JP2001122690A

JP2001122690A - マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及びダイヤモンド薄膜を形成する方法

Info

Publication number: JP2001122690A
Application number: JP30384499A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Takagi; 研一高木; Michifumi Nika; 通文丹花; Yoshio Uchiyama; 義夫内山; Masaru Inoue; 勝井上
Original assignee: Toyo Kohan Co Ltd
Current assignee: Toyo Kohan Co Ltd
Priority date: 1999-10-26
Filing date: 1999-10-26
Publication date: 2001-05-08

Abstract

(57)【要約】【課題】基体支持台上に載置される基体が大円形の場
合でもあっても、基体の表面に適正厚みの皮膜を均一か
つ確実に形成することができるマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置を提供する。【解決手段】円形の真空容器１０と、真空容器１０内
に配設されると共に基体１１を支持する円形の基体支持
台１２と、基体支持台１２の上方で円周方向に一定の角
度間隔を開けて配置されると共にプラズマ発生手段の要
部を形成する複数の電極１４と、真空容器１０の少なく
とも円周方向に沿って一定角度間隔を開けて配置され、
その先部に設けた誘電体窓１３が対応する複数の電極１
４にそれぞれ連結される複数のマイクロ波導波管２０
と、真空容器１０に原料ガスを供給するガス供給手段１
５と、真空容器１０内のガスを排気する真空排気手段１
６とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波によっ
てプラズマを発生させ、基体の表面にダイヤモンド皮膜
等を形成することができるマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置とその装置を使用してダイヤモンド薄膜を基板上に形
成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ダイヤモンドの析出速度が比較的速いと
いう特徴から、プラズマジェットＣＶＤ法が薄膜ダイヤ
モンド製法の主流になってきているが、プラズマジェッ
トＣＶＤ法を実用化するためには、さらに均一な厚さの
大きな面積のダイヤモンド薄膜を形成する必要があり、
その方法として従来種々の提案がある。

【０００３】例えば、第３６回応用物理学関係連合講演
会予稿集１ａ−Ｎ−５の方法は、試料基板にバイアスを
印加して、プラズマジェットの照射面積を広げるという
ものであり、特開平４−１１９９９３号の提案は基板ホ
ルダーを回転させる機構とし、基板ホルダーを回転させ
ながらダイヤモンド薄膜を析出、被覆していこうという
ものであり、また米国特許第５５５６４７５号の提案は
ダイヤモンド薄膜生成室の大きさをプラズマジェットマ
イクロ波の周波数から計算される波長のディメンション
とほぼ同程度にしようというものである。

【０００４】参考のためにプラズマジェットＣＶＤ法に
よるダイヤモンド薄膜形成法を米国特許第５５５６４７
５号の方法に基づいて説明すると次のようになる。図５
に示したように、上、下プレート６０、６１及び環状リ
ング６３が形成される反応チャンバー６４内には、平板
状の電極６５が同心円的に配置されており、電極６５は
環状の誘電体バリア６６によって下プレート６１に支持
されている。誘電体バリア６６の下部空間の中央部はマ
イクロ波導波管６７に連通しており、その周縁部は誘電
体バリア６６を介して反応チャンバー６４内の周縁部６
８を介して、電極６５と頂板６９との間に介設されるプ
ラズマ発生空間７０に連通している。

【０００５】また、反応チャンバー６４には、原料ガス
を反応チャンバー６４内に流入するためのガス供給口７
１と、反応チャンバー６４内を真空にすると共に余剰ガ
スを流出するためのガス流出口７２が設けられている。
かかる構成によって、マイクロ波導波管６７を通してマ
イクロ波を反応チャンバー６４内に送り原料ガスを励起
することによって、電極６５の表面上に偏平な円盤状の
プラズマ７３を形成することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、プラズマジェ
ットＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜形成法上の、均一
厚さの大面積ダイヤモンド薄膜を作製する場合の従来の
提案には種々の問題点がある。まず米国特許第５５５６
４７５号の提案では、現在のブラズマ周波数は既に２．
５ＧＨｚに近づいてきているために、この考え方による
とこれ以上周波数を大きくすることは電極基板直径を小
さくする方向になるため今回の課題の解決方法にはなら
ない。

【０００７】周波数を変えないでも逆に電極基板の方を
大きくした場合には、プラズマ周波数を減少させざるを
得ず、このようにするとダイヤモンド薄膜の形成速度が
遅くなるという別の問題が発生する。また、この米国特
許の提案では、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置が単一の
マイクロ波導波管６７しか用いないので、基体７４を支
持する電極６５の大きさに限界があり、円盤の基体７４
の表面にダイヤモンド皮膜等を均一な厚さに形成するこ
とができない。

【０００８】また、特開平４−１１９９９３号の提案で
はダイヤモンド薄膜の直径はたかだか２０ｍｍ程度が限
界で、これ以上の大きい直径のものを得ようとする場合
にはさらに大容量の装置が必要になってくる。市販装置
の中には９１５ＭＨｚの長波長マイクロ波を使用するも
の、１００ｋＷのパワーアップ品もあり、直径６４ｍｍ
の面積に５μｍ/時以上以上の成膜速度でダイヤモンド
膜を形成することができるものがあるが、これらの装置
の価格はきわめて高く実用的利用価値は疑問である。

【０００９】従って大容量化は設備費が増大することに
つながり、ダイヤモンド薄膜の価格を押し上げる要因に
なり、実用化がさらに遅れる原因にもなっている。さら
に特開平４−１１９９９３号の提案のように基板を回転
自在とすることは、一見均質なダイヤモンドが得られそ
うであるが、単一電極の装置の場合には、均一なプラズ
マを得ることができないために、質の良いダイヤモンド
と質の悪いダイヤモンドが交互に析出することになり、
全体として不均一なダイヤモンド膜しか得られないとい
う問題がある。

【００１０】マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンド
膜の生成条件と生成ダイヤモンド膜特性の間には、従来
以下のような関係のあることが判明している。すなわ
ち、高品質大面積ダイヤモンド膜を高速で得ようとする
場合には高エネルギープラズマの利用が不可欠である
が、高エネルギープラズマの中心からの距離が大きくな
るにつれて膜厚、膜質等のダイヤモンド特性のばらつき
は大きくなり、一方、ダイヤモンド特性のばらつきを小
さく維持しようとする場合にはプラズマ温度を低くする
必要があるために成膜速度を犠牲にしなければならな
い。本発明は、上記した二律背反的条件を解決し、大面
積の高品質ダイヤモンド膜を安価に得ることを目的とす
るももので、基体支持台上に載置される基体が大円形の
場合でもあっても、基体の表面に適正厚みの被膜を均一
かつ確実に形成することができるマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、
円形の真空容器と、真空容器内に配設されると共に基体
を支持する円形の基体支持台と、基体支持台の上方で円
周方向に一定の角度間隔を開けて配置されると共にプラ
ズマ発生手段の要部を形成する複数の電極と、真空容器
の少なくとも円周側に沿って一定の角度間隔を開けて配
置され、その先部に設けた誘電体窓が対応する複数の電
極にそれぞれ連結される複数のマイクロ波導波管と、真
空容器に原料ガスを供給するガス供給手段と、真空容器
内のガスを排気する真空排気手段とを具備する。

【００１２】本発明に係るマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置は、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を以下の構成とし
たことにも特徴を有する。複数の伸縮自在なマイクロ波導波管を、真空容器の
円周に沿って配置し、中心円近辺に集約させている。基体支持台を上下に無段階に昇降自在にしているの
で、基体と電極間距離を自由に調節することができる。基体支持台を時計針と正・逆両方に回転自在として
いて、回転数の変更が自由にできる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図に示す一実施の形態
を参照して、本発明を具体的に説明する。まず、図１〜
図２を参照して、本発明の一実施の形態に係るマイクロ
波プラズマＣＶＤ装置について説明する。図１に示すよ
うに、円形の真空容器１０の内部には、基体１１を支持
するための円形の基体支持台１２が配設されている。基
体支持台１２の上方には、円形方向に間隔を開けて、プ
ラズマ発生手段の要部を形成する複数の電極１４が配置
されている。

