TW307906B - - Google Patents

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307906 A7 B7 經濟部中央樣率局貝工消费合作杜印*. 五、發明説明（ 1 ) 1 1 發 明 甯 A 1 1 本 發 明 有 鼷 —* 嫌 價 半 m 黼 記 憧 元 件 且 較 特 別 地 有 1 1 一 種 動 態 随 櫬 存 取 記 馕 元 件 包 含 許 多 數 記 慵 單 元 各 <·***» 請 1 先 1 含 有 單 元 之 M0S (金騮氣化物半導體> 場 效 爾 晶 體 及 —. 閲 讀 1 電 容 器 用 Μ 改 菩 資 訊 儲 存 無 錯 譏 之 特 性 〇 背 Λ 1 I 之 1 參 照 第 1 Α及 1BHI * 將 «± 述 Ιϋΐ 興 m 之 舖 習 知 _ 態 W 櫬 存 注 | 1 1 取 記 憶 元 件 9 第 1 A teg 係 Η 段 平 面 tmt _ 式 描 鑰.習 知 m 態 隨 事 項 1 I 機 存 取 記 憶 元 件 I 第 1 B _ 係 取 沿 蕃 4ear m 1 A 圖 中 B ~ Β 鑲 之 ^. 再 填 寫 本 农 片 段 横 切 面 正 視 式 描 蝓 之 習 知 動 態 隨 通 髑 存 取 記 憶 元 件0 頁 1 I 如 第 1 A及 1B nan 9B 中 之 所 fro 鑰 習 知 動 鰾 _ m 存 取 記 憶 元 1 1 件 係 形 成 於 一 P 型 半 導 m 基 體 I 之 上 場 氧 化 物 臟 係 壤 1 I 擇 性 地 形 成 於 此 P 型 半 導 體 基 1 之 上 界 定 記 懷 體 1 訂 單 元 形 成 於 其 上 之 記 憶 MM IB 單 元 區 其 含 有 M0S 場 效 電 θ m 1 體 及 __. 儲 存 電 容 器 > 一 閛 極 氧 化 物 膜 4 被 形 成 於 此 Ρ 型 1 I 半 導 體 基 體 1 之 — 表 面 上 > 許 多 字 元 m 被 相 互 平 行 m 置 1 | f 其 中 字 元 線 延 伸 於 整 儷 記 憶 m 單 元 區 及 場 親 化 物 m 2 1 9 定 位 於 此 整 個 記 憶 體 騍 元 區 之 予 元 線 當 作 閘 極 電 極 3 I » η Η h型源極/汲極區1 S與1 D被龌揮性地Μ - -配向技術 1 使 用 閘 Her m 電 極 3 與 場 氣 化 物 膜 2 為 墟 單 而 形 成 在 Ρ 型 半 1 1 導 體 基 體 1 之 上 方 區 之 中 9 — 内 SS m 絕 緣 物 5 整 個 地 形 成 1 I 在 閘 極 £t=X m 化 物 膜 4 t 場 氧 化 物 膜 2 及 m 極 雷 權 3 上 方 » 1 1 f 一 接 觸 孔 9 形 成 於 内 蹰 絕 緣 物 5 内 且 被 置 於 η Η h型汲極 1 區 1 D上 方 1 一 儲 存 電 權 6 被 選 揮 性 地 形 成 其 延 伸 於 接 臟 脚 ί 1 孔 9 之 内 且 圃 繞 著 接 觸 孔 9 在 内 曆 絕 緣 物 5 上 方 使 得 儲 1 1 ~ 2 1 1 1 1 九張尺度逋用中國鬮家橾窣（CNS>A4規格（210X297公釐） \ \ \ 經濟部中央標準局負工消费合作社印袈 A7 __._B7 五、發明説明（2 ) 存，極6被作成接觸於η —型後極區1D, —電容性霜介 質膜7被選擇性地配置於儲存爾極6之頂部表面及側壁 上，一電容性電極8被整個地肜成在電容性電介質臢7 上方Μ及在内曆絕緣物5上方，接觸孔15形成於場氧化 物膜2上方，數位線14相互平行配置但垂廬於字元線3 ，此數位線14經由接觸孔15連接於ti+型源極區1S，_ 存霜容器包含儲存電極6 ,電容性電介質膜7及爾容性 電極8 。 數位信號傳輪於數位線14之上，此數位線14係連接於 n +型源極區1S,且此敝位信號然後被傳輸至n +型源極 區1S。若閘極電極3接收一高準位信號，則MOS場效電 晶體係於導通（Ο N )狀態，結果，此數位信號自η +型源 極區1S傅輸至η +型汲極區1D其係經由接觸孔9而壤接 於儲存電極6 ,然後，此數位信虢傅輸至儲存電槿，緒 此，.完成寫入作業。之後，一低準位信號施加閘槿電極 3 Μ闞閉（OFF) MOS場效電晶讎而_存餳壓於數位倍號 上之資訊於電容器上，儲存數位資料之儲存時間係由儲 存電容器之特性所界定，結果，需要每100ms (毫秒）執 行頻繁之寫人作業以保持資料。 \/ 此種賁料之短黼存時間之原因像儲存於鼸存電懾6中 之電荷經由n +型汲極S1D漏電至η型源極區或至半導 體基龌1 Κ及另一種之電荷經由電容性電介質膜7至電 容性電極8之漏電，上述漏電之原因像基於是否高準位 敝位信號被儲存於儲存電極6之中時，ρ型半導髅基體 紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規惠（210 Χ297公釐） ----------1' '衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 307906 經濟部中央標準局貞工消費合作社印袈 A7 B7五、發明説明（5 ) 1與汲極區1D間之p-n接面被施加Μ肜,—電5 5 之反向偏壓，是 tt m I————1·1*1**——ww*l—>w—>Μ,"*ί*> ι*Ιι<ι>|ΒΙ|ΒΒΙ 1111IW>' 不良可由當場氧化物膜2形成峙所施加之應力所形成， 或是苔此空間電荷區擴大至界面狀戆。進一步地，若電 容性電介質膜7具有一薄的部分,一隧遒可經由電容性 電介質膜7之薄的部分流入於電容性爾極8之中。 如上述，資料之儲存時間係由漏電流及所黼存之電容 量而界定，此意謂大容量之儲存爾容器允許儲存電容器 擁有長的資料黼存時間，而為確保一大容最之儲存電容 器，大面積之電容性電介質膜7是必須的。 另一方面，降低動態嫌機存取記憶元件尺寸之需求與 日俱增，此意謂降低記憶體單元之尺寸亦係必要•即， 減少儲存電容器面積也是需要的，而酋考慮到減少餹存 電容器面横亦饜必要時，則存在有某種限_於儲存電容 器中儲存時間之增加，進一步地，降低記憶赖單元尺寸 會造成內部電場之增加*此缯加之電場會導致漏甯可能 性之增加，結果•降低尺寸會造成資料儲存時間縮短。 為解決上述爭議，提出有其他記憶醱單元結構設計用 以滅少漏電之或然率以保持足夠畏的資料齡存時間於記 憶髏單元中而使資料頻繁之再寫入作菜通期變掻。配置 於随機存取記憶元件中之其他記憶驩犟元结構將參照第 及2B圖說明於下文中，第2/\画像一片段平面圈|式描鑰 其他習知之配置於罐懺存取記馕元件之紀馏鱅單元结構 ，第2B_係一片段横切正面麵式描繪其他之配置於維櫬 一 5 — (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) .I ——— — — I γ 装— I 訂

