KR960036058A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960036058A KR960036058A KR1019950004684A KR19950004684A KR960036058A KR 960036058 A KR960036058 A KR 960036058A KR 1019950004684 A KR1019950004684 A KR 1019950004684A KR 19950004684 A KR19950004684 A KR 19950004684A KR 960036058 A KR960036058 A KR 960036058A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- insulating
- insulating layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/01—Manufacture or treatment
- H10D1/041—Manufacture or treatment of capacitors having no potential barriers
- H10D1/042—Manufacture or treatment of capacitors having no potential barriers using deposition processes to form electrode extensions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
- H10D1/692—Electrodes
- H10D1/696—Electrodes comprising multiple layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명에 의한 반도체 소자의 캐패시터 제조방법은 트렌지스터가 형성된 반도체기판상에 제1절연막, 제2절연막, 제3절연막, 그리고 제1전도층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 하부 캐패시터전극의 콘택영역의 제1절연막, 제2절연막, 제3절연막과 제1전도층을 식각하는 단계와, 제1전도층과 하부 캐패시터전극의 콘택영역 위에 제2전도층을 형성시키는 단계와, 제1전도층과 제2전도층을 선택식각하여 하부 캐패시터전극의 콘택영역상에 잔류사켜 노드패턴을 형성시키고, 노출된 제3절연막을 제거하는 단계와, 노드패턴 위에 유전체막과 제3전도층을 순차적으로 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 캐패시터 제조방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (2)
- 반도체 소자의 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서, 1) 트랜지스터가 형성된 반도체기판상에 제1절연막, 제2절연막, 제3절연막 그리고 제1도전층을 순차적으로 형성시키는 단계와, 2) 하부 캐패시터전극의 콘택영역의 상기 제1절연막, 제2절연막, 제3절연막과 제1도 전층을 식각하는 단계와, 3) 상기 제1도 전층과 상기 하부 캐패시터전극의 콘택영역 위에 제2도전층을 형성시키는 단계와, 4) 상기 제1전도층과 상기 제2전도층을 선택식각하여 상기 하부 캐패시터전극의 콘택 영역상에 잔류시켜 노드패턴을 형성하고, 노출된 제2절연막을 제거하는 단계와, 5) 상기 노드패턴 위에 유전막체와 제3도전층을 순차적으로 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 제1절연막, 제3절연막과 식각률이 다른 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004684A KR960036058A (ko) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004684A KR960036058A (ko) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960030193A Division KR960040120A (ko) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 냉수보일러 (어름보일러) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960036058A true KR960036058A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66549430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950004684A Withdrawn KR960036058A (ko) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960036058A (ko) |
-
1995
- 1995-03-08 KR KR1019950004684A patent/KR960036058A/ko not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960008417A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960006012A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR970024206A (ko) | 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법. | |
| KR960036058A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970054008A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960026854A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970018744A (ko) | 반도체 메모리장치 제조방법 | |
| KR970024133A (ko) | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR950024346A (ko) | 반도체 메모리장치 제조방법 | |
| KR960002790A (ko) | 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR960043192A (ko) | 반도체 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
| KR970054245A (ko) | 반도체소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR960026795A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960043152A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 | |
| KR960039378A (ko) | 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970024149A (ko) | 반도체 메모리 장치의 제조방법 | |
| KR970024135A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950024345A (ko) | 반도체 메모리장치 제조방법 | |
| KR960026864A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026791A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960043176A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR970052391A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970003991A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970052361A (ko) | 반도체장치의 콘택형성방법 | |
| KR970013348A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19950308 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |