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TW573144B - Self light emitting type display device - Google Patents

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Publication number
TW573144B
TW573144B TW91105026A TW91105026A TW573144B TW 573144 B TW573144 B TW 573144B TW 91105026 A TW91105026 A TW 91105026A TW 91105026 A TW91105026 A TW 91105026A TW 573144 B TW573144 B TW 573144B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
transistor
line
scanning line
voltage
Prior art date
Application number
TW91105026A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Inoue
Masashi Okabe
Shuji Iwata
Takashi Yamamoto
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of TW573144B publication Critical patent/TW573144B/zh

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Description

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【發明之技術領域】 本發明係於搭載有發光元件矩陣之主動矩 發光型顯示>裝置中，尤其關於自發光元件（自發光^之發 光70件）之亮度控制，而以抑制自發光元件之亮度不均為 目的者。 【習知技術】 於顯示面板使用有機EL之有機EL面板已達到實用水 準。有機EL由於係具有自發光、高速回應、廣視角等特 性，為液晶面板所沒有的優良特徵，故對可鮮明地顯示文 字圖形晝像及動態畫像顯示之平面面板很 大的期望。有機EL面板係依驅動方法可分為被動矩陣型 (PM型）與主動矩陣型（AM型）兩種。 PM型被認為由於在有機乩面板外部設置驅動電路，而 有機EL面板本身之構造變得簡單且可達到低成本。目前， 將有機EL面板商品化的是此pM型而用在車載用及行動電話 上。 ° 有機EL係電流驅動元件，因此為了消除有機讥面板之 亮度不均而必須使流通各發光像素之電流成為相同大小。 然而，根據以下（1)至（3)所示之問題，要成為相同電流且 要成為低耗電量相當困難。 (1)要使全像素之焭度均勻化必須使流通各像素之電 流相同。為此必須使各像素之陽極或陰極之一方設為固定 電流源。然而，要使其以固定電流源動作必須增加另一方 側之矩陣電極之驅動電壓，俾使不因匯流線（bus Une)之
573144 五、發明說明（2) 電壓降。這是形成増加耗^ 因。驅動電壓無法充分提高時，至各像Ϊ電x之主要原 度所對應之電壓降會對用以發光之電！！之匯流線長之長 無法=定，流源而造成亮度成影響。亦即 (2)PM型係為了 — ^ J〈原因。 描線的數量如成為:二：产Ί首而當顯示面板之掃 常，流通於像素之電流與^二倍使其發光。通 流係成為N倍。但是有機el具有流通比例故需流通之電 則降低之性質，因此為了獲得預定面*電^大時發光效率 之像素電流。 冗度必須有N倍以上 由於上述之理由掃描線之數量N變 曰 大。此問題更加助長上述（1)之問題。則耗电篁亦變 成面構造，因此由等價電路之觀點 有機EL面板係形 接有電容性負荷。像素電流增加或像=^於各像素並聯連 昇高時，對該電容性負荷之充放電t數增加而反覆頻率 大。既有上述（2)之問題之pm型中，机將變大且耗電量變 生之耗電量格外地增加。 