J Λ 紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公t ) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製、/' 五、 發明説明 ) 1 1 存 取 記 德 元 件 之 IP 9u 餾 黼 單 元 m 構 9 取 沿 2 A 中 之 C- C 1 1 線 〇 1 1 此 其 他 之 習 知 記 镰 m 單 元 具 有 矽 於 絶 鏵 物 上 之 鍵 觀 構 > ^— 請 1 場 化 先 1 氧 物 腰 2 被 猜 XBS 揮 性 地 形 成 於 Ρ 型 半 導 讎 基 _ 1 之 閲 讀 1 表 面 上 以 界 定 一 由 場 氧 化 物 膜 2 所 圃 繞 之 記 嫌 龌 ear 單 元 區 背 ώ 1 | 之 1 域 » —. 絶 嫌 膜 10被 形 成 於 此 P 型 半 導 黼 基 醸 1 之 記 釁 龌 注 意 1 匾 域 之 上 9 多 晶 矽 瞻 11 形 成 於 絶 錄 膜 1 0上 方 « 閾 極 1 項 1 氣 化 物 膜 形 成 於 多 晶 矽 膜 1 1上 方 » - 闞 極 電 極 3 » 擇 性 再— % 本 裝 地 形 成 於 此 闞 極 氣 化 物 膜 上 方 • __* η 型 雜 霣 之 離 檀 入 頁 1 I 法 被 以 白 行 配 向 之 技 術 使 用 m 極 電 播 3 3& Ttw 露 單 而 麯 ΤΓ% 行 植 1 1 入 於 多 的 矽 膜 1 1 之 中 以 形 成 η " 型源榷與汲極區1 1 S 與 1 I 11 D f 結 果 1 此 多 晶 矽 膜 11 包 含 η Η 型源櫥輿汲極匾1 1 S 1 訂 與 1 1D 及 —** 通 道 疆 於 闞 極 氣 化 物 膜 下 方 且 於 η h型源極 1 與 汲 極 匾 11 S 與 11 D 之 間 —> 内 層 /Α 絶 線 物 5 被 整 鲴 地 形 1 | 成 於 η h型源極與汲極匾1 1 S 與1 1 D 閹極電極3 及場 1 I 氣 化 物 膜 2 上 方 9 —* 電 容 性 樓 觴 孔 9 形 成 於 内 層 絶 » 物 1 1 5 中 且 定 位 於 η Η h型汲極匾1 1 D 上方， -儲存電槿6 被 線 I 選 擇 '性 地 形 成 其 延 伸 於 接 觸 孔 9 之 中 且 在 内 層 絶 緣 物 5上 1 1 1 方 圈 繞 著 接 觸 孔 9 使 得 餹 存 電 媒 懦 6 被 作 成 輿 η Η ^型汲極 1 1 區 1 1 D 接 觴 9 一 霣 容 性 電 介 質 願 7 被 龌 揮 性 地 配 置 於 鑪 1 1 存 爾 極 6 之 頂 部 表 面 斑 侧 壁 上 * 電 容 性 電 極 8 被 整 館 1 1 地 形 成 在 霉 容 性 爾 介 質 膜 7 及 内 &BC πΛ 絶 絲 物 5 上 方 ， 接 觸 1 1 孔 1 5形 成 於 塲 氣 化 物 鼸 07% 2 上 方 * 數 位 線 14被 相 互 平 行 配 1 I 置 但 垂 直 於 字 元 線 作 為 m 極 -6 霉 極 3 • 數 位 線 1 4透 過 接 觸 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中躪國家標奉（CNS ) A4规格（2i〇X2t7公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 孔15埋接於n+型頫極區11S ,儲存電容器包含脯存電 極6 ,電容性電介質膜7及電容性電極8 。 數位信號被傳_於數位線14之上，此黻位線係纏接於 n +型源極區US ,然後數位信號被傅_至11+型源極區1 1 S 。若閘極電極3接收一高準位信號，則場效電晶鼸於導 通（ON)狀態，結果，數位信號透過通道區自n +型源極 區11S傳輸至n +型汲極區11D ,此n +型汲極區11D係 透過接觸孔9缠接於儲存電極6 。然後，此敝位信虢被 傅輸至儲存電極6 ,藉此完成寫入作業。之後，一低準 位信號被施加於閘極電極3而鼷閉（OFF)場效電晶艘以 儲存偏壓於電容器中數位信號上之賁訊。儲存數位賁料 之儲存時間係由儲存罨容器之特性所界定•如上述，縮 短資料儲存時間之原因之一係漏罨流自汲極區11D至p 型半導髓基體1 ,於此矽於絕緣物上之記懞騸單元結構 中，薄氧化物膜1 〇隔離汲極區UD S$p型半 w·*··.，-:'. -. I I. ή|. Ί it ιίΙΜί I IT.r Ί 1ί.·|ιι-|| >.ιπηιΜπΓ>ΤΙ 'Ί ί~π"'' ιιι ι jiiilb ι ιιη - ，基於此因，此薄氧化物膜10肪止任何之漏電流自汲極 Ι·_·_(_«Ιί···Ι·βΜΜΜ·Ιβ·βΜΐί·ι«» 嫌 味 Λ«物肌 wl触办》‘㈣物珣 修 ㈣抓 .. 區1 ID至P型半導體基髏1 , 憶體單元之電容器具有一增大之賁料縣存時間。 進一步地，即使少數載雅由雜訊或轜射而注入於半導 髓基體1之中，此薄氧化物膜可防止儲存於汲極區1 1 D 中之多數載體由具有相反極性於此所黼存之多數載睡之 少數載體所中和，也就是說，防止多數載黼由少敝載髓 中和専致防止鼸存於儲存電容器中賁料之破壊，輻此， 可防止任何软體錯誤。 ~ 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ------：--^ ^------ΐτ------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 307906 A7 B7 經濟部中央橾隼局貝工消费合作社印製 五、發明説明（ b ) 1 1 然· 而 > 上 述 矽 於 絕 緣 物 上 之 紀 镛 AS 麗 單 元 結 m _ 係 著 下 1 1 列 問 題 〇 如 上 述， 騵 極 職 汲 極 匾 11 S 與 11 D 形 成 於 多 晶 1 1 矽 m 11之 上 • 基 於 此 因 » Μ 1.....Μ.....Μ......Μ......Φ 之特性會 〆—N 请 1 I 先 1 劣 化 » 也 躭 是 說 1 當 m 極 電 權 3 於 低 準 位 畤 9 —. its» m 電 之 閲 讀 1 1 汲 極 電 流 可 流 經 閘 極 電 極 3 下 方 之 通 遒 匾 至 源 極 區 » 此 背 面 1 I 之 1 I 漏 電 之 汲 極 電 流 使 游 頁 料 之 齡 存 StL· m 間 讎 短 • JUL 此 漏 電 之 汲 '/主 I 1 |· 欏 電 流 可 由 許 多 界 面 狀 戆 所 導 致 * 亦 即 » 多 _ m 矽 具 有 事 項 1 I 膜 間 界 與 再 ά 許 多 晶 粒 使 多 晶 矽 m 與 氧 化 物 之 面 少 化 » 此 係 5Γ 禽 本 政 I 笛 形 成 BB 晶 矽 膜 Μ 取 代 多 晶 矽 瞋 時 之 比 較 〇 含 於 多 晶 矽 賁 1 I 中 之 晶 粒 由 於 受 成 長 多 晶 矽 時 之 成 TK 溫 度 之 大 m 響 而 具 1 1 1 有 不 同 之 大 小 9 而 含 於 多 晶 矽 m «5*5 中 不 同 大 小 之 晶 粒 導 致 1 1 電 晶 體 特 性 中 相 眷 m 大 的 變 化 9 雖 被 提 出 有 fr 多 晶 矽 膜 成 1 訂 長 後 由 爾 射 退 火 予 Μ 執 行 多 晶 矽 之 再 結 晶 化 * 但 無 法 獲 1 得 滿 意 之 結 果 0 1 1 再 者 t 如 第 1 A與 1Β_中所描鎗 之 記 镛 龌 軍 元 中 » 該 半 1 I 導 臞 基 臞 被 偏 壓 使 得 半 導 黼 體 之 霉 位 呈 負 值 Μ 改 善 副 1 1 i 臨 限 值 之 特 性 及 抑 制 .♦iaa m 電 流 0 然 •-T-T 翻 f 如 第2A與2B_ 中 所 描 繪 之 記 憶 黼 單 元 中 9 該 半 嫌 鐮 基 體 係 由 氧 化 物 it m 雛 国 1 | 白 多 晶 矽 膜 之 汲 極 ΙΗΓ mm t 基 於 此 因 Ϊ 係 無 法 •tel»? 職 加 編 we 鼷 於 基 1 | 體 及 改 善 副 臨 限 值 之 jtgb TO 性 〇 1 I 假 設 U 存 電 容 器 之 容值為25 fF及賨料 Μ 3V之電壓寫 入 1 1 | 9 且 進 一 步 地 當 儲 存 載 體 被 減 半 時 y 錯 誤 會· 發 生 > 為 了 1 _丨 確 保 10秒 之 m 存 峙 間 » 最 大 之 漏 電 流 係 取 得 如 下 » I Ic r = (3 X 25/2)/10 =3 . 8fA «1 I "ί 一 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Μ规格（2丨0X297公釐》 A?

BT 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 五、發明说明（ 7 ) 1 1 於 上 述 情 況 中 » 4^8 ΓΠΤ 要 礙 展 —* 種MOS 場效電晶黼 於 記 憶 1 1 體 單 元 之 结 構 中 用 於 m II 鳙 機 存 取 記 憶 元 件 > 其 中 MOS 1 1 場 效 電 晶 體 具 有 —. 纽 Τ5Ε 结 m 墉 用 於 ㈣ 少 凝 爾 爾 流 两 擁 有 長 的 請 ! 先 1 賣 料 儲 存 時 間 Μ 及 可 防 止 軟 髓 錯 誤 0 閲 讀 1 明 背 1 §L 概 ϋ_ 面 1 之 1 因 此 9 本 發 明 之 巨 的 在 於 提 供 · 種 改 良 之 MOS 場 效 箱 注 意 1 事 晶 體 包 含 於 動 態 随 m 存 取 記 愤 元 件 之 紀 惯 鰌 輩 元 中 1 其 項 1 再 >1 中 該MOS 場 效 晶 級 應 具 有 一 種 使 上 述 問 覼 雛 m 抑 制 之 结 寫 本 構 Ο 頁 1 1 本 發 明 之 另 . S 的 在 於 提 供 m T* 改 段 之 MOS 塌 效 電 晶 1 髓 包含於動態随櫬存 取 慷 元 件 之 記 憶 髑 雜 .稱 元 中 « 其 中 1 1 該 MOS 場 效 電 晶 體 具 有 一—4 进 TS 墉 用 於 減 少 漏 猶 流 之 結 構 0 1 訂 本 發 明 之 又 一 0 的 在 於 提 供 -*'* 棰 改 良 之 MOS 場 效 電 晶 1 體 包 含 於 動 態 隨 機 存 取 記 憶 元 件 之 記 Μ 懂 醴 犟 元 中 * 其 中 1 1 該 MOS 場 效 電 晶 體 具 有 进 1® 缠 用 於 使 癱 料 之 m 存 峙 間 變 1 1 長 之 结 構 0 1 1 本 發 明 之 再 —* 巨 的 在 於 提 供 m 裡 改 良 之 MOS 場 效 電 晶 Γ 體 包 含 於 動 態 随 機 存 取 記 憶 元 件 之 記 憶 觸 單 元 中 » 其 中 1 | 該 MOS 場 效 晶 體 具 有 裡 缠 用 於 防 止 软 覼 錯 誤 之 結 櫞。 1 1 本 發 明 之 又 再 —> 百 的 在 於 提 供 — 艟 银 改 良 之 SQL· m 態 鼸 雜 m 存 1 | 取 記 憶 元 件 中 之 記 憶 髄 犟 元 » 其 具 有 種 可 抑 制 上 述 問 1 1 題 之 结 構 〇 1 1 本 發 明 之 仍 . 百 的 在 於 提 供 * 雄 飄 改 良 之 _ 鐮 鳙 繼 存 取 I 記 憶 元 件 中 之 記 憧 體 單 元 t 其 具 有 -—. 種 labs 想 田 /tl 於 滅 少 漏 I -S - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4規格（2丨OX297公釐） A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印氧 五、發明説明（8 ) 1 1 流 結 構 0 1 1 本 發 明 之 仍 再 S 的 在 於 ♦W 從 供 - 級 改 良 之 m m 維 饑 存 1 1 取 記 憶 元 件 中 之 記 Μ 18 艚 單 元 其 具 有 -一 雄 1S 遺 用 於 使 窗 興 料 -V 請 1 先 1 之 儲 存 時 間 變 畏 之 結 嫌 〇 閱 讀 1 本 發 明 之 又 再 -- 百 的 在 於 提 供 —» fas 權 改 良 之 SAI. m 態 鼸 繡 Jm 存 背 面 1 | 之 1 取 記 憶 元 件 中 之 記 慷 釅 單 元 • 其 目 有 jnj 種 壤 m rt$ 於 防 止 軟 >王 意 1 體 錯 誤 之 結 構 〇 事 項 1 I 本 發 明 之 另 一 百 的 在 於 提 供 ，.一 雄 饿 新 麵 網 方 法 » 用 Μ 製 作 再 填 寫 装 種 改 良 之 舍 於 動 態 随 櫬 存 取 記 Ι-Φτ- 憶 元 件 之 記 懂 體 軍 元 中 頁 s^· 1 I 之 MOS 場 效 電 晶 髓 » 其 中 該 MOS 壜 效 電 晶 || 1» 麗 Μ 有 種 可 1 1 抑 制 上 述 問 題 之 结 構 〇 1 1 本 發 明 之 又 另 一 百 的 在 於 提 供 黼 新 潁 方 法 * m Π1 Μ 製 1 訂 作 —. 種 改 良 之 含 於 動 態 随 機 存 取 (Mu 憶 元 件 之 記 懷 體 蘭 ^a. 元 1 中 之 MOS 場 效 電 晶 體 1 其 中 該 M0S 場 效 电 晶 «a 照 具 -^r 7¾ - 雄 徑 1 I 適 用 於 減 少 -»ϋ« m 曜 流 之 结 構 〇 1 本 發 明 之 又 另 一 目 的 在 於 提 供 …* 覆 新 SIS 網 方 法 t rr-ι 用 以 m 1 作 一 種 改 良 之 含 於 ffil. 動 態 鳙 機 存 取 記 憶 元 件 之 記 爝 腰 犟 元 % | 中 之 MOS 塲 效 電 晶 艚 ♦ 其 中 該 M0S 場 效 爾 晶 驩 具 有 ~~* 種 1 I 適 用 於 使 賁 料 之 黼 存 時 間 變 長 之 结 構 0 1 1 本 發 明 之 又 另 一 百 的 在 於 提 供 -一 補 種 新 m 方 法 » 用 Μ 製 1 I 作 一 種 改 良 之 含 於 _ 態 随 髑 存 取 記 憧 1羅 元 件 之 記 慵 髓 顆 單 元 1 I 中 之 MOS 場 效 晶 體 其 中 該 M0S m 效 電 晶 黼 具 有 —„. 種 1 1 缠 用 於 防 止 軟 體 錯 誤 之 結 構 0 1 I 本 發 明 之 再 — 巨 的 在 於 提 供 一 種 新 顥 方 法 > 用 Μ m 作 1 - 1 0- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家糠奉（CNS > A4规格< 210X297公釐） A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（9 ) 1 1 一 種 改 良 之 動 態 随 櫬 存 取 記 憧 元 件 中 之 記 慵 鐮 軍 元 > 其 1 1 具 有 — 雄 T® 可 抑 制 上 述 問 鼸 之 结 嫌 〇 1 1 本 發 明 之 又 再 a 的 在 於 提 供 雄 懦 新 潁 方 法 1 爾 /TI 製 /-~N 請 1 先 1 作 . 裡 改 良 之 動 態 随 機 存 取 記 憶 元 件 中 之 記 憶 體 隳 元 * 閲 讀 1 其 具 有 一 種 遘 用 於 滅 少 漏 电 流 之 結 構 ΤΠΓ Ο 背 Λ 1 | 之 1 本 發 明 之 又 再 目 的 在 於 提 供 ’一 種 斬 穎 方 法 > 用 以 製 注 $ 1 I 作 . 