[go: up one dir, main page]

KR20220031132A - 플라스마 처리 장치 - Google Patents

플라스마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220031132A
KR20220031132A KR1020227006321A KR20227006321A KR20220031132A KR 20220031132 A KR20220031132 A KR 20220031132A KR 1020227006321 A KR1020227006321 A KR 1020227006321A KR 20227006321 A KR20227006321 A KR 20227006321A KR 20220031132 A KR20220031132 A KR 20220031132A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
terminal
balun
balanced
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020227006321A
Other languages
English (en)
Inventor
다다시 이노우에
마사하루 다나베
가즈나리 세키야
히로시 사사모토
다츠노리 사토
노부아키 츠치야
Original Assignee
캐논 아네르바 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 아네르바 가부시키가이샤 filed Critical 캐논 아네르바 가부시키가이샤
Publication of KR20220031132A publication Critical patent/KR20220031132A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/3255—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444—Associated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
    • H03H7/425—Balance-balance networks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

플라스마 처리 장치는, 제1 불평형 단자, 제2 불평형 단자, 제1 평형 단자 및 제2 평형 단자를 갖는 밸룬과, 접지된 진공 용기와, 상기 제1 평형 단자에 전기적으로 접속된 제1 전극과, 상기 제2 평형 단자에 전기적으로 접속된 제2 전극을 구비하고, 상기 제1 평형 단자 및 상기 제2 평형 단자의 측에서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 측을 보았을 때의 상기 제1 평형 단자와 상기 제2 평형 단자의 사이의 저항 성분을 Rp라고 하고, 상기 제1 불평형 단자와 상기 제1 평형 단자의 사이의 인덕턴스를 X라고 하였을 때, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족한다.

