KR960039372A - 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실리사이드층의 응집현상을 이용하여 하부전극의 표면적을 넓히는 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 하부전극, 유전막 및 상부전극으로 이루어지는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, 반도체 기판 상에 콘택홀을 갖는 절연막과, 상기 콘택홀을 통해 상기 기판에 접속되는 도전층과, 상기 도전층의 표면에 요철을 갖는 실리사이드층을 구비하며, 상기 도전층 및 실리사이드층으로 상기 하부전극을 구성한다. 본 발명에 의하면, 실리사이드의 응집현상을 이용하여 공정을 용이하게 하부전극의 표면적을 넓혀 정전용량이 증가된 커패시터를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명에 의한 제1 실시예의 커패시터 제조방법을 공정순서대로 도시한 단면도들이다.
Claims (6)
- 하부전극, 유전막 및 상부전극으로 이루어지는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, 반도체 기판 상에 콘택홀을 갖는 절연막; 상기 콘택홀을 통해 상기 기판에 접속되는 도전층; 및 상기 도전층의 표면에 요철을 갖는 실리사이드층을 구비하며, 상기 도전층 및 실리사이드층으로 상기 하부전극을 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.
- 하부전극, 유전막 및 상부전극으로 이루어지는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, 반도체 기판 상에 콘택홀을 갖는 절연막; 및 상기 콘택홀을 통해 상기 기판에 접속되고, 그 표면에 요철을 갖는 도전층을 구비하며, 상기 도전층으로 상기 하부전극을 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.
- 하부전극, 유전막 및 상부전극으로 이루어지는 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 콘택홀을 갖는 절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통해 상기 기판에 접속되는 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층의 표면에 전이금속층을 형성하는 단계; 및 상기 도전층과 전이금속층을 반응시켜 상기 도전층의 표면에 요철을 갖는 실리사이드층을 형성하여 상기 하부전극으로 상기 도전층 및 실리사이드층을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 천이금속층은 Ti, Mo, Pt, W, Ta, Ni, Co, Pb, Hf, Zr, V, Cr, Fe, Nb, Ru, Rh, Re, Os 및 Ir으로 이루어진 일군에서 선택된 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 하부전극, 유전막 및 상부전극으로 이루어지는 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 콘택홀을 갖는 절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통해 상기 기판에 접속되는 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층의 표면에 전이금속층을 형성하는 단계; 상기 도전층과 전이금속층을 반응시켜 상기 도전층의 표면에 요철을 갖는 실리사이드층을 형성하는 단계; 및 상기 표면에 요철을 갖는 실리사이드층을 제거하여, 상기 도전층의 표면에 요철을 형성하여, 상기 하부전극으로 상기 요철을 갖는 도전층을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 실리사이드층의 제거는 불산용액을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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ID=66523109
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Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR960039372A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980016024A (ko) * | 1996-08-26 | 1998-05-25 | 김주용 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
| KR20040006499A (ko) * | 2002-07-12 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디램 및 엠디엘 소자의 셀 캐패시터 형성방법 |
| KR100431820B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
| KR100927785B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2009-11-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 커패시터 형성 방법 |
-
1995
- 1995-04-21 KR KR1019950009447A patent/KR960039372A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980016024A (ko) * | 1996-08-26 | 1998-05-25 | 김주용 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
| KR100431820B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
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| KR100927785B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2009-11-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 커패시터 형성 방법 |
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