種 改 良 之 動 態 嫌 機 存 取 記 AM m 元 件 中 之 紀 懺 體 犟 元 I ψ 項 1 I 其 具 有 一 種 適 用 於 使 賁 料 之 儲 存 時 間 變 畏 之 結 梅 0 再 填 寫 本 本 發 明 之 仍 再 — 巨 的 在 於 提 供 -一 種 新 穎 方 法 » 用 Μ 製 頁 Ν_ 1 I 作 一 種 改 良 之 動 態 m 機 存 取 記 慵 元 件 中 之 記 慵 體 顆 元 » 1 1 其 具 有 一 種 逋 用 於 防 止 軟 體 錯 誤 之 結 構 〇 1 | 本 發 明 之 上 述 及 其 他 目 的 特 點 及 優 黏 將 從 下 列 說 明 1 訂 而 呈 明 顯 〇 1 本 發 明 提 供 一 種 場 效 爾 晶 臞 S 包 括 下 列 元 件 : __ 絕 緣 1 I 膜 配 置 於 一 半 導 體 基 體 上 » 該 m 綠 勝 具 有 ―― 開 P 疋 位 於 1 | 半 m 體 基 體 之 —· 預 定 區 之 上 t —一 第 ——* 多 晶 矽 黼 m 置 於 m Jr 緣 膜 上 方 # 一 第 二 多 晶 矽 膜 配 » JSSL 接 觸 於 第 —-^ 多 晶 矽 膜 ♦ I 此 第 二 多 晶 矽 膜 延 伸 於 絕 緣 膜 關 □ 之 内 壁 上 且 在 半 導 髓 1 I 基 髖 之 預 定 區 之 週 邊 部 分 上 方 1 使 得 第 多 晶 矽 m 經 1 1 由 第 二 多 晶 矽 膜 連 接 於 半 導 體 基 mm 麗 之 預 定 區 中 之 遇 邊 部 1 I 分 —. 閘 極 絕 緣 m 被 選 m 性 地 配 置 延 伸 於 除 iflg m 邊 部 分 上 1 1 之 外 之 半 導 醱 基 體 之 預 定 區 之 ^上 且 進 步 地 延 伸 在 第 1 二 多 晶 矽 膜 之 上 及 ___· 部 分 圈 繞 第 ..一 多 晶 矽 m 之 第 多 晶 1 I 矽 膜 之 上 * __. 閘 極 電 極 配 BBA 罝 於 # Μ 極 麵 緣 膜 之 上 K 界 定 -· 1 1 -1 1 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（1C ) 1 1 合 成. 通 埴 區 於 閘 極 絕 緣 _ 下 方 t 使 得 此 合 成 通 道 匾 經 由 1 1 第 一 與 第 二 多 晶 矽 膜 延 伸 於 W 極 緬 緣 臌 下 方 及 經 由 半 導 1 1 體 基 鱺 延 伸 於 m 極 絕 緣 m 下 方 源 極 臟 3* s 汲 槿 區 選 揮 性 地 請 1 先 1 配 置 於 第 多 晶 矽 膜 之 中 除 了 在 閑 極 m 緣 顏 下 方 之 外 » 閲 讀 1 使 得 源 極 與 汲 極 區 經 由 合 成 通 織 區 而 接 觸 〇 背 t6 1 I 之 1 本 發 明 亦 提 供 種 記 慷 髓 單 元 結 構 » 包 插 .下 列 元 件 : 注 | 1 __. 場 氣 化 物 膜 被 龌 擇 性 地 形 成 於 半 導 黼 基 m 上 Μ 界 定 半 举 項 1 I 導 體 基 臞 之 記 憶 腰 犟 元 區 $ 絕 緣 m 配 鞭 曜. 於 半 導 體 基 再 填 % 本 體 之 記 憶 體 單 元 區 之 上 » 其 中 該 絕 緣 臟 具 有 . 開 口 定 位 頁 1 I 於 半 導 體 基 體 之 記 憶 髓 單 元 區 中 之 -一 預 定 區 之 上 $ 第 1 1 一 多 晶 矽 膜 配 於 m 緣 m 上 方 1 -一 第 -一 多 晶 矽 膜 配 置 接 1 1 _ 於 第 __. 多 晶 矽 膜 ， 而 延 伸 於 涵 緣 _ 關 P 之 内 壁 上 且 在 1 訂 半 導 體 基 體 之 預 定 區 之 通 邊 部 分 上 方 * 使 得 Μ —- 多 晶 1 矽 膜 經 由 第 二 多 晶 矽 膜 連 接 於 半 導 體 基 黼 之 預 定 區 中 之 1 | 週 邊 部 分 » -~* 閘 極 涵 緣 m 被 邐 揮 性 地 配 置 延 伸 於 除 4ΓΒ 週 邊 1 1 部 分 上 之 外 之 半 導 體 基 髓 之 « 定 區 之 上 t 且 進 步 地 延 1 伸 在 第 二 多 晶 矽 膜 之 上 及 — 部 分 園 繞 第 二 多 晶 矽 m 之 第 Sr 1 — 多 晶 矽 膜 之 上 » . 閘 極 電 m 配 置 於 m 極 m 緣 膜 之 上 Μ 1 1 界 定 一 合 成 通 道 區 於 m 極 絕 緣 膜 之 下 方 » 使 得 此 合 成 通 1 1 道 區 經 由 第 一 與 第 二 多 晶 矽 鼸 延 伸 於 m 極 絕 緣 膜 下 方 及 1 1 經 由 半 導 體 基 體 延 伸 於 閘 極 絕 緣 膜 下 方 源 極 與 汲 極 區 1 1 I 選 擇 性 配 置 於 第 - 多 晶 矽 膜 之 中 除 了 在 關 極 絕 緣 膜 下 1 1 方 之 外 $ 使 得 源 極 與 汲 極 區 經 由 合 成 通 道 區 而 接 觸 —„- Ί I 内 曆 絕 緣 物 配 置 於 場 氧 化 物 膜 源 極 與 汲 極 區 及 閛 極 電 1 -1 2 ~ 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家樣準（CNS ) A4规格（210X297*# ) ^07906 A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（ 11 ) 1 1 極 上 方 » 其 中 此 内 爾 m 緣 物 具 有 接 am HSB 孔 定 位 於 汲 極 區 1 1 上 方 1 一 儲 存 爾 極 被 壤 揮 性 地 配 置 » 其 延 伸 於 内 曆 函 緣 1 I 物 上 方 _ 繞 著 接 觸 孔 旦 延 伸 於 接 _ 孔 之 内 > 使 得 黼 存 電 請 1 極 被 作 成 接 觸 於 汲 極 區 t 電 容 性 電 介 質 膜 延 伸 於 餹 存 先 閲 1 I 讀 1 I 電 極 上 方 及 在 儲 存 電 極 之 側 壁 上 * — 電 容 性 電 極 被 m 置 背 $1 1 I 之 1 於 至 少 在 電 容 性 電 介 質 膜 之 整 m 區 之 上 〇 注 意 1 同 時 本 發 明 提 供 種 製 作 場 效 電 晶 髓 之 方 法 包 括 事 項 1 I 下 列 步 驟 * 一 絕 緣 膜 形 成 半 導 黼 基 髓 之 上 ί 第 —_- 多 再 填 寫 本 1 装 晶 矽 膜 形 成 於 絕 緣 膜 上 方 * —. 闢 D 形 成 於 Μ 緣 膜 與 第 —. 頁 1 I 多 晶 矽 膜 之 中 * 使 得 半 導 體 基 MM 賵 之 預 定 區 被 暴 鱈 於 此 1 1 開 □ * 一 第 二 多 晶 矽 膜 被 選 揮 «.1- 性 地 形 成 9 其 係 與 第 —- 多 1 I 晶 矽 膜 接 觸 且 延 伸 於 絕 緣 膜 開 P 之 内 壁 上 及 延 伸 於 半 導 1 訂 體 基 體 之 預 定 區 之 __- 通 邊 部 分 之 上 方 i 使 得 第 ―一 多 晶 矽 1 膜 經 由 第 二 多 晶 矽 膜 而 連 接 於 半 導 艚 基 體 之 預 定 區 中 之 1 1 通 邊 部 分 ___. 閘 極 絕 緣 膜 被 龌 擇 性 地 形 成 » 其 延 伸 於 半 1 1 I 導 體 基 體 之 預 定 區 > 上 除 了 週 逢 部 分 上 之 外 且 進 .一 步 1 延 伸 於 第 二 多 晶 矽 膜 之 上 及 _- 都 分 鼷 繞 第 多 晶 矽 膜 之 I 第 一 多 晶 矽 膜 之 上 » __. 閘 is： 播 電 極 形 成 於 m 極 絕 緣 _ 之 上 1 1 Μ 界 定 一 合 成 通 道 區 於 閛 極 絕 緣 顏 下 方 t 使 得 此 合 成 通 1 1 道 l^r 延 伸 經 由 第 —-- 與 第 ：- 多 晶 矽 顏 於 蘭 極 鰯 緣 m 下 方 及 1 I 經 由 半 導 體 基 醴 在 m 極 絕 緣 膜 方 1 源 極 與 汲 is： 播 區 被 選 1 1 擇 性 地 形 成 於 第 一 多 晶 矽 膜 之 中 除 了 Μ 極 m 緣 膜 下 方 之 1 外 » 使 得 源 極 與 汲 極 區 經 由 此 C3 成 通 道 區 而 壤 接 〇 1 1 本 發 明 亦 提 供 __. 種 製 作 記 憶 mm 鱺 m 元 之 方 法 包 括 r 列 1 -1 3 ~ 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐> ”晒丨·" **"**Γ*Τ¥1Π—————————I—1—·—·——mmi—mriiiT irTiiiininM~~'TiT~^rnjrii ·τπτππ'ηιιπιιΐΓΐι·η·ι·ΜηιιΐιιΐιιηιΐΒηιΐιιιι>ΐί·ι·ΐΜ··ι·ι·ιιιΐΜ··ΜΐΜΐιιιιΐιΐ·ι·ΐίΐ···ιιι·ιι···Μ····ιι··ι·ιι麵"min .......... A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（I2 ) 1 1 步 m ： 一 場 氧 化 物 黼 與 一 氧 化 物 m 儎 m 揮 性 地 形 成 在 半 1 1 導 體 基 黼 之 上 Μ 界 定 一 半 導 體 基 黼 之 記 憶 黼 軍 元 Εί CSK —* 1 1 第 一 多 晶 矽 膜 被 形 成 在 鰯 AM. 嫌 m 上 方 • —- 關 口 形 成 於 絕 AJL· 縑 請 先 1 1 瞋 與 第 -* 多 晶 矽 m 之 中 9 使 得 半 辱 黼 基 髑 之 預 定 匾 暴 閲 讀 1 露 於 此 開 Π S —- 第 二 多 晶 矽 m aCfK 被 環 揮 性 地 形 成 為 接 ium 觸 於 背 面 之 1 1 1 第 一 多 晶 矽 m 及 延 伸 於 此 絕 緣 顧 開 P 之 内 壁 上 與 延 伸 於 注 | 1 半 導 體 基 驩 之 預 定 區 之 - m 邊 部 分 上 方 i 使 得 第 多 晶 Ψ 項 再 1 1 矽 膜 經 由 爾 二 多 晶 矽 m 達 说 m 於 半 導 讎 基 讎 之 3M. m 定 騷 中 之 § % 本 :叫3 通 邊 部 分 __. 閘 極 絕 緣 膜 被 m 揮 性 地 形 成 » 其 延 伸 於 半 頁 1 I 導 體 基 體 之 預 定 區 上 除 了 通 邊 鄯 分 上 之 外 t 且 進 步 延 1 1 伸 於 第 二 多 晶 矽 之 上 及 延 伸 於 — 部 分 C3BI _ m 多 晶 矽 m 1 1 之 第 一 多 晶 矽 膜 之 上 ; 閘 極 m. 極 形 成 於 Μ 檷 絕 緣 膜 之 1 訂 上 Μ 界 定 ___‘ 合 成 通 遒 區 於 閘 極 緬 緣 H** 膜 下 方 * 使 得 此 成 1 通 道 IWW 經 由 第 —- 與 第 二 多 晶 矽 Μ*·* 顯 延 伸 於 m Μ 爾 m 緣 齡 _ 下 方 1 1 及 經 由 半 導 體 基 髑 延 伸 於 閛 4S： 讎 m 緣 m 下 方 » 源 極 與 汲 極 1 I 區 被 m 擇 性 地 形 成 於 第 —* 多 晶 矽 m WR 之 中 除 了 閛 極 讎 緣 膜 1 I 下 方 之 外 » 使 得 源 極 與 汲 極 匾 經 由 合 成 通 瓛 區 而 瓌 接 » 一 内層 絕 緣 物 形 成 於 場 氣 化 物 m 、 源 jSS IS 與 汲 極 區 及 W 極 1 1 電 *5： 懦 上 方 • 一 接 觸 孔 形 成 於 内 曆 鰯 緣 物 之 中 1 使 得 此 接 1 1 m 孔 被 定 位 於 汲 極 區 上 方 1 —. 儲 存 極 被 ^1 揮 性 地 形 成 1 I » 其 延 伸 在 内 S3 曆 絕 緣 物 上 方 tan _ 鐃 蕃 接 觸 孔 及 延 伸 於 接 _ 1 I 孔 之 内 使 得 儲 存 電 極 被 作 成 接 觸 於 汲 極 區 爾 容 性 1 1 電 介 質 膜 被 形 成 為 延 伸 在 鼸 存 霉 極 上 方 及 在 餹 存 電 極 之 I 側 壁 上 ! 電 容 性 電 4-C： 憧 被 形 * 1 成 4 ~ 至 少 在 此 爾 容 性 電 介 霣 豳 US"1? 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS>A4规格（2丨OX297公釐> 經濟部中央梯準局貞工消费合作-J4. Α7 Β7 五、發明説明（135 ) 之一整個區之上。 _式篛诚 根據本發明之較佳實施例將參照附圈詳細說明。 圖係一片段平面画示，描繪習知動戆謹機存取記 憶元件； 麵係一片段横切面正面画示，取沿第1Α_中之B-B 鎳描繪習知動戆存取記憶元件； ν^2Α_係一片段平面圈示，描繪另一習知之配置於赌 機f取記憶元件中之記憶黼單元之结構； ^28圈係一片段横切面正面麵示，取第2A画中之C-C 線描繪另一習知之配置於随機存取記憶元件中之記憶髑 單元之結構； V^3A圖係一 Η段横切面正面_示，描繪椹據本發明一 較佳實施例中之一種改良之動戆醣機存取記憶元件； \<養3Β圖係—1片段平面圏示.描繪根據本發明一 較佳實例中之一種動態随機存取記懷元件；Μ及 y ^ 4 A至4 Η圖係片段横切面正面圈示，描繪有黼一種用 於製作根據本發明一較佳實腌例中之改良動態隴櫬存取 記憶元件之方法之改良動態随機存取記憶元件。 較侔窗_例 根據本發明一較佳實施例將參照第3 Α與3Β圈及第4Α至 4H圃予Μ詳述，-記憶雅單元形成於- p型半導靄基髓 1之上；場氧化物膜2破選擇性地形成在ρ型半導體基 體1之上Κ界定ρ型半導體基體1之一記憶艘頭元區； -15- 適用中國國家樣嗥（CNS > Α4規格（210X297公釐） \___ _ .· ................... 4 装 訂 | (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 ) 1 1 —_. mMMM_m m 半 導 髓 華 黼 1 之 紀 镏 黼 犟 元 rsr QBL 上 1 1 方 •· 一 開 P 形 成 於 P 型 半 導 體 :基 髓 1 之 IP 憶 鱺 翬 元 ! 溫 中 1 1 之 一 預 定 區 上 之 絕 緣 膜 1 0之 中 > .