 — 11 1603— R 分別在使用者的左與右眼形成影像其獲得自活體資訊信號 L及活體資訊信號R。活動資訊信號L與活體資訊信號R 分別輸入成爲電子信號L與R至A/D轉換器1 6 0 4。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） Γ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -53- 1252592 A7 B7 五、發明説明（5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後這些信號輸入至中央處理單元1 6 0 5。中央處理單 元1 6 0 5根據使用者眼睛的擁塞程度而轉換輸入的數位 電子信號L與R成校正信號L與R。校正信號L與R輸入 至D/A轉換器1 0 6 0以便轉換成數位校正信號L與R 。當數位校正信號L與R輸入至電壓改變器1 6 0 7時， 電壓改變器1 6 0 7根據數位校正信號L與R提供校正電 壓L與R至相關E L元件。使用者的左眼及右眼分別的由 1608 — L 與 1608 — R 指示。 此實施例的護目鏡形E L顯示器及此實施例的 C CD s具有感應器，包含CM〇S感應器，爲了獲得代 表使用者活體資訊的信號及轉換此活體資訊信號成電子信 號，一個爲了輸出演說或音樂聲音的擴音器及/或耳機， 一個爲了提供影像信號的錄像器及一個電腦。 附圖1 7是此實施例護目鏡形E L顯示器1 7 0 1的 透視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 護目鏡形E L顯不器1 7 0 1具有一個E L顯示設備 L (1702-L)，一個 EL 顯示設備 R (117 0 2 —R)，一個 CCD — L (1703 — L)，一個 CCD 一 R (1703— R)，一個電壓改變器一 L ( 1 7 0 4 L )，及一個電壓改變器—R(1 7 04R)。 護目鏡形E L顯示器1 7 0 1亦具有其它元件（不在附圖 17中）·· 一個A/D轉換器，一個中央處理單元及一個 D / A轉換器。 爲了偵測使用者眼鏡的狀況，C C D — L ( 1 7 〇 3 -54- ¥張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(2Η)Χ 297公董） 1252592 A7 ____ B7 五、發明説明（琦 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 L)及CCD - R (17〇3 一 r)的布局不侷限於附 圖1 7所不。如實施例1所敘述的感應器爲了偵測環境狀 況亦可加入於此實施例的系統中。 此實施例的護目鏡形E L顯示器的操作與功能會敘述 參照於附圖1 6。此實施例的護目鏡形E L顯示器的一般 使用時，影像信號L及影像信號R提供自外置設備至E L 顯示設備1 6 0 2 — L及EL顯示設備1 6〇2 — R。外 置設備例如爲個人電腦，可攜式資訊局端，或錄像器。使 用者觀看顯示於E L顯示設備1 6 0 2 - L及E L顯示設 備1 6 0 2 — R的影像。 此實施例的護目鏡形E L顯示器1 6 0 1具有C C D —L 1603— L 及 CCD — R 1603— R 以便組 成影像於使用者的眼睛，同時偵測自影像的活體資訊及獲 得代表資訊的電子信號。電子信號獲得來自眼睛的影像是 代表顏色的認知於使用者除了瞳孔之外的眼睛的白色之信 號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 信號分別獲得自CCD — L 1603 - L及CCD 一 R 1 6 0 3 - R的類比電子信號輸入至A/D轉換器 1 6 0 4而轉換成數位電子信號。此數位電子信號輸入至 中央處理單元1 〇 6 5而轉換成校正信號。 中央處理單元1 6 0 5.從混合紅色資訊信號至白資訊 信號經由眼睛對白色認知而自使用者眼睛確定擁塞程度， 因而決定使用者的眼裏是否覺得疲勞。在中央處理單元 1 6 0 5中，爲了調整E L元件亮度的比較資料相關於使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Γ Γ -55- 1252592 A7 _ _B7_ 五、發明説明（5》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用者眼睛疲勞的程度是事先設定的。因此，中央處理單元 轉換輸入信號成校正信號以便根據使用者眼睛疲勞的程度 控制E L元件的亮度。校正信號經由D / A轉換器 1 6 0 6轉換成類比校正信號，此信號爲輸入至電壓改變 器 1 6 0 7。 接收類比校正信號之後，電壓改變器1 6 0 7提供事 先決定的校正電壓至E L元件，因而控制E L元件的亮度 〇 附圖1 8爲此實施例的護目鏡形E L顯示器的操作流 程圖。於此實施例的護目鏡形E L顯示器中，來自外置設 備的影像信號供應至E L顯示設備。同時，使用者活體資 訊信號經由C C D s獲得，且來自C C D s的電子信號輸 入至A/D轉換器。電子信號經由A/D轉換器轉換成數 位信號，此信號進一步經由中央處理單元轉換成反應使用 者活體資訊的校正信號。