Description

플라스마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라스마 처리 장치에 관한 것이다.
2개의 전극의 사이에 고주파를 인가함으로써 플라스마를 발생시켜 해당 플라스마에 의해 기판을 처리하는 플라스마 처리 장치가 있다. 이러한 플라스마 처리 장치는, 2개의 전극의 면적비 및/또는 바이어스에 의해 스퍼터링 장치로서 동작하거나, 에칭 장치로서 동작하거나 할 수 있다. 스퍼터링 장치로서 구성된 플라스마 처리 장치는, 타깃을 보유 지지하는 제1 전극과, 기판을 보유 지지하는 제2 전극을 갖고, 제1 전극과 제2 전극의 사이에 고주파가 인가되어, 제1 전극과 제2 전극의 사이(타깃과 기판의 사이)에 플라스마가 생성된다. 플라스마의 생성에 의해 타깃의 표면에 셀프 바이어스 전압이 발생하고, 이에 의해 타깃에 이온이 충돌하여, 타깃으로부터 그것을 구성하는 재료의 입자가 방출된다.
특허문헌 1에는, 접지된 챔버와, 임피던스 정합 회로망을 통하여 RF 발생원에 접속된 타깃 전극과, 기판 전극 동조 회로를 통하여 접지된 기판 보유 지지 전극을 갖는 스퍼터링 장치가 기재되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 바와 같은 스퍼터링 장치에서는, 기판 보유 지지 전극 외에, 챔버가 애노드로서 기능할 수 있다. 셀프 바이어스 전압은, 캐소드로서 기능할 수 있는 부분의 상태 및 애노드로서 기능할 수 있는 부분의 상태에 의존할 수 있다. 따라서, 기판 보유 지지 전극 외에 챔버도 애노드로서 기능하는 경우, 셀 바이어스 전압은, 챔버 중 애노드로서 기능하는 부분의 상태에도 의존하여 변화할 수 있다. 셀프 바이어스 전압의 변화는, 플라스마 전위의 변화를 초래하고, 플라스마 전위의 변화는, 형성되는 막의 특성에 영향을 줄 수 있다.
스퍼터링 장치에 의해 기판에 막을 형성하면, 챔버의 내면에도 막이 형성될 수 있다. 이에 의해 챔버 중 애노드로서 기능할 수 있는 부분의 상태가 변화할 수 있다. 그 때문에, 스퍼터링 장치를 계속해서 사용하면, 챔버의 내면에 형성되는 막에 의해 셀프 바이어스 전압이 변화하고, 플라스마 전위도 변화할 수 있다. 따라서, 종래에는, 스퍼터링 장치를 장기에 걸쳐 사용한 경우에 있어서, 기판 상에 형성되는 막의 특성을 일정하게 유지하기가 어려웠다.
마찬가지로, 에칭 장치가 장기에 걸쳐 사용된 경우에 있어서도, 챔버의 내면에 형성되는 막에 의해 셀프 바이어스 전압이 변화하고, 이에 의해 플라스마 전위도 변화할 수 있으므로, 기판의 에칭 특성을 일정하게 유지하기가 어려웠다.
일본 특허 공고 소55-35465호 공보
본 발명은 상기 과제 인식에 기초하여 이루어진 것이며, 장기간의 사용에 있어서 플라스마 전위를 안정시키기 위해 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 측면은, 플라스마 처리 장치에 관한 것이며, 상기 플라스마 처리 장치는, 제1 불평형 단자, 제2 불평형 단자, 제1 평형 단자 및 제2 평형 단자를 갖는 밸룬과, 접지된 진공 용기와, 상기 제1 평형 단자에 전기적으로 접속된 제1 전극과, 상기 제2 평형 단자에 전기적으로 접속된 제2 전극을 구비하고, 상기 제1 평형 단자 및 상기 제2 평형 단자의 측에서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 측을 보았을 때의 상기 제1 평형 단자와 상기 제2 평형 단자의 사이의 저항 성분을 Rp라고 하고, 상기 제1 불평형 단자와 상기 제1 평형 단자의 사이의 인덕턴스를 X라고 하였을 때, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족한다.
본 발명에 따르면, 장기간의 사용에 있어서 플라스마 전위를 안정시키기 위해 유리한 기술이 제공된다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 2a는, 밸룬의 구성예를 도시하는 도면.
도 2b는, 밸룬의 다른 구성예를 도시하는 도면.
도 3은, 밸룬(103)의 기능을 설명하는 도면.
도 4는, 전류 I1(=I2), I2', I3, ISO, α(=X/Rp)의 관계를 예시하는 도면.
도 5a는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 5b는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 5c는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 5d는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 6a는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 6b는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 6c는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 6d는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 7은, Rp-jXp의 확인 방법을 예시하는 도면.
도 8은, 본 발명의 제2 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 9는, 본 발명의 제3 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 10은, 본 발명의 제4 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 11은, 본 발명의 제5 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 12는, 본 발명의 제6 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 13은, 본 발명의 제7 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 14는, 제7 실시 형태의 밸룬의 기능을 설명하는 도면.
도 15a는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 15b는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 15c는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 15d는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 16a는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 16b는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 16c는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
도 16d는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 2개의 캐소드 전위를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명을 그 예시적인 실시 형태를 통하여 설명한다.
도 1에는, 본 발명의 제1 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 플라스마 처리 장치(1)는, 밸룬(평형 불평형 변환 회로)(103)과, 진공 용기(110)와, 제1 전극(106)과, 제2 전극(111)을 구비하고 있다. 혹은, 플라스마 처리 장치(1)는, 밸룬(103)과, 본체(10)를 구비하고, 본체(10)가, 진공 용기(110)와, 제1 전극(106)과, 제2 전극(111)을 구비하고 있는 것으로서 이해되어도 된다. 본체(10)는, 제1 단자(251) 및 제2 단자(252)를 갖는다.
밸룬(103)은, 제1 불평형 단자(201), 제2 불평형 단자(202), 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)를 갖는다. 밸룬(103)의 제1 불평형 단자(201) 및 제2 불평형 단자(202)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)에는, 평형 회로가 접속된다. 진공 용기(110)는 도체로 구성되고, 접지되어 있다.
제1 실시 형태에서는, 제1 전극(106)은 캐소드이며, 타깃(109)을 보유 지지한다. 타깃(109)은, 예를 들어 절연체 재료 또는 도전체 재료일 수 있다. 또한, 제1 실시 형태에서는, 제2 전극(111)은 애노드이며, 기판(112)을 보유 지지한다. 제1 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)는, 타깃(109)의 스퍼터링에 의해 기판(112)에 막을 형성하는 스퍼터링 장치로서 동작할 수 있다. 제1 전극(106)은, 제1 평형 단자(211)에 전기적으로 접속되고, 제2 전극(111)은, 제2 평형 단자(212)에 전기적으로 접속되어 있다. 제1 전극(106)과 제1 평형 단자(211)가 전기적으로 접속되어 있는 것은, 제1 전극(106)과 제1 평형 단자(211)의 사이에서 전류가 흐르도록 제1 전극(106)과 제1 평형 단자(211)의 사이에 전류 경로가 구성되어 있는 것을 의미한다. 마찬가지로, 이 명세서에 있어서, a와 b가 전기적으로 접속되어 있다는 것은, a와 b의 사이에서 전류가 흐르도록 a와 b의 사이에 전류 경로가 구성되는 것을 의미한다.
상기 구성은, 제1 전극(106)이 제1 단자(251)에 전기적으로 접속되고, 제2 전극(111)이 제2 단자(252)에 전기적으로 접속되고, 제1 단자(251)가 제1 평형 단자(211)에 전기적으로 접속되고, 제2 단자(252)가 제2 평형 단자(212)에 전기적으로 접속된 구성으로서도 이해될 수 있다.
제1 실시 형태에서는, 제1 전극(106)과 제1 평형 단자(211)(제1 단자(251))가 블로킹 커패시터(104)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 블로킹 커패시터(104)는, 제1 평형 단자(211)와 제1 전극(106)의 사이(혹은, 제1 평형 단자(211)와 제2 평형 단자(212)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 블로킹 커패시터(104)를 마련하는 대신에, 후술하는 임피던스 정합 회로(102)가, 제1 불평형 단자(201)와 제2 불평형 단자(202)의 사이를 흐르는 직류 전류를 차단하도록 구성되어도 된다. 제1 전극(106)은, 절연체(107)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지될 수 있다. 제2 전극(111)은, 절연체(108)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지되어 있다. 혹은, 제2 전극(111)과 진공 용기(110)의 사이에 절연체(108)가 배치될 수 있다.
플라스마 처리 장치(1)는, 고주파 전원(101)과, 고주파 전원(101)과 밸룬(103)의 사이에 배치된 임피던스 정합 회로(102)를 더 구비할 수 있다. 고주파 전원(101)은, 임피던스 정합 회로(102)를 통하여 밸룬(103)의 제1 불평형 단자(201)와 제2 불평형 단자(202)의 사이에 고주파(고주파 전류, 고주파 전압, 고주파 전력)를 공급한다. 환언하면, 고주파 전원(101)은, 임피던스 정합 회로(102), 밸룬(103) 및 블로킹 커패시터(104)를 통하여, 제1 전극(106)과 제2 전극(111)의 사이에 고주파(고주파 전류, 고주파 전압, 고주파 전력)를 공급한다. 혹은, 고주파 전원(101)은, 임피던스 정합 회로(102) 및 밸룬(103)을 통하여, 본체(10)의 제1 단자(251)와 제2 단자(252)의 사이에 고주파를 공급하는 것으로서도 이해될 수 있다.
진공 용기(110)의 내부 공간에는, 진공 용기(110)에 마련된 도시하지 않은 가스 공급부를 통하여 가스(예를 들어, Ar, Kr 또는 Xe 가스)가 공급된다. 또한, 제1 전극(106)과 제2 전극(111)의 사이에는, 임피던스 정합 회로(102), 밸룬(103) 및 블로킹 커패시터(104)를 통하여 고주파 전원(101)에 의해 고주파가 공급된다. 이에 의해, 제1 전극(106)과 제2 전극(111)의 사이에 플라스마가 생성되고, 타깃(109)의 표면에 셀프 바이어스 전압이 발생하고, 플라스마 중의 이온이 타깃(109)의 표면에 충돌하여, 타깃(109)으로부터 그것을 구성하는 재료의 입자가 방출된다. 그리고, 이 입자에 의해 기판(112) 상에 막이 형성된다.
도 2a에는, 밸룬(103)의 일 구성예가 도시되어 있다. 도 2a에 도시된 밸룬(103)은, 제1 불평형 단자(201)와 제1 평형 단자(211)를 접속하는 제1 코일(221)과, 제2 불평형 단자(202)와 제2 평형 단자(212)를 접속하는 제2 코일(222)을 갖는다. 제1 코일(221) 및 제2 코일(222)은, 동일 권취수의 코일이며, 철심을 공유한다.
도 2b에는, 밸룬(103)의 다른 구성예가 도시되어 있다. 도 2b에 도시된 밸룬(103)은, 제1 불평형 단자(201)와 제1 평형 단자(211)를 접속하는 제1 코일(221)과, 제2 불평형 단자(202)와 제2 평형 단자(212)를 접속하는 제2 코일(222)을 갖는다. 제1 코일(221) 및 제2 코일(222)은, 동일 권취수의 코일이며, 철심을 공유한다. 또한, 도 2b에 도시된 밸룬(103)은, 제1 평형 단자(211)와 제2 평형 단자(212)의 사이에 접속된 제3 코일(223) 및 제4 코일(224)을 더 갖고, 제3 코일(223) 및 제4 코일(224)은, 제3 코일(223)과 제4 코일(224)의 접속 노드(213)의 전압이 제1 평형 단자(211)의 전압과 제2 평형 단자(212)의 전압의 중점(中点)이 되도록 구성되어 있다. 제3 코일(223) 및 제4 코일(224)은, 동일 권취수의 코일이며, 철심을 공유한다. 접속 노드(213)는, 접지되어도 되고, 진공 용기(110)에 접속되어도 되고, 플로팅으로 되어도 된다.
도 3을 참조하면서 밸룬(103)의 기능을 설명한다. 제1 불평형 단자(201)를 흐르는 전류를 I1, 제1 평형 단자(211)를 흐르는 전류를 I2, 제2 불평형 단자(202)를 흐르는 전류를 I2', 전류 I2 중 접지에 흐르는 전류를 I3이라고 하자. I3=0, 즉 평형 회로의 측에서 접지에 전류가 흐르지 않는 경우, 접지에 대한 평형 회로의 아이솔레이션 성능이 가장 좋다. I3=I2, 즉 제1 평형 단자(211)를 흐르는 전류 I2 전부가 접지에 대하여 흐르는 경우, 접지에 대한 평형 회로의 아이솔레이션 성능이 가장 나쁘다. 이러한 아이솔레이션 성능의 정도를 나타내는 지표 ISO는, 이하의 식으로 제공될 수 있다. 이 정의 하에서는, ISO의 값의 절댓값이 큰 쪽이, 아이솔레이션 성능이 좋다.
ISO[dB]=20log(I3/I2')
도 3에 있어서, Rp-jXp는, 진공 용기(110)의 내부 공간에 플라스마가 발생한 상태에서 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)의 측에서 제1 전극(106) 및 제2 전극(111)의 측(본체(10)의 측)을 보았을 때의 임피던스(블로킹 커패시터(104)의 리액턴스를 포함함)를 나타내고 있다. Rp는 저항 성분, -Xp는 리액턴스 성분을 나타내고 있다. 또한, 도 3에 있어서, X는, 밸룬(103)의 제1 코일(221)의 임피던스의 리액턴스 성분(인덕턴스 성분)을 나타내고 있다. ISO는, X/Rp에 대하여 상관을 갖는다.
도 4에는, 전류 I1(=I2), I2', I3, ISO, α(=X/Rp)의 관계가 예시되어 있다. 본 발명자는 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 진공 용기(110)의 내부 공간(제1 전극(106)과 제2 전극(111)의 사이의 공간)에 형성되는 플라스마의 전위(플라스마 전위)가 진공 용기(110)의 내면의 상태에 대하여 둔감해지는 것을 알아냈다. 여기서, 플라스마 전위가 진공 용기(110)의 내면의 상태에 대하여 둔감해진다는 것은, 플라스마 처리 장치(1)를 장기간에 걸쳐 사용한 경우에 있어서도 플라스마 전위를 안정시킬 수 있음을 의미한다. 1.5≤X/Rp≤5000은, -10.0dB≥ISO≥-80dB에 상당한다.
