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KR960006012A - 불휘발성 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리장치의 제조방법에 관한 것으로, 스토리지노드 콘택에서 손실되는 커패시터 면적을 극소화하여 커패시터 용량을 증대시키기 위한 것이다.
본 발명은 반도체기판상에 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터가 형성된 기판 전면에 제1절연막을 형성하는 단계, 상기 제1절연막을 선택적으로 식각하여 스토리지노드 콘택을 위한 콘택홀을 형성하는 단계, 기판 전면에 제1도전층, 제2절 연막 및 제2도전층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제2도전층상에 스토리지노드 콘택 내측의 적어도 한쪽방향으로 오프셋영역을 가지는 오프셋 콘택형성을 위한 제1 마스크패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 마스크패턴을 마스크로 하여 상기 제2도전층을 식각하는 단계, 상기 제2절연막 및 제2도전층상에 스토리지노드 콘택 형성을 위한 제2 마스크패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 마스크패턴을 마스크로 하여 상기 제2절연막을 식각하는 단계, 기판 전면에 제3도전층을 형성하여 상기 제1도전층과 제2도전층을 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 제조방법을 제공한다.

Description

불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 불휘발성 반도체 메모리 소자의 단면도.
제2도는 본 발명의 실시예에 따라 불휘발성 반도체 메모리소자의 단면도.
제3도는 (a) - (g)는 제 3도의 불휘발성 반도체 메모리 소자의 제조공정도.

Claims (2)

  1. 반도체기판상에 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터가 형성된 기판 전면에 제1절연막을 형성하는 단계, 상기 제1절연막을 선택적으로 식각하여 스토리지노드 콘택을 위한 콘택홀을 형성하는 단계, 기판 전면에 제1도전층, 제2절연막 및 제2도전층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제2도전층상에 스토리지노드 콘택 내측의 적어도 한쪽방향으로 오프셋영역을 가지는 오프셋 콘택형성을 위한 제1마스크패턴을 형성하는 단계, 상기 제1마스크패턴을 마스크로 하여 상기 제2도전층을 식각하는 단계, 상기 제2절연막 및 제2도전층상에 스토리지노드 콘택 형성을 위한 제2 마스크패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 마스크패턴을 마스크로 하여 상기 제2 절연막을 식각하는 단계, 기판 전면에 제3도전층을 형성하여 상기 제1도전층과 제2도전층을 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3도전층을 형성하는 단계후에 상기 제3도전층상에 스토리지노드 형성을 위한 제3마스크패턴을 형성하는 단계와, 상기 제3마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 제3도전층과 제2도전층을 식각하는 단계, 상기 제2절연막을 제거하는 단계, 상기 제3마스크패턴을 마스크로 하여 제1도전층을 식각하여 제1도전층과 제2도전층 및 제3도전층으로 이루어지는 커패시터 스토리지노드를 형성하는 단계, 상기 커패시터 스토리지노드 전표면에 유전체막을 형성하는 단계, 상기 유전체막 전면에 커패시터 플레이트전극을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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