校正信號經由D / A轉換器轉換 成類比校正信號，此信號輸入至電壓改變器。校正電壓因 此應用於E L元件以控制E L元件的亮度。 上述的過程重覆的執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於使用者的活體資訊並不侷限來自於眼睛的擁塞程 度。使用者活體資訊可經由使用者不同部位如頭，眼睛， 鼻子及嘴巴而獲得。 如上述，當使用者眼睛擁塞程度的不正常被察覺後， E L顯不設備的売度可根據不正常而降低。因此，顯示器 可反應執行使用者身體的不正常，所以影像可顯示且對眼 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ — rf -56- 1252592 A7 __B7 五、發明説明（印 睛較不吃力。 此實施例的排列可自由的與任一實施例1至3的排列 相結合。 〔實施例5〕 爲了增進參照附圖8上述實施例1的像素部份的製造 過程會於下列參照附圖1 9而敘述。於附圖1 9的參考特 性相關於附圖8。像素（陽極）4 3形成如附圖1 9 A所 不是從實施例1敘述的過程所獲得。 接下來，如附圖1 9 B所示，接觸部份1 9 0 0被壓 克力樹脂塡滿以形成一個接觸孔保護部份1 9 0 1。 在此實施例中，壓克力樹脂經由旋轉包覆的提供以形 成膜，接下來曝露抵抗掩罩。接觸孔道保護部份1 9 0 1 ，如附圖1 9 B所示，經由蝕刻法形成。 較佳的是，接觸孔保護部份1 9 0 1裏一部份的厚度 突出於像素電極如圖交接處（附圖1 9 B所示厚度、、d a 〃）設定爲Ο · 3至l//m。在接觸孔保護部份19〇ι 形成之後，EL層45形成如附圖19C所示，陰極46 接下來形成。E L層4 5與陰極4 6的形成方法如實施例 1所描述。 有機樹脂是接觸孔保護部份1 9 Ο 1較佳的材質。聚 醯亞胺，聚醯胺，壓克力樹脂，苯環丁烯（B CB)或相 似的可被使用。如果類似的有機樹脂被使用，則粘滯性應 設定爲 10~3Pa · S 至 10 一1 Pa · S。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） .Γ 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装. 訂 Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -57- 1252592 A 7 B7 五、發明説明（5多 附圖1 9 c所示的結構形如上述的方式，因此解決經 由介於像素電極4 3與陰極4 6之間所引起的短路問題是 切斷E L層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 此實施例的排列可自由的與任一實施例1至4的排列 相結合。 〔實施例6〕 根據現今發明E L顯示設備的製造是自我放射形，因 此，顯示影像於明亮的地方比較於液晶顯示設備展示更佳 的認同性。更進一步，E L顯示設備具有較寬的視野角度 。E L顯示設備可適用於於多種電子設備的顯示部份。例 如，爲了要觀看電視節目或相似的於大形螢幕上，根據現 今發明，E L顯示設備可被使用爲E L顯示器（例如： E L顯示設備的顯示器安裝在一個外框內）的顯示部份具 有對角線3 0英吋或更大的長度（典型爲4 0英吋或更大 )〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 E L顯示器保含各種不同的顯示器用於顯示資訊，例 如’個人電腦的顯不’接受電視廣播卽目的顯不器，廣 告展示的顯示器。更多的是，根據現今發明，E L顯示設 備可被使用於其它多種電子設備的顯示部份。 像電子設備包含視像照相機，數位照相機，護目鏡形 顯示器（固定於頭的顯示器），汽車航行系統，汽車音響 裝置，遊戲機，攜帶式資訊終端設備（可移動電腦，手機 ，攜帶式遊戲機，電子書本’或相類似的），影像製造器 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（X 297公釐） -58 1252592 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（印 具包含，記錄媒體（更詳細一點’一種可製造記錄媒體的 器具，如光碟（CD)，電射光碟（LD)，數位影像光 碟（D V D )，及包含顯不製造影像的威不器）或類似的 。特別的是，於攜帶式資訊終端設備的情形，使用E L顯 示設備是較佳的，攜帶式資訊終端設備很可能從傾斜方向 去觀看是需要具有較寬的視野角度。附圖2 Ο A至2 ◦ E 分別展示不同類型的電子設備。 附圖20A爲EL顯示器其包含框架2001 ，支撐 台2 0 0 2，顯示部份2 0 0 3。現今發明可適用於顯示 部份2 0 0 3。E L顯示器爲自我放射形故不獲要背光。 因此，顯示部份的厚度可比液晶顯示設備的較薄。 附圖2 0 B描繪視像照相機其包含一個主體2 1 0 1 ，一個顯示部份2 102，一個聲音輸入部份2 103， 操作開關2 1 0 4，一個電池2 1 0 5 ’影像接收部份 2 1 0 6。根據現今發明E L顯示設備可被當作顯示部份 2 1 0 2來所用。 附圖2 0 C描繪固定於頭部式的E L顯示器之一部份 (存半邊）其包含一個主體220 1 ，信號線2202， 一個頭部固定帶2203 ，一個顯示設備2204，一個 視訊系統2 2 0 5，一個E L顯75設備2 2 0 6。現今發 明適用於此E L顯示設備2 2 0 6。 附圖2 0 D描繪影像製造器具包含記錄媒體（更詳細 的是DVD製造器具），其中包含一個主體2301 ，一 個記錄媒體（C D，L D，D V D或相似的）2 3 0 2， 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X；297公釐） -59- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-

