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KR960012023A - 불휘발성 반도체 메모리장치의 자동 프로그램회로 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리장치의 자동 프로그램회로 Download PDF

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KR960012023A
KR960012023A KR1019950001144A KR19950001144A KR960012023A KR 960012023 A KR960012023 A KR 960012023A KR 1019950001144 A KR1019950001144 A KR 1019950001144A KR 19950001144 A KR19950001144 A KR 19950001144A KR 960012023 A KR960012023 A KR 960012023A
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Abstract

[청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야]
불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램회로
[발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
프로그램되는 메모리 쎌들의 균일한 드레쉬 홀드전압을 유지하고 공정 변화에 관계없이 신뢰성을 향상할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리의 제공
[발명의 해결방법의 요지]
프로그램후 프로그램 검증에 의해 선택된 메모리 쎌들이 성공적으로 프로그램되지 아니하였을 경우 재프로그램을 행하는 불휘발성 반도체 메모리에서 상기 재프로그램이 행해질때마다 선택된 메로리 쎌들과 접속된 워드라인상에 소정 범위내에서 점진적으로 증가하는 프로그램 전압을 제공하고 비선택된 메모리 쎌들과 접속된 워드라인들상에 상기 프로그램 전압과 소정의 전압차를 유지하면서 증가하는 패스전압을 제공함.
[발명의 중요한 용도]
컴퓨터등에 사용되는 영구 메모리.

Description

불휘발성 반도체 메모리장치의 자동프로그램 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 프로그램전압 발생회로를 나타낸 도면.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 트리밍신호 발생회로를 나타낸 도면.

Claims (12)

  1. 다수의 플로팅게이트형의 메모리쎌들과, 선택된 복수개의 메모리쎌들을 프로그램하기 위한 프로그램수단과, 상기 선택된 복수개의 메모리쎌들이 성공적으로 프로그램되었는지를 판단하기 위한 프로그램 검증수단을 가지는 불휘발성 반도체 메모리에 있어서, 프로그램 전압을 발생하기 위한 고전압 발생회로와, 프로그램후 상기 선택된 메모리 쎌들이 성공적으로 프로그램되지 아니하였을때마다 상기프로그램 전압이 소정 전압의 범위내에서 순차적으로 증가하도록 상기 프로그램 전압의 레벨을 검출하기 위한 트리밍 회로와, 상기 검출된 레벨과 기준전압과를 비교하고 비교신호를 발생하기 위한 비교회로와, 상기 비교회로로부터 비교신호에 응답하여 상기 고전압 발생회로를 활성화하기 위한 고전압 발생 제어회로를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램 전압 발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트리밍회로는 상기 고전압 발생회로로부터의 프로그램 전압발생단자와 기준전압 사이에 직렬로 접속된 복수개의 저항과, 상기 프로그램 전압을 순차로 증가하기 위하여, 상기 복수개의 저항을 각각 바이패스하기 위한 복수개의 트랜지스터들로 구성됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램전압 발생장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기트리밍회로는 상기 프로그램전압이 순차로 증가하도록 복수개의 바이패스 수단을 가짐을 특징으로 하는 발성 반도체 메모리의 자동 프로그램전압 발생장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 바이패스 수단과 접속되고 상기 프로그램전압을 순차로 증가하기 위한트리밍신호 발생회로를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 자동 프로그램전압 발생장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 트리밍신호 발생회로는 상기 프로그램 전압이 순차적으로 증가한후 일정전압을 발생하기 위한 래치수단을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램 전압 발생장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 트리밍 신호 발생회로와 접속되고 상기 복수개의 바이패스 수단을 순차로 활성화하기 위한 2진 카운터를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램전압 발생장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기트리밍신호 발생회로와 접속되고 상기 복수개의 바이패스 수단을 순차로 활성화하기 위한 2진 카운터를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램 전압 발생장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 2진 카운터로부터의 계수신호들에 응답하여 상기프로그램전압 발생을 정지시키는 루우프 카운팅회로를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도 체 메모리의 자동 프로그램전압 발생장치.
  9. 프로그램전압이 발생되는 프로그램 동작과 프로그램 검증동작이 연속적으로 행해지는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램전압 발생방법에 있어서 프로그램전압은 소정 전압의 범위내에서 순차적으로 증가한후 일정레벨을 유지함을 특징으로 하는 상기 자동 프로그램 전압 발생방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 일정레벨은 메모리 쎌들의 게이트 산화막과 정션의 파괴를 방지하는 레벨에서 정해짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램 전압발생방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 소정전압의 범위는 대략 15볼트에서 19.5볼트임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램 전압 발생방법.
  12. 행과 열의 매트릭스 형으로 배열된 다수의 낸드쎌 유닛들을 가지며 각 낸드 쎌 유닛은 채널들이 직렬로 연결된 복수개의 메모리 쎌들을 가지며 각 메모리 쎌은 플로팅 게이트와 제어게이트를 가지는 플로팅 게이트형의 트랜지스터이며 동일행에 배열된 메모리 쎌들의 제어게이트들과 접속된 다수의 워드라인들을 가지는 메모리 쎌 어레이와, 선택된 워드라인과 접속된 메모리 쎌들중 미리 예정된 메모리 쎌들을 프로그램하기 위한 프로그램수단과, 프로그램후 상기 미리 예정된 메모리 쎌들이 성공적으로 프로그램되었는지를 판단하기 위한 프로그램 검증수단을 가지는 불휘발성 반도체 메모리에 있어서, 상기 미리 예정된 메모리 쎌들이 성공적으로 프로그램되지 아니하였을 때 마다 상기 선택된 워드라인상에 순차적으로 증가하는 프로그램전압을 발생하는 프로그램전압 발생회로와, 상기 순차적으로 증가하는 프로그램전압과 미리 예정된 전압차이를 가지면서 순차적으로 증가하는 패스전압을 비선택된 워드라인상에 제공하기 위한 패스전압 발생회로를 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001144A 1994-09-09 1995-01-24 불휘발성 반도체 메모리장치의 자동프로그램 회로 KR0142368B1 (ko)

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