於電容性負荷而產 由於以上之問題，目前已商品化 少 尺寸在數英吋以下，像素數則在丨萬像素31之產品係畫面 AM型有機EL面板係可改善上述之問題程。度左右。 上述（1)之問題係由於AM型是於各像 路，故不需要瞬間的流通大電流，1姓’、"又 · β動電 之匯流線而造成之電壓降會變小，施二:由於上述（1) 耗電量可較PM型大幅地降低。施加電；；虔亦較小即可故 加電壓較小即可於設定成 573144 五、發明說明（3) ： 稍微高的施加電壓，而對應到各像素之匯流線長長度之電 壓降對像素電流量之影響將消除，因而可獲得均勻之齐 度。 儿 上述（2)之問題係因AM型是於各像素設置τρτ驅動電 路’因此不需要根據掃描線之數量N而只需通過一如往常 之小的像素電流即可，因此不會有因像素電流增加以致發 光效率降低而導致之增加耗電量之情形。上述（3)之問題 係因AM型是於各像素設置TFT驅動電路，因此不需要根據 知描線之數量N而只需通過較小的像素電流即可，因此對 電容性負荷之充放電電流較小即可，因該影響而產生之耗 電量較小。如上述AM型之有機EL係可降低亮度不均勻及耗 電量。 然而’ AM型有以下之大缺點。亦即，要作成具備遍及 有機EL面板全域特性之驅動元件有困難。其結果，形成流 通各像素之電流值不同且亮度不均勻之情形。 第7圖係習知AM型有機EL顯示器中用以使像素發光之 驅動電路之電路圖，該驅動電路係揭示於例如日本特許 278461 5號公報者。 絲使用苐7圖說明該像素驅動電路之動作。 第一電晶體53係以例如N通道型構成之FET而作為開關 元件動作。第一電晶體5 5係以例如p通道型構成之F E T而作 為開關元件動作。電容器5 4係與第一電晶體5 3之汲極端子 相連接之電容性負荷。於第二電晶體5 5之汲極端子連接有 作為發光元件56之有機EL元件。第一電晶體53之汲極端子
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體53之 極端子 係與第二電晶體55之閘極 子自第一垂直掃描 水平掃描線5 2施加 著說明發光模式。 掃描線信號。此時 5 3之源極端子時， V1保持於與第一電 保持於第二電晶體 流通汲極電流為足 的電流則流通於第 發光元件5 6之發光 閘極端 自第一 接 子施加 電晶體 壓位準 器54 〇 小如對 之大小 則成為 成比例 端子相連 線5 1施加 晝像信號 首先，於 以預定電 則利用對 晶體5 3之 55之閘極 夠之大小 二電晶體 電流。亮 接。於第一電晶 掃描信 。57係 第一電 壓施加 應於晝 汲極端 電壓的 時，對 Η之汲 度係與 號。於源 電源線。 晶體5 3之 畫像信號 像信號大 子相連接 電壓位準 應於電壓 極。該汲 發光電流 閘極端 於第一 小之電 之電容 VI之大 位準VI 極電流 之大小 第8圖係用以說明以如上述之動作予以發光時發生亮 度不均勻之特性圖。該特性圖係表示第二電晶體55之閘極 曰源_極間電壓與汲極電流之關係。第一電晶體53或第二電 晶體55,以低溫聚矽構成時，由於低溫聚矽之製法上的關 係=此獲得遍及顯示面板全域為相同特性之fΕτ。例 如第電晶體53、第二電晶體55即具有如第8圖所示之 =均j的特性。於具有如上述特性之第二電晶體5 5施加電 地位；v V1時’沒極電流之大小會有I a至I b寬幅之不均。有 EaL係由於以與電流之大小成比例之亮度發光，因此第二 電^體55'特性之不均勻即形成發光亮度之不均勻。尤其 如A 8圖所示之特性不均勻係利用類比量予以調變亮度之 方式，亦即利用電壓位準V1之大小控制發光亮度之方式是
573144 五、發明說明（5) — 無法防止亮度不均勻之發生。 因此，表示第二電晶體55之閘極/源極間電壓盥汲極 電流之關係之第9圖中，電壓位準V1以經常成為固定值之 位準進行亮度控制之數位亮度控制方式中，因''使用^電流已 飽和之位準，故可防止利用類比亮度控制方式所發生=亮 度不均勻。然而，如第1 〇圖所示，同樣為具有第二電晶^ 55之閘極/源極間電壓與汲極電流之關係之特性之情形Sa， 因飽和電流不相同因此即使在數位亮度控制方式下亦會發 生亮度不均勻。 θ 苐11圖係改善驅動元件之特性不均勻之其他習知例而