도 5a 내지 도 5d에는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 제1 전극(106)의 전위(캐소드 전위)를 시뮬레이션한 결과가 도시되어 있다. 도 5a는, 진공 용기(110)의 내면에 막이 형성되어 있지 않은 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 5b는, 진공 용기(110)의 내면에 저항성 막(1000Ω)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 5c는, 진공 용기(110)의 내면에 유도성 막(0.6μH)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 5d는, 진공 용기(110)의 내면에 용량성 막(0.1nF)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 5a 내지 도 5d로부터, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에는, 진공 용기(110)의 내면이 여러 가지 상태에 있어서 플라스마 전위가 안정되어 있음이 이해된다.
도 6a 내지 도 6d에는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위 및 제1 전극(106)의 전위(캐소드 전위)를 시뮬레이션한 결과가 도시되어 있다. 도 6a는, 진공 용기(110)의 내면에 막이 형성되어 있지 않은 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 6b는, 진공 용기(110)의 내면에 저항성 막(1000Ω)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 6c는, 진공 용기(110)의 내면에 유도성 막(0.6μH)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 6d는, 진공 용기(110)의 내면에 용량성 막(0.1nF)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위 및 캐소드 전위를 도시하고 있다. 도 6a 내지 도 6d로부터, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에는, 진공 용기(110)의 내면이 상태에 의존하여 플라스마 전위가 변화함이 이해된다.
여기서, X/Rp>5000(예를 들어, X/Rp=∞)인 경우와 X/Rp<1.5인 경우(예를 들어, X/Rp=1.0, X/Rp=0.5)의 양쪽에 있어서, 진공 용기(110)의 내면의 상태에 의존하여 플라스마 전위가 변화하기 쉽다. X/Rp>5000인 경우에는, 진공 용기(110)의 내면에 막이 형성되어 있지 않은 상태에서는, 제1 전극(106)과 제2 전극(111)의 사이에서만 방전이 일어난다. 그러나, X/Rp>5000인 경우, 진공 용기(110)의 내면에 막이 형성되기 시작하면, 그에 대하여 플라스마 전위가 민감하게 반응하여, 도 6a 내지 도 6d에 예시되는 바와 같은 결과가 된다. 한편, X/Rp<1.5인 경우에는, 진공 용기(110)를 통하여 접지에 유입되는 전류가 크므로, 진공 용기(110)의 내면의 상태(내면에 형성되는 막의 전기적인 특성)에 의한 영향이 현저해지고, 막의 형성에 의존하여 플라스마 전위가 변화한다. 따라서, 전술한 바와 같이, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하도록 플라스마 처리 장치(1)를 구성해야 한다.
도 7을 참조하면서 Rp-jXp(실제로 알고 싶은 것은 Rp만)의 결정 방법을 예시한다. 우선, 플라스마 처리 장치(1)로부터 밸룬(103)을 분리하고, 임피던스 정합 회로(102)의 출력 단자(230)를 본체(10)의 제1 단자(251)(블로킹 커패시터(104))에 접속한다. 또한, 본체(10)의 제2 단자(252)(제2 전극(111))를 접지한다. 이 상태에서 고주파 전원(101)으로부터 임피던스 정합 회로(102)를 통하여 본체(10)의 제1 단자(251)로 고주파를 공급한다. 도 7에 도시된 예에서는, 임피던스 정합 회로(102)는, 등가적으로 코일 L1, L2 및 가변 커패시터 VC1, VC2로 구성된다. 가변 커패시터 VC1, VC2의 용량값을 조정함으로써 플라스마를 발생시킬 수 있다. 플라스마가 안정된 상태에 있어서, 임피던스 정합 회로(102)의 임피던스는, 플라스마가 발생하였을 때의 본체(10)의 측(제1 전극(106) 및 제2 전극(111)의 측)의 임피던스 Rp-jXp에 정합되어 있다. 이때의 임피던스 정합 회로(102)의 임피던스는 Rp+jXp이다.
따라서, 임피던스가 정합되었을 때의 임피던스 정합 회로(102)의 임피던스 Rp+jXp에 기초하여, Rp-jXp(실제로 알고 싶은 것은 Rp만)를 얻을 수 있다. Rp-jXp는, 그 밖에, 예를 들어 설계 데이터에 기초하여 시뮬레이션에 의해 구할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 Rp에 기초하여, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하도록, 밸룬(103)의 제1 코일(221)의 임피던스의 리액턴스 성분(인덕턴스 성분) X를 결정하면 된다.
도 8에는, 본 발명의 제2 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 제2 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)는, 기판(112)을 에칭하는 에칭 장치로서 동작할 수 있다. 제2 실시 형태에서는, 제1 전극(106)은 캐소드이며, 기판(112)을 보유 지지한다. 또한, 제2 실시 형태에서는, 제2 전극(111)은 애노드이다. 제2 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)에서는, 제1 전극(106)과 제1 평형 단자(211)가 블로킹 커패시터(104)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 환언하면, 제2 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)에서는, 블로킹 커패시터(104)가 제1 전극(106)과 제1 평형 단자(211)의 전기적인 접속 경로에 배치되어 있다.
도 9에는, 본 발명의 제3 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 제3 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태 플라스마 처리 장치(1)의 변형예이며, 제2 전극(111)을 승강시키는 기구 및 제2 전극(111)을 회전시키는 기구 중 적어도 한쪽을 더 구비한다. 도 9에 도시된 예에서는, 플라스마 처리 장치(1)는, 제2 전극(111)을 승강시키는 기구 및 제2 전극(111)을 회전시키는 기구의 양쪽을 포함하는 구동 기구(114)를 구비한다. 진공 용기(110)와 구동 기구(114)의 사이에는, 진공 격벽을 구성하는 벨로우즈(113)가 마련될 수 있다.
마찬가지로, 제2 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)도, 제1 전극(106)을 승강시키는 기구 및 제2 전극(106)을 회전시키는 기구 중 적어도 한쪽을 더 구비할 수 있다.
도 10에는, 본 발명의 제4 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 제4 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)로서 언급하지 않는 사항은, 제1 내지 제3 실시 형태를 따를 수 있다. 플라스마 처리 장치(1)는, 제1 밸룬(103)과, 제2 밸룬(303)과, 진공 용기(110)와, 제1 조를 구성하는 제1 전극(106) 및 제2 전극(135)과, 제2 조를 구성하는 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)을 구비하고 있다. 혹은, 플라스마 처리 장치(1)는, 제1 밸룬(103)과, 제2 밸룬(303)과, 본체(10)를 구비하고, 본체(10)가, 진공 용기(110)와, 제1 조를 구성하는 제1 전극(106) 및 제2 전극(135)과, 제2 조를 구성하는 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)을 구비하고 있는 것으로서 이해되어도 된다. 본체(10)는, 제1 단자(251), 제2 단자(252), 제3 단자(451), 제4 단자(452)를 갖는다.
제1 밸룬(103)은, 제1 불평형 단자(201), 제2 불평형 단자(202), 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)를 갖는다. 제1 밸룬(103)의 제1 불평형 단자(201) 및 제2 불평형 단자(202)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)에는, 평형 회로가 접속된다. 제2 밸룬(303)은, 제1 밸룬(103)과 마찬가지의 구성을 가질 수 있다. 제2 밸룬(303)은, 제1 불평형 단자(401), 제2 불평형 단자(402), 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)를 갖는다. 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(401) 및 제2 불평형 단자(402)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)에는, 평형 회로가 접속된다. 진공 용기(110)는 접지되어 있다.
제1 조의 제1 전극(106)은, 타깃(109)을 보유 지지한다. 타깃(109)은, 예를 들어 절연체 재료 또는 도전체 재료일 수 있다. 제1 조의 제2 전극(135)은, 제1 전극(106)의 주위에 배치된다. 제1 조의 제1 전극(106)은, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)에 전기적으로 접속되고, 제1 조의 제2 전극(135)은, 제1 밸룬(103)의 제2 평형 단자(212)에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 조의 제1 전극(141)은, 기판(112)을 보유 지지한다. 제2 조의 제2 전극(145)은, 제1 전극(141)의 주위에 배치된다. 제2 조의 제1 전극(141)은, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)에 전기적으로 접속되고, 제2 조의 제2 전극(145)은, 제2 밸룬(303)의 제2 평형 단자(412)에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 구성은, 제1 조의 제1 전극(106)이 제1 단자(251)에 전기적으로 접속되고, 제1 조의 제2 전극(135)이 제2 단자(252)에 전기적으로 접속되고, 제1 단자(251)가 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)에 전기적으로 접속되고, 제2 단자(252)가 제1 밸룬(103)의 제2 평형 단자(212)에 전기적으로 접속된 구성으로서 이해될 수 있다. 또한, 상기 구성은, 제2 조의 제1 전극(141)이 제3 단자(451)에 전기적으로 접속되고, 제2 조의 제2 전극(145)이 제4 단자(452)에 전기적으로 접속되고, 제3 단자(451)가 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)에 전기적으로 접속되고, 제4 단자(452)가 제2 밸룬(303)의 제2 평형 단자(412)에 전기적으로 접속되어 있는 것으로서 이해될 수 있다.
제1 조의 제1 전극(106)과 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)(제1 단자(251))는, 블로킹 커패시터(104)를 통하여 전기적으로 접속될 수 있다. 블로킹 커패시터(104)는, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)와 제1 조의 제1 전극(106)의 사이(혹은, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)와 제2 평형 단자(212)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 블로킹 커패시터(104)를 마련하는 대신에, 제1 임피던스 정합 회로(102)가, 제1 밸룬(103)의 제1 불평형 단자(201)와 제2 불평형 단자(202)의 사이를 흐르는 직류 전류를 차단하도록 구성되어도 된다. 제1 조의 제1 전극(106) 및 제2 전극(135)은, 절연체(132)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지될 수 있다.
제2 조의 제1 전극(141)과 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)(제3 단자(451))는, 블로킹 커패시터(304)를 통하여 전기적으로 접속될 수 있다. 블로킹 커패시터(304)는, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)와 제2 조의 제1 전극(141)의 사이(혹은, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)와 제2 평형 단자(412)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 블로킹 커패시터(304)를 마련하는 대신에, 제2 임피던스 정합 회로(302)가, 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(201)와 제2 불평형 단자(202)의 사이를 흐르는 직류 전류를 차단하도록 구성되어도 된다. 제2 조의 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)은, 절연체(142)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지될 수 있다.
플라스마 처리 장치(1)는, 제1 고주파 전원(101)과, 제1 고주파 전원(101)과 제1 밸룬(103)의 사이에 배치된 제1 임피던스 정합 회로(102)를 구비할 수 있다. 제1 고주파 전원(101)은, 제1 임피던스 정합 회로(102)를 통하여 제1 밸룬(103)의 제1 불평형 단자(201)와 제2 불평형 단자(202)의 사이에 고주파를 공급한다. 환언하면, 제1 고주파 전원(101)은, 제1 임피던스 정합 회로(102), 제1 밸룬(103) 및 블로킹 커패시터(104)를 통하여, 제1 전극(106)과 제2 전극(135)의 사이에 고주파를 공급한다. 혹은, 제1 고주파 전원(101)은, 제1 임피던스 정합 회로(102), 제1 밸룬(103)을 통하여, 본체(10)의 제1 단자(251)와 제2 단자(252)의 사이에 고주파를 공급한다. 제1 밸룬(103), 그리고 제1 조의 제1 전극(106) 및 제2 전극(135)은, 진공 용기(110)의 내부 공간에 고주파를 공급하는 제1 고주파 공급부를 구성한다.