【００１４】また図２に示すように真空容器１０の円周
方向から中心部に向かって、複数の伸縮自在のマイクロ
波導波管２０が一定の角度を開けて配置され、電極１４
が円中心に収斂されている。図２ａはマイクロ波導波管
を相対方向に２本設置した場合、図２ｂは９０度の角度
間隔で４本のマイクロ波導波管を配置した場合である。
またこの例示ではマイクロ波導波管の角度間隔は等間隔
としたが、必ずしも等間隔であることを要しない。

【００１５】マイクロ波導波管をこのように配設する理
由は、複数電極の配置によってプラズマが重複発生し
て、広範囲のプラズマ面積を確保することができるから
で、図３ａ〜３ｆに電極位置を少しずつずらした場合の
プラズマ発生状況を模式的に示した。すなわち、図３ａ
〜３ｃは図２ａに対応する２方向の場合、図３ｄ〜３ｆ
は、図２ｂに対応する４方向の場合に相当し、電極位置
の調節によって発生プラズマの重複範囲を自由に調節す
ることができる。

【００１６】以下、説明の便宜上、マイクロ波導波管が
２本の場合、すなわち図２ａの場合について説明する。
図１に戻って、マイクロ波導波管２０の先部に設けた石
英ガラス等の誘電体からなる誘電体窓１３が対応する複
数の電極１４にそれぞれ連結されている。真空容器１０
の側壁には、真空容器１０内に原料ガス（例えば、水素
とメタンの混合ガス）を供給するガス流入口１５と、真
空容器１０内を真空にすると共に、余剰ガスを流出する
ためのガス流出口１６が設けられている。

【００１７】また、誘電体窓１３の内部に形成される空
間１７は、各マイクロ波導波管２０に連通連結されてい
る。一方、各マイクロ波導波管２０の上流側端は、入射
波パワーモーター２１、チューナー２２、反射波パワー
モーター２３、アイソレータ２４を介して、マイクロ波
を発生するマグネトロン２５に連通連結されている。な
お、マイクロ波導波管２０の部分は、ベローズ型伸縮継
手構造のようになっているので基板上の電極位置は容易
に調整することができる。

【００１８】このマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の各部
の構成についてさらに詳細に説明すると以下のようにな
る。円形の真空容器１０は、その上部、下部、周囲を水
冷することができる構造になっていて、その中に円筒形
の真空空間２９が形成されている。円形の真空空間２９
の下部には、円形の基体支持台１２が、下部壁２７ａ、
２７ｂに設けた貫通孔３０を通して昇降自在に配設され
ている。基体支持台１２は、その下方に位置する油圧シ
リンダ等からなる昇降装置３１に連動連結されており、
昇降装置３１を駆動することによって基体支持台１２及
び基体支持台１２の頂面に載置支持されている基体１１
を無段階に昇降することができる。基体支持台１２も高
熱を受けるため水冷構造を有しており、その頂面には、
基体１１を載置支持するための基体載置板３２が固着さ
れている。

【００１９】また、昇降装置３１の基部は回転台３３上
に固定設置されており、この回転台３３はガイド定盤等
の上に回転機構によって回転自在となるように載置され
ていて、回転方式は例えば回転台の底部に固着したリニ
アボール軸等を回転モータによって回転させて一定の回
転が得られるようになっているが、回転方式は当業界で
知られている他の方法によることもできる。一方、真空
容器１０の真空空間２９の上部中央部には、２つの中空
円板状の電極１４が、基体支持台１２に対峙した状態で
配置されていて、各電極１４は、端面が下方に向けて突
出する電極小径部３４と、その環状端面が小径部３４の
端面より上方に位置する電極大径部３５とから形成され
ている。

【００２０】また、各電極１４も高熱を受けるため冷却
構造を有する。即ち、図４の電極周辺の部分拡大図に示
すように電極１４の大径部３５の内部には冷却水流入空
間３６が形成されており、冷却水流入空間３６には、冷
却水供給管３７と冷却水還流管３８の二重管構造を有す
る冷却水配管３９の先部が開口している。冷却水配管３
９は、真空容器１０の上部壁２６の内部に設けた冷却水
貫通孔４０を通して外部に導出され、その後、各マイク
ロ波導波管２０の下流側水平管１８の端部を横切って外
部に排出されている。