、1T .0, 1252592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7__五、發明説明（守 操作開關2 3 0 3，顯示部份（a ) 2 3 0 4 ，另一個顯 示部份（b ) 2 3 0 5。顯示部份（a )主要用來顯示影 像資訊，而顯示部份（b )主要用來顯示字形資訊。根據 現今發明E L顯示設備可使用這此顯示部份（3 )與（b )。影像製造器具包含記錄媒體更進一步包含CD製造器 具，遊戲機或相類似的。 附圖2 Ο E描繪攜帶式（可移動）電腦其包含一個主 體2 4 0 1 ，一個照相機部份2 4 0 2，一個影像接收部 份2 4 0 3 ，操作開關2 4〇4 ，一個顯示部份2 4 0 5 ，或相類似的。根據現今發明E L顯示設備可被使用爲顯 示部份2 4 0 5。 當較亮的發光來自E L材質的亮度於未來可用到，根 據本發明E L顯示設備可適用於前置或後置式投影機其中 包含輸出影像資訊的光經由透鏡而放大。 上述電子設備大可能使用於顯示資訊此資訊分配於電 磁通訊路徑如Internet，C A T V (有線電視系統），同時 特別可能顯示電影資訊。E L顯示設備適用於顯示電影因 E L材質可展示高回應速度。然而’介於像素間的外圍變 成不淸楚，整個電影即無法淸楚的顯示。既然，根據本發 明的E L顯示設備可使得介於像素間的外圍變淸楚’提供 E L顯示設備於現今發明具有明顯的優點於電子設備的顯 示部份。 E L顯示設備的一部份是放射光線而耗損電力’所以 最佳的是顯示資訊於此種方法中，光放射部份變的愈小愈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡1 -60- 1252592 A7 _________B7_ 五、發明説明（_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 好。當E L顯示設備提供至一個顯示部份其中主要的是顯 示字形資訊，如一個攜帶式資訊終端的顯示部份，更特別 的是，行動電話或汽車音響裝置，驅動E L顯示設備使得 符號資訊經由光放射部份而形成當無放射部份相對於背景 是必須的。 現參照附圖2 1 A，描繪行動電話，其中包含一個主 體260 1 ，一個聲音輸出部份2602，一個聲音輸入 部份2 6 0 3，一個顯示部份2 6 0 4，操作開關 2 6 0 5及一個天線2 6 0 6。根據現今發明E L顯示設 備可被使用爲顯示部份2 6 0 4。顯示部份2 6 0 4可經 由顯示白色字形於黑色背景而降低行動電話的電力消耗。 附圖2 1 B所繪爲汽車音響器具包含一個主體 2 7 0 1 ，一個顯示部份2 7 0 2及操作開關。根據現今 發明E L顯示設備可被使用爲顯示部份2 7 0 2。雖然固 定形的汽車音響器具展示於此實施例中，本發明亦提供調 整式的音響。顯示部份2 7 0 2可經由顯示白色字形於黑 色背景而降低電力消耗，此法對可攜式的音響特別有利。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述，現今發明可提供多種不同範圍的電子設備於 不同領域。此實施例中的電子設備可自由的與實施例1至 5的結構相結合而得。 本發明的資訊回應E L顯示系統中，E L顯示設備的 亮度可基於經由感應器如C C D而獲得的環境資訊及/或 使用者活體資訊而得到控制。因此，E L元件的過剩亮度 被限制且E L要件的退化皆因流經E L元件的電流被限制 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ·ΐ -61 - 1252592 A7 B7五、發明説明（_。亮度的減少亦反應使用者眼睛的不正常，所以影像可顯 示且對眼睛較不吃力。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) j—訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62-

Claims (1)