플라스마 처리 장치(1)는, 제2 고주파 전원(301)과, 제2 고주파 전원(301)과 제2 밸룬(303)의 사이에 배치된 제2 임피던스 정합 회로(302)를 구비할 수 있다. 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302)를 통하여 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(401)와 제2 불평형 단자(402)의 사이에 고주파를 공급한다. 환언하면, 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302), 제2 밸룬(303) 및 블로킹 커패시터(304)를 통하여, 제2 조의 제1 전극(141)과 제2 전극(145)의 사이에 고주파를 공급한다. 혹은, 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302), 제2 밸룬(303)을 통하여, 본체(10)의 제3 단자(451)와 제4 단자(452)의 사이에 고주파를 공급한다. 제2 밸룬(303), 그리고 제2 조의 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)은, 진공 용기(110)의 내부 공간에 고주파를 공급하는 제2 고주파 공급부를 구성한다.
제1 고주파 전원(101)으로부터의 고주파의 공급에 의해 진공 용기(110)의 내부 공간에 플라스마가 발생한 상태에서 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)의 측에서 제1 조의 제1 전극(106) 및 제2 전극(135)의 측(본체(10)의 측)을 보았을 때의 임피던스를 Rp1-jXp1이라고 하자. 또한, 제1 밸룬(103)의 제1 코일(221)의 임피던스의 리액턴스 성분(인덕턴스 성분)을 X1이라고 하자. 이 정의에 있어서, 1.5≤X1/Rp1≤5000을 만족하는 경우에, 진공 용기(110)의 내부 공간에 형성되는 플라스마의 전위를 안정시킬 수 있다.
또한, 제2 고주파 전원(301)으로부터의 고주파의 공급에 의해 진공 용기(110)의 내부 공간에 플라스마가 발생한 상태에서 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)의 측에서 제2 조의 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)의 측(본체(10)의 측)을 보았을 때의 임피던스를 Rp2-jXp2라고 하자. 또한, 제2 밸룬(303)의 제1 코일(221)의 임피던스의 리액턴스 성분(인덕턴스 성분)을 X2라고 하자. 이 정의에 있어서, 1.5≤X2/Rp2≤5000을 만족하는 경우에, 진공 용기(110)의 내부 공간에 형성되는 플라스마의 전위를 안정시킬 수 있다.
도 11에는, 본 발명의 제5 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 제5 실시 형태의 장치(1)는, 제4 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)에 대하여 구동 기구(114, 314)를 추가한 구성을 갖는다. 구동 기구(114)는, 제1 전극(141)을 승강시키는 기구 및 제1 전극(141)을 회전시키는 기구 중 적어도 한쪽을 구비할 수 있다. 구동 기구(314)는, 제2 전극(145)을 승강시키는 기구를 구비할 수 있다.
도 12에는, 본 발명의 제6 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 제6 실시 형태로서 언급하지 않는 사항은, 제1 내지 제5 실시 형태를 따를 수 있다. 제6 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)는, 복수의 제1 고주파 공급부와, 적어도 1개의 제2 고주파 공급부를 구비하고 있다. 복수의 제1 고주파 공급부 중 1개는, 제1 전극(106a)과, 제2 전극(135a)과, 제1 밸룬(103a)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 고주파 공급부 중 다른 1개는, 제1 전극(106b)과, 제2 전극(135b)과, 제1 밸룬(103b)을 포함할 수 있다. 여기서는, 복수의 제1 고주파 공급부가 2개의 고주파 공급부로 구성되는 예를 설명한다. 또한, 2개의 고주파 공급부 및 그것에 관련된 구성 요소를 첨자 a, b로 서로 구별한다. 마찬가지로, 2개의 타깃에 대해서도, 첨자 a, b로 서로 구별한다.
다른 관점에 있어서, 플라스마 처리 장치(1)는, 복수의 제1 밸룬(103a, 103b)과, 제2 밸룬(303)과, 진공 용기(110)와, 제1 전극(106a) 및 제2 전극(135a)과, 제1 전극(106b) 및 제2 전극(135b)과, 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)을 구비하고 있다. 혹은, 플라스마 처리 장치(1)는, 복수의 제1 밸룬(103a, 103b)과, 제2 밸룬(303)과, 본체(10)를 구비하고, 본체(10)가, 진공 용기(110)와, 제1 전극(106a) 및 제2 전극(135a)과, 제1 전극(106b) 및 제2 전극(135b)과, 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)을 구비하고 있는 것으로서 이해되어도 된다. 본체(10)는, 제1 단자(251a, 251b), 제2 단자(252a, 252b), 제3 단자(451), 제4 단자(452)를 갖는다.
제1 밸룬(103a)은, 제1 불평형 단자(201a), 제2 불평형 단자(202a), 제1 평형 단자(211a) 및 제2 평형 단자(212a)를 갖는다. 제1 밸룬(103a)의 제1 불평형 단자(201a) 및 제2 불평형 단자(202a)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 제1 밸룬(103a)의 제1 평형 단자(211a) 및 제2 평형 단자(212a)에는, 평형 회로가 접속된다. 제1 밸룬(103b)은, 제1 불평형 단자(201b), 제2 불평형 단자(202b), 제1 평형 단자(211b) 및 제2 평형 단자(212b)를 갖는다. 제1 밸룬(103b)의 제1 불평형 단자(201b) 및 제2 불평형 단자(202b)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 제1 밸룬(103b)의 제1 평형 단자(211b) 및 제2 평형 단자(212b)에는, 평형 회로가 접속된다.
제2 밸룬(303)은, 제1 밸룬(103a, 103b)과 마찬가지의 구성을 가질 수 있다. 제2 밸룬(303)은, 제1 불평형 단자(401), 제2 불평형 단자(402), 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)를 갖는다. 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(401) 및 제2 불평형 단자(402)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)에는, 평형 회로가 접속된다. 진공 용기(110)는 접지되어 있다.
제1 전극(106a, 106b)은, 각각 타깃(109a, 109b)을 보유 지지한다. 타깃(109a, 109b)은, 예를 들어 절연체 재료 또는 도전체 재료일 수 있다. 제2 전극(135a, 135b)은, 각각 제1 전극(106a, 106b)의 주위에 배치된다. 제1 전극(106a, 106b)은, 각각 제1 밸룬(103a, 103b)의 제1 평형 단자(211a, 211b)에 전기적으로 접속되고, 제2 전극(135a, 135b)은, 각각 제1 밸룬(103a, 103b)의 제2 평형 단자(212a, 212b)에 전기적으로 접속되어 있다.
제1 전극(141)은, 기판(112)을 보유 지지한다. 제2 전극(145)은, 제1 전극(141)의 주위에 배치된다. 제1 전극(141)은, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)에 전기적으로 접속되고, 제2 전극(145)은, 제2 밸룬(303)의 제2 평형 단자(412)에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 구성은, 제1 전극(106a, 106b)이 각각 제1 단자(251a, 251b)에 전기적으로 접속되고, 제2 전극(135a, 135b)이 각각 제2 단자(252a, 252b)에 전기적으로 접속되고, 제1 단자(251a, 251b)가 각각 제1 밸룬(103a, 103b)의 제1 평형 단자(211a, 111b)에 전기적으로 접속되고, 제2 단자(252a, 252b)가 각각 제1 밸룬(103a, 103b)의 제2 평형 단자(212a, 212b)에 전기적으로 접속된 구성으로서 이해될 수 있다. 또한, 상기 구성은, 제1 전극(141)이 제3 단자(451)에 전기적으로 접속되고, 제2 전극(145)이 제4 단자(452)에 전기적으로 접속되고, 제3 단자(451)가 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)에 전기적으로 접속되고, 제4 단자(452)가 제2 밸룬(303)의 제2 평형 단자(412)에 전기적으로 접속되어 있는 것으로서 이해될 수 있다.
제1 전극(106a, 106b)과 제1 밸룬(103a, 103b)의 제1 평형 단자(211a, 211b)(제1 단자(251a, 251b))는, 각각 블로킹 커패시터(104a, 104b)를 통하여 전기적으로 접속될 수 있다. 블로킹 커패시터(104a, 104b)는, 제1 밸룬(103a, 103b)의 제1 평형 단자(211a, 211b)와 제1 전극(106a, 106b)의 사이(혹은, 제1 밸룬(103a, 103b)의 제1 평형 단자(211a, 211b)와 제2 평형 단자(212a, 212b)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 블로킹 커패시터(104a, 104b)를 마련하는 대신에, 제1 임피던스 정합 회로(102a, 102b)가, 제1 밸룬(103a, 103b)의 제1 불평형 단자(201a, 201b)와 제2 불평형 단자(202a, 202b)의 사이를 흐르는 직류 전류를 차단하도록 구성되어도 된다. 혹은, 블로킹 커패시터(104a, 104b)는, 제2 전극(135a, 135b)과 제1 밸룬(103a, 103b)의 제2 평형 단자(212a, 212b)(제2 단자(252a, 252b))의 사이에 배치되어도 된다. 제1 전극(106a, 106b) 및 제2 전극(135a, 135b)은, 각각 절연체(132a, 132b)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지될 수 있다.
제1 전극(141)과 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)(제3 단자(451))는, 블로킹 커패시터(304)를 통하여 전기적으로 접속될 수 있다. 블로킹 커패시터(304)는, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)와 제1 전극(141)의 사이(혹은, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)와 제2 평형 단자(412)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 블로킹 커패시터(304)를 마련하는 대신에, 제2 임피던스 정합 회로(302)가, 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(201)와 제2 불평형 단자(202)의 사이를 흐르는 직류 전류를 차단하도록 구성되어도 된다. 혹은, 블로킹 커패시터(304)는, 제2 전극(145)과 제2 밸룬(303)의 제2 평형 단자(412)(제4 단자(452))의 사이에 배치되어도 된다. 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)은, 절연체(142)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지될 수 있다.
플라스마 처리 장치(1)는, 복수의 제1 고주파 전원(101a, 101b)과, 복수의 제1 고주파 전원(101a, 101b)과 복수의 제1 밸룬(103a, 103b)의 사이에 각각 배치된 제1 임피던스 정합 회로(102a, 102b)를 구비할 수 있다. 제1 고주파 전원(101a, 101b)은, 각각 제1 임피던스 정합 회로(102a, 102b)를 통하여 제1 밸룬(103a, 103b)의 제1 불평형 단자(201a, 201b)와 제2 불평형 단자(202a, 202b)의 사이에 고주파를 공급한다. 환언하면, 제1 고주파 전원(101a, 101b)은, 각각 제1 임피던스 정합 회로(102a, 102b), 제1 밸룬(103a, 103b) 및 블로킹 커패시터(104a, 104b)를 통하여, 제1 전극(106a, 106b)과 제2 전극(135a, 135b)의 사이에 고주파를 공급한다. 혹은, 제1 고주파 전원(101a, 101b)은, 제1 임피던스 정합 회로(102a, 102b), 제1 밸룬(103a, 103b)을 통하여, 본체(10)의 제1 단자(251a, 251b)와 제2 단자(252a, 252b)의 사이에 고주파를 공급한다.
플라스마 처리 장치(1)는, 제2 고주파 전원(301)과, 제2 고주파 전원(301)과 제2 밸룬(303)의 사이에 배치된 제2 임피던스 정합 회로(302)를 구비할 수 있다. 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302)를 통하여 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(401)와 제2 불평형 단자(402)의 사이에 고주파를 공급한다. 환언하면, 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302), 제2 밸룬(303) 및 블로킹 커패시터(304)를 통하여, 제1 전극(141)과 제2 전극(145)의 사이에 고주파를 공급한다. 혹은, 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302), 제2 밸룬(303)을 통하여, 본체(10)의 제3 단자(451)와 제4 단자(452)의 사이에 고주파를 공급한다.
도 13에는, 본 발명의 제7 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)의 구성이 모식적으로 도시되어 있다. 제7 실시 형태의 스퍼터링 장치(1)로서 언급하지 않는 사항은, 제1 내지 제6 실시 형태를 따를 수 있다. 플라스마 처리 장치(1)는, 제1 밸룬(103)과, 제2 밸룬(303)과, 진공 용기(110)와, 제1 조를 구성하는 제1 전극(105a) 및 제2 전극(105b)과, 제2 조를 구성하는 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)을 구비하고 있다. 혹은, 플라스마 처리 장치(1)는, 제1 밸룬(103)과, 제2 밸룬(303)과, 본체(10)를 구비하고, 본체(10)가, 진공 용기(110)와, 제1 조를 구성하는 제1 전극(105a) 및 제2 전극(105b)과, 제2 조를 구성하는 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)을 구비하고 있는 것으로서 이해되어도 된다. 본체(10)는, 제1 단자(251), 제2 단자(252), 제3 단자(451), 제4 단자(452)를 갖는다.
제1 밸룬(103)은, 제1 불평형 단자(201), 제2 불평형 단자(202), 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)를 갖는다. 제1 밸룬(103)의 제1 불평형 단자(201) 및 제2 불평형 단자(202)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)에는, 평형 회로가 접속된다. 제2 밸룬(303)은, 제1 밸룬(103)과 마찬가지의 구성을 가질 수 있다. 제2 밸룬(303)은, 제1 불평형 단자(401), 제2 불평형 단자(402), 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)를 갖는다. 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(401) 및 제2 불평형 단자(402)의 측에는, 불평형 회로가 접속되고, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)에는, 평형 회로가 접속된다. 진공 용기(110)는 접지되어 있다.