【００２１】マイクロ波の通路に関しては、冷却水貫通
孔４０の内周面と冷却水パイプ３９の外周面との間には
環状連通孔４１が形成され、環状連通孔４１の下端は誘
電体窓１３の内部の誘電体窓の空間１７に連通連結して
いる。一方、環状連通孔４１の上端は、マイクロ波導波
管２０の下流側水平管１９の内周面と冷却水パイプ３９
の外周面との間に形成されるマイクロ波垂直導波流路４
２を通して、マイクロ波導波管２０の下流側水平管１９
の末端部分の水平導波流路４３と連結している。

【００２２】また、マイクロ波導波管２０の導波管水平
部１９末端の、冷却水配管３９の周囲には、水平方向に
流れるマイクロ波を直交方向へ適確に曲げるためのブロ
ック４４が取り付けられている。即ち、各マイクロ波導
波管２０において、導波管水平部１９の上面には、冷却
水パイプ３９を同心円的に囲繞する状態で、厚肉円板状
のブロック４４が取りつけられており、ブロック４４の
外周面は、下方に向けて直径が漸次小さくなるテーパ状
に形成されている。この、ブロック４４の材質はマイク
ロ波の吸収が少ないものであれば特に限定しないが、ア
ルミニウム等の金属又はアルミニウムを含む合金が好ま
しい。

【００２３】図１に戻って、真空容器１０の内部の真空
空間２９の上部には、マイクロ波導波管誘電体窓１３と
電極１４の両側において、第１のプラズマ規制板４５の
基部が水冷上部壁２６の下面の略全長にわたって突設さ
れている。.なお、図１では図面配置の都合上、第１の
プラズマ規制板４５を図示せず、また図３にあっては部
分的に配設されたように図示されている。第１のプラズ
マ規制板４５の材質も前記ブロック４４同様、アルミニ
ウム又はアルミニウム合金が好ましい。

【００２４】さらに、第２のプラズマ規制板４６が基板
支持台１２の周囲に隣接して配設されている。この第二
プラズマ規制板４６は図１に示したように基板支持台１
２の周囲に隣接されて配設されていても、あるいは基板
支持台１２の周囲に密着配設されていてもよく、また真
空空間２９の下部に基板支持台１２とは別個に配設され
ていてもよい。なお、第二プラズマ規制板４６の高さは
図１に示したような形状に限定されるわけではなく、電
極１４上に最大厚みのプラズマ４７を形成するように電
極１４の位置を設定した場合において、第二プラズマ規
制板４６の上端面が基体１１の表面と略同じ高さまで上
方に伸延していることがさらに好ましい。

【００２５】次に、上記した構成を有するマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置を用いて基体１１の表面に硬質物質か
らなる被膜を形成する方法について説明する。全波整流
後、平滑化した直流電圧を各マグネトロン２５に印加す
ることによって、各マグネトロン２５から連続的に一定
の出力で発振されたマイクロ波は、アイソレーター２
４、反射波パワーモーター２３、チューナー２２、入射
波パワーモーター２１、マイクロ波導波管２０を経て、
各誘電体窓１３を介して真空容器１０内に導かれて、円
形の基体支持台１２上に支持されている基体１１に照射
される。そして、原料ガスの分解によって、基体１１の
表面にダイヤモンド等の硬質物質からなる被膜を形成す
ることができる。

【００２６】この際、基体支持台１２は円形に形成され
ており、かつ、この基体支持台１２上にはそれぞれ誘電
体窓１３と電極１４が直径方向に向かって一定角度で中
心に収斂配置されているので、基体支持台１２上に直径
方向に十分な長さを有することになる複数のプラズマ４
７を発生することができ、直径方向に十分な長さを有す
る基体１１であっても、その表面に硬質物質からなる被
膜を一定の厚さで形成することができる。また、小径の
基体を使用する場合には伸縮自在の導波管の位置をずら
して、任意の一の導波管のみ使用することにして、その
導波管の誘電体窓１３と電極１４の直下に、小径の基体
１１を設置して、その表面に硬質物質からなる被膜を形
成することができる。