1. /V1252592 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範调 附件：第09 1 1 1 1 560號專利申請案 中文申.請專利範圍修正本 民國94年12月29日修正 1·一種主動矩陣型EL顯示裝置，包含： 一 E L元件，具有兩電極，其間夾設有一 E L層； 一感應器用以取得一環境的資訊信號； 一 C P U用以將供應自該感應器之電子信號轉換.至一 校正信號， 其中主動矩陣型E L顯示裝置的亮度係藉由該校正信 號而被控制。 2 ·如申請專利範圍第1項的主動矩陣型E L顯示裝 置，其中該主動矩陣型E L顯示裝置與包含視像照相機， 數位照相機，頭載式顯示器，汽車導航系統，攜帶式電話 ，及一個人電腦的群組之任一者相結合。 3·—種主動矩陣型EL顯示裝置，包含： 一 E L元件，具有兩電極，其間夾設有一 E L層； 一感應器用以取得包含使用者活體資訊的資訊信號； 一 C P U用以將供應自該感應器之電子信號轉換至一 校正信號， 其中E L顯示裝置的亮度係藉由該校正信號而被控制 〇 4 ·如申請專利範圍第3項的主動矩陣型e L顯示裝 置’其中該E L顯示裝置與包含視像照相機，數位照相機 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252592 A8 B8 C8 D8 ----------- 六、申請專利範3 ，頭載式顯示器，汽車導航系統，攜帶式電話，及一個人 電腦的群組之任一者相結合。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5·—種主動矩陣型EL顯示裝置，包含： 一 E L兀件’具有兩電極，其間夾設有一 £ l層； 一感應器用以取得一環境的資訊信號； 一 C P U用以將供應自該感應器之電子信號轉換g — 校正信號；以及 一電壓變換器用以根據該校正信號控制一經校正，之電 位。 6 ·如申請專利範圍第5項的主動矩陣型e L顯示裝 置，其中該資訊信號包含一使用者活體資訊。 7 ·如申請專利範圍第5項的主動矩陣型e L顯示裝 置，其中該感應器，該C PU及該電壓變換器被形成在同 一基底上。 8 ·如申請專利範圍第5項的主動矩陣型e L顯示裝 置，其中該感應器包含一 C CD或光二極體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 ·如申請專利範圍第5項的主動矩陣型e L _ $ _ 置，進一步包含一 A/D轉換器夾設在該感應器及該 C P U之間，及一 D/A轉換器夾設在該C P U及該 變換器之間。 1 0 ·如申請專利範圍第5項的主動矩陣型E L g $ 裝置，其中該E L顯示裝置與包含視像照相機，數位照才目 機，頭載式顯示器，汽車導航系統，攜帶式電話，及一個 人電腦的群組之任一者相結合。 本，^張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210父297公釐) " ： 1252592 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範:¾ 11 . 一種主動矩陣型EL顯示裝置，包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 E L元件，具有至少兩電極，其間插設一 E L層； 一感應器用以取得一環境的資訊信號； 一 C P U用以將供應自該感應器之電子信號轉換至一 校正信號，及 一電流控制T F T，電連接至E L元件的兩電極中之 -- ， 其中供應至該E L元件的該兩電極的另一個電極之電 位係藉由該校正信號而被控制。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項的主動矩陣型E L顯 示裝置，其中該資訊信號包含一使用者之活體資訊。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項的主動矩陣型E L顯 示裝置，其中該主動矩陣型E L顯示裝置與包含視像照相 機，數位照相機，頭載式顯示器，汽車導航系統，攜帶式 電話，及一個人電腦的群組之任一者相結合。 1 4 · 一種主動矩陣型E L顯示裝置，包含： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一EL元件具有至少一E L層夾設於一陽極及一陰極 之間，該陽極及該陰極之一被電連接至一電流控制T F T > 一感應器用以取得一環境的資訊信號；’ 一 A/D轉換器，其連接至該感應器； 一 C P U用以將供應自該感應器的一電子信號藉由該 A / D轉換器而轉換至一校正信號； 一 D/A轉換器，其連接至該CPU ;以及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -λ - 1252592 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 一電壓變換器，其連接至該D/A轉換器與該E l元 件， 其中該校正信號被轉至一經校正電位且該經校正電位 被供應至該陽極及該陰極之另一個。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項的主動矩陣型E L顯 示裝置，其中該感應器包含一 C C D或一光二極體。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項的主動矩陣型E L顯 示裝置，其中該資訊信號包含一使用者之活體資訊。， 1 7 ·如申請專利範圍第1 4項的主動矩陣型E L顯 示裝置，其中該E L顯示裝置與包含視像照相機，數位照 相機，頭載式顯示器，汽車導航系統，攜帶式電話，及一 個人電腦的群組之任一者相結合。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）