吞己載於「Active Matrix OELD Displays with Po-SiTFT
The l〇th International Workshop on Inorganic & OEL· Ρ· 347至Ρ· 356」之像素驅動電路之電路圖。該習 知例中，藉由將作為驅動元件之第二電晶體55Α、55Β並聯 連接，而將上述特性之不均勻予以平均化。 此外，也有自動地將驅動元件之特性予以補正之電路 之方案。第11圖係設置於【R· Dawson· et al· :Proc.〇f SID’ 99(1999)p_438】所示之像素内之驅動元件特性不均 自動補正電路。本電路中，除了使用第一電晶體、第二電 晶體以外，藉由使用兩種電晶體以補正驅動元件之特性不 均〇 接著使用第12圖說明本電路之動作。首先藉由將第— 垂直掃描線5 1活化而第一電晶體5 3導通，自第一水平掃插 線52透過第一電晶體53及補助電容器553而輸入充分地導
573144 五、發明說明（6)
通第二電晶體55之信號。此時，發光元件連接用垂直掃描 線552所控制之發光元件連接用電晶體555係導通，藉由來 自電源線57之電流而於發光元件流通電流。接著將^光元 件連接用垂直掃描線552非活化的同時將補正用垂直掃描 線5 5 1予以活化，則發光元件5 β之電流即停止，另一方面 電容器54、第二電晶體55以及補正用電晶體554形成閉電 路，而電容器54之電壓，亦即第二電晶體55之閘極/源極 間電壓係慢慢地下降，該電壓達到第二電晶體5 5之臨限值 =壓（threshold volt age)時，該第二電晶體55因成為非 V通故上述閉電路係成為開啟。因而，臨限值電壓之電位 會儲存於電容器54。接著藉由補正用垂直掃描線551使補 正用電a曰體554為非導通，並藉由活化發光元件連接用垂 直掃描線552而使發光元件連接用電晶體555成為導通狀態 後’=用第一水平掃描線52施加按照發光元件56之必要亮 度之 >料彳5號’藉此可實現預定之亮度。本電路中，將第 二電晶體55之臨限值電壓儲存於像素内之電容器54，藉以 補正臨限值不均並減低亮度不均勻。 習知之自發光型顯示裝置係如以上之構成，因此屬驅
=件之電晶體之臨限值電壓不均勻時，會有對發光元件 之^加電壓成為不均，且於進行相同色調之顯示時各像素 之亮度會不均之問題點。 ” 另一方面，以抑制如上述之亮度不均為目的，如第12 圖所示之構成，為了消除電晶體之臨限值電麼不均勻，而 在一個像素内使用四個電晶體之自發光型顯示裝置中，可
573144 五、發明說明（7) 抑制電晶體之臨限值不均之有機EL之情形，有如 =之亮，-元件施加電壓特性，藉由發先臨 13圖所 均而具有例如特性12-1、12~2、12-3。為了進，壓之不 ί 加相同電壓VS的話，，因發光臨限色調 冋而各像素之亮度係不均成B〇、^、扑 & Γ塾之不 因發光元件之上述特性之不均所導致之亮产不^法抑制 【發明之概要】 又 句勻。 依本發明之第丨構成之自發光型顯示裝且 排列成矩陣狀之複數發光元件；至 加、^備有： 元件’並以接收來自發光元件之發光：方；：各個發先 ;件’而藉由光檢測元件之信號可控制發測 根據該構成，補正電晶體 不均勻。 限值電壓而可抑制亮度 依本發明之第2構成之自發夹】 數之第一垂直掃描線及第一水平;、不裝置係具備有··複 一垂直掃描線相交之複數之:線，配設成分別與第 線；設於第一垂直掃描線及㊁一描線與，數之電源 由第一垂直掃描線所控制之第一描線之交點附近， 而與第一水平掃描線相連接之曰曰體；透過第一電晶體 連接於第一水平掃描線，由第一=二，透過第一電晶體而 電晶體，·以及透過第二電晶體，7平掃描線所控制之第二 矩陣狀之發光元件；此自=刑:與電源線連接且排列成 成：在第-垂直掃描線與電源線：以如下之構 Ί串聯連接有光檢測元 313476.ptd 第14頁 573144 五 件 、發明說明（8) ，與電阻，而具備控制於光檢測元件與電阻之連接點之 位之第三電晶體，而電源線透過第三電晶體連接於第二水 平％插線，光檢測元件則接收來自發光元件之光 根據該構成，可利用簡單的電路檢測電曰胁 電壓不均勻。 