【００２７】また、本実施の形態の場合、真空容器１０
の両外側方に、複数のマイクロ波導波管２０を一定の角
度間隔を開けて環状に配置したので、マグネトロン２５
の構造が大きい場合でも、誘電体窓１３と電極１４から
なる積層体間の間隔を小さくすることができ、基体支持
台１２上に均一な厚みを有するプラズマ４７を発生する
ことができる。さらに、本実施の形態の場合、基体支持
台１２を回転移動可能に構成しているので、この面から
も、基体支持台１２上に均一な扁平厚みを有するプラズ
マ４７を発生することができる。

【００２８】その他、本実施の形態では、基体支持台１
２は、昇降装置３１を駆動することによって無段階に昇
降することができるので、所望の形状のプラズマ４７を
基体１１の表面と電極１４との間のプラズマ形成空間に
形成することができ、基体１１の厚みや形状の大きさ如
何にかかわらず、均一な厚みを有する被膜を基体１１の
表面に形成することができる。特に、プラズマ４７を
可及的に偏平化することによって、直径の大きい広い面
積を有する基体１１にも均一な厚さの被膜を形成するこ
とが可能となる。

【００２９】

【実施例１】ダイヤモンド砥粒でラッピングした直径１
２６．５ｍｍ、厚さ０．６２５ｍｍのシリコンウエハを
基板として用意した。１基当たりの出力６ｋＷのマイク
ロ波発生用マグネトロンを使用して、図２のａ、ｂのよ
うな電極配置を有するダイヤモンド成膜装置を作製し、
以下のようにしてダイヤモンド膜を製造した。得られた
ダイヤモンドの特性を表１に比較して示した。

【００３０】まず、真空容器１０の内部を０．６Ｐａま
で排気し、その後水素ガスを１５ｌ／分で真空容器１０
内部に導入し、マグネトロン２５に直流電圧を印加して
プラズマを発生させた。プラズマが扁平化して安定して
きたら、ガス流入口からメタンガスを０．１４７ＭＰａ
の圧力で０．１０±０．０５ｌ／分で導入すると共に、
容器１０内部の圧力を０．０１２７ＭＰａに維持してダ
イヤモンドを基板上に堆積させた。この場合、必要に応
じて基板を約１００ｒｐｍで回転した。なお、表１にお
いて、「２方向」というのは図２のａで示した電極配置
をいい、「４方向」とは図２のｂで示した電極配置をい
う。なお、「２方向回転」とは、図２のａで示した電極
配置でかつ基板を１００ｒｐｍで回転させたことをい
う。

【００３１】

【表１】

【００３２】ダイヤモンドの特性は以下のようにして測
定した。（１）成膜面積と厚さは実測によった。（２）成膜速度はダイヤモンド重量を測定して、前記成
膜面積、密度から計算によって求めた。（３）膜質評価はラマンスペクトルにおけるベースライ
ン吸収と１３３３ｃｍ⁻ ^１のピーク半値幅及び熱伝導率
を測定して、これらの値から総合評価した。ラマンスペ
クトルは日本電子データシステムズ株式会社製のラマン
分光測定装置ＳＹＳＴＥＭ−３０００を、熱伝導率は真
空理工株式会社製光交流法熱定数測定装置ＰＩＴ−Ｒ２
型を使用した。（４）ダイヤの試算価格は、装置価格、原料、運転費
（一定の膜厚ダイヤを得るに要する時間）等から総合的
に算出した比較値である。

【００３３】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明では、
円形の真空容器内に基体を支持する円形の基体支持台を
配設し、基体支持台の上方に、プラズマ発生手段の要部
を形成する複数のマイクロ波導波管と電極を円周方向に
間隔を開けて配置し、その先部に設けた誘電体窓を対応
する前記複数の電極にそれぞれ連結することによってマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置を構成したので、基体支持
台上に直径方向に十分な長さを有するプラズマを発生す
ることができ、長手方向に十分な長さを有する基体であ
っても、その表面に硬質物質からなる被膜を確実に形成
することができる。また、誘電体窓と電極からなる複数
の積層体の使用数を変えることにより、小径の基体であ
ってもその表面に硬質物質からなる被膜を確実に形成す
ることができる。

