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KR940001385A - 광 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

광 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR940001385A
KR940001385A KR1019930011582A KR930011582A KR940001385A KR 940001385 A KR940001385 A KR 940001385A KR 1019930011582 A KR1019930011582 A KR 1019930011582A KR 930011582 A KR930011582 A KR 930011582A KR 940001385 A KR940001385 A KR 940001385A
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게이지 미따
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다까노 야스아끼
상요덴기 가부시끼가이샤
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

고속 포토 다이오드와 NPN 트랜지스떠를 일체화 공존시키는 것을 목적으로한다.
P형 기판 (23)상에 높은 비저항의 제 1 에피택셜층(24)를 비 도프로 형성하고, 그위에 높은 비저항의 제2 에피택셜층(25)를 비도프로 형성한다. 제2 에피택셜층(25)의 표면에 N형 불순물을 확산해서 NPN트랜지스터(22)의 콜렉터 영역 (36)으로 한다. 에미터 확산으로 제2에피택셜층(25) 표면에 N'형 캐소드 영역 (31)을 형성해서 포토다이오드(21)로 한다. 제 1 및 제2의 에피택셜층(24 및 25)를 함께 높은 비저항층으로 하므로 이들의 두께의 합에 동등한 정도의 두꺼운 공핍충을 얻을 수 있다. 또한, 비 도프로 형성함으로써, 높은 비저항층을 안정하게 제어성 이 좋게, 장치의 오염도 없게 할 수 있다.

Description

광 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 광 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도,
제2도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제1도면,
제3도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제2도면,
제4도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제3도면,
제5도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제4도면,
제6도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제5도면,
제7도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제6도면,
제8도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제7도면,
제9도는 제1도의 제조 방법을 설명하는 제8도면.

Claims (4)

  1. 한 도전헝외 반도체 기판, 상기 기판상에 형성한 200·cm 이상의 높은 비저항을 갖는 한 도전협의 제2에피택셜층, 상기 제1에피택셜층상에 형성한 200·㎝ 이상의 높은 비저항을 갖는 한 도전형의 제2 에피택셜층, 상기 제2에피택셜층의 표면에서 상기 기판에 도달하는 한 도전형의 분리 영역, 상기 분리 영역으로 분리된 복수의 섬 영역, 상기 섬 영역의 제1 및 제2 에피택셜층의 경계에 매립한 역도형의 매립층, 상기 섬 영역의 제2 에피택셜층의 표면에 형성한 역 도전형의 롤렉터 영역, 상기 콜렉터 영역의 표면에 형성한 한 도전형의 베이스 영역, 상기 베이스 영역의 표면에 형성한 역 도전형의 에미터 영역, 및 다른 섬 영역 표면에 형성한 포토 다이오드의 역 도전형 캐소드 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토 다이오드부의 기판표면에 상기 기판의 불순물을 상쇄하는 역도전형의 불순물을 도입한 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.
  3. 한 도전형 반도체 기판상에 제1에피택결층을 비 도프로 형성하는 공정, 상기 제1에피택셜층 상에 제2 에피택셜층을 비 도프로 형성하는 공정, 상기 제2에피택결층 표면에 바이폴라 트랜지스터의 역도전형 콜렉터 영역을 형성하는 공정, 상기 콜렉터 영역의 표면에 바이폴라 트랜지스터의 한 도전형 베이스 영역을 형성하는 공정 및 상기 베이스 영역의 표면에 바이폴라 트랜지스터의 역도전형 에미터 영역을 형성하고, 동시에 상기 제2 에피택셜층의 표면에 포토 다이오드의 캐소드 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반도체 기판은 비저항이 40-60㎝인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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