电日日體之臨限值 根據本發明之第3構成之自發光型顯示裝詈孫於太旅 之第2構成之自發光型顯示裝置中，且備 ’、；發 母—發光元件之信號作為資料儲存之記憶電路，用以將 =之資料將賦予至發光元件之信號電麼予二記 於第一水平掃描線之機構。 調變並施加 根據該構成，可插播 之信號電壓予以調變體之資料將賦予至發光元件 根據本發明：LC度不均勻。 有：複數之第一掃描、線自發光型顯不裝置係具備 掃描線及第一水平掃描：水平掃描線；設於第一垂直 所控制之第-電晶n ;透二點附近’纟第-垂直掃描線 線連接之電容器；透過=第一電晶體而與第一水平掃插 線，由第一水平掃插一電晶體而連接於第一水平掃描 二電晶體，而與電源 控制之第二電晶體；以及透過第 顯示裝置；此顯示裝置連接且配列成矩陣狀之發光元件之 第四電晶體；此自發具備利用第一垂直掃描線所控制之 直掃描線與電源線^間型顯示裝置係構成如下：在第一垂 光檢測元件與電容器3串聯連接有光檢測元件與電容器， 之連接點係透過第四電晶體連接於第
五、發明說明 二水平掃 根據 測電晶體 依本發明 構成之自 掃描線用 一發光元 體之資料 於第一水 根據 件之信號 均〇 根據 複數之第 掃描線及 控制之第 一水平掃 體而連接 第二電晶 矩陣狀之 設於第二 此自發光 線與發光 體，在第， 該構成先Ϊ::Ϊ Ϊ來自發光元件之光。 之臨限值電壓不均^電^，可抑制耗電量並且檢 發光型顯示之裝自置發^光^型顯示裝置係於本發明之第4 以讀出光檢測元：之=:*透過上述第二水平 平掃描線之件之信號電壓予以調變並施加 電壓予以：Ϊ據料而將賦予至發光元 3變％可抑制耗電量並抑制亮度不 本之第6構成之自發光型 ;垂f掃描線及第-水平掃描線;\ /第具一備垂有直 -電晶體；透過第掃描線所 描線連接之電容器；透過第而與第 於第一水平掃描線，由第一 =一電晶 複數：與電源線連接且排列成 I光件，以及控制於第二垂直掃圹绐R *日日體之控制線與發光元件 ^胁 元：之間設有與上=電= 直知描線與電源線之間串聯連接有光檢測= 573144
件與電阻，光檢測元件與電阻之連接點 電晶體之控制冑’光檢測元件 收上述第六 氺。 银叹求自發光元件之 因以檢測發光元件 像素内補正電晶體 臨限值電壓不均， 之發光臨限值電壓之 之臨限值電壓不均勻 而可抑制亮度不均 顯示裝置係於本發明 光檢測元件係以非晶 根據該構成’ 方式構成，故可在 及發光元件之發光 勻。 依本發明之第7構成之自發光型 之第1構成之自發光型顯示裝置中， 矽（amorphous siliCOil)所構成。 根據該，成，可以簡單的程序形成光檢測元件，可以 低成本實現亮度不均低之自發光型顯示裝置。 依本發明之第8構成之自發光型顯示裝置係於本發明 之第2或第6之構成之自發光型顯示裝置中，光檢測元件與 電阻體皆由非晶石夕所構成’並在構成電阻體之非晶石夕與構 成發光元件之非晶矽之間形成遮光膜。 根據該構成，可以低成本實現亮度不均低之自發光型 顯示裝置。 【發明之實施形態】 以下，根據圖式說明本發明之實施例。圖中相同符號 表示相同或相當部份。 實施例1 第1圖係表示本發明之實施例1之自發光型顯示裝置對 應於一個像素之像素驅動電路（圖中上半部）之電路圖。圖
313476.ptd 第17頁 573144 五、發明說明（π) ::51 :、第一垂直掃描線、52係第-水平掃描、線、53係第 :電晶體、54係電容器、55係第二電晶體、56係自發光元 亦下稱為發光元件），由有機EL構成。57係電源線。此 =银8係光檢^元件、9係電阻，該光檢測元件與電阻9係 :第一垂直掃描線51與下—段之電源線57之間互相串聯連 接。10係於光檢測元件8與電阻9之連接點連接有閘極之第 :ίί體J係第二水平掃描線’於該第二水平掃描線連 有第二電晶體10之汲極。然而，圖中之下 :-段之構成，因與上半部相同之構成相同故省略說：f 炎外，該像素驅動電路雖係配列成矩陣狀，然該構成盘 知相同故省略其記載。 一 接著說明動作。 導，毫將! —11直!描線予以活化時’第―電日日日體53係成為 導通，第一水平掃描線52之電壓則透過第一電晶體充 電合器54。同時充電至電容器54之電壓係因連接於第二 晶體55之閘極，故第二電晶體55係成為導通狀態，、而7 源線57供給電流至發光元件56,發光元件56雖發出光铁 而透過施加至第二電晶體55之閘極之電壓值而控制發= =同時，藉由電容器54維持該電壓，而發光元件56係於 第二垂直掃描線非活化，且第一電晶體53係在成為非導 狀恶之後亦持續發光。 通 縱使流通於發光元件56之電流係藉由施加於第二 體5 5之閘極之電壓值予以控制，然而該電壓值I ^盥施二 第二電晶體55之閘極之電壓值Vg有〇)式之關係/、 於