一 第 —* 多 晶 矽 配 置 於 -N 請 1 先 1 絕 緣 膜 10上 方 除 了 開 P 上 方 之 外 : — 菊 二 m 緣 臌 腾 12被 選 閲 1 擇 性 地 配 置 於 P 型 半 導 體 基 牖 1 之 損 定 區 之 週 鼉 部 分 背 1 | 之 1 上 方 > 其 中 第 二 絕 緣 膜 接 turn 觸 於 絕 緣 m 10與 第 —- 多 晶 矽 注 意 1 膜 11 之 側 壁 ； 閛 極 絕 緣 m 4 被 選 揮 性 地 m W 延 伸 於 半 事 項 1 I 導 體 基 體 1 之 預 定 區 之 上 lyyy 除 了 其 -VtM 珊 邊 部 分 之 外 t 且 進 — 再 填 寫 本 1 装 步 地 延 伸 於 第 二 多 晶 矽 膜 12 之 上 及 —· 部 分 tau 醑 _ 弟 二 多 晶 頁 V_ 1 I 矽 膀 1 2 之 第 — 多 晶 矽 膜 11 之 上 * 閘 極 電 極 3 配 蕾 JSL 於 閛 1 1 極 絕 緣 膜 4 之 上 Μ 界 定 —-- 合 成 通 道 區 閘 懷 涵 AM. 緣 膜 下 方 1 I » 使 得 合 成 通 道 區 經 由 第 ---- 與 第 — 多 晶 矽 顔 11 與 1 2 延 伸 1 訂 於 閘 極 絕 緣 膜 4 下 方 及 經 由 半 導 體 基 體 1 延 伸 於 閛 jSS 權 絕 1 緣 膜 4 下 方 源 極 與 汲 極 區 1 1 S 與 11 D 被 m 擇 性 地 配 m 1 | 於 第 — 多 晶 矽 膜 11 之 中 ffA. 除 了 閘 *Ttr 機 絕 緣 _ 4 下 方 之 外 t 使 1 1 得 源 極 與 汲 極 區 11 S 與 11 D 經 由 含 成 通 遒 區 而 連 接 一 1 内 層 絕 緣 物 5 配 置 於 場 氧 化 物 膜 2 、 源 £5： m 與 汲 極 區 11 S Λ I 與 1 1D 及 閘 1» 電 fig: m 3 9 其 中 内 曆 絕 緣 物 5 具 有 . 接 觴 孔 1 1 1 定 位 於 汲 極 區 11 D 上 方 » 一 儲 存 電 極 6 被 邏 擇 性 地 配 置 1 1 ， 其 延 伸 於 内 層 絕 緣 物 5 上 方 画 繞 蕃 m 緣 孔 9 且 延 伸 於 1 I 絕 緣 孔 9 之 内 » 使 得 儲 存 電 極 被 作 成 接 m 於 汲 極 區 11 D 1 1 —- 電 容 性 電 介 霣 膜 7 延 伸 於 黼 存 電 極 8 上 方 且 延 rVSSm· 伸 在 1 1 儲 存 電 極 6 之 側 壁 上 1 —. 電 容 性 電 極 8 配 置 於 電 容 性 電 Ί I 介 質 膜 7 整 個 區 之 上 且 於 内 曆 絕 緣 物 5 上 方 接 觴 孔 15 1 -1 6 ~ 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國翮家標準（CNS〉A4规格（210X297公着） \ 307906 A7 B7_ 五、發明説明（15 ) 被形成於場氧化物臢2上方；歟位線14被彼此平行配置 惟垂直於字元線作為閛極電極3 ;數位線14經由接觸孔 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 15而埋接於n +型源極匾US ;儲存電容器包含黼存電 極6 、電容性電介質膜7及電容性霄極8 。 一多晶矽膜11經由第二多晶矽膜12連接於p型半導 體基體1 ;而場效電晶體之通道區經由第一與第二多晶 矽膜11與12延伸於閘極絕緣膜4之下方及經由半導體基 體1延伸於閘極絕緣膜4之下方。此意謂上朮場效電晶 體可視為一合成電晶驩含有一多晶矽場效電晶體與一 M0S 場效電晶體之串聯連接，上述合成電晶臞具有多晶矽場 效電晶體與M0S場效罨晶體兩者之優點，而此多晶矽場 效電晶體與M0S場效電晶體之缺點則彼此相互補償，亦 即，汲極區11D係形成於定位在氧化物膜10上方之第一 多晶矽膜1 1之上方區之中，而汲極區H D則經由第二多 晶矽膜12連接於ρ型半導體基黼1 。只要Μ極電極3之 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 電位在低準位，則無電流之通道形成於汲極區UD與基 艚1之間，所Μ,當閘極電極3具有一低準位電位，則 沒有漏電流自汲極區11 D流經第二多晶矽_丨2至基體1 ，此意謂可防止儲存於汲極電極1 1 D之電荷經由第一與 第二多晶矽膜1 1與1 2漏電至基體1 ,此種防止漏電流自 汲極區11D至基體1允許黼存電容器擁有一足夠畏之資 料儲存時間。多晶矽膜11被分艫自毗邮之記憶體單元， 基於此因，沒有漏電流出現於毗鄰之兩記憶糴單元之間 ,而隔離第一多晶矽縝11與半導艚基艚1之氣化物膜之 -17- 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4规格（2丨0X297公釐） Λ7 »7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（16 ) 1 1 存 可 防 止 軟 牖 鍇 誤 產 生 I 即 使 少 數 載 體 由 雑 訊 或 轜 射 1 1 而 被 注 入 於 半 導 鱅 基 體 1 之 中 〇 1 1 即 使 漏 流 由 於 多 晶 矽 場 效 電 显 纖 龌 區 之 少 化 之 豳 臨 限 請 1 先 1 特 性 而 流 經 第 與 第 二 多 晶 矽 鼸 ST< 11 與 12 > 此 m wm 電 流 可 因 閱 讀 1 沒 有 通 道 區 於 MOS 場 效 電 晶 髑 内 而 被 截 止 〇 源 極 繼 汲 極 背 ί} 1 之 1 區 11 S 與 11 D 經 由 第 — 與 第 二1 多 晶 矽 _ 11 齙 興 12 埋 接 於 半 注 $ 1 導 體 基 體 1 t 基 於 此 因 » 可 加 一 反 向 偏 艇 於 半 導 體 基 拳 項 1 I 體 1 I 此 反 向 偏 壓 之 豳 加 可 改 W M0S 場 效 電 晶 髑 匾 之 副 再 填 本 装 臨 限 特 性 1 但 仍 很 難 Μ 滅 少 多 晶 δ夕 場 效 電 晶 髏 區 之 副 臨 頁 1 I 限 特 性 中 之 變 化 > 因 為 MOS 場 效 電 晶 醴 可 視 為 被 串 聯 連 1 1 接 於 多 晶 矽 場 效 電 晶 體 區 > 若 臨 限 鼋 位 Vth 被 設 定 足 夠 1 I 低 於 MOS 場 效 電 晶 體 區 * 則 此 合 成 場 效 電 晶 髓 之 臨 限 電 1 訂 壓 係 實 貝 地 由 MOS 埸 效 電 晶 體 :區 之 臨 限 電 臛 所 確 定 > 此 1 Sfcc. 恩 謂 若 臨 限 壓 Vt h 被 設 定 足 夠 低 於 M0S 場 效 電 晶 驩 區 1 | 1 則 可 相 當 大 地 減 少 此 合 成 場 效 電 晶 體 之 臨 限 電 Brw 壓 中 之 1 | 變 化 〇 1 上 述 多 晶 矽 場 效 電 晶 體 及 串 m m 接 於此多晶 矽 場 效 電 晶 X | 體 之 MOS 場 效 電 晶 體 之 合 成 電 晶 黼 結 搆 可 應 用 於 不 僅 在 1 I 叠 面 曆 電 容 器 記 憶 體 單 元 而 且 在 其 他 不 同 形 式 之 記 慵 驩 單 1 1 元 〇 1 I 上 述 合 成 場 效 電 晶 體 可 被 製 作 如 下 〇 1 1 照 第 4A 圖 一 氧 化 物 勝 10 被 螫 個 地 形 成 於 · P 型 半 1 1 導 Μ 厢 基 髓 1 之 上 * 場 氧 化 物 膜 2 由 m 之 部 氣 化 m 擇 性 Ί 1 地 形 成 於 P 型 半 導 髓 基 黼 1 Μ 界 定 -一 記 憶 履 簞 元 區 〇 1 -1 8 ~ 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標牵（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印褽 五、發明説明（ 17 ) 1 1 v/參 照 第 4B 圈 » —- m 多 晶 矽 腰 11 被 整 個 地 長 成 ， 然 後 1 1 使 用 照 相 石 販 印 廟 術 作 <031 揮 性 酴 刻 而 只 在 Κ 憧 糴 元 區 1 1 上 方 留 下 第 —. 多 晶 矽 瞬 11 0 /-—S 請 1 J 參 照 第 4C 圖 9 氧 化 物 膜 10與 第 —™. 多 晶 矽 脚 11 被 壩 擇 性 先 閲 讀 1 1 地 触 刻 Μ 形 成 開 〇 13於 -~~* 預 定 區 之 上 〇 背 面 1 I 之 1 參 照 第 4D圃 » . 第 二 多 晶 矽 m 1 2被 整 個 地 形 成 延 伸 於 注 意 -ir 1 其 餘 之 第 一 多 晶 矽 膜 11 及 場 化 物 _ 2 之 上 方 且 覆 蓋 關 Ψ 項 | 再 P 13 〇 寫 本 參 照 第 4E圖 9 第 —* 多 晶 矽 膜 1 2被 同 方 性 蝕 刻 而 只 在 關 頁 1 I □ 13之 内 壁 上 留 下 第 二 多 晶 矽 m 瞬 12 » 藉 此 9 第 二 多 晶 矽 1 1 膜 12 接 觸 於 第 '~~* 多 晶 矽 明^ 11 之 鯽 壁 及 在 P m 半 導 鼸 基 艘 1 1 1 之 上 9 —. 雜 質 離 子 植 入 於 P 蟹 半 導 鱅 基 =*!? 驩 1 所 示 之 表 1 訂 面 而 控 制 MOS 電 晶 m 區 之 臨 限 電 壓 » 此 某 ~:JKT 體 之 表 面 被 1 氧 化 而 形 成 閘 •trg： 權 化 物 齡 勝 4 〇 1 1 參 照 第 4F匾 » __. 第 多 晶 矽 _ 3 被 整 個 地 形 成 .於 基 鎇 1 I 上 方 使 得 第 三 多 晶 矽 m 3 延 伸 於 閛 懦 氣 化 物 膜 4 祖 3· n 場 氧 化 物 膜 2 上 方 0 I 參 照 第 4G 圖 9 第 二 多 晶 矽 m 3 與 閜 *sr fm 氣 化 物 膜 4 由 照 1 相 石 版 印 刷 術 予 Μ 選 擇 性 蝕 刻 -arr ffil 形 成 閘 極 電 極 3 與 —· 1 1 閘 極 氧 化 物 膜 4 0 1 I 照 第 4H 圖 » 離 子 植 入 諸 如 .£d) (A S ) 之 η 型 雑 m 於 第 1 1 多 晶 矽 擬 1 1 之 中 係 Μ 閘 is; 憔 電 極 3 為 遮 窗 jp. 用 於 其 後 之 熱 處 1 1 理 Μ 活 化 所 植 入 之 雜 9 藉 此 肜 成 源 極 與 汲 極 區 1 1 S 與 1 I 1 1 D 0 1 -1 9- 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) A.4规格（210X 297公釐） 經濟部中央樣準局貝Μ消费合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（18 ) 接著，參照第3A圈，一内曆緬緣物5被形成且一接鼸 孔9由照相石販印刷術所形成，-第四多晶矽膜6被整 個形成於基體上方，使得此第四多晶矽膜6延伸於内層 絕緣物5上方及接觸孔9之内，此第四多晶矽膜6被定 圖案Μ形成一儲存電極6用於其後之第四多晶矽膜6之 氧化而形成一電容性電介質膜7 , —導電膜螫儷形成於 基體上方用於之後製作其圖案Μ形成一電容性電極8 , 藉此，完成此記憶醴單元之製作過程。 然而，本發明之修飾對於一般具有熟悉是項技術者將 呈明顯的，應理解的是所顯示及所描述之本發明實施例 僅為描繪用而絕非被認為係一棰限制，所Μ,本發明之 任何修飾均涵蓋於申講專利範圈中而包含於本發明之精 神與範_之内。 _ 2 0 - 本紙張尺度逋用中鬮國家棣率（CNS ) Μ规格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 307906 A% B8 C8 D8 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 種 場 效 電 晶 鼸 > 包 括 • • 1 I 一 半 導 黼 基 體 * 1 1 一 絕 緣 臌 TCrK t 配 置 於 該 半 導 鎇 碁 黼 XIΜ 上 > 該 絕 緣 m 具 有 請 1 I 一 m iTfJ P 定 位 於 該 半 導 鼸 基 體 之 ―一 預 定 區 之 上 • 9 先 閱 讀 1 1 一 第 —* 多 晶 矽 臟 • 配 置 於 該 涵 緣 m 上 方 » 背 1 I 之 1 . 第 二 多 晶 矽 膜 t 配 置 接 ftm 圈 於 該 m — 多 晶 矽 ff** 瞬 • 該 注 意 1 I 第 二 多 晶 矽 膜 延 伸 於 該 絕 緣 膜 之 該 開 P 之 内 壁 上 及 該 事 項 1 I 再 1 半 導 體 基 臞 之 該 預 定 區 之 —. 通 瑾 部 分 上 方 霣 使 得 該 第 本 裝 —* 多 晶 矽 膜 經 由 該 第 --* 多 晶 矽 膜 嫌 接 於 該 半 導 髓 基 體 頁 1 I 之 該 預 定 區 中 之 該 遇 邊 部 分 t 1 1 一 閘 極 絕 緣 m > 選 揮 性 地 配 置 延 伸 於 該 半 専 am 麗 基 體 1 | 之 該 預 定 區 之 上 除 了 該 埋 瑾 部 分 上 之 外 » 且 進 —- 步 地 1 訂 延 伸 於 該 第 二 多 晶 5夕 m 之 上 及 部 分 QB 園 鑣 該 第 二 多 晶 1 矽 膜 之 該 第 . 多 晶 矽 膜 之 上 > 1 I 一 閘 極 電 極 9 配 置 於 該 閘 極 繊 緣 瞋 之 上 » 以 界 定 —- 1 1 合 成 通 道 區 於 該 閜 懷 m 緣 臛 下 方 * 使 得 該 α 成 通 遒 區 延 伸 經 由 該 第 - 與 flat m ~一 多 晶 矽 膜 於 該 m m 絕 緣 膜 下 方 I 及 經 由 該 半 導 體 基 體 於 該 閘 極 絕 緣 顏 下 方 ♦ Μ 及 1 1 源 極 與 汲 極 區 » m 擇 性 地 配 m 於 該 第 多 晶 矽 _ 之 1 1 中 除 了 該 閘 極 絕 緣 m 之 外 t 使 得 m 源 極 與 汲 極 區 經 由 1 I 該 合 成 通 道 區 而 連 接 0 1 1 V - 種 記 憶 體 單 元 結 構 » 包 括 ： 1 一 半 導 體 基 體 • 1 | — 場 氧 化 物 膜 > 壤 揮 性 地 形 成 於 該 半 導 覼 基 臞 WBt 上 W «1^ 1 -2 1 ~ 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Α8 Μ C8 D8 六、申請專利範面 界定該半導暖基黼之一紀镰鐮犟元區； 一絕緣膜，«置於該半導鱅基鱺之該紀憶髓犟元匾 之上，該絕緣膜具有一開口定位於該半辱體基黼之該 記憤體單元區中之一預定區之上； 一第一多晶矽鎮，配置於該絕緣膜上方； 一第二多晶矽膜，配置接觸於該第一多晶矽_，該 第二多晶矽膜延伸於該絕緣膜之該開口之内壁上及該 半導體基體之該預定區之一邐邊郁分上方，使得該第 一多晶矽瞋經由該第二多晶矽膜缠接於該半導騸基髓 之該預定區中之該«蠟郤分； 