제1 조의 제1 전극(105a)은, 제1 타깃(109a)을 보유 지지하고, 제1 타깃(109a)을 통하여 기판(112)측의 공간과 대향한다. 제1 조의 제2 전극(105b)은, 제1 전극(105a)의 옆에 배치되며, 제2 타깃(109b)을 보유 지지하고, 제2 타깃(109b)을 통하여 기판(112)측의 공간과 대향한다. 타깃(109a 및 109b)은, 예를 들어 절연체 재료 또는 도전체 재료일 수 있다. 제1 조의 제1 전극(105a)은, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)에 전기적으로 접속되고, 제1 조의 제2 전극(105b)은, 제1 밸룬(103)의 제2 평형 단자(212)에 전기적으로 접속되어 있다.
제2 조의 제1 전극(141)은, 기판(112)을 보유 지지한다. 제2 조의 제2 전극(145)은, 제1 전극(141)의 주위에 배치된다. 제2 조의 제1 전극(141)은, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)에 전기적으로 접속되고, 제2 조의 제2 전극(145)은, 제2 밸룬(303)의 제2 평형 단자(412)에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 구성은, 제1 조의 제1 전극(105a)이 제1 단자(251)에 전기적으로 접속되고, 제1 조의 제2 전극(105b)이 제2 단자(252)에 전기적으로 접속되고, 제1 단자(251)가 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)에 전기적으로 접속되고, 제2 단자(252)가 제1 밸룬(103)의 제2 평형 단자(212)에 접속된 구성으로서 이해될 수 있다. 또한, 상기 구성은, 제2 조의 제1 전극(141)이 제3 단자(451)에 전기적으로 접속되고, 제2 조의 제2 전극(145)이 제4 단자(452)에 전기적으로 접속되고, 제3 단자(451)가 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)에 전기적으로 접속되고, 제4 단자(452)가 제2 밸룬(303)의 제2 평형 단자(412)에 접속되어 있는 것으로서 이해될 수 있다.
제1 조의 제1 전극(105a)과 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)(제1 단자(251))는, 블로킹 커패시터(104a)를 통하여 전기적으로 접속될 수 있다. 블로킹 커패시터(104a)는, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)와 제1 조의 제1 전극(105a)의 사이(혹은, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)와 제2 평형 단자(212)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 제1 조의 제2 전극(105b)과 제1 밸룬(103)의 제2 평형 단자(212)(제2 단자(252))는, 블로킹 커패시터(104b)를 통하여 전기적으로 접속될 수 있다. 블로킹 커패시터(104b)는, 제1 밸룬(103)의 제2 평형 단자(212)와 제1 조의 제2 전극(105b)의 사이(혹은, 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211)와 제2 평형 단자(212)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 제1 조의 제1 전극(105a), 제2 전극(105b)은, 각각 절연체(132a, 132b)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지될 수 있다.
제2 조의 제1 전극(141)과 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)(제3 단자(451))는, 블로킹 커패시터(304)를 통하여 전기적으로 접속될 수 있다. 블로킹 커패시터(304)는, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)와 제2 조의 제1 전극(141)의 사이(혹은, 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411)와 제2 평형 단자(412)의 사이)에서 직류 전류를 차단한다. 블로킹 커패시터(304)를 마련하는 대신에, 제2 임피던스 정합 회로(302)가, 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(401)와 제2 불평형 단자(402)의 사이를 흐르는 직류 전류를 차단하도록 구성되어도 된다. 제2 조의 제1 전극(141), 제2 전극(145)은, 각각 절연체(142, 146)를 통하여 진공 용기(110)에 의해 지지될 수 있다.
플라스마 처리 장치(1)는, 제1 고주파 전원(101)과, 제1 고주파 전원(101)과 제1 밸룬(103)의 사이에 배치된 제1 임피던스 정합 회로(102)를 구비할 수 있다. 제1 고주파 전원(101)은, 제1 임피던스 정합 회로(102), 제1 밸룬(103) 및 블로킹 커패시터(104a, 104b)를 통하여, 제1 전극(105a)과 제2 전극(105b)의 사이에 고주파를 공급한다. 혹은, 제1 고주파 전원(101)은, 제1 임피던스 정합 회로(102), 제1 밸룬(103)을 통하여, 본체(10)의 제1 단자(251)와 제2 단자(252)의 사이에 고주파를 공급한다. 제1 밸룬(103), 그리고 제1 조의 제1 전극(105a) 및 제2 전극(105b)은, 진공 용기(110)의 내부 공간에 고주파를 공급하는 제1 고주파 공급부를 구성한다.
플라스마 처리 장치(1)는, 제2 고주파 전원(301)과, 제2 고주파 전원(301)과 제2 밸룬(303)의 사이에 배치된 제2 임피던스 정합 회로(302)를 구비할 수 있다. 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302)를 통하여 제2 밸룬(303)의 제1 불평형 단자(401)와 제2 불평형 단자(402)의 사이에 고주파를 공급한다. 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302), 제2 밸룬(303) 및 블로킹 커패시터(304)를 통하여, 제2 조의 제1 전극(141)과 제2 전극(145)의 사이에 고주파를 공급한다. 혹은, 제2 고주파 전원(301)은, 제2 임피던스 정합 회로(302), 제2 밸룬(303)을 통하여, 본체(10)의 제3 단자(451)와 제4 단자(452)의 사이에 고주파를 공급한다. 제2 밸룬(303), 그리고 제2 조의 제1 전극(141) 및 제2 전극(145)은, 진공 용기(110)의 내부 공간에 고주파를 공급하는 제2 고주파 공급부를 구성한다.
제1 고주파 전원(101)으로부터의 고주파의 공급에 의해 진공 용기(110)의 내부 공간에 플라스마가 발생한 상태에서 제1 밸룬(103)의 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)의 측에서 제1 조의 제1 전극(105a) 및 제2 전극(105b)의 측(본체(10)의 측)을 보았을 때의 임피던스를 Rp1-jXp1이라고 하자. 또한, 제1 밸룬(103)의 제1 코일(221)의 임피던스의 리액턴스 성분(인덕턴스 성분)을 X1이라고 하자. 이 정의에 있어서, 1.5≤X1/Rp1≤5000을 만족하는 경우에, 진공 용기(110)의 내부 공간에 형성되는 플라스마의 전위를 안정시킬 수 있다.
또한, 제2 고주파 전원(302)으로부터의 고주파의 공급에 의해 진공 용기(110)의 내부 공간에 플라스마가 발생한 상태에서 제2 밸룬(303)의 제1 평형 단자(411) 및 제2 평형 단자(412)의 측에서 제2 조의 제1 전극(127) 및 제2 전극(130)의 측(본체(10)의 측)을 보았을 때의 임피던스를 Rp2-jXp2라고 하자. 또한, 제2 밸룬(303)의 제1 코일(221)의 임피던스의 리액턴스 성분(인덕턴스 성분)을 X2라고 하자. 이 정의에 있어서, 1.5≤X2/Rp2≤5000을 만족하는 경우에, 진공 용기(110)의 내부 공간에 형성되는 플라스마의 전위를 안정시킬 수 있다.
제7 실시 형태의 스퍼터링 장치(1)는, 제2 조를 구성하는 제1 전극(141)을 승강시키는 기구 및 제2 조를 구성하는 제1 전극(141)을 회전시키는 기구 중 적어도 한쪽을 더 구비할 수 있다. 도 13에 도시된 예에서는, 플라스마 처리 장치(1)는, 제1 전극(141)을 승강시키는 기구 및 제1 전극(141)을 회전시키는 기구의 양쪽을 포함하는 구동 기구(114)를 구비한다. 또한, 도 13에 도시된 예에서는, 플라스마 처리 장치(1)는, 제2 조를 구성하는 제2 전극을 승강시키는 기구(314)를 구비한다. 진공 용기(113)와 구동 기구(114, 314)의 사이에는, 진공 격벽을 구성하는 벨로우즈가 마련될 수 있다.
도 14를 참조하면서, 도 13에 도시된 제7 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)에 있어서의 제1 밸룬(103)의 기능을 설명한다. 제1 불평형 단자(201)를 흐르는 전류를 I1, 제1 평형 단자(211)를 흐르는 전류를 I2, 제2 불평형 단자(202)를 흐르는 전류를 I2', 전류 I2 중 접지에 흐르는 전류를 I3이라고 하자. I3=0, 즉 평형 회로측에서 접지에 전류가 흐르지 않는 경우, 접지에 대한 평형 회로의 아이솔레이션 성능이 가장 좋다. I3=I2, 즉 제1 평형 단자(211)를 흐르는 전류 I2 전부가 접지에 대하여 흐르는 경우, 접지에 대한 평형 회로의 아이솔레이션 성능이 가장 나쁘다. 이러한 아이솔레이션 성능의 정도를 나타내는 지표 ISO는, 제1 내지 제5 실시 형태와 마찬가지로, 이하의 식으로 제공될 수 있다. 이 정의 하에서는, ISO의 값의 절댓값이 큰 쪽이, 아이솔레이션 성능이 좋다.
ISO[dB]=20log(I3/I2')
도 14에 있어서, Rp-jXp(=Rp/2-jXp/2+Rp/2-jXp/2)는, 진공 용기(110)의 내부 공간에 플라스마가 발생한 상태에서 제1 평형 단자(211) 및 제2 평형 단자(212)의 측에서 제1 전극(105a) 및 제2 전극(105b)의 측(본체(10)의 측)을 보았을 때의 임피던스(블로킹 커패시터(104a 및 104b)의 리액턴스를 포함함)를 나타내고 있다. Rp는 저항 성분, -Xp는 리액턴스 성분을 나타내고 있다. 또한, 도 14에 있어서, X는, 제1 밸룬(103)의 제1 코일(221)의 임피던스의 리액턴스 성분(인덕턴스 성분)을 나타내고 있다. ISO는, X/Rp에 대하여 상관을 갖는다.
제1 실시 형태의 설명에 있어서 참조한 도 4에는, 전류 I1(=I2), I2', I3, ISO, α(=X/Rp)의 관계가 예시되어 있다. 도 4의 관계는, 제7 실시 형태에 있어서도 성립된다. 본 발명자는, 제7 실시 형태에 있어서도, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 진공 용기(110)의 내부 공간(제1 전극(105a)과 제2 전극(105b)의 사이의 공간)에 형성되는 플라스마의 전위(플라스마 전위)가 진공 용기(110)의 내면의 상태에 대하여 둔감해지는 것을 알아냈다. 여기서, 플라스마 전위가 진공 용기(110)의 내면의 상태에 대하여 둔감해진다는 것은, 스퍼터링 장치(1)를 장기간에 걸쳐 사용한 경우에 있어서도 플라스마 전위를 안정시킬 수 있음을 의미한다. 1.5≤X/Rp≤5000은, -10.0dB≥ISO≥-80dB에 상당한다.
도 15a 내지 도 15d에는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에 있어서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 15a는, 진공 용기(110)의 내면에 저항성 막(1mΩ)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 15b는, 진공 용기(110)의 내면에 저항성 막(1000Ω)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 15c는, 진공 용기(110)의 내면에 유도성 막(0.6μH)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 15d는, 진공 용기(110)의 내면에 용량성 막(0.1nF)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 15a 내지 도 15d로부터, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하는 경우에는, 진공 용기(113)의 내면이 여러 가지 상태에 있어서 플라스마 전위가 안정되어 있음이 이해된다.
도 16a 내지 도 16d에는, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에 있어서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 시뮬레이션한 결과가 도시되어 있다. 도 16a는, 진공 용기(110)의 내면에 저항성 막(1mΩ)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 16b는, 진공 용기(110)의 내면에 저항성 막(1000Ω)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 16c는, 진공 용기(110)의 내면에 유도성 막(0.6μH)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 16d는, 진공 용기(110)의 내면에 용량성 막(0.1nF)이 형성된 상태에서의 플라스마 전위, 제1 전극(105a)의 전위(캐소드 1 전위) 및 제2 전극(105b)의 전위(캐소드 2 전위)를 도시하고 있다. 도 16a 내지 도 16d로부터, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하지 않는 경우에는, 진공 용기(110)의 내면이 상태에 의존하여 플라스마 전위가 변화함이 이해된다.
여기서, X/Rp>5000(예를 들어, X/Rp=∞)인 경우와 X/Rp<1.5인 경우(예를 들어, X/Rp=1.16, X/Rp=0.87)의 양쪽에 있어서, 진공 용기(110)의 내면의 상태에 의존하여 플라스마 전위가 변화하기 쉽다. X/Rp>5000인 경우에는, 진공 용기(110)의 내면에 막이 형성되어 있지 않은 상태에서는, 제1 전극(105a)과 제2 전극(105b)의 사이에서만 방전이 일어난다. 그러나, X/Rp>5000인 경우, 진공 용기(110)의 내면에 막이 형성되기 시작하면, 그에 대하여 플라스마 전위가 민감하게 반응하여, 도 16a 내지 도 16d에 예시되는 바와 같은 결과가 된다. 한편, X/Rp<1.5인 경우에는, 진공 용기(110)를 통하여 접지에 유입되는 전류가 크므로, 진공 용기(110)의 내면의 상태(내면에 형성되는 막의 전기적인 특성)에 의한 영향이 현저해지고, 막의 형성에 의존하여 플라스마 전위가 변화한다. 따라서, 전술한 바와 같이, 1.5≤X/Rp≤5000을 만족하도록 스퍼터링 장치(1)를 구성해야 한다.
본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러 가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 밝히기 위해, 이하의 청구항을 첨부한다.
1: 플라스마 처리 장치
10: 본체
101: 고주파 전원
102: 임피던스 정합 회로
103: 밸룬
104: 블로킹 커패시터
106: 제1 전극
107, 108: 절연체
109: 타깃
110: 진공 용기
111: 제2 전극
112: 기판
201: 제1 불평형 단자
202: 제2 불평형 단자
211: 제1 평형 단자
212: 제2 평형 단자
251: 제1 단자
252: 제2 단자
221: 제1 코일
222: 제2 코일
223: 제3 코일
224: 제4 코일