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Id = kxVdx(Vg-Vth)...... ( 1 ) 在此V d係施加於電晶體之源極-汲極間之電壓，v t h係 電晶體之臨限值電壓，k係以第二電晶體55之通道長、通' 道寬及載體（carrier)移動度決定之定數。亦即，第二電 晶體55之電流值Id係藉由第二電晶體55之閘極電壓Vg與電 晶體之臨限值電壓Vth之差所決定，然而對vth而言每一 電晶體之不均勻大，因此即使施加有相同之Vg亦無法獲a 相同的亮度。 X # 該 56之光 測元件 電壓。 壓，而 之電阻 電壓係 連接於 1 0係導 線5 7相 電位成 位，可 為發 發光元件 則於光檢 5 1之間之 資料之電 測元件8 連接點之 連接點係 三電晶體 1 〇與電源 源線5 7之 線11之電 發光元件 實施例1中，係以可藉由光檢測元件8檢測 之方式構成。當第一垂直掃描線活化時， 8及電阻9施加電源線57與第一垂直掃描線 同時於第一水平掃描線5 2施加對應於亮度 發光元件56雖發光，但由於該發光而光檢 值急遽地下降’且光檢測元件8與電阻9之 f近於第一垂直掃描線51之電壓。由於該 第二，日日體10之閘極，因此藉由該電壓第 通，第二水平掃描線1 1係透過第三電晶體 連接而第一水平掃描線1 1之電位係與電 為大致相同。因此藉由觀察第二水平掃描 檢測與經活化之第ϋ掃線51相對應之 光的。 水平掃描線5 2之電壓資料，例如 可判斷發光元件5 6開始發光之電 亦即，依序改變第— 藉由階段地使電壓上升， 壓。
573144 五、發明說明（13) 第2圖係表示依該實施例1之自發光型顯示裝置之 電路。圖中，21係控制第一垂直掃描線51之垂直 =制 路、22係控制第一水平掃描線52之第一水平掃描電 係控制第二水平掃描線“之第二水平掃描電路、Μ ; f 發光元件56及光檢測元件8之多數以矩陣狀形成像素之匕各 示部分、25係利用光檢測元件8所檢測之時點♦記恃··肩 定像素之座標之第一水平掃描線52之電壓作為資料〜之預 體、26係用以將施加於第一水平掃描線52之 ;= ㈣之資料予以變換之電壓變換電路。具體而言根 於j*憶體25之各像素開始發光之電壓，施加欲使像素; 之凴度所對應之電壓，使亮度資料對應於最小色調並 色料藉由電壓轉換電路26調變為信號電壓 貝枓，而靶加至第一水平掃描線22。 电縻 接著說明主要之動作。 藉由光檢測元件8檢測發光元件56之發光 平掃描線1 1之電位信號則以發光時 ’ Υ 呷斤l就興對應於自控制電路 ^ 素之座標之資料相關聯，上述第件56於像 號則記憶於記憶體2 5。記憶體m:壓信 :第-水平掃描線52之電壓信 素同樣地記憶。記憶體25之 ：==母：j像 垂直掃描線51之掃描為乍：I續到進仃依第- 从作為下一次之畫框。於下一次 313476.ptd 第20頁 573144 五、發明說明（14) 之畫框中反覆上述動作。 第3圖係表示有關該實施例1之像素部之剖視圖。圖 中，4 0係透明絕緣基板、41係遮光膜、4 2係電洞注入層、 4 3係電子注入層。 第3圖申，在透明絕緣基板4 0上形成有第一電晶體 53、第二電晶體55、第三電晶體1〇以及電容器54。雖藉由 形成層間絕緣膜且在其上形成非晶矽層，並設置電極，而 形成光檢測元件8及電阻9，供稽田惶社α ,一 v ___- ^ «u δχ 遮光膜4 1，利用相同的非晶矽可分別作成光檢測元件8及 電阻9。並且藉由透過層間絕緣膜層積電洞注入層4 2、發 光元件56、電子注入層43，而可實現成對之發光元件56與 光檢測元件8之自發光型顯示褒置。 一 依實施例1之自發光型顯示裝置之像素驅動變路係如 以上所構成，因此事先將各像素開始發光之電壓利用光檢 =兀件8_檢測，並使該電壓記憶於記憶體25，此外為了正 發Ϊ顯：ί像素所要求之亮度而可於對應亮度 < 電壓施加 二兀6開始發光之臨限值電壓，因此可不受第二電曰 體55之臨限值不均勻所， 日曰 个1 Ί所左右而以所希望之免度顯示。 第4圖係表不本發明音 ^ _ 置中的一個像素之傻去^實 表 發光型顯示裝 一#吉这 > 、象素驅動電路之電路圖。圖中，51係笛 一垂直掃描線、5 2孫筮 t 3 1係第 54# Φ « α ί第一水平掃描線、53係第—電晶體、 線。此外，8俜来檢钏Λ 係發先70件、57係電源 W先檢測疋件、
573144 五、發明說明（15) 第四電晶體、3 1係第二電容器。本實施形態中，光檢測元 件8之一方之端子係連接於電源線5 7，而另一方之端子係 隔著第二電容器31連接於第一垂直掃描線51。第四電晶體 30之閘極端子係連接於第一垂直掃描線5丨並利用第一垂直 掃描線予以控制，同時源極端子係連接於光檢測元件8與 第二電容器之連接點’導通時係以將光檢測元件8與第二 電谷器中的連接點之電位賦予至第二水平掃描線1丨之方式 構成。第四電晶體30之汲極端子係連接於第二水平掃描 線0 接著說明動作。 實施例2中，由於如上述構成電路，因此於第一垂直 掃描線51活化時第_雷曰辦以这# _ Λ 導通狀態。從第一水：： = ϊ:電晶體30係同時成為 之電壓值為可導通第?==資料f入電容器。該資料 電晶體55之臨限值匕m5之電壓’亦即未達到第二 光檢測元件8係維/Λ時光元件56係+發出光，因此 容器之連接點中的二來广光檢測元件8與第二電 掃描線51之活化係自電源線57之電壓Μ第一垂直 至第二水平掃描1大小之電壓則透過第四電晶體30供給 供給之資料之電壓達到自第一水平掃描線”所 給電流至發光元件ffi =導^第一電晶體55之電壓時係供 8檢測到該光時光彳光元件5 6係發出光。光檢測元件 電位則大致透過第四二件：之電阻值會下降’電源線57之 如上述，藉= 供給至第二水平掃插線"。 Η予至第一水平掃描線5 2之資料之電
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壓’成為可檢測第二電晶體55之臨限值電壓，而與實施妒 態1之情形相同，可先使該電壓記憶於記憶體25 /並且為> 了正讀地顯示各像素所要求之亮度而可於對應亮度之電"、、壓 施加發光元件56開始發光之臨限值電壓，因此可不受第一 電晶體55之臨限值不均所左右而以所希望之亮度顯示。 實施形態3 ^ * 第5圖係表示本發明之實施例3，表示自發光型顯示裝 置中的一個像素之像素驅動電路之電路圖。圖中，5丨係第 一垂直掃描線、52係第一水平掃描線、53係第一電晶體、 54係電容器、55係第二電晶體、56係發光元件，由有機阢 所構成。57係電源線、8係光檢測元件、9係電阻。此外， 551係補正用第二垂直掃描線、5 53係補助用第三電容器、 5 5 4係補正用第五電晶體、3 5係第六電晶體。 然而，圖之下半部之構成係下一段之構成，因與上半 為相同構成因此省略說明。此外，該像素驅動電路係配 列成矩陣狀，然而該構成與習知相同故省略其記載。 接著參照第6圖之波形圖說明動作。圖中，EL#矣一 有機EL之發光強度。 μ τ 第6圖之時序T1中，藉由活化第一垂直掃描線51而第 一電晶體53導通。第6圖之時序T2中，自第一水平掃描信 號52透過第一電晶體53及補助用第三電容器553輸入充分 地導通第二電晶體55之信號至電容器54。其結果，電容器 54之充電電壓’亦即第二電晶體55之閘極/源極間電壓將 增加’而第二電晶體5 5之電阻則下降。隨之施加於發光元
