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KR970053865A - 반도체장치 - Google Patents

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Publication number
KR970053865A
KR970053865A KR1019960064278A KR19960064278A KR970053865A KR 970053865 A KR970053865 A KR 970053865A KR 1019960064278 A KR1019960064278 A KR 1019960064278A KR 19960064278 A KR19960064278 A KR 19960064278A KR 970053865 A KR970053865 A KR 970053865A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor region
type
power supply
region
potential power
Prior art date
Application number
KR1019960064278A
Other languages
English (en)
Inventor
아끼히로 이와세
토미오 나까노
테루오 세끼
Original Assignee
세끼자와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세끼자와 다다시, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 세끼자와 다다시
Publication of KR970053865A publication Critical patent/KR970053865A/ko

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/711—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using bipolar transistors as protective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/711—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using bipolar transistors as protective elements
    • H10D89/713—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using bipolar transistors as protective elements including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base region coupled to the collector region of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

본 발명은 입력전압의 추장동작조건을 확대할 수 있는 반도체 장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 해결수단은 래터럴 pnp 트랜지스터(20)가 n-형 반도체영역(16)내에 p+형 확산영역(17,18)을 설비함으로서 형성된다. p+형 확산영역(17)은 접지(Vss)에 접속되고, p+형 확산영역은 기생저항(R1)을 거쳐서 입력단자(13)에 접속되고, n-형 반도체 영역(16)은 전원(Vcc)의 전압보다 높은 전압의 전원(Vpp)에 접속되어 있다. 래터럴 npn 트랜지스터(26)는 p-형 반도체영역(22)내에 n+형 확산영역(23,24)를 설비함으로서 형성된다. n+형 확산영역(23)은 접지(Vss)에 접속되고, n+형 확산영역(24)은 기생저항(R1)을 거쳐서 입력단자(13)에 접속되고, p-형 반도체 영역(22)은 접지(Vss)의 전압보다 낮은 전압의 전워(Vss)에 접속되어 있다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 일실시 형태의 반도체 장치를 나타낸 단면도.

Claims (4)

  1. 고전위전원 및 저전위전원이 동작전원으로서 공급되고, 또 입력단자를 거쳐서 입력되는 입력신호에 따라서 동작하는 내부회로를 구비한 반도체 장치에 있어서, 제1도전형의 반도체 영역내에 상기 반도체 영역의 도전형과는 다른 제2도전형의 제1 및 제2확산 영역을 형성하고, 제1 및 제2확산영역을 각각 콜렉터 및 이미터로하고, 제1반도체영역을 베이스로 하는 래터럴 트랜지스터를 설비하고, 상기 제1확산영역은 사익 고전위전원 또는 저전위전원에 접속하고, 상기 제2확산영역은 상기 입력단자에 접속하고, 상기 반도체영역과 상기 제1확산영역의 pn접합이 역바이어스 되도록 상기 반도체 영역은 상기 고전위전원의 전압보다도 높은 전압의 제3전원 또는 상기 저전위 전원의 전압보다도 낮은 전압의 제4전원에 접속한 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 래터럴 트랜지스터는 상기 반도체 영역을 n형으로 하고, 상기 제1 및 제2확산영역을 p형으로 하는 pnp트랜지스터이고, 상기 반도체영역은 상기 고전위전원의 전압보다도 높은 전압의 제3전원에 접속되어 있는 것이 특징인 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 래터럴 트랜지스터는 상기 반도체 영역을 p형으로하고, 상기 제1 및 제2확산영역을 n형으로 하는 npn트랜지스터이고, 상기 반도체영역은 상기 저전위전원의 전압보다도 낮은 전압의 제4전원에 접속되어 있는 것이 특징인 기재의 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 영역을 n형으로 하고, 상기 제1 및 제2확산영역을 p형으로 하는 제1래터럴 트랜지스터와, 상기 반도체 영역을 p형으로하고, 상기 제1 및 제2확산영역을 n형으로 하는 제2래터럴트랜지스터를 구비하고, 상기 제1래터럴트랜지스터의 반도체 영역은 상기 고전위전원의 전압보다도 높은 전압의 제3전원에 접속하고, 상기 제2래터럴트랜지스터의 반도체영역은 상기 저전위전원의 전압보다도 낮은 전압의 제4전원에 접속되어 있는 것이 특징인 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960064278A 1995-12-12 1996-12-11 반도체장치 KR970053865A (ko)

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JP95-323006 1995-12-12
JP7323006A JPH09162298A (ja) 1995-12-12 1995-12-12 半導体装置

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ID=18150091

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JPH09162298A (ja) 1997-06-20

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