Claims (1)

  1. 제1 불평형 단자, 제2 불평형 단자, 제1 평형 단자 및 제2 평형 단자를 갖는 밸룬과,
    접지된 진공 용기와,
    상기 제1 평형 단자에 전기적으로 접속된 제1 전극과,
    상기 제2 평형 단자에 전기적으로 접속된 제2 전극을 구비하는, 플라스마 처리 장치.
KR1020227006321A 2017-06-27 2017-06-27 플라스마 처리 장치 Ceased KR20220031132A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/023611 WO2019003312A1 (ja) 2017-06-27 2017-06-27 プラズマ処理装置
KR1020207001366A KR102457976B1 (ko) 2017-06-27 2017-06-27 플라스마 처리 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207001366A Division KR102457976B1 (ko) 2017-06-27 2017-06-27 플라스마 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220031132A true KR20220031132A (ko) 2022-03-11

Family

ID=61195801

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207001366A Active KR102457976B1 (ko) 2017-06-27 2017-06-27 플라스마 처리 장치
KR1020227006321A Ceased KR20220031132A (ko) 2017-06-27 2017-06-27 플라스마 처리 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207001366A Active KR102457976B1 (ko) 2017-06-27 2017-06-27 플라스마 처리 장치

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11626270B2 (ko)
EP (1) EP3648550B1 (ko)
JP (1) JP6280677B1 (ko)
KR (2) KR102457976B1 (ko)
CN (1) CN110800375B (ko)
PL (1) PL3648550T3 (ko)
SG (1) SG11201912566WA (ko)
TW (2) TWI704844B (ko)
WO (1) WO2019003312A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019003309A1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
TWI690244B (zh) * 2017-06-27 2020-04-01 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
KR102361377B1 (ko) 2017-06-27 2022-02-10 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
TWI680697B (zh) * 2017-06-27 2019-12-21 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
TWI750525B (zh) * 2017-06-27 2021-12-21 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
WO2019004188A1 (ja) 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
KR102457976B1 (ko) * 2017-06-27 2022-10-25 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
EP3817517B1 (en) * 2018-06-26 2024-08-14 Canon Anelva Corporation Plasma treatment device, plasma treatment method, program, and memory medium
US20220093363A1 (en) * 2020-09-23 2022-03-24 Advanced Energy Industries, Inc. Alternating Current (AC) Dual Magnetron Sputtering

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5535465A (en) 1978-09-05 1980-03-12 Hitachi Cable Method of coloring insulated wire

Family Cites Families (171)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4025339A (en) 1974-01-18 1977-05-24 Coulter Information Systems, Inc. Electrophotographic film, method of making the same and photoconductive coating used therewith
US4014779A (en) 1974-11-01 1977-03-29 Coulter Information Systems, Inc. Sputtering apparatus
JPS53141937U (ko) 1977-04-15 1978-11-09
US4170475A (en) 1977-05-12 1979-10-09 Coulter Information Systems, Inc. High speed electrophotographic method
JPS53141937A (en) 1977-05-18 1978-12-11 Mitsubishi Electric Corp Liquid fuel burner
US4131533A (en) 1977-12-30 1978-12-26 International Business Machines Corporation RF sputtering apparatus having floating anode shield
US4284490A (en) 1978-09-28 1981-08-18 Coulter Systems Corporation R.F. Sputtering apparatus including multi-network power supply
US4284489A (en) 1978-09-28 1981-08-18 Coulter Systems Corporation Power transfer network
JPS57106216A (en) 1980-12-24 1982-07-02 Fujitsu Ltd Switched capacitor filter
US4584079A (en) 1983-10-11 1986-04-22 Honeywell Inc. Step shape tailoring by phase angle variation RF bias sputtering
JPH0639693B2 (ja) 1985-12-05 1994-05-25 日電アネルバ株式会社 誘電体バイアススパツタリング装置
US4887005A (en) 1987-09-15 1989-12-12 Rough J Kirkwood H Multiple electrode plasma reactor power distribution system
US5121067A (en) * 1987-10-06 1992-06-09 Board Of Regents Of Leland Stanford University Directional sampling bridge
US4802080A (en) 1988-03-18 1989-01-31 American Telephone And Telegraph Company, At&T Information Systems Power transfer circuit including a sympathetic resonator
US4956582A (en) * 1988-04-19 1990-09-11 The Boeing Company Low temperature plasma generator with minimal RF emissions
US4871421A (en) * 1988-09-15 1989-10-03 Lam Research Corporation Split-phase driver for plasma etch system
JPH02156081A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156083A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156082A (ja) 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156080A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JP3016821B2 (ja) * 1990-06-15 2000-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US5316645A (en) * 1990-08-07 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
DE4106770C2 (de) 1991-03-04 1996-10-17 Leybold Ag Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats
US5330578A (en) 1991-03-12 1994-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus
JPH04317325A (ja) 1991-04-17 1992-11-09 Nec Corp 半導体装置の製造装置
US5415757A (en) 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
US5286297A (en) * 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
US5698082A (en) 1993-08-04 1997-12-16 Balzers Und Leybold Method and apparatus for coating substrates in a vacuum chamber, with a system for the detection and suppression of undesirable arcing
JP2642849B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
AU2003195A (en) * 1994-06-21 1996-01-04 Boc Group, Inc., The Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines
US5830331A (en) 1994-09-23 1998-11-03 Seagate Technology, Inc. Apparatus and method for sputtering carbon
DE19537212A1 (de) * 1994-10-06 1996-04-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum
US5989999A (en) * 1994-11-14 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Construction of a tantalum nitride film on a semiconductor wafer
DE4441206C2 (de) 1994-11-19 1996-09-26 Leybold Ag Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen
DE69637696D1 (de) 1995-06-05 2008-11-13 Musashino Kikai Co Ltd Leistungsversorgung für multielektroden-entladung
DE19540543A1 (de) 1995-10-31 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens
DE19540794A1 (de) 1995-11-02 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats von einem elektrisch leitfähigen Target
US5830272A (en) 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US6017221A (en) * 1995-12-04 2000-01-25 Flamm; Daniel L. Process depending on plasma discharges sustained by inductive coupling
US6252354B1 (en) * 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
DE19651811B4 (de) 1996-12-13 2006-08-31 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten
KR100252210B1 (ko) 1996-12-24 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 건식식각장치
JP3598717B2 (ja) 1997-03-19 2004-12-08 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
DE19713637C2 (de) 1997-04-02 1999-02-18 Max Planck Gesellschaft Teilchenmanipulierung
GB9714142D0 (en) 1997-07-05 1997-09-10 Surface Tech Sys Ltd An arrangement for the feeding of RF power to one or more antennae
JP3356043B2 (ja) 1997-12-26 2002-12-09 三菱電機株式会社 レーザ加工装置用距離検出器
US6273022B1 (en) * 1998-03-14 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Distributed inductively-coupled plasma source
JP3148177B2 (ja) * 1998-04-27 2001-03-19 ニチメン電子工研株式会社 プラズマ処理装置
JP2000030896A (ja) 1998-07-10 2000-01-28 Anelva Corp プラズマ閉込め装置
US6046641A (en) * 1998-07-22 2000-04-04 Eni Technologies, Inc. Parallel HV MOSFET high power stable amplifier
JP3166745B2 (ja) 1998-12-25 2001-05-14 日本電気株式会社 プラズマ処理装置ならびにプラズマ処理方法
US20020022836A1 (en) * 1999-03-05 2002-02-21 Gyrus Medical Limited Electrosurgery system
JP2000294543A (ja) 1999-04-08 2000-10-20 Hitachi Ltd エッチング方法およびエッチング装置ならびに半導体装置の製造方法
US7537672B1 (en) 1999-05-06 2009-05-26 Tokyo Electron Limited Apparatus for plasma processing
US6818103B1 (en) 1999-10-15 2004-11-16 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems
EP1235947A4 (en) 1999-10-15 2009-04-15 Advanced Energy Ind Inc METHOD AND DEVICE FOR POLARIZING SUBSTRATE IN MULTIPLE ELECTRODE SPUTTERING SYSTEMS
JP2001122690A (ja) * 1999-10-26 2001-05-08 Toyo Kohan Co Ltd マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及びダイヤモンド薄膜を形成する方法
ES2272338T3 (es) 1999-11-16 2007-05-01 Hydro-Quebec Metodo y aparato que facilita el reencendido en un horno de arco.
JP4601104B2 (ja) 1999-12-20 2010-12-22 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP2003533879A (ja) 2000-05-12 2003-11-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システムにおける電極の厚さを調整する方法
JP4656697B2 (ja) 2000-06-16 2011-03-23 キヤノンアネルバ株式会社 高周波スパッタリング装置
US7294563B2 (en) * 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
JP3911555B2 (ja) 2000-08-15 2007-05-09 独立行政法人産業技術総合研究所 シリコン系薄膜の製造法
JP3807598B2 (ja) 2001-07-23 2006-08-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
DE10154229B4 (de) 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
JP2003155556A (ja) 2001-11-16 2003-05-30 Canon Inc ウエッジ形状膜の製造法
CN1305353C (zh) 2001-12-10 2007-03-14 东京毅力科创株式会社 高频电源及其控制方法、和等离子体处理装置
US7298091B2 (en) * 2002-02-01 2007-11-20 The Regents Of The University Of California Matching network for RF plasma source
US6703080B2 (en) 2002-05-20 2004-03-09 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability
DE10326135B4 (de) 2002-06-12 2014-12-24 Ulvac, Inc. Entladungsplasma-Bearbeitungsanlage
US7445690B2 (en) 2002-10-07 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US7032536B2 (en) 2002-10-11 2006-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film formation apparatus including engagement members for support during thermal expansion
US7309998B2 (en) * 2002-12-02 2007-12-18 Burns Lawrence M Process monitor for monitoring an integrated circuit chip
DE10306347A1 (de) 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
US6876205B2 (en) 2003-06-06 2005-04-05 Advanced Energy Industries, Inc. Stored energy arc detection and arc reduction circuit
US6972079B2 (en) 2003-06-25 2005-12-06 Advanced Energy Industries Inc. Dual magnetron sputtering apparatus utilizing control means for delivering balanced power
JP3575011B1 (ja) * 2003-07-04 2004-10-06 村田 正義 プラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法
JP2005130376A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Sony Corp バラン
US7126346B2 (en) 2003-12-18 2006-10-24 Agilent Technologies, Inc. Method, apparatus, and article of manufacture for manufacturing high frequency balanced circuits
US7241361B2 (en) 2004-02-20 2007-07-10 Fei Company Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system
JP4658506B2 (ja) 2004-03-31 2011-03-23 浩史 滝川 パルスアークプラズマ生成用電源回路及びパルスアークプラズマ処理装置
JP2005303257A (ja) 2004-10-01 2005-10-27 Masayoshi Murata 高周波プラズマ生成用平衡不平衡変換装置と、該平衡不平衡変換装置により構成されたプラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法
JP4909523B2 (ja) 2005-03-30 2012-04-04 株式会社ユーテック スパッタリング装置及びスパッタリング方法
EP1720195B1 (de) 2005-05-06 2012-12-12 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Arcunterdrückungsanordnung
JP2006336084A (ja) 2005-06-03 2006-12-14 Canon Inc スパッタ成膜方法
CN2907173Y (zh) 2006-02-24 2007-05-30 苏州大学 大面积并联高密度感应耦合等离子体源
US7517437B2 (en) 2006-03-29 2009-04-14 Applied Materials, Inc. RF powered target for increasing deposition uniformity in sputtering systems
US8932430B2 (en) 2011-05-06 2015-01-13 Axcelis Technologies, Inc. RF coupled plasma abatement system comprising an integrated power oscillator
US8920600B2 (en) * 2006-08-22 2014-12-30 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma source with high coupling efficiency
US10083817B1 (en) * 2006-08-22 2018-09-25 Valery Godyak Linear remote plasma source
JP4768699B2 (ja) * 2006-11-30 2011-09-07 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び成膜方法
US7777567B2 (en) 2007-01-25 2010-08-17 Mks Instruments, Inc. RF power amplifier stability network
US8450635B2 (en) 2007-03-30 2013-05-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for inducing DC voltage on wafer-facing electrode
US20170213734A9 (en) 2007-03-30 2017-07-27 Alexei Marakhtanov Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber
JP2008300322A (ja) 2007-06-04 2008-12-11 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、整合器、及び整合器の動作方法
US20090075597A1 (en) 2007-09-18 2009-03-19 Ofir Degani Device, system, and method of low-noise amplifier
TWI440405B (zh) 2007-10-22 2014-06-01 New Power Plasma Co Ltd 電容式耦合電漿反應器
JP2009135448A (ja) 2007-11-01 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
EP2599506B1 (en) 2007-11-06 2018-07-11 Creo Medical Limited Applicator for microwave plasma sterilisation
JP5371238B2 (ja) 2007-12-20 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN101478857A (zh) * 2008-01-04 2009-07-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理装置
JP5294669B2 (ja) * 2008-03-25 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2008294465A (ja) * 2008-07-31 2008-12-04 Masayoshi Murata 電流導入端子と、該電流導入端子を備えたプラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法
JP2010045664A (ja) 2008-08-14 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd マッチング装置、マッチング方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体
JP2008300873A (ja) 2008-08-26 2008-12-11 Masayoshi Murata プラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置
US8438990B2 (en) 2008-09-30 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Multi-electrode PECVD source
JP4547711B2 (ja) * 2008-10-10 2010-09-22 村田 正義 高周波プラズマｃｖｄ装置及び高周波プラズマｃｖｄ法
JP5305287B2 (ja) 2008-10-30 2013-10-02 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体製造装置
DE112009002717T8 (de) 2008-11-12 2013-06-13 Ulvac, Inc. Elektrodenschaltung, Schichterzeugungsvorrichtung, Elektrodeneinheit und Schichterzeugungsverfahren
US8992723B2 (en) 2009-02-13 2015-03-31 Applied Material, Inc. RF bus and RF return bus for plasma chamber electrode
JP2010255061A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Canon Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング処理方法
JP2009302566A (ja) * 2009-09-16 2009-12-24 Masayoshi Murata トランス型平衡不平衡変換装置を備えたプラズマ表面処理装置
CN202888133U (zh) 2009-09-29 2013-04-17 应用材料公司 用于将射频功率耦合到等离子体腔室的装置
US8755204B2 (en) * 2009-10-21 2014-06-17 Lam Research Corporation RF isolation for power circuitry
US8501631B2 (en) * 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
EP2326151A1 (fr) * 2009-11-24 2011-05-25 AGC Glass Europe Procédé et dispositif de polarisation d'une électrode DBD
JP2011144450A (ja) 2009-12-16 2011-07-28 Canon Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP5606063B2 (ja) 2009-12-28 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102010031568B4 (de) 2010-07-20 2014-12-11 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Arclöschanordnung und Verfahren zum Löschen von Arcs
CN102479657A (zh) 2010-11-26 2012-05-30 沈阳拓荆科技有限公司 一种多段式匹配器
JP5642531B2 (ja) 2010-12-22 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012142332A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Canon Anelva Corp 電子部品の製造方法
KR20130099151A (ko) 2011-01-12 2013-09-05 니신 일렉트릭 컴패니 리미티드 플라스마 장치
KR101839776B1 (ko) 2011-02-18 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 처리장치
CN106024568B (zh) 2011-03-30 2019-05-21 周星工程股份有限公司 等离子体发生装置及基板处理装置
US20130017315A1 (en) 2011-07-15 2013-01-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling power distribution in substrate processing systems
JP2013098177A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Semes Co Ltd 基板処理装置及びインピーダンスマッチング方法
CN103091042B (zh) 2011-11-07 2016-11-16 泰州市宏华冶金机械有限公司 重心测量装置及重心测量方法
WO2013099061A1 (ja) 2011-12-27 2013-07-04 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
US9171699B2 (en) * 2012-02-22 2015-10-27 Lam Research Corporation Impedance-based adjustment of power and frequency
US9197196B2 (en) * 2012-02-22 2015-11-24 Lam Research Corporation State-based adjustment of power and frequency
US10325759B2 (en) 2012-02-22 2019-06-18 Lam Research Corporation Multiple control modes
US10157729B2 (en) * 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
WO2013136656A1 (ja) * 2012-03-15 2013-09-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
DE102012103938A1 (de) * 2012-05-04 2013-11-07 Reinhausen Plasma Gmbh Plasmamodul für eine Plasmaerzeugungsvorrichtung und Plasmaerzeugungsvorrichtung
US20130337657A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates
SG2014009930A (en) 2012-07-24 2014-05-29 Ev Group E Thallner Gmbh Method and device for permanent bonding of wafers
JP2014049541A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法
JP2014049667A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びこれを備えた基板処理装置
US9620337B2 (en) * 2013-01-31 2017-04-11 Lam Research Corporation Determining a malfunctioning device in a plasma system
US9779196B2 (en) * 2013-01-31 2017-10-03 Lam Research Corporation Segmenting a model within a plasma system
US9875881B2 (en) * 2013-02-20 2018-01-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
DE112014001272B4 (de) 2013-03-14 2023-03-30 Canon Anelva Corporation Schichtbildungsverfahren, Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitereinrichtung,lichtemittierende Halbleitereinrichtung und Beleuchtungseinrichtung
JP2013139642A (ja) * 2013-04-02 2013-07-18 Canon Anelva Corp スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置
JP6574547B2 (ja) 2013-12-12 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101768928B1 (ko) 2013-12-25 2017-08-17 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판 가공 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10081869B2 (en) * 2014-06-10 2018-09-25 Lam Research Corporation Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates
US10410889B2 (en) 2014-07-25 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors
ES2849151T3 (es) * 2015-01-16 2021-08-16 Antonio Franco Selmo Un dispositivo intrínsecamente diseñado para resonar, adecuado para la transferencia de potencia RF así como un grupo que incluye dicho dispositivo y utilizable para la producción de plasma
GB201502453D0 (en) 2015-02-13 2015-04-01 Spts Technologies Ltd Plasma producing apparatus
US10049862B2 (en) * 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery
JP6652635B2 (ja) 2015-05-12 2020-02-26 ラガーディア アンド アソシエイツ エルエルシー 原子炉容器の分割のためのシステムおよび方法
JP6539113B2 (ja) 2015-05-28 2019-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9960009B2 (en) 2015-07-17 2018-05-01 Lam Research Corporation Methods and systems for determining a fault in a gas heater channel
JP6678886B2 (ja) 2016-05-26 2020-04-15 株式会社サムソン 給水予熱装置の製造方法
US10403476B2 (en) 2016-11-09 2019-09-03 Lam Research Corporation Active showerhead
JP2018129224A (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20180274100A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Applied Materials, Inc. Alternating between deposition and treatment of diamond-like carbon
GB2562110A (en) * 2017-05-05 2018-11-07 Creo Medical Ltd Apparatus for sterilising an instrument channel of a surgical scoping device
WO2019004188A1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
WO2019003309A1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
TWI750525B (zh) 2017-06-27 2021-12-21 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
KR102361377B1 (ko) * 2017-06-27 2022-02-10 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
KR102457976B1 (ko) 2017-06-27 2022-10-25 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
CN110800378B (zh) * 2017-06-27 2021-12-28 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
JP6309683B1 (ja) 2017-10-31 2018-04-11 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP7301075B2 (ja) 2018-06-14 2023-06-30 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド リモートプラズマ源用のラジカル出力モニタ及びその使用方法
EP3817517B1 (en) * 2018-06-26 2024-08-14 Canon Anelva Corporation Plasma treatment device, plasma treatment method, program, and memory medium
US10354838B1 (en) * 2018-10-10 2019-07-16 Lam Research Corporation RF antenna producing a uniform near-field Poynting vector
US11013075B2 (en) * 2018-12-20 2021-05-18 Nxp Usa, Inc. RF apparatus with arc prevention using non-linear devices
US11232931B2 (en) * 2019-10-21 2022-01-25 Mks Instruments, Inc. Intermodulation distortion mitigation using electronic variable capacitor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5535465A (en) 1978-09-05 1980-03-12 Hitachi Cable Method of coloring insulated wire

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200018654A (ko) 2020-02-19
TW201906500A (zh) 2019-02-01
EP3648550A1 (en) 2020-05-06
US11626270B2 (en) 2023-04-11
KR102457976B1 (ko) 2022-10-25
TW201933950A (zh) 2019-08-16
TWI704842B (zh) 2020-09-11
EP3648550A4 (en) 2020-06-24
JP6280677B1 (ja) 2018-02-14
PL3648550T3 (pl) 2021-11-22
WO2019003312A1 (ja) 2019-01-03
US20200126768A1 (en) 2020-04-23
SG11201912566WA (en) 2020-01-30
EP3648550B1 (en) 2021-06-02
JPWO2019003312A1 (ja) 2019-07-04
CN110800375A (zh) 2020-02-14
CN110800375B (zh) 2021-12-28
TWI704844B (zh) 2020-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102457976B1 (ko) 플라스마 처리 장치
KR102361377B1 (ko) 플라스마 처리 장치
KR102280323B1 (ko) 플라스마 처리 장치
JP6516951B1 (ja) プラズマ処理装置
JP7202198B2 (ja) プラズマ処理装置
JP6546369B2 (ja) プラズマ処理装置
JP6785935B2 (ja) エッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
PA0104 Divisional application for international application

Comment text: Divisional Application for International Patent

Patent event code: PA01041R01D

Patent event date: 20220224

Application number text: 1020207001366

Filing date: 20200115

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20220325

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220415

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20221103

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20220415

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I