313476.ptd 第23頁 573144 五、發明說明（17) ' - 件56兩端之電壓增加，而藉由該電壓以可充分超越導通 光το件56之臨限值電壓之方式設定，而自電源線57透過 二電晶體55、發光元件56流通電流，而在第6圖之時序u 中’發光凡件5 6係發光。該發光係以可射入光檢測元件8 之方式構成，因此藉由該光而光檢測元件8之電阻值係下 降，第六電晶體35之閘極電位，亦即第5圖之節點z係成為 與補正用垂直掃描線551之電位相等，而第六電晶體35係 成為藉由補正用垂直掃描線5 5 1所控制。 第6圖之時序T4中，補正用垂直掃描線551活化時，補 正用第五電晶體554及第六電晶體35則同時導通，藉此， 开> 成按照電谷器5 4、第二電晶體5 5、補正用第五電晶體 554及第六電晶體35之閉電路。該閉電路係由於形成電容 器54之放電電路，因此電容器54之電壓，亦即第二電晶體 5 5之閘極/源極之電壓係逐漸下降。因而，隨著第二電晶 體5 5之電阻值再次增加’流通於發光元件$ 6之電流值會變 小’同時施加於發光元件5 6兩端之電壓係逐漸下降，而電 壓值變得較發光元件5 6之臨限值電壓小時，最後發光元件 5 6將不流通電流，而第6圖之時序τ 5中來自發光元件5 6之 發光則停止。 發光元件5 6之發光停止時，藉由光檢測元件8之電阻 值上升，節點Z與電源線57之電位成為相等，而因第六電 晶體3 5係成為非導通’因此形成按照電容器5 4、第二電晶 體55、補正用第五電晶體554及第六電晶體35之閉電路成 為開啟，而電容器54之放電即停止，最後在串聯連接有第
573144 五、發明說明（18) 二電晶體5 5及 入電流所必要 於電容器54之 儲存於電 線5 1活化為止 接著在第 將補正用第五 時序T6中由第 免度之資料信 光元件5 6之臨 不均勻。儲存 線5 1活化為止 以上係對 列成矩陣狀之 中無亮度不均 以上電路 而並不限定於 此外，以 顯示元件之發 元件，並不限 【產業上之利 本發明由 限值電壓之不 均勻，因此可 發光元件56之電路中，為了與自 & 之閘極/源極間電壓相等之電位’原線5 7流 狀態保留。 則成為儲存 容器54之電壓係保持到 以作為下一個畫框。 弟—垂直掃描 6圖之時序T5中，藉由補正用垂 電日日體554形成非導通之後，藉由 一水平掃描線52施加按昭發光亓1 ε第圖之 骑，可、土、τ姑 饮…、赞尤％件56之必要 :值電壓譬方一電晶體55之臨限值電壓與發 於電二：可抑制發光元件56之亮度 係保持到依第-垂直掃描 以作為下一個畫框。 月像素驅動電路之動作，然而就排 ΐ = ΐ行相同之㈣，可實現畫面整體 勻之自發光型顯示裝置。 ^成中雖對ρ型而言說明所有之電晶體然 ^之=明t，雖使用有機EL元件以作為屬於
—紅 然而對發光元件而言亦可是無機EL 疋為有機EL元件。 用性] =I抑制控制發光元件之電流之電晶體之臨 ，勻，以及發光元件之發光臨限值電壓之不 p制發光元件之亮度不均勻’而有效地利用
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313476.ptd 第26頁 573144 圖式簡單說明 【圖面之簡單說明】 第1圖係本發明之實施例1中的像素驅動電路之構成電 路圖。 第2圖係本發明之實施例1中的自發光型顯示裝置之驅 動電路之概略構成之概念圖。 第3圖係本發明之實施例1中的像素驅動電路構成之剖 視圖。 第4圖係本發明之實施例2中的像素驅動電路之構成電 路圖。 第5圖係本發明之實施例3中的像素驅動電路之構成電 路圖。 第6圖係本發明之實施例3中的像素驅動電路之動作程 序之波形圖。 第7圖係習知之自發光型顯示裝置中的像素驅動電路 之構成電路圖。 第8圖係用以說明習知之自發光型顯示裝置之動作特 性圖。 第9圖係用以說明習知之自發光型顯示裝置之動作特 性圖。 第1 0圖係用以說明習知之自發光型顯示裝置之動作特 性圖。 第1 1圖係習知之其他自發光型顯示裝置中的像素驅動 電路之電路圖。 第1 2圖係習知之其他自發光型顯示裝置中的像素驅動
313476.ptd 第27頁 573144 圖式簡單說明 電路 之 電 路 圖 〇 第 13 圖 係 用 以 說 明 習 知 之自 發 光 型 顯 示 裝 置 之 動 作 性圖 〇 【元 件 符 號 說 明 ] 8 光 檢 測 元 件 9 電 阻 10 第 三 電 晶 體 11 第 二 水 平 掃 描 線 21 垂 直 掃 描 電 路 22 第 一 水 平 掃 描 電 路 23 第 二 水 平 掃 描 電 路 24 顯 示 部 分 25 記 憶 體 26 電 壓 變 換 電 路 27 控 制 電 路 30 第 四 電 晶 體 31 第 二 電 容 器 35 第 六 電 晶 體 40 透 明 絕 緣 基 板 41 遮 光 膜 42 電 洞 注 入 層 43 電 子 注 入 層 51 第 一 垂 直 掃 描 線 52 第 一一 水 平 掃 描 線 53 第 —一 電 晶 體 54 電 容 器 55 第 二 電 晶 體 56 發 光 元 件 57 電 源 線 551 補 正 用 第 三 垂 直 掃 描 線 552 發 光 元 件 連 接 用 垂 直 掃 描線 553 補 正 用 第 三 電 容 器 554 補 正 用 第 五 電 晶 體 555 發 光 元 件 連 接 用 電 晶 體 vi 電壓位準
313476.ptd 第28頁

Claims (1)

  1. 573144 六、申請專利範圍 ί 嗲-1C ύ 修正 弓兮摩巳固 ---—~~〜^_\ —- $自發光型顯示裝置，其特徵在於具備有··排列成 - ί狀之禝數發光元件；以及至少設置一個於各發光 i測元ΐ以ί: 2發光：件之發光之方式形成之光 發光量猎由光檢測元件之信號可控制發光元件之 2. 自發光型顯示裝置，具備有 線及第一皮伞 禾蛮直掃描 平播》„千知描線；設於第一垂直掃描線盥第, 之電容器：ΐϊ電晶體而與第一水平掃描線連！ 線，由第—k 4第—電晶體而連接於第—水平掃护 過第二平掃描線所控制之第二電晶^ 電：ίί:::、，其構成如下··在第ιΐ = 制於光檢測_聯連接有光檢測元件與電阻，而且借^ 體’而電源線則透” f:之電位之第三電晶 線，光檢測元電晶體連接於第二水平掃播 如申請專利範® 發^元件之光者。 具備有：透過第f水平之自'光型顯示裝置，其特徵為 t至發光元件之信及根據記憶體之資料將賦 !平掃描線之機構 堡予以調變並施加於上述第- 裝置，具備有··複數之第一掃描線
    313476. pte 第1頁 2003. 09.10. 〇28 種自發光型顯示裝 573144 —- 系 六、申請專利範圍 二第一水平掃描線；設於第一垂直 =垂直掃描線所=二1 容器；透過第？曰體而與第一水平掃描線連接之雷 卜平掃;體水線，由 Π以電源線連接且排列成：陣二 第四電晶體，ίΐ第ί:二直掃描線所控制之 連接有光檢測元件血電容哭Τ::與電源線之間串聯 之連接點係透過連:=測，件與電容器 ，檢測元件則接收來水平掃描線， 5.=;":“心4項之自？二〜者裝置，其^、 測元件之，Ϊ之Κ二水平掃描線用以讀出上述二為 號作為資；；=電路；用以將每-發光元件之； -水平掃描ίί:;?信號電壓予以調變並施加“ 6·種自杳光型顯示裝置，J：择 掃描線及第-水平掃描線？ ！；；有：复古數之第-垂直 -f平掃描線之交點附J::;第：；直掃描線及第 之第一電晶體；透過第一 奏垂直知描線所控制 -水平掃描線連接之電：：晶？與第三電容器而與第 電容器而連接於第一透過第一電晶體與第三 控制之第二電晶體·:平掃描線，第一水平掃描線所 過第二電晶體而與電源線連接
    573144 修正 案號 9Π05026 六、申請專利範圍 且配列成矩陣狀之複數發光元件；以及設於第二垂直 掃描線所控制之第二電晶體之控制線與發光元件之間 之第五電晶體，其係如下構成：在第二電晶體之控制 線與發光元件之間設有與上述第五電晶體串聯之第六 電晶體，在第二垂直掃描線與電源線之間串聯連接有 光檢測元件與電阻，且光檢測元件與電阻之連接點係 連接於上述第六電晶體之控制線，光檢測元件則接收 來自發光元件之光者。 7. 如申請專利範圍之第1項之自發光型顯示裝置，其中， 上述光檢測元件係以非晶石夕所構成。 8. 如申請專利範圍第2項或第6項之自發光型顯示裝置， 其中，上述光檢測元件與電阻體皆由非晶矽所構成， 並在構成電阻體之非晶矽與構成發光元件之非晶矽之 間形成遮光膜。
    313476. ptc 第3頁 2003.09.10.030 本 15付 /
    第1圖
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