【００３４】また、真空容器の両外側方に、複数のマイ
クロ波導波管を間隔を開けて円周状に配置することによ
って、マグネトロンの構造が大きい場合でも、誘電体窓
と電極からなる積層体間の間隔を小さくすることがで
き、基体支持台上に均一な厚みを有するプラズマを発生
することができる。さらに、基体支持台を回転可能に構
成しているので、この面からも、基体支持台上に均一な
厚みを有するプラズマを発生することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係るマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置の全体構成を示す断面図である。

【図２】プラズマ導波管の配置状態を示した平面図であ
る。

【図３】発生するプラズマ状態の模式図である。

【図４】図１に示した電極周辺部分の拡大図である。

【図５】従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の構成説
明図である。

【符号の説明】

１０・・・真空容器１１・・・基体１２・・・基体支持台１３・・・誘電体窓１４・・・電極１５・・・ガス流入口１６・・・ガス流出口１７・・・誘電体窓の空間１９・・・導波管水平部２０・・・マイクロ波導波管２１・・・入射波パワーモーター２２・・・チューナー２３・・・反射波パワーモーター２４・・・アイソレーター２５・・・マグネトロン２６・・・水冷上部壁２７ａ・・・機密シール板２７ｂ・・・機密シール板３０・・・貫通孔３１・・・昇降装置３２・・・基体載置板３３・・・回転台３４・・・電極小径部３５・・・電極大径部３６・・・冷却水流入空間３７・・・冷却水供給管３８・・・冷却水循環管３９・・・冷却水配管４０・・・冷却水貫通孔４１・・・環状連通孔４２・・・マイクロ波垂直導波流路４３・・・マイクロ波水平導波流路４４・・・ブロック４５・・・第一プラズマ規制板４６・・・第二プラズマ規制板４７・・・プラズマ６０・・・上プレート６１・・・下プレート６３・・・環状リング６４・・・反応チャンバー６５・・・電極６６・・・環状誘電体バリヤ６７・・・マイクロ波導波管６８・・・反応チャンバー周縁部６９・・・頂板７０・・・プラズマ発生空間７１・・・ガス供給口７２・・・ガス流出口７３・・・プラズマ７４・・・基体載置板７５・・・中間支持板８０・・・排気ポンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者内山義夫山口県下松市東豊井1296番地の１東洋鋼鈑株式会社技術研究所内 (72)発明者井上勝山口県下松市東豊井1296番地の１東洋鋼鈑株式会社技術研究所内Ｆターム(参考） 4G077 AA03 AB03 BA03 DB07 DB19 ED06 EG25 EG29 TA04 TA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円形の真空容器と、前記真空容器内に配設
されると共に基体を支持する円形の基体支持台と、前記
基体支持台の上方で円周方向に一定の角度間隔を開けて
配置されると共にプラズマ発生手段の要部を形成する複
数の電極と、前記真空容器の少なくとも円周に沿って一
定の角度間隔を開けて配置され、その先部に設けた誘電
体窓が対応する前記複数の電極にそれぞれ連結される複
数の伸縮自在のマイクロ波導波管と、前記真空容器に原
料ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内のガ
スを排気する真空排気手段とを具備するマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置。
【請求項２】前記複数のマイクロ波導波管を、前記真
空容器の円周上に一定の角度間隔で配置し、円中心部に
収斂させたことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】２個のマイクロ波導波管を、前記真空容
器の円周上に１５０〜１８０゜の角度間隔で配置し、円
中心部に収斂させたことを特徴とする請求項１記載のマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】４個のマイクロ波導波管を、前記真空容
器の円周上に１〜１２０゜の角度間隔で配置し、円中心
部に収斂させたことを特徴とする請求項１記載のマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】前記基体支持台を円周方向に１０〜１
０，０００ｒｐｍの速度で回転自在としたことを特徴と
する請求項１又は２記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置。
【請求項６】請求項１又は２記載のマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置を使用して、円形シリコン基板上に１時間
当たり、厚さ（μｍ）／直径（ｍｍ）比が０．１０以下
のダイヤモンド薄膜を形成する方法。