一閛極絕緣膜，選擇性地配置延伸於該半導钃基體 之該預定區之上除了該通邊部分上之外，且進-步地 延伸於該第二多晶矽膜之上及一部分_繞該第二多晶 矽膜之該第一多晶矽膜之上； 一閘極電極，配置於該蘭概絕緣膜之上，Μ界定一 合成通道區於該«極絕緣膜下方，使得該合成通遒區 延伸經由該第一與第二多晶矽膜於該閘極絕緣膜下方 及經由該半導驩基髓於該閛概鱷緣膜下方； 源極與汲極區，糴擇性地配置於該第一多晶矽膜之 中除了該閘極鱷緣膜之外，使得該灝極輿汲極區經由 該合成通道區而壤接； 一内曆絕緣物，配置於該場氣化物膜，該源極興汲 極，及該閛極電極上方，該内曆緬緣物具有一接觸孔 定位於該汲極區之上方； 一 2 2 - 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS ) Α4洗格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 A8 Μ 經濟部中央標準局*c工消費合作社印製 六、申請專利範 園 1 1 一 齡 存 電 擁 f 邐 揮 性 地 配 章 延 伸 於 該 内 曆 m 緣 物 上 1 1 方 _ 繞 該 接 觸 孔 及 延 伸 於 該 擬 Μ 孔 之 内 » 使 得 該 臃 存 1 | 電 極 被 作 成 接 觸 於 該 汲 極 區 r /—S 請 1 | — 電 容 性 電 介 質 膜 « 延 伸 於 該 齡 存 霄 極 上 方 及 在 該 先 聞 讀 1 儲 存 電 極 之 側 壁 上 » 以 及 背 ιέ 1 I 之 1 電 容 性 電 極 配 置 至 少 於 該 電 容 性 介 質 m 之 整 注 意 1 I 個 區 之 上 0 事 項 1 | 描 惟 製 作 埸 效 電 晶 臞 之 方 法 包 括 下 列 步 糠 再 4 % 本 裝 形 成 —> 絕 緣 膜 於 —. 半 導 臞 基 鼸 上 * 頁 1 | 形 成 —. 第 多 晶 矽 膜 於 該 鰯 緣 m 上 方 * 1 I 形 成 一 開 □ 於 該 絶 緣 膜 與 該 m * 多 晶 矽 m 之 中 » 使 1 | 得 該 半 導 艘 基 體 之 一 預 定 區 暴 Μ 於 該 關 0 $ 1 訂 選 擇 性 地 形 成 —. 第 二 多 晶 矽 膜 接 Am 哪 於 該 第 —. 多 晶 矽 1 膜 且 延 伸 於 該 絕 緣 m 之 該 關 P 之 内 m 上 及 延 伸 於 該 半 1 I 導 艚 基 艚 之 該 預 定 區 之 一 邇 嫌 部 分 上 方 » 使 得 該 第 -一 I 1 I 多 晶 矽 膜 經 由 該 第 二 多 晶 矽 m 壤 接 於 該 半 導 體 基 體 之 1 Λ 該 預 定 區 中 之 該 通 邊 部 分 < I 選 擇 性 地 形 成 · m 極 絕 緣 m 延 伸 於 該 半 辱 體 綦 驩 之 1 1 該 預 定 區 之 上 除 了 該 週 邊 部 分 上 之 外 » 且 進 一 步 地 延 1 1 伸 於 該 第 二 多 晶 矽 膜 及 -* 部 分 圃 繞 該 第 二 多 晶 矽 膜 之 1 | 該 第 —. 多 晶 矽 膜 1 1 形 成 一 閘 槿 電 極 於 該 閘 極 繊 緣 _ 之 上 K 界 定 —-. 合 成 1 J 通 道 區 於 該 閘 極 絕 緣 議 下 方 使 ΛΒ1 得 該 合 成 通 道 區 經 由 1 I 第 一 與 第 二 多 晶 矽 m 延 伸 於 該 m 槿 絕 嫌 臑 r 方 及 經 由 1 1 -23- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） A8B8C8D8 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 六、申請專利範 圍 1 1 m 半 導 體 基 鱷 延 伸 於 該 閛 概 鳐 緣 _ 下 方 ： kk 及 1 1 選 揮 性 地 形 成 源 播 與 汲 播 m 於 該 第 -一 多 晶 矽 m 之 中 1 1 除 了 該 W 極 絕 緣 膜 下 方 之 外 使 得 該 源 4ggr 爾 與 汲 極 區 經 -S 請 1 I 由 該 合 成 通 道 匾 而 瑭 接 〇 先 閱 讀 1 1 〆一 種 製 作 記 憶 體 單 元 之 方 法 1 包 括 下 列 步 驟 ·· 背 面 1 | 之 1 選 擇 性 地 肜 成 . 場 氧 化 物 m 與 » 絕 緣 膜 於 該 半 導 體 注 意 1 基 體 上 Μ 界 定 該 半 導 黼 基 體 之 —. 記 憧 髓 單 元 區 ♦ 事 項 1 I 再 1 形 成 · 第 __. 多 晶 矽 膜 於 該 涵 緣 m 上 方 ♦ 填 寫 本 裝 形 成 . 開 Ρ 於 該 絕 緣 膜 興 該 链 形 —* 多 晶 矽 膜 之 中 • 使 頁 1 | 得 該 半 導 髓 基 黼 之 —* 預 定 區 暴 m 於 該 開 □ * « I 1 選 擇 性 地 形 成 -* 第 二 多 晶 矽 膜 接 觸 於 該 第 —- 多 晶 矽 1 1 膜 且 延 伸 於 該 絕 緣 膜 之 該 關 Ο 之 内 壁 上 及 延 伸 於 該 半 1 訂 導 體 基 钃 之 該 預 定 區 之 . 週 邊 部 分 上 方 » 使 得 m 第 ._» 1 多 晶 矽 膜 經 由 該 第 多 晶 矽 臟 埋 接 於 該 半 導 體 賊 基 體 之 1 1 該 預 定 區 中 之 該 通 邊 部 分 1 1 1 選 揮 性 地 形 成 W 極 絕 緣 膜 延 伸 於 該 半 導 髓 綦 髖 之 -ί 該 預 定 區 6!& 之 上 除 了 該 通 邊 部 分 上 之 外 » a 進 一 步 地 延 I 伸於 該 第 二 多 晶 矽 膜 及 一 郤 分 繞 該 第 一-一 多 晶 矽 臟 之 1 1 該 第 一 多 晶 矽 膜 f 1 1 形 成 一 閘 極 電 極 於 該 閘 極 m 緣 脇 瞬 之 上 以 界 定 -一 P 成 1 I 通 道 區 於 該 閘 極 緬 緣 膜 下 方 * 使 得 該 α 成 通 道 區 經 由 1 1 第 一 與 第 二 多 晶 矽 膜 延 伸 於 該 _ 極 m 緣 膜 下 方 及 經 由 1 1 該 半 導 髓 基 體 延 伸 於 該 閛 極 絕 緣 膜 下 方 * ·% I 選 擇 性 地 形 成 源 極 與 汲 極 區 tA 該 键 ___. 多 晶 矽 m 之 中 1 -24- 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS〉A4規格（210X297公釐） A8M0D8 六、申請專利範圍 除了該閘極絕緣膜下方之外，使得該源雛與汲極匾經 由該合成通道區而連接； 形成一内曆綑緣物於該場氣化物顏、該源概興汲極 區及該閘極電極上方； 形成一接觸孔於該内曆絕緣物之中，該接觸孔被定 位於該汲極區上方； 選擇性地形成一儲存電極延伸於該内靥絕緣物上方 圃鐃蕃該接觸孔且延伸於該撥蟵孔之内，使得該鋪存 漘極被作成接鼸於該汲極區； 形成一電容性電介質膜延伸於該_存電極上方及在 該黼存電極之側壁上；K及 形成一電容性電極至少在該電容性電介資膜之整個 區之上。 !|^_ 為 裝—— —II 訂 I _I- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袈 -25- 本紙張尺廋適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨OX297公m